説明

プラスチック導電性微粒子及びその製造方法

本発明は、優れた高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズと、厚さ0.1〜10μmの金属めっき層と、厚さ1〜100μmの有鉛または無鉛のはんだ層との順に電気めっきした、外径2.5μm〜1mmのプラスチック導電性微粒子及びその製造方法に関する。本発明のプラスチック導電性微粒子の製造方法によれば、優れた熱的特性及び高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズを製造し、前記プラスチックコアビーズの表面をエッチング処理し、その後、無電解めっきして金属めっき層を形成して前記ビーズ表面及び金属めっき層間の密着力を改善した、1mm以下のプラスチック導電性微粒子を提供するために、密閉式6角バレルを電気めっき液に含浸させ、360°に回転するメッシュバレルを6〜10rpmで回転させて電気めっきを行うか、または、従来の密閉式6角バレルの一面を開放し、左右200°に回転するメッシュバレルを1〜5rpmで回転させて電気めっきを行うことによりはんだ層を形成する。本発明のプラスチック導電性微粒子は、パッケージギャップを保持できるので、ICパッケージ、LCDパッケージ及びその他導電材に有用に用いられる。

【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【0001】
〔技術分野〕
本発明は、プラスチック導電性微粒子及びその製造方法に関し、より詳しくは、400〜550kgf/mmの高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズを製造し、前記プラスチックコアビーズを、電気めっき前に前処理し、その後、360°に6〜10rpmで回転するメッシュバレルを用いて電気めっきするか、または左右200°方向に1〜5rpmで回転するメッシュバレルを用いて電気めっきすることにより得られる外径1mm以下のプラスチック導電性微粒子及びその製造方法に関する。
【0002】
〔背景技術〕
従来、電気回路の基板にICまたはLSIを接続する際に、個別的なピンを印刷配線ボードにはんだする方法が使用されてきた。しかし、この方法は、生産効率性が低く過密化に相応しくない。
【0003】
接続信頼性を改善させるために、球状に成形したはんだ、いわゆるはんだボール(solder balls)を用いて基板に接続するボールグリッドアレイ(ball grid array:BGA:ボール格子配列)技術が開発された。この技術によれば、基板、チップ及び基板に搭載された(mounted)はんだボールを高温で溶融させながらこれらを接続させることにより、高生産性及び高接続信頼性を満足させながら基板上の回路を完成することができる。しかし、金属の場合、金属特有の性質であるクラックがよく見え、金属ビーズのサイズが小さくなるほど製造工程が難しくなり、低弾性のため、接続信頼性の評価の際、熱サイクルの進行に伴い電子機器間のパッケージギャップ(packaging gaps)が狭まり、熱ストレスバッファ効率が落ちるという限界がある。
【0004】
さらに、近年、基板の多重層化傾向とあいまって基板間の距離を維持することが困難になっている。また、基板の多重層化は、外部環境変化による基板の伸長または膨脹及び縮小を引き起こし、その結果、基板の接続にこのような力が適用すると、線(wire)が破損することがある。
【0005】
また、はんだボールは、最近鉛の使用を規制している傾向にあいまって、鉛成分の使用量を減らすか無鉛素材に代替する研究が集中的に行われている。
【0006】
よって、このような問題を解決するための好適な手段として、相対的に優れた弾性を有する球状のプラスチックコアビーズを導電性金属ビーズ(conductive metal beads)の代わりに用いることにより、接続信頼性の改善を図っている。
【0007】
このようなプラスチックコアビーズとしては、通常ラック型(rack type)、アクリルバレル(acryl barrel)を用いて電気めっきを行い、外径1mm以上の球状のプラスチックコアビーズが量産されている。
【0008】
しかし、1mm以下の微細な小型電機電子部品に使われるプラスチック導電性微粒子の場合、低い密度のためにめっき液上に浮遊して十分な電気めっき効率を得ることができないし、これによりダングラー(dangler)を用いるアクリルバレル型の既存の電気めっき法では電気めっきが不可能である。また、電気めっきが行われるとしても、バレル内部のめっき液と外部のめっき液との間の循環がうまくいかないので、電気めっきされたプラスチック導電性微粒子の表面がラフであり、はんだ層(solder layer)を8μm以上の厚さで電気めっきすることができない。
【0009】
したがって、本発明者らは、かかる問題点を解消するために努力した結果、1mm以下のプラスチック導電性微粒子を製造するために、高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズを製造し、前記プラスチックコアビーズの表面を前処理して金属めっき層を無電解めっきし、その後、360°に6〜10rpmで回転するメッシュバレルを用いて電気めっきを行うか、または左右200°方向に1〜5rpmで回転するメッシュバレルを用いて電気めっきを行うことにより、はんだ層のめっき厚さを1〜100μmの範囲で調節できるプラスチック導電性微粒子を提供し、前記プラスチック導電性微粒子のパッケージギャップ維持を可能にして従来の問題点を解消することにより、本発明を完成した。
【0010】
〔発明の開示〕
〔技術的課題〕
本発明の目的は、高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズと、金属めっき層と、有鉛または無鉛のはんだ層との順に電気めっきした、外径2.5μm〜1mmのプラスチック導電性微粒子を提供することにある。
【0011】
本発明の他の目的は、前記1mm以下のプラスチック導電性微粒子を製造するための、電気めっき前の前処理方法を提供することにある。
【0012】
本発明のまた他の目的は、前記1mm以下のプラスチック導電性微粒子を製造するために、360°に6〜10rpmで回転するメッシュバレルを用いて電気めっきを行うか、または左右200°方向に1〜5rpmで回転するメッシュバレルを用いて電気めっきを行うプラスチック導電性微粒子の製造方法を提供することにある。
【0013】
〔技術的解決方法〕
本発明は、400〜550kgf/mmの高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズと、前記ビーズ上に0.1〜10μmの厚さに形成されたニッケルめっき層と、前記ニッケルめっき層上にSn/Pb、Sn/Ag、Sn、Sn/Cu、Sn/Zn及びSn/Biよりなる群から選ばれたいずれか1種の厚さ1〜100μmのはんだ層と、よりなる球状のプラスチック導電性微粒子を提供する。
