プリント可能な有機質不揮発性受動記憶要素とその製法
少なくとも１つの受動記憶要素と、該受動記憶要素を提供されたその少なくとも１つの側上に非導電面を有するサポートと、を具備する受動記憶装置であって、該受動記憶要素が第１電極システムと、絶縁システムとそして第２電極システムと、を備え、該第１電極システムはパターンシステムであり、該第１電極は該第２電極システムから絶縁されており、少なくとも１つの導電性ブリッジが該第１及び該第２電極システム間に存在し、該少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は該第１及び第２のパターン化した電極システムの間に直接の電気的接触は無く、そして該システム及び該導電性ブリッジは従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である、該受動記憶装置、そして受動記憶装置を提供する工程であるが、該受動記憶装置が少なくとも１つの受動記憶要素とサポートを具備し、該サポートが受動記憶要素を提供されるその少なくとも１つの側上に非導電面か、又はパターン化可能な導電層か何れかを有しており、該受動記憶要素が第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、該第１のパターン化した電極システムと該第２のパターン化した電極システムの間の絶縁システムとそして該第１のパターン化した電極システム及び該第２のパターン化した電極システムの間の少なくとも１つの導電性ブリッジとを備えており、そして該少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は該第１及び第２電極システムの間に直接の電気的接触が無い状況で、該工程は、該サポートの該非導電面上に又は該サポート上の該パターン化可能な導電層内に第１電極パターンを実現する過程と、該第１電極パターン上に絶縁パターンを提供する過程と、該絶縁パターン上に第２電極パターンを提供する過程と、そして予め指定された点で該第１電極パターン及び第２電極パターンの間に電気的接触を提供する過程とを具備しており、該過程の少なくとも１つは従来のプリンティング工程により実現される、該受動記憶装置を提供する工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプリント可能（printable）な受動記憶要素（passive memory element）と同品の製法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、例えば、パッケージの偽造防止用タグ（anti-counterfeiting tags）として、使い捨て可能で、廉価で、柔軟で、情報が中に記憶される、受動記憶装置を有するタグ及びラベル（passive memory device-containing tags and labels）の益々増大する需要がある。該情報の書き込み（writing）を有するこの様な不揮発性記憶要素の生産は、容易で、廉価であるべきで、好ましくは、該タグ、ラベルそしてパッケージのプリンティング工程（package printing process）又は該パッケージング工程（packaging process）自身に組み入れられるべきで、そして簡単で、廉価な材料から成りそして最小の処理過程（processing steps）を含むべきである。パッケージ内での使用のために、該記憶装置が比較的強靱で、機械的衝撃、温度変化そして他の環境的影響に可成り鈍感なことが重要である。
【０００３】
従来のシリコンベースの半導体メモリー（silicon-based semiconductor memories）は高価で複雑な処理を要する欠点を有し、その高い処理温度と非柔軟性とはそれらがパッケージング基板（packaging substrates）上で使用されることを不適切にしている。更に、シリコンベースの半導体メモリーは廃棄時（upon disposal）可成りの環境問題（environmental issues）を提起する。特許文献１は、各指定された記憶素子（designated memory cells）がその中に配置された抵抗変化構成要素（resistance-altering constituent）を有する、複数の記憶素子内の少なくとも１つの指定記憶素子を具備する装置を開示しているが、シリコンベースの読み出し専用の抵抗器メモリー（read-only resistor memories）のみを例示している。特許文献２は、抵抗変化構成要素を複数の記憶素子内に拡散する過程を具備するメモリーの製作方法を開示しており、該複数の記憶素子は多結晶シリコン（polycrystalline silicon）を含み、該抵抗変化構成要素は少なくとも１つのＩＡ族元素（Group IA element）を含んでおり、そして該製作方法は又該抵抗変化構成要素の打ち込まれた線量（implanted dose）の少なくとも１部分を少なくとも１つの記憶素子の導電層（conductive layer）から移動する過程を具備する。これらの抵抗器メモリーでは、情報は予め選択された交点（pre-selected crossing points）での抵抗の変化により記憶される。もし各記憶素子内の抵抗がビットライン（bit lines）及びワ−ドライン（word lines）の抵抗より著しく高いなら隣接ワードライン間のクロストーク（Crosstalk）は減じられる。しかしながら、これは代わりの電流通路（alternative current paths）の存在を防止しない。
【０００４】
特許文献３は高密度ＲＯＭデバイス（high density ROM device）を開示しており、該デバイスは基板（substrate）及び少なくとも１つのメモリーアレイ（memory array）を具備しているが、該メモリーアレイは、該基板の表面上に配置された第１絶縁層と、該第１絶縁層上に配置され第１方向に延びる複数のビットラインであるが、該ビットラインは本質的に等しい間隔で相互から隔てられている、該ビットラインと、該複数のビットライン上に形成された第２絶縁層と、該第２絶縁層内に形成され該ビットラインの１部分を露出する少なくとも１つの通路（via）と、そして該第２絶縁層上に配置され、角度を形成するよう該第１方向と交叉する第２方向に延びる複数ワードラインであるが、前記ワードラインは本質的に等しい間隔で相互から隔てられている、該ワードラインと、を備えており、そこでは該ワードラインの幾本かは該通路を使って該ビットラインと接続され、該ワードラインの幾本かは該第２絶縁層を使って該ビットラインから分離されている。
【０００５】
特許文献３はシリコンに基づかないが、金属のビットライン及びワードラインが存在する読み出し専用記憶装置（read only memory device）を開示している。電気的相互接続（Electrical interconnects）は該ビットライン及びワードライン間に存在する予め選択された通路内の金属の塗布（application）により行われる。
【０００６】
しかしながら、特許文献３，１そして２で開示された抵抗器記憶素子用の生産工程の全ては該金属又はシリコン構造体を応用するために蒸発（evaporation）及びエッチング方法（etching methods）に依存し、該方法は３００℃から４００℃の範囲の高温度を要し、該温度はポリマーベース又はペーパーベースの基板（polymer-based or paper-based substrates）の熔解（melting）又は深刻な劣化（severe degradation）に帰着して、従ってそれをパッケージング用には不適切にする。従って、この様な金属又はシリコン構造体はそれら自身をタグ、ラベル、そしてパッケージプリンティング工程又はパッケージング工程内へ組み込ませず、又それらはそれら自身を環境にやさしい廃棄処理へ向かわせもしない。
【０００７】
情報はアンティヒューズ原理（anti-fuse principle）を使うことによりワーム（WORM）メモリーに電気的に記憶され得る。例えば、特許文献４は有機質記憶素子を製作する方法を開示しており、該方法は、第１電極を提供する過程と、導電性促進化合物（conductivity facilitating compound）を有する受動的層を該第１電極上に形成する過程と、スピンオン技術（spin-on technique）を使って該受動的層上に有機半導体層を形成する過程であるが、該スピンオン技術は、ｉ）共役有機ポリマー（conjugated organic polymer）、共役有機金属化合物（conjugated organomtallic compound）、共役有機金属ポリマー（conjugated organometallic polymer）、バッキーボール（buckyball）そしてカーボンナノチューブ（carbon nanotube）の少なくとも１つと、ｉｉ）グリコールエーテルエステル（glycol ether esters）と、グリコールエーテルと、フラン（furans）とそして約４から約７炭素原子を含むアルキルアルコール（alkyl alcohols）と、から成る群から選択された少なくとも１つの溶媒（solvent）と、の混合物を適用する過程を有する該有機半導体層を形成する過程と、そして該有機半導体層上に第２電極を提供する過程と、を具備する。
【０００８】
更に、特許文献５は電子スイッチ（electronic switch）を開示しているが、該スイッチは第１導体と、第２導体と、そして該第１導体及び該第２導体に接触し、かつ両者間に横たわる導電性有機ポリマー層（conductive organic polymer layer）であるが、該導電性有機ポリマー層は該有機ポリマー層が該第１導体と該第２導体の間に比較的高い導電率で電流を導く第１状態と、該有機ポリマー層が該第１導体と該第２導体の間に比較的低い導電率で電流を導く第２状態と、の１つにある該導電性有機ポリマー層と、を具備する。ワードラインとビットラインの間にある半導体層の抵抗は‘高い’電圧パルスを印加し、それにより該抵抗を増加することにより電気的に変えられ得る。代わりの電流通路を防止するために、ダイオードを形成するよう各記憶素子内の該ワードラインとビットラインの間に追加層を含むことが必要であり、それによりその製造工程はより複雑になる。
【０００９】
メモリーのプリンティングが幾つかの異なる種類のデバイス用の技術で提案されて来た。特許文献６は記憶装置を開示しており、該記憶装置は、第１の側と第２の側を有する第１の半導体ポリマー膜であるが、前記第１の半導体ポリマー膜は有機ドーパント（organic dopant）を有している該第１の半導体ポリマー膜と、前記第１の半導体ポリマー層の前記第１の側に接続され、相互に実質的に平行な第１の複数の導体と、そして前記第１半導体ポリマー層の前記第２の側に接続され、相互に実質的に平行で、かつ、前記第１の複数の導体と実質的に相互に直交する第２の複数の導体とを具備しており、そこでは電荷は前記有機ドーパント上に局所化されている。２つの導電ラインパターン間に成層された該ドープされた半導体膜の構造体は簡単である。しかしながら、これらのメモリーは揮発性で、もし電力が印加されないなら該情報は失われる。特許文献７は、記憶素子位置の電極の表面上のカバーする絶縁膜の存否により状態（state）を記憶する記憶装置を製造する方法を開示しており、該方法は予め決められた記憶素子位置の電極表面を絶縁材料でカバーするためにインクジェットヘッド（inkjet head）を使って予め決められた記憶素子位置で電極の表面へ絶縁材料を選択的に噴射する（ejecting）過程を具備する。
【００１０】
特許文献８は、電子的に読み出し可能な（electronically readable）コードを記憶するバーコード回路（bar code circuit）であるが、そこでは該コードはポリマープリンティング工程で規定される、該バーコード回路と、バーコードリーダーが該バーコード回路内に記憶された該コードにアクセスすることを可能にするため該バーコード回路に接続されたインターフエースと、を具備する電子的バーコード（electronic bar code）を開示している。しかしながら、該プリントされた電子回路は受動的マトリックスから成るのでなく、該部品の存否又はその接続が記憶される情報を決定する多数の電子部品から成る。
【００１１】
特許文献９は複数の記憶素子を有するマスクＲＯＭ（mask ROM）を開示しており、該記憶素子は主面（main surface）を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記主面上で列方向（column direction）に延びる複数の平行な第１信号ラインと、前記半導体基板の前記主面上で行方向（row direction）に延び、各々が前記複数の記憶素子のそれぞれの記憶素子を形成する複数のクロスオーバー（crossovers）で前記複数の第１信号ラインと交叉する複数の平行な第２信号ラインと、前記複数の第１信号ラインと前記複数の第２信号ラインの間に形成される絶縁膜と、そして前記複数の第１信号ラインの１つと前記複数の第２信号ラインの１つとを選択し、該選択された第１信号ラインと該選択された第２信号ラインの間に電位差（potential difference）を印加することにより該選択された第１信号ラインと該選択された第２信号ラインの間に電場を引き起こす、ための選択手段と、を具備しており、前記絶縁膜は、データ記憶用の前記複数のクロスオーバーの各々で、ｉ）該選択手段により選択された第１信号ラインと該選択手段により選択された該第２信号ラインの間で例え電場が受信されても、該選択された第１信号ラインと該選択された第２信号ラインの間を絶縁状態を保つに必要な第１厚さと、ｉｉ）該選択手段により選択された該第１信号ラインと該第２信号ラインの間で電場が受信された時該選択された第１信号ラインと該選択された第２信号ラインの間で第１トンネル電流（first tunnel current）を流れさせるための第２厚さと、そしてｉｉｉ）該選択手段により選択された該第１信号ラインと該第２信号ラインの間で電場が受信された時該選択された第１信号ラインと該選択された第２信号ラインの間で第２トンネル電流を流れさせるための第３厚さ、の１つを有する。そこで１つの記憶素子内の多数ビットレベルの記憶を伴うトンネル現象が発生される、分離用酸化物膜により分離された導電性電極に基づく受動的マトリックスＲＯＭの生産が特許文献９で開示される。酸化物層厚さの変動は層を通る種々のトンネル電流に導き、それは各セル内の情報の多数レベル用の符号化を行う。
【００１２】
特許文献１０は、中でその２つのアルコシキ基（alkoxy groups）が同じであるか、又は異なるか、又はオプション的に置換されたオキシ−アルキレン−オキシブリッジ（oxy-alkylene-oxy bridge）を一緒に表す３，４ジアルコキシチオフェン（3,4-dialkoxythiophene）のポリマー又はコーポリマーと、ポリアニオン（polyanion）とそして非ニュートンバインダー（non-Newtonian binder）と、を具備する水性組成物（aqueous composition）と、オプション的に代替えされたサポート（subbed suport）、誘電体層（dielectric layer）、リン光層（phosphor layer）又はオプション的に透明な導電性コーティングに、上記水性混合物を塗布する過程と、そしてそれにより塗布された水性混合物を乾燥する過程と、を具備する導電層を用意する方法と、導電層を用意するための上記説明の方法により用意される帯電防止及び導電性コーティング（antistatic and electroconductive coating）と、上記説明の水性混合物を含むプリンティングインク又はペーストと、そして上記説明のプリンティングインクを提供する過程と、オプション的に代替えされたサポート、誘電体層、リン光層又はオプション的に透明な導電性コーティングの上に該プリンティングインクをプリントする過程と、を具備するプリンティング工程と、を開示している。しかしながら、特許文献１０は、ランプ、ディスプレー（displays）、バックライト（back-lights）例えばＬＣＤ、自動車ダッシュボード（automobile dashboard）及びキースイッチバックライティング（keyswitch backlighting）、緊急用照明（emergency lighting）、セルラーフォン、パーソナルデジタルアシスタント、ホームエレクトロニクス（home electronics）、指示灯（indicator lamps）そして光放射が必要な他の応用品で使われ得るエレクトロルミネッセント（electroluminescent）デバイスの生産の過程である、オプション的に代替えされたサポート、誘電体層、リン光層又はオプション的に透明な導電層に帯電防止又は導電性層を塗布するためのこの様なインクの塗布を開示しているのみである。
【００１３】
特許文献１１は、中でその２つのアルコシキ基は同じであるか、又は異なるか、又はオプション的に置換されたオキシアルキレンオキシブリッジを一緒に示してもよい３，４−ジアルコキシチオフェンのポリマー又はコーポリマーと、ポリアニオンとそしてラテックスバインダーとが、溶媒又は水性媒体内に含む染料を含まないフレキソグラフィックインク（flexographic ink）であり、３，４−ジアルコキシチオフェンのポリマー又はコーポリマーが重量で少なくとも０．１％の濃度で該インク内にあり、該インクは比色計では加成性を示す（colorimetrically additive）透明プリントを作ることが出来る特徴を有する該フレキソグラフィックインクと、該フレキソグラフィックインク（flexographic ink）を用意する方法と、それと一緒にフレキソグラフィックプリンティング工程と、を開示している。しかしながら、特許文献１１は、玩具の様な１つの又は限られた使用品目用の電気回路の生産で、無線周波数タグ（radiofrequency tags）の部品としての容量性アンテナ（capacitive antennae）で、ランプ、ディスプレー、バックライト例えばＬＣＤ、自動車ダッシュボード及びキースイッチバックライティング、緊急用照明、セルラーフォン、パーソナルデジタルアシスタント、ホームエレクトロニクス、指示灯そして光放射が必要な他の応用品で使われ得るエレクトロルミネッセントデバイスで、の生産の過程である、オプション的に代替えされたサポート、誘電体層、リン光層そして透明な導電層に帯電防止又は導電性パターンを塗布するためのこの様なインクの塗布を示すのみである。
【００１４】
従って、タグ、ラベル又はパッケージのプリティング工程で、又はパッケージング工程自身に容易に組み入れられ得る、情報記憶の容易で廉価な手段のニーヅが存在する。
【００１５】
更に、この様な容易で廉価な情報記憶手段は自らを環境に優しい廃棄（environmentally friendly disposal）に供することを可能にするに違いない。
【００１６】
従来技術
今まで下記の従来技術の文書が本出願人に公知である。
【特許文献１】米国特許第６、５４２、３９７号明細書、２００３年４月１日発行
【特許文献２】米国特許第６、６４９、４９９号明細書、２００３年１１月１８日発行
【特許文献３】米国特許第６、１０７、６６６号明細書、２０００年８月２２日発行
【特許文献４】米国特許第６、６５６、７６３号明細書、２００３年１２月２日発行
【特許文献５】米国特許出願第２００４／０１４９、５５２Ａ１号明細書、２００４年８月５日発行
【特許文献６】米国特許出願第２００３／０２３０、７４６Ａ１号明細書、２００３年１２月８日発行
【特許文献７】米国特許出願第２００１／０３９、１２４Ａ１号明細書、２００１年１１月８日発行
【特許文献８】国際公開第ＷＯ０２／００２９７０６Ａ１号パンフレット、２００２年４月１１日発行
【特許文献９】米国特許第５、４６４、９８９号明細書、１９９５年１１月７日発行
【特許文献１０】国際公開第ＷＯ０２／０７９３１６Ａ号パンフレット、２００２年１０月１０日発行
【特許文献１１】国際公開第ＷＯ０３／０００７６５Ａ号パンフレット、２００３年１月３日発行
【特許文献１２】欧州特許出願公開第ＥＰ−Ａ１０５４４１４号明細書
【特許文献１３】米国特許第６、０５５、１８０号明細書
【特許文献１４】国際公開第ＷＯ−Ａ０３／０４８２２８号パンフレット
【特許文献１５】国際公開第ＷＯ−Ａ０３／０４８２２９号パンフレット
【非特許文献１】Ｓｈａｗｎ Ｓｍｉｔｈ ａｎｄ Ｓｔｅｐｈｅｎ Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔ：“Ａ ｌｏｗ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｖｏｌｔａｇｅ ｏｒｇａｎｉｃ−ｏｎ−ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ ｍｅｍｏｒｙ ｅｌｅｍｅｎｔ ｕｔｉｌｉｚｉｎｇ ａ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｐｏｌｙｍｅｒ ｆｕｓｅ ｏｎ ａ ｄｏｐｅｄ ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ”ｉｎ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、 ｖｏｌｕｍｅ ８４（２４）、ｐａｇｅｓ ５０１９−５０２１（２００４）ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ ｄａｔｅ Ｊｕｎｅ １４，２００４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
発明の側面（ASPECTS OF THE INVENTION）
以上から本発明の側面は、廉価な不揮発性メモリー素子を提供することである。
【００１８】
以上から本発明の更に進んだ側面は、タグ、ラベル又はパッケージのプリンティング工程又はパッケージング工程自体に容易に組み込まれ得る、情報を記憶する容易で廉価な手段を実現することである。
【００１９】
本発明の更に進んだ側面は、自身を環境的にやさしい廃棄に帰させることが出来て、情報を記憶する容易で廉価な手段を実現することである。
【００２０】
本発明の更に進んだ側面は、ビットライン（例えば、第１電極）が導電性又は半導電性材料（electrical conducting or semiconducting）の実質的にストリップの様な構造体（strip-like structure）の形で提供され、ワードライン（例えば、第２電極）が導電性又は半導電性材料の実質的にストリップの様な構造体の形で、該ビットラインの上に提供され、そして分離材料（isolating material）が、該２つの電極平面（electrode planes）が直接の物理的及び電気的接触無しに相互に交叉（intersect each other）するよう、該第１及び第２電極間に提供され、そして導電性又は半導電性材料が該第１及び第２電極の予め選択された交点（preselected crossing points）に提供され、電気的相互接続（electrical interconnect）｛導電性ブリッジ（conductive bridge）｝を行うため該第１及び第２両電極と接触（contacting）する、ことを特徴とする電子的装置（electronic device）を実現（realize）することである。
【００２１】
本発明の更に進んだ側面と利点はこの後の説明から明らかになるだろう。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明の概要（SUMMARY OF THE INVENTION）
第１のパターン化した電極システム（first patterned electrode system）と、第２のパターン化した電極システム（second patterned electrode system）と、該第１のパターン化した電極システムと該第２のパターン化した電極システムの間の絶縁システム（insulating system）と、そして該第１のパターン化した電極システムと第２のパターン化した電極システムの間の少なくとも１つの導電性ブリッジ（conductive bridge）を具備する要素であるが、該少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く（absence）場合は該第１及び該第２電極システム間の直接の電気的接触は無い該要素が、従来のプリンティング工程（printing processes）でプリント可能（printable）であることが驚くべきことに見出された。
【００２３】
本発明の側面は、第１電極システムと、絶縁システムとそして第２電極システムを具備し、該第１及び第２電極システムがパターンシステムである、受動記憶要素（passive memory element）により実現されるが、そこでは該第１電極は該第２電極システムから絶縁され、少なくとも１つの導電性ブリッジが該第１及び第２電極システム間に存在し、そして該システム及び該導電性ブリッジは従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である。
【００２４】
又本発明の側面は、少なくとも１つの受動記憶要素と、受動記憶要素を提供されるその少なくとも１つの側上に非導電面（non-conductive surface）を有するサポート（support）と、を具備する第１受動記憶装置により実現されるが、該受動記憶要素は第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、該第１のパターン化した電極システム及び該第２のパターン化した電極システムの間のパターン化した絶縁システムと、を備えており、該第１のパターン化した電極システムと該第２のパターン化した電極システムとの間には少なくとも１つの導電性ブリッジがあり、そこでは該少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は、該第１及び該第２のパターン化した電極システム間には直接の電気的接触は無く、そしてそこでは該受動記憶要素は従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である。
【００２５】
又本発明の側面は、少なくとも１つの受動記憶要素と、該受動記憶要素を提供されるその少なくとも１つの側上に非導電面を有するサポートと、を具備する第２受動記憶装置により実現されるが、該受動記憶要素は少なくとも１つの導電性ブリッジによりブリッジ（bridged）される１連の遮断された導電性又は半導電性ラインを有しており、そこでは該受動記憶要素は従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である。
【００２６】
