プラズマ処理装置
【課題】シャワープレート上部に設置された誘電体窓の温度を制御することにより、シャワープレートの温度変動を抑制し、固定時間でのプラズマ加熱によるシーズニングを行うことがを可能にする。
【解決手段】シャワープレートと誘電体窓間に形成された空隙および前記貫通孔を介して処理ガスが供給される真空容器と、前記真空処理容器に高周波エネルギーを供給して、磁界との相互作用によりプラズマを生成するプラズマ生成装置と、真空容器内を目標温度範囲に制御する制御装置を備え、前記制御装置は、処理停止期間中においてプラズマ処理を開始するに際して、予め定めた、シャワープレートを制御範囲の中央Ｔｂから上限Ｔｄまで昇温するに要する時間よりも短い固定時間、プラズマを生成して前記誘電体窓およびシャワープレートを前記制御装置による目標温度制御範囲まで加熱する。
【解決手段】シャワープレートと誘電体窓間に形成された空隙および前記貫通孔を介して処理ガスが供給される真空容器と、前記真空処理容器に高周波エネルギーを供給して、磁界との相互作用によりプラズマを生成するプラズマ生成装置と、真空容器内を目標温度範囲に制御する制御装置を備え、前記制御装置は、処理停止期間中においてプラズマ処理を開始するに際して、予め定めた、シャワープレートを制御範囲の中央Ｔｂから上限Ｔｄまで昇温するに要する時間よりも短い固定時間、プラズマを生成して前記誘電体窓およびシャワープレートを前記制御装置による目標温度制御範囲まで加熱する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置に係り、特に、処理ガスを分散して供給するシャワープレートを備えたプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ処理装置では、試料の処理性能を安定化させるため、試料の処理前に処理室内にＡｒなどのガスを供給してプラズマを所定時間生成する、いわゆるシーズニング（エージング処理）が行われる。この処理では、処理室の壁面をプラズマにより加熱し、処理室の内壁の温度を所定の値としている。
シーズニング処理は、内壁温度が所定値になった時点で終了することが望ましい。このため、この終了のタイミングを検出し、設定することが従来より考えられてきた。例えば、特許文献１には、処理室内壁の温度を直接測定する手段を持たない装置の場合において、装置内壁温度と相関の高いプラズマの発光スペクトルを利用して装置内壁温度を推定し、推定した温度をもとに、シーズニングの終点を検出することが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２１９１９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記処理室内壁のうち、処理室内にガスを供給するために多数の穴を設けたシャワープレートの温度は、シャワープレートが真空中に置かれているため、正確に測定することは困難である。
【０００５】
また、前記従来技術は、処理室内壁にＳｉが使われていると仮定し、プラズマ中のＦと処理室内壁のＳｉとの反応が、内壁温度に依存することを利用し、生成されたプラズマ中のＳｉＦの発光スペクトル量をもとに内壁温度を推定している。しかしながら、プラズマを用いて装置内壁を加熱する場合、装置内壁温度と相関が高い発光量が安定して得られるとは限らない。
【０００６】
例えば、シャワープレートがイットリア製の場合には、前記発光スペクトルを得ることはできない。このため、シーズニングの終点を検出することはできない。また、前記発光が得られたとしても、発光量は経時変化する。このため、シーズニングの終点を正しく推定することは困難である。
【０００７】
本発明は、これらの問題点に鑑みてなされたもので、シーズニング終了後のウエハ処理開始時におけるシャワープレートの温度を安定して調整することのできるプラズマ処理装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記課題を解決するため、次のような手段を採用した。
【０００９】
誘電体窓および複数の貫通孔が形成されたシャワープレートを有し、前記シャワープレートと誘電体窓間に形成された空隙および前記貫通孔を介して処理ガスが供給される真空容器と、前記真空容器内に試料を載置して保持する載置電極と、前記載置電極に高周波バイアス電圧を供給する高周波バイアス電源と、前記真空処理容器内を排気する排気装置と、前記真空処理容器内に磁界を形成する電磁コイルと、前記真空処理容器に高周波エネルギーを供給して、前記磁界との相互作用によりプラズマを生成するプラズマ生成装置と、真空容器内を目標温度範囲に制御する制御装置を備え、
前記制御装置は、処理停止期間中においてプラズマ処理を開始するに際して、予め定めた、シャワープレートを、ウエハ毎の断続するプラズマ処理により実現される温度である温度制御範囲の中央温度Ｔｂから、連続するプラズマ処理により実現される温度である温度制御範囲の上限温度Ｔｄまで昇温するに要する時間よりも短い固定時間、プラズマを生成して前記誘電体窓およびシャワープレートを前記制御装置による目標温度制御範囲まで加熱する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、以上の構成を備えるため、シーズニング終了後のウエハ処理開始時におけるシャワープレートの温度を安定して調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係るプラズマ装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２】図１に示すプラズマ処理装置のシーズニング時におけるシャワープレートの温度変化を示す図である。
【図３】ＴａとＴｂの差ΔＴ＝Ｔｂ−Ｔａに対してｔ１／ｔ２がどのよう変化するかを示す特性図である。
【図４】プラズマエッチング処理方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を添付図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施形態に係るプラズマ装置の構成の概略を示す縦断面図である。図に示すように、上部が開放された真空容器１０１の上部に、真空容器１０１内にエッチングガスを導入するためのシャワープレート１０２（例えば、石英製またはイットリア製）、誘電体窓１０３（例えば、石英製）を設置し、密封することにより処理室１０４が形成される。
