説明

ボンディングワイヤ

【課題】伸線時の被覆層の亀裂(キズ)を防止し、電気抵抗値を高めたボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】芯材1は、99.99質量%以上の銅にPを5〜250ppm添加したものとし、その芯材1にCu:1〜50mass%含有したPt又はPdの被覆層2を被覆する。このワイヤWは、Pの添加によって電気抵抗値が高くなり、スパークが低電流・短時間で安定したFABを形成できる。被覆層2にCuを含んでいると、熱処理時、芯材と被覆層2の界面における反応は、純金属からなる被覆層2と銅芯材1との間の反応に比べて拡散反応が緩やかとなって熱処理温度を上げても十分な密着性を得る。密着性が高まれば、その伸線時の被覆層2の損傷も無くなって、亀裂も生じにくい。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、IC、LSI、トランジスタ等の集積回路素子上の電極と、リードフレーム、セラミック基板、プリント基板等の回路配線基板の導体配線とをボールボンディング法によって接続するためのボンディングワイヤ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
この種のボールボンディング法による接続方法は、図1(a)〜(h)に示す態様が一般的であり、同図(a)に示す、ワイヤWがキャピラリー10aに挿通されてその先端にボール(FAB:Free Air Ball)bが形成された状態から、クランプ10bが開いて、キャピラリー10aが集積回路素子上の電極aに向かって降下する。このとき、ボール(FAB)bはキャピラリー10a内に捕捉されてその中心にボンディングされる。
【0003】
ターゲットである電極aにボールbが接触すると(キャピラリー10aが電極aに至ると)キャピラリー10aがボールbをグリップし、ボールbに熱・加重・超音波を与え、それによってボールbと電極aが固相接合され、1stボンドが形成されて電極aと接着する(1st接合、図1(b))。
1stボンドが形成されれば、キャピラリー10aは、一定高さまで上昇した後(同図(c))、導体配線cの真上まで移動する(同図(d)〜(e))。このとき、安定したループを形成するため、キャピラリー10aに特殊な動きをさせてワイヤWに「くせ」を付ける動作をする場合がある(同図(d)の鎖線から実線参照)。
【0004】
導体配線cの真上に至ったキャピラリー10aは、導体配線cに向かって降下し、ワイヤWを導体配線(2ndターゲット)cに押付ける(同図(e)〜(f))。これと同時に、その押付け部位に熱・加重・超音波を与え、それによってワイヤWを変形させ、ワイヤWを導体配線c上に接合させるためのステッチボンドと、次のステップでテイルを確保するテイルボンドを形成する(2st接合、図1(f))。
【0005】
その両ボンドを形成した後、キャピラリー10aはワイヤWを残したまま上昇し、キャピラリー10aの先端に一定の長さのテイルを確保した後、クランプ10bを閉じて(ワイヤWをつかんで)、テイルボンドの部分からワイヤWを引きちぎる(図1(g))。このとき、テイルボンドがワイヤWを仮止めしているため、テイルボンドをなすワイヤWはキャピラリー10aと一緒に上昇しない。
【0006】
キャピラリー10aは、所要の高さまで上昇すると停止し、そのキャピラリー10aの先端に確保されたワイヤWの先端部分に、放電棒gでもって高電圧を掛けて火花を飛ばし(放電し)、その熱でワイヤWを溶かし、この溶けたワイヤ素材は表面張力によって球状に近いボールbになって固まる(図1(h))。
【0007】
以上の作用で一サイクルが終了し、以後、同様な作用によって、電極aと導体配線cのボールボンディング法による接続がなされる。
【0008】
このボールボンディング法による接続において、ボンディングワイヤWには、金線が主に使用されるが、金は高価であるため、近年、銅純度99.9質量%以上(3N)の安価な銅線を使用することが行われている。そのとき、銅は裸のままでは、表面の酸化が起こり易いことから、その酸化が問題となる場合、図2に示すように、銅線からなる芯材1に耐酸化金属2を被覆したものが使用されている。
その被覆金属(被覆層)2としては、金(Au)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)、ニッケル(Ni)等の純金属が採用されている(特許文献1〜3)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【特許文献1】特開2003−133361号公報
