ペプチド誘導体又はその塩の製造方法
【課題】
歯周病の原因とされている特定の細菌が生産する酵素を阻害する物質として知られている、ジケトンを主鎖に有するペプチド誘導体ＫＹＴ−１、ＫＹＴ−３６及びＫＹＴ−４１を実用化するために、入手が安易な原料から概ねペプチド合成で繁用されている反応を用いて、少ない工程数で製造できる方法を提供する。
【解決手段】
本発明は、アミノ酸やペプチドのＣ末端の水酸基をシアノメチレントリフェニルホスフィンを用いることにより、カルボキシル基へ置換する反応を経て合成した化合物を、ペプチド合成で繁用されている反応を用いて縮合させて、Ｘ１ＮＨ−ＣＲ１−ＣＯ−ＮＨ−ＣＲ２−ＣＯ−ＣＯ−ＮＡ１Ａ２のようなジケトンを主鎖に有するペプチド誘導体又はその塩を製造する。
歯周病の原因とされている特定の細菌が生産する酵素を阻害する物質として知られている、ジケトンを主鎖に有するペプチド誘導体ＫＹＴ−１、ＫＹＴ−３６及びＫＹＴ−４１を実用化するために、入手が安易な原料から概ねペプチド合成で繁用されている反応を用いて、少ない工程数で製造できる方法を提供する。
【解決手段】
本発明は、アミノ酸やペプチドのＣ末端の水酸基をシアノメチレントリフェニルホスフィンを用いることにより、カルボキシル基へ置換する反応を経て合成した化合物を、ペプチド合成で繁用されている反応を用いて縮合させて、Ｘ１ＮＨ−ＣＲ１−ＣＯ−ＮＨ−ＣＲ２−ＣＯ−ＣＯ−ＮＡ１Ａ２のようなジケトンを主鎖に有するペプチド誘導体又はその塩を製造する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ジケトンを主鎖に有するペプチド誘導体又はその塩の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
歯周病は、日本の総人口における７０％以上が罹患している病気である。歯周病の原因は、口腔内に存在する歯周病原生細菌とされている。特にこの中でも、ジンジバリス菌によって生産されるタンパク質分解酵素による影響が大きいと考えられている。このジンジバリス菌が生産するタンパク質分解酵素のうち、Ａｒｇ−ｇｉｎｇｉｐａｉｎ（以下「Ｒｇｐ」と略されることもある。）及びＬｙｓ−ｇｉｎｇｉｐａｉｎ（以下「Ｋｇｐ」と略されることもある。）が、病原性を持つ酵素として知られている。これらのタンパク質分解酵素は、歯周組織の破壊、炎症反応の亢進等といった人体にとって有害な性質を持つ。さらに、これらのタンパク質分解酵素は、歯周病のみならず、動脈硬化症や糖尿病など様々な疾患も引き起こしていると考えられている。
【０００３】
このため、このジンジバリス菌が生産するタンパク質分解酵素Ｒｇｐ及びＫｇｐの活動を阻害する阻害剤の研究が行われている。阻害剤として、様々な天然物や合成物が挙げられる。この天然物においては、ＲｇｐやＫｇｐへの特異性は高いが、同時に毒性を有する。また合成物においては、概ね特異性は低く、かつ毒性を有する。しかし、これらの合成された阻害剤のうち、ＫＹＴ−１、ＫＹＴ−３６及びＫＹＴ−４１は、ＲｇｐとＫｇｐとにおいて一方若しくは両方に対して特異性が高く、かつ毒性が低いものとして注目されている（特許文献１，２，３）。これらのＫＹＴ−１、ＫＹＴ−３６及びＫＹＴ−４１は、ペプチド誘導体である。これらのペプチド誘導体は、ジケトンを主鎖に有する。また、これらのペプチド誘導体は安定性もよいため有効成分として有用なものと大いに期待され、大量生産化の研究が進められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２２８５２６号公報
【特許文献２】ＰＣＴ／ＪＰ０１／０９６２１号公報
【特許文献３】ＰＣＴ／ＪＰ０２／１１８６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述されたように、ＫＹＴ−１、ＫＹＴ−３６及びＫＹＴ−４１の構造は、ペプチド誘導体の主鎖中に一つ若しくは二つのジケトンを有する。このため、従来のペプチド合成法のみではこれらを製造できない。よって、現在これらのペプチド誘導体は、複雑な合成課程を経て得られている。例えば、特開平１１−２２８５２６号公報等に記載されている様な合成方法である。この合成方法は、以下に述べられる様な一連の反応等を含む。Ｎ末端が保護されたアミノ酸と、低級アルコキシ基で修飾されたケトン基を有するエタノールアミン化合物と、を縮合する。得られた化合物のケトン基側の低級アルコキシ基を水酸基に置換する。この置換で得られた化合物と、アミノ酸と、を縮合させる。さらに得られた化合物の主鎖上の水酸基を酸化させることにより、ケトン基が得られる。この酸化反応によって、主鎖上にジケトンが得られる。また、さらに保護基に応じて、側鎖や主鎖上の保護基が脱離される。このように、原料から最終生成物が得られるまでに、多くの工程数及び反応の種類が含まれる。よって、この合成方法は、非常に複雑な工程である。このため、実用化のための大量生産の体制が確立されていない。よって、これらのペプチド誘導体を合成するために、多岐に渡る材料費や反応の種類から生じる反応機器の種別及び手間等や、工程数の多さから生じる時間等によって非常に高いコストと時間等が要求されている。
【０００６】
本発明は、前述された問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ペプチド誘導体ＫＹＴ−１、ＫＹＴ−３６及びＫＹＴ−４１を実用化するために、公知の反応に比べると、入手が安易な原料から少ない工程数で、ペプチド誘導体又はその塩を製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るペプチド誘導体又はその塩の製造方法によると、Ｘ１ＮＨ−ＣＲ１−ＣＯ−ＮＨ−ＣＲ２−ＣＯ−ＣＯ−ＮＡ１Ａ２すなわち式（Ｉ）
【化１】
（式中、式中、Ｘ１はＮＨ保護基を示し、Ｒ１は保護基で保護されていてもよいアミノ酸のＲ基側鎖を示し、Ｒ２は保護基で保護されていてもよいアミノ酸のＲ基側鎖を示し、Ａ１及びＡ２はそれぞれ、水素原子、炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基、フェニル基で修飾された炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基、及び後述される第三アミノ酸が含まれる置換基を示す。）で表されるペプチド誘導体又はその塩が効率良く製造される。
【０００８】
本発明に係るペプチド誘導体又はその塩の製造方法において、保護基は、一般的にペプチド合成において慣用されている保護基を示す。なお、フェニル基はＰｈで表される。また、ペプチド誘導体の塩とは、薬学的に許容されるペプチド誘導体の塩を示す。
【０００９】
（１）本発明に係るペプチド誘導体又はその塩の製造方法は、第一保護基でＮ末端を保護した第一アミノ酸と、第二アミノ酸と、を縮合してペプチドを得る第一工程と、上記ペプチドのＣ末端の水酸基をカルボキシル基へ置換して第一化合物を得る第二工程と、上記第一化合物と、第一アミン化合物と、を縮合してペプチド誘導体又はその塩を得る第三工程と、を含む。
【００１０】
上記第一工程は、Ｘ１ＮＨ−ＣＲ１ＣＯＯＨすなわち式（ＩＩ）
【化２】
（式中、Ｘ１はＮ末端の保護基を示し、Ｒ１は保護基で保護されていてもよいアミノ酸のＲ基側鎖を示す。）で表される上記第一アミノ酸と、
Ｈ２Ｎ−ＣＲ２ＣＯＯＨすなわち式（ＩＩＩ）
【化３】
（式中、Ｒ２は保護基で保護されていてもよいアミノ酸のＲ基側鎖を示す。）で表される上記第二アミノ酸とを縮合する反応を含む。また、上記第一アミノ酸は、Ｎ末端が第一保護基（式中、Ｘ１で表される。）で保護されているものである。
【００１１】
上記第二工程は、上記第一工程で得られたＸ１ＮＨ−ＣＲ１−ＣＯ−ＮＨ−ＣＲ２ＣＯＯＨすなわち式（ＩＶ）
【化４】
（式中、Ｘ１はＮ末端の保護基を示し、Ｒ１は保護基で保護されていてもよいアミノ酸のＲ基側鎖を示し、Ｒ２は保護基で保護されていてもよいアミノ酸のＲ基側鎖を示す。）で表される上記ペプチドのＣ末端の水酸基をカルボキシル基へ置換する反応を含む。
【００１２】
上記第三工程は、上記第二工程で得られたＸ１ＮＨ−ＣＲ１−ＣＯ−ＮＨＣＲ２−ＣＯ−ＣＯＯＨすなわち式（Ｖ）
【化５】
（式中、Ｘ１はＮ末端の保護基を示し、Ｒ１は保護基で保護されていてもよいアミノ酸のＲ基側鎖を示し、Ｒ２は保護基で保護されていてもよいアミノ酸のＲ基側鎖を示す。）で表される上記第一化合物と、ＨＮＡ１Ａ２すなわち式（ＶＩ）
【化６】
（式中、Ａ１及びＡ２はそれぞれ、水素原子、炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基、フェニル基で修飾された炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基、及び後述される第三アミノ酸が含まれる置換基を示す。）で表される上記第一アミン化合物と、を縮合する反応を含む。
【００１３】
上記第一工程と第三工程とにおけるペプチド結合を形成する縮合反応は、公知慣用の方法が用いられる。例えば、縮合剤としてＤＣＣ、ＰｙＢＯＰ、ＴＢＴＵ、ＨＡＴＵ、ＨＢＴＵ及びＤＥＰＢＴ等が挙げられる。また、添加剤として、ＨＯＢｔ、ＨＯＡｔ、ＨＯＯＢｔ及びＣｌ−ＨＯＢｔ等が用いられることも可能である。縮合に用いられる溶媒としては、反応が阻害されないものであれば特に制限はない。溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、酢酸エチル、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、クロロホルム、塩化メチレン及びジメチルスルホキシド等が挙げられる。またアジド法や、活性エステル法などにより縮合を行うことも可能である。
【００１４】
（２）上記第三工程における上記第一アミン化合物は、第三アミノ酸のＣ末端が第二アミン化合物で修飾されたアミン化合物と、第三アミノ酸のＣ末端の水酸基がカルボキシル基へ置換されてかつ第二アミン化合物で修飾されたアミン化合物と、炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基とを含むアミン化合物及び、フェニル基で修飾された炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を含むアミン化合物と、
からなる群から選択されるうちの少なくとも一つである。
【００１５】
上記第三工程において、上記第一アミン化合物は、Ｃ末端が第二アミン化合物で修飾されたアミン化合物Ｈ２ＮＣＲ３−ＣＯ−ＮＡ３Ａ４すなわち式（ＶＩＩ）
【化７】