又本発明の側面は、受動記憶装置を提供する第１工程により実現されるが、該受動記憶装置は少なくとも１つの受動記憶要素と、サポートと、を具備しており、該サポートは受動記憶要素を提供されるその少なくとも１つの側上に非導電面か又はパターン化可能な導電性層（conductive layer）か何れかを備えており、該受動記憶要素は第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、該第１のパターン化した電極システムと該第２のパターン化した電極システムの間の絶縁システムと、そして該第１のパターン化した電極システムと該第２のパターン化した電極システムの間の少なくとも１つの導電性ブリッジと、を備えており、そしてそこでは該少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は該第１及び第２電極システム間に直接の電気的接触は無い状況で、該第１工程は、該サポートの該非導電面上又は該サポート上の該パターン化可能な導電層内、に第１電極パターンを実現する過程と、該第１電極パターン上に絶縁パターンを提供する過程と、該絶縁パターン上に第２の電極パターンを提供する過程と、そして予め指定された点（predesignated points）で該第１電極パターンと該第２電極パターンの間の電気的接触を提供する過程と、を具備しており、そこでは該過程の少なくとも１つは従来のプリンティング工程により実現される。
【００２７】
又本発明の側面は、受動記憶装置を提供する第２工程により実現されるが、該受動記憶装置は少なくとも１つの受動記憶要素とサポートとを具備しており、該サポートは受動記憶要素を提供されるその少なくとも１つの側上に非導電面か又はパターン化可能な導電層
か何れかを備えており、該受動記憶要素は第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、該第１のパターン化した電極システムと該第２のパターン化した電極システムの間の絶縁システムと、そして該第１のパターン化した電極システムと該第２のパターン化した電極システムの間の少なくとも１つの導電性ブリッジと、を備えており、そしてそこでは該少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は該第１及び第２電極システム間に直接の電気的接触は無い状況で、該第２工程は、該サポートの該非導電面上又は該サポート上の該パターン化可能な導電層内、に第１電極パターンを実現する過程と、該第１のパターン化した電極システム上に絶縁システムを提供する過程と、第２サポートの該非導電面上又は該第２サポート上の該パターン化可能な導電層内に第２の電極パターンを提供する過程と、該絶縁パターンシステムを該第２電極パターンと接触させると、該予め指定された点で該第１電極パターンと該第２電極パターンの間の電気的接触が実現されるよう、該第１及び／又は第２電極パターンシステム上に導電性パッド（conductive pads）を提供する過程と、そして該第１電極パターンと該第２電極パターンの間の電気的接触が該予め指定された点で実現されるよう該絶縁パターンシステムを該第２電極パターンシステムと接触させる過程と、を具備しており、そこでは該過程の少なくとも１つは従来のプリンティング工程により実現される。
【００２８】
本発明の好ましい実施態様は本発明の詳細な説明で開示される。
発明の詳細な説明（DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION）
定義（Definitions）
用語、受動的メモリー（passive memory）は、本発明の開示で使われる時、不揮発性メモリー（non-volatile memory）、すなわち、読み出し専用メモリー（read-only memory）を意味し、可逆メモリー（reversible memories）から区別されるべきである。
【００２９】
用語、“サポート（support）”は、本発明の開示で使われる時、サポート上でコートされるがそれ自身では自己支持しない“層（layer）”からそれを区別するため“自己支持材料（self-supporting material）”を意味する。又それは第１電極パターンシステムへの接着（adhesion）に必要な何等かの処理、又は該接着を助けるべく付けられる層を含む。
【００３０】
用語、プリント可能な（printable）は、本発明の開示で使われる時、従来のインパクト（impact）及び／又はノンインパクト（non-impact）のプリンティング工程によりプリントされることが出来ることを意味し、例えば、特許文献１２で開示される様にプリンティング工程中、例えば、酸化又は還元により、導電面層がパターン化される工程を含むが、従来のエレクトロニクス（electronics）、例えば、シリコンベースのエレクトロニクスの生産で使われる蒸発（evaporation）、エッチング（etching）、拡散（diffusion）工程の様な工程は除く。
【００３１】
用語、従来のプリンティング工程（conventional printing processes）は、本発明の開示で使われる時、インクジェットプリンティング、インタグリオプリンティング（intaglio printing）、スクリーン（screen）プリンティング、フレキソグラフィック（flexographic）プリンティング、オフセット（offset）プリンティング、スタンプ（stamp）プリンティング、グラビヤ（gravure）プリンティング、静電記録（electrophotographic）、電子製版（electrographic）そして感熱及びレーザー誘起工程（thermal and laser-induced processes）を含むがそれらに限定されない。
【００３２】
用語、インパクトプリンティングは、本発明の開示で使われる時、該プリントが作られる媒体（medium）と、該プリンティングシステム、例えば、デージーホイール（daisy-wheel）、ドットマトリックス（dot-matrix）そしてラインプリンター（line printers）の様にインクリボンを打つことにより作動するプリンター、そして感熱ヘッド内の加熱要素との直接接触によりサーモグラフイック材料（thermographic material）がプリントされる直接式感熱プリンター（direct thermal printers）そしてオフセット、グラビヤ又はフレキソグラフィックプリンティングの様にマスターが望まれる画像又は形状に対応する範囲上のインク層でカバーされ、その後該インクが該媒体に転送されるプリンター、との間で接触が行われるプリンティング工程を意味する。
【００３３】
用語、ノンインパクトプリンティング工程（non-impact printing process）は、本発明の開示で使われる時、例えば、プリントが該プリント媒体を打つ必要無しに作られる電子製版プリンター、静電記録プリンター、レーザープリンター、インクジェットプリンターの様に、該プリントが作られる媒体と該プリンティングシステムとの間で接触が行われないプリンティング工程を意味する。
【００３４】
用語、導電性ブリッジ（conductive bridge）は、本発明の開示で使われる時、サポートの非導電性面上で第２電極パターンシステムと第１電極パターンシステムの間の瞬時的電気的接触（ins tantaneous electrical contact）を提供する、又はその実現時該第１電極パターンとの瞬時的電気的接触及び該第２電極パターンとの瞬時的電気的接触を提供する、又はサポートの非導電面上で該第１電極パターンシステムと瞬時的電気的接触を提供する該第２電極パターンシステムの必須部分である、又はその実現時該第２電極パターンと瞬時的電気的接触を提供する該第１電極パターンシステムの必須部分である、何等かの形状を有する導電性小球（conductive blob）を意味する。
【００３５】
用語、パターンは、本発明の開示で使われる時、不連続層（non-continuous layer）を意味し、それはどんな形のライン、方形、円又は何等かのランダム形状であってもよい。
【００３６】
用語、層は、本発明の開示で使われる時、例えば、サポートと呼ばれる実体（entity）の全範囲をカバーするコーティングを意味する。
【００３７】
用語、メタライズされたサポート（metallized）は、本発明の開示で使われる時、その少なくとも１面が、例えば、積層（lamination）、金属箔（metal foil）の取り付け、スパッタリング（sputtering）そして蒸発（evaporation）の様な、当業者に公知の何等かの工程により金属でカバーされたサポートを意味する。
【００３８】
用語、絶縁層は、本発明の開示で使われる時、導電層の分離に使われる高電気抵抗を有する層であり、該層は該絶縁層のどちらかの側と隣接する導電層間の望ましくない電流流れを防止し、特に５Ｖの電圧で測定して５μＡより少ない２電極間漏洩電流を提供する層である。
【００３９】
用語、導電性（conductive）は、材料の電気抵抗に関係し、層の電気抵抗は面抵抗（surface resistance）ＲＳの用語で一般的に表される｛単位オーム（Ω）；オーム／平方として指定されることが多い｝。代わりに、該導電性は比（容積）抵抗率｛specific（volume）resistivity｝ＲＶ＝ＲＳ・ｄの用語で表されてもよく、ここでｄは層の厚さであり、ＲＶ又はρはオーム−ｃｍの単位である。用語、導電性は、本発明の開示で使われる時、１０６オーム／平方より小さい、好ましくは１０４オーム／平方より小さい面抵抗を有するか、又は１０２オームｃｍより小さい、好ましくは１オームｃｍより小さい比抵抗率を有する材料を意味する。
【００４０】
用語、クロストーク（crosstalk）は、本発明の開示で使われる時、代わりの電流通路（alternative current paths）から生じた、本発明の受動記憶装置内に記憶された他のビットの影響に帰せられるビットの誤解釈（misinterpretation）を意味する。
【００４１】
用語、本質的に導電性のポリマー（intrinsically conductive polymer）は、本発明の開示で使われる時、（ポリ）−共役パイ−電子システム｛（poly）-conjugatedπ-electron systems｝｛例えば、２重結合（double bonds）、芳香族（aromatic）又はヘテロ芳香族（heteroaromatic）環（rings）又は３重結合（triple bonds）｝を有し、その導電特性が相対湿度の様な環境要因により影響されない有機ポリマーを意味する。
【００４２】
用語、透明性（transparent）は、本発明の開示で使われる時、入射光の少なくとも７０％をそれを拡散することなく透過させる性質を有することを意味する。
【００４３】
用語、柔軟性（flexible）は、本発明の開示で使われる時、例えばドラムの様なカーブした物体（o bject）の曲率に、破壊されることなく従うことが出来ることを意味する。
【００４４】
ピーイーデーオーテー（PEDOT）は、本発明の開示で使われる時、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を表す。
【００４５】
ピーエスエス（PSS）は、本発明の開示で使われる時、ポリ（poly）｛スチレンスルフォン酸（styrene sulfonic acid）｝又はポリ（poly）｛スチレンスルフォン酸塩（styrene sulfonate）｝を表す。
【００４６】
ピーエイエヌアイ（PANI）は、本発明の開示で使われる時、ポリアニリン（polyaniline）を表す。
【００４７】
用語、クロスバー（cross-bar）又はマトリックスは、本発明の開示で使われる時、両電極面が実質的にストリップの様であり、何等かの角度で、好ましくは３０度より大きい角度で、そして特に好ましくは約９０度の角度で、相互に重畳する２つの重なり合う電極面（overlaying electrode planes）の構造を意味する。
受動記憶要素（Passive memory element）
本発明の側面は、第１電極システムと、絶縁システムとそして第２電極システムを具備し、該第１及び第２電極システムがパターンシステムであり、そこでは該第１電極は該第２電極システムから絶縁され、該第１及び第２電極システムの間に少なくとも１つの導電性ブリッジが存在し、そして該システムと該導電性ブリッジは従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である様な、受動記憶要素により実現される。
【００４８】
本発明の該受動記憶要素の第１の実施態様に依れば、該受動記憶要素はマトリックス（matrix）記憶装置である。
【００４９】
本発明の該受動記憶要素の第２の実施態様に依れば、該第１のパターン化した電極システムと、該第２のパターン化した電極システムとそして該第１のパターン化した電極システムの間の該絶縁パターンシステムと、の少なくとも２つはクロスバーシステムの形であるが、好ましくは該絶縁パターンシステムと該第２のパターン化した電極システムが共に該第１のパターン化した電極システムに対し実質的に直交しているのがよい、該クロスバーシステムの形である。
【００５０】
本発明の該受動記憶要素の第３の実施態様に依れば、該受動記憶要素は第１の電極システムと、絶縁システムとそして第２の電極システムとを具備し、該第１電極システムは該第２電極システムから絶縁されており、該第１電極システムがパターンシステムである時該第１及び第２電極システムの間に少なくとも１つの導電性ブリッジが存在し、該システムと該導電性ブリッジとは従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である。
【００５１】
受動記憶要素−動作（Passive memory element-operation）
本発明は、プリンティング工程により製作可能である少なくとも１つの簡単な受動記憶
要素を具備し、予め選択された交点でワードラインとビットラインの間の電気的相互接続（electrical interconnects）（導電性ブリッジ）を提供することにより情報が記憶される受動記憶装置を提供する。該ワードラインと該ビットワインは、該電極の該交点の絶縁材料により相互から電気的に絶縁される。交点に於ける導電材料のプリンティングにより導電性ブリッジがワードラインとビットラインの間に形成される。データの読み出し（Readout）は各ビットライン−ワードライン組み合わせ間の抵抗を測定することにより達成される。該抵抗率は接触して電気的に又は静電容量的に読み出され得て、２進コードの論理値（logical values in a binary code）に対応する。
【００５２】
本発明の該受動記憶装置での該受動記憶要素の構造は、電気的に導電性であるか又は半導電性の材料（electrically conducting or semiconducting material）の実質的にストリップの様な構造体の形であり、その第１及び第２電極の間に、該２電極面が直接の物理的及び電気的接触無しに相互に交叉するよう、絶縁材料を備え、そして該第１及び第２電極の予め選択された交点に提供され、導電性ブリッジを作るため該第１及び第２の両電極に接触する導電性又は半導電性材料を備えるビットラインとワードラインのマトリックスを具備するのが好ましい。
【００５３】
本発明のもう１つの側面は、ワードライン及びビットラインの間の抵抗の連続測定値（subsequent measurement）による記憶装置内の内密情報（covert information）の検索（retrieval）に関しており、そこでは導電性ブリッジに対応する低抵抗は１つの２進状態を示し、導電性ブリッジ無しの交点に対応する高抵抗は第２の２進状態を示す。
【００５４】
当業者により認識される様に、該交点にはダイオード構造体は存在せず、それにより代わりの電流通路が形成されることを可能にする。本発明の該受動記憶要素では、１つの選択されたワードラインと１つの選択されたビットラインの間に電圧が印加される。該選択されたワードラインと該選択されたビットラインの間で予め指定された交点にもし導電性ブリッジが存在しないならば、比較的小さい電流が流れるか又は電流は全然流れないだろう。しかしながら、該受動記憶要素の予め指定された交点にもし導電性ブリッジがあれば、電流は３つ以上の導電性ブリッジを通る代わりの通路（alternative pathway）を経由して流れる。この現象は例えば特許文献１３で説明されている。この課題を迂回する（circumvent）１つの方法は各導電性ブリッジに整流ダイオード（rectifying diodes）を使うことである。
【００５５】
不運なことに、従来の技術でこれを達成することは複雑で、能動的（active）マトリックスメモリー及び受動的マトリックスメモリーに勝る競争可能な利点を与えない。代わりに、整流ダイオードを使わず、代わりの電流通路を許容してもよい。導電性ブリッジが創られる交点を注意深く選択することは代わりの電流通路を防止することが出来る。これは記憶される情報の量を制限するが、少ない情報を含有すること（low information content）で満足する応用品用には採用可能である。該導電性ブリッジの抵抗がビットライン及びワードラインの抵抗より著しく高い場合は、交点での‘真の（true）’導電性ブリッジと、より小さい電流に帰着する３つの導電性ブリッジを通る代わりの電流通路による見かけ（false）の読み値と、の間の区別（discrimination）は可能である。
【００５６】
受動記憶装置構成（Passive memory device-configuration）
又本発明の側面は、少なくとも１つの受動記憶要素と、受動記憶要素を提供されるその少なくとも１つの側上に非導電面を有するサポートと、を具備し、該受動記憶要素が、第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、該第１のパターン化した電極システムと該第２のパターン化した電極システムの間のパターン化した絶縁システムと、を備え、該第１のパターン化した電極システムと該第２のパターン化した電極システムの間に少なくとも１つの導電性ブリッジがあり、該少なくとも１つの導電
性ブリッジを欠く場合は、該第１及び第２のパターン化した電極システムの間に直接の電気的接触は無く、そして該システムと該導電性ブリッジは従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である様な、第１の受動記憶装置により実現される。
【００５７】
又本発明の側面は、少なくとも１つの受動記憶要素と、受動記憶要素を提供されるその少なくとも１つの側上に非導電面を有するサポートと、を具備し、該受動記憶要素が少なくとも１つの導電性ブリッジによりブリッジされる１連の遮断された導電性又は半導電性ラインを備え、該受動記憶要素が従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である、第２の受動記憶装置により実現される。
【００５８】
本発明の該受動記憶装置の第１の実施態様に依れば、該受動記憶要素はマトリックス記憶装置である。
【００５９】
本発明の該受動記憶装置の第２の実施態様に依れば、該第１のパターン化した電極システムと、該第２のパターン化した電極システムと、そして該第１のパターン化した電極システムの間の該絶縁パターンシステムと、の少なくとも２つはクロスバーシステムの形であり、好ましくは該絶縁パターンシステムと該第２のパターン化した電極システムは共に、該第１のパターン化した電極システムに対し実質的に直交しているのがよい。
【００６０】
本発明の該受動記憶装置の第３の実施態様に依れば、該サポート及び第２サポートは柔軟か、又は、堅いプラスチック、ガラス、ペーパー、ボード（board）、カートン（carton）又はこれらの材料の何れかの複合材料（composite material）とすることが出来る。
【００６１】
本発明の該受動記憶装置の第４の実施態様に依れば、該電極は、プリンティング工程により付着させられ得る導電性又は半導電性材料であるか、又は金属の又はメタライズされたサポートの導電面である。適当な導電性及び半導電性材料は導電性金属（例えば、銀ペースト）、導電性金属合金、導電性金属酸化物、半導電性金属酸化物そして真性として導電性の有機ポリマー（intrinsically conductive organic polymer）（例えば、ポリアニリン、ＰＥＤＯＴ）、カーボンブラックに基づく導電性インクを含む。真性として導電性の有機ポリマーに基づく導電性インクは、その可視光の低い吸収のために特に好ましいＰＥＤＯＴ：ＰＳＳに基づくインクを有するのが好ましい。適当な金属性サポートはアルミニウムシート、銅シートそしてステンレス鋼シートである。
【００６２】
本発明の該受動記憶装置の第５の実施態様に依れば、該第１のパターン化した電極システムと、該第２のパターン化した電極システムとそして該第１のパターン化した電極システムの間の該絶縁システムと、の少なくとも１つと、そして該少なくとも１つの導電性ブリッジと、は透明である。
【００６３】
本発明の該受動記憶装置の第６の実施態様に依れば、該第１及び第２のパターン化した電極システムの少なくとも１つと該少なくとも１つの導電性ブリッジと、は無機導電性媒体、例えば、金属、半導電性金属酸化物そしてカーボンか、又は有機導電性媒体、例えば、真性として導電性の有機ポリマーを含む。
【００６４】
本発明の該受動記憶装置の第７の実施態様に依れば、該第１及び第２のパターン化した電極システムの少なくとも１つと該少なくとも１つの導電性ブリッジとは、真性として導電性の有機ポリマーである有機導電性媒体を含む。
【００６５】
本発明の該受動記憶装置の第８の実施態様に依れば、該第１及び第２のパターン化した電極システムの少なくとも１つと該少なくとも１つの導電性ブリッジと、はポリチオフェン（polythiophene）、ポリアニリン（polyaniline）又はポリピロール（polypyrrole）
を含む。
【００６６】
本発明の該受動記憶装置の第９の実施態様に依れば、該第１及び第２のパターン化した電極システムの少なくとも１つと該少なくとも１つの導電性ブリッジとはポリ（３，４−ジオキシアルキレンチオフェン）｛poly（3,4-dioxyalkylenethiophene）｝を含む。
【００６７】
本発明の該受動記憶装置の第１０の実施態様に依れば、該第１及び第２のパターン化した電極システムの少なくとも１つと該少なくとも１つの導電性ブリッジとはポリ（３，４−ジオキシエチレンチオフェン）｛poly（3,4 -dioxyethylenethiophene）｝を含む。
【００６８】
本発明の該受動記憶装置の第１１の実施態様に依れば、該第１及び第２のパターン化した電極システムの少なくとも１つと該少なくとも１つの導電性ブリッジとはカーボンを含む。
【００６９】
本発明の該受動記憶装置の第１２の実施態様に依れば、該第１及び第２のパターン化した電極システムと該少なくとも１つの導電性ブリッジとは金属、例えば、銀又は金を含む。
【００７０】
本発明の該受動記憶装置の第１３の実施態様に依れば、該第１及び第２のパターン化した電極システムの少なくとも１つと該少なくとも１つの導電性ブリッジとは半導電性金属酸化物又はドープされた金属酸化物、例えば、五酸化バナジウム（vanadium pentoxide）、酸化インジウム錫（indium tin oxide）又は金属アンチモン酸塩（metal antimonate）を含む。
【００７１】
該電極及び導電性ブリッジの導電率は、導電性ブリッジの無い交点を通して測定される電流より著しく高い電流が、導電性ブリッジを通して流れるのに充分である必要がある。該抵抗は平方当たり１から１００，０００オームの範囲にあるのが好ましく、平方当たり２０，０００オームより低いことがより好ましい。該電極のライン幅は５から１０００μｍの範囲にあり、より好ましくは１００から５００μｍであるのがよい。分離用ストリップのライン幅は１０から１００００μｍの範囲内、より好ましくは１００から５０００μｍの範囲内とすることが出来る。
【００７２】
該記憶装置内の‘導電性ブリッジ’の位置は各デバイス用に種々であってもよく、かくして名前、住所、生年月日（date of birth）、他の様な個人占有の／個人的な情報（personalized/individual information）、又は製品の製造日付／時刻及び値段（pricing）を記憶してもよい。
【００７３】
本発明の該受動記憶装置の第１４の実施態様に依れば、該受動記憶装置は透明であり、それにより支援されない眼（unaided eye）には殆ど不可視（invisible）である。これは該電極及び‘導電性ブリッジ’用の導電性材料として例えばＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを使い、そして透明分離材料、例えば、透明ユーブイ硬化性インク（transparent UV-curable ink）を使うことにより実現出来る。
【００７４】
本発明の該受動記憶装置の第１５の実施態様に依れば、該‘導電性ブリッジ’はカラー化され、例えば、カーボンブラックベースのインクを使うことにより黒色にされる。
【００７５】
本発明の該受動記憶装置の第１６の実施態様に依れば、該‘導電性ブリッジ’の配置を視覚的に隠すために、導電性ブリッジを有しない残りの交点上に非導電性の黒いブリッジがプリントされてもよい。該導電性及び非導電性ブリッジは、例えば、染料（dyes）又は顔料（pigments）を付加することによりどんなカラーを有してもよい。
【００７６】
本発明の該受動記憶装置の第１７の実施態様に依れば、該記憶装置は、該‘導電性ブリッジ’の配置を視覚的に隠すために、画像又は均一にカラー化された又は不透明の層で重ねプリント（overprinted）される。
【００７７】
本発明の該受動記憶装置の第１８の実施態様に依れば、該‘導電性ブリッジ’の配置を視覚的に隠すために、該記憶装置上にカラー化された又は不透明のフォイル（foil）が積層される。
【００７８】
本発明の該受動記憶装置の第１９の実施態様に依れば、該受動記憶装置は１つ以上の安全の特徴、例えば、磁気的、赤外線吸収性、サーモクロミック（thermochromic）、フォトクロミック（photochromic）、コイン反応性（coin-reactive）、光学的可変性（optically variable）、蛍光性又はリン光性の、化合物等に基づく安全インク（security inks）と組み合わされてもよく、同位元素（isotope）、デーエヌエイ（DNA）、抗体（antibodies）又は特定の検出可能な試薬等に基づく化学的又は生物学的なタガント（taggant）が該記憶装置の層の１つに含まれることが可能である。該記憶装置はホログラム（hologram）、いじくり防止安全フイルム（tamper proof security film）、バーコード等で上をコートされる（overcoated）か、上にプリントされて（overprinted）もよい。本発明の該記憶装置は安全ペーパー（security paper）上にプリントされてもよい。
【００７９】
本発明の該受動記憶装置の第２０の実施態様に依れば、導電性ブリッジの数は少なくとも２つである。
【００８０】
本発明の該受動記憶装置の第２１の実施態様に依れば、該サポートは非金属性か（non-metallic）又はメタライズされない（non-metallized）サポートである。
【００８１】
本発明の該受動記憶装置の第２２の実施態様に依れば、該記憶装置は金属性シリコンを除く。
【００８２】