【特許文献2】特開2004−64033号公報
【特許文献3】特開2007−12776号公報
【特許文献4】特開2009−140953号公報
【0010】
この金属被覆の銅線からなるボンディングワイヤWにおいて、近年の電子部品の小型化等による集積回路素子間の極小化に伴い、上記ボールbもより小さくする必要から、ボンディングワイヤWにも小径のものが望まれ、そのためには、その径Lを50μm以下とするのが好ましいとされている(特許文献1段落0009第12〜14行)。
また、集積回路素子の電極aへの接続において、ボールbが下向き槍状(逆円錐状)になっていると、上記ボールbの電極aへの押付け時、そのボールbの尖鋭端によって電極aを損傷させる恐れがあるため、ボールbはできるだけ、真球であることが好ましい。そのボールbの真球度を高めるために、上記被覆層2の厚みtを芯線径の0.001以下としたり(特許文献1請求項1)、同じく被覆層2の厚みtを0.001〜0.02μmとしたり(特許文献3請求項1)、芯材1の銅よりも高融点の耐酸化金属で被覆層2を形成したりしている(特許文献2段落0014)。
【0011】
さらに、有機基板をベースにしたBGA(Ball Grid Array)などでは加熱温度(ステージ温度)を高くすると、有機基板に反りが発生してボンディング性が著しく悪化する。このため、上記ワイヤWと電極a又は導体配線cとの接合時の加熱温度(ステージ温度)を低く、例えば、150℃程度にしても、十分な接合強度を担保するための種々の工夫、例えば、熱処理後に伸線する加工等もされている(特許文献3段落0020、同0054等)。
また、芯材1の銅に、リン(P)、ボロン(B)、ビスマス(Bi)、錫(Sn)、銀(Ag)、マンガン(Mg)を添加して、ピール試験(剥離試験)での破断伸びを増加させると共に、ボールbの溶融時にそのP等の添加金属が被覆層2を形成する耐酸化金属との相乗効果によって、ボールの真球性を向上させる技術も開示されている(特許文献4段落0055)。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0012】
以上のように、耐酸化金属で銅線を被覆したボンディングワイヤWは、従来から、種々の工夫がなされてそれなりに好評を得ているが、近年の低コスト化に基づく、作業の高速化の要求の中で、より一層の作業の安定性、例えば、下記連続ボンディング性、FABの安定性等が求められている。
その作業の安定性の向上には、芯材1の電気抵抗値を高めることが考えられ、その場合、上記P等を選択し得る。その電気抵抗値を高めることで、FAB形成の際のスパークを低電流・短時間で行うことができる。
【0013】
また、作業を高速化すると、上記ボールボンディング法による接続において、図1(e)〜(f)に示した、キャピラリー10aが導体配線cに向かって降下し、ワイヤWを導体配線(2ndターゲット)cに押付けて、ワイヤWを海老の尻尾のように屈曲させると(同図(f)参照)、その屈曲に伴って被覆層2に亀裂が入る場合がある。
特に、被覆層2を設けたボンディングワイヤWは、その被覆層2と芯材1の密着性を高めるために、上記のように、その被覆後に熱処理(拡散焼鈍)が行われるが、その熱処理時、銅の芯材と純金属からなる被覆層の間の拡散が激しく進行し(拡散反応が速く)、合金層の生成後、直ぐに化合物層の生成が始まって両者間に脆弱な化合物層を生成してしまう可能性がある。この化合物層が生成されると、化合物層は脆弱のため、接合性(密着性)が悪く、熱処理後の伸線時に被覆層2に亀裂(キズ)が入って耐酸化性の劣化に繋がると共に、上記のワイヤWを海老の尻尾のように屈曲させた際、亀裂が生じ易くなる。
被覆層2に亀裂が入れば、その亀裂個所の耐酸化性が劣化することとなる。このため、そのような問題が生じないように、熱処理温度(拡散焼鈍温度)を低くする必要があり、製造条件が狭くなっている。
【0014】
この発明は、上記伸線時の亀裂(キズ)を防止することを第1の課題、ボンディングワイヤWの電気抵抗値を高めることを第2の課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0015】
上記第1課題を達成するために、この発明は、被覆層に芯材をなす銅を含んだPt又はPd合金(Pt−Cu又はPd−Cu)を採用することとしたのである。
