ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法

【課題】ブロックコポリマーの相分離を利用して、基板表面に、位置及び配向性がより自在にデザインされたナノ構造体を備える基板を製造することができるブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法の提供。
【解決手段】基板１上に芳香族環含有モノマー由来の構成単位を有する樹脂成分を含有する下地剤を塗布し、該下地剤からなる層２を形成する工程（１）と、複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーを含む層３を前記下地剤２からなる層表面に形成した後、前記ブロックコポリマーを含む層３を相分離する工程（２）と、前記ブロックコポリマーを含む層３のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のポリマーのうちの少なくとも一種類のポリマーからなる相３ａを選択的に除去する工程（３）と、を有することを特徴とするブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に芳香族環含有モノマー由来の構成単位を有する樹脂成分を含有する下地剤を塗布し、該下地剤からなる層を形成する工程（１）と、
複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーを含む層を前記下地剤からなる層表面に形成した後、前記ブロックコポリマーを含む層を相分離する工程（２）と、
前記ブロックコポリマーを含む層のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のポリマーのうちの少なくとも一種類のポリマーからなる相を選択的に除去する工程（３）と、を有し、
前記樹脂成分全体の構成単位のうち２０モル％〜８０モル％が芳香族環含有モノマー由来の構成単位であることを特徴とするブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法。
【請求項２】
工程（１）の後、前記下地剤からなる層を選択的露光し、現像して、前記基板上に下地剤からなる層のパターンを形成する工程（２’）を有し、
前記下地剤は、感光性重合開始剤を含有する請求項１記載のブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法。
【請求項３】
前記芳香族環含有モノマーが、ビニル基を有する炭素数６〜１８の芳香族化合物、（メタ）アクリロイル基を有する炭素数６〜１８の芳香族化合物、及びノボラック樹脂の構成成分となるフェノール類からなる群から選ばれる請求項１又は２に記載のブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法。
【請求項４】
前記樹脂成分が、非芳香族環含有モノマー由来の構成単位を含有する請求項１〜３のいずれか一項に記載のブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法。
【請求項５】
前記非芳香族含有モノマーが、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｐ及びＳからなる群から選ばれる少なくとも１原子を含むビニル化合物又は（メタ）アクリル化合物である請求項１〜４のいずれか一項に記載のブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法。
【請求項６】
前記樹脂成分が、前記基板とのグラフト重合性基を有する請求項１〜５のいずれか一項に記載のブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法。
【請求項７】
前記グラフト重合性基は、フェノール性水酸基、カルボキシル基、チオール基、アミノ基、アミド基、イソシアネート基、ニトロ基、エポキシ基、オキセタニル基、（メタ）アクリロイル基、及びアルコキシシラン基からなる群から選ばれる請求項６に記載のブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法。
【請求項８】
工程（２’）において、ベーク処理を行わない請求項２〜７のいずれか一項に記載のブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法。

【図１】