（式中、Ｒ３は保護基で保護されていてもよいアミノ酸のＲ基側鎖を示し、Ａ３及びＡ４はそれぞれ、水素原子、炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基、フェニル基で修飾された炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を示す。）で表される第三アミノ酸及び第三アミノ酸のＣ末端の水酸基がカルボキシル基へ置換されて、かつ第二アミン化合物で修飾されたアミン化合物Ｈ２２ＮＣＲ３−ＣＯ−ＣＯ−ＮＡ３Ａ４すなわち式（ＶＩＩＩ）
【化８】
（式中、Ｒ３は保護基で保護されていてもよいアミノ酸のＲ基側鎖を示し、Ａ３及びＡ４はそれぞれ、水素原子、炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基、フェニル基で修飾された炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を示す。）で表される化合物を含む。
【００１６】
（３）上記第二アミン化合物は、炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を含むアミン化合物及びフェニル基で修飾された炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を含むアミン化合物と、からなる群から選択されるうちの少なくとも一つである。
【００１７】
（４）上記水酸基をカルボキシル基へ置換する反応において、シアノメチレントリフェニルホスフィンが使用される。
【００１８】
（５）上記第一アミノ酸、上記第二アミノ酸及び上記第三アミノ酸は、Ｎ末端及びＣ末端以外が、保護基で修飾されることが可能である。
【００１９】
上記保護基として、例えば、Ｎ末端の保護基は、ベンジルオキシカルボニル基(ＣｂｚあるいはＺ)、ｔ−ブトキシカルボニル基(Ｂｏｃ)、フルオレニルメトキシカルボニル基(Ｆｍｏｃ)、ｐ−トルエンスルホニル基（Ｔｏｓ）等が挙げられる。Ｃ末端の保護基は、例えば、メチルエステル、エチルエステル、ベンジルエステル及びｔ−ブチルエステル等が挙げられる。また、その他の側鎖の保護基として、例えば、ベンジル基、ｔ−ブチル基、２−ブロモベンジルオキシカルボニル、トリチル基、Ｎ−(アセチル)アミノメチル基、４−メチルベンジル基、ｐ−トルエンスルホニル基（Ｔｏｓ）、ベンジルオキシメチル基(Ｂｏｍ)やｔ−ブトキシメチル基(Ｂｕｍ)、ＮＯ２等が挙げられる。なお、保護基は公知の方法によって、それぞれの保護基に応じた方法で脱離されることも可能である。
【００２０】
（６）上記第一アミノ酸、上記第二アミノ酸及び上記第三アミノ酸は、Ｌ体又はＤ体のいずれかの光学活性をもつアミノ酸でも可能である。
【００２１】
（７）上記第一保護基は、ベンジルオキシカルボニル基である。
【００２２】
（８）上記第一アミノ酸がリシンであり、上記第二アミノ酸がアルギニンであり、かつ上記第三アミノ酸がリシンである。
【００２３】
（９）上記第一アミノ酸がグルタミン酸であり、上記第二アミノ酸が１−メチル−１−フェニルヒドラジンで修飾されたリシンである。
【００２４】
（１０）上記第一アミノ酸がグルタミン酸であり、上記第二アミノ酸がリシンであり、上記第三アミノ酸がアルギニンである。
【００２５】
（１１）上記ペプチド誘導体が、Ｃｂｚ−Ｌｙｓ−Ａｒｇ−ＣＯ−Ｌｙｓ−Ｎ（ＣＨ３）２すなわち式（ＩＸ）
【化９】
で表されるＫＹＴ−１である。
【００２６】
（１２）上記ペプチド誘導体が、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＮＨＮＣＨ３Ｐｈ）−Ｌｙｓ−ＣＯ−ＮＨＣＨ２Ｐｈすなわち式（Ｘ）
【化１０】
で表されるＫＹＴ−３６である。
【００２７】
（１３）上記ペプチド誘導体が、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ−Ｌｙｓ−ＣＯ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＣＯ−ＮＨＣＨ２ＣＨ２Ｐｈすなわち式（ＸＩ）
【化１１】
で表されるＫＹＴ−４１である。
【発明の効果】
【００２８】
本発明は、公知の反応に比べると、少ない工程数で、式（Ｉ）で表されるペプチド誘導体又はその塩を製造する方法を提供する。これにより、今まで製造工程が煩雑で、時間やコスト等がかかっていたＫＹＴ−１、ＫＹＴ−３６及びＫＹＴ−４１が、効率良く製造することが可能となるため大量生産化が図れる。また同時に、主鎖中にケトンが結合されたジケトン構造を有するペプチドの合成も、本発明をもって容易に実施可能となる。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下に、本発明の好ましい実施例が説明される。なお、以下に説明される各実施例は、本発明の一例にすぎず、本発明の要旨を変更しない範囲で、本発明の実施形態を適宜変更できることは言うまでもない。なお、Ｂｏｃはｔ−ブトキシカルボニル基を、Ｃｂｚはベンジルオキシカルボニル基を、ＯｔＢｕはｔ−ブトキシ基を、ＯＳｕはコハク酸をそれぞれ示す。また、ＤＩＣは、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルカルボジイミドを、ＤＭＦは、ジメチルホルムアミドを、ＤＣＭはジクロロメタンを、ＤＭＡＰは４−ジメチルアミノピリジンを、２−ＰＥＡは２−フェニルエチルアミンを、ＰＰｈ３−ＣＮはシアノメチレントリフェニルホスフィンを、ＤＭＡはジメチルアミンを、ＮＨＢｚはベンジルアミンを、Ｐｂｆはペンタメチルベンゾフラニルを、それぞれ示す。
【実施例】
【００３０】
［実施例１］
式（ＸＩ）で表されるＫＹＴ−４１を合成した。
【００３１】
（第一工程）
Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯｔＢｕ）−ＯＳｕ ０．４３５ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液に、Ｈ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＯＨ ０．２４６ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液を加え、０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに１時間攪拌して縮合させた。反応終了後、ＤＭＦをエバポレータ（東京理科機器株式会社製、Ｎ−１０００Ｖ）で濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯｔＢｕ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＯＨの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。測定にはＭａｓｓ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｂｉｏｓｙｓｔｅｍｓ社製 Ｍａｒｉｎｅｒ）を用いた。
【００３２】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ５６７．０（Ｍ＋Ｈ）＋
【００３３】
（第二工程）
Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯｔＢｕ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＯＨの結晶 ０．５６６ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＰＰｈ３−ＣＮ ０．４５２ｇ（１．５ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＩＣ ０．１３９ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＭＡＰ ０．０２４ｇ（０．２ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに３時間攪拌させて、水酸基をカルボキシル基へと置換させた。反応終了後、ＤＣＭをエバポレータで濃縮した後、残渣に１，４−ジオキサンを加えて溶解させた。この溶媒に、３０％過酸化水素水を５ｍｌ加え、エバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯｔＢｕ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯＯＨの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００３４】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ５９５．１（Ｍ＋Ｈ）＋
【００３５】
Ｂｏｃ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＯＨ ０．３１９ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＰＰｈ３−ＣＮ ０．４５２ｇ（１．５ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＩＣ ０．１３９ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＭＡＰ ０．０２４ｇ（０．２ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに３時間攪拌させて、Ｂｏｃ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＯＨの水酸基をカルボキシル基へと置換させた。反応終了後、ＤＣＭをエバポレータで濃縮した後、残渣に１，４−ジオキサンを加えて溶解させた。この溶媒に、３０％過酸化水素水を５ｍｌ加え、エバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｂｏｃ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＣＯＯＨの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００３６】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ３４８．８（Ｍ＋Ｈ）＋
【００３７】