本発明の該第１の受動記憶装置の第２３の実施態様に依れば、該第１の受動記憶装置は非金属性又はメタライズされないサポートと、該サポートの少なくとも１つの側上の受動記憶要素と、を具備しており、該受動記憶要素は第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、該第１のパターン化した電極システム及び該第２のパターン化した電極システムの間のパターン化した絶縁システムと、を備え、該第１のパターン化した電極システム及び該第２のパターン化した電極システムの間には少なくとも１つの導電性ブリッジがあり、そこでは該受動記憶要素は、従来のプリンティング工程を用いて製作可能で、シリコン金属を除いており、そして該少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は該第１及び第２のパターン化した電極システムの間には直接の電気的接触は無い。
【００８３】
本発明の該第２の受動記憶装置の第２３の実施態様に依れば、該第２の受動的装置はシリコンを除いており、該第２の受動記憶装置はその少なくとも１つの側上に受動記憶要素を提供された非金属性又はメタライズされないサポートを具備しており、該受動記憶要素は、少なくとも１つの導電性ブリッジによりブリッジされた１連の遮断された導電性又は半導電性ラインを備え、そこでは該受動記憶要素は従来のプリンティング工程を用いてプリント可能である。
【００８４】
絶縁システム（Insulating Systems）
用語、絶縁システムは、本発明の開示で使われる時、恒久的に絶縁するシステム、すなわち、その特性が普通の周囲条件下で変更出来ず（unchangeable）、その抵抗が高電圧電
気パルスを印加することにより変更不可能な、システムを意味しており、そして特許文献４で開示される様に、その導電率がドーピングにより影響される半導電層と、その導電性状態が、特許文献５で開示される様に、各々が該絶縁システムの側の１つと連続する隣接する第１及び第２電極の間の比較的大きな電位の印加時、変化し得る導電性有機ポリマーと、を除く。
【００８５】
適当な絶縁材料は無機及び有機材料であり、例えば、アクリル酸エステル（acrylates）、オレフィン、メタアクリル酸エステル（methacrylates）、アクリルアミド（acrylamides）、メタアクリルアミド（methacrylamides）、アクリロニトリル（acrylonitrile）、塩化ビニル、ビニルアルコール、塩化ビニリデン（vinylidene chloride）、フッ化ビニル（vinyl fluoride）、フッ化ビニリデン（vinylidene fluoride）、他のフッ化エチレン化合物、ビニルアセタール、ビニルアセテート、スチレンそしてブタジエンから成る群から選択されたホモポリマー（homopolymers）及びコーポリマー（copolymers）の様なポリマー性材料（polymeric materials）、シリカ、アルミナ、アルミナ水和物（alumina hydrates）の様な無機フィラー、そしてガラスファイバーの様な無機ファイバーである。又該絶縁システムはユーブイ硬化性（UV-curable ink）のインク又はワニスとすることが出来る。
【００８６】
該受動記憶装置を作る工程（Processes for producing the memory passive device）
本発明の側面は受動記憶装置を提供する第１の工程により実現され、該受動記憶装置はサポートと、該サポートの少なくとも１つの側上の受動記憶要素と、を具備しており、該受動記憶要素は第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、該第１のパターン化した電極システム及び該第２のパターン化した電極システムの間の絶縁システムとそして該第１のパターン化した電極システム及び第２のパターン化した電極システムの間の少なくとも１つの導電性ブリッジを備えており、そしてそこでは該少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は、該第１及び該第２電極システムの間には直接の電気的接触は無い、該第１の工程は、非金属性の又はメタライズされないサポート上に第１の電極パターンを実現する過程と、該第１の電極パターン上に絶縁パターンを提供する過程と、該絶縁パターン上に第２の電極パターンを提供する過程と、そして予め指定された点で該第１の電極パターン及び第２電極パターンの間に電気的接触を提供する過程と、を具備しており、該過程の少なくとも１つは従来のプリンティング工程で実現される。
【００８７】
又本発明の側面は受動記憶装置を提供する第２の工程により実現されるが、該受動記憶装置は非金属性の又はメタライズされないサポートと、該サポートの少なくとも１つの側上の受動記憶要素と、を具備し、該受動記憶要素は第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、該第１のパターン化した電極システム及び該第２のパターン化した電極システムの間の絶縁システムとそして該第１のパターン化した電極システム及び第２のパターン化した電極システムの間の少なくとも１つの導電性ブリッジを備えており、そしてそこでは該少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は、該第１及び該第２電極システムの間には直接の電気的接触は無い、該第２の工程は、非金属性の又はメタライズされないサポート上に第１の電極パターンを実現する過程と、該第１のパターン化した電極システム上に絶縁システムを提供する過程と、第２の非金属性の又はメタライズされないサポート上に第２の電極パターンを提供する過程と、該絶縁パターンシステムを該第２電極パターンと接触させた時、該予め指定された点で該第１電極パターン及び該第２電極パターンの間の電気的接触が実現されるよう該第１又は第２電極パターンシステム上に電気的接触を提供する過程と、そして該予め指定された点で該第１電極パターン及び第２電極パターンの間の電気的接触が実現されるよう該絶縁パターンシステムを第２電極パターンシステムに接触させる過程と、を具備しており、該過程の少なくとも１つはプリンティング工程で実現される。該絶縁パターンシステムと該第２電極システムの間の該接触は、タッチ適用（touch application）に於ける様に１時的でも、或いは積層の場合に於ける様に恒久的でもよい。
【００８８】
該記憶装置内の全ての層、ビットライン、絶縁パターンシステム、ワードラインそして‘導電性ブリッジ’は、インクジェットプリンティング、インタグリオプリンティング、スクリーンプリンティング、フレキソグラフィックプリンティング、オフセットプリンティング、スタンププリンティング、グラビヤプリンティングそして感熱及びレーザー誘起工程を含むがそれらに限定されない従来のプリンティング工程により付けられ得る。１つのプリンティング工程が該記憶装置内の全層用に使われるか又は２つ以上のプリンティング工程の組み合わせが使われるか何れかである。
【００８９】
本発明の該工程の第１の実施態様に依れば、該工程は少なくとも１つのプリティング過程を含む。
【００９０】
本発明の該工程の第２の実施態様に依れば、従来のプリンティング工程は非インパクトプリンティング工程、例えば、インクジェットプリンティング、静電記録プリンティング（electrophotographic printing）そして電子製版プリンティング（electrographic printing）である。
【００９１】
本発明の該工程の第３の実施態様に依れば、従来のプリンティング工程はインパクトプリンティング工程、例えば、オフセットプリンティング、スクリーンプリンティング、フレキソグラフィックプリンティング、そしてスタンププリンティングである。
【００９２】
本発明の該工程の第４の実施態様に依れば、従来のプリンティング工程は、インクジェットプリンティング、インタグリオプリンティング、スクリーンプリンティング、フレキソグラフィックプリンティング、オフセットプリンティング、スタンププリンティング、グラビヤプリンティング、静電記録プリンティング、電子製版プリンティングそして感熱及びレーザー誘起工程から成る群から選択される。
【００９３】
本発明の該工程の第５の実施態様に依れば、該第１電極パターン、該絶縁パターン、該第２電極パターンそして該少なくとも１つの導電性ブリッジはインクジェットプリンティングにより行われる。
【００９４】
本発明の該工程の第６の実施態様に依れば、該第１電極パターン、該絶縁パターン、該第２電極パターンそして該少なくとも１つの導電性ブリッジはフレキソグラフィックプリンティングにより行われる。
【００９５】
本発明の該工程の第７の実施態様に依れば、該受動記憶装置は金属シリコンを除く。
【００９６】
本発明の該第１工程の第８の実施態様に依れば、該第１のパターン化した電極システム及び第２のパターン化した電極システムの間の電気的接触の提供は、該第２のパターン化した電極のプリンティングと同じ工程で実現され、例えば、該絶縁パターンシステム内の開口部（openings）を通して該第２電極パターンシステム及び第１電極パターンシステムの間で直接的に、又は該第１電極パターンシステムへの予め存在する（pre-existing）導電性ブリッジか又は該第２電極パターンシステムと一緒にプリントされた（copinted）導電性ブリッジを経由して実現される。
【００９７】
本発明の該第１工程の第９の実施態様に依れば、該第１電極パターン、該絶縁パターン、該第２電極パターンそして該少なくとも１つの導電性ブリッジは同じでもよい又は異なってもよいプリンティング工程により各々が行われる。
【００９８】
本発明の該第１工程の第１０の実施態様に依れば、該第１電極パターン、該絶縁パターン、該第２電極パターンそして該少なくとも１つの導電性ブリッジは同じプリンティング工程により行われる。
【００９９】
本発明の該第１工程の第１１の実施態様に依れば、該導電性ブリッジは該第１電極パターンシステム、該第２電極パターンシステム又は該絶縁パターンシステムと同じ工程の過程で実現され得る。
【０１００】
本発明の該第１工程の第１２の実施態様に依れば、該第１電極パターン及び第２電極パターンの間の予め選択された交点上に導電性ブリッジを付けることにより情報を記憶する過程は該第１電極パターンシステム、該絶縁パターンシステムそして該第２電極パターンシステムを提供するそれと同じプリンティングラインで行われる。
【０１０１】
本発明の該第１工程の第１３の実施態様に依れば、該第１電極パターン及び第２電極パターンの間の予め選択された交点上に導電性ブリッジを付けることにより情報を記憶する過程は該第１電極パターン、該絶縁パターンそして該第２電極パターンを提供するそれと同じプリンティングラインでは行われない。
【０１０２】
本発明の該工程に依るプリンティングは、パッケージ（package）上、ラベル、チケット（ticket）、ＩＤカード（ID-card）、銀行カード（bank card）、法的文書（legal document）そして紙幣（banknotes）上で直接行われ得る。該記憶装置は識別システム（identificatoin system）、安全の特徴（security feature）、偽造防止の特徴（anti-counterfeiting feature）として作動してもよい。
【０１０３】
本発明の該受動記憶要素はリールからリールのプリンティング（reel-to-reel printing）により廉価な方法で作られ得る。該プリンティング工程は少なくとも３つの過程、すなわち、ａ）基板上に第１電極のビットラインのプリンティングと、それにより該第１電極パターンを実現する過程と、ｂ）該第１電極上の絶縁材料のラインのプリンティングと、それにより該絶縁パターンを実現する過程と、そしてｃ）該絶縁材料上の第２電極のワードラインのオプションでのプリンティングと、それにより該２つの電極平面が、直接の物理的及び電気的接触無しで、相互に交叉するよう、該第２電極パターンを実現する過程と、から成る。情報が次いで導電性ブリッジを形成するため予め選択された交点での導電性材料の別のプリンティングにより記憶されるか、又は情報が、該受動記憶要素のプリンティングでの該第１電極パターン、第２電極パターン又は絶縁パターンの過程のプリンティングと一緒に記憶されるか何れかである。
【０１０４】
該第１電極パターン及び該第２電極パターンの間の予め選択された交点上に導電性ブリッジを付けることにより情報を記憶するこの様なオフラインの過程は、同じ又は異なる場所で、同じ時刻又は後れた時刻に、例えば、インクジェットプリンティングにより行うことが出来る。これは種々の情報を有する各受動記憶要素の個人専有化（personalization）を可能にする。
【０１０５】
本発明の該第１工程の第１４の実施態様に依れば、少なくとも該第１電極パターン、該絶縁パターンそして該第２電極パターンがリールからリールのプリンティングにより実現される。
【０１０６】
本発明の該第１工程の第１５の実施態様に依れば、該サポートは非金属性か又はメタライズされないサポートである。
【０１０７】
本発明の該第１工程の第１６の実施態様に依れば、シリコン金属を除く受動記憶装置を提供する該第１工程であるが、該受動記憶装置はサポートと、該サポートの少なくとも１つの側上の受動記憶要素と、を具備しており、該受動記憶要素は第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、該第１のパターン化した電極システム及び第２のパターン化した電極システムの間の絶縁システムとそして該第１のパターン化した電極システム及び第２のパターン化した電極システムの間の少なくとも１つの導電性ブリッジと、を備えており、該少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は、該第１及び第２電極の間には直接の電気的接触は無い状況で、該第１工程は、該非金属又はメタライズされないサポート上に第１電極パターンを実現する過程と、該第１電極パターン上に絶縁パターンを提供する過程と、該絶縁パターン上に第２電極パターンを提供する過程と、そして予め指定された点で該第１電極パターン及び該第２電極パターンの間に電気的接触を提供する過程と、を具備しており、そこでは該過程の少なくとも１つは従来のプリンティング工程で実現される。
【０１０８】
本発明の該受動記憶要素はプリンティング工程により製作可能である。情報はプリンティング工程を介して導電性ブリッジを創ることにより記憶される。図１は本発明により、受動記憶を製造するためのこの様なプリンティング工程の略図的表現である。該プリンティング工程は、例えば、４つのプリンティングステーションを有する１つのプリンティング機械で、シーケンシャルに行われる４つのプリンティング過程に分けられ得る。
【０１０９】
第１過程（図１ａ）で、導電性又は半導電性材料のストリップ（ビットライン）が適当な基板上にプリントされ、次に乾燥される。例えば、１と１０００の間でどんな数のストリップがプリントされてもよく、１つのストリップが１次元のマトリックスに帰着する。
【０１１０】
第２過程（図１ｂ）で、分離材料（isolating material）のパターンが該第１電極の頂部上に、該第１電極が該分離材料により部分的にカバーされる様な方法で、プリントされる。又該分離材料はプリンティング工程で付けられそして溶媒ベース、水ベース又はユーブイ硬化可能のインク又は適当な溶媒中の無機、有機又はポリマー材料の溶液、とすることが出来て、次に乾燥又は硬化される。
【０１１１】
第３の過程（図１ｃ）で、導電性又は半導電性材料のストリップ（ワードライン）が該分離用ストリップ上にプリントされ、次に乾燥される。該ストリップは該分離パターン上で、該第１及び第２電極の間に物理的及び電気的接触が無いように位置付けられる。該導電性又は半導電性材料は該第１電極の導電性又は半導電性材料と同じにするか又は異ならせることが出来る。これらの３つの層から形成されたデバイスは何等データを含まない‘空の（empty）’メモリーと呼ばれ得る。これらの‘空の’メモリーは１つの物理的場所でプリントされ、その後第４の過程、該メモリーデバイス内に情報の書き込み（writing）／プリンティング、がもう１つの物理的場所で又は後刻に行われる。
【０１１２】
第４の過程（図１ｄ）で、情報が該メモリーの内部に記憶されるが、それは該マトリックス内の予め選択された交点に導電性又は半導電性の材料の‘導電性ブリッジ’をプリントすることに依る。各画素（Each pixel）は、それが該予め選択された交点で該第１電極及び第２電極の両者に（部分的に）重なり合う（overlaps）よう位置付けられ、それにより電気的相互接続（electrical interconnect）又は導電性ブリッジを創る。該導電性又は半導電性材料は該電極の導電性又は半導電性材料と同じでも又は異なってもよい。
【０１１３】
図２はもう１つの実施態様を示すが、そこでは情報は最初の３つのプリンティング過程の１つと一緒にプリントされる。図２ａで、第１電極及び絶縁材料は第１の実施態様で説明された様にプリントされる。第２電極パターンは１つのプリント内に組み合わされた電極ワードラインのパターンと‘導電性ブリッジ’とから成る。これは情報の書き込みでの
追加のプリンティング過程を除くが、使われるプリンティング技術に依り、各記憶装置内に異なるデータを記憶することが可能であるか又は不可能であり、例えば、該第２電極をプリントするためにインクジェットプリンティングが使われれば可能である。代わりに、各々の交点には分離材料をプリントせず、これにより該第２電極がプリントされる時これらの場所で導電性ブリッジを創ることにより、情報は該絶縁パターン（図２ｂ）のプリンティング時に記憶され得る。第３のオプションとして、情報は又第１電極と一緒にプリントされることも出来る（図２ｃ）。このパターンは第１のオプションと類似であるが、該３つの層が逆の順序でプリントされる。
【０１１４】
もう１つの実施態様では、情報は２つ以上のプリンティング過程の組み合わせで記憶装置内に記憶され、例えば、該情報の１部分が該第１電極と共にプリントされそして第２部分が該第２電極と一緒にプリントされるか、又は、該情報の１部分が該第２電極と或いは該分離層と一緒にプリントされそして第２部分は追加の‘導電性ブリッジ’がプリントされる別のプリンティング過程でプリントされる様に、である。情報の該第１部分は製造者の名前の様な固定情報を含んでもよい一方、該第２部分は生産日付又はバッチ番号（batch number）の様に可変的（variable）であってもよい。
【０１１５】
本発明の該第１工程の第１７の実施態様に依れば、更に進んだ過程で、該第１電極パターン及び第２電極パターンの間の予め選択された交点上の該少なくとも１つの導電性ブリッジの１つ以上が非作動式（inoperative）にされる。これは化学的、熱的、電気的、機械的又は光学的の方法で行われ得る。導電性ブリッジは創生され、除去され得るので、該記憶装置は書き込み直し可能（rewritable）である。
【０１１６】
図３は該導電性ブリッジの導電率を変えることにより多数ビットレベル（multiple bit
levels）が創られるもう１つの実施態様を示す。１実施態様では、該多数ビットレベルは種々の導電率を有する‘導電性ブリッジ’をプリントすることにより創られる。これは、該‘導電性ブリッジ’の寸法又は厚さを変えることにより（図３ａ）、或いは、その化学的組成を変えることで該‘導電性ブリッジ’用に使われる導電性材料の真性の導電率（intrinsic conductivity）を変えることにより（図３ｂ）、達成出来る。もう１つの実施態様では、多数ビットレベルは、層厚さ又は化学的組成の差により達成される該分離材料の導電率の変更により、創られる（図３ｃ）。
【０１１７】
好ましい実施態様（図２）の記憶装置内に記憶され得る情報の量（amount）は、代わりの電流通路（alternative current paths）のために制限される。図４で交点Ｂ２（接触点Ｂと接触点２を経由する）を通る抵抗の測定値は高抵抗を示す筈であり、何故ならば導電性ブリッジが存在しないからである。しかしながら、電流はビットラインＢからワードライン２へ、代わりの通路経由（via an alternative pathway）で、すなわち、続く交点Ｂ１，Ａ１そしてＡ２経由で、流れるだろう。該代わりの電流通路を避ける（prevent）ためには、１つの導電性ブリッジがビットラインとワードラインの間の交点にありそして少なくとももう１つの導電性ブリッジが両方のこれらのビットラインとワードラインにある、図４に示す導電性ブリッジの構成を避けることが必要である。４ビットを有する２＊２マトリックス用では、起こり得る組み合わせの最大理論数は２４＝１６組み合わせである。代わりの電流通路のために、１２の組み合わせのみが該代わりの電流通路による見かけの読み無しに（without false readings）使われ得る。２５ビットを有する５＊５マトリックスでは、起こり得る３３．５＊１０６の理論的組み合わせの２７＊１０３のみが使われ得て、６４ビットを有する８＊８マトリックスでは、起こり得る１０１９の理論的組み合わせの約１＊１０１２のみが使われ得る。これは大抵の応用には充分だろう。より高い情報密度が必要な場合、該マトリックスの寸法が増大されるか又は相互に対し隣接して又は相互の頂部上に位置付けられた多数マトリックスが使われ得る。
【０１１８】
本発明の該第１の受動記憶装置の第２１の実施態様に依れば、該マトリックスの大きさ（size）が増加させられるか、又は相互に隣接して、又は相互の頂部上に、位置付けられた多数マトリックスが使われることが可能である。
【０１１９】
本発明の該第２工程の第８の実施態様に依れば、該サポート及び該第２のサポートは独立して非金属性又はメタライズされないサポートである。
【０１２０】
本発明の該第２工程の第９の実施態様に依れば、シリコン金属を除く受動記憶装置を提供する該第２の工程であるが、該受動記憶装置が非金属性又はメタライズされないサポートと、該サポートの少なくとも１つの側上の受動記憶要素と、を具備しており、該受動記憶要素が第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、該第１のパターン化した電極システム及び第２のパターン化した電極システムの間の絶縁システムとそして該第１のパターン化した電極１及び該第２のパターン化した電極システムの間の少なくとも１つの導電性ブリッジと、を備えており、該少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は、該第１及び第２電極システムの間に直接の電気的接触が無い状況で、該第２の工程は、該非金属性又はメタライズされないサポート上に第１電極パターンを実現する過程と、該第１のパターン化した電極システム上に絶縁システムを提供する過程と、第２の非金属性又はメタライズされないサポート上に第２の電極パターンを提供する過程と、該絶縁パターンシステムを該第２電極パターンに接触させた時該第１電極パターン及び第２電極パターンの間の電気的接触が該予め指定された点で実現されるように該第１又は該第２電極パターンシステム上に電気的接触を提供する過程と、そして該第１電極パターン及び第２電極パターンの間の電気的接触が該予め指定された点で実現されるよう該絶縁パターンシステムを該第２電極パターンシステムに接触させる過程と、を具備しており、該過程の少なくとも１つはプリンティング工程で実現される。
【０１２１】
本発明の該受動記憶装置の更に進んだ実施態様では、導電性ブリッジの導電率は電極ラインの導電率より著しく低くなるよう選択されることが可能である。人は‘真実の（tr ue）’導電性ブリッジと、代わりの電流通路に依る測定される導電性ブリッジと、の間を区別することが出来る。該電流が、１つの代わりに３つの導電性ブリッジ（抵抗）を通る代わりの電流通路を経由して流れるので、電流差は検出されることが可能である。該電極ラインの導電率は、上を電流が流れる距離により該電極ライン内の追加的抵抗を減じるよう著しく高い必要があり、これにより読み出し電流の解析はより複雑になる。
導電性スクリーンプリント用インク（Conductive screen printing ink）
特許文献１０は、中で２つのアルコキシ基は同じでもあっても又は異なってもよく或いはオプション的に置換されたオキシ−アルキレン−オキシブリッジを一緒に表してもよい３，４−ジアルコシキチオフェンのポリマー又はコーポリマーと、ポリアニリンとそして非ニュートンのバインダーと、を含む水性配合物と、上記説明の水性配合物を、オプション的にサブ（subbed）されたサポート、誘電体層（dielectric layer）、りん光体層（phosphor layer）又はオプション的に透明な導電性コーティングに塗布する過程と、そして該それで塗布された水性配合物を乾燥する過程と、を具備する導電性層を用意する方法と、該導電性層を用意するために上記説明の方法により用意された帯電防止及び導電性のコーティングと、上記説明の水性配合物を含むプリンティングインク又はペーストと、そして上記説明のプリンティングインクを提供する過程と、オプション的にサブされたサポート、誘電体層、りん光体層又はオプション的に透明な導電性コーティング上に該プリンティングインクをプリントする過程と、を具備するプリンティング工程と、を開示している。特許文献１０に開示された該スクリーンプリンティングインク配合（formulations）は特に引用によりここに組み入れられる。
【０１２２】
特許文献１４は、その２つのアルコキシ基は同じであっても、異なっても、或いはオプション的に置換されたオキシ−アルキレン−オキシブリッジを一緒に表してもよい３，４
−ジアルコキシチオフェンのポリマー又はコーポリマーを重量で０．０８から３．０％の間でと、ポリアニオンとそして少なくとも１つの非水性溶媒と、を含む配合物を、実質的に酸素無しで用意された水の中の（３，４−ジアルコキシチオフェン）の該ポリマー又はコーポリマーと該ポリアニオンと、の分散系から用意する方法であり、該方法が、ｉ）該非水性溶媒の少なくとも１つを（３，４−ジアルコキシチオフェン）の該ポリマー又はコーポリマーと該ポリアニオンと、の水性分散系と混合する過程と、そしてｉｉ）過程ｉ）で用意された該混合物から水を、その中の水の含有量（content of water）が重量で少なくとも６５％だけ減じられるまで、蒸発させる過程と、を上記順序で具備する該方法と、上記説明の方法により用意され、与えられた透明度に於ける向上した導電率を有する層を生じ得るプリンティングインク、プリンティングペースト又はコーティング配合物と、そして与えられた透明度に於ける向上した導電率を有する層をそれにより作るコーティング配合物を用いたコーティング工程と、そして与えられた透明度に於ける向上した導電率を有する層をそれにより作る該プリンティングインク又はペーストを用いたプリンティング工程とを開示する。特に特許文献１４で開示された該スクリーンプリンティングインク配合は引用によりここに組み入れられる。
【０１２３】