【００１３】
真空容器１０１の外部にはヒータ１２２が設置され、該ヒータにはヒータ制御器１２３に接続されている。真空容器１０１には温度センサ１２４が設置され、センサ１２４の信号はヒータ制御器１２３に伝送され、制御器１２３は真空容器１０１内壁が任意の温度になるようにヒータ１２２を制御する。
【００１４】
シャワープレート１０２にはエッチングガスを流すためのガス供給装置１０５が接続される。また、真空容器１０１には真空排気口１０６を介し真空排気装置（図示省略）が接続されている。
【００１５】
プラズマを生成するための電力を処理室１０４に放射するため、誘電体窓１０３の上方には導波管１０７（またはアンテナ）が設けられる。なお、前記導波管１０７には電磁波発生用電源１０９で生成された電磁波が供給される。
【００１６】
電磁波の周波数は特に限定されないが、本実施形態では２．４５ＧＨｚのマイクロ波を使用する。処理室１０４の外周部には、磁場を形成する磁場発生コイル１１０が設けてあり、電磁波発生用電源１０９で生成された電力は、前記形成された磁場との相互作用により、処理室１０４内にプラズマを生成する。
【００１７】
また、シャワープレート１０２に対向して真空容器１０１の下部にはウエハ載置用電極１１１が設けられる。ウエハ載置用電極１１１は電極表面が溶射膜（図示省略）で被覆されており、高周波フィルタ１１５を介して直流電源１１６が接続されている。さらに、ウエハ載置用電源１１１には、マッチング回路１１３を介して高周波電源１１４が接続される。また、ウエハ載置用電極１１１は、冷媒用流路１１７を有し、該冷媒流路は温調器１１８に接続されている。また、ウエハ載置電極は、ヒータ１１９を有し、該ヒータはヒータ制御器１２０に接続されている。またウエハ載置用電極１１１には温度センサ１２１が設置され、その信号はヒータ制御器１２０に伝送され、ウエハ１１２温度を所望の温度になるように制御する。なお、温度制御は、ヒータ１１９出力および冷媒の温度を制御する温調器１１８の設定温度を制御することにより行われる。
【００１８】
処理室１０４内に搬送されたウエハ１１２は、直流電源１１６から印加される直流電圧のによる静電気力でウエハ載置用電極１１１上に吸着されて温度調節される。ガス供給装置１０５により所望のエッチングガスを供給した後、真空容器１０１内を所定の圧力とし、処理室１０４内にプラズマを発生させる。この状態でウエハ載置用電極１１１に接続された高周波電源１１４から高周波電力を印加することにより、プラズマ中のイオンをウエハに引き込み、ウエハ１１２をエッチング処理することができる。
【００１９】
また、誘電体窓１０３の温度制御を行うため、誘電体窓１０３上部の導波管１０７内にに常温のドライエアを導入するガスライン（図示省略）が設けられ、また、前記ドライエアを加熱する温風ヒータ１２６、および誘電体窓１０３の温度をモニタする温度モニタが設けられる。
【００２０】
温風ヒータ１２６は温風ヒータ制御器１２７に接続され、温風ヒータ１２６で加熱されたドライエアはガス導入孔１３４を通して導波路内に導入される。加熱されたドライエアは誘電体窓１０３と接触し、誘電体窓１０３を加熱する。なお、温風ヒータ１２６で加熱することなくドライエアを常温で導入することにより、誘電窓１０３を冷却することもでいる。このため、温風ヒータ１２６をＯＮ−ＯＦＦすることにより、誘電窓１０３を加熱または冷却することが可能となっている。また、導入したドライエアを排出するため、電磁波発生用電源１０９の手前の導波路に導電性のパイプ１２５を配置し、電磁波発生用電源１０９の直前にはドライエアが進入しないように誘電体プレート１３３を設置する。これにより、導入した前記ドライエアをパイプ１２５を通して導波管の外に排出することができる。
【００２１】
エッチングチャンバ内の温度に関しては、真空容器１０１の内壁はヒータ１２４により制御され、ウエハ載置用電極１１１は、ヒータ１１９、温調器１１８により制御されている。しかし、エッチングチャンバ内の表面積としてもうひとつ大きな面積を占めるシャワープレート１０２に関しては、積極的な温度制御は行われておらず、その温度はプラズマからの入熱の影響を強く受けていた。
【００２２】
また、シャワープレート１０２は誘電体窓１０３の直下に同心に配置された平行円板であり、また、シャワープレート１０２と誘電体窓１０３の隙間は、プロセスガスを異常放電を発生させることなく流すために、１ｍｍ以下である。このため、形態係数が０．８１と大きくなることから、実際にプラズマからの入熱がある場合、輻射による熱伝達で数百Ｗ程度の熱のやり取りが行われる。このため、誘電体窓１０３の温度はシャワープレート１０２の温度の強い影響を受ける。
【００２３】
また３００ｍｍ径のウエハを処理するプラズマエッチング処理装置の場合、シャワープレートは他の部位と接触している面積が全表面積の１％以下であるため、ほぼ真空断熱された状態となり、特に誘電体窓の温度の影響を強く受ける。
【００２４】
エッチング処理中のシャワープレート１０２および誘電体窓１０３の温度は、プラズマからの入熱により、ある飽和温度に到達する。誘電体窓１０３の温度を制御していない場合、誘電体窓１０３は大気にさらされているため、誘電体窓１０３の温度は、処理停止期間中には、前記飽和温度から室温程度まで低下する。処理停止期間中のシャワープレート１０２の温度も同様である（室温程度まで低下した誘電体窓１０３との熱伝達により、シャワープレートも誘電体窓１０３と同程度に低下する）。
【００２５】
なお、誘電体窓１０３の温度が、例えば処理停止期間中の最低温度よりも５０℃高い温度に制御されている場合、処理停止期間のシャワープレート１０２の温度も５０℃程度高い温度に調整される。
【００２６】
次に、どのようなプラズマ加熱時間であれば、シャワープレート１０２の温度を測定することなく加熱時間を固定しても、シャワープレートを所定の温度範囲に制御できるかを図２を用いて説明する。
【００２７】
図２は、図１に示すプラズマ処理装置を連続してプラズマを発生させて加熱した場合におけるシャワープレート１０２温度の時間変化を示す図である。プラズマ加熱開始時のシャワープレート１０２の温度は、長期の処理停止によりＴａとなっている。この温度Ｔａは、エッチング処理によるプラズマ加熱のない処理停止期間中にシャワープレート１０２のとる最低温度（この温度は温風ヒータなどにより維持されている）である。
