ビルドアッププリント回路基板及びその製造方法
【課題】環境にやさしく経済的な方法により、基板の粗さを形成することができるだけでなく、ビルドアップ基板材料と金属回路層との密着力強化による高信頼性の微細回路を具現することができるビルドアッププリント回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のビルドアッププリント回路基板の製造方法は、（ａ）第１樹脂基板を提供する段階と、（ｂ）前記第１樹脂基板の表面にエポキシエマルジョン溶液を塗布して粗さを形成する段階と、（ｃ）前記粗さが形成された第１樹脂基板にコア回路層を形成してコア層を提供する段階と、を含むものである。
【解決手段】本発明のビルドアッププリント回路基板の製造方法は、（ａ）第１樹脂基板を提供する段階と、（ｂ）前記第１樹脂基板の表面にエポキシエマルジョン溶液を塗布して粗さを形成する段階と、（ｃ）前記粗さが形成された第１樹脂基板にコア回路層を形成してコア層を提供する段階と、を含むものである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビルドアッププリント回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の高機能化及び半導体デバイス（ｄｅｖｉｃｅ）の高集積化に伴いプリント基板も高密度化が要求されており、現在、多層基板が主に使用されている。多層プリント回路基板の製造方法は、積層接着法とビルドアップ（Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ）法の二つに大別されている。
【０００３】
積層接着法は、例えば、特許文献１などに開示されたように、片面または両面に所定の導電パターン（ｐａｔｔｅｒｎ）を形成した複数の樹脂基板を前記導電パターンの保護、層間絶縁、及び層間接着の役目をするプリプレグを用いて積層し、プレス（ｐｒｅｓｓ）成形によって、多層のプリント回路基板を形成する。前記各層の導電パターン間において導通する必要がある場所には、スルーホール（ｔｈｒｏｕｇｈ ｈａｌｌ）を設け、このスルーホール内にメッキを施して導通することが一般的である。
【０００４】
また、ビルドアップ法は、スルーホールメッキが施される銅張積層板をエッチングにより回路を形成し、絶縁樹脂によってマスキングを行って、その上に導電性ペーストインクを印刷して回路を形成した後、導電性ペーストインク及びスルーホールに化学銅メッキ被膜を形成し、この工程を繰り返して多層化する方法が、特許文献２などに開示されている。
【０００５】
しかし、各種電子機器などの小型化や薄型化のため、電気回路を構成する配線基板を収納するスペース（ｓｐａｃｅ）は、相当限定されており、この限定されたスペース内に電気回路を構成する配線基板を収納するため、積層接着法よりは、薄型化及び高密度化が可能なビルドアップ法によって、プリント回路基板が製造されている。
【０００６】
一方、現在ビルドアッププリント回路基板（Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）は、サブトラクティブ工法（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、及び ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）工法などを用いて製造されている。特に、ＨＤＩ（Ｈｉｇｈ Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）製品は、サブトラクティブ工法を用い、ＵＴ−ＣＳＰ（Ｕｌｔｒａ Ｔｈｉｎ−Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）はサブトラクティブ及びＭＳＡＰ工法を用い、ＦＣＢＧＡ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）の場合、コア（ｃｏｒｅ）層は、サブトラクティブ工法を、ビルドアップ（ｂｕｉｌｄ−ｕｐ）外層は、ＳＡＰ工法を用いており、無電解メッキ工程でシード層（ｓｅｅｄ ｌａｙｅｒ）を形成して微細回路を具現する。従来のＳＡＰ工法は、湿式表面処理及び無電解メッキを用いた湿式工程により、金属シード層を形成することで、表面粗さが大きくなって微細回路の具現に困難があるだけでなく、廃棄物が多量発生して環境にやさしくないという短所がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭６２−２０５６９０号公報
【特許文献２】特開昭５７−７２３９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従って、本発明では、前記のような問題点を解決するために鋭意研究した結果、ビルドアッププリント回路基板で、半硬化乾燥基材にエポキシエマルジョンを噴射して、粗さを形成した後、後硬化して絶縁層に粗さを形成することにより、環境にやさしく、高信頼性の微細回路の具現が可能なビルドアッププリント回路基板を製造することができ、本発明は、これに基づいて完成された。
【０００９】
本発明の一つの目的は、コア層及び外層を含むビルドアッププリント回路基板を製造する際に、エポキシエマルジョンを塗布する工程を導入して、環境にやさしく経済的な方法により、基板の粗さを形成することができるビルドアッププリント回路基板の製造方法を提供することにある。
【００１０】
本発明の他の目的は、樹脂基板と金属層との界面接着力を向上させて、高信頼性の微細回路を具現することができるビルドアッププリント回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を果たすために、本発明のビルドアッププリント回路基板の製造方法は、第１樹脂基板を提供する段階と、前記第１樹脂基板の表面にエポキシエマルジョン溶液を塗布して粗さを形成する段階と、前記粗さが形成された第１樹脂基板にコア回路層を形成してコア層を提供する段階と、を含む。
【００１２】
本発明の製造方法は、前記コア層上に、第２樹脂基板を積層する段階と、前記積層された第２樹脂基板の表面にエポキシエマルジョン溶液を塗布して粗さを形成する段階と、前記粗さが形成された第２樹脂基板に外層回路層を形成して外層を提供する段階と、をさらに含むことを特徴とする。
【００１３】
本発明の製造方法において、前記コア回路層は、前記粗さが形成された第１樹脂基板上に第１金属シード層を形成した後、前記第１金属シード層が形成された基板を電解メッキ法を用いて第１金属パターンメッキ層を形成し、前記第１金属パターンメッキ層が形成されていない部分の第１金属シード層を除去して製造されることを特徴とする。
【００１４】
本発明の製造方法において、前記外層回路層は、前記粗さが形成された第２樹脂基板上に無電解メッキ法を用いて第２金属シード層を形成した後、前記第２金属シード層が形成された基板を電解メッキ法を用いて第２金属パターンメッキ層を形成し、前記第２金属パターンメッキ層が形成されていない部分の第２金属シード層を除去して製造されることを特徴とする。
【００１５】
本発明の製造方法において、前記第１樹脂基板を提供する段階は、前記第１樹脂基板に導通孔を形成する段階を含むことを特徴とする。
【００１６】
本発明の製造方法において、前記第２樹脂基板を積層する段階は、前記積層された第２樹脂基板にブラインドビアホールを形成する段階を含むことを特徴とする。
【００１７】
本発明の製造方法において、前記粗さを形成する段階は、エポキシエマルジョンを塗布した後、８０〜２００℃の温度で後硬化して乾燥させることを特徴とする。
【００１８】
本発明の製造方法において、前記エポキシエマルジョンは、界面活性剤、溶剤、硬化剤、及びエポキシで構成されることを特徴とする。
【００１９】
本発明の製造方法において、前記エポキシエマルジョンの粒径は、１〜３０μｍであることを特徴とする。
【００２０】
本発明の製造方法において、前記エポキシエマルジョンの塗布厚さは、２〜８μｍであることを特徴とする。
【００２１】
本発明の製造方法において、前記第１及び第２樹脂基板は、互いに同一または異なる、エポキシ系樹脂またはフッ素系樹脂からなる基板であることを特徴とする。
【００２２】
本発明の製造方法において、前記第１金属シード層は、真空蒸着法または無電解メッキ法を用いて形成されることを特徴とする。
【００２３】
本発明の製造方法において、前記エポキシエマルジョンを塗布して形成された樹脂基板の平均表面粗さ（Ｒａ）が、１．０μｍ未満であることを特徴とする。
【００２４】
一方、前記他の目的を果たすための本発明のビルドアッププリント回路基板は、前記の製造方法によって形成されたことを特徴とする。
【００２５】
本発明のビルドアッププリント回路基板において、前記基板の平均表面粗さ（Ｒａ）は１．０μｍ未満であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
上記のように、本発明は、樹脂基板にエポキシエマルジョンを塗布する工程を導入して、環境にやさしく経済的な方法により、基板の粗さを形成することができる。さらに、ビルドアップ基板材料と金属回路層との密着力強化による高信頼性の微細回路を具現することができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一具体例によりビルドアッププリント回路基板のコア層（ａ）及び外層（ｂ）を製造する工程を概略的に示すフローチャートである。