Ｂｏｃ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＣＯＯＨの結晶 ０．３４７ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、２−ＰＥＡ ０．１３３ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＩＣ ０．１３９ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ＨＯＢｔ ０．１６２ｇ（１．２ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに３時間攪拌させて、Ｂｏｃ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＣＯＯＨの水酸基を２−ＰＥＡへと置換させた。反応終了後、ＤＭＦをエバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｂｏｃ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＣＯ−（２−ＰＥＡ）の結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００３８】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ４５０．７（Ｍ＋Ｈ）＋
【００３９】
Ｂｏｃ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＣＯ−（２−ＰＥＡ）の結晶を４Ｎ 塩酸／１，４−ジオキサンに溶解して、０℃で３０分攪拌しＢｏｃ基を脱離させた。溶媒をエバポレータで濃縮した後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｈ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＣＯ−（２−ＰＥＡ）の結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００４０】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ３５０．５（Ｍ＋Ｈ）＋
【００４１】
（第三工程）
Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯｔＢｕ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯＯＨ ０．５９４ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、Ｈ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＣＯ−（２−ＰＥＡ） ０．６５３ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＩＣ ０．１３９ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ＨＯＢｔ ０．１６２ｇ（１．２ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに３時間攪拌させた。ＤＭＦをエバポレータで濃縮して乾燥させた後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯｔＢｕ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＣＯ−（２−ＰＥＡ）の結晶を得た。得られた結晶を４Ｎ 塩酸／１，４−ジオキサンに溶解して、０℃で３０分攪拌しＯｔＢｕ基とＢｏｃ基を脱離させた。溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ−Ｌｙｓ−ＣＯ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＣＯ−（２−ＰＥＡ）の結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００４２】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ７７０．２（Ｍ＋Ｈ）＋
【００４３】
［実施例２］
式（ＩＸ）で表されるＫＹＴ−１を合成した。
【００４４】
（第一工程）
Ｃｂｚ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＯＳｕ ０．４７８ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液に、Ｈ−Ａｒｇ（Ｐｂｆ）−ＯＨ ０．４２７ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液を加え、０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに１時間攪拌して縮合させた。反応終了後、ＤＭＦをエバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−Ａｒｇ（Ｐｂｆ）−ＯＨの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００４５】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ７９０．９（Ｍ＋Ｈ）＋
【００４６】
（第二工程）
Ｃｂｚ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−Ａｒｇ（Ｐｂｆ）−ＯＨの結晶 ０．７９０ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＰＰｈ３−ＣＮ ０．４５２ｇ（１．５ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＩＣ ０．１３９ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＭＡＰ ０．０２４ｇ（０．２ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに３時間攪拌させて、水酸基をカルボキシル基へと置換させた。反応終了後、ＤＣＭをエバポレータで濃縮した後、残渣に１，４−ジオキサンを加えて溶解させた。この溶媒に、３０％過酸化水素水を５ｍｌ加え、エバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−Ａｒｇ（Ｐｂｆ）−ＣＯＯＨの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００４７】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ８０９．０（Ｍ＋Ｈ）＋
【００４８】
Ｃｂｚ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯＯＨ ０．３８０ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＭＡ ０．０５０ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＩＣ ０．１３９ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ＨＯＢｔ ０．１６２ｇ（１．２ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに３時間攪拌させて、Ｃｂｚ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯＯＨの水酸基をＤＭＡと置換させた。反応終了後、ＤＭＦをエバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯ−ＤＭＡの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００４９】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ４０８．８（Ｍ＋Ｈ）＋
【００５０】
Ｃｂｚ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯ−ＤＭＡの結晶を、メタノール５ｍｌ、酢酸２ｍｌ及び水３ｍｌに溶解して、Ｐｄ黒０．０４ｇを加えた。この溶媒に水素ガスを通しながら２時間攪拌することで、保護基Ｃｂｚを脱離させた。溶媒をエバポレータで濃縮した後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｈ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯ−ＤＭＡの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００５１】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ２７４．６（Ｍ＋Ｈ）＋
【００５２】
（第三工程）
Ｃｂｚ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−Ａｒｇ（Ｐｂｆ）−ＣＯＯＨの結晶 ０．８０９ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、Ｈ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯ−ＤＭＡ ０．３０３ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＩＣ ０．１３９ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ＨＯＢｔ０．１６２ｇ（１．２ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに３時間攪拌させた。ＤＭＦをエバポレータで濃縮して乾燥させた後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−Ａｒｇ（Ｐｂｆ）−ＣＯ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯ−ＤＭＡの結晶を得た。得られた結晶を４Ｎ 塩酸／１，４−ジオキサンに溶解して、０℃で３０分攪拌しＰｂｆ基とＢｏｃ基を脱離させた。溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｌｙｓ−Ａｒｇ−ＣＯ−Ｌｙｓ−ＣＯ−ＤＭＡの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００５３】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ６２０．４（Ｍ＋Ｈ）＋