【００２８】
また、処理停止期間中の最高の温度は、エッチング処理を連続して行った場合（ウエハを連続して処理する場合において各枚葉（あるいはロット）のウエハ処理が終了したとき）に到達する各エッチング処理に固有の温度（飽和温度）Ｔｂである。従って、処理停止期間中のシャワープレート１０２の温度は前記最低Ｔａないし前記飽和温度Ｔｂとなる。なお、エッチング処理期間中、シャワープレート１０２の温度は、プラズマからの加熱に伴いエッチング処理毎（レシピ毎）に変動するが、Ｔｂを中心として下限Ｔｃ、上限Ｔｄの範囲内となるように調整されている。
【００２９】
停止状態からエージングのためのプラズマ加熱（連続加熱）を行うと、シャワープレート１０２の温度は、ＴａからＴｃまで上昇する。ＴａからＴｃに上昇するに要するプラズマ加熱時間ｔ１は、処理停止期間中にとりうる一番低い温度から温度制御範囲の下限に達するまでに要する時間であり、また、現在のシャワープレート１０２の温度（Ｔａ以上には温風ヒータより加熱されている）がわからない状態においてプラズマ加熱により温度を制御する場合、必ず加熱しなければならない時間である。すなわち、ｔ１はエージング処理時におけるプラズマ加熱による加熱時間の下限である。
【００３０】
この状態において、さらにプラズマ加熱を続ける（連続加熱する）と、シャワープレート１０２の温度はＴｂを通過し、ついにはＴｄを超える。ＴｂからＴｄに達するまでに要するプラズマ加熱時間ｔ２は、処理停止期間中にとりうる一番高い温度から温度制御範囲の上限に達するまでの時間である。すなわち、シャワープレート１０２の温度がわからない場合において、プラズマ加熱（連続加熱）する場合、これ以上、加熱を続けてはならない時間である。このためｔ２はプラズマ加熱における加熱時間の上限である。
【００３１】
従って、プラズマ加熱時間を固定にするためには、ｔ２ ＞ ｔ１、つまり１ ＞ ｔ１ ／ ｔ２が満たされなければならない。この条件が満たされていれば、シャワープレート１０２の温度がＴａないしＴｂの範囲にある際に、固定時間ｔ１だけプラズマ加熱を行うことにより、温度制御範囲の下限より高く、また、温度制御範囲の上限よりも低い温度に設定することができる。つまり、温度制御範囲内にシャワープレート１０２の温度を設定することができる。
【００３２】
なお、本発明を、エッチング処理装置に適用する際は、予め、温度計をシャワープレートに取り付けてダミー処理を行い、その際にシャワープレート１０２の温度変化を測定することによりｔ１を求め、これをプラズマ加熱の固定時間とするのがよい。
【００３３】
次にどのような条件であれば、１ ＞ ｔ１ ／ ｔ２の条件が満たされるかを、図３を用いて説明する。
【００３４】
図３は、ＴａとＴｂの差ΔＴ＝Ｔｂ−Ｔａに対してｔ１／ｔ２がどのような変化を示すかを数値シミュレーションにより求めた特性図である。エッチング処理に用いるプラズマの熱出力（レシピ）によりＴｂが変動するため、Ｔｂが変動した際に固定時間ｔ１で所定の温度までプラズマ加熱が可能かどうか判断しておくことが必要となる。
【００３５】
数値シミュレーションは、３００ｍｍ径のウエハを処理するエッチング装置を想定し、誘電体窓１０３の厚さを大気圧に耐えられる３０ないし５０ｍｍ、シャワープレート１０２の厚さを１０ｍｍ、また、シャワープレートと誘電体窓は、それぞれ温度が１００℃の時、熱拡散率が７．４２×１０−７ｍ２／ｓとなる直径４５０ｍｍの石英製のものとし、またプラズマ加熱にはＡｒガスのプラズマを用い、プラズマ加熱の際にＡｒガスをシャワープレート１０２と誘電体窓１０３の間の１．０ｍｍの空間に１０００Ｐａで充填し、プラズマ加熱によるシャワープレート１０２のプラズマ側の面への熱流束が１６００Ｗ／ｍ２、また誘電体窓１０３を８０℃一定として制御し、温度制御範囲はＴｂを中心として±５℃の範囲とした条件で計算した。
【００３６】
数値シミュレーションで仮定した、プラズマからシャワープレート１０２への熱流束１６００Ｗ／ｍ２は次のようにして求めた。すなわち、プラズマ加熱は、イオンフラックスや電子フラックスが、プラズマからイオンシースを通ってシャワープレート１０２に入射し、プラズマからエネルギーを運ぶことにより起こる。入射するフラックスはボームフラックスΓｉ［ｍ−２ｓ−１］と呼ばれ、菅井秀郎 編著「プラズマエレクトロニクス」オーム社記載のように、電子密度をｎ［ｍ−３］、電子の電荷をｅ［Ｃ］、電子温度をＴｅ［ｅＶ］、イオンの質量をｍｉ［ｋｇ］とすると、次の式（１）により計算される。
【数１】
【００３７】
ボームフラックスにより運ばれるエネルギーＰ［Ｗ／ｍ２］は、イオンがイオンシースにより加速されることによるエネルギーεｉ［Ｊ］、電子がイオンシースを通り壁に衝突することより失う平均エネルギー２ｅＴｅ［Ｊ］、一つの電子・イオン対を維持するのに必要なエネルギーεｃ［Ｊ］の３つの和に、ボームフラックスをかけた、次の式（２）となる。
【数２】
【００３８】
イオンシースでのイオンへの加速電圧は、シャワープレート１０２のような誘電体の場合、浮遊電位φＦ［Ｖ］となり、電子の質量をｍｅ［ｋｇ］とすると、次の式（３）で計算される。
【数３】
【００３９】
この浮遊電位で、イオンがイオンシースで加速されることによるエネルギーεｉは、εｉ＝ｅφＦ となる。
【００４０】
一般的な電子サイクロトロン共鳴プラズマあるいは誘導結合型プラズマを用いたエッチング処理時の放電時の圧力は０．０５〜１Ｐａである。その際、プラズマ、電子温度が３〜５ｅＶ、電子密度が１０１６ 〜１０１８ｍ−３程度である。
【００４１】
一つの電子・イオン対を維持するのに必要なエネルギーは、Ａｒガスの場合、電子温度３〜５ｅＶのとき、２５〜４０ｅＶ程度となることが知られている。
【００４２】
代表的な場合として、電子温度を３ｅＶ、電子密度を１０１７ｍ−３とし、ボームフラックスによってプラズマよりシャワープレート１０２へ運ばれるエネルギーＰを、Ａｒガスの場合について計算すると、１６００Ｗ／ｍ−２となる。この数値を熱流束と仮定し、数値シミュレーションを行った。
【００４３】
