プラズマ酸化方法及びプラズマ酸化装置
【課題】基板温度が低温の場合でも酸化レートを高速化して、低温での酸化を可能とするとともに、厚膜酸化を可能とするプラズマ酸化方法および装置を提供する。
【解決手段】酸素を含むプロセスガスで酸素含有プラズマを生成し、ステージ１８上に設置された基板１６に対して、トランス結合バイアス電源からバイアス電圧を印加し、前記基板１６のバイアス電位の最大値Ｖｍａｘ及び最小値Ｖｍｉｎが、プラズマ電位Ｖｐに対して、Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ＜Ｖｍａｘの関係を満たすように前記バイアス電位を制御することによって前記酸素含有プラズマ中の正イオンと負イオンとを前記基板１６に照射するプラズマ処理装置１０により前記基板１６をプラズマ酸化する。
【解決手段】酸素を含むプロセスガスで酸素含有プラズマを生成し、ステージ１８上に設置された基板１６に対して、トランス結合バイアス電源からバイアス電圧を印加し、前記基板１６のバイアス電位の最大値Ｖｍａｘ及び最小値Ｖｍｉｎが、プラズマ電位Ｖｐに対して、Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ＜Ｖｍａｘの関係を満たすように前記バイアス電位を制御することによって前記酸素含有プラズマ中の正イオンと負イオンとを前記基板１６に照射するプラズマ処理装置１０により前記基板１６をプラズマ酸化する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ酸化方法及びプラズマ酸化装置に係り、特に、半導体プロセスに用いられるシリコン基板に酸素プラズマを照射してシリコンを酸化させてシリコン酸化膜を形成するプラズマ酸化方法及びプラズマ酸化装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程において、例えばシリコン基板を酸化して表面にシリコン酸化膜を形成するプロセスは重要である。シリコンの酸化方法としては、熱酸化法が代表的であるが、処理温度が１０００℃と高温であり、シリコン基板中の不純物が拡散するという問題がある。そこで、従来より、プラズマ酸化によるシリコン酸化方法が提案されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、ＭＯＳ特性を発現する極薄シリコン酸化膜を室温で生成することを目的として、シリコン基板に正または負バイアス電圧を印加して、シリコン基板を室温に保持してシリコン基板表面をプラズマ酸化するようにしたシリコン酸化膜製造方法が開示されている。
【０００４】
また、特許文献２には、シリコン基板のようなシリコン系被処理物を１０００℃より低い温度で異方性の酸化を実行することを目的として、シリコン系被処理物を酸素ラジカルを含むプラズマに曝すと共に、基板に直流電圧を印加することにより異方性の酸化を行うようにしたシリコン系被処理物の酸化処理方法が開示されている。
【０００５】
また、特許文献３には、基板表面を窒化処理又は酸化処理する際、処理膜を厚く均一に、かつ低温で安価に形成することを目的として、プラズマ生成とは独立に基板に入射するイオンのエネルギーを制御することができる変形マグネトロン型プラズマ処理装置を用い、処理室内に酸素元素を含むガスを供給し、酸素元素を含むガスを筒状電極に高周波電力を供給することにより得られる高周波電界と、磁力線形成手段より得られる磁界とによりプラズマ放電させ、被処理体を酸化して酸化膜を形成する半導体装置の製造方法が開示されている。
【０００６】
また、特許文献４には、集積回路の更なる高密度化・微細化に対応可能なシリコン酸化膜を形成することを目的として、シリコン基板に酸化膜を形成する際、酸素を含むプラズマを発生し、発生したプラズマ中の酸素負イオンをシリコン基板に照射するようにしたシリコン基板の酸化膜形成装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−１２１４４８号公報
【特許文献２】特開２００５−２９４５５１号公報
【特許文献３】特開２００４−４７９５０号公報
【特許文献４】特開２００２−２８０３６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、プラズマ酸化によるシリコン酸化方法では、４００℃以下の低温での実施例は少なく、さらに４００℃以下の低温で実施した時の酸化レートも低く、酸化膜厚を厚くすることができないという問題があった。また、正イオンや負イオンを用いたプラズマ酸化方法では、正イオン負イオンの一方を用いた場合には、チャージアップの発生により、酸化レートが低下したり、厚膜酸化が困難である等の問題があった。
【０００９】
例えば、上記特許文献１に記載のものにおいては、半導体などの極薄酸化の場合には酸化レートが低いことで膜厚制御が可能であり、生産性も問題とはならない。しかしながら、シリコン基板に正バイアスを印加した場合には負イオンが主に基板に到達し、また負バイアスを印加した場合には正イオンが到達する。このように、正負どちらか一方を印加する方法、すなわち直流バイアスを印加する方法では、チャージアップが発生し、酸化膜を厚く形成することが困難となり、さらに酸化レートも低いため生産性が悪いという問題がある。
【００１０】
また、上記特許文献２に記載のものにおいては、凸形状の上面と底面を酸化させ、かつ側面は酸化させないように、イオンを用いることで異方性の酸化を実現している。しかしながら、基板に直流電圧を印加した場合には、正負イオンの一方が引き込まれるためチャージアップが発生するという問題がある。さらに、チャージアップの影響により、厚い酸化膜の形成が困難となると同時に酸化レートが低い、生産性が悪いという問題がある。
【００１１】
また、上記特許文献３に記載のものにおいては、基板の電位を可変インピーダンスで制御し、イオンのエネルギーを制御することにより酸化を行っている。しかしながら、基板電位を可変インピーダンスで制御する場合、自己バイアス電圧Ｖｄｃの値を正電位に制御することができず、またピーク−ピーク間電圧Ｖｐｐの値を制御すると同時にＶｄｃの値も変化してしまい、ＶｄｃとＶｐｐを個別に制御できないため、酸化条件の範囲に制約が存在し、その結果、酸化膜の厚膜化や酸化レートの向上も困難となるという問題がある。
【００１２】
また、上記特許文献４に記載のものにおいては、基板に負イオンを照射することで酸化を行っており、またトランス結合でＲＦ（高周波）とＤＣ（直流）を印加することで負イオンを照射している。しかしながら、負イオンのみを用いた場合は、チャージアップの発生により厚膜化が困難となったり、酸化レートが低下するという問題がある。また、酸化時のピーク−ピーク間電圧Ｖｐｐ、自己バイアス電圧Ｖｄｃが高過ぎると、ステージ近傍でプラズマが形成されるため、低ダメージの酸化が困難となる。また、上記特許文献４においては、バイアス印加周波数４００ｋＨｚ、１ＭＨｚを用いており、低周波の場合は、酸化膜がコンデンサとなり、バイアス印加されにくいので、酸化膜厚を厚く形成する際、バイアス印加の効果が得にくいため、厚膜化が困難となる。
【００１３】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、基板温度が低温の場合でも酸化レートを向上させて、低温での酸化を可能とするとともに、厚膜酸化を可能とするプラズマ酸化方法及びプラズマ酸化装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、酸素を含むプロセスガスで酸素含有プラズマを生成し、ステージ上に設置された基板に対してバイアス電圧を印加し、前記基板のバイアス電位の最大値Ｖｍａｘ及び最小値Ｖｍｉｎが、プラズマ電位Ｖｐに対して、Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ＜Ｖｍａｘ を満たすように前記バイアス電位を制御することにより、前記酸素含有プラズマ中の正イオンと負イオンとを前記基板に照射して、前記基板をプラズマ酸化することを特徴とするプラズマ酸化方法を提供する。
【００１５】
このように、ＶｍａｘをＶｐより大きな値に制御した基板バイアス電圧を印加することで、プラズマ中の負イオンを効率良く基板に引き込むことが可能となり、反応性が向上する。その結果、プラズマ酸化レートの向上、膜質の向上、低温での成膜が可能となる。また、ＶｍｉｎをＶｐより小としたため、チャージアップによる酸化レートの低下を抑制することが可能となる。従って、基板温度が低温の場合でも、酸化レートを向上させて、低温での基板の酸化を可能とするとともに、厚い酸化膜の形成が可能となる。
【００１６】
例えば、基板温度が４００℃のように低温の場合でも、シリコン基板やシリコン基板上に形成されたトレンチを高速に酸化してシリコン酸化膜を形成するとともに厚膜酸化も可能となる。
【００１７】
また、請求項２に示すように、前記基板に対して印加されるバイアス電圧は、前記ステージに対して設置された高周波印加手段によって制御されることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項３に示すように、前記高周波印加手段は、トランス結合方式で高周波電圧及び直流電圧を印加することを特徴とする。