【図２Ａ】本発明の一具体例によりビルドアッププリント回路基板のコア層を製造する工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図２Ｂ】本発明の一具体例によりビルドアッププリント回路基板のコア層を製造する工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図２Ｃ】本発明の一具体例によりビルドアッププリント回路基板のコア層を製造する工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図２Ｄ】本発明の一具体例によりビルドアッププリント回路基板のコア層を製造する工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図２Ｅ】本発明の一具体例によりビルドアッププリント回路基板のコア層を製造する工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図２Ｆ】本発明の一具体例によりビルドアッププリント回路基板のコア層を製造する工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図２Ｇ】本発明の一具体例によりビルドアッププリント回路基板のコア層を製造する工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図３】本発明の一具体例によりプリント回路基板にエポキシエマルジョンを塗布する工程を概略的に示す図面である。
【図４Ａ】図２Ｇのコア層上に第１外層を形成する製造工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図４Ｂ】図２Ｇのコア層上に第１外層を形成する製造工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図４Ｃ】図２Ｇのコア層上に第１外層を形成する製造工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図４Ｄ】図２Ｇのコア層上に第１外層を形成する製造工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図４Ｅ】図２Ｇのコア層上に第１外層を形成する製造工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図４Ｆ】図２Ｇのコア層上に第１外層を形成する製造工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図５】図４Ｆの第１外層上に第２外層が形成されて製造されたＦＣＢＧＡプリント回路基板の構造を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明が属する技術分野において通常の知識を有した者が本発明を容易に実施できるようにするために、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
【００２９】
本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び特許請求の範囲に用いられた用語や単語は、通常的かつ辞書的な意味に限定して解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されなければならない。
【００３０】
従って、本明細書に記載された実施例の構成は、本発明のもっとも好ましい一実施例に過ぎず、本発明の技術的思想の全てを代弁しているわけではないため、本出願時点においてこれらを代替することができる多様な均等物と変形例があり得ることを理解しなければならない。
【００３１】
以下、添付の図面を参照して、本発明をより具体的に説明すると、以下の通りである。
【００３２】
上記のように、既存のビルドアッププリント回路基板のコア層における工程は、両面に金属層が積層された樹脂基板を用いてサブトラクティブ工法により、ドライフィルム積層、露光／現像した後、湿式エッチングにより回路を具現しているが、回路線幅をピッチが８０μｍ（Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ＝４０／４０μｍ）以下になるように具現することに限界がある。一方、このような微細回路具現の限界を克服するために、ＳＡＰ工法により基板に、ビアホール加工、デスミア工程を行って、無電解メッキで金属シード層を形成した後、電解メッキ、フラッシュエッチングにより回路を形成する方法が考えられるが、ＳＡＰ工法を用いることにおいて、通常の湿式工程で無電解／電解メッキにより回路層を形成する場合、樹脂基板と金属層との密着力が確保されないため、微細回路の具現が難しい。
【００３３】
本発明の一実施例によると、上記の問題点を改善するために、まず、ＳＡＰ工法を用いて、コア層を製造するが、コア層樹脂基板に既存の湿式金属シード層の粗さ形成のための湿式デスミア工程を、乾式工程であるエポキシエマルジョンを塗布して粗さを形成する工程に代替することにより、環境にやさしいＳＡＰ工法により金属との密着力（Ｐｅｅｌ ｓｔｒｅｎｇｔｈ）を、０．８ｋｇｆ／ｃｍ以上に向上させて高密度の微細回路の具現が可能である。一方、ビルドアップ外層でも既存の湿式デスミアを、エポキシエマルジョンを塗布する工程に代替して樹脂基板の粗さを形成した後、回路層を形成することにより、全層にＳＡＰ工法を用いて高密度の微細回路を具現することができる。
【００３４】
図１には、本発明の一実施例によりビルドアッププリント回路基板のコア層（ａ）及び外層（ｂ）を製造する工程をフローチャートで示した。図２Ａ〜図２Ｇには、本発明の一具体例によりビルドアッププリント回路基板のコア層を製造する工程を概略的に示す工程流れ図を示した。
【００３５】
図１（ａ）、及び図２Ａ〜図２Ｇを参照すると、先ず、当業界で用いられる通常のエポキシ系樹脂またはフッ素系樹脂からなるプリント回路基板用の樹脂基板１１を準備する（図２Ａ参照）。その後、樹脂基板１１に層間の電気的導通のための少なくとも一つの内層ビア用導通孔１２を形成した後（図２Ｂ参照）、前記導通孔１２が形成された基板の表面に、エポキシエマルジョンを塗布して基板の表面に粗さを形成する。
【００３６】
好ましくは、前記エポキシエマルジョンを塗布して粗さを形成する過程は、エポキシエマルジョンを塗布した後、８０〜２００℃の温度で後硬化して乾燥させることにより行うことができるが、特にこれに限定されず、実際の工程条件は、基板材料によって適切に調節できることが、当業者にとって自明なことである。
【００３７】
前記エポキシエマルジョンは、溶剤にエポキシ樹脂、界面活性剤、及び硬化剤を含む溶液を添加した後、強制分散させて製造される。このようなエポキシエマルジョンは、当業界で多く用いられているエマルジョン塗料またはエマルジョン接着剤と同じ方法で製造され、エポキシ樹脂１００重量部を基準に、界面活性剤１０〜３０重量部、硬化剤５〜１５重量部、溶剤２００〜４００重量部の割合で構成されることが、本発明の効果を果たすために好ましいが、必ずこれに限定されるものではない。
【００３８】
ここで、界面活性剤は、ＳＤＢＳ（Ｓｏｄｉｕｍ Ｄｏｄｅｃｙｌ Ｂｅｎｚｅｎｅ Ｓｕｌｆｏｎａｔｅ）、Ｐｌｕｒｏｎｉｃ Ｆ１２７（ＢＡＳＦ）、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（ｐｏｌｙｏｘｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎｏｎｙｌｐｈｅｎｙｌ ｅｔｈｅｒ）などを用いることができ、エポキシエマルジョンの粒径は、界面活性剤の種類によって調節が可能であり、１〜３０μｍまでの大きさに強制乳化が可能である。
【００３９】
また、硬化剤は、エチレンジアミン（ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｄｉａｍｉｎｅ）、ＡＥＰ（Ａｍｉｎｏｅｔｈｙｌ ｐｉｐｅｒａｚｉｎｅ）などのアミン系エポキシ硬化剤が用いることができ、溶剤は、一般的に、脱イオン水（Ｄｅ−Ｉｏｎｉｚｅ ｗａｔｅｒ）を用いることが効果的である。
【００４０】
このようなエポキシエマルジョンを塗布して樹脂基板の粗さを形成する過程により、樹脂基板と後工程で形成される金属シード層との密着力を強化させることができる。即ち、図３に示したように、樹脂基板材料である高分子物質の表面にエポキシエマルジョンを、スプレー（ｓｐｒａｙ）、ディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）、または当業者に公知の様々な方法のその他のコーティング法を用いて樹脂基板の上に塗布した後、８０℃以上の温度で硬化させてから乾燥して粗さを形成すると、材料の界面の密着力が強化されて微細回路の具現が可能になる。ここで、前記エポキシエマルジョンの塗布厚さは、好ましくは、２〜８μｍ、さらに好ましくは、５〜６μｍであることが、本発明の効果を果たすために好ましい。
【００４１】
前記エポキシエマルジョンを塗布する工法を使用すると、既存のデスミア工法より基板の粗さ値がはるかに低く、かつ優れた接着強度を維持することができる。これは、乳化処理が施されたエポキシの大きさを自由に調節することができるため、基板全体における粗さ形成面積を広くかつ均一に形成することができるためである。形成された粗さの平均測定値（Ｒａ）が１μｍ以上であると、微細回路の線幅の形成が不利になり、平均粗さ測定値（Ｒａ）が１μｍ未満であると、微細回路の線幅の形成が可能になる。前記工法を用いて形成された基板の平均粗さ測定値（Ｒａ）が０．５〜０．７μｍである場合、１ｋｇｆ／ｃｍの高い接着強度が得られる。
【００４２】