被覆層に銅を含んでいると、上記熱処理時における、銅又は銅合金からなる芯材と被覆層の界面における反応は、純金属からなる被覆層と銅又は銅合金からなる芯材との間の反応に比べて拡散反応が緩やかとなるため、熱処理温度を上げることができる。すなわち、純金属同士による化合物の生成が少なくなって、界面は合金層によって形成されるため、熱処理温度を上げても十分な密着性を得ることができる。
【0016】
このとき、被覆層の銅含有量が1mass%未満であると、拡散反応を緩やかにする効果が得られず、同70mass%を超えると、被覆層の表面耐酸化性が劣化すると考えられるが、その劣化の安全性を考慮すれば、下記実験例から50mass%以下とする。より高い耐酸化性を得るためには同20mass%以下とする。
その拡散反応を緩やかにする合金化元素としてCuを採用したのは、芯材がCu又はその合金からなるからである。例えば、Cuに代えてNiを採用した場合、FABがPd(Pt)−Ni−Cu合金となることからFABが硬くなって、Siチップダメージの原因となる。
【0017】
また、耐酸化性の被覆金属(被覆層)2として、上記のAu、Pt、Pd、Ag、Ni等の純金属の中から、Pt、Pdを採用したのは、純銅の融点:1083℃、Pdの融点:1554℃、Ptの融点:1772℃であって、これらが銅より融点が高いことから、上記のボールaの高い真球度が得られるからである。すなわち、そのボールaの形成時、放電によって銅が溶融して真球となる時、その溶融部分が表面張力によって真上にワイヤを這い上がっていくが、被覆層2も溶融していると、その這い上がりが悪くなって、真球になりにくいが、その這い上がり時に被覆層2が溶けていないと、円滑に這い上がって真球になり易いからである。
【0018】
この発明の具体的な構成としては、芯材が純度99.9質量%以上の銅からなり、その芯材の外周全面に被覆層を形成した、集積回路素子の電極と回路配線基板の導体配線をボールボンディング法によって接続するための線径:12μm以上50.8μm以下のボンディングワイヤにおいて、前被覆層は、白金又はパラジウムからなる厚み:0.02〜0.09μmで、前記芯材に拡散熱処理によって密着性が高められたものであって、その被覆層の前記白金又はパラジウムはその拡散熱処理における拡散反応を緩やかにするための銅を1〜50mass%含有している構成を採用することができる。
【0019】
この構成において、ボンディングワイヤWの線径Lを、50.8μm以下としたのは、上述の特許文献1ではその径Lを50μm以下としているが、50.8μm以下であれば、50μm以下とかわらない程度でもって、上記ボールbをより小さくできるからである。
また、線径Lの下限を12μm以上としたのは、12μm未満ではボンディング前にオペレータがワイヤWをキャピラリー10aに通すのが困難になり、作業性が悪くなるからである。
【0020】
芯材1の銅純度を99.9質量%(3N)以上としたのは、銅の高導電性を担保するためであるが、その芯材1の銅純度を99.99質量%(4N)以上、さらに、同99.999質量%(5N)以上とすれば、FAB硬度をより低減できるから、Siチップ(電極a)の損傷の可能性が低くなる。
【0021】
さらに、被覆層2の厚みtは薄いほど、ボールbの硬度が低くなり、Siチップ(電極a)の損傷の可能性が低くなるが、薄すぎると、ステッチボンド接合の際に芯材1の銅が露出する度合いが大きくなり、被覆層2を有さない銅ワイヤ程度のステッチボンド接合性しか発現できない。例えば、後記実施例と比較例の実験結果から理解できるように、2回以上のマシンストップが生じる恐れがある。このため、その実施例と比較例の実験結果から、被覆層2の厚みtは0.02μm以上とする。一方、被覆層2が厚いと、ボールbの硬度が高くなり、Siチップ(電極a)の損傷の可能性が高くなる。このため、同実施例と比較例の実験結果から、被覆層2の厚みtは0.09μm以下とする。
【0022】
なお、ステージ温度:150℃程の低温度でのボールボンディングの時には、連続ボンディング性の後記実験結果からその被覆層の厚みtを0.04μm以上とする。ステージ温度を低くすると、ステッチボンド接合に要する加重が大きくなり、被覆層2の厚みtが0.02μm以上から0.04μm未満の範囲では芯材1の銅が露出する度合いが大きくなり、連続ボンディング性が損なわれることがあるからである。
【0023】
