プラズマ発生装置および成膜装置
【課題】低電圧で大量の熱電子を放出するプラズマ発生装置および成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置１１では、カソード２に熱電子を放出する筒状体に成形された熱電子放出部４２が複数設けられている。このプラズマ発生装置１１は、カソード２からアノード３に向けてイオン化させた不活性ガスを放出して放電させることにより、カソード２とアノード３との間にプラズマを発生させ、熱電子放出部４２では、その筒内周面４３および筒外周面４４から熱電子を放出する。
【解決手段】プラズマ発生装置１１では、カソード２に熱電子を放出する筒状体に成形された熱電子放出部４２が複数設けられている。このプラズマ発生装置１１は、カソード２からアノード３に向けてイオン化させた不活性ガスを放出して放電させることにより、カソード２とアノード３との間にプラズマを発生させ、熱電子放出部４２では、その筒内周面４３および筒外周面４４から熱電子を放出する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ発生装置および成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
成膜装置として、例えば、プラズマ発生装置により発生させたプラズマビームを用いて基板上に透明導電膜を形成する装置がある。
【０００３】
例えば、透明導電膜を形成する成膜装置として、例えば特許文献１に記載の成膜装置がある。この成膜装置では、カソードからアノードに向けてイオン化された不活性ガスを放出し放電させ、アノードに収容した透明導電膜の材料を昇華させてイオン化させ（蒸発させ）、蒸発させた透明導電膜の材料の粒子を薄膜の形成対象物である基板の表面に付着させて基板に透明導電膜を形成する。
【０００４】
なお、この引用文献１では、カソードが設けられたプラズマ発生源と、アノードが設けられた材料収容部とが別々の構成とされ、それぞれ個別に成膜装置に設けられている。
【特許文献１】特開２００２−３０４２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この特許文献１では、プラズマ発生装置のプラズマ発生源の一部であるカソードに、プラズマビームのもととなるＡｒ等の不活性ガスを真空容器中に導入するための導入孔が形成され、この導入孔の孔内表面に、熱電子を放出する材料であるＭｏが形成されている。
【０００６】
また、この導入孔は、カソードに１つだけ形成されているため、プラズマを発生させるための熱電子の放出領域が一つの導入孔の孔内表面積となる。
【０００７】
そのため、特許文献１では熱電子の放出量に制限があり、カソードに高電圧を印加させて熱電子を放出しており、この特許文献１の開示技術では、低電圧で大量の熱電子を放出することは難しい。
【０００８】
そこで、上記課題を解決するために、本発明は、低電圧で大量の熱電子を放出するプラズマ発生装置および成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するため、本発明にかかるプラズマ発生装置は、カソードからアノードに向けてイオン化させた不活性ガスを放出して放電させることにより、前記カソードと前記アノードとの間にプラズマを発生させるプラズマ発生装置において、前記カソードに熱電子を放出する筒状体に成形された熱電子放出部が複数設けられ、前記熱電子放出部では、その筒内周面および筒外周面から熱電子を放出することを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、前記カソードに前記熱電子放出部が複数設けられ、前記熱電子放出部の筒内周面および筒外周面から熱電子を放出するので、低電圧で大量の熱電子を放出することが可能となる。具体的に、１つの熱電子放出部がカソードとアノードとの間に設けられた従来の形態と比較して数倍から数十倍の熱電子を放出することが可能となり、高い電圧をかけなくても熱電子を放出することが可能となる。また、引用文献１に示すような例と比較しても前記熱電子放出部全体としての熱電子を放出する面積が広いので、効率よく熱電子を放出することが可能となる。
【００１１】
前記構成において、前記熱電子放出部を、抵抗加熱により加熱して熱電子を放出してもよい。
【００１２】
この場合、抵抗加熱より前記熱電子放出部を加熱して熱電子を放出するので、前記熱電子放出部を加熱させるための機構を簡素化することが可能となり、その結果、当該プラズマ発生装置の小型化を図ることが可能となる。
【００１３】
前記構成において、不活性ガスの注入方向に沿って第１の熱電子放出群と第２の熱電子放出群とが配設され、前記第１の熱電子放出群では、不活性ガスの注入方向に沿って複数の前記熱電子放出部が配設され、前記第２の熱電子放出群では、不活性ガスの注入方向およびその直交方向に沿って複数の前記熱電子放出部が配設されてもよい。
【００１４】
この場合、不活性ガスの注入方向に沿って前記アノード側から第１の熱電子放出群と第２の熱電子放出群とが配設され、前記第１の熱電子放出群では、不活性ガスの注入方向に沿って複数の前記熱電子放出部が配設され、前記第２の熱電子放出群では、不活性ガスの注入方向およびその直交方向に沿って複数の前記熱電子放出部が配設されるので、熱電子の放出を効率的に行うことが可能となる。
【００１５】
前記構成において、前記第１の熱電子放出群では、前記熱電子放出部を加熱手段により加熱して熱電子を放出し、前記第２の熱電子放出群では、前記熱電子放出部を前記第１の熱電子放出群で発生させるプラズマにより加熱して熱電子を放出してもよい。
【００１６】
この場合、加熱手段によって不活性ガスの注入方向に沿って配設された複数の前記熱電子放出部を加熱するため、熱電子を放出させるために加熱する領域（空間）を制限することになるが、前記第１の熱電子放出群では不活性ガスの注入方向に沿って複数の前記熱電子放出部が配設されるので、前記加熱手段によって全ての熱電子放出部を加熱させることが可能となる。さらに、不活性ガスの注入方向およびその直交方向に沿って複数の前記熱電子放出部が配設された前記第２の熱電子放出群では、前記第１の熱電子放出群で放出した熱電子により不活性ガスをイオン化させて放電させるプラズマにより前記第２の熱電子放出群の前記熱電子放出部の筒内周面および筒外周面から熱電子を放出するので、前記第２の熱電子放出群では実質加熱手段を用いた加熱は行なっていない。そのため、加熱手段の構成を省いた構成とすることが可能となる。
【００１７】