特許文献１５は、その２つのアルコキシ基が同じであっても、異なっても、或いはアルキル、アルコキシ、アルキオキシアルキル、カルボキシ、スルホン酸アルキル（alkylsulphonate）、スルホン酸アルキルオキシアルキル（alkyloxyalkylsulphonate）、そしてカルボキシエステル基（carboxy ester group）から成る群から選択された置換基とオプション的に置換されたオキシ−アルキレン−オキシブリッジを一緒に表してもよい３，４−ジアルコキシチオフェンのポリマー又はコーポリマーを重量で０．０８と３．０％の間でと、ポリアニオンとそして少なくとも１つのポリヒドロキシ非水性溶媒（polyhydroxy non-aqueous solvents）と、を含む配合物を、水中の（３，４−ジアルコキシチオフェン）のポリマー又はコーポリマーと該ポリアニオンとの分散系から用意する方法であるが、該方法は、ｉ）該非水性溶媒の少なくとも１つを（３，４−ジアルコキシチオフェン）の該ポリマー又はコーポリマーと該ポリアニオンの水性分散系と混合する過程と、そしてｉｉ）過程ｉ）で用意された該混合物から水を、その中の水の含有量（content of water）が重量で少なくとも６５％だけ減じられるまで、蒸発させる過程と、を上記順序で具備する該方法と、上記説明の方法により用意され、与えられた表面抵抗に於いて向上した透明度を有する層を生じることが出来るプリンティングインク、プリンティングペースト又はコーティング配合物と、与えられた表面抵抗に於ける向上した透明度を有する層をそれにより作るコーティング配合物を用いたコーティング工程と、そして与えられた表面抵抗に於ける向上した透明度を有する層をそれにより作る該プリンティングインク又はペーストを用いたプリンティング工程と、を開示する。特に特許文献１５で開示された該スクリーンプリンティングインク配合は引用によりここに組み入れられる。
【０１２４】
導電性フレキソグラフィックプリンティングインク（Conductive flexographic printing
inks）
特許文献１１は、その２つのアルコキシ基が同じであってもよく、異なってもよく、或いは、オプション的に置換されたオキシ−アルキレン−オキシブリッジを表してもよい３，４−ジアルコキシチオフェンのポリマー又はコーポリマーと、ポリアニオンとそしてラテックスバインダーと、を溶媒又は水性媒体内に含む染料を含まないフレキソグラフィックインク（non-dye containing flexographic ink）であり、３，４−ジアルコキシチオフェンの該ポリマー又はコーポリマーが該インク内に重量で少なくとも０．１％の濃度で存在し、該インクは比色計には（colorimetrically）加成性（additive）を示す透明プリントを作ることが出来る該インクと、該フレキソグラフィックインクを用意する方法と、そしてそれを用いたフレキソグラフィックプリンティング工程と、を開示する。特許文献１１で開示された該フレキソグラフィックプリンティングインクの配合は引用により特にここに組み入れられる。
【０１２５】
導電性インクジェットインク（Conductive ink-jet ink）
その２つのアルコキシ基が同じであっても、異なっても、或いはオプション的に置換されたオキシ−アルキレン−オキシブリッジを一緒に表してもよい３，４−ジアルコキシチオフェンのポリマー又はコーポリマーと、ポリアニオンと高沸点液体（high boiling point liquid）と、を溶媒又は水性媒体内に含み、インクジェットプリンティング用に好適な配合物が用意出来る。噴射温度（jetting temperature）で、汎用プリントヘッド（Universal Print Head）｛アグファーゲバルト（AGFA-GEVAERT）から｝用に３から１５ｍＰａ．ｓの範囲内にあるのが好ましい粘度の様な重要特性は、導電性ポリマーの濃度と高沸点液体の量と種類を変えることにより調整出来る。ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの重量で１．２％の分散系は室温で約３０ｍＰａ．ｓの粘度（viscosity）を有し、重量で０．６％の分散系は室温で約１０ｍＰａ．ｓの粘度を有する。
【０１２６】
その表面張力（surface tension）は汎用プリントヘッド用の噴射条件（jetting conditions）で２８から３６ｍＮ／ｍの範囲内が好ましく、適当なアニオン性（anionic）、カチオン性（cationic）又は非イオン性（non-ionic）界面活性剤（surfactants）又は溶媒、例えばアルコールを加えることにより調整出来る。又界面活性剤は噴射特性（jetting performance）、基板上での該インクの濡れ特性（wetting properties）及びプリントされた層のユーブイ安定性（UV-stability）に影響する。
【０１２７】
高沸点液体の例えば重量での５から２０％の追加は乾燥後のプリント層の導電性を改善し、有用な高沸点液体はエチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセロール（glycerol）、Ｎ−メチルピロリドン（N-methylpyrrolidone）そして２−ピロリドン（2-pyrrolidone）である。又高沸点液体の選定は乾燥時間、最低乾燥温度、噴射特性、濡れ特性、粘度そして表面張力に影響する。
【０１２８】
オプションとして、プリントヘッドの腐食を防止するためインクジェットプリンティング溶液を中性化するようジメチルエタノールアミン（dimethylethanolamine）、トリエチルアミン（triethylamine）又はジイソプロピルエチルアミン（diisopropylethylamine）の様な揮発性塩基（volatile bases）が付加されてもよい。
工業的用途（Industrial application）
本発明の受動記憶装置は安全及び偽造防止応用、例えば、チケット、ラベル、タグ、アイデーカード、銀行カード、法的文書、紙幣そしてパッケージング、で使用され、又パッケージングに一体化され得る。
【０１２９】
本発明が以下では比較例及び本発明実施例により図解される。これらの例で与えられるパーセンテージ及び比は、他の指示が無いならば重量による。
【０１３０】
【表１】
【０１３１】
実施例の要素で使われた商業的コーティング
・オルガコンイーエル−ピー３０４０（ORGACON EL-P3040）、アグファー−ゲバエルトエヌ．ブイ．（AGFA-GEVAERT N.V.）からのＰＥＤＯＴ：ＰＳＳのスクリーンプリティングインク、
・アゴリックス(R)マジェンタインク（AGORIX(R) MAGENTA INK）、アグファードットリックスエヌブイ（AGFA-DOTRIX N.V）からのユーブイ硬化可能なインクジェット
・エココート(R)シーシー−２（ECCOCOAT（R）CC-2）、エマーソンカミング（EMERSON & CUMING）からの銀ペースト
・イーデー４０００（ED4000）、エレクトラポリマー（ELECTRA POLYMERS）からのカーボンブラックインク
・ノリペット(R)０９３クリア（NORIPET（R） 093 Clear）、プレール（Proell）からの絶縁用スクリーンプリンティングインク
【０１３２】
実施例の要素で使われた非商業的コーティングで使われた原料
・タナコート(R)エフジー３（TANACOAT（R） FG3）、シブロンケミカル（SYBRON CHEMICALS）からの水性カルボキシル化ポリプロピレンエマルジョン（aqueous carboxylated polypropylene emulsion）
・パニポル(R)ダブリュー（PANIPOL（R） W）、パニポル社（PANIPOL LTD）からのポリアニリンの重量で６％の水性分散系
・ディノル(R)６０４（DYNOL（R） 604）、エア製品（AIR PRODUCTS）からのアセチレングリコールベースの界面活性剤（acetylenic glycol-based surfactant）
・ポリエステル分散系（POLYESTER DISPERSION）は、５２．９モル％のテレフタール酸（terephthalic acid）、４０モル％のテレフタール酸、７モル％のスルホ−イソフタール酸（sulfo-isophthalic acid）、０．１モル％の下記物質
【０１３３】
【化１】
【０１３４】
及び１００モル％のエチレングリコールのポリエステルの重量で２５％の水性分散系である。
【０１３５】
・ピーブイピー＝コリドン(R)９０（PVP=KOLLIDON（R） 90）、バスフ（BASF）からのポリビニルピロリドン（polyvinylpyrrolidone）
【０１３６】
［実施例１］（INVENTION EXAMPLE 1）
完全にインクジェットプリントされた要素（FULLY INK-JET PRINTED ELEMENT）
実施例１の受動記憶要素は、ポリエチレンテレフタレートサポートの表面エネルギーを調整するように、（２０μｍコーティングナイフを用いて）脱イオン水（deionized water）とエタノールの１：１混合物内のピーブイピー（PVP）の１％溶液でコートされた１２５μｍ厚さのポリエチレンテレフタレートサポート上に、下表で与える組成のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳのインクジェットインクで、汎用プリントヘッド（アグファゲバルトからの）を使用して、１ｍｍ幅で２ｍｍ離れた、長さ３０ｍｍの８ラインを有する第１電極パターンを最初にインクジェットプリントすることにより作られた。
【０１３７】
【表２】
【０１３８】
第１電極パターンに対し直角の方向で１ｍｍ幅で２ｍｍ離れた、長さ３０ｍｍの８ラインを有する絶縁パターンが、汎用プリントヘッドを用いて相互の頂部上にアゴリックスマジェンタインク（AGORIX Magenta INK）の２層をインクジェットプリントし、次いでユーブイ硬化することにより実現された。
【０１３９】
次いで、１ｍｍ幅で２ｍｍ離れた、長さ３０ｍｍの８ラインを有する第２電極パターン
が、該汎用プリントヘッドを用い、該絶縁パターンのラインの頂部上に、上記説明のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳのインクジェットインクを用いたインクジェットプリントにより作られた。
【０１４０】
導電性ブリッジを形成するために、予め選択された交点に、上記説明のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳのインクジェットインクを用い、汎用プリントヘッドを使用して、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの‘導電性ブリッジ’が１＊３ｍｍのラインのインクジェットプリントにより最後に付けられた。ビットラインとワードラインの間の抵抗はフルークマルチメーター（Fluke Multimeter）で測定され、導電性ブリッジについては約１Ｍオームであり、導電性ブリッジが無いならば３０Ｍオームより高かった。
【０１４１】
［実施例２］
フレキソグラフィック及びインクジェットプリンティングの組み合わせ（COMBINATION OF
FLEXOGRAPHIC AND INK-JET PRINTING）
実施例２の受動記憶要素は、フレキソグラフィックＰＥＤＯＴ：ＰＳＳインク（組成は下記で与えられる）を使い、ロータリコーターパイロットプレス（Rotary Koater Pilot Press）｛ピー．ケー．プリントコートインストルメント社（P.K. Print Coat Instruments, Ltd.）からの｝で、プレトリートされないＰＥＴ−基板（non-pretreated PET-substrate）上に１ｍｍ幅で２ｍｍ離れた長さ２５ｍｍの８ラインを有する第１電極パターンを１８ｍ／分でプリントし、次いでロールからロールへの工程で１０９℃のオーブン内で乾燥することにより作られた。
【０１４２】
【表３】
【０１４３】
次いでイーエスアイプルーフフレキソグラフィックハンドプルーファー（ESIPROOF flexographic handproofer）（ピーケープリントコートインストルメント社）を使い水とエタノールの１：１混合物内のピーブイピー（PVP）の５％溶液を使用して該第１電極パターン上にプライマー層（primer layer）がフレキソグラフィック式（flexographically）にプリントされ、１００℃で５分間乾燥された。
【０１４４】
アゴリックスマジェンタインクの２層は、該第１電極パターンに対し直角の方向に、２．５ｍｍ幅で１ｍｍ離して長さ３０ｍｍの８ラインとして相互の頂部上に、汎用プリントヘッドを使ってプリントされ、次いでユーブイ硬化されて、それにより絶縁ラインパターンを形成した。
【０１４５】
１ｍｍ幅で２．５ｍｍ離れた長さ３０ｍｍの８ラインを有する第２電極パターンがＰＥＤＯＴ：ＰＳＳインクジェットインク（組成は上記で与えられている）でインクジェットプリントすることにより該絶縁層の頂部上に作られた。
【０１４６】
次いで導電性ブリッジを形成するために、上記説明のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳインクジェットインクを伴う汎用プリントヘッドを使って、予め選択された交点に１ｍｍ幅で長さ３ｍｍの８ラインとして、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの‘導電性ブリッジ’がインクジェットプリントされた。ビットラインとワードラインの間の抵抗はフルークマルチメーターで測定され、導電性ブリッジについては約１Ｍオーム、導電性ブリッジの無い場合は３０Ｍオームより高かった。
【０１４７】
［実施例３］
実施例３の受動記憶要素は、該導電性ブリッジが、インクジェットプリンティングに依る代わりに、予め選択された交点上に、イーデー４０００（ED4000）（カーボンブラックインク）、パニポール(R)ダブリュー（PANIPOL（R） W）（ポリアニリン分散系）そしてエココート(R)シーシー（ECCOCOAT（R） CC）（銀ペースト）の‘導電性ブリッジ’を用いて手動で作られたことを除けば、実施例２の受動記憶要素用に説明した様に作られた。
【０１４８】
ビットラインとワードラインの間の抵抗はフルークマルチメーターで測定され、導電性ブリッジが無いならば３０Ｍオームより大きい抵抗が測定されたが、全導電性ブリッジについては０．５から１．５Ｍオームであると測定された。
【０１４９】
［実施例４］
手動塗布導電性ブリッジを有しスクリーンプリントされた素子（SCREEN PRINTED ELEMENT
WITH MANUALLY APPLIED CONDUCTIVE BRIDGES）
実施例４の受動記憶要素は、オーガコン(R)イーエル−ピー３０４０（ORGACON（R） EL-P3040）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳスクリーンプリンティングインク）を使い、サブ用層エヌアール．０１でサブされた（subbed with subbing layer nr.01）１２５μｍ厚さのポリエチレンテレフタレートサポート上に、１ｍｍ幅で２ｍｍ離れた長さ３０ｍｍの８ラインを有する第１電極パターンをスクリーンプリントし、それにより第１電極パターンを形成することにより作られた。
【０１５０】
１３０℃で３分間乾燥後、ノリペット(R)０９３クリア（NORIPET（R） 093 Clear）（絶縁用インク）を該第１電極ラインに対し直角方向に、２ｍｍ幅で、各１ｍｍ離れた長さ３０ｍｍの８絶縁ラインとして、スクリーンプリントすることにより塗布し、１３０℃で３分間乾燥し、それにより絶縁層パターンを形成した。次いで、第２電極パターンが、該絶縁ラインの頂部上に、１ｍｍ幅で各２ｍｍ離して長さ３０ｍｍのラインでオーガコン(R)イーエル−ピー３０４０をスクリーンプリントすることにより作られ、それにより８＊８マトリックスを形成した。
【０１５１】
次いで導電性ブリッジを形成するために、イーデー４０００（カーボンブラックインク）、パニポル(R)ダブリュー（ポリアニリン分散系）そしてエココートアールシーシー２（銀ペースト）の‘導電性ブリッジ’が予め選択された交点に付けられた。読み出し（Readout）は記憶要素上の電極接触点（electrode contacts）に対応する接点（contacts）を有するプリント回路基板上に該記憶要素を位置付けることにより行われた。２つの接点（１つのビットラインと１つのワードライン）間に５ボルトの電圧が印加され、電流が測定された。ビットラインとワードラインの選択はマルチプレクサー（multiplexers）を使って行われた。導電性ブリッジの無い交点は３μＡの平均電流を与え、導電性ブリッジを通して測定された電流はカーボンブラックについては約１００μＡ、ポリアニリンについては８０μＡそして銀については６０μＡであった。
【０１５２】
［実施例５］
完全にスクリーンプリントされた要素（FULLY SCREEN PRINTED ELEMENT）
実施例５の受動記憶要素は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ導電性ブリッジが、カーボンブラック、ポリアニリン又は銀ペーストを手で塗布する代わりに、１パターン内で第２電極と一緒にスクリーンプリントされたことを除けば、実施例４で説明された様に調製された。実施例４で説明した様な電流の測定は、導電性ブリッジの無い交点では約３μＡの電流を与え、導電性ブリッジを有する交点では８０−１００μＡを与えた。代わりの電流通路による見かけの読み値は約６０μＡの電流を示した。
【０１５３】
［実施例６］
実施例６の受動記憶要素は、第２電極パターンがパニポルダブリュー（PANIPOL W）（ポリアニリン分散系）を用いて手動で付けられたことを除けば実施例４用に説明した様に調製された。導電性ブリッジはイーデー４０００（カーボンブラックインク）とパニポルダブリューで作られた。ビットラインとワードラインの間の抵抗はフルークマルチメーターで測定され、パニ（PANI）導電性ブリッジについては７００ｋオーム、カーボンブラック導電性ブリッジについては３００ｋオームであり、両者共、もし導電性ブリッジが無い場合測定される３０Ｍオームより低い。
【０１５４】
本発明はそれが現在請求される発明に関係するかどうかに拘わらず、ここで隠れてか、又は表立てか、何れかで開示されたどんな特徴又は特徴の組み合わせも含んでいる。前記説明を考慮すると、本発明の範囲内で種々の変型が行われ得ることは当業者には明らかである。
【図面の簡単な説明】
【０１５５】
【図１ａ−ｄ】本発明の実施例の記憶装置の準備を図解する。
【図２ａ−ｃ】本発明の記憶装置で情報を記憶する３つの異なる方法を図解する。
【図３ａ−ｃ】本発明の記憶装置で多数のビットレベルを達成する３つの異なる方法を図解する。
【図４】２＊２マトリックスに於ける代わりの電流通路の問題を図解する。
【図１】
【図２】
【図３】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプリント可能（printable）な受動記憶要素（passive memory element）と同品の製法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、例えば、パッケージの偽造防止用タグ（anti-counterfeiting tags）として、使い捨て可能で、廉価で、柔軟で、情報が中に記憶される、受動記憶装置を有するタグ及びラベル（passive memory device-containing tags and labels）の益々増大する需要がある。該情報の書き込み（writing）を有するこの様な不揮発性記憶要素の生産は、容易で、廉価であるべきで、好ましくは、該タグ、ラベルそしてパッケージのプリンティング工程（package printing process）又は該パッケージング工程（packaging process）自身に組み入れられるべきで、そして簡単で、廉価な材料から成りそして最小の処理過程（processing steps）を含むべきである。パッケージ内での使用のために、該記憶装置が比較的強靱で、機械的衝撃、温度変化そして他の環境的影響に可成り鈍感なことが重要である。
【０００３】
従来のシリコンベースの半導体メモリー（silicon-based semiconductor memories）は高価で複雑な処理を要する欠点を有し、その高い処理温度と非柔軟性とはそれらがパッケージング基板（packaging substrates）上で使用されることを不適切にしている。更に、シリコンベースの半導体メモリーは廃棄時（upon disposal）可成りの環境問題（environmental issues）を提起する。特許文献１は、各指定された記憶素子（designated memory cells）がその中に配置された抵抗変化構成要素（resistance-altering constituent）を有する、複数の記憶素子内の少なくとも１つの指定記憶素子を具備する装置を開示しているが、シリコンベースの読み出し専用の抵抗器メモリー（read-only resistor memories）のみを例示している。特許文献２は、抵抗変化構成要素を複数の記憶素子内に拡散する過程を具備するメモリーの製作方法を開示しており、該複数の記憶素子は多結晶シリコン（polycrystalline silicon）を含み、該抵抗変化構成要素は少なくとも１つのＩＡ族元素（Group IA element）を含んでおり、そして該製作方法は又該抵抗変化構成要素の打ち込まれた線量（implanted dose）の少なくとも１部分を少なくとも１つの記憶素子の導電層（conductive layer）から移動する過程を具備する。これらの抵抗器メモリーでは、情報は予め選択された交点（pre-selected crossing points）での抵抗の変化により記憶される。もし各記憶素子内の抵抗がビットライン（bit lines）及びワ−ドライン（word lines）の抵抗より著しく高いなら隣接ワードライン間のクロストーク（Crosstalk）は減じられる。しかしながら、これは代わりの電流通路（alternative current paths）の存在を防止しない。
【０００４】
特許文献３は高密度ＲＯＭデバイス（high density ROM device）を開示しており、該デバイスは基板（substrate）及び少なくとも１つのメモリーアレイ（memory array）を具備しているが、該メモリーアレイは、該基板の表面上に配置された第１絶縁層と、該第１絶縁層上に配置され第１方向に延びる複数のビットラインであるが、該ビットラインは本質的に等しい間隔で相互から隔てられている、該ビットラインと、該複数のビットライン上に形成された第２絶縁層と、該第２絶縁層内に形成され該ビットラインの１部分を露出する少なくとも１つの通路（via）と、そして該第２絶縁層上に配置され、角度を形成するよう該第１方向と交叉する第２方向に延びる複数ワードラインであるが、前記ワードラインは本質的に等しい間隔で相互から隔てられている、該ワードラインと、を備えており、そこでは該ワードラインの幾本かは該通路を使って該ビットラインと接続され、該ワードラインの幾本かは該第２絶縁層を使って該ビットラインから分離されている。
【０００５】
特許文献３はシリコンに基づかないが、金属のビットライン及びワードラインが存在する読み出し専用記憶装置（read only memory device）を開示している。電気的相互接続（Electrical interconnects）は該ビットライン及びワードライン間に存在する予め選択された通路内の金属の塗布（application）により行われる。
【０００６】
しかしながら、特許文献３，１そして２で開示された抵抗器記憶素子用の生産工程の全ては該金属又はシリコン構造体を応用するために蒸発（evaporation）及びエッチング方法（etching methods）に依存し、該方法は３００℃から４００℃の範囲の高温度を要し、該温度はポリマーベース又はペーパーベースの基板（polymer-based or paper-based substrates）の熔解（melting）又は深刻な劣化（severe degradation）に帰着して、従ってそれをパッケージング用には不適切にする。従って、この様な金属又はシリコン構造体はそれら自身をタグ、ラベル、そしてパッケージプリンティング工程又はパッケージング工程内へ組み込ませず、又それらはそれら自身を環境にやさしい廃棄処理へ向かわせもしない。
【０００７】
情報はアンティヒューズ原理（anti-fuse principle）を使うことによりワーム（WORM）メモリーに電気的に記憶され得る。例えば、特許文献４は有機質記憶素子を製作する方法を開示しており、該方法は、第１電極を提供する過程と、導電性促進化合物（conductivity facilitating compound）を有する受動的層を該第１電極上に形成する過程と、スピンオン技術（spin-on technique）を使って該受動的層上に有機半導体層を形成する過程であるが、該スピンオン技術は、ｉ）共役有機ポリマー（conjugated organic polymer）、共役有機金属化合物（conjugated organomtallic compound）、共役有機金属ポリマー（conjugated organometallic polymer）、バッキーボール（buckyball）そしてカーボンナノチューブ（carbon nanotube）の少なくとも１つと、ｉｉ）グリコールエーテルエステル（glycol ether esters）と、グリコールエーテルと、フラン（furans）とそして約４から約７炭素原子を含むアルキルアルコール（alkyl alcohols）と、から成る群から選択された少なくとも１つの溶媒（solvent）と、の混合物を適用する過程を有する該有機半導体層を形成する過程と、そして該有機半導体層上に第２電極を提供する過程と、を具備する。
【０００８】
更に、特許文献５は電子スイッチ（electronic switch）を開示しているが、該スイッチは第１導体と、第２導体と、そして該第１導体及び該第２導体に接触し、かつ両者間に横たわる導電性有機ポリマー層（conductive organic polymer layer）であるが、該導電性有機ポリマー層は該有機ポリマー層が該第１導体と該第２導体の間に比較的高い導電率で電流を導く第１状態と、該有機ポリマー層が該第１導体と該第２導体の間に比較的低い導電率で電流を導く第２状態と、の１つにある該導電性有機ポリマー層と、を具備する。ワードラインとビットラインの間にある半導体層の抵抗は‘高い’電圧パルスを印加し、それにより該抵抗を増加することにより電気的に変えられ得る。代わりの電流通路を防止するために、ダイオードを形成するよう各記憶素子内の該ワードラインとビットラインの間に追加層を含むことが必要であり、それによりその製造工程はより複雑になる。
【０００９】
メモリーのプリンティングが幾つかの異なる種類のデバイス用の技術で提案されて来た。特許文献６は記憶装置を開示しており、該記憶装置は、第１の側と第２の側を有する第１の半導体ポリマー膜であるが、前記第１の半導体ポリマー膜は有機ドーパント（organic dopant）を有している該第１の半導体ポリマー膜と、前記第１の半導体ポリマー層の前記第１の側に接続され、相互に実質的に平行な第１の複数の導体と、そして前記第１半導体ポリマー層の前記第２の側に接続され、相互に実質的に平行で、かつ、前記第１の複数の導体と実質的に相互に直交する第２の複数の導体とを具備しており、そこでは電荷は前記有機ドーパント上に局所化されている。２つの導電ラインパターン間に成層された該ドープされた半導体膜の構造体は簡単である。しかしながら、これらのメモリーは揮発性で、もし電力が印加されないなら該情報は失われる。特許文献７は、記憶素子位置の電極の表面上のカバーする絶縁膜の存否により状態（state）を記憶する記憶装置を製造する方法を開示しており、該方法は予め決められた記憶素子位置の電極表面を絶縁材料でカバーするためにインクジェットヘッド（inkjet head）を使って予め決められた記憶素子位置で電極の表面へ絶縁材料を選択的に噴射する（ejecting）過程を具備する。