また、被覆層2の厚みtを0.04μm以上とした場合、ステージ温度150℃でもマシントラブルが少なくなるが、特に、Pdを被覆層2に採用し、被覆層2の厚みtを0.05μm以上とした時にはステージ温度をより低温の135℃としたときでもマシントラブルが起こらないことも確認されている。これは、Pd被覆層2の場合、CuとPdの溶融時間差が小さく、より真球になりやすいこととの相乗効果に基づくものと考える。
【0024】
つぎに、上記第2の課題を達成するために、この発明は、上記の電気抵抗値を高めると考えるP、B、Bi、Sn、Ag、Mgの内、Pを添加することとしたのである。
このPの添加によって電気抵抗値が高くなり、FAB形成の際のスパークを低電流・短時間で安定して供給することによってそのFABの形成ができる。
Pは、添加しても加工熱安定性がある上に、一般的にCu−P合金として販売されていて、その入手も容易である上に、所要の添加量を得やすい。これに対し、Bは熱安定性が悪いことから、添加が困難であり、Biは環境面から好ましくなく、Snは溶解によって煤ができる問題があり、Agは酸化し易いことから、信頼性が劣り、Mgは蒸気圧が低いことから添加し難い問題がある。
このPを添加した芯材1にその芯材1をなす銅を含んだPt又はPd合金(Pt−Cu又はPd−Cu)でもって被覆層2を形成すれば、上記第1及び第2の課題を達成したボンディングワイヤとし得る。
【0025】
そのPの添加量は、その効果を得ることができる範囲で実験等によって適宜に定めれば良いが、例えば、2〜250ppmとする。Pが2ppm未満では、電気抵抗値を高める効果が望めず、低電流・短時間によるボール形成の効果を得ることができない場合があり、250ppmを越えると、電気抵抗値が上がりすぎてSiチップ等の素子(電極a)からリード(導体配線c)に信号を伝えるというボンディングワイヤとしての機能を阻害する恐れがあるとともに、上記1st接合時のチップaにクラックが生じる恐れがある。
【0026】
この発明の具体的な構成としては、集積回路素子の電極と回路配線基板の導体配線をボールボンディング法によって接続するための線径12μm以上50.8μm以下のボンディングワイヤであって、その芯材が電気抵抗を高めるためにPを添加した純度99.9質量%以上の銅からなり、その芯材の外周全面に、耐酸化金属であるPt又はPdの厚み:0.02〜0.09μmの被覆層を形成したボンディングワイヤとした構成を採用することができる。
この構成において、線径12μm以上、同50.8μm以下、純度99.9質量%以上、被覆層の厚み:0.02〜0.09μmとしたのは、上記と同一の理由である。
【0027】
これらの構成のボンディングワイヤWの製造方法には種々のものが採用できるが、例えば、純度99.9質量%以上の銅、又はリンを5〜250ppm添加した純度99.9質量%以上の銅からなる芯材1の外周全面に、銅を1〜50mass%含有したPt又はPdによる被覆層を形成し、その被覆線を、500〜800℃で拡散熱処理して前記芯材と被覆層の密着性を高めた後、線径:12μm以上、同50.8μm以下まで伸線し、さらに、引張伸びが8%以上となるように調質熱処理を行って、被覆層2の厚みt:0.02〜0.09μmとした構成を採用できる。
【0028】
その被覆層2は、電解めっき、無電解めっき、蒸着法等の周知の手段によって形成され、一般に、ワイヤWは大きな線径の銅ロッドをダイスと呼ばれるツールに順次貫通させていくことにより、所定の線径に仕上げられるため、この工程途中の適宜な線径で被覆層2を前記手段により形成する。このとき、被覆する際の芯材1の線径は作業性・コストにより決定されるが、製造装置の制限から0.2〜0.8mmが一般的である。外周全面にPd等の金属が被覆された被覆線は500〜800℃(焼鈍炉の温度)で拡散熱処理を施して前記芯材1と被覆層2の密着性を高めた後、線径12μm以上、同50.8μm以下まで伸線し、さらに、引張伸びが8%以上となるように調質熱処理を行って、被覆層2の厚みt0.02〜0.09μmとすることができる。
引張伸びを8%以上とするのは、ステッチボンド接合性を上げ、より安定したボンディング性を得るためである。
【発明の効果】
【0029】
この発明は、以上のように被覆層に芯材をなす銅を含んだ合金を採用したので、熱処理温度を上げても十分な密着性を得ることができるため、熱処理のスピードアップを図ることができる等の製造条件の幅が広くなる。また、芯材にPの添加によって電気抵抗値を高めたので、低電流・短時間で安定してそのFABの形成ができる。