図２Ｃを参照すると、前記エポキシエマルジョン表面処理が施された樹脂基板１１上に金属を無電解メッキまたは真空蒸着して所望の厚さの金属シード層１３を形成する。ここで、前記真空蒸着は、好ましくは、スパッタ（ｓｐｕｔｔｅｒ）、熱蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）または ｅ−ビーム（ｅ−ｂｅａｍ）法により行われることができるが、当業界に公知されたものであれば、特にこれに限定されない。これにより形成される金属シード層の厚さは、０．０２〜４μｍ、好ましくは、０．０２〜１μｍ、さらに好ましくは、０．０２〜０．５μｍであることが好適である。
【００４３】
その後、当業界に公知されたように、パターンメッキを施す部分を除いた所定部分に、メッキレジストとして作用するドライフィルム１４を塗布し（図２Ｄ参照）、電解金属パターンメッキを施した後、ドライフィルム１４を除去して金属パターンメッキ層１５を形成する（図２Ｅ参照）。
【００４４】
一方、金属パターンメッキ層１５が形成されない部分の金属シード層１３は、通常のフラッシュエッチング法を用いて除去し（図２Ｆ参照）、金属パターンメッキ層１５が形成された導通孔１２は、当業界に公知された通常の導電性金属ペースト１６で充填してコア回路層を完成する（図２Ｇ参照）。
【００４５】
図１（ｂ）、及び図４Ａ〜図４Ｆを参照し、本発明によりビルドアッププリント回路基板のコア層に外層をビルドアップする過程を好ましい具体例を挙げて説明する。
【００４６】
先ず、図２Ｇで形成されたコア回路層を、通常の表面処理方法に従って、例えば、ＣＺ処理（ＭＥＣ社ＣＺ８１００）により、回路層表面の粗さを増加させて樹脂基板材料との密着力を確保した後、その上にコア層で使用したものと互いに同一または異なる、エポキシ樹脂系またはフッ素樹脂系基板２１を積層する（図４Ａ参照）。
【００４７】
その後、前記エポキシ樹脂系またはフッ素樹脂系基板２１に層間の電気的導通のためのブラインドビアホール２２を形成した後（図４Ｂ参照）、エポキシエマルジョンを塗布する工程により、基板表面の粗さを形成して無電解メッキを行い、例えば、約２〜３μｍの厚さを有する金属シード層２３を形成する（図４Ｃ参照）。
【００４８】
その後、ブラインドビアホール２２を含んで回路パターンが形成される位置を除いた所定の位置に、ドライフィルム２４を塗布した後（図４Ｄ参照）、これをレジストにして電解メッキにより、金属パターンメッキ層２５を形成する（図４Ｅ参照）。
【００４９】
その後、ドライフィルム２４を除去し、金属パターンメッキ層２５が形成されていない部分の金属シード層２３を通常のフラッシュエッチング工程により除去することにより、外層回路層を完成する（図４Ｆ参照）。
【００５０】
選択的に、図４Ａ〜図４Ｆで、上記のようなＳＡＰ工程を２回繰り返して３層〜６層まで形成した後、例えば、ＦＣＢＧＡ基板の最外角層として用いられる場合、当業界に公知されたように、ソルダレジストを塗布し、通常のソルダレジストオープニング工程によりソルダレジストオープン部を形成した後、通常の無電解ニッケル／金メッキにより、バンプを形成することができる。このような工程によって形成された６層のＦＣＢＧＡ基板の一例を、図５に示した。
【００５１】
図５を参照すると、コア層として第１樹脂基板３１に第１回路層３２ａ、３２ｂとビアホール３３が形成されており、外層として第２樹脂基板３４ａ、３４ｂとブラインドビアホールとともに第２回路層３５ａ、３５ｂ、そして第３の樹脂基板３６ａ、３６ｂとブラインドビアホールとともに第３回路層３７ａ、３７ｂが形成されている。また、最外角層にソルダレジスト３８ａ、３８ｂが形成されており、所定のオープニング工程に従ってソルダレジストオープン部３９ａ、３９ｂが形成されている。
【００５２】
一方、このようなビルドアップ基板の使用目的によって、外層のビルドアップ工程が数回さらに繰り返して行われ、所定の後工程がさらに行われることができるのは言うまでもない。
【００５３】
このように製造されるビルドアッププリント回路基板は、ＨＤＩ（Ｈｉｇｈ Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）、ＵＴ−ＣＳＰ（Ｕｌｔｒａ Ｔｈｉｎ−Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、ＦＣＢＧＡ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ ＢＧＡ）など、特に限定されず、微細回路を具現しようとする全ての製品に用いることができる。
【００５４】
上記のように、本発明のビルドアップ基板製造工程によると、基板表面にエポキシエマルジョンを塗布して基板表面の粗さを形成することにより、金属との密着力を向上させて（即ち、密着力（Ｐｅｅｌ ｓｔｒｅｎｇｔｈ）＞０．８ｋｇｆ／ｃｍ）微細回路の具現が可能であり、既存の湿式金属シード層形成工程を乾式工程に代替することにより、環境にやさしい工程により、最小限の表面組さ（Ｒａ＜１．０μｍ）で、コア層の微細回路の具現が可能である。また、コア層と外層を含むビルドアッププリント回路基板の全層をＳＡＰ工法を用いて回路を形成することにより、高密度の微細回路を高信頼性で形成することができるという利点がある。
【実施例】
【００５５】
以下、下記実施例を参照して、本発明をより具体的に説明するが、これに本発明の範疇は限定されない。
【００５６】
（製造例１）
（エポキシエマルジョンの製造）
エポキシ樹脂（ＹＤＣＮ−５００−９０Ｐ）３００ｇと、界面活性剤（ＳＤＢＳ）６０ｇを、１時間、約１２０℃の温度で乾燥オーブンで溶解し、その溶解した溶液を、７０〜８０℃に冷却した後、硬化剤ＡＥＰを、エポキシ重量に対して１０重量％添加して混合する。その後、逆乳化液（ｒｅｖｅｒｓｅ ｅｍｕｌｓｉｏｎ）を製造するために、約５０℃以上の脱イオン水に固形分含量が約２５重量％になるように添加した後、高速ホモゲナイザー（Ｈｏｍｏｇｅｎｉｚｅr）で１２,０００ｒｐｍの攪拌速度で強制混合させてエポキシエマルジョンを製造した。
【００５７】
（実施例１）
Ａ．エポキシ樹脂基板に機械的ドリルであるＣＮＣ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ｃｏｎｔｒｏｌ：コンピューター数値制御）ドリルを用いて、約１００〜３００μｍのビアホールを形成した後、前記製造されたエポキシエマルジョンを、スプレー（ｓｐｒａｙ）法を用いて樹脂基板上に塗布して、基板の表面粗さを形成する。その後、前記ビアホールが形成された基板上に、無電解メッキ法を用いてＣｕシード層を蒸着した。その後、Ｈ２ＳＯ４（１２０〜１６０ｇｌ／ｌ）、Ｃｕ（２０〜４０ｇ／ｌ）、Ｃｌ−（２０〜５０ｐｐｍ）、カパラシド（Ｃｕｐｒａｃｉｄ）ＨＬレベラ（５〜１５ｍｌ／ｌ）、気流（ａｉｒ ｆｌｏｗ ｖｏｌｕｍｅ０．０５〜０．１５ｍ３／ｍｉｎ）、温度（２０〜２５℃）、電流密度（Ｆ／Ｂ１．５ＡＳＤ）で電解銅パターンメッキにより、約１０〜２０μｍのパターン銅メッキ層を形成して、エッチング速度を２ｍ／分の条件下で、Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２エッチング液を用いてフラッシュエッチングを行って、Ｃｕ−シード層を除去した。最後に、銅ペーストを、粘度３．０ｐａ．ｓ、予熱処理８０℃／６０ｍｉｎ、硬化１６０℃／６０ｍｉｎの条件下で、ビアホール内部に充填して、コア回路層を完成した。
【００５８】
Ｂ．これにより製造されたコア回路層を、ＣＺ処理（ＭＥＣ社ＣＺ８１００）により、銅表面の粗さを増加させて基板材料との密着力を確保した後、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ ｕｐ Ｆｉｌｍ）を、１次真空ラミネーション装備で温度１００℃、真空時間３０ｓｅｃ、圧力７ｋｇｆ／ｃｍ２、プレス時間６０ｓｅｃで仮着け、２次ホットプレスで温度１００℃、圧力１０ｋｇｆ／ｃｍ２、プレス時間９０ｓｅｃの条件下で、積層した。その後、ＣＯ２レーザを用いて約７０μｍのブラインドビアホールを形成した後、エポキシエマルジョンを、スプレー法を用いて樹脂基板上に塗布し、基板の表面粗さを形成する。その後、無電解銅メッキ（ＡＴＯＴＥＣＨ社製）で約３μｍ厚さのＣｕシード層を形成した。その後、Ｈ２ＳＯ４（１２０〜１６０ｇ／ｌ）、Ｃｕ（２０〜４０ｇ／ｌ）、Ｃｌ−（２０〜５０ｐｐｍ）、カパラシドＨＬレベラ（５〜１５ｍｌ／ｌ）、気流（ａｉｒ ｆｌｏｗ ｖｏｌｕｍｅ０．０５〜０．１５ｍ３／ｍｉｎ）、温度（２０〜２５℃）、電流密度（Ｆ／Ｂ１．５ＡＳＤ）の条件下で電解銅パターンメッキ（ＥＶＡＲＡ社製）により約１５μｍのパターン銅メッキ層を形成し、エッチング速度２ｍ／分の条件下でＨ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２エッチング液を用いてフラッシュエッチングを行って、Ｃｕ−シード層を除去した。
【００５９】
Ｃ．Ｂから得た基板にＢ過程と同様に、２回繰り返しビルドアップを行い、３層〜６層までの外層を形成した後、ロールピッチ（Ｒｏｌｌ Ｐｉｔｃｈ）：３７０μｍ、３５０μｍ、３２０μｍ、ロール間圧力（Ｒｏｌｌ Ｐｒｅｓｓ）、ドクターバー圧力、ロール回転速度（Ｒｏｌｌ Ｓｐｅｅｄ）：１．２〜１．６ｍ／ｍｉｎ、乾燥温度／時間：７８℃±２℃の条件下でソルダレジストを塗布し、前硬化（ｐｒｅｃｕｒｅ）を１次塗布後乾燥（タクトタイム（ｔａｃｔ ｔｉｍｅ）３０秒）／２次塗布後乾燥（タクトタイム３０秒）をして塗布されたインクの表面半硬化のための工程により、インクに含まれたソルベントを除去して露光作業が可能になるように乾燥した。露光工程におけるＵＶ強度は、Ｓｐｅｃ：７００〜９００ｍＪ／ｃｍ２にして予め塗布されたインク表面にＵＶ光を照射して作業フィルム／ガラスマスク（Ｗｏｒｋ Ｆｉｌｍ／Ｇｌａｓｓ Ｍａｓｋ）を通過してインクの光硬化を誘導することにより、インクが現像液でレジストの役目をするようにした。
【００６０】