図３より、ΔＴが３０℃以下の場合に１ ＞ ｔ１ ／ ｔ２となり、固定時間のプラズマ加熱を用いたシーズニングにより、シャワープレート１０２の温度を温度制御範囲内とすることができることが分かる。数値シミュレーションで用いた条件を模擬した実験機においては、誘電体窓の温度を、平均的なΔＴが２５℃となるように温風ヒータ制御器１２７を設定した。
【００４４】
また、ΔＴが３０℃よりも大きい場合は、誘電体窓１０３の制御温度を上げることにより、処理停止期間中のシャワープレート１０２の温度低下を抑える。またはシャワープレート１０２の材料をより熱拡散率の大きい材料、例えばイットリア製とし、ΔＴを小さくすればよい。
【００４５】
また、数値シミュレーションにおいては、温度制御範囲はＴｂより上下に同じ温度幅の範囲としたが、必ずしも同じ幅にする必要はない。例えば、プラズマ加熱によるシーズニングの後に、プラズマを用いたクリーニング処理行い、さらにクリーニング処理後に、エッチング処理を開始する場合は、クリーニング処理によるシャワープレート１０２の温度の上昇または低下も考慮にいれて、シーズニング後の温度制御範囲を設定すると良い。
【００４６】
次に図４を用いて、本発明のプラズマエッチング処理方法を説明する。
【００４７】
図４は処理休止後にロット単位でのエッチング連続処理を行う場合の誘電体窓１０３の温度およびシャワープレート１０２の温度変化を示す図である。また図４では、プラズマ加熱は各ロットのエッチング連続処理前に必ず行う場合を示している。
【００４８】
誘電体窓１０３は所定の温度範囲内に制御されている。シャワープレート１０２の温度は、処理休止２０１の間は温度が下降し、温度制御範囲外にある。次に、設定した固定時間プラズマ加熱２０２を行い、シャワープレート１０２を加熱することで、シャワープレート１０２の温度は温度制御範囲内とすることができる。
【００４９】
このため、シャワープレート１０２の温度は温度制御範囲内にある状態で、１ロット目のエッチング連続処理２０３を開始することができる。次に、１ロット目のエッチング連続処理２０３によりシャワープレート１０２の温度は各エッチング処理固有の飽和温度となる。
【００５０】
１ロット目のエッチング連続処理２０３終了後に、設定した固定時間のプラズマ加熱２０４を行ったとしてもシャワープレート１０２の温度は温度制御範囲内である。このため、シャワープレート１０２の温度が温度制御範囲内にある状態で、続けて２ロット目のエッチング処理２０５を開始することができる。
【００５１】
図４においては、各ロット前に必ず、プラズマ加熱を行うとしているが、エッチング処理装置のスループットを向上させるために、ロット間に、処理停止期間がないとみなせる場合には、ロット間のプラズマ加熱を行わなくても良い。
【００５２】
以上説明したように、本実施形態によれば、シャワープレート上部に設置された誘電体窓の温度を制御することにより、シャワープレートの温度変動を抑制し、さらにエッチング処理前に、シャワープレートの温度変動が抑制されることにより固定時間でのプラズマ加熱によるシーズニングを行うことができる。これにより、ウエハ処理開始時に最適なシャワープレートの温度を得ることができる。
【００５３】
また、シャワープレートの温度変動が抑制されることから、シャワープレート温度により変動するシャワープレートとプラズマとの相互作用が安定化され、プラズマ処理性能が安定化するという効果がある
【符号の説明】
【００５４】
１０１ 真空容器
１０２ シャワープレート
１０３ 誘電体窓
１０４ 処理室
１０５ ガス供給装置
１０６ 真空排気口
１０７ 導波管
１０８ 空洞共振器
１０９ 電磁波発生用電源
１１０ 磁場発生コイル
１１１ ウエハ載置用電極
１１２ ウエハ
１１３ マッチング回路
１１４ 高周波電源
１１５ フィルタ
１１６ 静電吸着用直流電源
１１７ 冷媒用流路
１１８ 温調器
１１９ ヒータ
１２０ ヒータ制御器
１２１ 温度センサ
１２２ ヒータ
１２３ ヒータ制御器
１２４ 温度センサ
１２５ パイプ
１２６ 温風ヒータ
１２７ 温風ヒータ制御器
１２８ 赤外線計測型温度モニタ
１２９ 誘電体プレート
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置に係り、特に、処理ガスを分散して供給するシャワープレートを備えたプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ処理装置では、試料の処理性能を安定化させるため、試料の処理前に処理室内にＡｒなどのガスを供給してプラズマを所定時間生成する、いわゆるシーズニング（エージング処理）が行われる。この処理では、処理室の壁面をプラズマにより加熱し、処理室の内壁の温度を所定の値としている。
シーズニング処理は、内壁温度が所定値になった時点で終了することが望ましい。このため、この終了のタイミングを検出し、設定することが従来より考えられてきた。例えば、特許文献１には、処理室内壁の温度を直接測定する手段を持たない装置の場合において、装置内壁温度と相関の高いプラズマの発光スペクトルを利用して装置内壁温度を推定し、推定した温度をもとに、シーズニングの終点を検出することが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２１９１９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記処理室内壁のうち、処理室内にガスを供給するために多数の穴を設けたシャワープレートの温度は、シャワープレートが真空中に置かれているため、正確に測定することは困難である。
【０００５】
また、前記従来技術は、処理室内壁にＳｉが使われていると仮定し、プラズマ中のＦと処理室内壁のＳｉとの反応が、内壁温度に依存することを利用し、生成されたプラズマ中のＳｉＦの発光スペクトル量をもとに内壁温度を推定している。しかしながら、プラズマを用いて装置内壁を加熱する場合、装置内壁温度と相関が高い発光量が安定して得られるとは限らない。
【０００６】
例えば、シャワープレートがイットリア製の場合には、前記発光スペクトルを得ることはできない。このため、シーズニングの終点を検出することはできない。また、前記発光が得られたとしても、発光量は経時変化する。このため、シーズニングの終点を正しく推定することは困難である。
【０００７】