【００１０】
特許文献８は、電子的に読み出し可能な（electronically readable）コードを記憶するバーコード回路（bar code circuit）であるが、そこでは該コードはポリマープリンティング工程で規定される、該バーコード回路と、バーコードリーダーが該バーコード回路内に記憶された該コードにアクセスすることを可能にするため該バーコード回路に接続されたインターフエースと、を具備する電子的バーコード（electronic bar code）を開示している。しかしながら、該プリントされた電子回路は受動的マトリックスから成るのでなく、該部品の存否又はその接続が記憶される情報を決定する多数の電子部品から成る。
【００１１】
特許文献９は複数の記憶素子を有するマスクＲＯＭ（mask ROM）を開示しており、該記憶素子は主面（main surface）を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記主面上で列方向（column direction）に延びる複数の平行な第１信号ラインと、前記半導体基板の前記主面上で行方向（row direction）に延び、各々が前記複数の記憶素子のそれぞれの記憶素子を形成する複数のクロスオーバー（crossovers）で前記複数の第１信号ラインと交叉する複数の平行な第２信号ラインと、前記複数の第１信号ラインと前記複数の第２信号ラインの間に形成される絶縁膜と、そして前記複数の第１信号ラインの１つと前記複数の第２信号ラインの１つとを選択し、該選択された第１信号ラインと該選択された第２信号ラインの間に電位差（potential difference）を印加することにより該選択された第１信号ラインと該選択された第２信号ラインの間に電場を引き起こす、ための選択手段と、を具備しており、前記絶縁膜は、データ記憶用の前記複数のクロスオーバーの各々で、ｉ）該選択手段により選択された第１信号ラインと該選択手段により選択された該第２信号ラインの間で例え電場が受信されても、該選択された第１信号ラインと該選択された第２信号ラインの間を絶縁状態を保つに必要な第１厚さと、ｉｉ）該選択手段により選択された該第１信号ラインと該第２信号ラインの間で電場が受信された時該選択された第１信号ラインと該選択された第２信号ラインの間で第１トンネル電流（first tunnel current）を流れさせるための第２厚さと、そしてｉｉｉ）該選択手段により選択された該第１信号ラインと該第２信号ラインの間で電場が受信された時該選択された第１信号ラインと該選択された第２信号ラインの間で第２トンネル電流を流れさせるための第３厚さ、の１つを有する。そこで１つの記憶素子内の多数ビットレベルの記憶を伴うトンネル現象が発生される、分離用酸化物膜により分離された導電性電極に基づく受動的マトリックスＲＯＭの生産が特許文献９で開示される。酸化物層厚さの変動は層を通る種々のトンネル電流に導き、それは各セル内の情報の多数レベル用の符号化を行う。
【００１２】
特許文献１０は、中でその２つのアルコシキ基（alkoxy groups）が同じであるか、又は異なるか、又はオプション的に置換されたオキシ−アルキレン−オキシブリッジ（oxy-alkylene-oxy bridge）を一緒に表す３，４ジアルコキシチオフェン（3,4-dialkoxythiophene）のポリマー又はコーポリマーと、ポリアニオン（polyanion）とそして非ニュートンバインダー（non-Newtonian binder）と、を具備する水性組成物（aqueous composition）と、オプション的に代替えされたサポート（subbed suport）、誘電体層（dielectric layer）、リン光層（phosphor layer）又はオプション的に透明な導電性コーティングに、上記水性混合物を塗布する過程と、そしてそれにより塗布された水性混合物を乾燥する過程と、を具備する導電層を用意する方法と、導電層を用意するための上記説明の方法により用意される帯電防止及び導電性コーティング（antistatic and electroconductive coating）と、上記説明の水性混合物を含むプリンティングインク又はペーストと、そして上記説明のプリンティングインクを提供する過程と、オプション的に代替えされたサポート、誘電体層、リン光層又はオプション的に透明な導電性コーティングの上に該プリンティングインクをプリントする過程と、を具備するプリンティング工程と、を開示している。しかしながら、特許文献１０は、ランプ、ディスプレー（displays）、バックライト（back-lights）例えばＬＣＤ、自動車ダッシュボード（automobile dashboard）及びキースイッチバックライティング（keyswitch backlighting）、緊急用照明（emergency lighting）、セルラーフォン、パーソナルデジタルアシスタント、ホームエレクトロニクス（home electronics）、指示灯（indicator lamps）そして光放射が必要な他の応用品で使われ得るエレクトロルミネッセント（electroluminescent）デバイスの生産の過程である、オプション的に代替えされたサポート、誘電体層、リン光層又はオプション的に透明な導電層に帯電防止又は導電性層を塗布するためのこの様なインクの塗布を開示しているのみである。
【００１３】
特許文献１１は、中でその２つのアルコシキ基は同じであるか、又は異なるか、又はオプション的に置換されたオキシアルキレンオキシブリッジを一緒に示してもよい３，４−ジアルコキシチオフェンのポリマー又はコーポリマーと、ポリアニオンとそしてラテックスバインダーとが、溶媒又は水性媒体内に含む染料を含まないフレキソグラフィックインク（flexographic ink）であり、３，４−ジアルコキシチオフェンのポリマー又はコーポリマーが重量で少なくとも０．１％の濃度で該インク内にあり、該インクは比色計では加成性を示す（colorimetrically additive）透明プリントを作ることが出来る特徴を有する該フレキソグラフィックインクと、該フレキソグラフィックインク（flexographic ink）を用意する方法と、それと一緒にフレキソグラフィックプリンティング工程と、を開示している。しかしながら、特許文献１１は、玩具の様な１つの又は限られた使用品目用の電気回路の生産で、無線周波数タグ（radiofrequency tags）の部品としての容量性アンテナ（capacitive antennae）で、ランプ、ディスプレー、バックライト例えばＬＣＤ、自動車ダッシュボード及びキースイッチバックライティング、緊急用照明、セルラーフォン、パーソナルデジタルアシスタント、ホームエレクトロニクス、指示灯そして光放射が必要な他の応用品で使われ得るエレクトロルミネッセントデバイスで、の生産の過程である、オプション的に代替えされたサポート、誘電体層、リン光層そして透明な導電層に帯電防止又は導電性パターンを塗布するためのこの様なインクの塗布を示すのみである。
【００１４】
従って、タグ、ラベル又はパッケージのプリティング工程で、又はパッケージング工程自身に容易に組み入れられ得る、情報記憶の容易で廉価な手段のニーヅが存在する。
【００１５】
更に、この様な容易で廉価な情報記憶手段は自らを環境に優しい廃棄（environmentally friendly disposal）に供することを可能にするに違いない。
【００１６】
従来技術
今まで下記の従来技術の文書が本出願人に公知である。
【特許文献１】米国特許第６、５４２、３９７号明細書、２００３年４月１日発行
【特許文献２】米国特許第６、６４９、４９９号明細書、２００３年１１月１８日発行
【特許文献３】米国特許第６、１０７、６６６号明細書、２０００年８月２２日発行
【特許文献４】米国特許第６、６５６、７６３号明細書、２００３年１２月２日発行
【特許文献５】米国特許出願第２００４／０１４９、５５２Ａ１号明細書、２００４年８月５日発行
【特許文献６】米国特許出願第２００３／０２３０、７４６Ａ１号明細書、２００３年１２月８日発行
【特許文献７】米国特許出願第２００１／０３９、１２４Ａ１号明細書、２００１年１１月８日発行
【特許文献８】国際公開第ＷＯ０２／００２９７０６Ａ１号パンフレット、２００２年４月１１日発行
【特許文献９】米国特許第５、４６４、９８９号明細書、１９９５年１１月７日発行
【特許文献１０】国際公開第ＷＯ０２／０７９３１６Ａ号パンフレット、２００２年１０月１０日発行
【特許文献１１】国際公開第ＷＯ０３／０００７６５Ａ号パンフレット、２００３年１月３日発行
【特許文献１２】欧州特許出願公開第ＥＰ−Ａ１０５４４１４号明細書
【特許文献１３】米国特許第６、０５５、１８０号明細書
【特許文献１４】国際公開第ＷＯ−Ａ０３／０４８２２８号パンフレット
【特許文献１５】国際公開第ＷＯ−Ａ０３／０４８２２９号パンフレット
【非特許文献１】Ｓｈａｗｎ Ｓｍｉｔｈ ａｎｄ Ｓｔｅｐｈｅｎ Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔ：“Ａ ｌｏｗ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｖｏｌｔａｇｅ ｏｒｇａｎｉｃ−ｏｎ−ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ ｍｅｍｏｒｙ ｅｌｅｍｅｎｔ ｕｔｉｌｉｚｉｎｇ ａ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｐｏｌｙｍｅｒ ｆｕｓｅ ｏｎ ａ ｄｏｐｅｄ ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ”ｉｎ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、 ｖｏｌｕｍｅ ８４（２４）、ｐａｇｅｓ ５０１９−５０２１（２００４）ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ ｄａｔｅ Ｊｕｎｅ １４，２００４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
発明の側面（ASPECTS OF THE INVENTION）
以上から本発明の側面は、廉価な不揮発性メモリー素子を提供することである。
【００１８】
以上から本発明の更に進んだ側面は、タグ、ラベル又はパッケージのプリンティング工程又はパッケージング工程自体に容易に組み込まれ得る、情報を記憶する容易で廉価な手段を実現することである。
【００１９】
本発明の更に進んだ側面は、自身を環境的にやさしい廃棄に帰させることが出来て、情報を記憶する容易で廉価な手段を実現することである。
【００２０】
本発明の更に進んだ側面は、ビットライン（例えば、第１電極）が導電性又は半導電性材料（electrical conducting or semiconducting）の実質的にストリップの様な構造体（strip-like structure）の形で提供され、ワードライン（例えば、第２電極）が導電性又は半導電性材料の実質的にストリップの様な構造体の形で、該ビットラインの上に提供され、そして分離材料（isolating material）が、該２つの電極平面（electrode planes）が直接の物理的及び電気的接触無しに相互に交叉（intersect each other）するよう、該第１及び第２電極間に提供され、そして導電性又は半導電性材料が該第１及び第２電極の予め選択された交点（preselected crossing points）に提供され、電気的相互接続（electrical interconnect）｛導電性ブリッジ（conductive bridge）｝を行うため該第１及び第２両電極と接触（contacting）する、ことを特徴とする電子的装置（electronic device）を実現（realize）することである。
【００２１】
本発明の更に進んだ側面と利点はこの後の説明から明らかになるだろう。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明の概要（SUMMARY OF THE INVENTION）
第１のパターン化した電極システム（first patterned electrode system）と、第２のパターン化した電極システム（second patterned electrode system）と、該第１のパターン化した電極システムと該第２のパターン化した電極システムの間の絶縁システム（insulating system）と、そして該第１のパターン化した電極システムと第２のパターン化した電極システムの間の少なくとも１つの導電性ブリッジ（conductive bridge）を具備する要素であるが、該少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く（absence）場合は該第１及び該第２電極システム間の直接の電気的接触は無い該要素が、従来のプリンティング工程（printing processes）でプリント可能（printable）であることが驚くべきことに見出された。
【００２３】
本発明の側面は、第１電極システムと、絶縁システムとそして第２電極システムを具備し、該第１及び第２電極システムがパターンシステムである、受動記憶要素（passive memory element）により実現されるが、そこでは該第１電極は該第２電極システムから絶縁され、少なくとも１つの導電性ブリッジが該第１及び第２電極システム間に存在し、そして該システム及び該導電性ブリッジは従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である。
【００２４】
又本発明の側面は、少なくとも１つの受動記憶要素と、受動記憶要素を提供されるその少なくとも１つの側上に非導電面（non-conductive surface）を有するサポート（support）と、を具備する第１受動記憶装置により実現されるが、該受動記憶要素は第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、該第１のパターン化した電極システム及び該第２のパターン化した電極システムの間のパターン化した絶縁システムと、を備えており、該第１のパターン化した電極システムと該第２のパターン化した電極システムとの間には少なくとも１つの導電性ブリッジがあり、そこでは該少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は、該第１及び該第２のパターン化した電極システム間には直接の電気的接触は無く、そしてそこでは該受動記憶要素は従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である。
【００２５】
又本発明の側面は、少なくとも１つの受動記憶要素と、該受動記憶要素を提供されるその少なくとも１つの側上に非導電面を有するサポートと、を具備する第２受動記憶装置により実現されるが、該受動記憶要素は少なくとも１つの導電性ブリッジによりブリッジ（bridged）される１連の遮断された導電性又は半導電性ラインを有しており、そこでは該受動記憶要素は従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である。
【００２６】
又本発明の側面は、受動記憶装置を提供する第１工程により実現されるが、該受動記憶装置は少なくとも１つの受動記憶要素と、サポートと、を具備しており、該サポートは受動記憶要素を提供されるその少なくとも１つの側上に非導電面か又はパターン化可能な導電性層（conductive layer）か何れかを備えており、該受動記憶要素は第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、該第１のパターン化した電極システムと該第２のパターン化した電極システムの間の絶縁システムと、そして該第１のパターン化した電極システムと該第２のパターン化した電極システムの間の少なくとも１つの導電性ブリッジと、を備えており、そしてそこでは該少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は該第１及び第２電極システム間に直接の電気的接触は無い状況で、該第１工程は、該サポートの該非導電面上又は該サポート上の該パターン化可能な導電層内、に第１電極パターンを実現する過程と、該第１電極パターン上に絶縁パターンを提供する過程と、該絶縁パターン上に第２の電極パターンを提供する過程と、そして予め指定された点（predesignated points）で該第１電極パターンと該第２電極パターンの間の電気的接触を提供する過程と、を具備しており、そこでは該過程の少なくとも１つは従来のプリンティング工程により実現される。
【００２７】
又本発明の側面は、受動記憶装置を提供する第２工程により実現されるが、該受動記憶装置は少なくとも１つの受動記憶要素とサポートとを具備しており、該サポートは受動記憶要素を提供されるその少なくとも１つの側上に非導電面か又はパターン化可能な導電層
か何れかを備えており、該受動記憶要素は第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、該第１のパターン化した電極システムと該第２のパターン化した電極システムの間の絶縁システムと、そして該第１のパターン化した電極システムと該第２のパターン化した電極システムの間の少なくとも１つの導電性ブリッジと、を備えており、そしてそこでは該少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は該第１及び第２電極システム間に直接の電気的接触は無い状況で、該第２工程は、該サポートの該非導電面上又は該サポート上の該パターン化可能な導電層内、に第１電極パターンを実現する過程と、該第１のパターン化した電極システム上に絶縁システムを提供する過程と、第２サポートの該非導電面上又は該第２サポート上の該パターン化可能な導電層内に第２の電極パターンを提供する過程と、該絶縁パターンシステムを該第２電極パターンと接触させると、該予め指定された点で該第１電極パターンと該第２電極パターンの間の電気的接触が実現されるよう、該第１及び／又は第２電極パターンシステム上に導電性パッド（conductive pads）を提供する過程と、そして該第１電極パターンと該第２電極パターンの間の電気的接触が該予め指定された点で実現されるよう該絶縁パターンシステムを該第２電極パターンシステムと接触させる過程と、を具備しており、そこでは該過程の少なくとも１つは従来のプリンティング工程により実現される。
【００２８】
本発明の好ましい実施態様は本発明の詳細な説明で開示される。
発明の詳細な説明（DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION）
定義（Definitions）
用語、受動的メモリー（passive memory）は、本発明の開示で使われる時、不揮発性メモリー（non-volatile memory）、すなわち、読み出し専用メモリー（read-only memory）を意味し、可逆メモリー（reversible memories）から区別されるべきである。
【００２９】
用語、“サポート（support）”は、本発明の開示で使われる時、サポート上でコートされるがそれ自身では自己支持しない“層（layer）”からそれを区別するため“自己支持材料（self-supporting material）”を意味する。又それは第１電極パターンシステムへの接着（adhesion）に必要な何等かの処理、又は該接着を助けるべく付けられる層を含む。
【００３０】
用語、プリント可能な（printable）は、本発明の開示で使われる時、従来のインパクト（impact）及び／又はノンインパクト（non-impact）のプリンティング工程によりプリントされることが出来ることを意味し、例えば、特許文献１２で開示される様にプリンティング工程中、例えば、酸化又は還元により、導電面層がパターン化される工程を含むが、従来のエレクトロニクス（electronics）、例えば、シリコンベースのエレクトロニクスの生産で使われる蒸発（evaporation）、エッチング（etching）、拡散（diffusion）工程の様な工程は除く。
【００３１】
用語、従来のプリンティング工程（conventional printing processes）は、本発明の開示で使われる時、インクジェットプリンティング、インタグリオプリンティング（intaglio printing）、スクリーン（screen）プリンティング、フレキソグラフィック（flexographic）プリンティング、オフセット（offset）プリンティング、スタンプ（stamp）プリンティング、グラビヤ（gravure）プリンティング、静電記録（electrophotographic）、電子製版（electrographic）そして感熱及びレーザー誘起工程（thermal and laser-induced processes）を含むがそれらに限定されない。
【００３２】
用語、インパクトプリンティングは、本発明の開示で使われる時、該プリントが作られる媒体（medium）と、該プリンティングシステム、例えば、デージーホイール（daisy-wheel）、ドットマトリックス（dot-matrix）そしてラインプリンター（line printers）の様にインクリボンを打つことにより作動するプリンター、そして感熱ヘッド内の加熱要素との直接接触によりサーモグラフイック材料（thermographic material）がプリントされる直接式感熱プリンター（direct thermal printers）そしてオフセット、グラビヤ又はフレキソグラフィックプリンティングの様にマスターが望まれる画像又は形状に対応する範囲上のインク層でカバーされ、その後該インクが該媒体に転送されるプリンター、との間で接触が行われるプリンティング工程を意味する。
【００３３】
用語、ノンインパクトプリンティング工程（non-impact printing process）は、本発明の開示で使われる時、例えば、プリントが該プリント媒体を打つ必要無しに作られる電子製版プリンター、静電記録プリンター、レーザープリンター、インクジェットプリンターの様に、該プリントが作られる媒体と該プリンティングシステムとの間で接触が行われないプリンティング工程を意味する。
【００３４】
用語、導電性ブリッジ（conductive bridge）は、本発明の開示で使われる時、サポートの非導電性面上で第２電極パターンシステムと第１電極パターンシステムの間の瞬時的電気的接触（ins tantaneous electrical contact）を提供する、又はその実現時該第１電極パターンとの瞬時的電気的接触及び該第２電極パターンとの瞬時的電気的接触を提供する、又はサポートの非導電面上で該第１電極パターンシステムと瞬時的電気的接触を提供する該第２電極パターンシステムの必須部分である、又はその実現時該第２電極パターンと瞬時的電気的接触を提供する該第１電極パターンシステムの必須部分である、何等かの形状を有する導電性小球（conductive blob）を意味する。
【００３５】
用語、パターンは、本発明の開示で使われる時、不連続層（non-continuous layer）を意味し、それはどんな形のライン、方形、円又は何等かのランダム形状であってもよい。
【００３６】
用語、層は、本発明の開示で使われる時、例えば、サポートと呼ばれる実体（entity）の全範囲をカバーするコーティングを意味する。
【００３７】
用語、メタライズされたサポート（metallized）は、本発明の開示で使われる時、その少なくとも１面が、例えば、積層（lamination）、金属箔（metal foil）の取り付け、スパッタリング（sputtering）そして蒸発（evaporation）の様な、当業者に公知の何等かの工程により金属でカバーされたサポートを意味する。
【００３８】
用語、絶縁層は、本発明の開示で使われる時、導電層の分離に使われる高電気抵抗を有する層であり、該層は該絶縁層のどちらかの側と隣接する導電層間の望ましくない電流流れを防止し、特に５Ｖの電圧で測定して５μＡより少ない２電極間漏洩電流を提供する層である。
【００３９】
用語、導電性（conductive）は、材料の電気抵抗に関係し、層の電気抵抗は面抵抗（surface resistance）ＲＳの用語で一般的に表される｛単位オーム（Ω）；オーム／平方として指定されることが多い｝。代わりに、該導電性は比（容積）抵抗率｛specific（volume）resistivity｝ＲＶ＝ＲＳ・ｄの用語で表されてもよく、ここでｄは層の厚さであり、ＲＶ又はρはオーム−ｃｍの単位である。用語、導電性は、本発明の開示で使われる時、１０６オーム／平方より小さい、好ましくは１０４オーム／平方より小さい面抵抗を有するか、又は１０２オームｃｍより小さい、好ましくは１オームｃｍより小さい比抵抗率を有する材料を意味する。
【００４０】
用語、クロストーク（crosstalk）は、本発明の開示で使われる時、代わりの電流通路（alternative current paths）から生じた、本発明の受動記憶装置内に記憶された他のビットの影響に帰せられるビットの誤解釈（misinterpretation）を意味する。
【００４１】
用語、本質的に導電性のポリマー（intrinsically conductive polymer）は、本発明の開示で使われる時、（ポリ）−共役パイ−電子システム｛（poly）-conjugatedπ-electron systems｝｛例えば、２重結合（double bonds）、芳香族（aromatic）又はヘテロ芳香族（heteroaromatic）環（rings）又は３重結合（triple bonds）｝を有し、その導電特性が相対湿度の様な環境要因により影響されない有機ポリマーを意味する。
【００４２】
用語、透明性（transparent）は、本発明の開示で使われる時、入射光の少なくとも７０％をそれを拡散することなく透過させる性質を有することを意味する。
【００４３】
用語、柔軟性（flexible）は、本発明の開示で使われる時、例えばドラムの様なカーブした物体（o bject）の曲率に、破壊されることなく従うことが出来ることを意味する。
【００４４】
ピーイーデーオーテー（PEDOT）は、本発明の開示で使われる時、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を表す。
【００４５】
ピーエスエス（PSS）は、本発明の開示で使われる時、ポリ（poly）｛スチレンスルフォン酸（styrene sulfonic acid）｝又はポリ（poly）｛スチレンスルフォン酸塩（styrene sulfonate）｝を表す。
【００４６】