現像工程は、光硬化が行われた部分は炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３１％）でレジストの機能をするが、光硬化が行われていない部分は、溶解されて除去され、溶液は、Ｎａ２ＣＯ３濃度：１１±１．０ｇ／ｌ（ＳＰＥＣ：１０．５±２．０ｇ／ｌ）、Ｎａ２ＣＯ３ｐＨ：１０．０〜１２．５、Ｎａ２ＣＯ３温度：３０±３℃、現像圧力、現像速度、Ｎａ２ＣＯ３１％溶液（１％炭酸ナトリウム）を使用して、ＵＶ硬化（現像が完了した状態でインク表面に光硬化を追加してＵＶ露出の際に不十分な光反応をさらに行ってソルダレジスト（ｓｏｌｄｅｒ ｒｅｓｉｓｔ）物性を向上させる）、後硬化（完全乾燥）インクとＣｕ界面との密着力向上及びインクの硬度（ｈａｒｄｎｅｓｓ）を増加するために、インクの成分のうち硬化剤成分の二重結合を活性化して、硬化剤で現われる全ての樹脂は、後硬化で初めて反応をして完全な高分子になる。その条件は、温度／時間：１２０℃／３０分、１５０℃／６０分にしてバンプが形成される位置の回路パターンをソルダオープニングによりオープンした後、ホウ酸濃度：２２〜３８ｇ／ｌ、ＰＨ：３．５〜４．５、スルファミン酸ニッケル：４００〜５００ｇ／ｌ、塩化ニッケル：８〜１６ｇ／ｌ、Ｆｅ：２００ｐｐｍ以下、Ｃｕ：２００ｐｐｍ以下、温図：４５〜５５℃の条件下で、無電解ニッケルメッキ及びＡｕ濃度：５．５〜７．５ｇ／ｌ、ｐＨ：６．１〜６．４、重力：１．０９〜１．２４、Ｆｅ：５０ｐｐｍ以下、Ｃｕ：１８ｐｐｍ以下、Ｎｉ：３５０ｐｐｍ以下、Ｚｎ：５ｐｐｍ以下、Ｔｌ：５〜１５ｐｐｍ、温度：６５〜７５℃の条件下で、無電解金メッキを順に行って、ＦＣＢＧＡ基板を製造した。
【００６１】
これにより製造されたビルドアッププリント回路基板の接着強度及び絶縁材の表面粗さの測定結果は、３Ｄ光学表面プロファイラー（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒｓ）として用いられるＺｙｇｏ社のＮｅｗｖｉｅｗ ７２００モデルで、Ａ工程で粗さを形成した後、５ヶ所の粗さを評価した後、平均を出してその粗さ値を取り、その結果を、下記表１に示した。
【００６２】
（実施例２）
実施例１の段階Ａで、無電解メッキ工法を用いる代わりに、イオンビームスパッタを用いたことを除いては、前記実施例１と同様に実施して、ＣＢＧＡ基板を製造した。これにより製造されたビルドアッププリント回路基板の接着強度及び絶縁材の表面粗さを測定して、その結果を、下記表１に示した。
【００６３】
（比較例１）
実施例１の段階Ａで、エポキシエマルジョンを用いた表面粗さも形成過程を省略し、次のような通常のデスミア処理を用いたことを除いては、実施例１と同様に行って、ＣＢＧＡ基板を製造した。これにより製造されたビルドアッププリント回路基板の接着強度及び絶縁材の表面粗さを測定して、その結果を、下記表１に示した。
【００６４】
※デスミア：
スウェラー（ｓｗｅｌｌｅｒ）（ｐＨ１０〜１２で最適のエッチングのためのコンディショナーの役目をする。即ち、スミアを膨張状態にする）→３段水洗→過マンガン酸処理（主目的のスミアが除去されて樹脂表面に粗さが形成される）→１段水洗→２段水洗→中和（残留二酸化マンガンを除去する中和工程）→３段水洗→乾燥。
【００６５】
【表１】
【００６６】
前記表１に示したように、既存の湿式デスミア工程を用いてビルドアップ基板を製造する場合（比較例１）、接着強度が約０．５ｋｇｆ／ｃｍであり、表面粗さが１．０μｍであり、３６μｍ（Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ＝１８／１８μｍ）のピッチを具現することができるが、本発明によるエポキシエマルジョンを塗布して表面処理を施す工程を用いてビルドアップ基板を製造する場合（実施例１〜２）、接着強度が約０．９ｋｇｆ／ｃｍであり、表面粗さが０．９μｍであって、相対的に非常に小さいため、ピッチが２０μｍ（Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ＝１０／１０μｍ）である微細回路の具現が可能であり、より速い信号伝送速度を具現できることが分かる。
【００６７】
以上、本発明を好ましい実施例に基づいて詳細に説明したが、これは、本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明によるビルドアッププリント回路基板及びその製造方法は、これに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明は、環境にやさしく経済的な方法により、基板の粗さを形成することができるだけでなく、ビルドアップ基板材料と金属回路層との密着力強化による高信頼性の微細回路を具現することができるビルドアッププリント回路基板及びその製造方法に適用可能である。
【符号の説明】
【００６９】
１１ 第１樹脂基板（樹脂基板）
１２ 導通孔（内層ビア用導通孔）
１３ 第１金属シード層（金属シード層）
１４、２４ ドライフィルム
１５ 第１パターンメッキ層（金属パターンメッキ層）
１６ 導電性金属ペースト
２１ エポキシ樹脂系またはフッ素樹脂系基板（第２樹脂基板）
２２ ブラインドビアホール
２３ 第２金属シード層（金属シード層）
２５ 第２のパターンメッキ層（金属パターンメッキ層）
３１ 第１樹脂基板
３２ａ、３２ｂ 第１回路層
３３ ビアホール
３４ａ、３４ｂ 第２樹脂基板
３５ａ、３５ｂ 第２回路層
３６ａ、３６ｂ 第３の樹脂基板
３７ａ、３７ｂ 第３回路層
３８ａ、３８ｂ ソルダレジスト層
３９ａ、３９ｂ ソルダレジストオープン部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビルドアッププリント回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の高機能化及び半導体デバイス（ｄｅｖｉｃｅ）の高集積化に伴いプリント基板も高密度化が要求されており、現在、多層基板が主に使用されている。多層プリント回路基板の製造方法は、積層接着法とビルドアップ（Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ）法の二つに大別されている。
【０００３】
積層接着法は、例えば、特許文献１などに開示されたように、片面または両面に所定の導電パターン（ｐａｔｔｅｒｎ）を形成した複数の樹脂基板を前記導電パターンの保護、層間絶縁、及び層間接着の役目をするプリプレグを用いて積層し、プレス（ｐｒｅｓｓ）成形によって、多層のプリント回路基板を形成する。前記各層の導電パターン間において導通する必要がある場所には、スルーホール（ｔｈｒｏｕｇｈ ｈａｌｌ）を設け、このスルーホール内にメッキを施して導通することが一般的である。
【０００４】
また、ビルドアップ法は、スルーホールメッキが施される銅張積層板をエッチングにより回路を形成し、絶縁樹脂によってマスキングを行って、その上に導電性ペーストインクを印刷して回路を形成した後、導電性ペーストインク及びスルーホールに化学銅メッキ被膜を形成し、この工程を繰り返して多層化する方法が、特許文献２などに開示されている。
【０００５】
しかし、各種電子機器などの小型化や薄型化のため、電気回路を構成する配線基板を収納するスペース（ｓｐａｃｅ）は、相当限定されており、この限定されたスペース内に電気回路を構成する配線基板を収納するため、積層接着法よりは、薄型化及び高密度化が可能なビルドアップ法によって、プリント回路基板が製造されている。
【０００６】
一方、現在ビルドアッププリント回路基板（Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）は、サブトラクティブ工法（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、及び ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）工法などを用いて製造されている。特に、ＨＤＩ（Ｈｉｇｈ Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）製品は、サブトラクティブ工法を用い、ＵＴ−ＣＳＰ（Ｕｌｔｒａ Ｔｈｉｎ−Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）はサブトラクティブ及びＭＳＡＰ工法を用い、ＦＣＢＧＡ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）の場合、コア（ｃｏｒｅ）層は、サブトラクティブ工法を、ビルドアップ（ｂｕｉｌｄ−ｕｐ）外層は、ＳＡＰ工法を用いており、無電解メッキ工程でシード層（ｓｅｅｄ ｌａｙｅｒ）を形成して微細回路を具現する。従来のＳＡＰ工法は、湿式表面処理及び無電解メッキを用いた湿式工程により、金属シード層を形成することで、表面粗さが大きくなって微細回路の具現に困難があるだけでなく、廃棄物が多量発生して環境にやさしくないという短所がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭６２−２０５６９０号公報
【特許文献２】特開昭５７−７２３９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従って、本発明では、前記のような問題点を解決するために鋭意研究した結果、ビルドアッププリント回路基板で、半硬化乾燥基材にエポキシエマルジョンを噴射して、粗さを形成した後、後硬化して絶縁層に粗さを形成することにより、環境にやさしく、高信頼性の微細回路の具現が可能なビルドアッププリント回路基板を製造することができ、本発明は、これに基づいて完成された。
【０００９】