【0014】
前記プラスチック導電性微粒子は、ニッケルめっき層上に0.1〜10μmの銅めっき層がさらに形成された複数の金属めっき層を有することができる。
【0015】
前記プラスチック導電性微粒子は、球状であり、外径が2.5μm〜1mmであることが好ましい。
【0016】
前記プラスチックコアビーズは、疎水性に改質された粘土鉱物(clay minerals)層間に重合単量体を介在して重合単量体に置換したナノ粘土複合体を製造し、懸濁重合法を用いて前記ナノ粘土複合体を均一に分散して得る。このとき、好適なプラスチックコアビーズは、ナノ粘土複合体が均一に分散されたポリスチレン粒子である。前記プラスチックコアビーズは、5%熱分解温度が250〜350℃であり、前記温度範囲で硝子転移点(glass transition temperature)または融点(melting temperature)が検出されない400〜550kgf/mmの高圧縮弾性を有する。
【0017】
本発明の好適な実施例によれば、400〜550kgf/mmの高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズと、前記ビーズ上に0.1〜10μmの厚さに形成されたニッケルめっき層と、前記ニッケルめっき層上に60乃至70%の錫(Sn)及び30乃至40%の鉛(Pb)を含む1〜100μmの厚さに形成されたはんだ層と、よりなる外径10μm〜1mmのプラスチック導電性微粒子を提供する。
【0018】
前記プラスチック導電性微粒子は、前記ニッケルめっき層上に0.1〜10μmの銅めっき層がさらに形成された構造を含むことができる。
【0019】
また、本発明の好適な他の実施例によれば、400〜550kgf/mmの高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズと、前記ビーズ上に0.1〜10μmの厚さに形成されたニッケルめっき層と、前記ニッケルめっき層上に96乃至97%の錫及び3.0乃至4.0%の銀を含む1〜100μmの厚さに形成されたはんだ層と、よりなる外径10μm〜1mmのプラスチック導電性微粒子を提供する。
【0020】
本発明のプラスチック導電性微粒子は、前記ニッケルめっき層上に0.1〜10μmの銅めっき層がさらに形成された構造を含むことができる。
【0021】
また、本発明は、1)ナノ粘土複合体が均一に分散された、高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズを製造するステップと、2)前記プラスチックコアビーズの表面をエッチング処理するステップと、3)前記処理されたプラスチックコアビーズの表面に、SnCl含有前処理溶液及びPdCl含有前処理溶液を用いてSn及びPdを吸着させるステップと、4)前記吸着された表面にニッケルめっき液を用いて厚さ0.1〜10μmのニッケルめっき層を形成したプラスチックコアビーズを製造するステップと、5)前記プラスチックコアビーズに対して0.1mm〜3.0cmのスティールボール(鋼球:steel balls)を1:2乃至1:20の重量比で混合するステップと、6)前記混合したプラスチックコアビーズにSn/Pb、Sn/Ag、Sn、Sn/Cu、Sn/Zn及びSn/Biよりなる群から選ばれたいずれか1種のめっき液を電気めっきしてはんだ層を形成するステップと、からなる前記プラスチック導電性微粒子の製造方法を提供する。
【0022】
前記プラスチック導電性微粒子の製造方法は、ニッケルめっき層上に銅めっき液を用いて厚さ0.1〜10μmの銅めっき層がめっきされるステップをさらに含むことができる。
【0023】
前記ステップ2では、前記プラスチックコアビーズを、クロム酸50〜300g/L及び過マンガン酸カリウム10〜100g/Lを主成分として含有するエッチング液に含浸させ、60〜90℃で1〜2時間前記ビーズ表面をエッチング処理する。
【0024】
ステップ3において、前処理溶液としては、塩酸、水及び界面活性剤よりなる組成物にSnClを加えた前処理溶液及び、前記組成物にPdClを加えた前処理溶液を用いる。
【0025】
ステップ4において、ニッケルめっき層は、硫酸ニッケル、酢酸ナトリウム、マレイン酸、還元剤としての亜リン酸ナトリウム、安定剤としてのチオ硫酸ナトリウムと酢酸鉛、及び界面活性剤としてのトリトンX−100からなるニッケルめっき液を用いて無電解めっきにより形成される。
【0026】
また、銅めっき層は、硫酸銅、EDTA、2,2−ビピリジン、還元剤としてのホルムアルデヒド、及び界面活性剤としてのPEG−1000からなる銅めっき液を用いて無電解めっきにより形成される。
【0027】
ステップ6において、はんだ層は、前記金属層がめっきされたプラスチックコアビーズに、Sn/Pb、Sn/Ag、Sn、Sn/Cu、Sn/Zn及びSn/Biよりなる群から選ばれたいずれか1種のめっき液を電気めっきして形成される。好ましくは、前記はんだ層は、70%の錫及び30乃至40%の鉛を含有するSn/Pb合金層、または96乃至97%の錫及び3.0乃至4.0%の銀を含有するSn/Ag合金層である。
【0028】
本発明のプラスチック導電性微粒子の製造方法において、はんだ層(solder layer)は、360°に6〜10rpmで回転するメッシュバレルを用いて電気めっきを行うか、または左右200°方向に1〜5rpmで回転するメッシュバレルを用いて電気めっきを行うことにより得られる。具体的には、従来のリード線型陰極線(lead wire-type cathode wire)の代わりにバー型陰極線(bar-type cathode wire)を有する電気めっき改善用陰極ダングラー(cathode dangler)を用いて、密閉式6角バレルの内部に被めっき体を分散させ、前記バレルを電気めっき液に含浸させ、360°に6〜10rpmで回転する前記メッシュバレルを用いて電気めっきを行うか、または、めっき液の円滑な循環のために、従来の密閉式6角バレルの一面を開放してめっき液を投入する改良型メッシュバレル構造を採用し、左右200°方向に1〜5rpmで回転する前記メッシュバレルを用いて電気めっきを行う。このとき、電気めっき工程は、陰極電流密度0.1〜10A/dm、めっき液温度10〜30℃、バレル回転速度1〜10rpmに行われ、陰極電流密度が1A/dmであるとき、めっき速度0.2〜0.8μm/minの条件下で行われる。
【0029】
〔発明の効果〕
本発明は、第一に、優れた熱的特性及び高圧縮弾性を有するナノ粘土複合体が均一に分散された新規なプラスチックコアビーズを提供する。
【0030】
第二に、電子機器のICパッケージ、LCDパッケージ、その他導電材に利用できる外径1mm以下の球状プラスチック導電性微粒子を提供する。
【0031】