ピーエイエヌアイ（PANI）は、本発明の開示で使われる時、ポリアニリン（polyaniline）を表す。
【００４７】
用語、クロスバー（cross-bar）又はマトリックスは、本発明の開示で使われる時、両電極面が実質的にストリップの様であり、何等かの角度で、好ましくは３０度より大きい角度で、そして特に好ましくは約９０度の角度で、相互に重畳する２つの重なり合う電極面（overlaying electrode planes）の構造を意味する。
受動記憶要素（Passive memory element）
本発明の側面は、第１電極システムと、絶縁システムとそして第２電極システムを具備し、該第１及び第２電極システムがパターンシステムであり、そこでは該第１電極は該第２電極システムから絶縁され、該第１及び第２電極システムの間に少なくとも１つの導電性ブリッジが存在し、そして該システムと該導電性ブリッジは従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である様な、受動記憶要素により実現される。
【００４８】
本発明の該受動記憶要素の第１の実施態様に依れば、該受動記憶要素はマトリックス（matrix）記憶装置である。
【００４９】
本発明の該受動記憶要素の第２の実施態様に依れば、該第１のパターン化した電極システムと、該第２のパターン化した電極システムとそして該第１のパターン化した電極システムの間の該絶縁パターンシステムと、の少なくとも２つはクロスバーシステムの形であるが、好ましくは該絶縁パターンシステムと該第２のパターン化した電極システムが共に該第１のパターン化した電極システムに対し実質的に直交しているのがよい、該クロスバーシステムの形である。
【００５０】
本発明の該受動記憶要素の第３の実施態様に依れば、該受動記憶要素は第１の電極システムと、絶縁システムとそして第２の電極システムとを具備し、該第１電極システムは該第２電極システムから絶縁されており、該第１電極システムがパターンシステムである時該第１及び第２電極システムの間に少なくとも１つの導電性ブリッジが存在し、該システムと該導電性ブリッジとは従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である。
【００５１】
受動記憶要素−動作（Passive memory element-operation）
本発明は、プリンティング工程により製作可能である少なくとも１つの簡単な受動記憶
要素を具備し、予め選択された交点でワードラインとビットラインの間の電気的相互接続（electrical interconnects）（導電性ブリッジ）を提供することにより情報が記憶される受動記憶装置を提供する。該ワードラインと該ビットワインは、該電極の該交点の絶縁材料により相互から電気的に絶縁される。交点に於ける導電材料のプリンティングにより導電性ブリッジがワードラインとビットラインの間に形成される。データの読み出し（Readout）は各ビットライン−ワードライン組み合わせ間の抵抗を測定することにより達成される。該抵抗率は接触して電気的に又は静電容量的に読み出され得て、２進コードの論理値（logical values in a binary code）に対応する。
【００５２】
本発明の該受動記憶装置での該受動記憶要素の構造は、電気的に導電性であるか又は半導電性の材料（electrically conducting or semiconducting material）の実質的にストリップの様な構造体の形であり、その第１及び第２電極の間に、該２電極面が直接の物理的及び電気的接触無しに相互に交叉するよう、絶縁材料を備え、そして該第１及び第２電極の予め選択された交点に提供され、導電性ブリッジを作るため該第１及び第２の両電極に接触する導電性又は半導電性材料を備えるビットラインとワードラインのマトリックスを具備するのが好ましい。
【００５３】
本発明のもう１つの側面は、ワードライン及びビットラインの間の抵抗の連続測定値（subsequent measurement）による記憶装置内の内密情報（covert information）の検索（retrieval）に関しており、そこでは導電性ブリッジに対応する低抵抗は１つの２進状態を示し、導電性ブリッジ無しの交点に対応する高抵抗は第２の２進状態を示す。
【００５４】
当業者により認識される様に、該交点にはダイオード構造体は存在せず、それにより代わりの電流通路が形成されることを可能にする。本発明の該受動記憶要素では、１つの選択されたワードラインと１つの選択されたビットラインの間に電圧が印加される。該選択されたワードラインと該選択されたビットラインの間で予め指定された交点にもし導電性ブリッジが存在しないならば、比較的小さい電流が流れるか又は電流は全然流れないだろう。しかしながら、該受動記憶要素の予め指定された交点にもし導電性ブリッジがあれば、電流は３つ以上の導電性ブリッジを通る代わりの通路（alternative pathway）を経由して流れる。この現象は例えば特許文献１３で説明されている。この課題を迂回する（circumvent）１つの方法は各導電性ブリッジに整流ダイオード（rectifying diodes）を使うことである。
【００５５】
不運なことに、従来の技術でこれを達成することは複雑で、能動的（active）マトリックスメモリー及び受動的マトリックスメモリーに勝る競争可能な利点を与えない。代わりに、整流ダイオードを使わず、代わりの電流通路を許容してもよい。導電性ブリッジが創られる交点を注意深く選択することは代わりの電流通路を防止することが出来る。これは記憶される情報の量を制限するが、少ない情報を含有すること（low information content）で満足する応用品用には採用可能である。該導電性ブリッジの抵抗がビットライン及びワードラインの抵抗より著しく高い場合は、交点での‘真の（true）’導電性ブリッジと、より小さい電流に帰着する３つの導電性ブリッジを通る代わりの電流通路による見かけ（false）の読み値と、の間の区別（discrimination）は可能である。
【００５６】
受動記憶装置構成（Passive memory device-configuration）
又本発明の側面は、少なくとも１つの受動記憶要素と、受動記憶要素を提供されるその少なくとも１つの側上に非導電面を有するサポートと、を具備し、該受動記憶要素が、第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、該第１のパターン化した電極システムと該第２のパターン化した電極システムの間のパターン化した絶縁システムと、を備え、該第１のパターン化した電極システムと該第２のパターン化した電極システムの間に少なくとも１つの導電性ブリッジがあり、該少なくとも１つの導電
性ブリッジを欠く場合は、該第１及び第２のパターン化した電極システムの間に直接の電気的接触は無く、そして該システムと該導電性ブリッジは従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である様な、第１の受動記憶装置により実現される。
【００５７】
又本発明の側面は、少なくとも１つの受動記憶要素と、受動記憶要素を提供されるその少なくとも１つの側上に非導電面を有するサポートと、を具備し、該受動記憶要素が少なくとも１つの導電性ブリッジによりブリッジされる１連の遮断された導電性又は半導電性ラインを備え、該受動記憶要素が従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である、第２の受動記憶装置により実現される。
【００５８】
本発明の該受動記憶装置の第１の実施態様に依れば、該受動記憶要素はマトリックス記憶装置である。
【００５９】
本発明の該受動記憶装置の第２の実施態様に依れば、該第１のパターン化した電極システムと、該第２のパターン化した電極システムと、そして該第１のパターン化した電極システムの間の該絶縁パターンシステムと、の少なくとも２つはクロスバーシステムの形であり、好ましくは該絶縁パターンシステムと該第２のパターン化した電極システムは共に、該第１のパターン化した電極システムに対し実質的に直交しているのがよい。
【００６０】
本発明の該受動記憶装置の第３の実施態様に依れば、該サポート及び第２サポートは柔軟か、又は、堅いプラスチック、ガラス、ペーパー、ボード（board）、カートン（carton）又はこれらの材料の何れかの複合材料（composite material）とすることが出来る。
【００６１】
本発明の該受動記憶装置の第４の実施態様に依れば、該電極は、プリンティング工程により付着させられ得る導電性又は半導電性材料であるか、又は金属の又はメタライズされたサポートの導電面である。適当な導電性及び半導電性材料は導電性金属（例えば、銀ペースト）、導電性金属合金、導電性金属酸化物、半導電性金属酸化物そして真性として導電性の有機ポリマー（intrinsically conductive organic polymer）（例えば、ポリアニリン、ＰＥＤＯＴ）、カーボンブラックに基づく導電性インクを含む。真性として導電性の有機ポリマーに基づく導電性インクは、その可視光の低い吸収のために特に好ましいＰＥＤＯＴ：ＰＳＳに基づくインクを有するのが好ましい。適当な金属性サポートはアルミニウムシート、銅シートそしてステンレス鋼シートである。
【００６２】
本発明の該受動記憶装置の第５の実施態様に依れば、該第１のパターン化した電極システムと、該第２のパターン化した電極システムとそして該第１のパターン化した電極システムの間の該絶縁システムと、の少なくとも１つと、そして該少なくとも１つの導電性ブリッジと、は透明である。
【００６３】
本発明の該受動記憶装置の第６の実施態様に依れば、該第１及び第２のパターン化した電極システムの少なくとも１つと該少なくとも１つの導電性ブリッジと、は無機導電性媒体、例えば、金属、半導電性金属酸化物そしてカーボンか、又は有機導電性媒体、例えば、真性として導電性の有機ポリマーを含む。
【００６４】
本発明の該受動記憶装置の第７の実施態様に依れば、該第１及び第２のパターン化した電極システムの少なくとも１つと該少なくとも１つの導電性ブリッジとは、真性として導電性の有機ポリマーである有機導電性媒体を含む。
【００６５】
本発明の該受動記憶装置の第８の実施態様に依れば、該第１及び第２のパターン化した電極システムの少なくとも１つと該少なくとも１つの導電性ブリッジと、はポリチオフェン（polythiophene）、ポリアニリン（polyaniline）又はポリピロール（polypyrrole）
を含む。
【００６６】
本発明の該受動記憶装置の第９の実施態様に依れば、該第１及び第２のパターン化した電極システムの少なくとも１つと該少なくとも１つの導電性ブリッジとはポリ（３，４−ジオキシアルキレンチオフェン）｛poly（3,4-dioxyalkylenethiophene）｝を含む。
【００６７】
本発明の該受動記憶装置の第１０の実施態様に依れば、該第１及び第２のパターン化した電極システムの少なくとも１つと該少なくとも１つの導電性ブリッジとはポリ（３，４−ジオキシエチレンチオフェン）｛poly（3,4 -dioxyethylenethiophene）｝を含む。
【００６８】
本発明の該受動記憶装置の第１１の実施態様に依れば、該第１及び第２のパターン化した電極システムの少なくとも１つと該少なくとも１つの導電性ブリッジとはカーボンを含む。
【００６９】
本発明の該受動記憶装置の第１２の実施態様に依れば、該第１及び第２のパターン化した電極システムと該少なくとも１つの導電性ブリッジとは金属、例えば、銀又は金を含む。
【００７０】
本発明の該受動記憶装置の第１３の実施態様に依れば、該第１及び第２のパターン化した電極システムの少なくとも１つと該少なくとも１つの導電性ブリッジとは半導電性金属酸化物又はドープされた金属酸化物、例えば、五酸化バナジウム（vanadium pentoxide）、酸化インジウム錫（indium tin oxide）又は金属アンチモン酸塩（metal antimonate）を含む。
【００７１】
該電極及び導電性ブリッジの導電率は、導電性ブリッジの無い交点を通して測定される電流より著しく高い電流が、導電性ブリッジを通して流れるのに充分である必要がある。該抵抗は平方当たり１から１００，０００オームの範囲にあるのが好ましく、平方当たり２０，０００オームより低いことがより好ましい。該電極のライン幅は５から１０００μｍの範囲にあり、より好ましくは１００から５００μｍであるのがよい。分離用ストリップのライン幅は１０から１００００μｍの範囲内、より好ましくは１００から５０００μｍの範囲内とすることが出来る。
【００７２】
該記憶装置内の‘導電性ブリッジ’の位置は各デバイス用に種々であってもよく、かくして名前、住所、生年月日（date of birth）、他の様な個人占有の／個人的な情報（personalized/individual information）、又は製品の製造日付／時刻及び値段（pricing）を記憶してもよい。
【００７３】
本発明の該受動記憶装置の第１４の実施態様に依れば、該受動記憶装置は透明であり、それにより支援されない眼（unaided eye）には殆ど不可視（invisible）である。これは該電極及び‘導電性ブリッジ’用の導電性材料として例えばＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを使い、そして透明分離材料、例えば、透明ユーブイ硬化性インク（transparent UV-curable ink）を使うことにより実現出来る。
【００７４】
本発明の該受動記憶装置の第１５の実施態様に依れば、該‘導電性ブリッジ’はカラー化され、例えば、カーボンブラックベースのインクを使うことにより黒色にされる。
【００７５】
本発明の該受動記憶装置の第１６の実施態様に依れば、該‘導電性ブリッジ’の配置を視覚的に隠すために、導電性ブリッジを有しない残りの交点上に非導電性の黒いブリッジがプリントされてもよい。該導電性及び非導電性ブリッジは、例えば、染料（dyes）又は顔料（pigments）を付加することによりどんなカラーを有してもよい。
【００７６】
本発明の該受動記憶装置の第１７の実施態様に依れば、該記憶装置は、該‘導電性ブリッジ’の配置を視覚的に隠すために、画像又は均一にカラー化された又は不透明の層で重ねプリント（overprinted）される。
【００７７】
本発明の該受動記憶装置の第１８の実施態様に依れば、該‘導電性ブリッジ’の配置を視覚的に隠すために、該記憶装置上にカラー化された又は不透明のフォイル（foil）が積層される。
【００７８】
本発明の該受動記憶装置の第１９の実施態様に依れば、該受動記憶装置は１つ以上の安全の特徴、例えば、磁気的、赤外線吸収性、サーモクロミック（thermochromic）、フォトクロミック（photochromic）、コイン反応性（coin-reactive）、光学的可変性（optically variable）、蛍光性又はリン光性の、化合物等に基づく安全インク（security inks）と組み合わされてもよく、同位元素（isotope）、デーエヌエイ（DNA）、抗体（antibodies）又は特定の検出可能な試薬等に基づく化学的又は生物学的なタガント（taggant）が該記憶装置の層の１つに含まれることが可能である。該記憶装置はホログラム（hologram）、いじくり防止安全フイルム（tamper proof security film）、バーコード等で上をコートされる（overcoated）か、上にプリントされて（overprinted）もよい。本発明の該記憶装置は安全ペーパー（security paper）上にプリントされてもよい。
【００７９】
本発明の該受動記憶装置の第２０の実施態様に依れば、導電性ブリッジの数は少なくとも２つである。
【００８０】
本発明の該受動記憶装置の第２１の実施態様に依れば、該サポートは非金属性か（non-metallic）又はメタライズされない（non-metallized）サポートである。
【００８１】
本発明の該受動記憶装置の第２２の実施態様に依れば、該記憶装置は金属性シリコンを除く。
【００８２】
本発明の該第１の受動記憶装置の第２３の実施態様に依れば、該第１の受動記憶装置は非金属性又はメタライズされないサポートと、該サポートの少なくとも１つの側上の受動記憶要素と、を具備しており、該受動記憶要素は第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、該第１のパターン化した電極システム及び該第２のパターン化した電極システムの間のパターン化した絶縁システムと、を備え、該第１のパターン化した電極システム及び該第２のパターン化した電極システムの間には少なくとも１つの導電性ブリッジがあり、そこでは該受動記憶要素は、従来のプリンティング工程を用いて製作可能で、シリコン金属を除いており、そして該少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は該第１及び第２のパターン化した電極システムの間には直接の電気的接触は無い。
【００８３】
本発明の該第２の受動記憶装置の第２３の実施態様に依れば、該第２の受動的装置はシリコンを除いており、該第２の受動記憶装置はその少なくとも１つの側上に受動記憶要素を提供された非金属性又はメタライズされないサポートを具備しており、該受動記憶要素は、少なくとも１つの導電性ブリッジによりブリッジされた１連の遮断された導電性又は半導電性ラインを備え、そこでは該受動記憶要素は従来のプリンティング工程を用いてプリント可能である。
【００８４】
絶縁システム（Insulating Systems）
用語、絶縁システムは、本発明の開示で使われる時、恒久的に絶縁するシステム、すなわち、その特性が普通の周囲条件下で変更出来ず（unchangeable）、その抵抗が高電圧電
気パルスを印加することにより変更不可能な、システムを意味しており、そして特許文献４で開示される様に、その導電率がドーピングにより影響される半導電層と、その導電性状態が、特許文献５で開示される様に、各々が該絶縁システムの側の１つと連続する隣接する第１及び第２電極の間の比較的大きな電位の印加時、変化し得る導電性有機ポリマーと、を除く。
【００８５】
適当な絶縁材料は無機及び有機材料であり、例えば、アクリル酸エステル（acrylates）、オレフィン、メタアクリル酸エステル（methacrylates）、アクリルアミド（acrylamides）、メタアクリルアミド（methacrylamides）、アクリロニトリル（acrylonitrile）、塩化ビニル、ビニルアルコール、塩化ビニリデン（vinylidene chloride）、フッ化ビニル（vinyl fluoride）、フッ化ビニリデン（vinylidene fluoride）、他のフッ化エチレン化合物、ビニルアセタール、ビニルアセテート、スチレンそしてブタジエンから成る群から選択されたホモポリマー（homopolymers）及びコーポリマー（copolymers）の様なポリマー性材料（polymeric materials）、シリカ、アルミナ、アルミナ水和物（alumina hydrates）の様な無機フィラー、そしてガラスファイバーの様な無機ファイバーである。又該絶縁システムはユーブイ硬化性（UV-curable ink）のインク又はワニスとすることが出来る。
【００８６】
該受動記憶装置を作る工程（Processes for producing the memory passive device）
本発明の側面は受動記憶装置を提供する第１の工程により実現され、該受動記憶装置はサポートと、該サポートの少なくとも１つの側上の受動記憶要素と、を具備しており、該受動記憶要素は第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、該第１のパターン化した電極システム及び該第２のパターン化した電極システムの間の絶縁システムとそして該第１のパターン化した電極システム及び第２のパターン化した電極システムの間の少なくとも１つの導電性ブリッジを備えており、そしてそこでは該少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は、該第１及び該第２電極システムの間には直接の電気的接触は無い、該第１の工程は、非金属性の又はメタライズされないサポート上に第１の電極パターンを実現する過程と、該第１の電極パターン上に絶縁パターンを提供する過程と、該絶縁パターン上に第２の電極パターンを提供する過程と、そして予め指定された点で該第１の電極パターン及び第２電極パターンの間に電気的接触を提供する過程と、を具備しており、該過程の少なくとも１つは従来のプリンティング工程で実現される。
【００８７】
又本発明の側面は受動記憶装置を提供する第２の工程により実現されるが、該受動記憶装置は非金属性の又はメタライズされないサポートと、該サポートの少なくとも１つの側上の受動記憶要素と、を具備し、該受動記憶要素は第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、該第１のパターン化した電極システム及び該第２のパターン化した電極システムの間の絶縁システムとそして該第１のパターン化した電極システム及び第２のパターン化した電極システムの間の少なくとも１つの導電性ブリッジを備えており、そしてそこでは該少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は、該第１及び該第２電極システムの間には直接の電気的接触は無い、該第２の工程は、非金属性の又はメタライズされないサポート上に第１の電極パターンを実現する過程と、該第１のパターン化した電極システム上に絶縁システムを提供する過程と、第２の非金属性の又はメタライズされないサポート上に第２の電極パターンを提供する過程と、該絶縁パターンシステムを該第２電極パターンと接触させた時、該予め指定された点で該第１電極パターン及び該第２電極パターンの間の電気的接触が実現されるよう該第１又は第２電極パターンシステム上に電気的接触を提供する過程と、そして該予め指定された点で該第１電極パターン及び第２電極パターンの間の電気的接触が実現されるよう該絶縁パターンシステムを第２電極パターンシステムに接触させる過程と、を具備しており、該過程の少なくとも１つはプリンティング工程で実現される。該絶縁パターンシステムと該第２電極システムの間の該接触は、タッチ適用（touch application）に於ける様に１時的でも、或いは積層の場合に於ける様に恒久的でもよい。
【００８８】
該記憶装置内の全ての層、ビットライン、絶縁パターンシステム、ワードラインそして‘導電性ブリッジ’は、インクジェットプリンティング、インタグリオプリンティング、スクリーンプリンティング、フレキソグラフィックプリンティング、オフセットプリンティング、スタンププリンティング、グラビヤプリンティングそして感熱及びレーザー誘起工程を含むがそれらに限定されない従来のプリンティング工程により付けられ得る。１つのプリンティング工程が該記憶装置内の全層用に使われるか又は２つ以上のプリンティング工程の組み合わせが使われるか何れかである。
【００８９】
本発明の該工程の第１の実施態様に依れば、該工程は少なくとも１つのプリティング過程を含む。
【００９０】
本発明の該工程の第２の実施態様に依れば、従来のプリンティング工程は非インパクトプリンティング工程、例えば、インクジェットプリンティング、静電記録プリンティング（electrophotographic printing）そして電子製版プリンティング（electrographic printing）である。
【００９１】
本発明の該工程の第３の実施態様に依れば、従来のプリンティング工程はインパクトプリンティング工程、例えば、オフセットプリンティング、スクリーンプリンティング、フレキソグラフィックプリンティング、そしてスタンププリンティングである。
【００９２】
本発明の該工程の第４の実施態様に依れば、従来のプリンティング工程は、インクジェットプリンティング、インタグリオプリンティング、スクリーンプリンティング、フレキソグラフィックプリンティング、オフセットプリンティング、スタンププリンティング、グラビヤプリンティング、静電記録プリンティング、電子製版プリンティングそして感熱及びレーザー誘起工程から成る群から選択される。
【００９３】
本発明の該工程の第５の実施態様に依れば、該第１電極パターン、該絶縁パターン、該第２電極パターンそして該少なくとも１つの導電性ブリッジはインクジェットプリンティングにより行われる。
【００９４】
本発明の該工程の第６の実施態様に依れば、該第１電極パターン、該絶縁パターン、該第２電極パターンそして該少なくとも１つの導電性ブリッジはフレキソグラフィックプリンティングにより行われる。
【００９５】
本発明の該工程の第７の実施態様に依れば、該受動記憶装置は金属シリコンを除く。
【００９６】
本発明の該第１工程の第８の実施態様に依れば、該第１のパターン化した電極システム及び第２のパターン化した電極システムの間の電気的接触の提供は、該第２のパターン化した電極のプリンティングと同じ工程で実現され、例えば、該絶縁パターンシステム内の開口部（openings）を通して該第２電極パターンシステム及び第１電極パターンシステムの間で直接的に、又は該第１電極パターンシステムへの予め存在する（pre-existing）導電性ブリッジか又は該第２電極パターンシステムと一緒にプリントされた（copinted）導電性ブリッジを経由して実現される。
【００９７】
本発明の該第１工程の第９の実施態様に依れば、該第１電極パターン、該絶縁パターン、該第２電極パターンそして該少なくとも１つの導電性ブリッジは同じでもよい又は異なってもよいプリンティング工程により各々が行われる。
【００９８】
本発明の該第１工程の第１０の実施態様に依れば、該第１電極パターン、該絶縁パターン、該第２電極パターンそして該少なくとも１つの導電性ブリッジは同じプリンティング工程により行われる。
【００９９】
本発明の該第１工程の第１１の実施態様に依れば、該導電性ブリッジは該第１電極パターンシステム、該第２電極パターンシステム又は該絶縁パターンシステムと同じ工程の過程で実現され得る。
【０１００】
本発明の該第１工程の第１２の実施態様に依れば、該第１電極パターン及び第２電極パターンの間の予め選択された交点上に導電性ブリッジを付けることにより情報を記憶する過程は該第１電極パターンシステム、該絶縁パターンシステムそして該第２電極パターンシステムを提供するそれと同じプリンティングラインで行われる。
【０１０１】
本発明の該第１工程の第１３の実施態様に依れば、該第１電極パターン及び第２電極パターンの間の予め選択された交点上に導電性ブリッジを付けることにより情報を記憶する過程は該第１電極パターン、該絶縁パターンそして該第２電極パターンを提供するそれと同じプリンティングラインでは行われない。
【０１０２】
本発明の該工程に依るプリンティングは、パッケージ（package）上、ラベル、チケット（ticket）、ＩＤカード（ID-card）、銀行カード（bank card）、法的文書（legal document）そして紙幣（banknotes）上で直接行われ得る。該記憶装置は識別システム（identificatoin system）、安全の特徴（security feature）、偽造防止の特徴（anti-counterfeiting feature）として作動してもよい。