【００１９】
これにより、基板バイアス電圧のピーク−ピーク間電圧Ｖｐｐ及び自己バイアス電圧Ｖｄｃを独立して制御することが可能となる。
【００２０】
また、請求項４に示すように、前記基板をプラズマ酸化する際の浮遊電位が０［Ｖ］以上である領域に前記ステージを位置させることを特徴とする。
【００２１】
これにより、ステージに設置された基板上にたくさんの負イオンが存在するようにできる。
【００２２】
また、請求項５に示すように、前記基板のバイアス電位の最大値Ｖｍａｘが、プラズマ電位Ｖｐと
Ｖｍａｘ＜Ｖｐ＋３０［Ｖ］ の関係を満たすことを特徴とする。
【００２３】
これにより、プラズマ中の負イオンを効率良く基板に引き込むことが可能となり、プラズマ酸化レートの向上、膜質の向上、低温での成膜が可能となる。
【００２４】
また、請求項６に示すように、前記基板の温度が２００℃以下の時は、前記基板のバイアス電位の最小値Ｖｍｉｎが、プラズマ電位Ｖｐと
Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ−５［Ｖ］ の関係を満たすことを特徴とする。
【００２５】
これにより、チャージアップにより酸化レートの低下を抑制することが可能となる。
【００２６】
また、請求項７に示すように、前記プラズマ酸化によって酸化される基板は、シリコンまたはアルミニウムであることを特徴とする。
【００２７】
また、同様に前記目的を達成するために、請求項８に記載の発明は、酸素含有プラズマを生成するプラズマ生成部と、基板を設置するステージと、前記ステージ上の基板に対してバイアス電圧を印加する高周波印加手段と、を備え、前記基板にバイアス電圧を印加した状態で、前記基板をプラズマ酸化するプラズマ酸化装置であって、前記基板に印加するバイアス電位の最大値Ｖｍａｘ及び最小値Ｖｍｉｎが、プラズマ電位Ｖｐに対して、Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ＜Ｖｍａｘ を満たすように前記バイアス電位を制御することにより、前記酸素含有プラズマ中の正イオンと負イオンとを前記基板に照射して、前記基板をプラズマ酸化することを特徴とするプラズマ酸化装置を提供する。
【００２８】
このように、ＶｍａｘをＶｐより大きな値に制御した基板バイアス電圧を印加することで、プラズマ中の負イオンを効率良く基板に引き込むことが可能となり、反応性が向上する。その結果、プラズマ酸化レートの向上、膜質の向上、低温での成膜が可能となる。また、ＶｍｉｎをＶｐより小としたため、チャージアップによる酸化レートの低下を抑制することが可能となる。従って、基板温度が低温の場合でも、酸化レートを向上させて、低温での基板の酸化を可能とするとともに、厚い酸化膜の形成が可能となる。
【００２９】
また、請求項９に示すように、前記高周波印加手段は、トランス結合方式で高周波電圧及び直流電圧を印加することを特徴とする。
【００３０】
これにより、基板バイアス電圧のピーク−ピーク間電圧Ｖｐｐ及び自己バイアス電圧Ｖｄｃを独立して制御することが可能となる。
【００３１】
また、請求項１０に示すように、前記基板をプラズマ酸化する際の浮遊電位が０［Ｖ］以上である領域に前記ステージを位置させることを特徴とする。
【００３２】
これにより、ステージに設置された基板上にたくさんの負イオンが存在するようにできる。
【００３３】
また、請求項１１に示すように、前記基板のバイアス電位の最大値Ｖｍａｘが、プラズマ電位Ｖｐと
Ｖｍａｘ＜Ｖｐ＋３０［Ｖ］ の関係を満たすことを特徴とする。
【００３４】
これにより、プラズマ中の負イオンを効率良く基板に引き込むことが可能となり、プラズマ酸化レートの向上、膜質の向上、低温での成膜が可能となる。
【００３５】
また、請求項１２に示すように、前記基板の温度が２００℃以下の時は、前記基板のバイアス電位の最小値Ｖｍｉｎが、プラズマ電位Ｖｐと
Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ−５［Ｖ］ の関係を満たすことを特徴とする。
【００３６】
これにより、チャージアップにより酸化レートの低下を抑制することが可能となる。
【発明の効果】
【００３７】
以上説明したように、本発明によれば、ＶｍａｘをＶｐより大きな値に制御した基板バイアス電圧を印加することから、プラズマ中の負イオンを効率良く基板に引き込むことが可能となり、反応性が向上し、プラズマ酸化レートの向上、及び膜質の向上、さらに低温での成膜が可能となる。また、ＶｍｉｎがＶｐより小としたため、チャージアップによる酸化レートの低下を抑制することが可能となる。従って、基板温度が低温の場合でも、酸化レートを向上させて、低温での酸化を可能とするとともに、厚膜酸化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマ酸化装置の構成を示す断面図である。
【図２】ステージ上の基板に印加される基板バイアスの電圧波形の一例を示すグラフである。
【図３】誘電体窓からの距離ＺにおけるフローティングポテンシャルＶｆの測定結果を示すグラフである。
【図４】誘電体窓からの距離ＺにおけるプラズマポテンシャルＶｐを測定した結果を示すグラフである。
【図５】基板温度４００℃の場合に、各Ｖｐｐ、Ｖｄｃに対する酸化膜厚の測定結果を示すグラフである。
【図６】Ｖｐｐ及びＶｄｃの値をＶｍａｘ及びＶｍｉｎの値に変換して図５の酸化膜厚の測定結果を示すグラフであり、（ａ）、（ｂ）は、横軸をＶｍｉｎ、縦軸を酸化膜厚とし、（ｃ）は、横軸をＶｍａｘとして縦軸を酸化膜厚としたものである。
【図７】基板温度２００℃の場合に、各Ｖｐｐ、Ｖｄｃに対する酸化膜厚の測定結果を示すグラフである。
【図８】Ｖｐｐ及びＶｄｃの値をＶｍａｘ及びＶｍｉｎの値に変換して図７の酸化膜厚の測定結果を示すグラフであり、（ａ）、（ｂ）は、横軸をＶｍａｘ、縦軸を酸化膜厚として、各Ｖｍｉｎの値に対するデータを表示したものであり、（ｃ）は、横軸をＶｍｉｎとして縦軸を酸化膜厚としたものである。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下、添付図面を参照して、本発明に係るプラズマ酸化方法及びプラズマ酸化装置について詳細に説明する。
【００４０】
図１は、本発明の一実施形態に係るプラズマ酸化装置の構成を示す断面図である。
【００４１】
図１に示すように、このプラズマ酸化装置１０は、真空チャンバー１２（真空容器）を備え、真空チャンバー１２の上部にはプロセスガス導入部１４があり、ここからプラズマ生成用のプロセスガスが導入される。なお、図示を省略したが、プロセスガス導入部１４には、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）が配置されており、プロセスガスの流量を制御して真空チャンバー１２内へ供給するようになっている。
【００４２】
また、真空チャンバー１２には、排気用ポンプ（図示省略）を備えた排気部１１及び図示を省略した圧力調整機構が接続されており、これらによって、プラズマ酸化処理に用いられるガス流量と処理圧力が調整されるようになっている。
【００４３】
また、真空チャンバー１２内の底部には、被処理材としての基板１６を固定するためのステージ１８が設置されている。ステージ１８には、ステージ温度を制御するためのヒータ（図示省略）が内蔵されており、温調部２０によってステージ温度が制御可能に構成されている。なお、被処理材としての基板１６としては、例えば、シリコンやアルミニウムなどが対象とされるが、これに限定されるものではない。
【００４４】
また、ステージ１８には、基板１６に印加する基板バイアス電圧を制御するため、高周波印加手段として、トランス結合方式のマッチングボックス５０を介して高周波電源５２（バイアス用高周波電源）と直流電源５４（バイアス用直流電源）とが直列に設置されている。
【００４５】
図１に示すように、トランス５６のコア５７に巻かれた一次側巻線に高周波電源５２が接続され、二次側巻線に抵抗器５８を介して直流電源５４が接続される。このような構成により、ステージ１８上の基板１６には、高周波電源５２及び直流電源５４からトランス５６を介して高周波電圧と直流電圧とが重畳された基板バイアス電圧が印加されるようになっている。
【００４６】
また、真空チャンバー１２の上面には、誘電体窓（マイクロ波導入窓）２２を介して、マイクロ波発生源（図示省略）に接続されたマイクロ波導入部２４が設置されている。マイクロ波発生源は、例えばマグネトロンからなり、２．４５［ＧＨｚ］のマイクロ波を発生する。マイクロ波の周波数は、０．８〜２０［ＧＨｚ］の範囲から選択すればよい。
【００４７】
マイクロ波は、モード変換器（図示省略）によりＴＭ、ＴＥモードなどに変換されて、同じく図示を省略した導波管を伝搬するようになっている。また、図示を省略するが、マイクロ波導波経路には、アイソレータやインピーダンス整合器などが設けられている。
【００４８】
アイソレータは、反射されたマイクロ波がマイクロ波発生源に戻ることを防止し、そのような反射を吸収するものである。
【００４９】