第三に、外径1mm以下のプラスチック導電性微粒子を提供するために、電気めっきの前、コアビーズの表面をエッチング液を用いて処理し、得られたビーズの低い密度を解決するために0.1mm〜3.0cmのスティールボールを所定比で混合した後、電気めっきする製造方法を提供する。
【0032】
第四に、外径1mm以下のプラスチック導電性微粒子を提供するために、360°に6〜10rpmで回転するメッシュバレルを用いて電気めっきを行うか、または左右200°方向に1〜5rpmで回転するメッシュバレルを用いて電気めっきを行う製造方法を提供する。
【0033】
〔発明の実施のための最良の形態〕
以下、本発明を詳しく説明する。
【0034】
1.プラスチックコアビーズの製造
本発明のプラスチックコアビーズは、疎水性に改質された粘土鉱物の層間に重合単量体を介在して重合単量体に置換したナノ粘土複合体を製造するステップ1と、懸濁重合法を用いて前記ナノ粘土複合体を均一に分散した高圧縮弾性のプラスチックコアビーズを製造するステップ2と、を経て得られる。
【0035】
このとき、プラスチックコアビーズを製造する工程は、前記懸濁重合方法の以外に、乳化重合、分散重合、またはシード重合法から選択して実施することができる。
【0036】
ステップ1:ナノ粘土複合体の製造
a)重合単量体を溶媒に溶解させた後、前記重合単量体100重量部に対して、疎水性に改質された粘土鉱物0.1乃至50重量部及び重合開始剤0.01乃至2.0重量部を添加し、重合単量体に置換したナノ粘土複合体を得る。
【0037】
本発明に用いられる重合単量体は、ラジカル重合時に使用される単量体であれば特に限定しない。例えば、具体的には、スチレン、α−メチルスチレン、メチルメタクリル樹脂、ビニルエステル、アクリル酸、メタクリル酸、N−ビニルピロリドン、ビニリデンフッ化物(vinylidenefluoride)、テトラフルオロエチレン及び卜リクロロフルオロエチレンよりなる群から選ばれた単独または2種の混合物を用いる。好ましくは、スチレンまたはメチルメタクリル樹脂を用いる。
【0038】
本発明に用いられる疎水性に改質された粘土鉱物は、親水性の天然粘土鉱物を選択し、界面活性剤を用いて粘土内に存在する自然発生陽イオンを置換して疎水性粘土鉱物に改質して用いる。このとき、天然粘土鉱物は、モンモリロン石(montmorillonite)、スメクタイト、フィロケイ酸塩、サポナイト、バイデライト(beidellite)、モントロナイト(montronite)、ヘクトライト及びステベンス石(Stevensite)よりなる群から選ばれた単独または2種以上の混合物を用いる。また、前記天然粘土の改質に必要とされる界面活性剤は、ジメチルジ水素化タローアルキルアンモニウムクロライド(dimethyl dihydrogenated tallow alkyl ammonium chloride)、ジメチル水素化タローアルキルベンジルアンモニウムクロライド(dimethyl hydrogenated tallow alkyl benzyl ammonium chloride)、ジメチル2−エチルヘキシル水素化アンモニウムクロライド(dimethyl 2-ethylhexyl hydrogenated ammonium chloride)及びトリメチル水素化タローアルキルアンモニウムクロライド(trimethyl hydrogenated tallow alkyl ammonium chloride)よりなる群から選ばれるものである。本発明の実施例では、疎水性に改質されたモンモリロン石(montmorillonite)を好ましい一例として説明する。また、疎水化された粘土鉱物は、好ましくは重合単量体100重量部に対して0.1〜50重量部であり、より好ましくは1〜10重量部である。このとき、疎水化された粘土鉱物を0.1重量部未満にすると、得られたナノ粘土複合体の濃度があまりに低いという問題点があり、一方、50重量部を超過すると、粘土層間に重合単量体が十分に取り込まれないナノ粘土複合体が得られる。両方とも、プラスチックコアビーズの圧縮弾性率を改善することができないため、好ましくない。
【0039】
また、重合開始剤としては、対称官能性アゾ化合物、対称多官能性過酸化物、非対称多官能性過酸化物及びこれらの混合物を用いることができる。具体的には、ベンゾイルパーオキサイド、ジ−t−ブチルクミルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン、オクタノイルパーオキサイド、デカノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキサイド、3,3,5−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、t−ブチルパーオキシアセテート、t−ブチルパーオキシイソブチレート、t−ブチルパーオキシ(2−エチルヘキサノエート)、t−ブチルパーオキシ−トリメチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシラウレート、t−ブチルパーベンゾエート、ジ−t−ブチルパーオキシイソフタレート、2,5―ジメチルー2,5−ジ(ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス−2,4−ジメチルバレロニトリル、2,2’−アゾビス−2−メチルイソブチロニトリル及びアゾビス−2−メチルプロピオニトリルよりなる群から選ばれた2種以上の混合物を用いる。好ましくは、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルパーオキサイド及びt−ブチルパーオキシ−3,3,5−トリメチルヘキサノエートの混合物を用いる。
【0040】
このとき、重合開始剤の好ましい使用量は、重合単量体100の重量部に対して0.01乃至2.0重量部である。重合開始剤を0.01重量部未満にすると、粘土層間での単量体重合反応を効果的に行いにくいので、得られるナノ粘土複合体における粘土層の間隔が充分にとれないという問題があり、2.0重量部を超過すると、反応進行中に瞬間的に急激な発熱反応が爆発的に起こるという問題があって、好ましくない。
【0041】
前記溶媒は、重合単量体に対しては可溶性であるが、重合体に対しては不溶性である必要があり、好ましくは、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、シクロヘキサノール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン及びアセトニトリルよりなる群から選ばれるものである。より好ましくは、アセトニトリルを用いる。
【0042】
ステップ2:高圧縮弾性のプラスチックコアビーズの製造
イオン交換水100重量部に対して分散安定剤0.01〜10.0重量部を溶解させた第1溶液に、重合単量体100重量部に対して、前記ステップ1で得られたナノ粘土複合体0.1乃至50重量部、架橋結合単量体1乃至50重量部及び重合開始剤0.01乃至2.0重量部よりなる第2溶液を混合して懸濁重合法で製造する。