【０１０３】
本発明の該受動記憶要素はリールからリールのプリンティング（reel-to-reel printing）により廉価な方法で作られ得る。該プリンティング工程は少なくとも３つの過程、すなわち、ａ）基板上に第１電極のビットラインのプリンティングと、それにより該第１電極パターンを実現する過程と、ｂ）該第１電極上の絶縁材料のラインのプリンティングと、それにより該絶縁パターンを実現する過程と、そしてｃ）該絶縁材料上の第２電極のワードラインのオプションでのプリンティングと、それにより該２つの電極平面が、直接の物理的及び電気的接触無しで、相互に交叉するよう、該第２電極パターンを実現する過程と、から成る。情報が次いで導電性ブリッジを形成するため予め選択された交点での導電性材料の別のプリンティングにより記憶されるか、又は情報が、該受動記憶要素のプリンティングでの該第１電極パターン、第２電極パターン又は絶縁パターンの過程のプリンティングと一緒に記憶されるか何れかである。
【０１０４】
該第１電極パターン及び該第２電極パターンの間の予め選択された交点上に導電性ブリッジを付けることにより情報を記憶するこの様なオフラインの過程は、同じ又は異なる場所で、同じ時刻又は後れた時刻に、例えば、インクジェットプリンティングにより行うことが出来る。これは種々の情報を有する各受動記憶要素の個人専有化（personalization）を可能にする。
【０１０５】
本発明の該第１工程の第１４の実施態様に依れば、少なくとも該第１電極パターン、該絶縁パターンそして該第２電極パターンがリールからリールのプリンティングにより実現される。
【０１０６】
本発明の該第１工程の第１５の実施態様に依れば、該サポートは非金属性か又はメタライズされないサポートである。
【０１０７】
本発明の該第１工程の第１６の実施態様に依れば、シリコン金属を除く受動記憶装置を提供する該第１工程であるが、該受動記憶装置はサポートと、該サポートの少なくとも１つの側上の受動記憶要素と、を具備しており、該受動記憶要素は第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、該第１のパターン化した電極システム及び第２のパターン化した電極システムの間の絶縁システムとそして該第１のパターン化した電極システム及び第２のパターン化した電極システムの間の少なくとも１つの導電性ブリッジと、を備えており、該少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は、該第１及び第２電極の間には直接の電気的接触は無い状況で、該第１工程は、該非金属又はメタライズされないサポート上に第１電極パターンを実現する過程と、該第１電極パターン上に絶縁パターンを提供する過程と、該絶縁パターン上に第２電極パターンを提供する過程と、そして予め指定された点で該第１電極パターン及び該第２電極パターンの間に電気的接触を提供する過程と、を具備しており、そこでは該過程の少なくとも１つは従来のプリンティング工程で実現される。
【０１０８】
本発明の該受動記憶要素はプリンティング工程により製作可能である。情報はプリンティング工程を介して導電性ブリッジを創ることにより記憶される。図１は本発明により、受動記憶を製造するためのこの様なプリンティング工程の略図的表現である。該プリンティング工程は、例えば、４つのプリンティングステーションを有する１つのプリンティング機械で、シーケンシャルに行われる４つのプリンティング過程に分けられ得る。
【０１０９】
第１過程（図１ａ）で、導電性又は半導電性材料のストリップ（ビットライン）が適当な基板上にプリントされ、次に乾燥される。例えば、１と１０００の間でどんな数のストリップがプリントされてもよく、１つのストリップが１次元のマトリックスに帰着する。
【０１１０】
第２過程（図１ｂ）で、分離材料（isolating material）のパターンが該第１電極の頂部上に、該第１電極が該分離材料により部分的にカバーされる様な方法で、プリントされる。又該分離材料はプリンティング工程で付けられそして溶媒ベース、水ベース又はユーブイ硬化可能のインク又は適当な溶媒中の無機、有機又はポリマー材料の溶液、とすることが出来て、次に乾燥又は硬化される。
【０１１１】
第３の過程（図１ｃ）で、導電性又は半導電性材料のストリップ（ワードライン）が該分離用ストリップ上にプリントされ、次に乾燥される。該ストリップは該分離パターン上で、該第１及び第２電極の間に物理的及び電気的接触が無いように位置付けられる。該導電性又は半導電性材料は該第１電極の導電性又は半導電性材料と同じにするか又は異ならせることが出来る。これらの３つの層から形成されたデバイスは何等データを含まない‘空の（empty）’メモリーと呼ばれ得る。これらの‘空の’メモリーは１つの物理的場所でプリントされ、その後第４の過程、該メモリーデバイス内に情報の書き込み（writing）／プリンティング、がもう１つの物理的場所で又は後刻に行われる。
【０１１２】
第４の過程（図１ｄ）で、情報が該メモリーの内部に記憶されるが、それは該マトリックス内の予め選択された交点に導電性又は半導電性の材料の‘導電性ブリッジ’をプリントすることに依る。各画素（Each pixel）は、それが該予め選択された交点で該第１電極及び第２電極の両者に（部分的に）重なり合う（overlaps）よう位置付けられ、それにより電気的相互接続（electrical interconnect）又は導電性ブリッジを創る。該導電性又は半導電性材料は該電極の導電性又は半導電性材料と同じでも又は異なってもよい。
【０１１３】
図２はもう１つの実施態様を示すが、そこでは情報は最初の３つのプリンティング過程の１つと一緒にプリントされる。図２ａで、第１電極及び絶縁材料は第１の実施態様で説明された様にプリントされる。第２電極パターンは１つのプリント内に組み合わされた電極ワードラインのパターンと‘導電性ブリッジ’とから成る。これは情報の書き込みでの
追加のプリンティング過程を除くが、使われるプリンティング技術に依り、各記憶装置内に異なるデータを記憶することが可能であるか又は不可能であり、例えば、該第２電極をプリントするためにインクジェットプリンティングが使われれば可能である。代わりに、各々の交点には分離材料をプリントせず、これにより該第２電極がプリントされる時これらの場所で導電性ブリッジを創ることにより、情報は該絶縁パターン（図２ｂ）のプリンティング時に記憶され得る。第３のオプションとして、情報は又第１電極と一緒にプリントされることも出来る（図２ｃ）。このパターンは第１のオプションと類似であるが、該３つの層が逆の順序でプリントされる。
【０１１４】
もう１つの実施態様では、情報は２つ以上のプリンティング過程の組み合わせで記憶装置内に記憶され、例えば、該情報の１部分が該第１電極と共にプリントされそして第２部分が該第２電極と一緒にプリントされるか、又は、該情報の１部分が該第２電極と或いは該分離層と一緒にプリントされそして第２部分は追加の‘導電性ブリッジ’がプリントされる別のプリンティング過程でプリントされる様に、である。情報の該第１部分は製造者の名前の様な固定情報を含んでもよい一方、該第２部分は生産日付又はバッチ番号（batch number）の様に可変的（variable）であってもよい。
【０１１５】
本発明の該第１工程の第１７の実施態様に依れば、更に進んだ過程で、該第１電極パターン及び第２電極パターンの間の予め選択された交点上の該少なくとも１つの導電性ブリッジの１つ以上が非作動式（inoperative）にされる。これは化学的、熱的、電気的、機械的又は光学的の方法で行われ得る。導電性ブリッジは創生され、除去され得るので、該記憶装置は書き込み直し可能（rewritable）である。
【０１１６】
図３は該導電性ブリッジの導電率を変えることにより多数ビットレベル（multiple bit
levels）が創られるもう１つの実施態様を示す。１実施態様では、該多数ビットレベルは種々の導電率を有する‘導電性ブリッジ’をプリントすることにより創られる。これは、該‘導電性ブリッジ’の寸法又は厚さを変えることにより（図３ａ）、或いは、その化学的組成を変えることで該‘導電性ブリッジ’用に使われる導電性材料の真性の導電率（intrinsic conductivity）を変えることにより（図３ｂ）、達成出来る。もう１つの実施態様では、多数ビットレベルは、層厚さ又は化学的組成の差により達成される該分離材料の導電率の変更により、創られる（図３ｃ）。
【０１１７】
好ましい実施態様（図２）の記憶装置内に記憶され得る情報の量（amount）は、代わりの電流通路（alternative current paths）のために制限される。図４で交点Ｂ２（接触点Ｂと接触点２を経由する）を通る抵抗の測定値は高抵抗を示す筈であり、何故ならば導電性ブリッジが存在しないからである。しかしながら、電流はビットラインＢからワードライン２へ、代わりの通路経由（via an alternative pathway）で、すなわち、続く交点Ｂ１，Ａ１そしてＡ２経由で、流れるだろう。該代わりの電流通路を避ける（prevent）ためには、１つの導電性ブリッジがビットラインとワードラインの間の交点にありそして少なくとももう１つの導電性ブリッジが両方のこれらのビットラインとワードラインにある、図４に示す導電性ブリッジの構成を避けることが必要である。４ビットを有する２＊２マトリックス用では、起こり得る組み合わせの最大理論数は２４＝１６組み合わせである。代わりの電流通路のために、１２の組み合わせのみが該代わりの電流通路による見かけの読み無しに（without false readings）使われ得る。２５ビットを有する５＊５マトリックスでは、起こり得る３３．５＊１０６の理論的組み合わせの２７＊１０３のみが使われ得て、６４ビットを有する８＊８マトリックスでは、起こり得る１０１９の理論的組み合わせの約１＊１０１２のみが使われ得る。これは大抵の応用には充分だろう。より高い情報密度が必要な場合、該マトリックスの寸法が増大されるか又は相互に対し隣接して又は相互の頂部上に位置付けられた多数マトリックスが使われ得る。
【０１１８】
本発明の該第１の受動記憶装置の第２１の実施態様に依れば、該マトリックスの大きさ（size）が増加させられるか、又は相互に隣接して、又は相互の頂部上に、位置付けられた多数マトリックスが使われることが可能である。
【０１１９】
本発明の該第２工程の第８の実施態様に依れば、該サポート及び該第２のサポートは独立して非金属性又はメタライズされないサポートである。
【０１２０】
本発明の該第２工程の第９の実施態様に依れば、シリコン金属を除く受動記憶装置を提供する該第２の工程であるが、該受動記憶装置が非金属性又はメタライズされないサポートと、該サポートの少なくとも１つの側上の受動記憶要素と、を具備しており、該受動記憶要素が第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、該第１のパターン化した電極システム及び第２のパターン化した電極システムの間の絶縁システムとそして該第１のパターン化した電極１及び該第２のパターン化した電極システムの間の少なくとも１つの導電性ブリッジと、を備えており、該少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は、該第１及び第２電極システムの間に直接の電気的接触が無い状況で、該第２の工程は、該非金属性又はメタライズされないサポート上に第１電極パターンを実現する過程と、該第１のパターン化した電極システム上に絶縁システムを提供する過程と、第２の非金属性又はメタライズされないサポート上に第２の電極パターンを提供する過程と、該絶縁パターンシステムを該第２電極パターンに接触させた時該第１電極パターン及び第２電極パターンの間の電気的接触が該予め指定された点で実現されるように該第１又は該第２電極パターンシステム上に電気的接触を提供する過程と、そして該第１電極パターン及び第２電極パターンの間の電気的接触が該予め指定された点で実現されるよう該絶縁パターンシステムを該第２電極パターンシステムに接触させる過程と、を具備しており、該過程の少なくとも１つはプリンティング工程で実現される。
【０１２１】
本発明の該受動記憶装置の更に進んだ実施態様では、導電性ブリッジの導電率は電極ラインの導電率より著しく低くなるよう選択されることが可能である。人は‘真実の（tr ue）’導電性ブリッジと、代わりの電流通路に依る測定される導電性ブリッジと、の間を区別することが出来る。該電流が、１つの代わりに３つの導電性ブリッジ（抵抗）を通る代わりの電流通路を経由して流れるので、電流差は検出されることが可能である。該電極ラインの導電率は、上を電流が流れる距離により該電極ライン内の追加的抵抗を減じるよう著しく高い必要があり、これにより読み出し電流の解析はより複雑になる。
導電性スクリーンプリント用インク（Conductive screen printing ink）
特許文献１０は、中で２つのアルコキシ基は同じでもあっても又は異なってもよく或いはオプション的に置換されたオキシ−アルキレン−オキシブリッジを一緒に表してもよい３，４−ジアルコシキチオフェンのポリマー又はコーポリマーと、ポリアニリンとそして非ニュートンのバインダーと、を含む水性配合物と、上記説明の水性配合物を、オプション的にサブ（subbed）されたサポート、誘電体層（dielectric layer）、りん光体層（phosphor layer）又はオプション的に透明な導電性コーティングに塗布する過程と、そして該それで塗布された水性配合物を乾燥する過程と、を具備する導電性層を用意する方法と、該導電性層を用意するために上記説明の方法により用意された帯電防止及び導電性のコーティングと、上記説明の水性配合物を含むプリンティングインク又はペーストと、そして上記説明のプリンティングインクを提供する過程と、オプション的にサブされたサポート、誘電体層、りん光体層又はオプション的に透明な導電性コーティング上に該プリンティングインクをプリントする過程と、を具備するプリンティング工程と、を開示している。特許文献１０に開示された該スクリーンプリンティングインク配合（formulations）は特に引用によりここに組み入れられる。
【０１２２】
特許文献１４は、その２つのアルコキシ基は同じであっても、異なっても、或いはオプション的に置換されたオキシ−アルキレン−オキシブリッジを一緒に表してもよい３，４
−ジアルコキシチオフェンのポリマー又はコーポリマーを重量で０．０８から３．０％の間でと、ポリアニオンとそして少なくとも１つの非水性溶媒と、を含む配合物を、実質的に酸素無しで用意された水の中の（３，４−ジアルコキシチオフェン）の該ポリマー又はコーポリマーと該ポリアニオンと、の分散系から用意する方法であり、該方法が、ｉ）該非水性溶媒の少なくとも１つを（３，４−ジアルコキシチオフェン）の該ポリマー又はコーポリマーと該ポリアニオンと、の水性分散系と混合する過程と、そしてｉｉ）過程ｉ）で用意された該混合物から水を、その中の水の含有量（content of water）が重量で少なくとも６５％だけ減じられるまで、蒸発させる過程と、を上記順序で具備する該方法と、上記説明の方法により用意され、与えられた透明度に於ける向上した導電率を有する層を生じ得るプリンティングインク、プリンティングペースト又はコーティング配合物と、そして与えられた透明度に於ける向上した導電率を有する層をそれにより作るコーティング配合物を用いたコーティング工程と、そして与えられた透明度に於ける向上した導電率を有する層をそれにより作る該プリンティングインク又はペーストを用いたプリンティング工程とを開示する。特に特許文献１４で開示された該スクリーンプリンティングインク配合は引用によりここに組み入れられる。
【０１２３】
特許文献１５は、その２つのアルコキシ基が同じであっても、異なっても、或いはアルキル、アルコキシ、アルキオキシアルキル、カルボキシ、スルホン酸アルキル（alkylsulphonate）、スルホン酸アルキルオキシアルキル（alkyloxyalkylsulphonate）、そしてカルボキシエステル基（carboxy ester group）から成る群から選択された置換基とオプション的に置換されたオキシ−アルキレン−オキシブリッジを一緒に表してもよい３，４−ジアルコキシチオフェンのポリマー又はコーポリマーを重量で０．０８と３．０％の間でと、ポリアニオンとそして少なくとも１つのポリヒドロキシ非水性溶媒（polyhydroxy non-aqueous solvents）と、を含む配合物を、水中の（３，４−ジアルコキシチオフェン）のポリマー又はコーポリマーと該ポリアニオンとの分散系から用意する方法であるが、該方法は、ｉ）該非水性溶媒の少なくとも１つを（３，４−ジアルコキシチオフェン）の該ポリマー又はコーポリマーと該ポリアニオンの水性分散系と混合する過程と、そしてｉｉ）過程ｉ）で用意された該混合物から水を、その中の水の含有量（content of water）が重量で少なくとも６５％だけ減じられるまで、蒸発させる過程と、を上記順序で具備する該方法と、上記説明の方法により用意され、与えられた表面抵抗に於いて向上した透明度を有する層を生じることが出来るプリンティングインク、プリンティングペースト又はコーティング配合物と、与えられた表面抵抗に於ける向上した透明度を有する層をそれにより作るコーティング配合物を用いたコーティング工程と、そして与えられた表面抵抗に於ける向上した透明度を有する層をそれにより作る該プリンティングインク又はペーストを用いたプリンティング工程と、を開示する。特に特許文献１５で開示された該スクリーンプリンティングインク配合は引用によりここに組み入れられる。
【０１２４】
導電性フレキソグラフィックプリンティングインク（Conductive flexographic printing
inks）
特許文献１１は、その２つのアルコキシ基が同じであってもよく、異なってもよく、或いは、オプション的に置換されたオキシ−アルキレン−オキシブリッジを表してもよい３，４−ジアルコキシチオフェンのポリマー又はコーポリマーと、ポリアニオンとそしてラテックスバインダーと、を溶媒又は水性媒体内に含む染料を含まないフレキソグラフィックインク（non-dye containing flexographic ink）であり、３，４−ジアルコキシチオフェンの該ポリマー又はコーポリマーが該インク内に重量で少なくとも０．１％の濃度で存在し、該インクは比色計には（colorimetrically）加成性（additive）を示す透明プリントを作ることが出来る該インクと、該フレキソグラフィックインクを用意する方法と、そしてそれを用いたフレキソグラフィックプリンティング工程と、を開示する。特許文献１１で開示された該フレキソグラフィックプリンティングインクの配合は引用により特にここに組み入れられる。
【０１２５】
導電性インクジェットインク（Conductive ink-jet ink）
その２つのアルコキシ基が同じであっても、異なっても、或いはオプション的に置換されたオキシ−アルキレン−オキシブリッジを一緒に表してもよい３，４−ジアルコキシチオフェンのポリマー又はコーポリマーと、ポリアニオンと高沸点液体（high boiling point liquid）と、を溶媒又は水性媒体内に含み、インクジェットプリンティング用に好適な配合物が用意出来る。噴射温度（jetting temperature）で、汎用プリントヘッド（Universal Print Head）｛アグファーゲバルト（AGFA-GEVAERT）から｝用に３から１５ｍＰａ．ｓの範囲内にあるのが好ましい粘度の様な重要特性は、導電性ポリマーの濃度と高沸点液体の量と種類を変えることにより調整出来る。ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの重量で１．２％の分散系は室温で約３０ｍＰａ．ｓの粘度（viscosity）を有し、重量で０．６％の分散系は室温で約１０ｍＰａ．ｓの粘度を有する。
【０１２６】
その表面張力（surface tension）は汎用プリントヘッド用の噴射条件（jetting conditions）で２８から３６ｍＮ／ｍの範囲内が好ましく、適当なアニオン性（anionic）、カチオン性（cationic）又は非イオン性（non-ionic）界面活性剤（surfactants）又は溶媒、例えばアルコールを加えることにより調整出来る。又界面活性剤は噴射特性（jetting performance）、基板上での該インクの濡れ特性（wetting properties）及びプリントされた層のユーブイ安定性（UV-stability）に影響する。
【０１２７】
高沸点液体の例えば重量での５から２０％の追加は乾燥後のプリント層の導電性を改善し、有用な高沸点液体はエチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセロール（glycerol）、Ｎ−メチルピロリドン（N-methylpyrrolidone）そして２−ピロリドン（2-pyrrolidone）である。又高沸点液体の選定は乾燥時間、最低乾燥温度、噴射特性、濡れ特性、粘度そして表面張力に影響する。
【０１２８】
オプションとして、プリントヘッドの腐食を防止するためインクジェットプリンティング溶液を中性化するようジメチルエタノールアミン（dimethylethanolamine）、トリエチルアミン（triethylamine）又はジイソプロピルエチルアミン（diisopropylethylamine）の様な揮発性塩基（volatile bases）が付加されてもよい。
工業的用途（Industrial application）
本発明の受動記憶装置は安全及び偽造防止応用、例えば、チケット、ラベル、タグ、アイデーカード、銀行カード、法的文書、紙幣そしてパッケージング、で使用され、又パッケージングに一体化され得る。
【０１２９】
本発明が以下では比較例及び本発明実施例により図解される。これらの例で与えられるパーセンテージ及び比は、他の指示が無いならば重量による。
【０１３０】
【表１】
【０１３１】
実施例の要素で使われた商業的コーティング
・オルガコンイーエル−ピー３０４０（ORGACON EL-P3040）、アグファー−ゲバエルトエヌ．ブイ．（AGFA-GEVAERT N.V.）からのＰＥＤＯＴ：ＰＳＳのスクリーンプリティングインク、
・アゴリックス(R)マジェンタインク（AGORIX(R) MAGENTA INK）、アグファードットリックスエヌブイ（AGFA-DOTRIX N.V）からのユーブイ硬化可能なインクジェット
・エココート(R)シーシー−２（ECCOCOAT（R）CC-2）、エマーソンカミング（EMERSON & CUMING）からの銀ペースト
・イーデー４０００（ED4000）、エレクトラポリマー（ELECTRA POLYMERS）からのカーボンブラックインク
・ノリペット(R)０９３クリア（NORIPET（R） 093 Clear）、プレール（Proell）からの絶縁用スクリーンプリンティングインク
【０１３２】
実施例の要素で使われた非商業的コーティングで使われた原料
・タナコート(R)エフジー３（TANACOAT（R） FG3）、シブロンケミカル（SYBRON CHEMICALS）からの水性カルボキシル化ポリプロピレンエマルジョン（aqueous carboxylated polypropylene emulsion）
・パニポル(R)ダブリュー（PANIPOL（R） W）、パニポル社（PANIPOL LTD）からのポリアニリンの重量で６％の水性分散系
・ディノル(R)６０４（DYNOL（R） 604）、エア製品（AIR PRODUCTS）からのアセチレングリコールベースの界面活性剤（acetylenic glycol-based surfactant）
・ポリエステル分散系（POLYESTER DISPERSION）は、５２．９モル％のテレフタール酸（terephthalic acid）、４０モル％のテレフタール酸、７モル％のスルホ−イソフタール酸（sulfo-isophthalic acid）、０．１モル％の下記物質
【０１３３】
【化１】
【０１３４】
及び１００モル％のエチレングリコールのポリエステルの重量で２５％の水性分散系である。
【０１３５】
・ピーブイピー＝コリドン(R)９０（PVP=KOLLIDON（R） 90）、バスフ（BASF）からのポリビニルピロリドン（polyvinylpyrrolidone）
【０１３６】
［実施例１］（INVENTION EXAMPLE 1）
完全にインクジェットプリントされた要素（FULLY INK-JET PRINTED ELEMENT）
実施例１の受動記憶要素は、ポリエチレンテレフタレートサポートの表面エネルギーを調整するように、（２０μｍコーティングナイフを用いて）脱イオン水（deionized water）とエタノールの１：１混合物内のピーブイピー（PVP）の１％溶液でコートされた１２５μｍ厚さのポリエチレンテレフタレートサポート上に、下表で与える組成のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳのインクジェットインクで、汎用プリントヘッド（アグファゲバルトからの）を使用して、１ｍｍ幅で２ｍｍ離れた、長さ３０ｍｍの８ラインを有する第１電極パターンを最初にインクジェットプリントすることにより作られた。
【０１３７】
【表２】
【０１３８】
第１電極パターンに対し直角の方向で１ｍｍ幅で２ｍｍ離れた、長さ３０ｍｍの８ラインを有する絶縁パターンが、汎用プリントヘッドを用いて相互の頂部上にアゴリックスマジェンタインク（AGORIX Magenta INK）の２層をインクジェットプリントし、次いでユーブイ硬化することにより実現された。
【０１３９】
次いで、１ｍｍ幅で２ｍｍ離れた、長さ３０ｍｍの８ラインを有する第２電極パターン
が、該汎用プリントヘッドを用い、該絶縁パターンのラインの頂部上に、上記説明のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳのインクジェットインクを用いたインクジェットプリントにより作られた。
【０１４０】
導電性ブリッジを形成するために、予め選択された交点に、上記説明のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳのインクジェットインクを用い、汎用プリントヘッドを使用して、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの‘導電性ブリッジ’が１＊３ｍｍのラインのインクジェットプリントにより最後に付けられた。ビットラインとワードラインの間の抵抗はフルークマルチメーター（Fluke Multimeter）で測定され、導電性ブリッジについては約１Ｍオームであり、導電性ブリッジが無いならば３０Ｍオームより高かった。
【０１４１】
［実施例２］
フレキソグラフィック及びインクジェットプリンティングの組み合わせ（COMBINATION OF
FLEXOGRAPHIC AND INK-JET PRINTING）
実施例２の受動記憶要素は、フレキソグラフィックＰＥＤＯＴ：ＰＳＳインク（組成は下記で与えられる）を使い、ロータリコーターパイロットプレス（Rotary Koater Pilot Press）｛ピー．ケー．プリントコートインストルメント社（P.K. Print Coat Instruments, Ltd.）からの｝で、プレトリートされないＰＥＴ−基板（non-pretreated PET-substrate）上に１ｍｍ幅で２ｍｍ離れた長さ２５ｍｍの８ラインを有する第１電極パターンを１８ｍ／分でプリントし、次いでロールからロールへの工程で１０９℃のオーブン内で乾燥することにより作られた。