また、インピーダンス整合器は、マイクロ波発生源から負荷に供給される進行波と負荷により反射されてマイクロ波発生源に戻ろうとする反射波のそれぞれの強度と位相を検知するパワーメーターを有し、マイクロ波発生源と負荷側とのマッチングをとる機能を果たすものであり、スタブチューナ等から構成される。
【００５０】
なお、プロセスガスとしては、酸素を含むガス、例えば、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、Ｎ２Ｏなどを用いる。また、プロセスガスとして、Ａｒ、Ｎ２、Ｈｅ、Ｋｒ、Ｘｅなどの不活性ガスと酸素含有ガスとの混合ガスを用いても良い。真空チャンバー１２内にプロセスガスが所定流量で供給され、真空チャンバー１２内の圧力を調整するための圧力調整機構（図示省略）により圧力が調整される。また、図示を省略するが、圧力調整機構の後段にはターボポンプ、ドライポンプなどの真空排気機構が設けられている。
【００５１】
また、誘電体窓２２は、マイクロ波発生源（図示省略）から供給されるマイクロ波を真空チャンバー１２内に透過するとともに真空チャンバー１２の隔壁として機能する。誘電体窓２２は、例えば石英、アルミナ、窒化アルミナなどを用いれば良い。
【００５２】
また、基板１６は、ステージ１８に固定され、真空チャンバー１２内に収納されて設置される。なお、図示を省略するが、基板１６を固定するためのクランプ機構や静電チャック機構により基板１６をステージ１８に固定することで、ステージ温度を基板１６に効率的に伝えることができる。
【００５３】
温調部２０は、ステージ１８内に内蔵されたヒータを介してステージ温度を制御する。ステージ温度は２００〜４００［℃］となるように制御される。ステージ温度を２００［℃］以下に制御する場合には、ステージ１８内にヒータと温調液を通す流路が内蔵されるとともに、温調液の温度を制御するチラーが接続されてステージ１８の温度を調整するようになっている。また、ステージ温度を制御するため、ステージ１８には、温度計（図示省略）が設置されており、ステージ１８が所定温度になるように温調部２０によって制御される。
【００５４】
なお、バイアス用の高周波電源は、低周波数の電源であることが望ましく、例えば、１００［ＫＨｚ］〜４［ＭＨｚ］の範囲の低周波電源であることが望ましい。高周波電源の出力波形は、正弦波に限らず、矩形波、三角波などでもよい。
【００５５】
高周波電源の出力及び直流電源の出力は、図示を省略した制御回路によって制御され、それぞれの出力は適宜調整可能となっている。高周波電源の出力を調整することで、基板バイアス電圧のピーク−ピーク間電圧（peak-to-peak電位差)Ｖｐｐの値を任意に設定することができる。
【００５６】
また、直流電源の出力を調整することにより、基板バイアス電圧の自己バイアス電圧Ｖｄｃの値を任意に設定することができる。
【００５７】
このように、高密度プラズマを用いたプラズマ酸化装置（ドライエッチング装置）において、基板バイアス印加部に高周波電源と直流電源とを組み合わせたトランス結合方式のバイアス印加手段（高周波印加手段）を採用したことにより、基板バイアス電圧のピーク−ピーク間電圧Ｖｐｐと、自己バイアス電圧Ｖｄｃとをそれぞれ独立に制御することができる。このため、Ｖｍａｘの値をＶｐ以上とする基板バイアス電圧の印加が可能であり、基板１６に正バイアスを印加することが可能となる。
【００５８】
以上の構成により、高密度プラズマのダウンストリーム領域にて基板１６のプラズマ酸化を行う。
【００５９】
図２は、ステージ１８上の基板１６に印加される基板バイアスの電圧波形の一例を示すグラフである。図２は、横軸に時間をとり縦軸に電圧をとったもので、Ｖｍａｘは電圧波形の最大値を表し、Ｖｍｉｎは電圧波形の最小値を表している。また、Ｖｐはプラズマ電位を表している。
【００６０】
図２に示すように、Ｖｄｃを印加することで、波形全体を正とするとともにＶｍｉｎ＜Ｖｐ＜Ｖｍａｘが成り立つようにしている。電位がＶｐより大きい場合には負イオンが基板１６に照射され、Ｖｐより小さい場合には正イオンが照射される。
【００６１】
図２に示すように、特にＶｍａｘをＶｐ以上の値に制御した基板バイアス電圧を印加することで、プラズマ中の負イオンを効率良く基板に引き込むことが可能となり、反応性が向上し、プラズマ酸化レートの向上、及び膜質の向上、さらに低温での成膜が可能となる。また、ＶｍｉｎがＶｐ以下であるため、チャージアップによる酸化レートの低下を抑制することができる。なお、これらについて詳しくは後述する。
【００６２】
以下、図１のプラズマ酸化装置１０を用いてシリコン基板をプラズマ酸化処理することで酸化膜（絶縁膜）を形成する方法について説明する。
【００６３】
まず、シリコン基板を公知の洗浄方法を用いて表面を清浄化する。例えば、ＲＣＡ洗浄に有機物・金属・パーティクル除去を行い、バッファードフッ酸を用いた洗浄を行い、シリコン基板表面にある自然酸化膜を除去する。そして、シリコン基板（基板１６）をステージ１８上に設置する。
【００６４】
次に、プロセスガス導入部１４から、プロセスガスが真空チャンバー１２内に導入される。前述したように、プロセスガスは、酸素を含むガスを用いれば良く、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、Ｎ２Ｏなどを用いれば良い。また、不活性ガスであるＡｒ、Ｎ２、Ｈｅ、Ｋｒ、Ｘｅなどと酸素含有ガスとの混合ガスを用いても良い。今回は、酸素ガスを用い、流量は５００［ｓｃｃｍ］とした。
【００６５】
真空チャンバー１２内の圧力（ガス導入時の真空度）は、１〜１００［Ｐａ］の範囲が好ましい。今回は、６．６［Ｐａ］で行った。また、マイクロ波の出力は、５０〜５０００［Ｗ］で行えば良く、今回は、５００［Ｗ］で行った。
【００６６】
基板バイアスは、トランス結合のマッチングボックス５０を介して、１００［ｋＨｚ］〜４［ＭＨｚ］の高周波を用いれば良く、本実験の実施に際しては、周波数は、略２ＭＨｚを用いた。
【００６７】
ここで、基板バイアスに印加する高周波の周波数は、酸素負イオンのイオンプラズマ周波数以下にする必要がある。それは、バイアスに印加する周波数がイオンプラズマ周波数よりも高い場合には、イオンが追従できないため、もしも酸素負イオンのイオンプラズマ周波数よりも高いと、酸素負イオンを照射できないからである。
【００６８】
具体的には、イオンプラズマ周波数ｆｉは、以下の式（１）及び式（２）で求めることができる。
【００６９】
【数１】
【００７０】
【数２】
【００７１】
ここで、ωｐｉは、イオンプラズマ角周波数、ｅは、電荷、ｎｅは、電子密度、ε０は、真空の誘電率、ｍｉは、イオンの質量を表す。上記式（１）で求めたイオンプラズマ角周波数ωｐｉを用いて式（２）よりイオンプラズマ周波数ｆｉが求められる。
【００７２】
なお、初期の酸化膜が形成された後、引き続き酸化を行うことを考慮すると、印加する周波数は、より高い方が望ましい。これは形成された酸化膜がコンデンサの働きをするようになるためである。そこで、今回は上述したように、略２ＭＨｚとしたものである。
【００７３】
図３は、上記条件で、誘電体窓２２からの距離をＺ［ｍｍ］とし、各距離Ｚにおけるフローティングポテンシャル（浮遊電位）Ｖｆの測定結果を示すグラフである。
【００７４】
測定には、市販のラングミュアプローブを用いれば良い。図３より、誘電体窓２２からの距離Ｚが１５０［ｍｍ］以上で、フローティングポテンシャルＶｆが約６［Ｖ］程度で一定となっていることがわかる。これはダウンフロー領域を示しており、ステージ１８の位置は、誘電体窓２２より１５０［ｍｍ］以上であることが望ましい。これにより、今回ステージ１８の位置は、誘電体窓２２からの距離を２００［ｍｍ］とした。
【００７５】
なお、フローティングポテンシャルＶｆは、ステージ１８上のダウンフロー領域内に負イオンがたくさん存在するようなステージ１８の位置となるように、０［Ｖ］以上であることが好ましい。
【００７６】
図４は、上記フローティングポテンシャルＶｆと同様に、誘電体窓２２からの距離Ｚにおけるプラズマポテンシャル（プラズマ電位）Ｖｐを測定した結果を示すグラフである。
【００７７】
上述したように今回プラズマ酸化を行ったときの誘電体窓２２からの距離Ｚは２００［ｍｍ］であり、その時のプラズマポテンシャルＶｐは、約１１．５［Ｖ］であることがわかる。
【００７８】
基板温度は、常温から４００［℃］で行えば良く、今回は４００［℃］で行った。
【００７９】
基板温度４００［℃］、誘電体窓２２からの距離２００［ｍｍ］、ガス圧力５０ｍＴｏｒｒという条件で、基板バイアス電位を、高周波の出力と直流電源の出力を調整し、Ｖｐｐを１５〜５０［Ｖ］、Ｖｄｃを０〜２５［Ｖ］とし、プラズマ酸化を行い、酸化膜厚を測定した。
【００８０】
図５に、これらのＶｐｐ、Ｖｄｃに対する酸化膜厚の測定結果を示す。
【００８１】
図５では、横軸にＶｐｐ、縦軸にＶｄｃをとり、各ピーク−ピーク間電圧Ｖｐｐと、自己バイアス電圧Ｖｄｃに対する酸化膜厚を膜厚に応じて複数段階に色分けして示す。
【００８２】
図５において、破線の枠Ａで囲んだ部分が、他より酸化膜厚が厚い部分である。ただし、これだと最適なＶｐｐ、Ｖｄｃの値の範囲が解りにくいので、Ｖｐｐ及びＶｄｃの値をＶｍａｘ及びＶｍｉｎの値に変換して考える。
