【課題】高感度、高解像性（高解像力など）、高ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、（１）感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、（２）前記膜を電子線または極紫外線で露光することと、（３）有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含み、前記感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、（Ａ）電子線又は極紫外線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位（Ｒ）を有する樹脂と、（Ｂ）溶剤とを含有している。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、
（２）前記膜を電子線または極紫外線で露光することと、
（３）有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像すること、
とを含んだパターン形成方法であって、
前記感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、（Ａ）電子線又は極紫外線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位（Ｒ）を有する樹脂と、（Ｂ）溶剤とを含有しているパターン形成方法。
【請求項２】
前記樹脂（Ａ）が、更に、極性基を有する繰り返し単位を有する、請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記極性基が、ヒドロキシル基、シアノ基、ラクトン基、カルボン酸基、スルホン酸基、アミド基、スルホンアミド基、アンモニウム基、スルホニウム基及びこれらの２つ以上を組み合わせてなる基より選択される、請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記樹脂（Ａ）が、更に、酸性基を有する繰り返し単位を有する、請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記酸性基が、フェノール性ヒドロキシル基、カルボン酸基、スルホン酸基、フッ素化アルコール基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）メチレン基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基、ビス（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルスルホニル）メチレン基、ビス（アルキルスルホニル）イミド基、トリス（アルキルカルボニル）メチレン基、又は、トリス（アルキルスルホニル）メチレン基のいずれかである、請求項４に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記繰り返し単位（Ｒ）における前記構造部位が、電子線又は極紫外線の照射により前記樹脂（Ａ）の側鎖に酸基を発生する構造である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記繰り返し単位（Ｒ）における前記構造部位が非イオン性の構造である、請求項１〜６のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項８】
前記非イオン性の構造がオキシム構造である、請求項７に記載のパターン形成方法。
【請求項９】
前記樹脂（Ａ）は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシル基を生じる基を備えた繰り返し単位を更に有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
前記前記感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物が、疎水性樹脂を更に含有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項１１】
有機溶剤を含んだリンス液を用いて前記現像された膜を洗浄することを更に含んだ、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載のパターン形成方法を供せられる感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物。
【請求項１３】
請求項１２に記載の感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて形成されるレジスト膜。
【請求項１４】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。

【公開番号】特開２０１３−８０００２（Ｐ２０１３−８０００２Ａ）
【公開日】平成２５年５月２日（２０１３．５．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２１８５４６（Ｐ２０１１−２１８５４６）
【出願日】平成２３年９月３０日（２０１１．９．３０）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】