【００５４】
［実施例３］
式（Ｘ）で表されるＫＹＴ−３６を合成した。
【００５５】
（第一工程）
Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯＭｅ）−ＯＳｕ ０．３９２ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液に、Ｈ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＯＨ ０．２４６ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液を加え、０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに１時間攪拌して縮合させた。反応終了後、ＤＭＦをエバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯＭｅ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＯＨの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００５６】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ５２５．１（Ｍ＋Ｈ）＋
【００５７】
（第二工程）
Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯＭｅ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＯＨの結晶 ０．５２３ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＰＰｈ３−ＣＮ ０．４５２ｇ（１．５ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＩＣ ０．１３９ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＭＡＰ ０．０２４ｇ（０．２ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに３時間攪拌させて、水酸基をカルボキシル基へと置換させた。反応終了後、ＤＣＭをエバポレータで濃縮した後、残渣に１，４−ジオキサンを加えて溶解させた。この溶媒に、３０％過酸化水素水を５ｍｌ加え、エバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯＭｅ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯＯＨの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００５８】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ５２３．３（Ｍ＋Ｈ）＋
【００５９】
（第三工程）
Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯＭｅ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯＯＨ ０．５５２ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ベンジルアミン ０．１１８ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＩＣ ０．１３９ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ＨＯＢｔ ０．１６２ｇ（１．２ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに３時間攪拌させて、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯＭｅ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯＯＨの水酸基をベンジルアミンへと置換させた。反応終了後、ＤＭＦをエバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯＭｅ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯ−ＮＨＢｚの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００６０】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ６４２．５（Ｍ＋Ｈ）＋
【００６１】
Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯＭｅ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯ−ＮＨＢｚ ０．６４１ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、フェニルメチルヒドラジン ０．１２２ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに３時間攪拌させた。ＤＭＦをエバポレータで濃縮して乾燥させた後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＮＨＮＭｅＰｈ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯ−ＮＨＢｚ の結晶を得た。得られた結晶を４Ｎ 塩酸／１，４−ジオキサンに溶解して、０℃で３０分攪拌しＢｏｃ基を脱離させた。溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＮＨＮＭｅＰｈ）−Ｌｙｓ−ＣＯ−ＮＨＢｚの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００６２】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ６４５．９（Ｍ＋Ｈ）＋
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ジケトンを主鎖に有するペプチド誘導体又はその塩の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
歯周病は、日本の総人口における７０％以上が罹患している病気である。歯周病の原因は、口腔内に存在する歯周病原生細菌とされている。特にこの中でも、ジンジバリス菌によって生産されるタンパク質分解酵素による影響が大きいと考えられている。このジンジバリス菌が生産するタンパク質分解酵素のうち、Ａｒｇ−ｇｉｎｇｉｐａｉｎ（以下「Ｒｇｐ」と略されることもある。）及びＬｙｓ−ｇｉｎｇｉｐａｉｎ（以下「Ｋｇｐ」と略されることもある。）が、病原性を持つ酵素として知られている。これらのタンパク質分解酵素は、歯周組織の破壊、炎症反応の亢進等といった人体にとって有害な性質を持つ。さらに、これらのタンパク質分解酵素は、歯周病のみならず、動脈硬化症や糖尿病など様々な疾患も引き起こしていると考えられている。
【０００３】
このため、このジンジバリス菌が生産するタンパク質分解酵素Ｒｇｐ及びＫｇｐの活動を阻害する阻害剤の研究が行われている。阻害剤として、様々な天然物や合成物が挙げられる。この天然物においては、ＲｇｐやＫｇｐへの特異性は高いが、同時に毒性を有する。また合成物においては、概ね特異性は低く、かつ毒性を有する。しかし、これらの合成された阻害剤のうち、ＫＹＴ−１、ＫＹＴ−３６及びＫＹＴ−４１は、ＲｇｐとＫｇｐとにおいて一方若しくは両方に対して特異性が高く、かつ毒性が低いものとして注目されている（特許文献１，２，３）。これらのＫＹＴ−１、ＫＹＴ−３６及びＫＹＴ−４１は、ペプチド誘導体である。これらのペプチド誘導体は、ジケトンを主鎖に有する。また、これらのペプチド誘導体は安定性もよいため有効成分として有用なものと大いに期待され、大量生産化の研究が進められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２２８５２６号公報
【特許文献２】ＰＣＴ／ＪＰ０１／０９６２１号公報
【特許文献３】ＰＣＴ／ＪＰ０２／１１８６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述されたように、ＫＹＴ−１、ＫＹＴ−３６及びＫＹＴ−４１の構造は、ペプチド誘導体の主鎖中に一つ若しくは二つのジケトンを有する。このため、従来のペプチド合成法のみではこれらを製造できない。よって、現在これらのペプチド誘導体は、複雑な合成課程を経て得られている。例えば、特開平１１−２２８５２６号公報等に記載されている様な合成方法である。この合成方法は、以下に述べられる様な一連の反応等を含む。Ｎ末端が保護されたアミノ酸と、低級アルコキシ基で修飾されたケトン基を有するエタノールアミン化合物と、を縮合する。得られた化合物のケトン基側の低級アルコキシ基を水酸基に置換する。この置換で得られた化合物と、アミノ酸と、を縮合させる。さらに得られた化合物の主鎖上の水酸基を酸化させることにより、ケトン基が得られる。この酸化反応によって、主鎖上にジケトンが得られる。また、さらに保護基に応じて、側鎖や主鎖上の保護基が脱離される。このように、原料から最終生成物が得られるまでに、多くの工程数及び反応の種類が含まれる。よって、この合成方法は、非常に複雑な工程である。このため、実用化のための大量生産の体制が確立されていない。よって、これらのペプチド誘導体を合成するために、多岐に渡る材料費や反応の種類から生じる反応機器の種別及び手間等や、工程数の多さから生じる時間等によって非常に高いコストと時間等が要求されている。
【０００６】
本発明は、前述された問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ペプチド誘導体ＫＹＴ−１、ＫＹＴ−３６及びＫＹＴ−４１を実用化するために、公知の反応に比べると、入手が安易な原料から少ない工程数で、ペプチド誘導体又はその塩を製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るペプチド誘導体又はその塩の製造方法によると、Ｘ１ＮＨ−ＣＲ１−ＣＯ−ＮＨ−ＣＲ２−ＣＯ−ＣＯ−ＮＡ１Ａ２すなわち式（Ｉ）