【００８３】
図６に、Ｖｐｐ及びＶｄｃの値をＶｍａｘ及びＶｍｉｎの値に変換した結果を示す。すなわち、図６は、Ｖｍａｘを５〜５０［Ｖ］とし、Ｖｍｉｎを−２７．５〜１７．５［Ｖ］とした条件でプラズマ酸化を行った時の酸化膜厚の測定データをプロットしたものである。
【００８４】
図６（ａ）、（ｂ）は、横軸をＶｍｉｎ、縦軸を酸化膜厚として、各Ｖｍａｘの値に対するデータを表示したものであり、図６（ｃ）は、横軸をＶｍａｘとして縦軸を酸化膜厚としたものである。また、図６（ａ）は、Ｖｍａｘを５から５０まで２．５刻みでとった測定データをすべてプロットしているのに対して、図６（ｂ）は、Ｖｍａｘの値が１１．５から３０の間のデータのみを表示したものである。
【００８５】
図６（ａ）及び（ｂ）からは、厚い酸化膜厚を得るのに最適なＶｍｉｎの値は見出せない。これに対して、図６（ｃ）からは、Ｖｍａｘが１０〜３０［Ｖ］の範囲で酸化膜厚のピークが得られていることがわかる。
【００８６】
ここで、プラズマ酸化の酸化膜厚のピークは、プラズマポテンシャルＶｐ以上の時であり、Ｖｐ＜Ｖｍａｘ＜Ｖｐ＋３０［Ｖ］である、ということができる。
【００８７】
ＶｍａｘがＶｐ以上ということは、正のバイアスが印加されている条件であり、負イオンを基板１６に照射していることを示している。また、ＶｍａｘがＶｐ＋３０［Ｖ］以上になると酸化膜厚は、低い値を示しているが、これは酸素イオンによる逆スパッタが発生していることや、基板周辺部でプラズマが点火しているため、プラズマ酸化の酸化レートが低下したこと等によると推測される。
【００８８】
従って、基板温度が４００［℃］の場合、ＶｍａｘがＶｐ＜Ｖｍａｘ＜Ｖｐ＋３０［Ｖ］を満たすように制御することが好ましい。
【００８９】
また、図７に、基板温度２００［℃］、誘電体窓２２からの距離２００［ｍｍ］、ガス圧力５０ｍＴｏｒｒという条件で、基板バイアス電位を、高周波の出力と直流電源の出力を調整し、Ｖｐｐを１５〜５０［Ｖ］、Ｖｄｃを０〜２５［Ｖ］とし、プラズマ酸化を行い、酸化膜厚を測定した結果を示す。
【００９０】
図７は、横軸にＶｐｐ、縦軸にＶｄｃをとり、図５と同様に各Ｖｐｐと、Ｖｄｃに対する酸化膜厚を膜厚に応じて複数段階に色分けして示したものである。図７において、破線の枠Ｂで囲んだ部分が、他より酸化膜厚が厚い部分である。
【００９１】
また、図８に、Ｖｐｐ及びＶｄｃの値をＶｍａｘ及びＶｍｉｎの値に変換した結果を示す。すなわち、図８は、Ｖｍａｘを５〜５０［Ｖ］とし、Ｖｍｉｎを−２７．５〜１７．５［Ｖ］とした条件でプラズマ酸化を行った時の酸化膜厚の測定データをプロットしたものである。
【００９２】
図８（ａ）、（ｂ）は、横軸をＶｍａｘ、縦軸を酸化膜厚として、各Ｖｍｉｎの値に対するデータを表示したものであり、図８（ｃ）は、横軸をＶｍｉｎとして縦軸を酸化膜厚としたものである。また、図８（ａ）は、Ｖｍｉｎを−２７．５から１７．５まで２．５刻みでとった測定データをすべてプロットしているのに対して、図８（ｂ）は、Ｖｍｉｎの値が５以下のもののみを表示したものである。
【００９３】
図８（ａ）及び（ｂ）から、基板温度２００［℃］の場合にも、上と同様に、プラズマ酸化の酸化膜厚のピークは、ＶｍａｘがプラズマポテンシャルＶｐ以上の時であり、Ｖｐ＜Ｖｍａｘ＜Ｖｐ＋３０［Ｖ］である、ということができる。
【００９４】
また、横軸をＶｍｉｎとして示した図８（ｃ）から、ＶｍｉｎがＶｐ以下（１１．５［Ｖ］以下）から酸化膜厚が厚くなっていることがわかる。さらに、５［Ｖ］以下の時に酸化膜厚が厚くなっている。これは、プラズマ酸化の温度が低いため、ある程度のイオンエネルギーがある程度必要であることを示している。
【００９５】
このように基板温度を２００［℃］とした場合には、Ｖｍａｘは、Ｖｐ＜Ｖｍａｘ＜Ｖｐ＋３０［Ｖ］であれば良く、Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ＜Ｖｍａｘとなる条件が良い。また更には、Ｖｍａｘ＜Ｖｐ＋３０［Ｖ］かつＶｍｉｎ＜Ｖｐ−５［Ｖ］であれば良い。
【００９６】
以上詳細に説明したように、本実施形態によれば、Ｖｐｐ及びｖｄｃを独立に制御可能とし、印加する基板バイアス電位が、Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ＜Ｖｍａｘを満たし、さらには、Ｖｍａｘ＜Ｖｐ＋３０［Ｖ］、かつＶｍｉｎ＜Ｖｐ−５［Ｖ］を満たすようにしたため、低温での酸化が可能となり、酸化レートの向上が可能となった。また、バイアス周波数が略２ＭＨｚとなるようにしたため、高速で酸化することが可能となり、しかも低ダメージで厚膜酸化が可能となった。
【００９７】
以上、本発明のプラズマ酸化方法及びプラズマ酸化装置について詳細に説明したが、本発明は、以上の例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行ってもよいのはもちろんである。
【符号の説明】
【００９８】
１０…プラズマ酸化装置、１１…排気部、１２…真空チャンバー、１４…プロセスガス導入部、１６…基板、１８…ステージ、２０…温調部、２２…誘電体窓、２４…マイクロ波導入部、５０…マッチングボックス、５２…高周波電源、５４…直流電源、５６…トランス、５７…コア、５８…抵抗器
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ酸化方法及びプラズマ酸化装置に係り、特に、半導体プロセスに用いられるシリコン基板に酸素プラズマを照射してシリコンを酸化させてシリコン酸化膜を形成するプラズマ酸化方法及びプラズマ酸化装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程において、例えばシリコン基板を酸化して表面にシリコン酸化膜を形成するプロセスは重要である。シリコンの酸化方法としては、熱酸化法が代表的であるが、処理温度が１０００℃と高温であり、シリコン基板中の不純物が拡散するという問題がある。そこで、従来より、プラズマ酸化によるシリコン酸化方法が提案されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、ＭＯＳ特性を発現する極薄シリコン酸化膜を室温で生成することを目的として、シリコン基板に正または負バイアス電圧を印加して、シリコン基板を室温に保持してシリコン基板表面をプラズマ酸化するようにしたシリコン酸化膜製造方法が開示されている。
【０００４】
また、特許文献２には、シリコン基板のようなシリコン系被処理物を１０００℃より低い温度で異方性の酸化を実行することを目的として、シリコン系被処理物を酸素ラジカルを含むプラズマに曝すと共に、基板に直流電圧を印加することにより異方性の酸化を行うようにしたシリコン系被処理物の酸化処理方法が開示されている。
【０００５】
また、特許文献３には、基板表面を窒化処理又は酸化処理する際、処理膜を厚く均一に、かつ低温で安価に形成することを目的として、プラズマ生成とは独立に基板に入射するイオンのエネルギーを制御することができる変形マグネトロン型プラズマ処理装置を用い、処理室内に酸素元素を含むガスを供給し、酸素元素を含むガスを筒状電極に高周波電力を供給することにより得られる高周波電界と、磁力線形成手段より得られる磁界とによりプラズマ放電させ、被処理体を酸化して酸化膜を形成する半導体装置の製造方法が開示されている。
【０００６】
また、特許文献４には、集積回路の更なる高密度化・微細化に対応可能なシリコン酸化膜を形成することを目的として、シリコン基板に酸化膜を形成する際、酸素を含むプラズマを発生し、発生したプラズマ中の酸素負イオンをシリコン基板に照射するようにしたシリコン基板の酸化膜形成装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−１２１４４８号公報
【特許文献２】特開２００５−２９４５５１号公報
【特許文献３】特開２００４−４７９５０号公報
【特許文献４】特開２００２−２８０３６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、プラズマ酸化によるシリコン酸化方法では、４００℃以下の低温での実施例は少なく、さらに４００℃以下の低温で実施した時の酸化レートも低く、酸化膜厚を厚くすることができないという問題があった。また、正イオンや負イオンを用いたプラズマ酸化方法では、正イオン負イオンの一方を用いた場合には、チャージアップの発生により、酸化レートが低下したり、厚膜酸化が困難である等の問題があった。
【０００９】
例えば、上記特許文献１に記載のものにおいては、半導体などの極薄酸化の場合には酸化レートが低いことで膜厚制御が可能であり、生産性も問題とはならない。しかしながら、シリコン基板に正バイアスを印加した場合には負イオンが主に基板に到達し、また負バイアスを印加した場合には正イオンが到達する。このように、正負どちらか一方を印加する方法、すなわち直流バイアスを印加する方法では、チャージアップが発生し、酸化膜を厚く形成することが困難となり、さらに酸化レートも低いため生産性が悪いという問題がある。