上記したように、本構成によれば、熱電子を放出させるための加熱対象を第１の熱電子放出群とすることができ、その結果、低電圧で熱電子を放出させることが可能となる。また、前記加熱手段による加熱対象を前記第１の熱電子放出群としているので、当該プラズマ発生装置の小型化に好適である。
【００１８】
また、前記第１の熱電子放出群と前記第２の熱電子放出群とから熱電子を放出するので、例えば特許文献１と比較して熱電子を放出する量を数倍から数十倍とすることが可能となる。
【００１９】
上記の目的を達成するため、本発明にかかる成膜装置は、成膜対象物に成膜材料からなる膜を形成する成膜装置において、上記した本発明にかかるプラズマ発生装置と、成膜材料を収容する収容部とが一体的に設けられたことを特徴とする。
【００２０】
本発明によれば、上記した本発明にかかるプラズマ発生装置と前記収容部とが一体的に設けられるので、少なくとも低電圧で大量の熱電子を放出するという効果を有する。また、上記した本発明にかかるプラズマ発生装置を設けているので、上記した本発明にかかるプラズマ発生装置と同様の作用効果を有する。
【００２１】
さらに、本発明によれば、上記した本発明にかかるプラズマ発生装置を用いるので、装置の小型化を図ることが可能となり、具体的に、引用文献１の構成では配設することができない本発明の構成である前記プラズマ発生装置と前記収容部とを一体的に設けることを実現することが可能となる。
【００２２】
前記構成において、一体的に設けられた前記プラズマ発生装置および前記収容部が、複数設けられてもよい。
【００２３】
この場合、装置の小型化を図ることができるため、引用文献１の構成では配設することができない本発明の構成である一体的に設けられた前記プラズマ発生装置および前記収容部を複数設けることが可能となり、その結果、成膜対象物のサイズを制限しなくてもよい。具体的に、成膜対象物が大型の基板やフィルムであっても、これら大型の基板やフィルムの所望の面に一度に膜を形成することが可能となる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明にかかるプラズマ発生装置および成膜装置によれば、低電圧で大量の熱電子を放出することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施例では、最初に本発明にかかる成膜装置の説明を行う。
【００２６】
本実施例にかかる成膜装置１では、図１〜３に示すように、プラズマＰを発生させるプラズマ発生装置１１と、成膜対象物（下記する図４，５に示すフィルム８１や基板８３など参照）に成膜材料７を収容する収容部１２とが一体的に設けられ、この成膜装置１は図示しない真空容器（図４，５の真空容器９参照）に設けられる。ここでいう成膜材料７として、ＳｉＯ2やＴｉＯ2などが用いられる。そして、成膜装置１は、収容部１２に収容した成膜材料７を、プラズマＰにより加熱昇華させて蒸発させ、成膜対象物に成膜材料７からなる膜を形成するものである。上記したように、プラズマ発生装置１１と収容部１２とが一体的に形成された小型の成膜装置１である。なお、従来の成膜装置として例えば特許文献１に示すような大型の成膜装置の寸法は、約９５０×５５０×５５０ｍｍである。
【００２７】
プラズマ発生装置１１は、カソード２からアノード３に向けてイオン化させた不活性ガスを放出して放電させることにより、カソード２とアノード３との間にプラズマＰを発生させる装置である。
【００２８】
このプラズマ発生装置１１では、カーボンからなるカソード２を設けたプラズマガン４と、アノード３とから構成され、Ａｒ，Ｈ2などの不活性ガス（ガス注入方向Ｘ方向）がカソード２の後端側の不活性ガス供給管４１から供給される。
【００２９】
プラズマガン４では、図２に示すように、カソード２に熱電子を放出する熱電子放出部４２が１０個設けられている。熱電子放出部４２は、ＬａＢ6からなり中空円筒状体に成形されて、その筒内周面４３および筒外周面４４から熱電子を放出する。
【００３０】
また、プラズマガン４における熱電子放出部４２の配設領域として第１の熱電子放出群４６と第２の熱電子放出群４７とが構成され、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿ってアノード３側から第１の熱電子放出群４６と第２の熱電子放出群４７とが配設されている。
【００３１】
第１の熱電子放出群４６は、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿って４個の熱電子放出部４２が並んで配設され、４つの熱電子放出部４２が同心状に配されこれらの筒内部が連続して挿通状態となる。なお、これら４つの熱電子放出部４２の筒内部４５には、加熱手段となる抵抗加熱部４８が設けられ、熱電子放出部４２は抵抗加熱部４８による抵抗加熱により加熱して４つの熱電子放出部４２の筒内周面４３から熱電子を放出する。
【００３２】
第１の熱電子放出群４６の不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）下流には、第２の熱電子放出群４７が設けられ、この第２の熱電子放出群４７では、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）およびその直交方向に沿って６つの熱電子放出部４２が配設されている。具体的に、３つの熱電子放出部４２が等間隔に不活性ガスの直交方向に配されるとともに、これら３つの熱電子放出部が不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に２列配されている。この第２の熱電子放出群４７では、第１の熱電子放出群４６で放出した熱電子により不活性ガスをイオン化させて放電させるプラズマＰにより第２の熱電子放出群４７の６つの熱電子放出部４２の筒内周面４３および筒外周面４４から熱電子を放出する。
【００３３】
上記した構成からなるプラズマガン４の不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）下流には、プラズマＰの流れを制御するため（具体的にプラズマＰを収束するため）のカソード側コイル５１とカソード側永久磁石５２が設けられている。
【００３４】
また、アノード３は、カーボンあるいはグラファイトからなり、成膜材料７を収容する収容部１２が設けられている。具体的に、カソード２とアノード３の間であって、アノードの直近に隣接して収容部１２が設けられている。また、収容部１２の外周に沿ってアノード側コイル６１と、リング状のアノード側永久磁石６２とが設けられている。
【００３５】
次に、上記した本実施例のプラズマ発生装置１１を用いたプラズマＣＶＤの工程について説明する。
【００３６】