【0043】
前記架橋結合単量体としては、少なくとも2以上の二重結合を有する多官能性ビニル系架橋単量体を用いる。具体的には、ジビニルベンゼン、エチレングリコールジメタアクリレート、ジエチルグリコールメタアクリレート、トリエチレングリコールメタアクリレート、トリメチレンプロパンメタアクリレート、1,3−ブタンジオールメタアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタアクリレート及びアリールアクリレートよりなる群から選ばれるものを用いる。より好ましくは、ジビニルベンゼンを用いる。このとき、架橋結合単量体の使用量は、好ましくは重合単量体100重量部に対して1.0〜50重量部であり、より好ましくは10〜30重量部である。前記架橋結合単量体を1.0重量部未満にすると、相当数の高分子鎖が架橋されずに残り、硝子転移点(Glasstransition temperature)及び融点(melting temperature)などのホモポリマー固有の温度特性が示され、プラスチックコアビーズの形態が変わるという問題があり、一方、50重量部を超過すると、得られるプラスチックコアビーズの剛性と弾性のアンバランスのために、反復的な衝撃に弱くなるという問題がある。
【0044】
前記分散安定剤は、懸濁重合時に分散を安定化するためのものであり、トリカルシウムフォスフェイト、トリナトリウムフォスフェイト、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、セルロース系(メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース)、ポリビニルアルコール/ビニルアセテート共重合体(polyvinylalcohol-co-vinylacetate)よりなる群から選ばれた単独及びこれらの混合物を用いる。
【0045】
前記重合単量体及び重合開始剤は、前記ステップ1のものと同一である。
【0046】
本発明のプラスチックコアビーズは、外径が2.5μm〜1mmであり、熱重量分析(Thermogravimetric Analysis:TGA)による5%分解温度が330℃以上であり、示差走査熱量計(Differential scanning calorimeter:DSC)による分析時に硝子転移点(Tg)が検出されない熱的特性及び、400〜550kgf/mmの高圧縮弾性を有する。
【0047】
2.プラスチック導電性微粒子
本発明は、5%熱分解温度が250〜350℃であり、前記温度範囲で硝子転移点または融点が検出されない400〜550kgf/mmの高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズと、前記ビーズ上に0.1〜10μmの厚さに形成されたニッケルめっき層と、前記ニッケルめっき層上にSn/Pb、Sn/Ag、Sn、Sn/Cu、Sn/Zn及びSn/Biよりなる群から選ばれたいずれか1種の厚さ1〜100μmのはんだ層と、よりなるプラスチック導電性微粒子を提供する。
【0048】
また、本発明のプラスチック導電性微粒子は、前記ニッケルめっき層上に0.1〜10μmの銅めっき層がさらに形成された複数の金属めっき層を有することができる。
【0049】
このとき、プラスチック導電性微粒子は球状であり、外径が好ましくは2.5μm〜1mmであり、より好ましくは10μm〜1000μmである。具体的には、前記プラスチック導電性微粒子の外径は、45μm、100μm、250μm、300μm、350μm、450μm、500μm、760μm、1000μm±20μmである。
【0050】
本発明の好適な第1の実施例によれば、5%熱分解温度が250〜350℃であり、前記温度範囲で硝子転移点または融点が検出されない、400〜550kgf/mmの高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズと、前記ビーズ上に1〜3μmの厚さに形成されたニッケルめっき層と、前記ニッケルめっき層上に60〜70%の錫と30〜40%の鉛を含むか、または96〜97%の錫と3.0〜4.0%の銀を含む、80〜100μmの厚さに形成されたはんだ層と、よりなる740〜780μmのプラスチック導電性微粒子を提供し、好ましくは744〜776μmのプラスチック導電性微粒子を提供する。
【0051】
また、前記プラスチック導電性微粒子は、ニッケルめっき層上に1〜3μm銅めっき層をさらに積層してニッケル/銅複合めっき層を形成することができる。よって、前記はんだ層は、ニッケルめっき層または前記ニッケル/銅複合めっき層上に形成できることは言うまでもない。
【0052】
本発明の好適な第2の実施例によれば、5%熱分解温度が250〜350℃であり、前記温度範囲で硝子転移点または融点が検出されない、400〜550kgf/mmの高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズと、前記ビーズ上に4〜6μmの厚さに形成されたニッケルめっき層と、前記ニッケルめっき層上に60〜70%の錫と30〜40%の鉛を含むか、または96〜97%の錫と3.0〜4.0%の銀を含む、45〜80μmの厚さに形成されたはんだ層と、よりなる430〜470μmのプラスチック導電性微粒子を提供し、好ましくは434〜466μmのプラスチック導電性微粒子を提供する。
【0053】
また、前記プラスチック導電性微粒子は、ニッケルめっき層上に4〜6μmの銅めっき層をさらに積層してニッケル/銅複合めっき層を形成することができる。よって、前記はんだ層は、ニッケルめっき層または前記ニッケル/銅複合めっき層上に形成され得る。
【0054】
本発明の好適な第3の実施例によれば、5%熱分解温度が250〜350℃であり、前記温度範囲で硝子転移点または融点が検出されない、400〜550kgf/mmの高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズと、前記ビーズ上に7〜8μmの厚さに形成されたニッケルめっき層と、前記ニッケルめっき層上に60〜70%の錫と30〜40%の鉛を含むか、または96〜97%の錫と3.0〜4.0%の銀を含む25〜45μmの厚さに形成されたはんだ層と、よりなる280〜320μmのプラスチック導電性微粒子を提供し、好ましくは284〜316μmのプラスチック導電性微粒子を提供する。
【0055】
また、前記プラスチック導電性微粒子は、ニッケルめっき層上に7〜8μmの銅めっき層をさらに積層してニッケル/銅複合めっき層を形成することができる。よって、前記はんだ層は、ニッケルめっき層または前記ニッケル/銅複合めっき層上に形成され得る。
【0056】