【００１０】
また、上記特許文献２に記載のものにおいては、凸形状の上面と底面を酸化させ、かつ側面は酸化させないように、イオンを用いることで異方性の酸化を実現している。しかしながら、基板に直流電圧を印加した場合には、正負イオンの一方が引き込まれるためチャージアップが発生するという問題がある。さらに、チャージアップの影響により、厚い酸化膜の形成が困難となると同時に酸化レートが低い、生産性が悪いという問題がある。
【００１１】
また、上記特許文献３に記載のものにおいては、基板の電位を可変インピーダンスで制御し、イオンのエネルギーを制御することにより酸化を行っている。しかしながら、基板電位を可変インピーダンスで制御する場合、自己バイアス電圧Ｖｄｃの値を正電位に制御することができず、またピーク−ピーク間電圧Ｖｐｐの値を制御すると同時にＶｄｃの値も変化してしまい、ＶｄｃとＶｐｐを個別に制御できないため、酸化条件の範囲に制約が存在し、その結果、酸化膜の厚膜化や酸化レートの向上も困難となるという問題がある。
【００１２】
また、上記特許文献４に記載のものにおいては、基板に負イオンを照射することで酸化を行っており、またトランス結合でＲＦ（高周波）とＤＣ（直流）を印加することで負イオンを照射している。しかしながら、負イオンのみを用いた場合は、チャージアップの発生により厚膜化が困難となったり、酸化レートが低下するという問題がある。また、酸化時のピーク−ピーク間電圧Ｖｐｐ、自己バイアス電圧Ｖｄｃが高過ぎると、ステージ近傍でプラズマが形成されるため、低ダメージの酸化が困難となる。また、上記特許文献４においては、バイアス印加周波数４００ｋＨｚ、１ＭＨｚを用いており、低周波の場合は、酸化膜がコンデンサとなり、バイアス印加されにくいので、酸化膜厚を厚く形成する際、バイアス印加の効果が得にくいため、厚膜化が困難となる。
【００１３】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、基板温度が低温の場合でも酸化レートを向上させて、低温での酸化を可能とするとともに、厚膜酸化を可能とするプラズマ酸化方法及びプラズマ酸化装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、酸素を含むプロセスガスで酸素含有プラズマを生成し、ステージ上に設置された基板に対してバイアス電圧を印加し、前記基板のバイアス電位の最大値Ｖｍａｘ及び最小値Ｖｍｉｎが、プラズマ電位Ｖｐに対して、Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ＜Ｖｍａｘ を満たすように前記バイアス電位を制御することにより、前記酸素含有プラズマ中の正イオンと負イオンとを前記基板に照射して、前記基板をプラズマ酸化することを特徴とするプラズマ酸化方法を提供する。
【００１５】
このように、ＶｍａｘをＶｐより大きな値に制御した基板バイアス電圧を印加することで、プラズマ中の負イオンを効率良く基板に引き込むことが可能となり、反応性が向上する。その結果、プラズマ酸化レートの向上、膜質の向上、低温での成膜が可能となる。また、ＶｍｉｎをＶｐより小としたため、チャージアップによる酸化レートの低下を抑制することが可能となる。従って、基板温度が低温の場合でも、酸化レートを向上させて、低温での基板の酸化を可能とするとともに、厚い酸化膜の形成が可能となる。
【００１６】
例えば、基板温度が４００℃のように低温の場合でも、シリコン基板やシリコン基板上に形成されたトレンチを高速に酸化してシリコン酸化膜を形成するとともに厚膜酸化も可能となる。
【００１７】
また、請求項２に示すように、前記基板に対して印加されるバイアス電圧は、前記ステージに対して設置された高周波印加手段によって制御されることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項３に示すように、前記高周波印加手段は、トランス結合方式で高周波電圧及び直流電圧を印加することを特徴とする。
【００１９】
これにより、基板バイアス電圧のピーク−ピーク間電圧Ｖｐｐ及び自己バイアス電圧Ｖｄｃを独立して制御することが可能となる。
【００２０】
また、請求項４に示すように、前記基板をプラズマ酸化する際の浮遊電位が０［Ｖ］以上である領域に前記ステージを位置させることを特徴とする。
【００２１】
これにより、ステージに設置された基板上にたくさんの負イオンが存在するようにできる。
【００２２】
また、請求項５に示すように、前記基板のバイアス電位の最大値Ｖｍａｘが、プラズマ電位Ｖｐと
Ｖｍａｘ＜Ｖｐ＋３０［Ｖ］ の関係を満たすことを特徴とする。
【００２３】
これにより、プラズマ中の負イオンを効率良く基板に引き込むことが可能となり、プラズマ酸化レートの向上、膜質の向上、低温での成膜が可能となる。
【００２４】
また、請求項６に示すように、前記基板の温度が２００℃以下の時は、前記基板のバイアス電位の最小値Ｖｍｉｎが、プラズマ電位Ｖｐと
Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ−５［Ｖ］ の関係を満たすことを特徴とする。
【００２５】
これにより、チャージアップにより酸化レートの低下を抑制することが可能となる。
【００２６】
また、請求項７に示すように、前記プラズマ酸化によって酸化される基板は、シリコンまたはアルミニウムであることを特徴とする。
【００２７】
また、同様に前記目的を達成するために、請求項８に記載の発明は、酸素含有プラズマを生成するプラズマ生成部と、基板を設置するステージと、前記ステージ上の基板に対してバイアス電圧を印加する高周波印加手段と、を備え、前記基板にバイアス電圧を印加した状態で、前記基板をプラズマ酸化するプラズマ酸化装置であって、前記基板に印加するバイアス電位の最大値Ｖｍａｘ及び最小値Ｖｍｉｎが、プラズマ電位Ｖｐに対して、Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ＜Ｖｍａｘ を満たすように前記バイアス電位を制御することにより、前記酸素含有プラズマ中の正イオンと負イオンとを前記基板に照射して、前記基板をプラズマ酸化することを特徴とするプラズマ酸化装置を提供する。
【００２８】
このように、ＶｍａｘをＶｐより大きな値に制御した基板バイアス電圧を印加することで、プラズマ中の負イオンを効率良く基板に引き込むことが可能となり、反応性が向上する。その結果、プラズマ酸化レートの向上、膜質の向上、低温での成膜が可能となる。また、ＶｍｉｎをＶｐより小としたため、チャージアップによる酸化レートの低下を抑制することが可能となる。従って、基板温度が低温の場合でも、酸化レートを向上させて、低温での基板の酸化を可能とするとともに、厚い酸化膜の形成が可能となる。
【００２９】
また、請求項９に示すように、前記高周波印加手段は、トランス結合方式で高周波電圧及び直流電圧を印加することを特徴とする。
【００３０】
これにより、基板バイアス電圧のピーク−ピーク間電圧Ｖｐｐ及び自己バイアス電圧Ｖｄｃを独立して制御することが可能となる。
【００３１】
また、請求項１０に示すように、前記基板をプラズマ酸化する際の浮遊電位が０［Ｖ］以上である領域に前記ステージを位置させることを特徴とする。
【００３２】
これにより、ステージに設置された基板上にたくさんの負イオンが存在するようにできる。
【００３３】
また、請求項１１に示すように、前記基板のバイアス電位の最大値Ｖｍａｘが、プラズマ電位Ｖｐと
Ｖｍａｘ＜Ｖｐ＋３０［Ｖ］ の関係を満たすことを特徴とする。
【００３４】
これにより、プラズマ中の負イオンを効率良く基板に引き込むことが可能となり、プラズマ酸化レートの向上、膜質の向上、低温での成膜が可能となる。
【００３５】
また、請求項１２に示すように、前記基板の温度が２００℃以下の時は、前記基板のバイアス電位の最小値Ｖｍｉｎが、プラズマ電位Ｖｐと
Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ−５［Ｖ］ の関係を満たすことを特徴とする。
【００３６】
これにより、チャージアップにより酸化レートの低下を抑制することが可能となる。
【発明の効果】
【００３７】
以上説明したように、本発明によれば、ＶｍａｘをＶｐより大きな値に制御した基板バイアス電圧を印加することから、プラズマ中の負イオンを効率良く基板に引き込むことが可能となり、反応性が向上し、プラズマ酸化レートの向上、及び膜質の向上、さらに低温での成膜が可能となる。また、ＶｍｉｎがＶｐより小としたため、チャージアップによる酸化レートの低下を抑制することが可能となる。従って、基板温度が低温の場合でも、酸化レートを向上させて、低温での酸化を可能とするとともに、厚膜酸化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマ酸化装置の構成を示す断面図である。
【図２】ステージ上の基板に印加される基板バイアスの電圧波形の一例を示すグラフである。
【図３】誘電体窓からの距離ＺにおけるフローティングポテンシャルＶｆの測定結果を示すグラフである。
【図４】誘電体窓からの距離ＺにおけるプラズマポテンシャルＶｐを測定した結果を示すグラフである。