本発明は、これらの問題点に鑑みてなされたもので、シーズニング終了後のウエハ処理開始時におけるシャワープレートの温度を安定して調整することのできるプラズマ処理装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記課題を解決するため、次のような手段を採用した。
【０００９】
誘電体窓および複数の貫通孔が形成されたシャワープレートを有し、前記シャワープレートと誘電体窓間に形成された空隙および前記貫通孔を介して処理ガスが供給される真空容器と、前記真空容器内に試料を載置して保持する載置電極と、前記載置電極に高周波バイアス電圧を供給する高周波バイアス電源と、前記真空処理容器内を排気する排気装置と、前記真空処理容器内に磁界を形成する電磁コイルと、前記真空処理容器に高周波エネルギーを供給して、前記磁界との相互作用によりプラズマを生成するプラズマ生成装置と、真空容器内を目標温度範囲に制御する制御装置を備え、
前記制御装置は、処理停止期間中においてプラズマ処理を開始するに際して、予め定めた、シャワープレートを、ウエハ毎の断続するプラズマ処理により実現される温度である温度制御範囲の中央温度Ｔｂから、連続するプラズマ処理により実現される温度である温度制御範囲の上限温度Ｔｄまで昇温するに要する時間よりも短い固定時間、プラズマを生成して前記誘電体窓およびシャワープレートを前記制御装置による目標温度制御範囲まで加熱する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、以上の構成を備えるため、シーズニング終了後のウエハ処理開始時におけるシャワープレートの温度を安定して調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係るプラズマ装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２】図１に示すプラズマ処理装置のシーズニング時におけるシャワープレートの温度変化を示す図である。
【図３】ＴａとＴｂの差ΔＴ＝Ｔｂ−Ｔａに対してｔ１／ｔ２がどのよう変化するかを示す特性図である。
【図４】プラズマエッチング処理方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を添付図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施形態に係るプラズマ装置の構成の概略を示す縦断面図である。図に示すように、上部が開放された真空容器１０１の上部に、真空容器１０１内にエッチングガスを導入するためのシャワープレート１０２（例えば、石英製またはイットリア製）、誘電体窓１０３（例えば、石英製）を設置し、密封することにより処理室１０４が形成される。
【００１３】
真空容器１０１の外部にはヒータ１２２が設置され、該ヒータにはヒータ制御器１２３に接続されている。真空容器１０１には温度センサ１２４が設置され、センサ１２４の信号はヒータ制御器１２３に伝送され、制御器１２３は真空容器１０１内壁が任意の温度になるようにヒータ１２２を制御する。
【００１４】
シャワープレート１０２にはエッチングガスを流すためのガス供給装置１０５が接続される。また、真空容器１０１には真空排気口１０６を介し真空排気装置（図示省略）が接続されている。
【００１５】
プラズマを生成するための電力を処理室１０４に放射するため、誘電体窓１０３の上方には導波管１０７（またはアンテナ）が設けられる。なお、前記導波管１０７には電磁波発生用電源１０９で生成された電磁波が供給される。
【００１６】
電磁波の周波数は特に限定されないが、本実施形態では２．４５ＧＨｚのマイクロ波を使用する。処理室１０４の外周部には、磁場を形成する磁場発生コイル１１０が設けてあり、電磁波発生用電源１０９で生成された電力は、前記形成された磁場との相互作用により、処理室１０４内にプラズマを生成する。
【００１７】
また、シャワープレート１０２に対向して真空容器１０１の下部にはウエハ載置用電極１１１が設けられる。ウエハ載置用電極１１１は電極表面が溶射膜（図示省略）で被覆されており、高周波フィルタ１１５を介して直流電源１１６が接続されている。さらに、ウエハ載置用電源１１１には、マッチング回路１１３を介して高周波電源１１４が接続される。また、ウエハ載置用電極１１１は、冷媒用流路１１７を有し、該冷媒流路は温調器１１８に接続されている。また、ウエハ載置電極は、ヒータ１１９を有し、該ヒータはヒータ制御器１２０に接続されている。またウエハ載置用電極１１１には温度センサ１２１が設置され、その信号はヒータ制御器１２０に伝送され、ウエハ１１２温度を所望の温度になるように制御する。なお、温度制御は、ヒータ１１９出力および冷媒の温度を制御する温調器１１８の設定温度を制御することにより行われる。
【００１８】
処理室１０４内に搬送されたウエハ１１２は、直流電源１１６から印加される直流電圧のによる静電気力でウエハ載置用電極１１１上に吸着されて温度調節される。ガス供給装置１０５により所望のエッチングガスを供給した後、真空容器１０１内を所定の圧力とし、処理室１０４内にプラズマを発生させる。この状態でウエハ載置用電極１１１に接続された高周波電源１１４から高周波電力を印加することにより、プラズマ中のイオンをウエハに引き込み、ウエハ１１２をエッチング処理することができる。
【００１９】
また、誘電体窓１０３の温度制御を行うため、誘電体窓１０３上部の導波管１０７内にに常温のドライエアを導入するガスライン（図示省略）が設けられ、また、前記ドライエアを加熱する温風ヒータ１２６、および誘電体窓１０３の温度をモニタする温度モニタが設けられる。
【００２０】
温風ヒータ１２６は温風ヒータ制御器１２７に接続され、温風ヒータ１２６で加熱されたドライエアはガス導入孔１３４を通して導波路内に導入される。加熱されたドライエアは誘電体窓１０３と接触し、誘電体窓１０３を加熱する。なお、温風ヒータ１２６で加熱することなくドライエアを常温で導入することにより、誘電窓１０３を冷却することもでいる。このため、温風ヒータ１２６をＯＮ−ＯＦＦすることにより、誘電窓１０３を加熱または冷却することが可能となっている。また、導入したドライエアを排出するため、電磁波発生用電源１０９の手前の導波路に導電性のパイプ１２５を配置し、電磁波発生用電源１０９の直前にはドライエアが進入しないように誘電体プレート１３３を設置する。これにより、導入した前記ドライエアをパイプ１２５を通して導波管の外に排出することができる。