本発明の一つの目的は、コア層及び外層を含むビルドアッププリント回路基板を製造する際に、エポキシエマルジョンを塗布する工程を導入して、環境にやさしく経済的な方法により、基板の粗さを形成することができるビルドアッププリント回路基板の製造方法を提供することにある。
【００１０】
本発明の他の目的は、樹脂基板と金属層との界面接着力を向上させて、高信頼性の微細回路を具現することができるビルドアッププリント回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を果たすために、本発明のビルドアッププリント回路基板の製造方法は、第１樹脂基板を提供する段階と、前記第１樹脂基板の表面にエポキシエマルジョン溶液を塗布して粗さを形成する段階と、前記粗さが形成された第１樹脂基板にコア回路層を形成してコア層を提供する段階と、を含む。
【００１２】
本発明の製造方法は、前記コア層上に、第２樹脂基板を積層する段階と、前記積層された第２樹脂基板の表面にエポキシエマルジョン溶液を塗布して粗さを形成する段階と、前記粗さが形成された第２樹脂基板に外層回路層を形成して外層を提供する段階と、をさらに含むことを特徴とする。
【００１３】
本発明の製造方法において、前記コア回路層は、前記粗さが形成された第１樹脂基板上に第１金属シード層を形成した後、前記第１金属シード層が形成された基板を電解メッキ法を用いて第１金属パターンメッキ層を形成し、前記第１金属パターンメッキ層が形成されていない部分の第１金属シード層を除去して製造されることを特徴とする。
【００１４】
本発明の製造方法において、前記外層回路層は、前記粗さが形成された第２樹脂基板上に無電解メッキ法を用いて第２金属シード層を形成した後、前記第２金属シード層が形成された基板を電解メッキ法を用いて第２金属パターンメッキ層を形成し、前記第２金属パターンメッキ層が形成されていない部分の第２金属シード層を除去して製造されることを特徴とする。
【００１５】
本発明の製造方法において、前記第１樹脂基板を提供する段階は、前記第１樹脂基板に導通孔を形成する段階を含むことを特徴とする。
【００１６】
本発明の製造方法において、前記第２樹脂基板を積層する段階は、前記積層された第２樹脂基板にブラインドビアホールを形成する段階を含むことを特徴とする。
【００１７】
本発明の製造方法において、前記粗さを形成する段階は、エポキシエマルジョンを塗布した後、８０〜２００℃の温度で後硬化して乾燥させることを特徴とする。
【００１８】
本発明の製造方法において、前記エポキシエマルジョンは、界面活性剤、溶剤、硬化剤、及びエポキシで構成されることを特徴とする。
【００１９】
本発明の製造方法において、前記エポキシエマルジョンの粒径は、１〜３０μｍであることを特徴とする。
【００２０】
本発明の製造方法において、前記エポキシエマルジョンの塗布厚さは、２〜８μｍであることを特徴とする。
【００２１】
本発明の製造方法において、前記第１及び第２樹脂基板は、互いに同一または異なる、エポキシ系樹脂またはフッ素系樹脂からなる基板であることを特徴とする。
【００２２】
本発明の製造方法において、前記第１金属シード層は、真空蒸着法または無電解メッキ法を用いて形成されることを特徴とする。
【００２３】
本発明の製造方法において、前記エポキシエマルジョンを塗布して形成された樹脂基板の平均表面粗さ（Ｒａ）が、１．０μｍ未満であることを特徴とする。
【００２４】
一方、前記他の目的を果たすための本発明のビルドアッププリント回路基板は、前記の製造方法によって形成されたことを特徴とする。
【００２５】
本発明のビルドアッププリント回路基板において、前記基板の平均表面粗さ（Ｒａ）は１．０μｍ未満であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
上記のように、本発明は、樹脂基板にエポキシエマルジョンを塗布する工程を導入して、環境にやさしく経済的な方法により、基板の粗さを形成することができる。さらに、ビルドアップ基板材料と金属回路層との密着力強化による高信頼性の微細回路を具現することができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一具体例によりビルドアッププリント回路基板のコア層（ａ）及び外層（ｂ）を製造する工程を概略的に示すフローチャートである。
【図２Ａ】本発明の一具体例によりビルドアッププリント回路基板のコア層を製造する工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図２Ｂ】本発明の一具体例によりビルドアッププリント回路基板のコア層を製造する工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図２Ｃ】本発明の一具体例によりビルドアッププリント回路基板のコア層を製造する工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図２Ｄ】本発明の一具体例によりビルドアッププリント回路基板のコア層を製造する工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図２Ｅ】本発明の一具体例によりビルドアッププリント回路基板のコア層を製造する工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図２Ｆ】本発明の一具体例によりビルドアッププリント回路基板のコア層を製造する工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図２Ｇ】本発明の一具体例によりビルドアッププリント回路基板のコア層を製造する工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図３】本発明の一具体例によりプリント回路基板にエポキシエマルジョンを塗布する工程を概略的に示す図面である。
【図４Ａ】図２Ｇのコア層上に第１外層を形成する製造工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図４Ｂ】図２Ｇのコア層上に第１外層を形成する製造工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図４Ｃ】図２Ｇのコア層上に第１外層を形成する製造工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図４Ｄ】図２Ｇのコア層上に第１外層を形成する製造工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図４Ｅ】図２Ｇのコア層上に第１外層を形成する製造工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図４Ｆ】図２Ｇのコア層上に第１外層を形成する製造工程を概略的に説明するための工程流れ図である。
【図５】図４Ｆの第１外層上に第２外層が形成されて製造されたＦＣＢＧＡプリント回路基板の構造を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明が属する技術分野において通常の知識を有した者が本発明を容易に実施できるようにするために、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
【００２９】
本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び特許請求の範囲に用いられた用語や単語は、通常的かつ辞書的な意味に限定して解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されなければならない。
【００３０】
従って、本明細書に記載された実施例の構成は、本発明のもっとも好ましい一実施例に過ぎず、本発明の技術的思想の全てを代弁しているわけではないため、本出願時点においてこれらを代替することができる多様な均等物と変形例があり得ることを理解しなければならない。
【００３１】
以下、添付の図面を参照して、本発明をより具体的に説明すると、以下の通りである。
【００３２】
上記のように、既存のビルドアッププリント回路基板のコア層における工程は、両面に金属層が積層された樹脂基板を用いてサブトラクティブ工法により、ドライフィルム積層、露光／現像した後、湿式エッチングにより回路を具現しているが、回路線幅をピッチが８０μｍ（Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ＝４０／４０μｍ）以下になるように具現することに限界がある。一方、このような微細回路具現の限界を克服するために、ＳＡＰ工法により基板に、ビアホール加工、デスミア工程を行って、無電解メッキで金属シード層を形成した後、電解メッキ、フラッシュエッチングにより回路を形成する方法が考えられるが、ＳＡＰ工法を用いることにおいて、通常の湿式工程で無電解／電解メッキにより回路層を形成する場合、樹脂基板と金属層との密着力が確保されないため、微細回路の具現が難しい。
【００３３】
本発明の一実施例によると、上記の問題点を改善するために、まず、ＳＡＰ工法を用いて、コア層を製造するが、コア層樹脂基板に既存の湿式金属シード層の粗さ形成のための湿式デスミア工程を、乾式工程であるエポキシエマルジョンを塗布して粗さを形成する工程に代替することにより、環境にやさしいＳＡＰ工法により金属との密着力（Ｐｅｅｌ ｓｔｒｅｎｇｔｈ）を、０．８ｋｇｆ／ｃｍ以上に向上させて高密度の微細回路の具現が可能である。一方、ビルドアップ外層でも既存の湿式デスミアを、エポキシエマルジョンを塗布する工程に代替して樹脂基板の粗さを形成した後、回路層を形成することにより、全層にＳＡＰ工法を用いて高密度の微細回路を具現することができる。
【００３４】