電源Ｅにより電流を抵抗加熱部４８に印加して抵抗加熱部４８による抵抗加熱を行う。抵抗加熱を行うことで、第１の熱電子放出群４６の４つの熱電子放出部４２が加熱される。これにより、４つの熱電子放出部４２の筒内周面４３から熱電子が放出される。
【００３７】
一方、不活性ガス供給管４１から供給された不活性ガスが第１の熱電子放出群４６の４つの熱電子放出部４２の筒内周面４３に導入され、熱電子により不活性ガスがイオン化され、イオン化された不活性ガスが４つの熱電子放出部４２の筒内周面４３の不活性ガスの注入方向下流（出口）から第２の熱電子放出群４７に向かって放出される。なお、この放出により、イオン化は促進され、プラズマが形成される。このプラズマは低い圧力、すなわち１０-4〜１０-3Ｔｏｒｒ（１．３３３×１０-1〜１．３３３×１０-2Ｐａ）オーダーの真空雰囲気とされ、この雰囲気中での放電が可能となる。
【００３８】
そして、第２の熱電子放出群４７では、第１の熱電子放出群４６より放電させたプラズマにより６つの熱電子放出部４２が加熱され、これら６つの熱電子放出部４２の筒内周面４３および筒外周面４４から熱電子が不活性ガスの注入方向下流（出口）からアノード３に向かって放出される。
【００３９】
プラズマガン４から放出されたプラズマＰは、カソード側コイル５１とカソード側永久磁石５２により収束され、収束されたプラズマＰは、図１に示すようにアノード３直近のアノード側コイル６１とアノード側永久磁石６２によりアノード３に導かれる。
【００４０】
そして、アノード３の直近に隣接して設けられた収容部１２では、収容された成膜材料７が、プラズマにより昇華してイオン化し（蒸発し）、蒸発した成膜材料７を成膜対象物に付着させて成膜対象物の表面に薄膜が形成される。
【００４１】
上記したように、本実施例にかかるプラズマ発生装置１１によれば、カソード２に熱電子放出部４２が複数設けられ、熱電子放出部４２の筒内周面４３および筒外周面４４から熱電子を放出するので、低電圧で大量の熱電子を放出することができる。
【００４２】
具体的に、１つの熱電子放出部４２がカソード２に設けられた従来の形態と比較して数倍から数十倍の熱電子を放出することができ、高い電圧をかけなくても熱電子を放出することができる。また、引用文献１に示すような例と比較しても熱電子放出部４２全体としての熱電子を放出する面積が広いので、効率よく熱電子を放出することができる。
【００４３】
また、抵抗加熱部４８による抵抗加熱より熱電子放出部４２（具体的に第１の熱電子放出群４６）を加熱して熱電子を放出するので、熱電子放出部４２を加熱させるための機構を簡素化することができ、その結果、当該プラズマ発生装置１１の小型化を図ることができる。
【００４４】
また、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿ってアノード３側から第１の熱電子放出群４６と第２の熱電子放出群４７とが配設され、第１の熱電子放出群４６は、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿って複数の熱電子放出部４２が配設され、第２の熱電子放出群４７は、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）およびその直交方向に沿って複数の熱電子放出部４２が配設されるので、熱電子の放出を効率的に行うことができる。
【００４５】
また、加熱手段（抵抗加熱）によって不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿って配設された複数の熱電子放出部４２を加熱するため、熱電子を放出させるために加熱する領域（空間）を制限すること（抵抗加熱部４８近傍）になるが、第１の熱電子放出群４６では不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿って複数の熱電子放出部４２が配設されるので、加熱手段（抵抗加熱）によって全ての熱電子放出部４２を加熱させることができる。さらに、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）およびその直交方向に沿って複数の熱電子放出部４２が配設された第２の熱電子放出群４７では、第１の熱電子放出群４６で放出した熱電子により不活性ガスをイオン化させて放電させるプラズマＰにより第２の熱電子放出群４７の熱電子放出部４２の筒内周面４３および筒外周面４４から熱電子を放出するので、第２の熱電子放出群４７では実質加熱手段を用いた加熱は行なっていない。そのため、加熱手段の構成を省いた構成とすることができる。このように、本構成によれば、熱電子を放出させるための加熱対象を第１の熱電子放出群４６とすることができ、その結果、低電圧で熱電子を放出させることができる。また、加熱手段による加熱対象を第１の熱電子放出群４６としているので、当該プラズマ発生装置１１の小型化に好適である。
【００４６】
また、第１の熱電子放出群４６と第２の熱電子放出群４７とから熱電子を放出するので、例えば特許文献１と比較して熱電子を放出する量を数倍から数十倍とすることができる。
【００４７】
また、本実施例にかかる成膜装置１によれば、上記した本実施例にかかるプラズマ発生装置１１と収容部１２とが一体的に設けられるので、少なくとも低電圧で大量の熱電子を放出するという効果を有する。また、上記した本実施例にかかるプラズマ発生装置１１を設けているので、上記した本実施例にかかるプラズマ発生装置１１と同様の作用効果を有する。
【００４８】
さらに、本実施例にかかる成膜装置１によれば、上記した本実施例にかかるプラズマ発生装置１１を用いるので、装置の小型化を図ることができ、具体的に、引用文献１の構成では配設することができない本発明の構成であるプラズマ発生装置１１と収容部１２とを一体的に設けることを実現することができる。
【００４９】
次に、上記したプラズマ発生装置１１と収容部１２とが一体的に形成された成膜装置１を用いた成膜対象物への実施例を図４，５を用いて以下に示す。なお、図４に示す形態では成膜対象物としてＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）などからなるフィルム８１を用い、図５に示す形態では成膜対象物としてガラスなどからなる基板８３を用いる。
【００５０】
図４に示す実施例では、上記したプラズマ発生装置１１と収容部１２とが一体的に形成された成膜装置１を縦方向に３列並べて真空容器９に設けている。また、この実施例では、成膜対象物であるフィルム８１の両面８２に同時に膜形成を行うためにフィルム８１の両面８２に対応させて縦方向に３列並べた成膜装置１を対向させて配している。
【００５１】