【００２１】
エッチングチャンバ内の温度に関しては、真空容器１０１の内壁はヒータ１２４により制御され、ウエハ載置用電極１１１は、ヒータ１１９、温調器１１８により制御されている。しかし、エッチングチャンバ内の表面積としてもうひとつ大きな面積を占めるシャワープレート１０２に関しては、積極的な温度制御は行われておらず、その温度はプラズマからの入熱の影響を強く受けていた。
【００２２】
また、シャワープレート１０２は誘電体窓１０３の直下に同心に配置された平行円板であり、また、シャワープレート１０２と誘電体窓１０３の隙間は、プロセスガスを異常放電を発生させることなく流すために、１ｍｍ以下である。このため、形態係数が０．８１と大きくなることから、実際にプラズマからの入熱がある場合、輻射による熱伝達で数百Ｗ程度の熱のやり取りが行われる。このため、誘電体窓１０３の温度はシャワープレート１０２の温度の強い影響を受ける。
【００２３】
また３００ｍｍ径のウエハを処理するプラズマエッチング処理装置の場合、シャワープレートは他の部位と接触している面積が全表面積の１％以下であるため、ほぼ真空断熱された状態となり、特に誘電体窓の温度の影響を強く受ける。
【００２４】
エッチング処理中のシャワープレート１０２および誘電体窓１０３の温度は、プラズマからの入熱により、ある飽和温度に到達する。誘電体窓１０３の温度を制御していない場合、誘電体窓１０３は大気にさらされているため、誘電体窓１０３の温度は、処理停止期間中には、前記飽和温度から室温程度まで低下する。処理停止期間中のシャワープレート１０２の温度も同様である（室温程度まで低下した誘電体窓１０３との熱伝達により、シャワープレートも誘電体窓１０３と同程度に低下する）。
【００２５】
なお、誘電体窓１０３の温度が、例えば処理停止期間中の最低温度よりも５０℃高い温度に制御されている場合、処理停止期間のシャワープレート１０２の温度も５０℃程度高い温度に調整される。
【００２６】
次に、どのようなプラズマ加熱時間であれば、シャワープレート１０２の温度を測定することなく加熱時間を固定しても、シャワープレートを所定の温度範囲に制御できるかを図２を用いて説明する。
【００２７】
図２は、図１に示すプラズマ処理装置を連続してプラズマを発生させて加熱した場合におけるシャワープレート１０２温度の時間変化を示す図である。プラズマ加熱開始時のシャワープレート１０２の温度は、長期の処理停止によりＴａとなっている。この温度Ｔａは、エッチング処理によるプラズマ加熱のない処理停止期間中にシャワープレート１０２のとる最低温度（この温度は温風ヒータなどにより維持されている）である。
【００２８】
また、処理停止期間中の最高の温度は、エッチング処理を連続して行った場合（ウエハを連続して処理する場合において各枚葉（あるいはロット）のウエハ処理が終了したとき）に到達する各エッチング処理に固有の温度（飽和温度）Ｔｂである。従って、処理停止期間中のシャワープレート１０２の温度は前記最低Ｔａないし前記飽和温度Ｔｂとなる。なお、エッチング処理期間中、シャワープレート１０２の温度は、プラズマからの加熱に伴いエッチング処理毎（レシピ毎）に変動するが、Ｔｂを中心として下限Ｔｃ、上限Ｔｄの範囲内となるように調整されている。
【００２９】
停止状態からエージングのためのプラズマ加熱（連続加熱）を行うと、シャワープレート１０２の温度は、ＴａからＴｃまで上昇する。ＴａからＴｃに上昇するに要するプラズマ加熱時間ｔ１は、処理停止期間中にとりうる一番低い温度から温度制御範囲の下限に達するまでに要する時間であり、また、現在のシャワープレート１０２の温度（Ｔａ以上には温風ヒータより加熱されている）がわからない状態においてプラズマ加熱により温度を制御する場合、必ず加熱しなければならない時間である。すなわち、ｔ１はエージング処理時におけるプラズマ加熱による加熱時間の下限である。
【００３０】
この状態において、さらにプラズマ加熱を続ける（連続加熱する）と、シャワープレート１０２の温度はＴｂを通過し、ついにはＴｄを超える。ＴｂからＴｄに達するまでに要するプラズマ加熱時間ｔ２は、処理停止期間中にとりうる一番高い温度から温度制御範囲の上限に達するまでの時間である。すなわち、シャワープレート１０２の温度がわからない場合において、プラズマ加熱（連続加熱）する場合、これ以上、加熱を続けてはならない時間である。このためｔ２はプラズマ加熱における加熱時間の上限である。
【００３１】
従って、プラズマ加熱時間を固定にするためには、ｔ２ ＞ ｔ１、つまり１ ＞ ｔ１ ／ ｔ２が満たされなければならない。この条件が満たされていれば、シャワープレート１０２の温度がＴａないしＴｂの範囲にある際に、固定時間ｔ１だけプラズマ加熱を行うことにより、温度制御範囲の下限より高く、また、温度制御範囲の上限よりも低い温度に設定することができる。つまり、温度制御範囲内にシャワープレート１０２の温度を設定することができる。
【００３２】
なお、本発明を、エッチング処理装置に適用する際は、予め、温度計をシャワープレートに取り付けてダミー処理を行い、その際にシャワープレート１０２の温度変化を測定することによりｔ１を求め、これをプラズマ加熱の固定時間とするのがよい。
【００３３】
次にどのような条件であれば、１ ＞ ｔ１ ／ ｔ２の条件が満たされるかを、図３を用いて説明する。
【００３４】
図３は、ＴａとＴｂの差ΔＴ＝Ｔｂ−Ｔａに対してｔ１／ｔ２がどのような変化を示すかを数値シミュレーションにより求めた特性図である。エッチング処理に用いるプラズマの熱出力（レシピ）によりＴｂが変動するため、Ｔｂが変動した際に固定時間ｔ１で所定の温度までプラズマ加熱が可能かどうか判断しておくことが必要となる。
【００３５】
数値シミュレーションは、３００ｍｍ径のウエハを処理するエッチング装置を想定し、誘電体窓１０３の厚さを大気圧に耐えられる３０ないし５０ｍｍ、シャワープレート１０２の厚さを１０ｍｍ、また、シャワープレートと誘電体窓は、それぞれ温度が１００℃の時、熱拡散率が７．４２×１０−７ｍ２／ｓとなる直径４５０ｍｍの石英製のものとし、またプラズマ加熱にはＡｒガスのプラズマを用い、プラズマ加熱の際にＡｒガスをシャワープレート１０２と誘電体窓１０３の間の１．０ｍｍの空間に１０００Ｐａで充填し、プラズマ加熱によるシャワープレート１０２のプラズマ側の面への熱流束が１６００Ｗ／ｍ２、また誘電体窓１０３を８０℃一定として制御し、温度制御範囲はＴｂを中心として±５℃の範囲とした条件で計算した。