また、本発明の好適な第4の実施例によれば、5%熱分解温度が250〜350℃であり、前記温度範囲で硝子転移点または融点が検出されない400〜550kgf/mmの高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズと、前記ビーズ上に9〜10μmの厚さに形成されたニッケルめっき層と、前記ニッケルめっき層上に60〜70%の錫と30〜40%の鉛を含むか、または96〜97%の錫と3.0〜4.0%の銀を含む、5〜10μmの厚さに形成されたはんだ層と、よりなる25〜65μmのプラスチック導電性微粒子を提供し、好ましくは35〜55μmのプラスチック導電性微粒子を提供する。
【0057】
また、前記プラスチック導電性微粒子は、ニッケルめっき層上に9〜10μmの銅めっき層をさらに積層してニッケル/銅複合めっき層を形成することができる。よって、前記はんだ層は、ニッケルめっき層または前記ニッケル/銅複合めっき層上に形成され得る。
【0058】
3.プラスチック導電性微粒子の製造方法
また、本発明は、プラスチック導電性微粒子の製造方法を提供する。具体的には、前記製造方法は、1)ナノ粘土複合体が均一に分散された、高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズを製造するステップと、2)前記プラスチックコアビーズの表面をエッチング処理するステップと、3)前記処理されたプラスチックコアビーズの表面に、SnCl含有前処理溶液及びPdCl含有前処理溶液を用いてSn及びPdを吸着させるステップと、4)前記吸着された表面にニッケルめっき液を用いて厚さ0.1〜10μmのニッケルめっき層を形成したプラスチックコアビーズを製造するステップと、5)前記プラスチックコアビーズに対して0.1mm〜3.0cmのスティールボールを1:2乃至1:20の重量比で混合するステップと、6)前記混合したプラスチックコアビーズ上に、Sn/Pb、Sn/Ag、Sn、Sn/Cu、Sn/Zn及びSn/Biよりなる群から選ばれたいずれか1種のめっき液を電気めっきしてはんだ層を形成するステップと、を備える。
【0059】
本発明のプラスチック導電性微粒子の製造方法は、前記ニッケルめっき層上に銅めっき液を用いて厚さ0.1〜10μmの銅めっき層がめっきされるステップをさらに含むことができる。
【0060】
本発明の製造方法において、前記ステップ2の工程は、プラスチックコアビーズ及び金属めっき層間の密着力を高めるための工程であって、前記プラスチックコアビーズを、クロム酸50〜300g/L及び過マンガン酸カリウム10〜100g/Lを主成分として含有するエッチング液に含浸させ、60〜90℃で1〜2時間前記ビーズの表面をエッチング処理する。前記エッチング液の濃度及び温度が高いほどエッチング効果が優秀であり、このとき、プラスチックコアビーズ及び金属めっき層間の密着力が1200l/cm以上の優れた密着力を有するフラッステッキビーズを製造することができる。
【0061】
図1は、本発明のプラスチックコアビーズのエッチングされた表面を示すSEM分析写真である。同図に示すように、プラスチックコアビーズは、球状で、均一なサイズであり、粒子の表面がラフである。
【0062】
図2は、前記図1のビーズ粒子の拡大図である。同図に示すように、球状のプラスチックコアビーズの平均外径は284〜314μmであり、ビーズ表面に凹凸が付与される。
【0063】
その後、ステップ3では、塩酸、水及び界面活性剤よりなる組成物にSnClを加えた前処理溶液及び、前記組成物にPdClを加えた前処理溶液を用いてビーズ表面にSn及びPdを吸着させる。このとき、前記前処理溶液に界面活性剤を添加することにより、緻密なめっき組職と均一な厚さを有する金属めっき層を形成することができ、光沢のある表面を有するプラスチックコアビーズを製造することができる。好ましい界面活性剤としてはトリトンX−100を用いる。
【0064】
ステップ4において、ニッケルめっき層は、硫酸ニッケル、酢酸ナトリウム、マレイン酸、還元剤としての亜リン酸ナトリウム、安定剤としてのチオ硫酸ナトリウムと酢酸鉛、及び界面活性剤としてのトリトンX−100からなるニッケルめっき液を用いて無電解めっきにより形成される。このとき、ニッケルめっき層の厚さは0.1〜10μmとなる。好ましくは4〜8μmとなる。
【0065】
また、銅めっき層は、硫酸銅、EDTA、2,2−ビピリジン、還元剤としてのホルムアルデヒド、及び界面活性剤としてのPEG−1000からなる銅めっき液を用いて無電解めっきにより形成される。このとき、好ましい銅めっき層の厚さは4〜8μmとなる。
【0066】
ステップ5において、前記工程を経て得られたプラスチックコアビーズは、外径が0.7mm以下であるため、低い密度が原因でめっき液上に浮遊してしまうという問題がある。よって、かかる問題を解消するために、0.1mm〜3.0cmのスティールボールを前記プラスチックコアビーズに対して1:2乃至1:20の重量比で混合する。
【0067】
ステップ6において、本発明のプラスチックコアビーズが外径0.7mm以下の球状なので低い密度を有するため、通常の電気めっき法を適用することができない。かかる問題を解消するために、従来の電気めっきを改善したメッシュバレル電気めっき法を用いる。
【0068】
具体的には、 従来のリード線型陰極線(図3)の代わりにバー型陰極線(図4)を有する電気めっき改善用陰極ダングラー(cathode dangler)を用いて、メッシュバレル内部に前記被めっき体を分散させることにより、電流分布の範囲を拡大して電気めっきすることができる。
【0069】
図3の場合、黄銅製のリード型陰極線100の太さが8mm(8SQ)である陰極ダングラーを用いるとき、実際流れる電流は約20Aである。このとき、実際流れる電流は、電線の太さに通常2乃至2.5をかけて算出する。
【0070】
一方、バー型陰極線を用いた図4の場合、4個の電極が下方に突出し(下向きのダングラー4EA)、3個の電極が45°方向に突出する(45゜方向の3EA)。このような形態は、本発明のプラスチック導電性微粒子を均一に混合する役割をし、メッシュバレル内部の、小さい粒子サイズを有する導電メディアとめっき素材との間の電流分布を一様にする役目をする。
【0071】
また、図4のバー型陰極ダングラーの場合、黄銅素材(黄銅Φ)の電線の太さが6mmであるとしても、実際流れる電流量[6mm×2.5×7個(ダングラー数)=105A]は、従来の陰極ダングラーの場合よりも高い。
【0072】
その後、メッシュバレル電気めっき方式の一実施例により、360°に6〜10rpmで回転するメッシュバレルを用いて電気めっきを行うか、またはメッシュバレル電気めっき方式の他の一実施例により、左右200°方向に1〜5rpmで回転するメッシュバレルを用いて電気めっきを行う。
【0073】
図5は、360°に回転するメッシュバレルを用いて電気めっきを行う電気めっき装置の側面図である。図6は、前記装置の正面図である。
【0074】