【化１】
（式中、式中、Ｘ１はＮＨ保護基を示し、Ｒ１は保護基で保護されていてもよいアミノ酸のＲ基側鎖を示し、Ｒ２は保護基で保護されていてもよいアミノ酸のＲ基側鎖を示し、Ａ１及びＡ２はそれぞれ、水素原子、炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基、フェニル基で修飾された炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基、及び後述される第三アミノ酸が含まれる置換基を示す。）で表されるペプチド誘導体又はその塩が効率良く製造される。
【０００８】
本発明に係るペプチド誘導体又はその塩の製造方法において、保護基は、一般的にペプチド合成において慣用されている保護基を示す。なお、フェニル基はＰｈで表される。また、ペプチド誘導体の塩とは、薬学的に許容されるペプチド誘導体の塩を示す。
【０００９】
（１）本発明に係るペプチド誘導体又はその塩の製造方法は、第一保護基でＮ末端を保護した第一アミノ酸と、第二アミノ酸と、を縮合してペプチドを得る第一工程と、上記ペプチドのＣ末端の水酸基をカルボキシル基へ置換して第一化合物を得る第二工程と、上記第一化合物と、第一アミン化合物と、を縮合してペプチド誘導体又はその塩を得る第三工程と、を含む。
【００１０】
上記第一工程は、Ｘ１ＮＨ−ＣＲ１ＣＯＯＨすなわち式（ＩＩ）
【化２】
（式中、Ｘ１はＮ末端の保護基を示し、Ｒ１は保護基で保護されていてもよいアミノ酸のＲ基側鎖を示す。）で表される上記第一アミノ酸と、
Ｈ２Ｎ−ＣＲ２ＣＯＯＨすなわち式（ＩＩＩ）
【化３】
（式中、Ｒ２は保護基で保護されていてもよいアミノ酸のＲ基側鎖を示す。）で表される上記第二アミノ酸とを縮合する反応を含む。また、上記第一アミノ酸は、Ｎ末端が第一保護基（式中、Ｘ１で表される。）で保護されているものである。
【００１１】
上記第二工程は、上記第一工程で得られたＸ１ＮＨ−ＣＲ１−ＣＯ−ＮＨ−ＣＲ２ＣＯＯＨすなわち式（ＩＶ）
【化４】
（式中、Ｘ１はＮ末端の保護基を示し、Ｒ１は保護基で保護されていてもよいアミノ酸のＲ基側鎖を示し、Ｒ２は保護基で保護されていてもよいアミノ酸のＲ基側鎖を示す。）で表される上記ペプチドのＣ末端の水酸基をカルボキシル基へ置換する反応を含む。
【００１２】
上記第三工程は、上記第二工程で得られたＸ１ＮＨ−ＣＲ１−ＣＯ−ＮＨＣＲ２−ＣＯ−ＣＯＯＨすなわち式（Ｖ）
【化５】
（式中、Ｘ１はＮ末端の保護基を示し、Ｒ１は保護基で保護されていてもよいアミノ酸のＲ基側鎖を示し、Ｒ２は保護基で保護されていてもよいアミノ酸のＲ基側鎖を示す。）で表される上記第一化合物と、ＨＮＡ１Ａ２すなわち式（ＶＩ）
【化６】
（式中、Ａ１及びＡ２はそれぞれ、水素原子、炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基、フェニル基で修飾された炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基、及び後述される第三アミノ酸が含まれる置換基を示す。）で表される上記第一アミン化合物と、を縮合する反応を含む。
【００１３】
上記第一工程と第三工程とにおけるペプチド結合を形成する縮合反応は、公知慣用の方法が用いられる。例えば、縮合剤としてＤＣＣ、ＰｙＢＯＰ、ＴＢＴＵ、ＨＡＴＵ、ＨＢＴＵ及びＤＥＰＢＴ等が挙げられる。また、添加剤として、ＨＯＢｔ、ＨＯＡｔ、ＨＯＯＢｔ及びＣｌ−ＨＯＢｔ等が用いられることも可能である。縮合に用いられる溶媒としては、反応が阻害されないものであれば特に制限はない。溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、酢酸エチル、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、クロロホルム、塩化メチレン及びジメチルスルホキシド等が挙げられる。またアジド法や、活性エステル法などにより縮合を行うことも可能である。
【００１４】
（２）上記第三工程における上記第一アミン化合物は、第三アミノ酸のＣ末端が第二アミン化合物で修飾されたアミン化合物と、第三アミノ酸のＣ末端の水酸基がカルボキシル基へ置換されてかつ第二アミン化合物で修飾されたアミン化合物と、炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基とを含むアミン化合物及び、フェニル基で修飾された炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を含むアミン化合物と、
からなる群から選択されるうちの少なくとも一つである。
【００１５】
上記第三工程において、上記第一アミン化合物は、Ｃ末端が第二アミン化合物で修飾されたアミン化合物Ｈ２ＮＣＲ３−ＣＯ−ＮＡ３Ａ４すなわち式（ＶＩＩ）
【化７】
（式中、Ｒ３は保護基で保護されていてもよいアミノ酸のＲ基側鎖を示し、Ａ３及びＡ４はそれぞれ、水素原子、炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基、フェニル基で修飾された炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を示す。）で表される第三アミノ酸及び第三アミノ酸のＣ末端の水酸基がカルボキシル基へ置換されて、かつ第二アミン化合物で修飾されたアミン化合物Ｈ２２ＮＣＲ３−ＣＯ−ＣＯ−ＮＡ３Ａ４すなわち式（ＶＩＩＩ）
【化８】
（式中、Ｒ３は保護基で保護されていてもよいアミノ酸のＲ基側鎖を示し、Ａ３及びＡ４はそれぞれ、水素原子、炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基、フェニル基で修飾された炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を示す。）で表される化合物を含む。
【００１６】
（３）上記第二アミン化合物は、炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を含むアミン化合物及びフェニル基で修飾された炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を含むアミン化合物と、からなる群から選択されるうちの少なくとも一つである。
【００１７】
（４）上記水酸基をカルボキシル基へ置換する反応において、シアノメチレントリフェニルホスフィンが使用される。
【００１８】
（５）上記第一アミノ酸、上記第二アミノ酸及び上記第三アミノ酸は、Ｎ末端及びＣ末端以外が、保護基で修飾されることが可能である。
【００１９】
上記保護基として、例えば、Ｎ末端の保護基は、ベンジルオキシカルボニル基(ＣｂｚあるいはＺ)、ｔ−ブトキシカルボニル基(Ｂｏｃ)、フルオレニルメトキシカルボニル基(Ｆｍｏｃ)、ｐ−トルエンスルホニル基（Ｔｏｓ）等が挙げられる。Ｃ末端の保護基は、例えば、メチルエステル、エチルエステル、ベンジルエステル及びｔ−ブチルエステル等が挙げられる。また、その他の側鎖の保護基として、例えば、ベンジル基、ｔ−ブチル基、２−ブロモベンジルオキシカルボニル、トリチル基、Ｎ−(アセチル)アミノメチル基、４−メチルベンジル基、ｐ−トルエンスルホニル基（Ｔｏｓ）、ベンジルオキシメチル基(Ｂｏｍ)やｔ−ブトキシメチル基(Ｂｕｍ)、ＮＯ２等が挙げられる。なお、保護基は公知の方法によって、それぞれの保護基に応じた方法で脱離されることも可能である。
【００２０】
（６）上記第一アミノ酸、上記第二アミノ酸及び上記第三アミノ酸は、Ｌ体又はＤ体のいずれかの光学活性をもつアミノ酸でも可能である。
【００２１】
（７）上記第一保護基は、ベンジルオキシカルボニル基である。
【００２２】
（８）上記第一アミノ酸がリシンであり、上記第二アミノ酸がアルギニンであり、かつ上記第三アミノ酸がリシンである。
【００２３】
（９）上記第一アミノ酸がグルタミン酸であり、上記第二アミノ酸が１−メチル−１−フェニルヒドラジンで修飾されたリシンである。
【００２４】
（１０）上記第一アミノ酸がグルタミン酸であり、上記第二アミノ酸がリシンであり、上記第三アミノ酸がアルギニンである。
【００２５】
（１１）上記ペプチド誘導体が、Ｃｂｚ−Ｌｙｓ−Ａｒｇ−ＣＯ−Ｌｙｓ−Ｎ（ＣＨ３）２すなわち式（ＩＸ）
【化９】
で表されるＫＹＴ−１である。
【００２６】
（１２）上記ペプチド誘導体が、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＮＨＮＣＨ３Ｐｈ）−Ｌｙｓ−ＣＯ−ＮＨＣＨ２Ｐｈすなわち式（Ｘ）
【化１０】
で表されるＫＹＴ−３６である。
【００２７】
（１３）上記ペプチド誘導体が、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ−Ｌｙｓ−ＣＯ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＣＯ−ＮＨＣＨ２ＣＨ２Ｐｈすなわち式（ＸＩ）
【化１１】
で表されるＫＹＴ−４１である。
【発明の効果】
【００２８】
本発明は、公知の反応に比べると、少ない工程数で、式（Ｉ）で表されるペプチド誘導体又はその塩を製造する方法を提供する。これにより、今まで製造工程が煩雑で、時間やコスト等がかかっていたＫＹＴ−１、ＫＹＴ−３６及びＫＹＴ−４１が、効率良く製造することが可能となるため大量生産化が図れる。また同時に、主鎖中にケトンが結合されたジケトン構造を有するペプチドの合成も、本発明をもって容易に実施可能となる。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下に、本発明の好ましい実施例が説明される。なお、以下に説明される各実施例は、本発明の一例にすぎず、本発明の要旨を変更しない範囲で、本発明の実施形態を適宜変更できることは言うまでもない。なお、Ｂｏｃはｔ−ブトキシカルボニル基を、Ｃｂｚはベンジルオキシカルボニル基を、ＯｔＢｕはｔ−ブトキシ基を、ＯＳｕはコハク酸をそれぞれ示す。また、ＤＩＣは、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルカルボジイミドを、ＤＭＦは、ジメチルホルムアミドを、ＤＣＭはジクロロメタンを、ＤＭＡＰは４−ジメチルアミノピリジンを、２−ＰＥＡは２−フェニルエチルアミンを、ＰＰｈ３−ＣＮはシアノメチレントリフェニルホスフィンを、ＤＭＡはジメチルアミンを、ＮＨＢｚはベンジルアミンを、Ｐｂｆはペンタメチルベンゾフラニルを、それぞれ示す。