【図面の簡単な説明】
【0030】
【図1】ボールボンディング接続法の説明図であり、(a)〜(h)はその途中図
【図2】この発明に係るボンディングワイヤの断面図
【図3】オージェピーク強度と被覆層(めっき層)深さの関係図
【発明を実施するための形態】
【0031】
表1に示す実施例1〜12及び比較例1〜11を製作し、そのボンディングワイヤWの伸線後の被覆層2の状態(キズの有無)、生産性、連続ボンディング性、1st接合部のSiチップ(電極a)の損傷度合の試験(確認)、HTST(High Temperature Storage Test)を行った(表2)。
すなわち、まず、銅純度99.99質量%の純銅(4N)にPを所要ppm添加した8mm径の銅合金線を作製し、その銅合金線に、Cuを所要mass%含有したPd又はPt合金を電解めっき法によって被覆し、その被覆線を巻き戻し、焼鈍炉を通したのち、再び巻き取り用リールで巻き取ることによって連続拡散熱処理(拡散焼鈍)を行った。焼鈍炉は炉長1mの炉芯管を有する電気炉を用い、炉芯管には窒素ガスを流した。その炉温度は200℃以上900℃以下として被覆線(銅合金線)の温度を200〜500℃とし、その被覆線の走行速度(ライン速度)は5〜60m/分とした。
以上の拡散熱処理を施して銅線(芯材)1と被覆層2の密着性を高めた後、線径15〜50μmまで伸線し、さらに、引張伸びが8%以上となるように調質熱処理を行って、被覆層2の厚みt:0.018〜0.108μmのボンディングワイヤW(実施例1〜12及び比較例1〜11)を得た。
【0032】
この各ボンディングワイヤWにおける被覆層2の厚み等の測定は下記の方法で行い、その各ボンディングワイヤWにおいて、下記の評価を行った結果を表2に示す。

「表面被覆層2の厚みt」
オージェ分光分析法による深さ分析を行った。深さ分析はArイオンでスパッタしながらPdまたはPtの濃度を測定し、SiO換算して表層からの距離を算出した。表面被覆層の厚みtは、表層のPdまたはPt濃度の測定値の1/2の濃度になる点までを表面被覆層の厚みとした(図3参照)。
「添加元素の分析」
ICP分析を用いた。
「表面被覆層のCu濃度]
表面からのオージェ分光分析法でCu濃度を測定した。
「拡散焼鈍」
繰り出し機から繰り出したワイヤWを各温度に設定した電気炉の中に通し、反対側から巻き取る方法で連続的に処理した。
「拡散焼鈍温度」
電気炉の炉中に熱電対を入れ、その熱電対の温度を指す。
「表面被覆の状態」
走査型電子顕微鏡500倍の倍率で観察し、表面にキズが確認されない場合はA、3μm以上のキズが確認できた場合はDとした。
「生産性」
拡散焼鈍温度が500℃以上の場合はライン速度を上げることができるのでA、500℃未満の場合は同上げることができないのでDとした。
「連続ボンディング性」
ボンディングマシンで10,000回の連続ボンディングを行い、マシンストップが発生しなければA、1回のマシンストップでB、2回以上のマシンストップが起こればDとした。
連続ボンディングはステージ温度が低くなれば困難になることから、200℃、150℃の2水準で行った。
「FAB形状の安定性」
50個のFABを作製し、90%以上が真球ならA、90%未満ならDとした。
「1st接合部のSiチップ損傷」
ボンディング後、1stボール接合部直下のSiチップ損傷を評価するために、ボール接合部および電極膜を王水で溶解し、Siチップのクラックを光学顕微鏡と走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した。
100個の接合部を観察して5μm未満の微小なピットが1個もしくはまったく見られない場合はA、5μm以上のクラックが2個以上認められた場合をDとした。
「HTST」
ボンディング後、200℃に加熱された大気炉にリードフレームを入れ、1000hr経過後のワイヤWの状態を光学顕微鏡500倍の倍率で確認した。酸化が進んでいないものはA、わずかに酸化が起こり変色しているが、使用上問題ないレベルのものはB、表面被覆層全体が酸化しているもしくは被覆層からCuが露出して酸化が進行しているものはDとした。
「総合評価」
すべての項目がAのものをA、ひとつでもBがあるものをB、ひとつでもDがあるものをDとした。
【0033】
【表1】

【0034】
【表2】

【0035】