前記メッシュバレル電気めっき方式によれば、シャプト軸にギアを取り付け、モーターに接続されたシャプト軸が回転するに従い、駆動ギア10aと結合したバレルが回転し始め、次いで、駆動ギア10b、10cが駆動され、連鎖的に回転を行う。このような回転駆動により、バー型ダングラー12が具備された密閉式6角バレルを電気めっき液に含浸させ、360°に回転するメッシュバレル11を6〜10rpmで回転させて電気めっきを行う。このとき、陰極ブースバー13は、銅板製であり、バレル内部のバー型ダングラー12と結合して電流が流れるようになる。また、バレルに取り付けされた陰極ブースバー13は、35mm×5mm×2.5のサイズを持ち、437Aの電流を流せる。
【0075】
図7は、200°に回転するメッシュバレルを用いて電気めっきを行う電気めっき装置の側面図である。図8は、前記装置の正面図である。
【0076】
前記メッシュバレル電気めっき方式によれば、モーター24が作動する間、モーターのカム軸20に接続されたメッシュバレル21は、左右200°に回転を行い、この場合、回転速度は、電気めっき装置の一側に設置されたrpm調節スィッチ25によって1〜5rpmの範囲で制御される。このとき、陰極ブースバー23に接続されたメッシュバレル21は、バー型ダングラー12を備え、従来の密閉式6角バレルの一面を開放した構造を有し、めっき液を投入して円滑に循環できるようにする。
【0077】
前記電気めっき工程は、陰極電流密度0.1〜10A/dm、めっき液温度10〜30℃、バレル回転速度1〜10rpm、及び陰極電流密度1A/dm、めっき速度0.2〜0.8μm/minの条件下で行われる。
【0078】
前記金属めっき層を有するプラスチックコアビーズ上に、Sn/Pb、Sn/Ag、Sn、Sn/Cu、Sn/Zn及びSn/Biよりなる群から選ばれたいずれか1種のめっき液を用いてはんだ層を形成する。好ましくは、前記はんだ層は、Sn60〜70%/Pb30〜40%、Sn96〜97%/Ag3〜4%、Sn、Sn/Cu0.7〜1.5%、Sn/Zn9%及びSn/Bi3〜4%よりなる群から選ばれたいずれか1種である。
【0079】
したがって、外径1mm以下の従来の球状のプラスチックコアビーズを電気めっきする場合、電気めっき表面がラフであり、ニッケルめっき層を有するプラスチックコアビーズが凝集する(clotting)問題点及び、めっき厚さが8μm以下に制限される問題点を有する。これに対し、本発明の改善したメッシュバレル電気めっき法を用いた場合、0.045〜1mmのプラスチックコアビーズ上に形成するはんだ層の厚さを、1〜100μmの範囲内で調節することができ、均一な表面を有する。
【0080】
本発明のはんだ層は、好ましくは70%の錫及び30乃至40%の鉛を含むSn/Pb合金層であり、より好ましくはSn63/Pb37の合金層である。これは、従来の鉛含有はんだ層に比べて鉛量を低減することができる。
【0081】
さらに、本発明のはんだ層は、好ましくは96乃至97%の錫及び3.0乃至4.0%の銀を含むSn/Ag合金層であり、より好ましくはSn/3.5Ag合金層である。
【0082】
図9は、本発明の好適な実施例によるSn/3.5Agはんだ層を含むプラスチック導電性微粒子の表面を示すSEM分析写真である。同図に示すように、前記プラスチック導電性微粒子は、平均粒径が330〜370μmであり、均一な粒子表面を有する。
【0083】
図10は、前記プラスチック導電性微粒子のSn/Agはんだ層のめっき厚さを示すSEM分析写真である。同図に示すように、Sn/Agはんだ層のめっき厚さは25μmである。
【0084】
〔発明の実施のための形態〕
以下、本発明を実施例に基づいてより詳しく説明するが、本発明の範囲はこれら実施例に限定されるものではない。
【0085】
1.プラスチックコアビーズの製造
<実施例1>
ステップ1:ナノ粘土複合体の製造
攪拌器付き反応器にスチレン100重量部、疎水性に改質された粘土14.2重量部、アセトニトリル476重量部を入れ、150rpmで58℃で6時間、70℃で6時間反応させてナノ粘土複合体を得た。得られた1次ナノ粘土複合体をメタノールで数回洗浄した後、真空乾燥させた。
【0086】
ステップ2:高圧縮弾性のプラスチックコアビーズの製造
攪拌器付き反応器に単量体対比400重量部のイオン交換水を入れ、ここにイオン交換水対比3.0重量部のポリビニルアルコールを入れて、300rpmで2℃/minで88℃まで昇温させながら溶解させて第1溶液を得た。ビーカーにジビニルベンゼン17.5重量%、スチレン79.0重量%及び前記ナノ粘土複合体3.5重量%よりなる重合単量体100重量部を入れ、ここにベンゾイルパーオキサイド0.4重量部、t−プチルパーオキシ−3,3,5−トリメチルヘキサノエート0.2重量部を入れて、常温で2時間撹拌させて第2溶液を得た。その後、第2溶液を第1溶液に加えて300rpmにて88℃で3時間、95℃で5時間反応させた。得られた最終生成物をメタノールで数回洗浄し、真空乾燥させた後、それを分析した。
【0087】
<実施例2>
前記実施例1の第2溶液中の重合単量体に代えて、ジビニルベンゼン30.0重量%、スチレン69。5重量%及びナノ粘土複合体0.5重量%よりなる重合単量体を用いた以外は、前記実施例1の方法と同様にしてプラスチックコアビーズを得た。
【0088】
<実施例3>
前記実施例1の第2溶液中の重合単量体に代えて、ジビニルベンゼン15.0重量%、スチレン80.5重量%及びナノ粘土複合体4.5重量%よりなる重合単量体を用いた以外は、前記実施例1の方法と同様にしてプラスチックコアビーズを得た。
【0089】
<実施例4>
前記実施例1の第2溶液中の重合単量体に代えて、ジビニルベンゼン25.0重量%、スチレン73.5重量%及びナノ粘土複合体1.5重量%よりなる重合単量体を用いた以外は、前記実施例1の方法と同様にしてプラスチックコアビーズを得た。
【0090】
<実施例5>
前記実施例1の第2溶液中の重合単量体に代えて、ジビニルベンゼン20.0重量%、スチレン77.0重量%及びナノ粘土複合体3.0重量%よりなる重合単量体を用いた以外は、前記実施例1の方法と同様にしてプラスチックコアビーズを得た。
【0091】
<比較例1>
前記実施例1の第2溶液中の重合単量体に代えて、ナノ粘土複合体を添加しなくジビニルベンゼン0重量%及びスチレン100重量%よりなる重合単量体を用いた以外は、前記実施例1の方法と同様にしてプラスチックコアビーズを得た。
【0092】
<比較例2>
前記実施例1の第2溶液中の重合単量体に代えて、ナノ粘土複合体を添加しなくジビニルベンゼン30.0重量%及びスチレン70.0重量%よりなる重合単量体を用いた以外は、前記実施例1の方法と同様にしてプラスチックコアビーズを得た。
【0093】
前記実施例1〜5及び比較例1〜2から得られたプラスチックコアビーズの物性を下記表1に示す。
【0094】
熱的特性分析は、DSC及びTGAを用いて行われた。また、圧縮破壊強度及び圧縮弾性率は、島津(SHIMADZU)社の微小圧縮試験機(MCT−Wシリーズ)を用いて測定した。
【0095】
【表1】