この図４に示す実施例によれば、上記したように成膜装置１の小型化を図ることができるため、引用文献１の構成では配設することができない本発明の構成である一体的に設けられたプラズマ発生装置１１および収容部１２を複数設けることができる。その結果、成膜対象物（この実施例ではフィルム８１）のサイズを制限しなくてもよい。具体的に、成膜対象物が大型の基板やフィルムであっても、これら大型の基板やフィルムの所望の面に一度に膜を形成することができる。
【００５２】
なお、図４では、プラズマ発生装置１１と収容部１２とが一体的に形成された成膜装置１が縦方向に３列並べて真空容器９に設けているが、成膜装置１の数はこれに限定されるものではなく、複数並べていればよい。また、成膜装置１を縦方向にのみ複数並べることに限定されるものではなく、縦横方向に複数並べてもよい。
【００５３】
また、図５に示す実施例では、上記したプラズマ発生装置１１と収容部１２とが一体的に形成された成膜装置１を１つ真空容器９に設けている。また、この図５に示す実施例では、成膜対象物として基板８３を用いている。
【００５４】
この図５に示す実施例では、基板８３の片面８４（一表面）に薄膜を形成することができる。
【００５５】
なお、上記した実施例では、加熱手段として抵抗加熱を適用しているが、これは装置の小型化に好適な例である。そのため、加熱手段として誘導加熱であってもよい。
【００５６】
また、上記した実施例のカソード２は、中空円筒状体の導電性材料としてＬａＢ6を用いたが、これは好適な例である。そのため、例えばＷ、Ｔａなどを用いてもよい。
【００５７】
また、上記した実施例にかかる第１の熱電子放出群４６では、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿って４個の熱電子放出部４２が並んで配設されているが、熱電子放出部４２の個数はこれに限定されるものではなく、個数は任意に設定してもよい。また、本実施例にかかる不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿って４個の熱電子放出部４２と同じ長さを有する一つの熱電子放出部であってもよい。
【００５８】
また、上記した実施例にかかる第１の熱電子放出群４６では、熱電子放出部４２の筒内周面４３のみから熱電子を放出させる構成としているが、これに限定されるものではなく、熱電子放出部４２の筒外周面と筒内周面４３から熱電子を放出する構成としてもよい。
【００５９】
また、上記した実施例にかかる第２の熱電子放出群４７では、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）およびその直交方向に沿って６つの熱電子放出部４２が配設されているが、熱電子放出部４２の個数はこれに限定されるものではなく、個数は任意に設定してもよい。また、本実施例にかかる不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿った２個の熱電子放出部４２と同じ長さを有する３つの熱電子放出部を、等間隔に不活性ガスの直交方向に配されてもよい。また、３つの熱電子放出部４２が等間隔に不活性ガスの直交方向に配される構成に限定されるものではなく、これは好適な例である。そのため、複数個の熱電子放出部が配されてもよい。
【００６０】
上記したことから、第１の熱電子放出群４６と第２の熱電子放出群４７とにおける熱電子放出部４２の個数は任意に設定し、その寸法も任意に設定した場合でもあってもよい。
【００６１】
なお、本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、任意の成膜対象物への膜形成を行う装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】図１は、本実施例にかかる成膜装置およびプラズマ発生装置の概略構成図である。
【図２】図２は、図１に示すプラズマ発生装置の熱電子放出部の概略構成図である。
【図３】図３は、図２に示すＡ−Ａ線端面図である。
【図４】図４は、本実施例にかかる複数のプラズマ発生装置および収容部とが一体的に設けられた成膜装置および真空容器の概略構成図である。
【図５】図５は、本実施例にかかる１つのプラズマ発生装置および収容部とが一体的に設けられた成膜装置および真空容器の概略構成図である。
【符号の説明】
【００６４】
１成膜装置
１１ プラズマ発生装置
１２ 収容部
２ カソード
３ アノード
４２ 熱電子放出部
４３ 熱電子放出部の筒内周面
４４ 熱電子放出部の筒外周面
４６ 第１の熱電子放出群
４７ 第２の熱電子放出群
４８ 抵抗加熱部
７成膜材料
８１ フィルム
８２ フィルムの両面
８３ 基板
８４ 基板の片面
Ｐ プラズマ
Ｘ ガス注入方向
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ発生装置および成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
成膜装置として、例えば、プラズマ発生装置により発生させたプラズマビームを用いて基板上に透明導電膜を形成する装置がある。
【０００３】
例えば、透明導電膜を形成する成膜装置として、例えば特許文献１に記載の成膜装置がある。この成膜装置では、カソードからアノードに向けてイオン化された不活性ガスを放出し放電させ、アノードに収容した透明導電膜の材料を昇華させてイオン化させ（蒸発させ）、蒸発させた透明導電膜の材料の粒子を薄膜の形成対象物である基板の表面に付着させて基板に透明導電膜を形成する。
【０００４】
なお、この引用文献１では、カソードが設けられたプラズマ発生源と、アノードが設けられた材料収容部とが別々の構成とされ、それぞれ個別に成膜装置に設けられている。
【特許文献１】特開２００２−３０４２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この特許文献１では、プラズマ発生装置のプラズマ発生源の一部であるカソードに、プラズマビームのもととなるＡｒ等の不活性ガスを真空容器中に導入するための導入孔が形成され、この導入孔の孔内表面に、熱電子を放出する材料であるＭｏが形成されている。
【０００６】
また、この導入孔は、カソードに１つだけ形成されているため、プラズマを発生させるための熱電子の放出領域が一つの導入孔の孔内表面積となる。
【０００７】
そのため、特許文献１では熱電子の放出量に制限があり、カソードに高電圧を印加させて熱電子を放出しており、この特許文献１の開示技術では、低電圧で大量の熱電子を放出することは難しい。
【０００８】