【図５】基板温度４００℃の場合に、各Ｖｐｐ、Ｖｄｃに対する酸化膜厚の測定結果を示すグラフである。
【図６】Ｖｐｐ及びＶｄｃの値をＶｍａｘ及びＶｍｉｎの値に変換して図５の酸化膜厚の測定結果を示すグラフであり、（ａ）、（ｂ）は、横軸をＶｍｉｎ、縦軸を酸化膜厚とし、（ｃ）は、横軸をＶｍａｘとして縦軸を酸化膜厚としたものである。
【図７】基板温度２００℃の場合に、各Ｖｐｐ、Ｖｄｃに対する酸化膜厚の測定結果を示すグラフである。
【図８】Ｖｐｐ及びＶｄｃの値をＶｍａｘ及びＶｍｉｎの値に変換して図７の酸化膜厚の測定結果を示すグラフであり、（ａ）、（ｂ）は、横軸をＶｍａｘ、縦軸を酸化膜厚として、各Ｖｍｉｎの値に対するデータを表示したものであり、（ｃ）は、横軸をＶｍｉｎとして縦軸を酸化膜厚としたものである。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下、添付図面を参照して、本発明に係るプラズマ酸化方法及びプラズマ酸化装置について詳細に説明する。
【００４０】
図１は、本発明の一実施形態に係るプラズマ酸化装置の構成を示す断面図である。
【００４１】
図１に示すように、このプラズマ酸化装置１０は、真空チャンバー１２（真空容器）を備え、真空チャンバー１２の上部にはプロセスガス導入部１４があり、ここからプラズマ生成用のプロセスガスが導入される。なお、図示を省略したが、プロセスガス導入部１４には、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）が配置されており、プロセスガスの流量を制御して真空チャンバー１２内へ供給するようになっている。
【００４２】
また、真空チャンバー１２には、排気用ポンプ（図示省略）を備えた排気部１１及び図示を省略した圧力調整機構が接続されており、これらによって、プラズマ酸化処理に用いられるガス流量と処理圧力が調整されるようになっている。
【００４３】
また、真空チャンバー１２内の底部には、被処理材としての基板１６を固定するためのステージ１８が設置されている。ステージ１８には、ステージ温度を制御するためのヒータ（図示省略）が内蔵されており、温調部２０によってステージ温度が制御可能に構成されている。なお、被処理材としての基板１６としては、例えば、シリコンやアルミニウムなどが対象とされるが、これに限定されるものではない。
【００４４】
また、ステージ１８には、基板１６に印加する基板バイアス電圧を制御するため、高周波印加手段として、トランス結合方式のマッチングボックス５０を介して高周波電源５２（バイアス用高周波電源）と直流電源５４（バイアス用直流電源）とが直列に設置されている。
【００４５】
図１に示すように、トランス５６のコア５７に巻かれた一次側巻線に高周波電源５２が接続され、二次側巻線に抵抗器５８を介して直流電源５４が接続される。このような構成により、ステージ１８上の基板１６には、高周波電源５２及び直流電源５４からトランス５６を介して高周波電圧と直流電圧とが重畳された基板バイアス電圧が印加されるようになっている。
【００４６】
また、真空チャンバー１２の上面には、誘電体窓（マイクロ波導入窓）２２を介して、マイクロ波発生源（図示省略）に接続されたマイクロ波導入部２４が設置されている。マイクロ波発生源は、例えばマグネトロンからなり、２．４５［ＧＨｚ］のマイクロ波を発生する。マイクロ波の周波数は、０．８〜２０［ＧＨｚ］の範囲から選択すればよい。
【００４７】
マイクロ波は、モード変換器（図示省略）によりＴＭ、ＴＥモードなどに変換されて、同じく図示を省略した導波管を伝搬するようになっている。また、図示を省略するが、マイクロ波導波経路には、アイソレータやインピーダンス整合器などが設けられている。
【００４８】
アイソレータは、反射されたマイクロ波がマイクロ波発生源に戻ることを防止し、そのような反射を吸収するものである。
【００４９】
また、インピーダンス整合器は、マイクロ波発生源から負荷に供給される進行波と負荷により反射されてマイクロ波発生源に戻ろうとする反射波のそれぞれの強度と位相を検知するパワーメーターを有し、マイクロ波発生源と負荷側とのマッチングをとる機能を果たすものであり、スタブチューナ等から構成される。
【００５０】
なお、プロセスガスとしては、酸素を含むガス、例えば、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、Ｎ２Ｏなどを用いる。また、プロセスガスとして、Ａｒ、Ｎ２、Ｈｅ、Ｋｒ、Ｘｅなどの不活性ガスと酸素含有ガスとの混合ガスを用いても良い。真空チャンバー１２内にプロセスガスが所定流量で供給され、真空チャンバー１２内の圧力を調整するための圧力調整機構（図示省略）により圧力が調整される。また、図示を省略するが、圧力調整機構の後段にはターボポンプ、ドライポンプなどの真空排気機構が設けられている。
【００５１】
また、誘電体窓２２は、マイクロ波発生源（図示省略）から供給されるマイクロ波を真空チャンバー１２内に透過するとともに真空チャンバー１２の隔壁として機能する。誘電体窓２２は、例えば石英、アルミナ、窒化アルミナなどを用いれば良い。
【００５２】
また、基板１６は、ステージ１８に固定され、真空チャンバー１２内に収納されて設置される。なお、図示を省略するが、基板１６を固定するためのクランプ機構や静電チャック機構により基板１６をステージ１８に固定することで、ステージ温度を基板１６に効率的に伝えることができる。
【００５３】
温調部２０は、ステージ１８内に内蔵されたヒータを介してステージ温度を制御する。ステージ温度は２００〜４００［℃］となるように制御される。ステージ温度を２００［℃］以下に制御する場合には、ステージ１８内にヒータと温調液を通す流路が内蔵されるとともに、温調液の温度を制御するチラーが接続されてステージ１８の温度を調整するようになっている。また、ステージ温度を制御するため、ステージ１８には、温度計（図示省略）が設置されており、ステージ１８が所定温度になるように温調部２０によって制御される。
【００５４】
なお、バイアス用の高周波電源は、低周波数の電源であることが望ましく、例えば、１００［ＫＨｚ］〜４［ＭＨｚ］の範囲の低周波電源であることが望ましい。高周波電源の出力波形は、正弦波に限らず、矩形波、三角波などでもよい。
【００５５】
高周波電源の出力及び直流電源の出力は、図示を省略した制御回路によって制御され、それぞれの出力は適宜調整可能となっている。高周波電源の出力を調整することで、基板バイアス電圧のピーク−ピーク間電圧（peak-to-peak電位差)Ｖｐｐの値を任意に設定することができる。
【００５６】
また、直流電源の出力を調整することにより、基板バイアス電圧の自己バイアス電圧Ｖｄｃの値を任意に設定することができる。
【００５７】
このように、高密度プラズマを用いたプラズマ酸化装置（ドライエッチング装置）において、基板バイアス印加部に高周波電源と直流電源とを組み合わせたトランス結合方式のバイアス印加手段（高周波印加手段）を採用したことにより、基板バイアス電圧のピーク−ピーク間電圧Ｖｐｐと、自己バイアス電圧Ｖｄｃとをそれぞれ独立に制御することができる。このため、Ｖｍａｘの値をＶｐ以上とする基板バイアス電圧の印加が可能であり、基板１６に正バイアスを印加することが可能となる。
【００５８】
以上の構成により、高密度プラズマのダウンストリーム領域にて基板１６のプラズマ酸化を行う。
【００５９】
図２は、ステージ１８上の基板１６に印加される基板バイアスの電圧波形の一例を示すグラフである。図２は、横軸に時間をとり縦軸に電圧をとったもので、Ｖｍａｘは電圧波形の最大値を表し、Ｖｍｉｎは電圧波形の最小値を表している。また、Ｖｐはプラズマ電位を表している。
【００６０】
図２に示すように、Ｖｄｃを印加することで、波形全体を正とするとともにＶｍｉｎ＜Ｖｐ＜Ｖｍａｘが成り立つようにしている。電位がＶｐより大きい場合には負イオンが基板１６に照射され、Ｖｐより小さい場合には正イオンが照射される。
【００６１】
図２に示すように、特にＶｍａｘをＶｐ以上の値に制御した基板バイアス電圧を印加することで、プラズマ中の負イオンを効率良く基板に引き込むことが可能となり、反応性が向上し、プラズマ酸化レートの向上、及び膜質の向上、さらに低温での成膜が可能となる。また、ＶｍｉｎがＶｐ以下であるため、チャージアップによる酸化レートの低下を抑制することができる。なお、これらについて詳しくは後述する。
【００６２】
以下、図１のプラズマ酸化装置１０を用いてシリコン基板をプラズマ酸化処理することで酸化膜（絶縁膜）を形成する方法について説明する。
【００６３】
まず、シリコン基板を公知の洗浄方法を用いて表面を清浄化する。例えば、ＲＣＡ洗浄に有機物・金属・パーティクル除去を行い、バッファードフッ酸を用いた洗浄を行い、シリコン基板表面にある自然酸化膜を除去する。そして、シリコン基板（基板１６）をステージ１８上に設置する。
【００６４】
次に、プロセスガス導入部１４から、プロセスガスが真空チャンバー１２内に導入される。前述したように、プロセスガスは、酸素を含むガスを用いれば良く、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、Ｎ２Ｏなどを用いれば良い。また、不活性ガスであるＡｒ、Ｎ２、Ｈｅ、Ｋｒ、Ｘｅなどと酸素含有ガスとの混合ガスを用いても良い。今回は、酸素ガスを用い、流量は５００［ｓｃｃｍ］とした。