【０１４２】
【表３】
【０１４３】
次いでイーエスアイプルーフフレキソグラフィックハンドプルーファー（ESIPROOF flexographic handproofer）（ピーケープリントコートインストルメント社）を使い水とエタノールの１：１混合物内のピーブイピー（PVP）の５％溶液を使用して該第１電極パターン上にプライマー層（primer layer）がフレキソグラフィック式（flexographically）にプリントされ、１００℃で５分間乾燥された。
【０１４４】
アゴリックスマジェンタインクの２層は、該第１電極パターンに対し直角の方向に、２．５ｍｍ幅で１ｍｍ離して長さ３０ｍｍの８ラインとして相互の頂部上に、汎用プリントヘッドを使ってプリントされ、次いでユーブイ硬化されて、それにより絶縁ラインパターンを形成した。
【０１４５】
１ｍｍ幅で２．５ｍｍ離れた長さ３０ｍｍの８ラインを有する第２電極パターンがＰＥＤＯＴ：ＰＳＳインクジェットインク（組成は上記で与えられている）でインクジェットプリントすることにより該絶縁層の頂部上に作られた。
【０１４６】
次いで導電性ブリッジを形成するために、上記説明のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳインクジェットインクを伴う汎用プリントヘッドを使って、予め選択された交点に１ｍｍ幅で長さ３ｍｍの８ラインとして、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの‘導電性ブリッジ’がインクジェットプリントされた。ビットラインとワードラインの間の抵抗はフルークマルチメーターで測定され、導電性ブリッジについては約１Ｍオーム、導電性ブリッジの無い場合は３０Ｍオームより高かった。
【０１４７】
［実施例３］
実施例３の受動記憶要素は、該導電性ブリッジが、インクジェットプリンティングに依る代わりに、予め選択された交点上に、イーデー４０００（ED4000）（カーボンブラックインク）、パニポール(R)ダブリュー（PANIPOL（R） W）（ポリアニリン分散系）そしてエココート(R)シーシー（ECCOCOAT（R） CC）（銀ペースト）の‘導電性ブリッジ’を用いて手動で作られたことを除けば、実施例２の受動記憶要素用に説明した様に作られた。
【０１４８】
ビットラインとワードラインの間の抵抗はフルークマルチメーターで測定され、導電性ブリッジが無いならば３０Ｍオームより大きい抵抗が測定されたが、全導電性ブリッジについては０．５から１．５Ｍオームであると測定された。
【０１４９】
［実施例４］
手動塗布導電性ブリッジを有しスクリーンプリントされた素子（SCREEN PRINTED ELEMENT
WITH MANUALLY APPLIED CONDUCTIVE BRIDGES）
実施例４の受動記憶要素は、オーガコン(R)イーエル−ピー３０４０（ORGACON（R） EL-P3040）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳスクリーンプリンティングインク）を使い、サブ用層エヌアール．０１でサブされた（subbed with subbing layer nr.01）１２５μｍ厚さのポリエチレンテレフタレートサポート上に、１ｍｍ幅で２ｍｍ離れた長さ３０ｍｍの８ラインを有する第１電極パターンをスクリーンプリントし、それにより第１電極パターンを形成することにより作られた。
【０１５０】
１３０℃で３分間乾燥後、ノリペット(R)０９３クリア（NORIPET（R） 093 Clear）（絶縁用インク）を該第１電極ラインに対し直角方向に、２ｍｍ幅で、各１ｍｍ離れた長さ３０ｍｍの８絶縁ラインとして、スクリーンプリントすることにより塗布し、１３０℃で３分間乾燥し、それにより絶縁層パターンを形成した。次いで、第２電極パターンが、該絶縁ラインの頂部上に、１ｍｍ幅で各２ｍｍ離して長さ３０ｍｍのラインでオーガコン(R)イーエル−ピー３０４０をスクリーンプリントすることにより作られ、それにより８＊８マトリックスを形成した。
【０１５１】
次いで導電性ブリッジを形成するために、イーデー４０００（カーボンブラックインク）、パニポル(R)ダブリュー（ポリアニリン分散系）そしてエココートアールシーシー２（銀ペースト）の‘導電性ブリッジ’が予め選択された交点に付けられた。読み出し（Readout）は記憶要素上の電極接触点（electrode contacts）に対応する接点（contacts）を有するプリント回路基板上に該記憶要素を位置付けることにより行われた。２つの接点（１つのビットラインと１つのワードライン）間に５ボルトの電圧が印加され、電流が測定された。ビットラインとワードラインの選択はマルチプレクサー（multiplexers）を使って行われた。導電性ブリッジの無い交点は３μＡの平均電流を与え、導電性ブリッジを通して測定された電流はカーボンブラックについては約１００μＡ、ポリアニリンについては８０μＡそして銀については６０μＡであった。
【０１５２】
［実施例５］
完全にスクリーンプリントされた要素（FULLY SCREEN PRINTED ELEMENT）
実施例５の受動記憶要素は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ導電性ブリッジが、カーボンブラック、ポリアニリン又は銀ペーストを手で塗布する代わりに、１パターン内で第２電極と一緒にスクリーンプリントされたことを除けば、実施例４で説明された様に調製された。実施例４で説明した様な電流の測定は、導電性ブリッジの無い交点では約３μＡの電流を与え、導電性ブリッジを有する交点では８０−１００μＡを与えた。代わりの電流通路による見かけの読み値は約６０μＡの電流を示した。
【０１５３】
［実施例６］
実施例６の受動記憶要素は、第２電極パターンがパニポルダブリュー（PANIPOL W）（ポリアニリン分散系）を用いて手動で付けられたことを除けば実施例４用に説明した様に調製された。導電性ブリッジはイーデー４０００（カーボンブラックインク）とパニポルダブリューで作られた。ビットラインとワードラインの間の抵抗はフルークマルチメーターで測定され、パニ（PANI）導電性ブリッジについては７００ｋオーム、カーボンブラック導電性ブリッジについては３００ｋオームであり、両者共、もし導電性ブリッジが無い場合測定される３０Ｍオームより低い。
【０１５４】
本発明はそれが現在請求される発明に関係するかどうかに拘わらず、ここで隠れてか、又は表立てか、何れかで開示されたどんな特徴又は特徴の組み合わせも含んでいる。前記説明を考慮すると、本発明の範囲内で種々の変型が行われ得ることは当業者には明らかである。
【図面の簡単な説明】
【０１５５】
【図１ａ−ｄ】本発明の実施例の記憶装置の準備を図解する。
【図２ａ−ｃ】本発明の記憶装置で情報を記憶する３つの異なる方法を図解する。
【図３ａ−ｃ】本発明の記憶装置で多数のビットレベルを達成する３つの異なる方法を図解する。
【図４】２＊２マトリックスに於ける代わりの電流通路の問題を図解する。
【図１】
【図２】
【図３】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極システムと、絶縁システムとそして第２電極システムと、を具備する受動記憶要素に於いて、前記第１電極システムがパターンシステムであり、前記第１電極が前記第２電極システムから絶縁されており、前記第１及び前記第２電極システムの間に少なくとも１つの導電性ブリッジがあり、そして前記システムと前記導電性ブリッジとは従来のプリンティング工程を使ってプリント可能であることを特徴とする該受動記憶要素。
【請求項２】
少なくとも１つの受動記憶要素と、前記受動記憶要素を提供されるその少なくとも１つの側上に非導電面を有するサポートと、を具備する第１受動記憶装置であって、前記受動記憶要素が第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、前記第１のパターン化した電極システム及び前記第２のパターン化した電極システムの間のパターン化した絶縁システムと、を備えており、前記第１のパターン化した電極システム及び前記第２のパターン化した電極システムの間には少なくとも１つの導電性ブリッジがある、該第１受動記憶装置に於いて、前記少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は前記第１及び前記第２のパターン化した電極システムの間に直接の電気的接触は無く、そして前記システム及び前記導電性ブリッジは従来のプリンティング工程を用いてプリント可能であることを特徴とする該第１受動記憶装置。
【請求項３】
前記第１のパターン化した電極システムと、前記第２のパターン化した電極システムとそして前記第１のパターン化した電極システムの間の前記絶縁システムと、の少なくとも２つがクロスバー又はマトリックスシステムの形であることを特徴とする請求項２の第１の装置。
【請求項４】
相互に対し隣り合わせて位置付けられるか、又は相互の頂部上に位置付けられて、該マトリックスのサイズが増加されるか、又は多数マトリックスが使われ得る、ことを特徴とする請求項３の第１の装置。
【請求項５】
前記第１のパターン化した電極システムと、前記第２のパターン化した電極システムとそして前記第１のパターン化した電極システムの間の前記絶縁システムと、の少なくとも１つと、そして前記少なくとも１つの導電性ブリッジと、が透明であることを特徴とする請求項２から４の何れか１つの第１の装置。
【請求項６】
前記第１受動記憶装置が透明であることを特徴とする請求項２から５の何れか１つの第１の装置。
【請求項７】
前記導電性ブリッジがカラー化されていることを特徴とする請求項２から５の何れか１つの第１の装置。
【請求項８】
前記受動記憶装置が、前記導電性ブリッジの場所を視覚的に隠すために画像、又は均一にカラー化された又は不透明な層、でオーバープリントされていることを特徴とする請求項２から５の何れかの第１の装置。
【請求項９】
前記導電性ブリッジの場所を視覚的に隠すために前記受動記憶装置の上にカラー化された又は不透明なフォイルが積層されていることを特徴とする請求項２から４の何れか１つの第１の装置。
【請求項１０】
前記第１及び第２のパターン化した電極システムの少なくとも１つが無機導電性媒体又は有機導電性媒体を含んでなることを特徴とする請求項２から９の何れか１つの第１の装置。
【請求項１１】
前記有機導電性媒体が本質的に導電性の有機ポリマーであることを特徴とする請求項１０の第１の装置。
【請求項１２】
前記本質的に導電性の有機ポリマーがポリチオフェン、ポリアニリン又はポリピロールであることを特徴とする請求項１１の第１の装置。
【請求項１３】
前記ポリチオフェンがポリ（３，４−ジオキシアルキレンチオフェン）であることを特徴とする請求項１１又は１２の第１の装置。
【請求項１４】
前記ポリチオフェンがポリ（３，４−ジオキシエチレンチオフェン）であることを特徴とする請求項１１から１３の何れか１つの第１の装置。
【請求項１５】
少なくとも１つの受動記憶要素と、前記受動記憶要素を提供されるその少なくとも１つの側上に非導電面を有するサポートと、を具備する第２受動記憶装置に於いて、前記受動記憶要素が少なくとも１つの導電性ブリッジによりブリッジされる１連の遮断された導電性又は半導電性ラインを備えており、前記受動記憶要素が従来のプリンティング工程を使ってプリント可能であることを特徴とする該第２受動記憶装置。
【請求項１６】
受動記憶装置を提供する第１工程であって、前記受動記憶装置が少なくとも１つの受動記憶要素とサポートとを具備しており、該サポートが受動記憶要素を提供されるその少なくとも１つの側上に非導電面か又はパターン化可能な導電層の何れかを備えており、前記受動記憶要素が第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、前記第１のパターン化した電極システム及び前記第２のパターン化した電極システムの間の絶縁システムとそして前記第１のパターン化した電極システム及び前記第２のパターン化した電極システムの間の少なくとも１つの導電性ブリッジとを備えており、そして前記少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は前記第１及び前記第２電極システムの間に直接の電気的接触は無い、該第１工程が、該サポートの該非導電面上、又は該サポート上の該パターン化可能な導電層内、に第１電極パターンを実現する過程と、該第１電極パターン上に絶縁パターンを提供する過程と、該絶縁パターン上に第２電極パターンを提供する過程と、そして予め指定された点で該第１電極パターン及び該第２電極パターンの間に電気的接触を提供する過程と、を具備しており、該過程の少なくとも１つが従来のプリンティング工程により実現されることを特徴とする該第１工程。
【請求項１７】
前記第２のパターン化した電極の前記提供が、前記第１のパターン化した電極システムと前記第２のパターン化した電極システムの間の前記電気的接触と同じ過程で実現されることを特徴とする請求項１６の第１工程。
【請求項１８】
前記従来のプリンティング工程がノンインパクトプリンティング工程であることを特徴とする請求項１６の第１工程。
【請求項１９】
前記従来のプリンティング工程がインパクトプリンティング工程であることを特徴とする請求項１６の第１工程。
【請求項２０】
前記従来のプリンティング工程が、インクジェットプリンティング、インタグリオプリンティング、スクリーンプリンティング、フレキソグラフィックプリンティング、オフセットプリンティング、スタンププリンティング、グラビヤプリンティング、静電記録プリンティング、電子製版プリンティングそして感熱及びレーザー誘起工程から成る群から選択されることを特徴とする請求項１６の第１工程。
【請求項２１】
更に進んだ過程で、前記第１電極パターン及び前記第２電極パターン間で予め選択された交点の前記少なくとも１つの導電性ブリッジの１つ以上が非作動にされることを特徴とする請求項１６から２０の何れか１つの第１工程。
【請求項２２】
前記サポートが非金属性又はメタライズされないサポートであることを特徴とする請求項１６から２１の何れか１つの受動記憶装置を提供する第１工程。
【請求項２３】
前記受動記憶装置が金属シリコンを除くことを特徴とする請求項１６から２２の何れか１つの受動記憶装置を提供する第１工程。
【請求項２４】
受動記憶装置を提供する第２工程であって、前記受動記憶装置が少なくとも１つの受動記憶要素とサポートとを具備しており、該サポートが受動記憶要素を提供されるその少なくとも１つの側上に非導電面か又はパターン化可能な導電層か何れかを備えており、前記受動記憶要素が第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、前記第１のパターン化した電極システム及び前記第２のパターン化した電極システムの間の絶縁システムとそして前記第１のパターン化した電極システム及び前記第２のパターン化した電極システムの間の少なくとも１つの導電性ブリッジとを備えており、そして該少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は前記第１及び前記第２電極システムの間に直接の電気的接触は無い、該第２工程が、前記サポートの前記非導電面上、又は前記サポート上の前記パターン化可能な導電層内、に第１電極パターンを実現する過程と、前記第１のパターン化した電極システム上に絶縁システムを提供する過程と、第２サポートの非導電面上、又は前記第２サポート上のパターン化可能な導電層内、に前記第２電極パターンを提供する過程と、該絶縁パターンシステムを前記第２電極パターンに接触させた時前記第１電極パターン及び第２電極パターンの間の電気的接触が予め指定された点で実現されるよう前記第１及び／又は前記第２電極パターンシステム上に導電性パッドを提供する過程と、そして前記予め指定された点で前記第１電極パターン及び前記第２電極パターンの間の電気的接触が実現されるよう前記絶縁パターンシステムを前記第２電極パターンシステムに接触させる過程と、を具備しており、前記過程の少なくとも１つがプリンティング工程により実現されることを特徴とする該第２工程。
【請求項２５】
前記サポート及び前記第２サポートが独立に非金属性又はメタライズされないサポートであることを特徴とする請求項２４の受動記憶装置を提供する第２工程。
【請求項２６】
前記受動記憶装置が金属シリコンを除くことを特徴とする請求項２４又は２５の受動記憶装置を提供する第２工程。
【請求項１】
第１電極システムと、絶縁システムとそして第２電極システムと、を具備する受動記憶要素に於いて、前記第１電極システムがパターンシステムであり、前記第１電極が前記第２電極システムから絶縁されており、前記第１及び前記第２電極システムの間に少なくとも１つの導電性ブリッジがあり、そして前記システムと前記導電性ブリッジとは従来のプリンティング工程を使ってプリント可能であることを特徴とする該受動記憶要素。
【請求項２】
少なくとも１つの受動記憶要素と、前記受動記憶要素を提供されるその少なくとも１つの側上に非導電面を有するサポートと、を具備する第１受動記憶装置であって、前記受動記憶要素が第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、前記第１のパターン化した電極システム及び前記第２のパターン化した電極システムの間のパターン化した絶縁システムと、を備えており、前記第１のパターン化した電極システム及び前記第２のパターン化した電極システムの間には少なくとも１つの導電性ブリッジがある、該第１受動記憶装置に於いて、前記少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は前記第１及び前記第２のパターン化した電極システムの間に直接の電気的接触は無く、そして前記システム及び前記導電性ブリッジは従来のプリンティング工程を用いてプリント可能であることを特徴とする該第１受動記憶装置。
【請求項３】
前記第１のパターン化した電極システムと、前記第２のパターン化した電極システムとそして前記第１のパターン化した電極システムの間の前記絶縁システムと、の少なくとも２つがクロスバー又はマトリックスシステムの形であることを特徴とする請求項２の第１の装置。
【請求項４】
相互に対し隣り合わせて位置付けられるか、又は相互の頂部上に位置付けられて、該マトリックスのサイズが増加されるか、又は多数マトリックスが使われ得る、ことを特徴とする請求項３の第１の装置。
【請求項５】
前記第１のパターン化した電極システムと、前記第２のパターン化した電極システムとそして前記第１のパターン化した電極システムの間の前記絶縁システムと、の少なくとも１つと、そして前記少なくとも１つの導電性ブリッジと、が透明であることを特徴とする請求項２から４の何れか１つの第１の装置。
【請求項６】
前記第１受動記憶装置が透明であることを特徴とする請求項２から５の何れか１つの第１の装置。
【請求項７】
前記導電性ブリッジがカラー化されていることを特徴とする請求項２から５の何れか１つの第１の装置。
【請求項８】
前記受動記憶装置が、前記導電性ブリッジの場所を視覚的に隠すために画像、又は均一にカラー化された又は不透明な層、でオーバープリントされていることを特徴とする請求項２から５の何れかの第１の装置。
【請求項９】
前記導電性ブリッジの場所を視覚的に隠すために前記受動記憶装置の上にカラー化された又は不透明なフォイルが積層されていることを特徴とする請求項２から４の何れか１つの第１の装置。
【請求項１０】
前記第１及び第２のパターン化した電極システムの少なくとも１つが無機導電性媒体又は有機導電性媒体を含んでなることを特徴とする請求項２から９の何れか１つの第１の装置。
【請求項１１】
前記有機導電性媒体が本質的に導電性の有機ポリマーであることを特徴とする請求項１０の第１の装置。
【請求項１２】
前記本質的に導電性の有機ポリマーがポリチオフェン、ポリアニリン又はポリピロールであることを特徴とする請求項１１の第１の装置。
【請求項１３】
前記ポリチオフェンがポリ（３，４−ジオキシアルキレンチオフェン）であることを特徴とする請求項１１又は１２の第１の装置。
【請求項１４】
前記ポリチオフェンがポリ（３，４−ジオキシエチレンチオフェン）であることを特徴とする請求項１１から１３の何れか１つの第１の装置。
【請求項１５】
少なくとも１つの受動記憶要素と、前記受動記憶要素を提供されるその少なくとも１つの側上に非導電面を有するサポートと、を具備する第２受動記憶装置に於いて、前記受動記憶要素が少なくとも１つの導電性ブリッジによりブリッジされる１連の遮断された導電性又は半導電性ラインを備えており、前記受動記憶要素が従来のプリンティング工程を使ってプリント可能であることを特徴とする該第２受動記憶装置。
【請求項１６】
受動記憶装置を提供する第１工程であって、前記受動記憶装置が少なくとも１つの受動記憶要素とサポートとを具備しており、該サポートが受動記憶要素を提供されるその少なくとも１つの側上に非導電面か又はパターン化可能な導電層の何れかを備えており、前記受動記憶要素が第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、前記第１のパターン化した電極システム及び前記第２のパターン化した電極システムの間の絶縁システムとそして前記第１のパターン化した電極システム及び前記第２のパターン化した電極システムの間の少なくとも１つの導電性ブリッジとを備えており、そして前記少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は前記第１及び前記第２電極システムの間に直接の電気的接触は無い、該第１工程が、該サポートの該非導電面上、又は該サポート上の該パターン化可能な導電層内、に第１電極パターンを実現する過程と、該第１電極パターン上に絶縁パターンを提供する過程と、該絶縁パターン上に第２電極パターンを提供する過程と、そして予め指定された点で該第１電極パターン及び該第２電極パターンの間に電気的接触を提供する過程と、を具備しており、該過程の少なくとも１つが従来のプリンティング工程により実現されることを特徴とする該第１工程。
【請求項１７】
前記第２のパターン化した電極の前記提供が、前記第１のパターン化した電極システムと前記第２のパターン化した電極システムの間の前記電気的接触と同じ過程で実現されることを特徴とする請求項１６の第１工程。
【請求項１８】
前記従来のプリンティング工程がノンインパクトプリンティング工程であることを特徴とする請求項１６の第１工程。
【請求項１９】
前記従来のプリンティング工程がインパクトプリンティング工程であることを特徴とする請求項１６の第１工程。
【請求項２０】
前記従来のプリンティング工程が、インクジェットプリンティング、インタグリオプリンティング、スクリーンプリンティング、フレキソグラフィックプリンティング、オフセットプリンティング、スタンププリンティング、グラビヤプリンティング、静電記録プリンティング、電子製版プリンティングそして感熱及びレーザー誘起工程から成る群から選択されることを特徴とする請求項１６の第１工程。
【請求項２１】
更に進んだ過程で、前記第１電極パターン及び前記第２電極パターン間で予め選択された交点の前記少なくとも１つの導電性ブリッジの１つ以上が非作動にされることを特徴とする請求項１６から２０の何れか１つの第１工程。
【請求項２２】
前記サポートが非金属性又はメタライズされないサポートであることを特徴とする請求項１６から２１の何れか１つの受動記憶装置を提供する第１工程。
【請求項２３】
前記受動記憶装置が金属シリコンを除くことを特徴とする請求項１６から２２の何れか１つの受動記憶装置を提供する第１工程。
【請求項２４】
受動記憶装置を提供する第２工程であって、前記受動記憶装置が少なくとも１つの受動記憶要素とサポートとを具備しており、該サポートが受動記憶要素を提供されるその少なくとも１つの側上に非導電面か又はパターン化可能な導電層か何れかを備えており、前記受動記憶要素が第１のパターン化した電極システムと、第２のパターン化した電極システムと、前記第１のパターン化した電極システム及び前記第２のパターン化した電極システムの間の絶縁システムとそして前記第１のパターン化した電極システム及び前記第２のパターン化した電極システムの間の少なくとも１つの導電性ブリッジとを備えており、そして該少なくとも１つの導電性ブリッジを欠く場合は前記第１及び前記第２電極システムの間に直接の電気的接触は無い、該第２工程が、前記サポートの前記非導電面上、又は前記サポート上の前記パターン化可能な導電層内、に第１電極パターンを実現する過程と、前記第１のパターン化した電極システム上に絶縁システムを提供する過程と、第２サポートの非導電面上、又は前記第２サポート上のパターン化可能な導電層内、に前記第２電極パターンを提供する過程と、該絶縁パターンシステムを前記第２電極パターンに接触させた時前記第１電極パターン及び第２電極パターンの間の電気的接触が予め指定された点で実現されるよう前記第１及び／又は前記第２電極パターンシステム上に導電性パッドを提供する過程と、そして前記予め指定された点で前記第１電極パターン及び前記第２電極パターンの間の電気的接触が実現されるよう前記絶縁パターンシステムを前記第２電極パターンシステムに接触させる過程と、を具備しており、前記過程の少なくとも１つがプリンティング工程により実現されることを特徴とする該第２工程。
【請求項２５】
前記サポート及び前記第２サポートが独立に非金属性又はメタライズされないサポートであることを特徴とする請求項２４の受動記憶装置を提供する第２工程。
【請求項２６】
前記受動記憶装置が金属シリコンを除くことを特徴とする請求項２４又は２５の受動記憶装置を提供する第２工程。
【図４】
【公表番号】特表２００８−５１８４５２（Ｐ２００８−５１８４５２Ａ）
【公表日】平成２０年５月２９日（２００８．５．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−５３８３９５（Ｐ２００７−５３８３９５）
【出願日】平成１７年１０月２４日（２００５．１０．２４）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００５／０５５４８２
【国際公開番号】ＷＯ２００６／０４５７６４
【国際公開日】平成１８年５月４日（２００６．５．４）
【出願人】（５０４３７６７９５）アグフア−ゲヴエルト (24)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２０年５月２９日（２００８．５．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１０月２４日（２００５．１０．２４）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００５／０５５４８２
【国際公開番号】ＷＯ２００６／０４５７６４
【国際公開日】平成１８年５月４日（２００６．５．４）
【出願人】（５０４３７６７９５）アグフア−ゲヴエルト (24)
【Ｆターム（参考）】
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