【００３６】
数値シミュレーションで仮定した、プラズマからシャワープレート１０２への熱流束１６００Ｗ／ｍ２は次のようにして求めた。すなわち、プラズマ加熱は、イオンフラックスや電子フラックスが、プラズマからイオンシースを通ってシャワープレート１０２に入射し、プラズマからエネルギーを運ぶことにより起こる。入射するフラックスはボームフラックスΓｉ［ｍ−２ｓ−１］と呼ばれ、菅井秀郎 編著「プラズマエレクトロニクス」オーム社記載のように、電子密度をｎ［ｍ−３］、電子の電荷をｅ［Ｃ］、電子温度をＴｅ［ｅＶ］、イオンの質量をｍｉ［ｋｇ］とすると、次の式（１）により計算される。
【数１】
【００３７】
ボームフラックスにより運ばれるエネルギーＰ［Ｗ／ｍ２］は、イオンがイオンシースにより加速されることによるエネルギーεｉ［Ｊ］、電子がイオンシースを通り壁に衝突することより失う平均エネルギー２ｅＴｅ［Ｊ］、一つの電子・イオン対を維持するのに必要なエネルギーεｃ［Ｊ］の３つの和に、ボームフラックスをかけた、次の式（２）となる。
【数２】
【００３８】
イオンシースでのイオンへの加速電圧は、シャワープレート１０２のような誘電体の場合、浮遊電位φＦ［Ｖ］となり、電子の質量をｍｅ［ｋｇ］とすると、次の式（３）で計算される。
【数３】
【００３９】
この浮遊電位で、イオンがイオンシースで加速されることによるエネルギーεｉは、εｉ＝ｅφＦ となる。
【００４０】
一般的な電子サイクロトロン共鳴プラズマあるいは誘導結合型プラズマを用いたエッチング処理時の放電時の圧力は０．０５〜１Ｐａである。その際、プラズマ、電子温度が３〜５ｅＶ、電子密度が１０１６ 〜１０１８ｍ−３程度である。
【００４１】
一つの電子・イオン対を維持するのに必要なエネルギーは、Ａｒガスの場合、電子温度３〜５ｅＶのとき、２５〜４０ｅＶ程度となることが知られている。
【００４２】
代表的な場合として、電子温度を３ｅＶ、電子密度を１０１７ｍ−３とし、ボームフラックスによってプラズマよりシャワープレート１０２へ運ばれるエネルギーＰを、Ａｒガスの場合について計算すると、１６００Ｗ／ｍ−２となる。この数値を熱流束と仮定し、数値シミュレーションを行った。
【００４３】
図３より、ΔＴが３０℃以下の場合に１ ＞ ｔ１ ／ ｔ２となり、固定時間のプラズマ加熱を用いたシーズニングにより、シャワープレート１０２の温度を温度制御範囲内とすることができることが分かる。数値シミュレーションで用いた条件を模擬した実験機においては、誘電体窓の温度を、平均的なΔＴが２５℃となるように温風ヒータ制御器１２７を設定した。
【００４４】
また、ΔＴが３０℃よりも大きい場合は、誘電体窓１０３の制御温度を上げることにより、処理停止期間中のシャワープレート１０２の温度低下を抑える。またはシャワープレート１０２の材料をより熱拡散率の大きい材料、例えばイットリア製とし、ΔＴを小さくすればよい。
【００４５】
また、数値シミュレーションにおいては、温度制御範囲はＴｂより上下に同じ温度幅の範囲としたが、必ずしも同じ幅にする必要はない。例えば、プラズマ加熱によるシーズニングの後に、プラズマを用いたクリーニング処理行い、さらにクリーニング処理後に、エッチング処理を開始する場合は、クリーニング処理によるシャワープレート１０２の温度の上昇または低下も考慮にいれて、シーズニング後の温度制御範囲を設定すると良い。
【００４６】
次に図４を用いて、本発明のプラズマエッチング処理方法を説明する。
【００４７】
図４は処理休止後にロット単位でのエッチング連続処理を行う場合の誘電体窓１０３の温度およびシャワープレート１０２の温度変化を示す図である。また図４では、プラズマ加熱は各ロットのエッチング連続処理前に必ず行う場合を示している。
【００４８】
誘電体窓１０３は所定の温度範囲内に制御されている。シャワープレート１０２の温度は、処理休止２０１の間は温度が下降し、温度制御範囲外にある。次に、設定した固定時間プラズマ加熱２０２を行い、シャワープレート１０２を加熱することで、シャワープレート１０２の温度は温度制御範囲内とすることができる。
【００４９】
このため、シャワープレート１０２の温度は温度制御範囲内にある状態で、１ロット目のエッチング連続処理２０３を開始することができる。次に、１ロット目のエッチング連続処理２０３によりシャワープレート１０２の温度は各エッチング処理固有の飽和温度となる。
【００５０】
１ロット目のエッチング連続処理２０３終了後に、設定した固定時間のプラズマ加熱２０４を行ったとしてもシャワープレート１０２の温度は温度制御範囲内である。このため、シャワープレート１０２の温度が温度制御範囲内にある状態で、続けて２ロット目のエッチング処理２０５を開始することができる。
【００５１】
図４においては、各ロット前に必ず、プラズマ加熱を行うとしているが、エッチング処理装置のスループットを向上させるために、ロット間に、処理停止期間がないとみなせる場合には、ロット間のプラズマ加熱を行わなくても良い。
【００５２】
以上説明したように、本実施形態によれば、シャワープレート上部に設置された誘電体窓の温度を制御することにより、シャワープレートの温度変動を抑制し、さらにエッチング処理前に、シャワープレートの温度変動が抑制されることにより固定時間でのプラズマ加熱によるシーズニングを行うことができる。これにより、ウエハ処理開始時に最適なシャワープレートの温度を得ることができる。
【００５３】
また、シャワープレートの温度変動が抑制されることから、シャワープレート温度により変動するシャワープレートとプラズマとの相互作用が安定化され、プラズマ処理性能が安定化するという効果がある
【符号の説明】
【００５４】
１０１ 真空容器
１０２ シャワープレート
１０３ 誘電体窓
１０４ 処理室
１０５ ガス供給装置
１０６ 真空排気口
１０７ 導波管
１０８ 空洞共振器
１０９ 電磁波発生用電源
１１０ 磁場発生コイル
１１１ ウエハ載置用電極
１１２ ウエハ
１１３ マッチング回路
１１４ 高周波電源
１１５ フィルタ
１１６ 静電吸着用直流電源
１１７ 冷媒用流路
１１８ 温調器
１１９ ヒータ
１２０ ヒータ制御器
１２１ 温度センサ
１２２ ヒータ