【００６５】
真空チャンバー１２内の圧力（ガス導入時の真空度）は、１〜１００［Ｐａ］の範囲が好ましい。今回は、６．６［Ｐａ］で行った。また、マイクロ波の出力は、５０〜５０００［Ｗ］で行えば良く、今回は、５００［Ｗ］で行った。
【００６６】
基板バイアスは、トランス結合のマッチングボックス５０を介して、１００［ｋＨｚ］〜４［ＭＨｚ］の高周波を用いれば良く、本実験の実施に際しては、周波数は、略２ＭＨｚを用いた。
【００６７】
ここで、基板バイアスに印加する高周波の周波数は、酸素負イオンのイオンプラズマ周波数以下にする必要がある。それは、バイアスに印加する周波数がイオンプラズマ周波数よりも高い場合には、イオンが追従できないため、もしも酸素負イオンのイオンプラズマ周波数よりも高いと、酸素負イオンを照射できないからである。
【００６８】
具体的には、イオンプラズマ周波数ｆｉは、以下の式（１）及び式（２）で求めることができる。
【００６９】
【数１】
【００７０】
【数２】
【００７１】
ここで、ωｐｉは、イオンプラズマ角周波数、ｅは、電荷、ｎｅは、電子密度、ε０は、真空の誘電率、ｍｉは、イオンの質量を表す。上記式（１）で求めたイオンプラズマ角周波数ωｐｉを用いて式（２）よりイオンプラズマ周波数ｆｉが求められる。
【００７２】
なお、初期の酸化膜が形成された後、引き続き酸化を行うことを考慮すると、印加する周波数は、より高い方が望ましい。これは形成された酸化膜がコンデンサの働きをするようになるためである。そこで、今回は上述したように、略２ＭＨｚとしたものである。
【００７３】
図３は、上記条件で、誘電体窓２２からの距離をＺ［ｍｍ］とし、各距離Ｚにおけるフローティングポテンシャル（浮遊電位）Ｖｆの測定結果を示すグラフである。
【００７４】
測定には、市販のラングミュアプローブを用いれば良い。図３より、誘電体窓２２からの距離Ｚが１５０［ｍｍ］以上で、フローティングポテンシャルＶｆが約６［Ｖ］程度で一定となっていることがわかる。これはダウンフロー領域を示しており、ステージ１８の位置は、誘電体窓２２より１５０［ｍｍ］以上であることが望ましい。これにより、今回ステージ１８の位置は、誘電体窓２２からの距離を２００［ｍｍ］とした。
【００７５】
なお、フローティングポテンシャルＶｆは、ステージ１８上のダウンフロー領域内に負イオンがたくさん存在するようなステージ１８の位置となるように、０［Ｖ］以上であることが好ましい。
【００７６】
図４は、上記フローティングポテンシャルＶｆと同様に、誘電体窓２２からの距離Ｚにおけるプラズマポテンシャル（プラズマ電位）Ｖｐを測定した結果を示すグラフである。
【００７７】
上述したように今回プラズマ酸化を行ったときの誘電体窓２２からの距離Ｚは２００［ｍｍ］であり、その時のプラズマポテンシャルＶｐは、約１１．５［Ｖ］であることがわかる。
【００７８】
基板温度は、常温から４００［℃］で行えば良く、今回は４００［℃］で行った。
【００７９】
基板温度４００［℃］、誘電体窓２２からの距離２００［ｍｍ］、ガス圧力５０ｍＴｏｒｒという条件で、基板バイアス電位を、高周波の出力と直流電源の出力を調整し、Ｖｐｐを１５〜５０［Ｖ］、Ｖｄｃを０〜２５［Ｖ］とし、プラズマ酸化を行い、酸化膜厚を測定した。
【００８０】
図５に、これらのＶｐｐ、Ｖｄｃに対する酸化膜厚の測定結果を示す。
【００８１】
図５では、横軸にＶｐｐ、縦軸にＶｄｃをとり、各ピーク−ピーク間電圧Ｖｐｐと、自己バイアス電圧Ｖｄｃに対する酸化膜厚を膜厚に応じて複数段階に色分けして示す。
【００８２】
図５において、破線の枠Ａで囲んだ部分が、他より酸化膜厚が厚い部分である。ただし、これだと最適なＶｐｐ、Ｖｄｃの値の範囲が解りにくいので、Ｖｐｐ及びＶｄｃの値をＶｍａｘ及びＶｍｉｎの値に変換して考える。
【００８３】
図６に、Ｖｐｐ及びＶｄｃの値をＶｍａｘ及びＶｍｉｎの値に変換した結果を示す。すなわち、図６は、Ｖｍａｘを５〜５０［Ｖ］とし、Ｖｍｉｎを−２７．５〜１７．５［Ｖ］とした条件でプラズマ酸化を行った時の酸化膜厚の測定データをプロットしたものである。
【００８４】
図６（ａ）、（ｂ）は、横軸をＶｍｉｎ、縦軸を酸化膜厚として、各Ｖｍａｘの値に対するデータを表示したものであり、図６（ｃ）は、横軸をＶｍａｘとして縦軸を酸化膜厚としたものである。また、図６（ａ）は、Ｖｍａｘを５から５０まで２．５刻みでとった測定データをすべてプロットしているのに対して、図６（ｂ）は、Ｖｍａｘの値が１１．５から３０の間のデータのみを表示したものである。
【００８５】
図６（ａ）及び（ｂ）からは、厚い酸化膜厚を得るのに最適なＶｍｉｎの値は見出せない。これに対して、図６（ｃ）からは、Ｖｍａｘが１０〜３０［Ｖ］の範囲で酸化膜厚のピークが得られていることがわかる。
【００８６】
ここで、プラズマ酸化の酸化膜厚のピークは、プラズマポテンシャルＶｐ以上の時であり、Ｖｐ＜Ｖｍａｘ＜Ｖｐ＋３０［Ｖ］である、ということができる。
【００８７】
ＶｍａｘがＶｐ以上ということは、正のバイアスが印加されている条件であり、負イオンを基板１６に照射していることを示している。また、ＶｍａｘがＶｐ＋３０［Ｖ］以上になると酸化膜厚は、低い値を示しているが、これは酸素イオンによる逆スパッタが発生していることや、基板周辺部でプラズマが点火しているため、プラズマ酸化の酸化レートが低下したこと等によると推測される。
【００８８】
従って、基板温度が４００［℃］の場合、ＶｍａｘがＶｐ＜Ｖｍａｘ＜Ｖｐ＋３０［Ｖ］を満たすように制御することが好ましい。
【００８９】
また、図７に、基板温度２００［℃］、誘電体窓２２からの距離２００［ｍｍ］、ガス圧力５０ｍＴｏｒｒという条件で、基板バイアス電位を、高周波の出力と直流電源の出力を調整し、Ｖｐｐを１５〜５０［Ｖ］、Ｖｄｃを０〜２５［Ｖ］とし、プラズマ酸化を行い、酸化膜厚を測定した結果を示す。
【００９０】
図７は、横軸にＶｐｐ、縦軸にＶｄｃをとり、図５と同様に各Ｖｐｐと、Ｖｄｃに対する酸化膜厚を膜厚に応じて複数段階に色分けして示したものである。図７において、破線の枠Ｂで囲んだ部分が、他より酸化膜厚が厚い部分である。
【００９１】
また、図８に、Ｖｐｐ及びＶｄｃの値をＶｍａｘ及びＶｍｉｎの値に変換した結果を示す。すなわち、図８は、Ｖｍａｘを５〜５０［Ｖ］とし、Ｖｍｉｎを−２７．５〜１７．５［Ｖ］とした条件でプラズマ酸化を行った時の酸化膜厚の測定データをプロットしたものである。
【００９２】
図８（ａ）、（ｂ）は、横軸をＶｍａｘ、縦軸を酸化膜厚として、各Ｖｍｉｎの値に対するデータを表示したものであり、図８（ｃ）は、横軸をＶｍｉｎとして縦軸を酸化膜厚としたものである。また、図８（ａ）は、Ｖｍｉｎを−２７．５から１７．５まで２．５刻みでとった測定データをすべてプロットしているのに対して、図８（ｂ）は、Ｖｍｉｎの値が５以下のもののみを表示したものである。
【００９３】
図８（ａ）及び（ｂ）から、基板温度２００［℃］の場合にも、上と同様に、プラズマ酸化の酸化膜厚のピークは、ＶｍａｘがプラズマポテンシャルＶｐ以上の時であり、Ｖｐ＜Ｖｍａｘ＜Ｖｐ＋３０［Ｖ］である、ということができる。
【００９４】
また、横軸をＶｍｉｎとして示した図８（ｃ）から、ＶｍｉｎがＶｐ以下（１１．５［Ｖ］以下）から酸化膜厚が厚くなっていることがわかる。さらに、５［Ｖ］以下の時に酸化膜厚が厚くなっている。これは、プラズマ酸化の温度が低いため、ある程度のイオンエネルギーがある程度必要であることを示している。
【００９５】
このように基板温度を２００［℃］とした場合には、Ｖｍａｘは、Ｖｐ＜Ｖｍａｘ＜Ｖｐ＋３０［Ｖ］であれば良く、Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ＜Ｖｍａｘとなる条件が良い。また更には、Ｖｍａｘ＜Ｖｐ＋３０［Ｖ］かつＶｍｉｎ＜Ｖｐ−５［Ｖ］であれば良い。
【００９６】
以上詳細に説明したように、本実施形態によれば、Ｖｐｐ及びｖｄｃを独立に制御可能とし、印加する基板バイアス電位が、Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ＜Ｖｍａｘを満たし、さらには、Ｖｍａｘ＜Ｖｐ＋３０［Ｖ］、かつＶｍｉｎ＜Ｖｐ−５［Ｖ］を満たすようにしたため、低温での酸化が可能となり、酸化レートの向上が可能となった。また、バイアス周波数が略２ＭＨｚとなるようにしたため、高速で酸化することが可能となり、しかも低ダメージで厚膜酸化が可能となった。
【００９７】
以上、本発明のプラズマ酸化方法及びプラズマ酸化装置について詳細に説明したが、本発明は、以上の例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行ってもよいのはもちろんである。
【符号の説明】
【００９８】
１０…プラズマ酸化装置、１１…排気部、１２…真空チャンバー、１４…プロセスガス導入部、１６…基板、１８…ステージ、２０…温調部、２２…誘電体窓、２４…マイクロ波導入部、５０…マッチングボックス、５２…高周波電源、５４…直流電源、５６…トランス、５７…コア、５８…抵抗器