【実施例】
【００３０】
［実施例１］
式（ＸＩ）で表されるＫＹＴ−４１を合成した。
【００３１】
（第一工程）
Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯｔＢｕ）−ＯＳｕ ０．４３５ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液に、Ｈ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＯＨ ０．２４６ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液を加え、０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに１時間攪拌して縮合させた。反応終了後、ＤＭＦをエバポレータ（東京理科機器株式会社製、Ｎ−１０００Ｖ）で濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯｔＢｕ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＯＨの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。測定にはＭａｓｓ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｂｉｏｓｙｓｔｅｍｓ社製 Ｍａｒｉｎｅｒ）を用いた。
【００３２】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ５６７．０（Ｍ＋Ｈ）＋
【００３３】
（第二工程）
Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯｔＢｕ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＯＨの結晶 ０．５６６ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＰＰｈ３−ＣＮ ０．４５２ｇ（１．５ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＩＣ ０．１３９ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＭＡＰ ０．０２４ｇ（０．２ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに３時間攪拌させて、水酸基をカルボキシル基へと置換させた。反応終了後、ＤＣＭをエバポレータで濃縮した後、残渣に１，４−ジオキサンを加えて溶解させた。この溶媒に、３０％過酸化水素水を５ｍｌ加え、エバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯｔＢｕ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯＯＨの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００３４】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ５９５．１（Ｍ＋Ｈ）＋
【００３５】
Ｂｏｃ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＯＨ ０．３１９ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＰＰｈ３−ＣＮ ０．４５２ｇ（１．５ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＩＣ ０．１３９ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＭＡＰ ０．０２４ｇ（０．２ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに３時間攪拌させて、Ｂｏｃ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＯＨの水酸基をカルボキシル基へと置換させた。反応終了後、ＤＣＭをエバポレータで濃縮した後、残渣に１，４−ジオキサンを加えて溶解させた。この溶媒に、３０％過酸化水素水を５ｍｌ加え、エバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｂｏｃ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＣＯＯＨの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００３６】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ３４８．８（Ｍ＋Ｈ）＋
【００３７】
Ｂｏｃ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＣＯＯＨの結晶 ０．３４７ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、２−ＰＥＡ ０．１３３ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＩＣ ０．１３９ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ＨＯＢｔ ０．１６２ｇ（１．２ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに３時間攪拌させて、Ｂｏｃ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＣＯＯＨの水酸基を２−ＰＥＡへと置換させた。反応終了後、ＤＭＦをエバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｂｏｃ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＣＯ−（２−ＰＥＡ）の結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００３８】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ４５０．７（Ｍ＋Ｈ）＋
【００３９】
Ｂｏｃ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＣＯ−（２−ＰＥＡ）の結晶を４Ｎ 塩酸／１，４−ジオキサンに溶解して、０℃で３０分攪拌しＢｏｃ基を脱離させた。溶媒をエバポレータで濃縮した後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｈ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＣＯ−（２−ＰＥＡ）の結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００４０】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ３５０．５（Ｍ＋Ｈ）＋
【００４１】
（第三工程）
Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯｔＢｕ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯＯＨ ０．５９４ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、Ｈ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＣＯ−（２−ＰＥＡ） ０．６５３ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＩＣ ０．１３９ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ＨＯＢｔ ０．１６２ｇ（１．２ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに３時間攪拌させた。ＤＭＦをエバポレータで濃縮して乾燥させた後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯｔＢｕ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＣＯ−（２−ＰＥＡ）の結晶を得た。得られた結晶を４Ｎ 塩酸／１，４−ジオキサンに溶解して、０℃で３０分攪拌しＯｔＢｕ基とＢｏｃ基を脱離させた。溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ−Ｌｙｓ−ＣＯ−Ａｒｇ（ＮＯ２）−ＣＯ−（２−ＰＥＡ）の結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００４２】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ７７０．２（Ｍ＋Ｈ）＋
【００４３】
［実施例２］
式（ＩＸ）で表されるＫＹＴ−１を合成した。
【００４４】
（第一工程）
Ｃｂｚ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＯＳｕ ０．４７８ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液に、Ｈ−Ａｒｇ（Ｐｂｆ）−ＯＨ ０．４２７ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液を加え、０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに１時間攪拌して縮合させた。反応終了後、ＤＭＦをエバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−Ａｒｇ（Ｐｂｆ）−ＯＨの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００４５】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ７９０．９（Ｍ＋Ｈ）＋
【００４６】
（第二工程）