図１には、本発明の一実施例によりビルドアッププリント回路基板のコア層（ａ）及び外層（ｂ）を製造する工程をフローチャートで示した。図２Ａ〜図２Ｇには、本発明の一具体例によりビルドアッププリント回路基板のコア層を製造する工程を概略的に示す工程流れ図を示した。
【００３５】
図１（ａ）、及び図２Ａ〜図２Ｇを参照すると、先ず、当業界で用いられる通常のエポキシ系樹脂またはフッ素系樹脂からなるプリント回路基板用の樹脂基板１１を準備する（図２Ａ参照）。その後、樹脂基板１１に層間の電気的導通のための少なくとも一つの内層ビア用導通孔１２を形成した後（図２Ｂ参照）、前記導通孔１２が形成された基板の表面に、エポキシエマルジョンを塗布して基板の表面に粗さを形成する。
【００３６】
好ましくは、前記エポキシエマルジョンを塗布して粗さを形成する過程は、エポキシエマルジョンを塗布した後、８０〜２００℃の温度で後硬化して乾燥させることにより行うことができるが、特にこれに限定されず、実際の工程条件は、基板材料によって適切に調節できることが、当業者にとって自明なことである。
【００３７】
前記エポキシエマルジョンは、溶剤にエポキシ樹脂、界面活性剤、及び硬化剤を含む溶液を添加した後、強制分散させて製造される。このようなエポキシエマルジョンは、当業界で多く用いられているエマルジョン塗料またはエマルジョン接着剤と同じ方法で製造され、エポキシ樹脂１００重量部を基準に、界面活性剤１０〜３０重量部、硬化剤５〜１５重量部、溶剤２００〜４００重量部の割合で構成されることが、本発明の効果を果たすために好ましいが、必ずこれに限定されるものではない。
【００３８】
ここで、界面活性剤は、ＳＤＢＳ（Ｓｏｄｉｕｍ Ｄｏｄｅｃｙｌ Ｂｅｎｚｅｎｅ Ｓｕｌｆｏｎａｔｅ）、Ｐｌｕｒｏｎｉｃ Ｆ１２７（ＢＡＳＦ）、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（ｐｏｌｙｏｘｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎｏｎｙｌｐｈｅｎｙｌ ｅｔｈｅｒ）などを用いることができ、エポキシエマルジョンの粒径は、界面活性剤の種類によって調節が可能であり、１〜３０μｍまでの大きさに強制乳化が可能である。
【００３９】
また、硬化剤は、エチレンジアミン（ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｄｉａｍｉｎｅ）、ＡＥＰ（Ａｍｉｎｏｅｔｈｙｌ ｐｉｐｅｒａｚｉｎｅ）などのアミン系エポキシ硬化剤が用いることができ、溶剤は、一般的に、脱イオン水（Ｄｅ−Ｉｏｎｉｚｅ ｗａｔｅｒ）を用いることが効果的である。
【００４０】
このようなエポキシエマルジョンを塗布して樹脂基板の粗さを形成する過程により、樹脂基板と後工程で形成される金属シード層との密着力を強化させることができる。即ち、図３に示したように、樹脂基板材料である高分子物質の表面にエポキシエマルジョンを、スプレー（ｓｐｒａｙ）、ディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）、または当業者に公知の様々な方法のその他のコーティング法を用いて樹脂基板の上に塗布した後、８０℃以上の温度で硬化させてから乾燥して粗さを形成すると、材料の界面の密着力が強化されて微細回路の具現が可能になる。ここで、前記エポキシエマルジョンの塗布厚さは、好ましくは、２〜８μｍ、さらに好ましくは、５〜６μｍであることが、本発明の効果を果たすために好ましい。
【００４１】
前記エポキシエマルジョンを塗布する工法を使用すると、既存のデスミア工法より基板の粗さ値がはるかに低く、かつ優れた接着強度を維持することができる。これは、乳化処理が施されたエポキシの大きさを自由に調節することができるため、基板全体における粗さ形成面積を広くかつ均一に形成することができるためである。形成された粗さの平均測定値（Ｒａ）が１μｍ以上であると、微細回路の線幅の形成が不利になり、平均粗さ測定値（Ｒａ）が１μｍ未満であると、微細回路の線幅の形成が可能になる。前記工法を用いて形成された基板の平均粗さ測定値（Ｒａ）が０．５〜０．７μｍである場合、１ｋｇｆ／ｃｍの高い接着強度が得られる。
【００４２】
図２Ｃを参照すると、前記エポキシエマルジョン表面処理が施された樹脂基板１１上に金属を無電解メッキまたは真空蒸着して所望の厚さの金属シード層１３を形成する。ここで、前記真空蒸着は、好ましくは、スパッタ（ｓｐｕｔｔｅｒ）、熱蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）または ｅ−ビーム（ｅ−ｂｅａｍ）法により行われることができるが、当業界に公知されたものであれば、特にこれに限定されない。これにより形成される金属シード層の厚さは、０．０２〜４μｍ、好ましくは、０．０２〜１μｍ、さらに好ましくは、０．０２〜０．５μｍであることが好適である。
【００４３】
その後、当業界に公知されたように、パターンメッキを施す部分を除いた所定部分に、メッキレジストとして作用するドライフィルム１４を塗布し（図２Ｄ参照）、電解金属パターンメッキを施した後、ドライフィルム１４を除去して金属パターンメッキ層１５を形成する（図２Ｅ参照）。
【００４４】
一方、金属パターンメッキ層１５が形成されない部分の金属シード層１３は、通常のフラッシュエッチング法を用いて除去し（図２Ｆ参照）、金属パターンメッキ層１５が形成された導通孔１２は、当業界に公知された通常の導電性金属ペースト１６で充填してコア回路層を完成する（図２Ｇ参照）。
【００４５】
図１（ｂ）、及び図４Ａ〜図４Ｆを参照し、本発明によりビルドアッププリント回路基板のコア層に外層をビルドアップする過程を好ましい具体例を挙げて説明する。
【００４６】
先ず、図２Ｇで形成されたコア回路層を、通常の表面処理方法に従って、例えば、ＣＺ処理（ＭＥＣ社ＣＺ８１００）により、回路層表面の粗さを増加させて樹脂基板材料との密着力を確保した後、その上にコア層で使用したものと互いに同一または異なる、エポキシ樹脂系またはフッ素樹脂系基板２１を積層する（図４Ａ参照）。
【００４７】
その後、前記エポキシ樹脂系またはフッ素樹脂系基板２１に層間の電気的導通のためのブラインドビアホール２２を形成した後（図４Ｂ参照）、エポキシエマルジョンを塗布する工程により、基板表面の粗さを形成して無電解メッキを行い、例えば、約２〜３μｍの厚さを有する金属シード層２３を形成する（図４Ｃ参照）。
【００４８】
その後、ブラインドビアホール２２を含んで回路パターンが形成される位置を除いた所定の位置に、ドライフィルム２４を塗布した後（図４Ｄ参照）、これをレジストにして電解メッキにより、金属パターンメッキ層２５を形成する（図４Ｅ参照）。
【００４９】
その後、ドライフィルム２４を除去し、金属パターンメッキ層２５が形成されていない部分の金属シード層２３を通常のフラッシュエッチング工程により除去することにより、外層回路層を完成する（図４Ｆ参照）。
【００５０】
選択的に、図４Ａ〜図４Ｆで、上記のようなＳＡＰ工程を２回繰り返して３層〜６層まで形成した後、例えば、ＦＣＢＧＡ基板の最外角層として用いられる場合、当業界に公知されたように、ソルダレジストを塗布し、通常のソルダレジストオープニング工程によりソルダレジストオープン部を形成した後、通常の無電解ニッケル／金メッキにより、バンプを形成することができる。このような工程によって形成された６層のＦＣＢＧＡ基板の一例を、図５に示した。
【００５１】
図５を参照すると、コア層として第１樹脂基板３１に第１回路層３２ａ、３２ｂとビアホール３３が形成されており、外層として第２樹脂基板３４ａ、３４ｂとブラインドビアホールとともに第２回路層３５ａ、３５ｂ、そして第３の樹脂基板３６ａ、３６ｂとブラインドビアホールとともに第３回路層３７ａ、３７ｂが形成されている。また、最外角層にソルダレジスト３８ａ、３８ｂが形成されており、所定のオープニング工程に従ってソルダレジストオープン部３９ａ、３９ｂが形成されている。
【００５２】
一方、このようなビルドアップ基板の使用目的によって、外層のビルドアップ工程が数回さらに繰り返して行われ、所定の後工程がさらに行われることができるのは言うまでもない。
【００５３】
このように製造されるビルドアッププリント回路基板は、ＨＤＩ（Ｈｉｇｈ Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）、ＵＴ−ＣＳＰ（Ｕｌｔｒａ Ｔｈｉｎ−Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、ＦＣＢＧＡ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ ＢＧＡ）など、特に限定されず、微細回路を具現しようとする全ての製品に用いることができる。
【００５４】
上記のように、本発明のビルドアップ基板製造工程によると、基板表面にエポキシエマルジョンを塗布して基板表面の粗さを形成することにより、金属との密着力を向上させて（即ち、密着力（Ｐｅｅｌ ｓｔｒｅｎｇｔｈ）＞０．８ｋｇｆ／ｃｍ）微細回路の具現が可能であり、既存の湿式金属シード層形成工程を乾式工程に代替することにより、環境にやさしい工程により、最小限の表面組さ（Ｒａ＜１．０μｍ）で、コア層の微細回路の具現が可能である。また、コア層と外層を含むビルドアッププリント回路基板の全層をＳＡＰ工法を用いて回路を形成することにより、高密度の微細回路を高信頼性で形成することができるという利点がある。
【実施例】
【００５５】
以下、下記実施例を参照して、本発明をより具体的に説明するが、これに本発明の範疇は限定されない。
【００５６】
（製造例１）
（エポキシエマルジョンの製造）