そこで、上記課題を解決するために、本発明は、低電圧で大量の熱電子を放出するプラズマ発生装置および成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するため、本発明にかかるプラズマ発生装置は、カソードからアノードに向けてイオン化させた不活性ガスを放出して放電させることにより、前記カソードと前記アノードとの間にプラズマを発生させるプラズマ発生装置において、前記カソードに熱電子を放出する筒状体に成形された熱電子放出部が複数設けられ、前記熱電子放出部では、その筒内周面および筒外周面から熱電子を放出することを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、前記カソードに前記熱電子放出部が複数設けられ、前記熱電子放出部の筒内周面および筒外周面から熱電子を放出するので、低電圧で大量の熱電子を放出することが可能となる。具体的に、１つの熱電子放出部がカソードとアノードとの間に設けられた従来の形態と比較して数倍から数十倍の熱電子を放出することが可能となり、高い電圧をかけなくても熱電子を放出することが可能となる。また、引用文献１に示すような例と比較しても前記熱電子放出部全体としての熱電子を放出する面積が広いので、効率よく熱電子を放出することが可能となる。
【００１１】
前記構成において、前記熱電子放出部を、抵抗加熱により加熱して熱電子を放出してもよい。
【００１２】
この場合、抵抗加熱より前記熱電子放出部を加熱して熱電子を放出するので、前記熱電子放出部を加熱させるための機構を簡素化することが可能となり、その結果、当該プラズマ発生装置の小型化を図ることが可能となる。
【００１３】
前記構成において、不活性ガスの注入方向に沿って第１の熱電子放出群と第２の熱電子放出群とが配設され、前記第１の熱電子放出群では、不活性ガスの注入方向に沿って複数の前記熱電子放出部が配設され、前記第２の熱電子放出群では、不活性ガスの注入方向およびその直交方向に沿って複数の前記熱電子放出部が配設されてもよい。
【００１４】
この場合、不活性ガスの注入方向に沿って前記アノード側から第１の熱電子放出群と第２の熱電子放出群とが配設され、前記第１の熱電子放出群では、不活性ガスの注入方向に沿って複数の前記熱電子放出部が配設され、前記第２の熱電子放出群では、不活性ガスの注入方向およびその直交方向に沿って複数の前記熱電子放出部が配設されるので、熱電子の放出を効率的に行うことが可能となる。
【００１５】
前記構成において、前記第１の熱電子放出群では、前記熱電子放出部を加熱手段により加熱して熱電子を放出し、前記第２の熱電子放出群では、前記熱電子放出部を前記第１の熱電子放出群で発生させるプラズマにより加熱して熱電子を放出してもよい。
【００１６】
この場合、加熱手段によって不活性ガスの注入方向に沿って配設された複数の前記熱電子放出部を加熱するため、熱電子を放出させるために加熱する領域（空間）を制限することになるが、前記第１の熱電子放出群では不活性ガスの注入方向に沿って複数の前記熱電子放出部が配設されるので、前記加熱手段によって全ての熱電子放出部を加熱させることが可能となる。さらに、不活性ガスの注入方向およびその直交方向に沿って複数の前記熱電子放出部が配設された前記第２の熱電子放出群では、前記第１の熱電子放出群で放出した熱電子により不活性ガスをイオン化させて放電させるプラズマにより前記第２の熱電子放出群の前記熱電子放出部の筒内周面および筒外周面から熱電子を放出するので、前記第２の熱電子放出群では実質加熱手段を用いた加熱は行なっていない。そのため、加熱手段の構成を省いた構成とすることが可能となる。
【００１７】
上記したように、本構成によれば、熱電子を放出させるための加熱対象を第１の熱電子放出群とすることができ、その結果、低電圧で熱電子を放出させることが可能となる。また、前記加熱手段による加熱対象を前記第１の熱電子放出群としているので、当該プラズマ発生装置の小型化に好適である。
【００１８】
また、前記第１の熱電子放出群と前記第２の熱電子放出群とから熱電子を放出するので、例えば特許文献１と比較して熱電子を放出する量を数倍から数十倍とすることが可能となる。
【００１９】
上記の目的を達成するため、本発明にかかる成膜装置は、成膜対象物に成膜材料からなる膜を形成する成膜装置において、上記した本発明にかかるプラズマ発生装置と、成膜材料を収容する収容部とが一体的に設けられたことを特徴とする。
【００２０】
本発明によれば、上記した本発明にかかるプラズマ発生装置と前記収容部とが一体的に設けられるので、少なくとも低電圧で大量の熱電子を放出するという効果を有する。また、上記した本発明にかかるプラズマ発生装置を設けているので、上記した本発明にかかるプラズマ発生装置と同様の作用効果を有する。
【００２１】
さらに、本発明によれば、上記した本発明にかかるプラズマ発生装置を用いるので、装置の小型化を図ることが可能となり、具体的に、引用文献１の構成では配設することができない本発明の構成である前記プラズマ発生装置と前記収容部とを一体的に設けることを実現することが可能となる。
【００２２】
前記構成において、一体的に設けられた前記プラズマ発生装置および前記収容部が、複数設けられてもよい。
【００２３】
この場合、装置の小型化を図ることができるため、引用文献１の構成では配設することができない本発明の構成である一体的に設けられた前記プラズマ発生装置および前記収容部を複数設けることが可能となり、その結果、成膜対象物のサイズを制限しなくてもよい。具体的に、成膜対象物が大型の基板やフィルムであっても、これら大型の基板やフィルムの所望の面に一度に膜を形成することが可能となる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明にかかるプラズマ発生装置および成膜装置によれば、低電圧で大量の熱電子を放出することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施例では、最初に本発明にかかる成膜装置の説明を行う。
【００２６】
本実施例にかかる成膜装置１では、図１〜３に示すように、プラズマＰを発生させるプラズマ発生装置１１と、成膜対象物（下記する図４，５に示すフィルム８１や基板８３など参照）に成膜材料７を収容する収容部１２とが一体的に設けられ、この成膜装置１は図示しない真空容器（図４，５の真空容器９参照）に設けられる。ここでいう成膜材料７として、ＳｉＯ2やＴｉＯ2などが用いられる。そして、成膜装置１は、収容部１２に収容した成膜材料７を、プラズマＰにより加熱昇華させて蒸発させ、成膜対象物に成膜材料７からなる膜を形成するものである。上記したように、プラズマ発生装置１１と収容部１２とが一体的に形成された小型の成膜装置１である。なお、従来の成膜装置として例えば特許文献１に示すような大型の成膜装置の寸法は、約９５０×５５０×５５０ｍｍである。
