【課題】検査対象パターンを製造するために使用するデータの情報を使ったパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、前記データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段１１と、前記データから領域検査に使用する基準パターンを生成する生成手段と、前記検査対象パターン画像を生成する生成手段７と、前記検査対象パターン画像のエッジを検出する手段１２と、前記検査対象パターン画像のエッジと前記線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、前記検査対象パターンを検査する検査手段１２とを備え、前記検査手段は、前記検査対象パターン画像のエッジと前記領域検査に使用する基準パターンとを比較することにより、前記検査対象パターンを検査する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、
前記データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、
前記データから領域検査に使用する基準パターンを生成する生成手段と、
前記検査対象パターン画像を生成する生成手段と、
前記検査対象パターン画像のエッジを検出する手段と、
前記検査対象パターン画像のエッジと前記線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、前記検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、
前記検査手段は、前記検査対象パターン画像のエッジと前記領域検査に使用する基準パターンとを比較することにより、前記検査対象パターンを検査することを特徴とするパターン検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載のパターン検査装置において、前記領域検査に使用する基準パターンを、前記データを成す線分の幾何学情報もしくは接するか近接する前記データを成す線分同士の関係を使用して抽出することを特徴とするパターン検査装置。
【請求項３】
請求項２に記載のパターン検査装置において、前記領域検査に使用する基準パターンを用いる検査として、直線形状パターンの線幅検査、スペース幅検査、平均線幅検査、平均スペース幅検査、曲線形状パターンの線幅検査、スペース幅検査、平均線幅検査、平均スペース幅検査、もしくは切断・短絡検査のうち少なくとも一つであることを特徴とするパターン検査装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載のパターン検査装置において、前記領域検査に使用する基準パターンを前記データから抽出する手段が、検査対象に関するレイアの前記データの多角形とこれに関連するレイアの前記データの多角形との論理演算の結果を使用することを特徴とするパターン検査装置。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載のパターン検査装置において、前記領域検査に使用する基準パターンのエッジとは異なった方向に前記エッジを検出することにより切断もしくは短絡した欠陥であるか検査することを特徴とするパターン検査装置。
【請求項６】
検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、
前記データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、
前記検査対象パターン画像を生成する生成手段と、
前記検査対象パターン画像のエッジを検出する手段と、
前記検査対象パターン画像のエッジと前記線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、前記検査対象パターンを検査する検査手段と、
前記検査手段によって、同一の前記データに基づいて製造された複数の半導体デバイスに対して、前記データ上の座標で表現された同じ検査領域から得られた欠陥位置と欠陥サイズを得て、前記得られた欠陥位置と欠陥サイズを持つ領域が重なっている場合には繰り返し発生する欠陥と認識する欠陥認識手段とを備えることを特徴とするパターン検査装置。
【請求項７】
請求項６に記載のパターン検査装置において、前記複数の半導体デバイスから得られた前記欠陥位置と欠陥サイズのうち、少なくとも一つの第１の前記半導体デバイスについては、第１の半導体デバイスに設定された前記検査領域から前記欠陥位置と欠陥サイズを得て、それ以外の第２の前記半導体デバイスについては、前記第１の半導体デバイス得られた欠陥位置と欠陥サイズを持つ領域が重なっているか調べるのに必要な領域のみを検査することを特徴とするパターン検査装置。
【請求項８】
検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、
前記データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、
前記検査対象パターン画像を生成する生成手段と、
前記検査対象パターン画像のエッジを検出する手段と、
前記検査対象パターン画像のエッジと前記線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、前記検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、
前記検査手段は、前記基準パターンの幾何学情報から得られる項目、前記データの情報から得られる項目、もしくは前記データに関連するデータの情報から得られる項目ごとに、欠陥種を設定することを特徴とするパターン検査装置。
【請求項９】
請求項８に記載のパターン検査装置において、前記欠陥の近傍の前記基準パターンを切り出して得られた特徴を使って欠陥分類することを特徴とするパターン検査装置。
【請求項１０】
請求項８に記載のパターン検査装置において、前記データの情報を使って、補正パターンが追加された前記データ、前記データを使ったシミュレーションで得られた形状データ、または、前記データに関連する別のデータのいずれかと、前記欠陥とを、対応づけることを特徴とするパターン検査装置。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【図３０】

【図３１】

【図３２】

【図３３】

【図３４】

【図３５】

【図３６】

【図３７】

【図３８】

【図３９】

【図４０】

【図４１】

【図４２】

【図４３】

【図４４】

【図４５】

【図４６】

【図４７】

【図４８】

【図４９】

【図５０】

【図５１】

【図５２】

【図５３】

【図５４】

【図５５】

【図５６】

【図５７】

【図５８】

【図５９】

【図６０】

【図６１】

【図６２】

【図６３】

【図６４】

【図６５】

【図６６】

【図６７】

【図６８】

【図６９】

【図７０】

【図７１】

【図７２】

【図７３】

【図７４】

【図７５】

【図７６】

【図７７】

【図７８】

【図７９】

【図８０】

【図８１】

【図８２】

【図８３】

【図８４】

【図８５】

【図８６】

【図８７】

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【図８９】

【図９０】

【図９１】

【図９２】

【図９３】

【図９４】

【図９５】

【図９６】

【図９７】

【図９８】

【図９９】

【図１００】

【図１０１】

【図１０２】

【図１０３】

【図１０４】

【図１０５】

【図１０６】

【図１０７】

【図１０８】

【図１０９】

【図１１０】

【図１１１】

【図１１２】

【図１１３】

【図１１４】

【図１１５】

【図１１６】

【図１１７】

【図１１８】

【図１１９】

【図１２０】

【図１２１】

【図１２２】

【図１２３】

【図１２４】

【図１２５】

【図１２６】

【図１２７】

【図１２８】

【図１２９】

【図１３０】

【図１３１】

【図１３２】

【図１３３】

【図１３４】

【図１３５】

【図１３６】

【図１３７】

【図１３８】

【図１３９】

【図１４０】

【図１４１】

【図１４２】

【図１４４】

【図１４３】

【公開番号】特開２０１０−２６８００９（Ｐ２０１０−２６８００９Ａ）
【公開日】平成２２年１１月２５日（２０１０．１１．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１８８３０１（Ｐ２０１０−１８８３０１）
【出願日】平成２２年８月２５日（２０１０．８．２５）
【分割の表示】特願２００５−３９８７１（Ｐ２００５−３９８７１）の分割
【原出願日】平成１７年２月１６日（２００５．２．１６）
【出願人】（３０１０１４９０４）株式会社ナノジオメトリ研究所 (15)
【Ｆターム（参考）】