【0096】
前記表1に示すように、実施例1〜5で得られたプラスチックコアビーズは、高い圧縮弾性率を示す。
【0097】
図11は、本発明の実施例1によるプラスチックコアビーズのTGA熱分析結果を示す図であって、355.34℃で95%が存在し、図12は、本発明の比較実施例1によるプラスチックコアビーズのTGA熱分析結果を示す図であって、329.57℃で95%が存在した。よって、本発明のプラスチックコアビーズは、5%熱分解温度が330℃以上であり、硝子転移点または融点が検出されない、400〜550kgf/mmの高圧縮弾性を有することが好ましい。
【0098】
2.プラスチック導電性微粒子の製造
<実施例6>
第1ステップ:前記実施例1〜5のいずれかによるプラスチックコアビーズを、NaOH15g/Lと脱脂剤50g/Lを含有する脱脂液に含浸させて60℃で10分間脱脂処理し、3回水洗した。
【0099】
第2ステップ:脱脂処理されたプラスチックコアビーズを、無水クロム酸(chromic acid)150g/L、KMnO450g/L、水350ml及び硫酸100mlよりなるエッチング液に入れ、60〜90℃で1時間撹拌エッチングしてプラスチックコアビーズに凹凸を付与した。その後、4回水洗し、体積比10%の硫酸で1回水洗した後、さらに水で1回水洗した。
【0100】
第3ステップ:エッチング処理されたプラスチックコアビーズ10〜40gを、SnCl 2〜6g、塩酸15ml、水200ml及びトリトンX−100 1mlよりなる混合液に含浸させ、常温で1時間撹拌した。その後、水で3回水洗して、Snが吸着されたプラスチックコアビーズを得た。
第4ステップ:Snが吸着されたプラスチックコアビーズを、PdCl 0.02〜0.05g、塩酸1ml、水500ml及びトリトンX−100 1mlよりなる混合液に含浸させ、60〜90℃で1時間反応させた後、水で1回水洗し、体積比15%の硫酸を用いて10分間撹拌水洗した後、水で3回水洗して、Pdが吸着されたプラスチックコアビーズを得た。
【0101】
第5ステップ:Pdが吸着されたプラスチックコアビーズを、硫酸ニッケル2.5〜20g、酢酸ナトリウム2.5〜20g、マレイン酸1.2〜10g、還元剤としての亜リン酸ナトリウム2.5〜20g、チオ硫酸ナトリウム100ppm、酢酸鉛0.5〜4ml及びトリトンX−100 1〜8mlよりなるニッケルめっき液に含浸させ、70〜90℃で1時間無電解めっきした。その後、水で3回水洗して、厚さ4μmのニッケルめっき層を得た。
【0102】
第6ステップ:第5ステップのニッケルめっきステップ後、Pdが吸着されたプラスチックコアビーズを、硫酸銅3.0〜15g、EDTA3.5〜17g、安定剤としての2,2−ビピリジン0.2〜200mg、界面活性剤PEG−10000.1〜500mg及び還元剤としての37%のホルムアルデヒド2.0〜10mlよりなるpH9.5〜13.5の銅めっき液に含浸させ、20〜80℃で1時間無電解めっきした。その後、水で3回水洗して、厚さ6μmの銅めっき層を得た。
【0103】
第7ステップ:第5及び6ステップで得られた、ニッケルめっき層及び銅めっき層が形成されたプラスチックコアビーズを、Sn63%/Pb37%のめっき液に含浸させた後、前記プラスチックコアビーズに対して0.5mmのスティールボールを1:20の比率で混合した。その後、従来のリード線型陰極線の代わりにバー型陰極線を有する電気めっき改善用陰極ダングラーを用いて、メッシュバレル内部に被めっき体を分散させ、密閉式6角バレルを電気めっき液に含浸させ、360°に回転するメッシュバレルを6〜10rpmで回転させて電気めっきを行うか、または、めっき液を円滑に循環するために、従来の密閉式6角バレルの一面を開放してめっき液を投入するメッシュバレル構造を採用し、左右200°方向に回転するメッシュバレルを1〜5rpmで回転させて電気めっきを行った。この場合、めっき液を円滑に循環するためにメッシュバレルを用いて電気めっきを行った。このとき、電気めっき工程は、陰極電流密度0.1〜10A/dm、めっき液温度10〜30℃、バレル回転速度1〜10rpm、及び陰極電流密度が1A/dmであるとき、めっき速度0.2〜0.8μm/minの条件下で行われた。
【0104】
<実施例7>
前記実施例6の銅めっき層を無電解めっきするステップを省略した以外は、前記実施例6の方法と同様にした。
【0105】
<実施例8>
前記実施例6のステップ7のSn/Pbのめっき液に代えて、Sn/3.5%Agを用いた以外は、前記実施例6の方法と同様にした。
【0106】
<実施例9>
前記実施例6の銅めっき層を無電解めっきするステップを省略し、Sn/Pbのめっき液に代えてSn/3.5%Agを用いた以外は、前記実施例6の方法と同様にした。
【0107】
<実施例10>
前記実施例6のステップ7のSn/Pbのめっき液に代えて、Snを用いた以外は、前記実施例6の方法と同様にした。
【0108】
<実施例11>
前記実施例6のステップ7のSn/Pbのめっき液に代えて、Sn/3.0%Biを用いた以外は、前記実施例6の方法と同様にした。
【0109】
<実施例12>
前記実施例6のステップ7のSn/Pbのめっき液に代えて、Sn/0.7%Cuを用いた以外は、前記実施例6の方法と同様にした。
【0110】
<実施例13>
前記実施例6のステップ7のSn/Pbのめっき液に代えて、Sn/9%Znを用いた以外は、前記実施例6の方法と同様にした。
【0111】
〔産業上の利用可能性〕
以上説明したように、本発明は、第一に、熱的特性及び高圧縮弾性に優れたナノ粘土複合体が均一に分散された新規なプラスチックコアビーズを提供する。
【0112】
第二に、電子機器のICパッケージ、LCDパッケージ、その他導電材に用いられる外径1mm以下の球状のプラスチック導電性微粒子を提供する。
【0113】
第三に、外径1mm以下のプラスチック導電性微粒子を提供するために、電気めっきの前、コアビーズの表面をエッチング液を用いて処理し、得られたビーズの低い密度を解決するために、0.1mm〜3.0cmのスティールボールを所定比で混合した後電気めっきする製造方法を提供する。
【0114】
第四に、密閉式6角バレルを電気めっき液に含浸させ、360°に回転するメッシュバレルを6〜10rpmで回転させて電気めっきを行うか、または、めっき液を円滑に循環するために、従来の密閉式6角バレルの一面を開放してめっき液を投入するメッシュバレル構造を採用し、左右200°に回転するメッシュバレルを1〜5rpmで回転させて電気めっきを行う、外径1mm以下の球状のプラスチック導電性微粒子の製造方法を提供する。
【0115】
以上、実施例を挙げて本発明は詳細に説明したが、本発明の範囲内から逸脱しない限り、当業者であれば、本発明に種々の変形及び修正が加えられることは明らかであり、これらの変形及び修正もまた本発明の範囲に属するものであることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【0116】
【図1】本発明のプラスチックコアビーズのエッチングされた表面を示すSEM分析写真である。
【図2】図1のビーズの粒子の拡大図である。
【図3】従来の陰極ダングラー(cathode dangler)に構成されたリード線型陰極線を示す図である。
【図4】本発明の陰極ダングラー(cathode dangler)に構成されたバー型陰極線の形態を示す図である。
【図5】メッシュバレル電気めっき方式の実施例であって、360°に6〜10rpmで回転する電気めっき装置の側面図である。
【図6】前記図5の電気めっき装置の正面図である。
【図7】メッシュバレル電気めっき方式の他の実施例であって、左右200°方向に1〜5rpmで回転する電気めっき装置の側面図である。
【図8】前記図7の電気めっき装置の正面図である。
【図9】本発明の好適な実施例によるSn/3.5Agはんだ層を含むプラスチック導電性微粒子の表面を示すSEM分析写真である。
【図10】図9の微粒子のめっき厚さを示すSEM分析写真である。
【図11】本発明の実施例1によるプラスチックコアビーズの熱重量分析(Thermogravimetric Analysis:TGA)結果を示す図である。
【図12】本発明の比較実施例1によるプラスチックコアビーズのTGA結果を示す図である。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
400〜550kgf/mmの高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズと、
前記ビーズ上に0.1〜10μmの厚さに形成されたニッケルめっき層と、