【００２７】
プラズマ発生装置１１は、カソード２からアノード３に向けてイオン化させた不活性ガスを放出して放電させることにより、カソード２とアノード３との間にプラズマＰを発生させる装置である。
【００２８】
このプラズマ発生装置１１では、カーボンからなるカソード２を設けたプラズマガン４と、アノード３とから構成され、Ａｒ，Ｈ2などの不活性ガス（ガス注入方向Ｘ方向）がカソード２の後端側の不活性ガス供給管４１から供給される。
【００２９】
プラズマガン４では、図２に示すように、カソード２に熱電子を放出する熱電子放出部４２が１０個設けられている。熱電子放出部４２は、ＬａＢ6からなり中空円筒状体に成形されて、その筒内周面４３および筒外周面４４から熱電子を放出する。
【００３０】
また、プラズマガン４における熱電子放出部４２の配設領域として第１の熱電子放出群４６と第２の熱電子放出群４７とが構成され、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿ってアノード３側から第１の熱電子放出群４６と第２の熱電子放出群４７とが配設されている。
【００３１】
第１の熱電子放出群４６は、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿って４個の熱電子放出部４２が並んで配設され、４つの熱電子放出部４２が同心状に配されこれらの筒内部が連続して挿通状態となる。なお、これら４つの熱電子放出部４２の筒内部４５には、加熱手段となる抵抗加熱部４８が設けられ、熱電子放出部４２は抵抗加熱部４８による抵抗加熱により加熱して４つの熱電子放出部４２の筒内周面４３から熱電子を放出する。
【００３２】
第１の熱電子放出群４６の不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）下流には、第２の熱電子放出群４７が設けられ、この第２の熱電子放出群４７では、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）およびその直交方向に沿って６つの熱電子放出部４２が配設されている。具体的に、３つの熱電子放出部４２が等間隔に不活性ガスの直交方向に配されるとともに、これら３つの熱電子放出部が不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に２列配されている。この第２の熱電子放出群４７では、第１の熱電子放出群４６で放出した熱電子により不活性ガスをイオン化させて放電させるプラズマＰにより第２の熱電子放出群４７の６つの熱電子放出部４２の筒内周面４３および筒外周面４４から熱電子を放出する。
【００３３】
上記した構成からなるプラズマガン４の不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）下流には、プラズマＰの流れを制御するため（具体的にプラズマＰを収束するため）のカソード側コイル５１とカソード側永久磁石５２が設けられている。
【００３４】
また、アノード３は、カーボンあるいはグラファイトからなり、成膜材料７を収容する収容部１２が設けられている。具体的に、カソード２とアノード３の間であって、アノードの直近に隣接して収容部１２が設けられている。また、収容部１２の外周に沿ってアノード側コイル６１と、リング状のアノード側永久磁石６２とが設けられている。
【００３５】
次に、上記した本実施例のプラズマ発生装置１１を用いたプラズマＣＶＤの工程について説明する。
【００３６】
電源Ｅにより電流を抵抗加熱部４８に印加して抵抗加熱部４８による抵抗加熱を行う。抵抗加熱を行うことで、第１の熱電子放出群４６の４つの熱電子放出部４２が加熱される。これにより、４つの熱電子放出部４２の筒内周面４３から熱電子が放出される。
【００３７】
一方、不活性ガス供給管４１から供給された不活性ガスが第１の熱電子放出群４６の４つの熱電子放出部４２の筒内周面４３に導入され、熱電子により不活性ガスがイオン化され、イオン化された不活性ガスが４つの熱電子放出部４２の筒内周面４３の不活性ガスの注入方向下流（出口）から第２の熱電子放出群４７に向かって放出される。なお、この放出により、イオン化は促進され、プラズマが形成される。このプラズマは低い圧力、すなわち１０-4〜１０-3Ｔｏｒｒ（１．３３３×１０-1〜１．３３３×１０-2Ｐａ）オーダーの真空雰囲気とされ、この雰囲気中での放電が可能となる。
【００３８】
そして、第２の熱電子放出群４７では、第１の熱電子放出群４６より放電させたプラズマにより６つの熱電子放出部４２が加熱され、これら６つの熱電子放出部４２の筒内周面４３および筒外周面４４から熱電子が不活性ガスの注入方向下流（出口）からアノード３に向かって放出される。
【００３９】
プラズマガン４から放出されたプラズマＰは、カソード側コイル５１とカソード側永久磁石５２により収束され、収束されたプラズマＰは、図１に示すようにアノード３直近のアノード側コイル６１とアノード側永久磁石６２によりアノード３に導かれる。
【００４０】
そして、アノード３の直近に隣接して設けられた収容部１２では、収容された成膜材料７が、プラズマにより昇華してイオン化し（蒸発し）、蒸発した成膜材料７を成膜対象物に付着させて成膜対象物の表面に薄膜が形成される。
【００４１】
上記したように、本実施例にかかるプラズマ発生装置１１によれば、カソード２に熱電子放出部４２が複数設けられ、熱電子放出部４２の筒内周面４３および筒外周面４４から熱電子を放出するので、低電圧で大量の熱電子を放出することができる。
【００４２】
具体的に、１つの熱電子放出部４２がカソード２に設けられた従来の形態と比較して数倍から数十倍の熱電子を放出することができ、高い電圧をかけなくても熱電子を放出することができる。また、引用文献１に示すような例と比較しても熱電子放出部４２全体としての熱電子を放出する面積が広いので、効率よく熱電子を放出することができる。
【００４３】
また、抵抗加熱部４８による抵抗加熱より熱電子放出部４２（具体的に第１の熱電子放出群４６）を加熱して熱電子を放出するので、熱電子放出部４２を加熱させるための機構を簡素化することができ、その結果、当該プラズマ発生装置１１の小型化を図ることができる。
【００４４】
