【課題】工程のスループットに優れ、ナノメーターオーダーのパターンを簡便に形成できる方法を提供する。
【解決手段】ポリスチレン誘導体とシルセスキオキサンを含むポリメタクリレート誘導体とを有するコポリマーを含有するパターン形成材料からなる膜を形成する工程と、前記膜中にミクロ相分離構造を形成する工程と、前記シルセスキオキサンを含むポリマー鎖の相をマスクとして前記基板をエッチングして前記基板にミクロ相分離構造のパターンを転写する工程とを具備したことを特徴とするパターン形成方法。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリスチレン誘導体とシルセスキオキサンを含むポリメタクリレート誘導体とを有するコポリマーを含有するパターン形成材料からなる膜を形成する工程と、
前記膜中にミクロ相分離構造を形成する工程と、
前記シルセスキオキサンを含むポリマー鎖の相をマスクとして前記基板をエッチングして前記基板にミクロ相分離構造のパターンを転写する工程と
を具備したことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
下記化学式で示されるシルセスキオキサン含有ユニットを側鎖に有するポリメタクリレートから構成されることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【化１】

ここで、ＲはＨまたは置換または非置換のアルキル基、アリール基、アラルキル基を示す。
【請求項３】
前記シルセスキオキサンを含むポリメタクリレートは下記化学式で示されるモノマーから合成されるブロックコポリマーもしくはグラフトコポリマー鎖であることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【化２】

ここで、ＲはＨまたは置換または非置換のアルキル基、アリール基、アラルキル基を示す。
【請求項４】
前記ポリスチレン誘導体は下記化学式（ａ）で示されるモノマーから合成されるスチレン末端ポリエチレンオキシドマクロマーであり、前記シルセスキオキサンを含むポリメタクリレートは下記化学式（ｂ）で示されるモノマーから合成されるグラフトポリマー鎖であることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【化３】

ここで、ＲはＨまたは置換または非置換のアルキル基、アリール基、アラルキル基を示す。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【公開番号】特開２０１２−３６０７８（Ｐ２０１２−３６０７８Ａ）
【公開日】平成２４年２月２３日（２０１２．２．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１５３１７２（Ｐ２０１１−１５３１７２）
【出願日】平成２３年７月１１日（２０１１．７．１１）
【分割の表示】特願２００７−２１３７４８（Ｐ２００７−２１３７４８）の分割
【原出願日】平成１２年６月６日（２０００．６．６）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】