エポキシ樹脂（ＹＤＣＮ−５００−９０Ｐ）３００ｇと、界面活性剤（ＳＤＢＳ）６０ｇを、１時間、約１２０℃の温度で乾燥オーブンで溶解し、その溶解した溶液を、７０〜８０℃に冷却した後、硬化剤ＡＥＰを、エポキシ重量に対して１０重量％添加して混合する。その後、逆乳化液（ｒｅｖｅｒｓｅ ｅｍｕｌｓｉｏｎ）を製造するために、約５０℃以上の脱イオン水に固形分含量が約２５重量％になるように添加した後、高速ホモゲナイザー（Ｈｏｍｏｇｅｎｉｚｅr）で１２,０００ｒｐｍの攪拌速度で強制混合させてエポキシエマルジョンを製造した。
【００５７】
（実施例１）
Ａ．エポキシ樹脂基板に機械的ドリルであるＣＮＣ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ｃｏｎｔｒｏｌ：コンピューター数値制御）ドリルを用いて、約１００〜３００μｍのビアホールを形成した後、前記製造されたエポキシエマルジョンを、スプレー（ｓｐｒａｙ）法を用いて樹脂基板上に塗布して、基板の表面粗さを形成する。その後、前記ビアホールが形成された基板上に、無電解メッキ法を用いてＣｕシード層を蒸着した。その後、Ｈ２ＳＯ４（１２０〜１６０ｇｌ／ｌ）、Ｃｕ（２０〜４０ｇ／ｌ）、Ｃｌ−（２０〜５０ｐｐｍ）、カパラシド（Ｃｕｐｒａｃｉｄ）ＨＬレベラ（５〜１５ｍｌ／ｌ）、気流（ａｉｒ ｆｌｏｗ ｖｏｌｕｍｅ０．０５〜０．１５ｍ３／ｍｉｎ）、温度（２０〜２５℃）、電流密度（Ｆ／Ｂ１．５ＡＳＤ）で電解銅パターンメッキにより、約１０〜２０μｍのパターン銅メッキ層を形成して、エッチング速度を２ｍ／分の条件下で、Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２エッチング液を用いてフラッシュエッチングを行って、Ｃｕ−シード層を除去した。最後に、銅ペーストを、粘度３．０ｐａ．ｓ、予熱処理８０℃／６０ｍｉｎ、硬化１６０℃／６０ｍｉｎの条件下で、ビアホール内部に充填して、コア回路層を完成した。
【００５８】
Ｂ．これにより製造されたコア回路層を、ＣＺ処理（ＭＥＣ社ＣＺ８１００）により、銅表面の粗さを増加させて基板材料との密着力を確保した後、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ ｕｐ Ｆｉｌｍ）を、１次真空ラミネーション装備で温度１００℃、真空時間３０ｓｅｃ、圧力７ｋｇｆ／ｃｍ２、プレス時間６０ｓｅｃで仮着け、２次ホットプレスで温度１００℃、圧力１０ｋｇｆ／ｃｍ２、プレス時間９０ｓｅｃの条件下で、積層した。その後、ＣＯ２レーザを用いて約７０μｍのブラインドビアホールを形成した後、エポキシエマルジョンを、スプレー法を用いて樹脂基板上に塗布し、基板の表面粗さを形成する。その後、無電解銅メッキ（ＡＴＯＴＥＣＨ社製）で約３μｍ厚さのＣｕシード層を形成した。その後、Ｈ２ＳＯ４（１２０〜１６０ｇ／ｌ）、Ｃｕ（２０〜４０ｇ／ｌ）、Ｃｌ−（２０〜５０ｐｐｍ）、カパラシドＨＬレベラ（５〜１５ｍｌ／ｌ）、気流（ａｉｒ ｆｌｏｗ ｖｏｌｕｍｅ０．０５〜０．１５ｍ３／ｍｉｎ）、温度（２０〜２５℃）、電流密度（Ｆ／Ｂ１．５ＡＳＤ）の条件下で電解銅パターンメッキ（ＥＶＡＲＡ社製）により約１５μｍのパターン銅メッキ層を形成し、エッチング速度２ｍ／分の条件下でＨ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２エッチング液を用いてフラッシュエッチングを行って、Ｃｕ−シード層を除去した。
【００５９】
Ｃ．Ｂから得た基板にＢ過程と同様に、２回繰り返しビルドアップを行い、３層〜６層までの外層を形成した後、ロールピッチ（Ｒｏｌｌ Ｐｉｔｃｈ）：３７０μｍ、３５０μｍ、３２０μｍ、ロール間圧力（Ｒｏｌｌ Ｐｒｅｓｓ）、ドクターバー圧力、ロール回転速度（Ｒｏｌｌ Ｓｐｅｅｄ）：１．２〜１．６ｍ／ｍｉｎ、乾燥温度／時間：７８℃±２℃の条件下でソルダレジストを塗布し、前硬化（ｐｒｅｃｕｒｅ）を１次塗布後乾燥（タクトタイム（ｔａｃｔ ｔｉｍｅ）３０秒）／２次塗布後乾燥（タクトタイム３０秒）をして塗布されたインクの表面半硬化のための工程により、インクに含まれたソルベントを除去して露光作業が可能になるように乾燥した。露光工程におけるＵＶ強度は、Ｓｐｅｃ：７００〜９００ｍＪ／ｃｍ２にして予め塗布されたインク表面にＵＶ光を照射して作業フィルム／ガラスマスク（Ｗｏｒｋ Ｆｉｌｍ／Ｇｌａｓｓ Ｍａｓｋ）を通過してインクの光硬化を誘導することにより、インクが現像液でレジストの役目をするようにした。
【００６０】
現像工程は、光硬化が行われた部分は炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３１％）でレジストの機能をするが、光硬化が行われていない部分は、溶解されて除去され、溶液は、Ｎａ２ＣＯ３濃度：１１±１．０ｇ／ｌ（ＳＰＥＣ：１０．５±２．０ｇ／ｌ）、Ｎａ２ＣＯ３ｐＨ：１０．０〜１２．５、Ｎａ２ＣＯ３温度：３０±３℃、現像圧力、現像速度、Ｎａ２ＣＯ３１％溶液（１％炭酸ナトリウム）を使用して、ＵＶ硬化（現像が完了した状態でインク表面に光硬化を追加してＵＶ露出の際に不十分な光反応をさらに行ってソルダレジスト（ｓｏｌｄｅｒ ｒｅｓｉｓｔ）物性を向上させる）、後硬化（完全乾燥）インクとＣｕ界面との密着力向上及びインクの硬度（ｈａｒｄｎｅｓｓ）を増加するために、インクの成分のうち硬化剤成分の二重結合を活性化して、硬化剤で現われる全ての樹脂は、後硬化で初めて反応をして完全な高分子になる。その条件は、温度／時間：１２０℃／３０分、１５０℃／６０分にしてバンプが形成される位置の回路パターンをソルダオープニングによりオープンした後、ホウ酸濃度：２２〜３８ｇ／ｌ、ＰＨ：３．５〜４．５、スルファミン酸ニッケル：４００〜５００ｇ／ｌ、塩化ニッケル：８〜１６ｇ／ｌ、Ｆｅ：２００ｐｐｍ以下、Ｃｕ：２００ｐｐｍ以下、温図：４５〜５５℃の条件下で、無電解ニッケルメッキ及びＡｕ濃度：５．５〜７．５ｇ／ｌ、ｐＨ：６．１〜６．４、重力：１．０９〜１．２４、Ｆｅ：５０ｐｐｍ以下、Ｃｕ：１８ｐｐｍ以下、Ｎｉ：３５０ｐｐｍ以下、Ｚｎ：５ｐｐｍ以下、Ｔｌ：５〜１５ｐｐｍ、温度：６５〜７５℃の条件下で、無電解金メッキを順に行って、ＦＣＢＧＡ基板を製造した。
【００６１】
これにより製造されたビルドアッププリント回路基板の接着強度及び絶縁材の表面粗さの測定結果は、３Ｄ光学表面プロファイラー（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒｓ）として用いられるＺｙｇｏ社のＮｅｗｖｉｅｗ ７２００モデルで、Ａ工程で粗さを形成した後、５ヶ所の粗さを評価した後、平均を出してその粗さ値を取り、その結果を、下記表１に示した。
【００６２】
（実施例２）
実施例１の段階Ａで、無電解メッキ工法を用いる代わりに、イオンビームスパッタを用いたことを除いては、前記実施例１と同様に実施して、ＣＢＧＡ基板を製造した。これにより製造されたビルドアッププリント回路基板の接着強度及び絶縁材の表面粗さを測定して、その結果を、下記表１に示した。
【００６３】
（比較例１）
実施例１の段階Ａで、エポキシエマルジョンを用いた表面粗さも形成過程を省略し、次のような通常のデスミア処理を用いたことを除いては、実施例１と同様に行って、ＣＢＧＡ基板を製造した。これにより製造されたビルドアッププリント回路基板の接着強度及び絶縁材の表面粗さを測定して、その結果を、下記表１に示した。
【００６４】
※デスミア：
スウェラー（ｓｗｅｌｌｅｒ）（ｐＨ１０〜１２で最適のエッチングのためのコンディショナーの役目をする。即ち、スミアを膨張状態にする）→３段水洗→過マンガン酸処理（主目的のスミアが除去されて樹脂表面に粗さが形成される）→１段水洗→２段水洗→中和（残留二酸化マンガンを除去する中和工程）→３段水洗→乾燥。
【００６５】
【表１】
【００６６】
前記表１に示したように、既存の湿式デスミア工程を用いてビルドアップ基板を製造する場合（比較例１）、接着強度が約０．５ｋｇｆ／ｃｍであり、表面粗さが１．０μｍであり、３６μｍ（Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ＝１８／１８μｍ）のピッチを具現することができるが、本発明によるエポキシエマルジョンを塗布して表面処理を施す工程を用いてビルドアップ基板を製造する場合（実施例１〜２）、接着強度が約０．９ｋｇｆ／ｃｍであり、表面粗さが０．９μｍであって、相対的に非常に小さいため、ピッチが２０μｍ（Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ＝１０／１０μｍ）である微細回路の具現が可能であり、より速い信号伝送速度を具現できることが分かる。
【００６７】
以上、本発明を好ましい実施例に基づいて詳細に説明したが、これは、本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明によるビルドアッププリント回路基板及びその製造方法は、これに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明は、環境にやさしく経済的な方法により、基板の粗さを形成することができるだけでなく、ビルドアップ基板材料と金属回路層との密着力強化による高信頼性の微細回路を具現することができるビルドアッププリント回路基板及びその製造方法に適用可能である。
【符号の説明】
【００６９】
１１ 第１樹脂基板（樹脂基板）
１２ 導通孔（内層ビア用導通孔）
１３ 第１金属シード層（金属シード層）
１４、２４ ドライフィルム
１５ 第１パターンメッキ層（金属パターンメッキ層）
１６ 導電性金属ペースト
２１ エポキシ樹脂系またはフッ素樹脂系基板（第２樹脂基板）
２２ ブラインドビアホール
２３ 第２金属シード層（金属シード層）
２５ 第２のパターンメッキ層（金属パターンメッキ層）
３１ 第１樹脂基板
３２ａ、３２ｂ 第１回路層
３３ ビアホール
３４ａ、３４ｂ 第２樹脂基板
３５ａ、３５ｂ 第２回路層
３６ａ、３６ｂ 第３の樹脂基板