１２３ ヒータ制御器
１２４ 温度センサ
１２５ パイプ
１２６ 温風ヒータ
１２７ 温風ヒータ制御器
１２８ 赤外線計測型温度モニタ
１２９ 誘電体プレート
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体窓および複数の貫通孔が形成されたシャワープレートを有し、前記シャワープレートと誘電体窓間に形成された空隙および前記貫通孔を介して処理ガスが供給される真空容器と、前記真空容器内に試料を載置して保持する載置電極と、前記載置電極に高周波バイアス電圧を供給する高周波バイアス電源と、前記真空処理容器内を排気する排気装置と、前記真空処理容器内に磁界を形成する電磁コイルと、前記真空処理容器に高周波エネルギーを供給して、前記磁界との相互作用によりプラズマを生成するプラズマ生成装置と、真空容器内を目標温度範囲に制御する制御装置を備え、
前記制御装置は、処理停止期間中においてプラズマ処理を開始するに際して、予め定めた、シャワープレートを、ウエハ毎の断続するプラズマ処理により実現される温度である温度制御範囲の中央温度Ｔｂから、連続するプラズマ処理により実現される温度である温度制御範囲の上限温度Ｔｄまで昇温するに要する時間よりも短い固定時間、プラズマを生成して前記誘電体窓およびシャワープレートを前記制御装置による目標温度制御範囲まで加熱することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
誘電体窓および複数の貫通孔が形成されたシャワープレートを有し、前記シャワープレートと誘電体窓間に形成された空隙および前記貫通孔を介して処理ガスが供給される真空容器と、前記真空容器内に試料を載置して保持する載置電極と、前記載置電極に高周波バイアス電圧を供給する高周波バイアス電源と、前記真空処理容器内を排気する排気装置と、前記真空処理容器内に磁界を形成する電磁コイルと、前記真空処理容器に高周波エネルギーを供給して、前記磁界との相互作用によりプラズマを生成するプラズマ生成装置と、真空容器内を目標温度範囲に制御する制御装置を備え、
前記制御装置は、プラズマにより、シャワープレートを処理停止期間中における最低温度Ｔａから温度制御範囲の下限Ｔｃまで昇温するに要する時間ｔ１、およびシャワープレートをウエハ毎の断続するプラズマ処理により実現される温度である温度制御範囲の中央温度Ｔｂから、連続するプラズマ処理により実現される温度である温度制御範囲の上限温度Ｔｄまで昇温するに要する時間ｔ２としたとき、ｔ２＞ｔ１となるように前記温度ＴａおよびＴｂを設定した後、プラズマを生成して前記誘電体窓およびシャワープレートを前記制御装置による目標温度制御範囲まで加熱することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１】
誘電体窓および複数の貫通孔が形成されたシャワープレートを有し、前記シャワープレートと誘電体窓間に形成された空隙および前記貫通孔を介して処理ガスが供給される真空容器と、前記真空容器内に試料を載置して保持する載置電極と、前記載置電極に高周波バイアス電圧を供給する高周波バイアス電源と、前記真空処理容器内を排気する排気装置と、前記真空処理容器内に磁界を形成する電磁コイルと、前記真空処理容器に高周波エネルギーを供給して、前記磁界との相互作用によりプラズマを生成するプラズマ生成装置と、真空容器内を目標温度範囲に制御する制御装置を備え、
前記制御装置は、処理停止期間中においてプラズマ処理を開始するに際して、予め定めた、シャワープレートを、ウエハ毎の断続するプラズマ処理により実現される温度である温度制御範囲の中央温度Ｔｂから、連続するプラズマ処理により実現される温度である温度制御範囲の上限温度Ｔｄまで昇温するに要する時間よりも短い固定時間、プラズマを生成して前記誘電体窓およびシャワープレートを前記制御装置による目標温度制御範囲まで加熱することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
誘電体窓および複数の貫通孔が形成されたシャワープレートを有し、前記シャワープレートと誘電体窓間に形成された空隙および前記貫通孔を介して処理ガスが供給される真空容器と、前記真空容器内に試料を載置して保持する載置電極と、前記載置電極に高周波バイアス電圧を供給する高周波バイアス電源と、前記真空処理容器内を排気する排気装置と、前記真空処理容器内に磁界を形成する電磁コイルと、前記真空処理容器に高周波エネルギーを供給して、前記磁界との相互作用によりプラズマを生成するプラズマ生成装置と、真空容器内を目標温度範囲に制御する制御装置を備え、
前記制御装置は、プラズマにより、シャワープレートを処理停止期間中における最低温度Ｔａから温度制御範囲の下限Ｔｃまで昇温するに要する時間ｔ１、およびシャワープレートをウエハ毎の断続するプラズマ処理により実現される温度である温度制御範囲の中央温度Ｔｂから、連続するプラズマ処理により実現される温度である温度制御範囲の上限温度Ｔｄまで昇温するに要する時間ｔ２としたとき、ｔ２＞ｔ１となるように前記温度ＴａおよびＴｂを設定した後、プラズマを生成して前記誘電体窓およびシャワープレートを前記制御装置による目標温度制御範囲まで加熱することを特徴とするプラズマ処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１３−１１５２６８（Ｐ２０１３−１１５２６８Ａ）
【公開日】平成２５年６月１０日（２０１３．６．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２６０７５２（Ｐ２０１１−２６０７５２）
【出願日】平成２３年１１月２９日（２０１１．１１．２９）
【出願人】（５０１３８７８３９）株式会社日立ハイテクノロジーズ (4,325)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月１０日（２０１３．６．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月２９日（２０１１．１１．２９）
【出願人】（５０１３８７８３９）株式会社日立ハイテクノロジーズ (4,325)
【Ｆターム（参考）】
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