この試験結果から、被覆層2がCuを含有していないPt又はPdの場合、生産性を高めるために拡散焼鈍温度を上げると、伸線時の被覆層表面にキズが発生し(比較例1、4、8)、同Pt又はPdがCuを1mass%以上含有したものであると、伸線時の被覆層表面にキズが発生しなくなり(実施例1〜12、比較例3、5〜7、9〜11)、同50mass%を越えると、1st接合部のSiチップ損傷及びHTSTに問題が生じる(比較例7、9)。
また、被覆層2がCuを含有していないPt又はPdの比較例1、4、8と同含有するPt又はPdの実施例6、1、9との対比から、Cuを1〜50mass%含有すれば、拡散焼鈍温度を上げても、伸線時の被覆層2のキズが生じないことが確認できる。
被覆層2がCuを1mass%以上含有したPt又はPdの場合でも、その層厚tが0.09μmを越えると、1st接合部のSiチップ損傷の問題が生じる(比較例5)。
芯材1にPを含有しないと、FAB形状の安定性に問題が生じ(比較例10)、Pの含有量が多くなると、1st接合部のSiチップ損傷の問題が生じる(比較例11)。
【0036】
被覆層厚tが0.02μm未満では、伸線時の被覆層表面にキズが発生しないように拡散焼鈍温度を下げる必要から、生産性に問題が生じる(比較例2)。また、同0.02μm未満であると、連続ボンディング性に問題が生じ(比較例3)、一方、同0.09μmを越えると、ボールbが硬くなって、Siチップ(電極a)の損傷が認められるようになる(比較例5)。また、被覆層厚tが薄いと、連続ボンディング性における「150℃ステージ」における問題が生じる恐れが生じることが分り(実施例1、3、5、6、9、比較例3)、被覆層の厚みtが0.04μm以上であると、同150℃ステージにおいても満足できることが分る(実施例2、4、7、8、10〜12)。
【0037】
以上から、被覆層厚t:0.02〜0.09μm、Cu含有量:1〜50mass%であれば、総合評価において、A又はBを得ることができるが(実施例1〜12)、その条件を満たしても、拡散焼鈍温度を下げれば、生産性に問題が出ることが分る(比較例6)。
また、被覆層2のPt又はPdのCu含有量が増加すると、例えば、25mass%を越えると、HTSTの問題が生じる恐れが多くなることが理解でき(実施例5、8、12)、Cu添加量を10mass%以上、20mass%以下とすると、総合評価において「A」を得ることができる(実施例2、4、7、10、11)。
【符号の説明】
【0038】
W ボンディングワイヤ
1 芯材
2 被覆層
a 集積回路素子の電極
b ボンディングボール
c 回路配線基板の導体配線

【特許請求の範囲】
【請求項1】
芯材(1)が純度99.9質量%以上の銅からなり、その芯材(1)の外周全面に被覆層(2)を形成した、集積回路素子の電極(a)と回路配線基板の導体配線(c)をボールボンディング法によって接続するための線径(L):12μm以上50.8μm以下のボンディングワイヤ(W)において、
上記被覆層(2)は、白金又はパラジウムからなる厚み(t):0.02〜0.09μmで、上記芯材(1)に拡散熱処理によって密着性が高められたものであって、その被覆層(2)の前記白金又はパラジウムはその拡散熱処理における拡散反応を緩やかにするための銅を1〜50mass%含有していることを特徴とするボンディングワイヤ。
【請求項2】
上記芯材(1)が純度99.9質量%以上の銅に電気抵抗を高めるためのリンを5〜250ppm添加したものからなることを特徴とする請求項1に記載のボンディングワイヤ。
【請求項3】
集積回路素子の電極(a)と回路配線基板の導体配線(c)をボールボンディング法によって接続するための請求項1又は2に記載のボンディングワイヤ(W)の製造方法であって、純度99.9質量%以上の銅、又はリンを5〜250ppm添加した純度99.99質量%以上の銅からなる芯材(1)の外周全面に、銅を1〜50mass%含有した白金又はパラジウムによる被覆層(2)を形成し、その被覆線を、500〜800℃で拡散熱処理して前記芯材(1)と被覆層(2)の密着性を高めた後、線径(L):12μm以上50.8μm以下まで伸線し、さらに、引張伸びが8%以上となるように調質熱処理を行って、被覆層2の厚み(t):0.02〜0.09μmとしたことを特徴とするボンディングワイヤの製造方法。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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