３７ａ、３７ｂ 第３回路層
３８ａ、３８ｂ ソルダレジスト層
３９ａ、３９ｂ ソルダレジストオープン部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１樹脂基板を提供する段階と、
（ｂ）前記第１樹脂基板の表面にエポキシエマルジョン溶液を塗布して粗さを形成する段階と、
（ｃ）前記粗さが形成された第１樹脂基板にコア回路層を形成してコア層を提供する段階と、
を含むビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記コア層上に、
（ｄ）第２樹脂基板を積層する段階と、
（ｅ）前記積層された第２樹脂基板の表面にエポキシエマルジョン溶液を塗布して粗さを形成する段階と、
（ｆ）前記粗さが形成された第２樹脂基板に外層回路層を形成して外層を提供する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記コア回路層は、
前記粗さが形成された第１樹脂基板上に第１金属シード層を形成した後、前記第１金属シード層が形成された基板を電解メッキ法を用いて第１金属パターンメッキ層を形成し、前記第１金属パターンメッキ層が形成されていない部分の第１金属シード層を除去して製造されることを特徴とする請求項１に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記外層回路層は、
前記粗さが形成された第２樹脂基板上に無電解メッキ法を用いて第２金属シード層を形成した後、前記第２金属シード層が形成された基板を電解メッキ法を用いて第２金属パターンメッキ層を形成し、前記第２金属パターンメッキ層が形成されていない部分の第２金属シード層を除去して製造されることを特徴とする請求項２に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１樹脂基板を提供する段階は、前記第１樹脂基板に導通孔を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記第２樹脂基板を積層する段階は、前記積層された第２樹脂基板にブラインドビアホールを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記粗さを形成する段階は、エポキシエマルジョンを塗布した後、８０〜２００℃の温度で後硬化して乾燥させることを特徴とする請求項１に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記エポキシエマルジョンは、界面活性剤、溶剤、硬化剤、及びエポキシ樹脂で構成されることを特徴とする請求項１に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記エポキシエマルジョンの粒径は、１〜３０μｍであることを特徴とする請求項１に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記エポキシエマルジョンの塗布厚さは、２〜８μｍであることを特徴とする請求項１に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１及び第２樹脂基板は、互いに同一または異なる、エポキシ系樹脂またはフッ素系樹脂からなる基板であることを特徴とする請求項２に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第１金属シード層は、真空蒸着法または無電解メッキ法を用いて形成されることを特徴とする請求項３に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記エポキシエマルジョンを塗布して形成された樹脂基板の平均表面粗さ（Ｒａ）が、１．０μｍ未満であることを特徴とする請求項１に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の製造方法によって形成されるビルドアッププリント回路基板。
【請求項１５】
前記ビルドアッププリント回路基板の平均表面粗さ（Ｒａ）は、１．０μｍ未満であることを特徴とする請求項１４に記載のビルドアッププリント回路基板。
【請求項１】
（ａ）第１樹脂基板を提供する段階と、
（ｂ）前記第１樹脂基板の表面にエポキシエマルジョン溶液を塗布して粗さを形成する段階と、
（ｃ）前記粗さが形成された第１樹脂基板にコア回路層を形成してコア層を提供する段階と、
を含むビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記コア層上に、
（ｄ）第２樹脂基板を積層する段階と、
（ｅ）前記積層された第２樹脂基板の表面にエポキシエマルジョン溶液を塗布して粗さを形成する段階と、
（ｆ）前記粗さが形成された第２樹脂基板に外層回路層を形成して外層を提供する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記コア回路層は、
前記粗さが形成された第１樹脂基板上に第１金属シード層を形成した後、前記第１金属シード層が形成された基板を電解メッキ法を用いて第１金属パターンメッキ層を形成し、前記第１金属パターンメッキ層が形成されていない部分の第１金属シード層を除去して製造されることを特徴とする請求項１に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記外層回路層は、
前記粗さが形成された第２樹脂基板上に無電解メッキ法を用いて第２金属シード層を形成した後、前記第２金属シード層が形成された基板を電解メッキ法を用いて第２金属パターンメッキ層を形成し、前記第２金属パターンメッキ層が形成されていない部分の第２金属シード層を除去して製造されることを特徴とする請求項２に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１樹脂基板を提供する段階は、前記第１樹脂基板に導通孔を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記第２樹脂基板を積層する段階は、前記積層された第２樹脂基板にブラインドビアホールを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記粗さを形成する段階は、エポキシエマルジョンを塗布した後、８０〜２００℃の温度で後硬化して乾燥させることを特徴とする請求項１に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記エポキシエマルジョンは、界面活性剤、溶剤、硬化剤、及びエポキシ樹脂で構成されることを特徴とする請求項１に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記エポキシエマルジョンの粒径は、１〜３０μｍであることを特徴とする請求項１に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記エポキシエマルジョンの塗布厚さは、２〜８μｍであることを特徴とする請求項１に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１及び第２樹脂基板は、互いに同一または異なる、エポキシ系樹脂またはフッ素系樹脂からなる基板であることを特徴とする請求項２に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第１金属シード層は、真空蒸着法または無電解メッキ法を用いて形成されることを特徴とする請求項３に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記エポキシエマルジョンを塗布して形成された樹脂基板の平均表面粗さ（Ｒａ）が、１．０μｍ未満であることを特徴とする請求項１に記載のビルドアッププリント回路基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の製造方法によって形成されるビルドアッププリント回路基板。
【請求項１５】
前記ビルドアッププリント回路基板の平均表面粗さ（Ｒａ）は、１．０μｍ未満であることを特徴とする請求項１４に記載のビルドアッププリント回路基板。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図２Ｅ】
【図２Ｆ】
【図２Ｇ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図４Ｅ】
【図４Ｆ】
【図５】
【図３】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図２Ｅ】
【図２Ｆ】
【図２Ｇ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図４Ｅ】
【図４Ｆ】
【図５】
【図３】
【公開番号】特開２０１３−１１５４２３（Ｐ２０１３−１１５４２３Ａ）
【公開日】平成２５年６月１０日（２０１３．６．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−４７７３０（Ｐ２０１２−４７７３０）
【出願日】平成２４年３月５日（２０１２．３．５）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月１０日（２０１３．６．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年３月５日（２０１２．３．５）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
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