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸素を含むプロセスガスで酸素含有プラズマを生成し、
ステージ上に設置された基板に対してバイアス電圧を印加し、
前記基板のバイアス電位の最大値Ｖｍａｘ及び最小値Ｖｍｉｎが、プラズマ電位Ｖｐに対して、
Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ＜Ｖｍａｘ
を満たすように前記バイアス電位を制御することにより、前記酸素含有プラズマ中の正イオンと負イオンとを前記基板に照射して、前記基板をプラズマ酸化することを特徴とするプラズマ酸化方法。
【請求項２】
前記基板に対して印加されるバイアス電圧は、前記ステージに対して設置された高周波印加手段によって制御されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ酸化方法。
【請求項３】
前記高周波印加手段は、トランス結合方式で高周波電圧及び直流電圧を印加することを特徴とする請求項２に記載のプラズマ酸化方法。
【請求項４】
前記基板をプラズマ酸化する際の浮遊電位が０［Ｖ］以上である領域に前記ステージを位置させることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ酸化方法。
【請求項５】
前記基板のバイアス電位の最大値Ｖｍａｘが、プラズマ電位Ｖｐと
Ｖｍａｘ＜Ｖｐ＋３０［Ｖ］
の関係を満たすことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマ酸化方法。
【請求項６】
前記基板の温度が２００℃以下の時は、前記基板のバイアス電位の最小値Ｖｍｉｎが、プラズマ電位Ｖｐと
Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ−５［Ｖ］
の関係を満たすことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマ酸化方法。
【請求項７】
前記プラズマ酸化によって酸化される基板は、シリコンまたはアルミニウムであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のプラズマ酸化方法。
【請求項８】
酸素含有プラズマを生成するプラズマ生成部と、
基板を設置するステージと、
前記ステージ上の基板に対してバイアス電圧を印加する高周波印加手段と、
を備え、前記基板にバイアス電圧を印加した状態で、前記基板をプラズマ酸化するプラズマ酸化装置であって、
前記基板に印加するバイアス電位の最大値Ｖｍａｘ及び最小値Ｖｍｉｎが、プラズマ電位Ｖｐに対して、
Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ＜Ｖｍａｘ
を満たすように前記バイアス電位を制御することにより、前記酸素含有プラズマ中の正イオンと負イオンとを前記基板に照射して、前記基板をプラズマ酸化することを特徴とするプラズマ酸化装置。
【請求項９】
前記高周波印加手段は、トランス結合方式で高周波電圧及び直流電圧を印加することを特徴とする請求項８に記載のプラズマ酸化装置。
【請求項１０】
前記基板をプラズマ酸化する際の浮遊電位が０［Ｖ］以上である領域に前記ステージを位置させることを特徴とする請求項８〜９のいずれかに記載のプラズマ酸化装置。
【請求項１１】
前記基板のバイアス電位の最大値Ｖｍａｘが、プラズマ電位Ｖｐと
Ｖｍａｘ＜Ｖｐ＋３０［Ｖ］
の関係を満たすことを特徴とする請求項８〜１０のいずれかに記載のプラズマ酸化装置。
【請求項１２】
前記基板の温度が２００℃以下の時は、前記基板のバイアス電位の最小値Ｖｍｉｎが、プラズマ電位Ｖｐと
Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ−５［Ｖ］
の関係を満たすことを特徴とする請求項８〜１１のいずれかに記載のプラズマ酸化装置。
【請求項１】
酸素を含むプロセスガスで酸素含有プラズマを生成し、
ステージ上に設置された基板に対してバイアス電圧を印加し、
前記基板のバイアス電位の最大値Ｖｍａｘ及び最小値Ｖｍｉｎが、プラズマ電位Ｖｐに対して、
Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ＜Ｖｍａｘ
を満たすように前記バイアス電位を制御することにより、前記酸素含有プラズマ中の正イオンと負イオンとを前記基板に照射して、前記基板をプラズマ酸化することを特徴とするプラズマ酸化方法。
【請求項２】
前記基板に対して印加されるバイアス電圧は、前記ステージに対して設置された高周波印加手段によって制御されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ酸化方法。
【請求項３】
前記高周波印加手段は、トランス結合方式で高周波電圧及び直流電圧を印加することを特徴とする請求項２に記載のプラズマ酸化方法。
【請求項４】
前記基板をプラズマ酸化する際の浮遊電位が０［Ｖ］以上である領域に前記ステージを位置させることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ酸化方法。
【請求項５】
前記基板のバイアス電位の最大値Ｖｍａｘが、プラズマ電位Ｖｐと
Ｖｍａｘ＜Ｖｐ＋３０［Ｖ］
の関係を満たすことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマ酸化方法。
【請求項６】
前記基板の温度が２００℃以下の時は、前記基板のバイアス電位の最小値Ｖｍｉｎが、プラズマ電位Ｖｐと
Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ−５［Ｖ］
の関係を満たすことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマ酸化方法。
【請求項７】
前記プラズマ酸化によって酸化される基板は、シリコンまたはアルミニウムであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のプラズマ酸化方法。
【請求項８】
酸素含有プラズマを生成するプラズマ生成部と、
基板を設置するステージと、
前記ステージ上の基板に対してバイアス電圧を印加する高周波印加手段と、
を備え、前記基板にバイアス電圧を印加した状態で、前記基板をプラズマ酸化するプラズマ酸化装置であって、
前記基板に印加するバイアス電位の最大値Ｖｍａｘ及び最小値Ｖｍｉｎが、プラズマ電位Ｖｐに対して、
Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ＜Ｖｍａｘ
を満たすように前記バイアス電位を制御することにより、前記酸素含有プラズマ中の正イオンと負イオンとを前記基板に照射して、前記基板をプラズマ酸化することを特徴とするプラズマ酸化装置。
【請求項９】
前記高周波印加手段は、トランス結合方式で高周波電圧及び直流電圧を印加することを特徴とする請求項８に記載のプラズマ酸化装置。
【請求項１０】
前記基板をプラズマ酸化する際の浮遊電位が０［Ｖ］以上である領域に前記ステージを位置させることを特徴とする請求項８〜９のいずれかに記載のプラズマ酸化装置。
【請求項１１】
前記基板のバイアス電位の最大値Ｖｍａｘが、プラズマ電位Ｖｐと
Ｖｍａｘ＜Ｖｐ＋３０［Ｖ］
の関係を満たすことを特徴とする請求項８〜１０のいずれかに記載のプラズマ酸化装置。
【請求項１２】
前記基板の温度が２００℃以下の時は、前記基板のバイアス電位の最小値Ｖｍｉｎが、プラズマ電位Ｖｐと
Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ−５［Ｖ］
の関係を満たすことを特徴とする請求項８〜１１のいずれかに記載のプラズマ酸化装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１１−２２２８６０（Ｐ２０１１−２２２８６０Ａ）
【公開日】平成２３年１１月４日（２０１１．１１．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−９２２９１（Ｐ２０１０−９２２９１）
【出願日】平成２２年４月１３日（２０１０．４．１３）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【出願人】（０００１２５３６９）学校法人東海大学 (352)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１１月４日（２０１１．１１．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年４月１３日（２０１０．４．１３）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【出願人】（０００１２５３６９）学校法人東海大学 (352)
【Ｆターム（参考）】
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