Ｃｂｚ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−Ａｒｇ（Ｐｂｆ）−ＯＨの結晶 ０．７９０ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＰＰｈ３−ＣＮ ０．４５２ｇ（１．５ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＩＣ ０．１３９ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＭＡＰ ０．０２４ｇ（０．２ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに３時間攪拌させて、水酸基をカルボキシル基へと置換させた。反応終了後、ＤＣＭをエバポレータで濃縮した後、残渣に１，４−ジオキサンを加えて溶解させた。この溶媒に、３０％過酸化水素水を５ｍｌ加え、エバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−Ａｒｇ（Ｐｂｆ）−ＣＯＯＨの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００４７】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ８０９．０（Ｍ＋Ｈ）＋
【００４８】
Ｃｂｚ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯＯＨ ０．３８０ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＭＡ ０．０５０ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＩＣ ０．１３９ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ＨＯＢｔ ０．１６２ｇ（１．２ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに３時間攪拌させて、Ｃｂｚ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯＯＨの水酸基をＤＭＡと置換させた。反応終了後、ＤＭＦをエバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯ−ＤＭＡの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００４９】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ４０８．８（Ｍ＋Ｈ）＋
【００５０】
Ｃｂｚ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯ−ＤＭＡの結晶を、メタノール５ｍｌ、酢酸２ｍｌ及び水３ｍｌに溶解して、Ｐｄ黒０．０４ｇを加えた。この溶媒に水素ガスを通しながら２時間攪拌することで、保護基Ｃｂｚを脱離させた。溶媒をエバポレータで濃縮した後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｈ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯ−ＤＭＡの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００５１】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ２７４．６（Ｍ＋Ｈ）＋
【００５２】
（第三工程）
Ｃｂｚ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−Ａｒｇ（Ｐｂｆ）−ＣＯＯＨの結晶 ０．８０９ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、Ｈ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯ−ＤＭＡ ０．３０３ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＩＣ ０．１３９ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ＨＯＢｔ０．１６２ｇ（１．２ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに３時間攪拌させた。ＤＭＦをエバポレータで濃縮して乾燥させた後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−Ａｒｇ（Ｐｂｆ）−ＣＯ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯ−ＤＭＡの結晶を得た。得られた結晶を４Ｎ 塩酸／１，４−ジオキサンに溶解して、０℃で３０分攪拌しＰｂｆ基とＢｏｃ基を脱離させた。溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｌｙｓ−Ａｒｇ−ＣＯ−Ｌｙｓ−ＣＯ−ＤＭＡの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００５３】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ６２０．４（Ｍ＋Ｈ）＋
【００５４】
［実施例３］
式（Ｘ）で表されるＫＹＴ−３６を合成した。
【００５５】
（第一工程）
Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯＭｅ）−ＯＳｕ ０．３９２ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液に、Ｈ−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＯＨ ０．２４６ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液を加え、０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに１時間攪拌して縮合させた。反応終了後、ＤＭＦをエバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯＭｅ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＯＨの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００５６】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ５２５．１（Ｍ＋Ｈ）＋
【００５７】
（第二工程）
Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯＭｅ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＯＨの結晶 ０．５２３ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＰＰｈ３−ＣＮ ０．４５２ｇ（１．５ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＩＣ ０．１３９ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＭＡＰ ０．０２４ｇ（０．２ｍｍｏｌ）をＤＣＭ１ｍｌに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに３時間攪拌させて、水酸基をカルボキシル基へと置換させた。反応終了後、ＤＣＭをエバポレータで濃縮した後、残渣に１，４−ジオキサンを加えて溶解させた。この溶媒に、３０％過酸化水素水を５ｍｌ加え、エバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯＭｅ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯＯＨの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００５８】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ５２３．３（Ｍ＋Ｈ）＋
【００５９】
（第三工程）
Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯＭｅ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯＯＨ ０．５５２ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ベンジルアミン ０．１１８ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ＤＩＣ ０．１３９ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、ＨＯＢｔ ０．１６２ｇ（１．２ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに３時間攪拌させて、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯＭｅ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯＯＨの水酸基をベンジルアミンへと置換させた。反応終了後、ＤＭＦをエバポレータで濃縮した後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯＭｅ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯ−ＮＨＢｚの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００６０】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ６４２．５（Ｍ＋Ｈ）＋
【００６１】
Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＯＭｅ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯ−ＮＨＢｚ ０．６４１ｇ（１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、フェニルメチルヒドラジン ０．１２２ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１ｍｌに溶解した溶液と、を混合させた。この混合物を０℃で３０分攪拌し、次いで室温でさらに３時間攪拌させた。ＤＭＦをエバポレータで濃縮して乾燥させた後、残渣に酢酸エチルを加えて溶解させた。この酢酸エチル層を、０．５Ｍ ＮａＨＣＯ３水溶液、５ｗｔ％ＫＨＳＯ４水溶液、飽和食塩水で順次分液洗浄し、硫酸化マグネシウムを加えて一晩脱水させた。濾過後、溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＮＨＮＭｅＰｈ）−Ｌｙｓ（Ｂｏｃ）−ＣＯ−ＮＨＢｚ の結晶を得た。得られた結晶を４Ｎ 塩酸／１，４−ジオキサンに溶解して、０℃で３０分攪拌しＢｏｃ基を脱離させた。溶媒をエバポレータで濃縮して乾燥させた後、ジエチルエーテルを加えて再結晶させて、Ｃｂｚ−Ｇｌｕ（ＮＨＮＭｅＰｈ）−Ｌｙｓ−ＣＯ−ＮＨＢｚの結晶を得た。以下に得られた結晶の物性値を示す。
【００６２】
Ｍａｓｓ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）： ｍ／ｚ ６４５．９（Ｍ＋Ｈ）＋
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一保護基でＮ末端を保護した第一アミノ酸と、第二アミノ酸と、を縮合してペプチドを得る第一工程と、
上記ペプチドのＣ末端の水酸基をカルボキシル基へ置換して第一化合物を得る第二工程と、
上記第一化合物と、第一アミン化合物と、を縮合してペプチド誘導体又はその塩を得る第三工程と、
を含むペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項２】
上記第二工程において第一アミン化合物は、
第三アミノ酸のＣ末端が第二アミン化合物で修飾されたアミン化合物と、
第三アミノ酸のＣ末端の水酸基がカルボキシル基へ置換されてかつ第二アミン化合物で修飾されたアミン化合物と、
炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を含むアミン化合物及び、
フェニル基で修飾された炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を含むアミン化合物と、
からなる群から選択される少なくとも一つである請求項１に記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項３】
上記第二アミン化合物は、
炭素数１から６の直鎖状及び分枝状のアルキル基を含むアミン化合物と、
フェニル基で修飾された炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を含むアミン化合物と、
からなる群から選択される少なくとも一つである請求項２に記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項４】
上記水酸基をカルボキシル基へ置換する反応において、シアノメチレントリフェニルホスフィンが使用される請求項１から請求項３のいずれかに記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項５】
上記第一アミノ酸、上記第二アミノ酸及び上記第三アミノ酸は、Ｎ末端及びＣ末端以外が保護基で修飾されることが可能である請求項１から請求項４のいずれかに記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項６】
上記第一アミノ酸、上記第二アミノ酸及び上記第三アミノ酸は、Ｌ体又はＤ体いずれかの光学活性をもつアミノ酸でも可能な請求項１から請求項５のいずれかに記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項７】
上記第一保護基が、ベンジルオキシカルボニル基であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項８】
上記第一アミノ酸がリシンであり、上記第二アミノ酸がアルギニンであり、上記第三アミノ酸がリシンである請求項１から請求項７のいずれかに記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項９】
上記第一アミノ酸がグルタミン酸であり、上記第二アミノ酸が１−メチル−１−フェニルヒドラジンで修飾されたリシンである請求項１から請求項７のいずれかに記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項１０】
上記第一アミノ酸がグルタミン酸であり、上記第二アミノ酸がリシンであり、上記第三アミノ酸がアルギニンである請求項１から請求項７に記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項１１】
上記ペプチド誘導体が、ＫＹＴ−１である請求項８に記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項１２】
上記ペプチド誘導体が、ＫＹＴ−３６である請求項９に記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項１３】
上記ペプチド誘導体が、ＫＹＴ−４１である請求項１０に記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項１】
第一保護基でＮ末端を保護した第一アミノ酸と、第二アミノ酸と、を縮合してペプチドを得る第一工程と、
上記ペプチドのＣ末端の水酸基をカルボキシル基へ置換して第一化合物を得る第二工程と、
上記第一化合物と、第一アミン化合物と、を縮合してペプチド誘導体又はその塩を得る第三工程と、
を含むペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項２】
上記第二工程において第一アミン化合物は、
第三アミノ酸のＣ末端が第二アミン化合物で修飾されたアミン化合物と、
第三アミノ酸のＣ末端の水酸基がカルボキシル基へ置換されてかつ第二アミン化合物で修飾されたアミン化合物と、
炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を含むアミン化合物及び、
フェニル基で修飾された炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を含むアミン化合物と、
からなる群から選択される少なくとも一つである請求項１に記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項３】
上記第二アミン化合物は、
炭素数１から６の直鎖状及び分枝状のアルキル基を含むアミン化合物と、
フェニル基で修飾された炭素数１から６の直鎖状、分枝状及び環状のアルキル基を含むアミン化合物と、
からなる群から選択される少なくとも一つである請求項２に記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項４】
上記水酸基をカルボキシル基へ置換する反応において、シアノメチレントリフェニルホスフィンが使用される請求項１から請求項３のいずれかに記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項５】
上記第一アミノ酸、上記第二アミノ酸及び上記第三アミノ酸は、Ｎ末端及びＣ末端以外が保護基で修飾されることが可能である請求項１から請求項４のいずれかに記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項６】
上記第一アミノ酸、上記第二アミノ酸及び上記第三アミノ酸は、Ｌ体又はＤ体いずれかの光学活性をもつアミノ酸でも可能な請求項１から請求項５のいずれかに記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項７】
上記第一保護基が、ベンジルオキシカルボニル基であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項８】
上記第一アミノ酸がリシンであり、上記第二アミノ酸がアルギニンであり、上記第三アミノ酸がリシンである請求項１から請求項７のいずれかに記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項９】
上記第一アミノ酸がグルタミン酸であり、上記第二アミノ酸が１−メチル−１−フェニルヒドラジンで修飾されたリシンである請求項１から請求項７のいずれかに記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項１０】
上記第一アミノ酸がグルタミン酸であり、上記第二アミノ酸がリシンであり、上記第三アミノ酸がアルギニンである請求項１から請求項７に記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項１１】
上記ペプチド誘導体が、ＫＹＴ−１である請求項８に記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項１２】
上記ペプチド誘導体が、ＫＹＴ−３６である請求項９に記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【請求項１３】
上記ペプチド誘導体が、ＫＹＴ−４１である請求項１０に記載のペプチド誘導体又はその塩の製造方法。
【公開番号】特開２０１０−２７００６１（Ｐ２０１０−２７００６１Ａ）
【公開日】平成２２年１２月２日（２０１０．１２．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１２３０３８（Ｐ２００９−１２３０３８）
【出願日】平成２１年５月２１日（２００９．５．２１）
【出願人】（５０７１０６８４７）ＮＳマテリアルズ株式会社 (8)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１２月２日（２０１０．１２．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年５月２１日（２００９．５．２１）
【出願人】（５０７１０６８４７）ＮＳマテリアルズ株式会社 (8)
【Ｆターム（参考）】
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