また、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿ってアノード３側から第１の熱電子放出群４６と第２の熱電子放出群４７とが配設され、第１の熱電子放出群４６は、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿って複数の熱電子放出部４２が配設され、第２の熱電子放出群４７は、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）およびその直交方向に沿って複数の熱電子放出部４２が配設されるので、熱電子の放出を効率的に行うことができる。
【００４５】
また、加熱手段（抵抗加熱）によって不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿って配設された複数の熱電子放出部４２を加熱するため、熱電子を放出させるために加熱する領域（空間）を制限すること（抵抗加熱部４８近傍）になるが、第１の熱電子放出群４６では不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿って複数の熱電子放出部４２が配設されるので、加熱手段（抵抗加熱）によって全ての熱電子放出部４２を加熱させることができる。さらに、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）およびその直交方向に沿って複数の熱電子放出部４２が配設された第２の熱電子放出群４７では、第１の熱電子放出群４６で放出した熱電子により不活性ガスをイオン化させて放電させるプラズマＰにより第２の熱電子放出群４７の熱電子放出部４２の筒内周面４３および筒外周面４４から熱電子を放出するので、第２の熱電子放出群４７では実質加熱手段を用いた加熱は行なっていない。そのため、加熱手段の構成を省いた構成とすることができる。このように、本構成によれば、熱電子を放出させるための加熱対象を第１の熱電子放出群４６とすることができ、その結果、低電圧で熱電子を放出させることができる。また、加熱手段による加熱対象を第１の熱電子放出群４６としているので、当該プラズマ発生装置１１の小型化に好適である。
【００４６】
また、第１の熱電子放出群４６と第２の熱電子放出群４７とから熱電子を放出するので、例えば特許文献１と比較して熱電子を放出する量を数倍から数十倍とすることができる。
【００４７】
また、本実施例にかかる成膜装置１によれば、上記した本実施例にかかるプラズマ発生装置１１と収容部１２とが一体的に設けられるので、少なくとも低電圧で大量の熱電子を放出するという効果を有する。また、上記した本実施例にかかるプラズマ発生装置１１を設けているので、上記した本実施例にかかるプラズマ発生装置１１と同様の作用効果を有する。
【００４８】
さらに、本実施例にかかる成膜装置１によれば、上記した本実施例にかかるプラズマ発生装置１１を用いるので、装置の小型化を図ることができ、具体的に、引用文献１の構成では配設することができない本発明の構成であるプラズマ発生装置１１と収容部１２とを一体的に設けることを実現することができる。
【００４９】
次に、上記したプラズマ発生装置１１と収容部１２とが一体的に形成された成膜装置１を用いた成膜対象物への実施例を図４，５を用いて以下に示す。なお、図４に示す形態では成膜対象物としてＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）などからなるフィルム８１を用い、図５に示す形態では成膜対象物としてガラスなどからなる基板８３を用いる。
【００５０】
図４に示す実施例では、上記したプラズマ発生装置１１と収容部１２とが一体的に形成された成膜装置１を縦方向に３列並べて真空容器９に設けている。また、この実施例では、成膜対象物であるフィルム８１の両面８２に同時に膜形成を行うためにフィルム８１の両面８２に対応させて縦方向に３列並べた成膜装置１を対向させて配している。
【００５１】
この図４に示す実施例によれば、上記したように成膜装置１の小型化を図ることができるため、引用文献１の構成では配設することができない本発明の構成である一体的に設けられたプラズマ発生装置１１および収容部１２を複数設けることができる。その結果、成膜対象物（この実施例ではフィルム８１）のサイズを制限しなくてもよい。具体的に、成膜対象物が大型の基板やフィルムであっても、これら大型の基板やフィルムの所望の面に一度に膜を形成することができる。
【００５２】
なお、図４では、プラズマ発生装置１１と収容部１２とが一体的に形成された成膜装置１が縦方向に３列並べて真空容器９に設けているが、成膜装置１の数はこれに限定されるものではなく、複数並べていればよい。また、成膜装置１を縦方向にのみ複数並べることに限定されるものではなく、縦横方向に複数並べてもよい。
【００５３】
また、図５に示す実施例では、上記したプラズマ発生装置１１と収容部１２とが一体的に形成された成膜装置１を１つ真空容器９に設けている。また、この図５に示す実施例では、成膜対象物として基板８３を用いている。
【００５４】
この図５に示す実施例では、基板８３の片面８４（一表面）に薄膜を形成することができる。
【００５５】
なお、上記した実施例では、加熱手段として抵抗加熱を適用しているが、これは装置の小型化に好適な例である。そのため、加熱手段として誘導加熱であってもよい。
【００５６】
また、上記した実施例のカソード２は、中空円筒状体の導電性材料としてＬａＢ6を用いたが、これは好適な例である。そのため、例えばＷ、Ｔａなどを用いてもよい。
【００５７】
また、上記した実施例にかかる第１の熱電子放出群４６では、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿って４個の熱電子放出部４２が並んで配設されているが、熱電子放出部４２の個数はこれに限定されるものではなく、個数は任意に設定してもよい。また、本実施例にかかる不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿って４個の熱電子放出部４２と同じ長さを有する一つの熱電子放出部であってもよい。
【００５８】
また、上記した実施例にかかる第１の熱電子放出群４６では、熱電子放出部４２の筒内周面４３のみから熱電子を放出させる構成としているが、これに限定されるものではなく、熱電子放出部４２の筒外周面と筒内周面４３から熱電子を放出する構成としてもよい。
【００５９】
また、上記した実施例にかかる第２の熱電子放出群４７では、不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）およびその直交方向に沿って６つの熱電子放出部４２が配設されているが、熱電子放出部４２の個数はこれに限定されるものではなく、個数は任意に設定してもよい。また、本実施例にかかる不活性ガスの注入方向（Ｘ方向）に沿った２個の熱電子放出部４２と同じ長さを有する３つの熱電子放出部を、等間隔に不活性ガスの直交方向に配されてもよい。また、３つの熱電子放出部４２が等間隔に不活性ガスの直交方向に配される構成に限定されるものではなく、これは好適な例である。そのため、複数個の熱電子放出部が配されてもよい。