前記ニッケルめっき層上にSn/Pb、Sn/Ag、Sn、Sn/Cu、Sn/Zn及びSn/Biよりなる群から選ばれたいずれか1種の厚さ1〜100μmのはんだ層と、よりなることを特徴とするプラスチック導電性微粒子。
【請求項2】
前記プラスチック導電性微粒子は、ニッケルめっき層上に0.1〜10μmの銅めっき層がさらに形成されて、ニッケル/銅複合めっき層を有することを特徴とする請求項1に記載のプラスチック導電性微粒子。
【請求項3】
前記プラスチック導電性微粒子は、球状であり、外径が2.5μm〜1mmであることを特徴とする請求項1に記載のプラスチック導電性微粒子。
【請求項4】
前記プラスチックコアビーズは、疎水性に改質された粘土鉱物の層間に重合単量体を介在して重合単量体に置換したナノ粘土複合体を得、懸濁重合法を用いて前記ナノ粘土複合体を均一に分散して得られるものであり、5%熱分解温度が250〜350℃であり、前記温度範囲で硝子転移点または融点が検出されない400〜550kgf/mmの高圧縮弾性を有することを特徴とする請求項1に記載のプラスチック導電性微粒子。
【請求項5】
前記プラスチックコアビーズは、ナノ粘土複合体が均一に分散されたポリスチレン粒子であることを特徴とする請求項1に記載のプラスチック導電性微粒子。
【請求項6】
前記プラスチック導電性微粒子は、
400〜550kgf/mmの高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズと、
前記ビーズ上に0.1〜10μmの厚さに形成されたニッケルめっき層と、
前記ニッケルめっき層上に60乃至70%の錫及び30乃至40%の鉛を含む1〜100μmの厚さに形成されたはんだ層と、よりなることを特徴とする請求項1に記載の外径10μm〜1mmのプラスチック導電性微粒子。
【請求項7】
前記プラスチック導電性微粒子は、
400〜550kgf/mmの高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズと、
前記ビーズ上に0.1〜10μmの厚さに形成されたニッケルめっき層と、
前記ニッケルめっき層上に96乃至97%の錫及び3.0乃至4.0%の銀を含む1〜100μmの厚さに形成されたはんだ層と、よりなることを特徴とする請求項1に記載の外径10μm〜1mmの前記プラスチック導電性微粒子。
【請求項8】
前記プラスチック導電性微粒子は、ニッケルめっき層上に0.1〜10μmの銅めっき層がさらに形成されて、ニッケル/銅複合めっき層を有することを特徴とする請求項6または7に記載のプラスチック導電性微粒子。
【請求項9】
1)ナノ粘土複合体が均一に分散された、高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズを製造するステップと、
2)前記プラスチックコアビーズの表面をエッチング処理するステップと、
3)前記処理されたプラスチックコアビーズの表面に、SnCl含有前処理溶液及びPdCl含有前処理溶液を用いてSn及びPdを吸着させるステップと、
4)前記吸着された表面に、ニッケルめっき液を用いて厚さ0.1〜10μmニッケルめっき層を形成したプラスチックコアビーズを製造するステップと、
5)前記プラスチックコアビーズに対して0.1mm〜3.0cmのスティールボールを1:2乃至1:20の重量比で混合するステップと、
6)前記混合したプラスチックコアビーズに、Sn/Pb、Sn/Ag、Sn、Sn/Cu、Sn/Zn及びSn/Biよりなる群から選ばれたいずれか1種のめっき液を電気めっきしてはんだ層を形成するステップと、からなることを特徴とするプラスチック導電性微粒子の製造方法。
【請求項10】
前記ニッケルめっき層を形成した後、その上に銅めっき液を用いて0.1〜10μmの厚さに形成した銅めっき層をさらに積層するステップをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載のプラスチック導電性微粒子の製造方法。
【請求項11】
前記ステップ2は、前記プラスチックコアビーズを、クロム酸50〜300g/L及び過マンガン酸カリウム10〜100g/Lを主成分として含有するエッチング液に含浸させ、60〜90℃で1〜2時間前記ビーズの表面をエッチング処理することを特徴とする請求項9に記載の前記プラスチック導電性微粒子の製造方法。
【請求項12】
前記ステップ3において、前処理溶液は、塩酸、水及び界面活性剤よりなる組成物にSnClを加えた前処理溶液、及び、前記組成物にPdClを加えた前処理溶液であることを特徴とする請求項9に記載の前記プラスチック導電性微粒子の製造方法。
【請求項13】
前記ステップ4において、ニッケルめっき層は、硫酸ニッケル、酢酸ナトリウム、マレイン酸、還元剤としての亜リン酸ナトリウム、安定剤としてのチオ硫酸ナトリウムと酢酸鉛、及び界面活性剤としてのトリトンX−100よりなるニッケルめっき液を用いて無電解めっきにより形成されることを特徴とする請求項9に記載のプラスチック導電性微粒子の製造方法。
【請求項14】
前記銅めっき層は、硫酸銅、EDTA、2,2−ビピリジン、還元剤としてのホルムアルデヒド、及び界面活性剤としてのPEG−1000よりなる銅めっき液を用いて無電解めっきにより形成されることを特徴とする請求項10に記載のプラスチック導電性微粒子の製造方法。
【請求項15】
前記ステップ6において、はんだ層は、Sn60〜70%/Pb30〜40%、Sn96〜97%/Ag3〜4%、Sn、Sn/Cu0.7〜1.5%、Sn/Zn9%及びSn/Bi3〜4%よりなる群から選ばれたいずれか1種であることを特徴とする請求項9に記載の前記プラスチック導電性微粒子の製造方法。
【請求項16】
前記ステップ6において、はんだ層は、60〜70%の錫及び30乃至40%の鉛を含むSn/Pb合金層であることを特徴とする請求項9に記載のプラスチック導電性微粒子の製造方法。
【請求項17】
前記ステップ6において、はんだ層は、96乃至97%の錫及び3.0乃至4.0%の銀を含むSn/Ag合金層であることを特徴とする請求項9に記載のプラスチック導電性微粒子の製造方法。
【請求項18】
前記ステップ6において、電気めっき工程は、バー型陰極線を有する電気めっき改善用陰極ダングラー(cathode dangler)を用いて、前記ステップ5で得られたプラスチックコアビーズをバレル内部に分散させ、密閉式6角バレルを電気めっき液に含浸させ、360°に回転するメッシュバレルを6〜10rpmで回転させて行うことを特徴とする請求項9に記載のプラスチック導電性微粒子の製造方法。
【請求項19】
前記ステップ6において、電気めっき工程は、バー型陰極線を有する電気めっき改善用陰極ダングラー(cathode dangler)を用いて、前記ステップ5で得られたプラスチックコアビーズをバレル内部に分散させ、密閉式6角バレルの一面を開放し、左右200°に回転するメッシュバレルを1〜5rpmで回転させて行うことを特徴とする請求項9に記載のプラスチック導電性微粒子の製造方法。
【請求項20】
前記バレルに、Sn/Pb、Sn/Ag、Sn、Sn/Cu、Sn/Zn及びSn/Biよりなる群から選ばれたいずれか1種のめっき液を投入することを特徴とする請求項18または19に記載のプラスチック導電性微粒子の製造方法。
【請求項21】
前記ステップ6において、電気めっき工程は、陰極電流密度0.1〜10A/dm、めっき液温度10〜30℃、バレル回転速度1〜10rpm、及び陰極電流密度が1A/dmであるとき、めっき速度0.2〜0.8μm/minで行われることを特徴とする請求項9に記載のプラスチック導電性微粒子の製造方法。

【図1】
image rotate

【図2】
image rotate

【図3】
image rotate

【図4】
image rotate

【図5】
image rotate

【図6】
image rotate

【図7】
image rotate

【図8】
image rotate

【図9】
image rotate

【図10】
image rotate

【図11】
image rotate

【図12】
image rotate


【公表番号】特表2008−525642(P2008−525642A)
【公表日】平成20年7月17日(2008.7.17)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−549257(P2007−549257)
【出願日】平成17年12月28日(2005.12.28)
【国際出願番号】PCT/KR2005/004602
【国際公開番号】WO2006/071072
【国際公開日】平成18年7月6日(2006.7.6)
【出願人】(507222273)ドンブ ハイテク カンパニー リミテッド (2)
【Fターム(参考)】