【００６０】
上記したことから、第１の熱電子放出群４６と第２の熱電子放出群４７とにおける熱電子放出部４２の個数は任意に設定し、その寸法も任意に設定した場合でもあってもよい。
【００６１】
なお、本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、任意の成膜対象物への膜形成を行う装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】図１は、本実施例にかかる成膜装置およびプラズマ発生装置の概略構成図である。
【図２】図２は、図１に示すプラズマ発生装置の熱電子放出部の概略構成図である。
【図３】図３は、図２に示すＡ−Ａ線端面図である。
【図４】図４は、本実施例にかかる複数のプラズマ発生装置および収容部とが一体的に設けられた成膜装置および真空容器の概略構成図である。
【図５】図５は、本実施例にかかる１つのプラズマ発生装置および収容部とが一体的に設けられた成膜装置および真空容器の概略構成図である。
【符号の説明】
【００６４】
１成膜装置
１１ プラズマ発生装置
１２ 収容部
２ カソード
３ アノード
４２ 熱電子放出部
４３ 熱電子放出部の筒内周面
４４ 熱電子放出部の筒外周面
４６ 第１の熱電子放出群
４７ 第２の熱電子放出群
４８ 抵抗加熱部
７成膜材料
８１ フィルム
８２ フィルムの両面
８３ 基板
８４ 基板の片面
Ｐ プラズマ
Ｘ ガス注入方向
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソードからアノードに向けてイオン化させた不活性ガスを放出して放電させることにより、前記カソードと前記アノードとの間にプラズマを発生させるプラズマ発生装置において、
前記カソードに熱電子を放出する筒状体に成形された熱電子放出部が複数設けられ、
前記熱電子放出部では、その筒内周面および筒外周面から熱電子を放出することを特徴とするプラズマ発生装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ発生装置において、
前記熱電子放出部を、抵抗加熱により加熱して熱電子を放出することを特徴とするプラズマ発生装置
【請求項３】
請求項１に記載のプラズマ発生装置において、
不活性ガスの注入方向に沿って第１の熱電子放出群と第２の熱電子放出群とが配設され、
前記第１の熱電子放出群では、不活性ガスの注入方向に沿って複数の前記熱電子放出部が配設され、
前記第２の熱電子放出群では、不活性ガスの注入方向およびその直交方向に沿って複数の前記熱電子放出部が配設されたことを特徴とするプラズマ発生装置
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマ発生装置において、
前記第１の熱電子放出群では、前記熱電子放出部を加熱手段により加熱して熱電子を放出し、
前記第２の熱電子放出群では、前記熱電子放出部を前記第１の熱電子放出群で発生させるプラズマにより加熱して熱電子を放出することを特徴とするプラズマ発生装置
【請求項５】
成膜対象物に成膜材料からなる膜を形成する成膜装置において、
請求項１乃至４のうちいずれか１つに記載のプラズマ発生装置と、成膜材料を収容する収容部とが一体的に設けられたことを特徴とする成膜装置。
【請求項６】
請求項５に記載の成膜装置において、
一体的に設けられた前記プラズマ発生装置および前記収容部が、複数設けられたことを特徴とする成膜装置。
【請求項１】
カソードからアノードに向けてイオン化させた不活性ガスを放出して放電させることにより、前記カソードと前記アノードとの間にプラズマを発生させるプラズマ発生装置において、
前記カソードに熱電子を放出する筒状体に成形された熱電子放出部が複数設けられ、
前記熱電子放出部では、その筒内周面および筒外周面から熱電子を放出することを特徴とするプラズマ発生装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ発生装置において、
前記熱電子放出部を、抵抗加熱により加熱して熱電子を放出することを特徴とするプラズマ発生装置
【請求項３】
請求項１に記載のプラズマ発生装置において、
不活性ガスの注入方向に沿って第１の熱電子放出群と第２の熱電子放出群とが配設され、
前記第１の熱電子放出群では、不活性ガスの注入方向に沿って複数の前記熱電子放出部が配設され、
前記第２の熱電子放出群では、不活性ガスの注入方向およびその直交方向に沿って複数の前記熱電子放出部が配設されたことを特徴とするプラズマ発生装置
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマ発生装置において、
前記第１の熱電子放出群では、前記熱電子放出部を加熱手段により加熱して熱電子を放出し、
前記第２の熱電子放出群では、前記熱電子放出部を前記第１の熱電子放出群で発生させるプラズマにより加熱して熱電子を放出することを特徴とするプラズマ発生装置
【請求項５】
成膜対象物に成膜材料からなる膜を形成する成膜装置において、
請求項１乃至４のうちいずれか１つに記載のプラズマ発生装置と、成膜材料を収容する収容部とが一体的に設けられたことを特徴とする成膜装置。
【請求項６】
請求項５に記載の成膜装置において、
一体的に設けられた前記プラズマ発生装置および前記収容部が、複数設けられたことを特徴とする成膜装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１０−１３７０１（Ｐ２０１０−１３７０１Ａ）
【公開日】平成２２年１月２１日（２０１０．１．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１７４７８８（Ｐ２００８−１７４７８８）
【出願日】平成２０年７月３日（２００８．７．３）
【出願人】（３９１００６４２９）三容真空工業株式会社 (13)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１月２１日（２０１０．１．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年７月３日（２００８．７．３）
【出願人】（３９１００６４２９）三容真空工業株式会社 (13)
【Ｆターム（参考）】
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