ポジ・トーンの二重層インプリント・リソグラフィー法とその組成物
本発明は、突起部と凹所とを有するパターン化された層を基板の上に形成することによって多層構造物を作成することを特徴とする、基板をパターニングする方法と組成物とを提供する。パターン化された層に形成されているのは順応層であり、多層構造物は基板から見て外方に向いているクラウン表面を有する。多層構造物の一部を取り除いて、突起部と重ね合わされている基板の領域を露出させる一方で、凹所と重ね合わされているクラウン表面の領域に固いマスクを形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
発明の分野は、全体として、構造物の微細加工に関する。より詳細には、本発明は構造物の形成の促進におけるパターニング基板に向けられる。
【背景技術】
【0002】
微細加工は、例えば、およそマイクロメートル以下の外観を有する非常に小さな構造物の製作にかかわる。微細加工がかなり大きい影響を持ってきた1つの領域は、集積回路の加工である。半導体加工産業が、基板に形成された単位面積当たりの回路を増加させながら、より大きな生産量を求めて努力し続けるにつれて、微細加工はますます重要になる。微細加工は、形成される構造物の最小の外観寸法を大きく低減させる、よりすばらしい工程管理を備えている。微細加工が使われてきた他の開発領域には、バイオテクノロジー、光学技術、機械システムなどがある。
【0003】
典型的な微細加工技術は、Willsonらの米国特許第6,334,960号に示されている。Willsonらは、構造物に凹凸イメージを形成する方法を開示している。その方法には、転写層を有する基板を用いることが含まれる。転写層は重合可能な流体組成物で覆われている。インプリント装置はその重合可能な流体と機械的に接触する。インプリント装置には、領域と溝から形成される凹凸構造物が含まれる。重合可能な流体組成物は、その凹凸構造物を満たし、領域と重ね合わされている重合可能な流体の厚さが残された厚さを決める。次に、重合可能な流体組成物は、それを固化し、重合する条件にかけられ、インプリント装置の凹凸構造物に補足的な凹凸構造物を含む転写層に、固化した高分子材料を形成する。それから、インプリント装置が、インプリント装置の凹凸構造物の複製が固化した高分子材料の中に形成されるように、固体の高分子材料から切り離される。転写層および固化した高分子材料が、凹凸イメージが転写層に形成されるように、固化した高分子材料に対して転写層を選択的にエッチングするための環境にさらされる。その後、従来のエッチング工程を、凹凸構造物のパターンを基板に転写するのに利用することができる。
【0004】
転写歪みと呼ばれる、基板に転写されたパターンから高分子材料に記録されたパターンへの間の寸法の変化を最小にするのが望ましい。そのためには、Willsonらの微細加工技術を前進させるために、多くの試みがなされている。例えば、固化した高分子材料の残された厚さを最小にするのが望まれてきた。残された厚さが薄ければ薄いほど、転写歪みの減少がより大きい。固化した高分子材料の残された厚さは、重合可能な流体の残された厚さに比例している。しかしながら、重合可能な流体が凹凸構造を満たす速度は、重合可能な流体の残された厚さの3乗に反比例する。転写歪みを最小にすると、パターンを基板に記録するのに必要な時間が増加するのは明らかである。したがって、スループットと転写歪みの最小化の間に、妥協点が存在する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
したがって、これらの技術によって形成されるパターンの転写歪みを最小にしながら、微細加工技術のスループットを改善することが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明は、突起部と凹所とを有するパターン化された層を基板の上に形成することによって多層構造物を作成するというものである、基板をパターニングする方法と組成物を提供する。パターン化された層に形成されているのは順応層であり、多層構造物は基板から見て外方に向いているクラウン表面を有する。多層構造物の一部が取り除かれて、突起部と重ね合わされている基板の領域を露出させる一方で、凹所と重ね合わされているクラウン表面の領域に固いマスクを形成する。典型的な実施態様では、パターン化された層は、実質的にシリコンのない重合可能な流体から、インプリント・リソグラフィー技術を利用して形成され、シリコンのない重合した層を形成する。順応層は、シリコンを含んでいる重合した流体から形成されて、前記基板から見て外方に向いている正規化表面を持っている。シリコンを含む重合した層の一部を、包括的なエッチングを利用して取り除いてクラウン表面を形成し、シリコンのない重合した層の突起部が露出する。次に、クラウン表面を、凹所と重ね合わされているクラウン表面の領域に固いマスクを生じる異方性の酸素プラズマのエッチングにかけるが、それとともに重ね合わされているシリコンのない層の突起部とセグメントを取り除き、基板を露出させる。この工程の結果、形成されるパターンの寸法について正確なコントロールを維持しながら、パターニングする時間を短縮する。これらと他の実施形態を、本明細書に記述する。
【発明を実施するための最良の形態】
【0007】
図1は、ブリッジ14を有する1組みの離して設けたブリッジ支持物12とそれらの間に延在するステージ支持物16とを含む、本発明の1つの実施形態に従うリソグラフィー装置10を描いている。ブリッジ14とステージ支持物16は離れている。ブリッジ14に結合されているのは、ブリッジ14からステージ支持物16に向かって延在するインプリントヘッド18である。インプリントヘッド18に面するようにステージ支持物16に配置されているのは、移動ステージ20である。移動ステージ20は、XとY軸に沿ってステージ支持物16に対して動くように構成されており、その上、Z軸に沿って動くこともできる。放射線源22は、化学線放射を移動ステージ20に当てるためにシステム10に結合されている。示されているように、放射線源22は、ブリッジ14に結合されて、放射線源22に接続されている発電機23を含んでいる。
【0008】
図1および2の両方を参照すると、インプリントヘッド18に接続されているのは、パターン化されたモールド26を上に有するテンプレート24である。パターン化されたモールド26には、間隔を置いて離した複数の凹所28と突出部30によって形成された複数のフィーチャが含まれる。突出部30は幅W1を有し、凹所28は幅W2を有する。その両方とも、Z軸に対して横に延びる方向に測定される。その複数のフィーチャが、移動ステージ20に置かれる基板32に転写されるパターンの基礎を形成するオリジナルのパターンである。インプリントヘッド18をZ軸に沿って動かし、パターン化されたモールド26と基板32の間の距離「d」を変えるようにインプリントヘッド18が構成されている。代わりに、インプリントヘッド18と関連させて、移動ステージ20がZ軸に沿ってテンプレート24を動かすことができる。この方法で、パターン化されたモールド26のフィーチャを、以下でより完全に論ずる、基板32の流動性を有する領域にインプリントすることが可能である。放射線源22を、パターン化されたモールド26が放射線源22と基板32の間に位置付けされるように、設置する。パターン化されたモールド26は、放射線源22によって発生する放射線に対して実質的に透明である材料から製作される。典型的なシステムは、78758テキサス州、オースチンの、1807−C Braker Lane、Suite 100に事業所を有するMolecular Imprints,Inc.からのIMPRIO 100(商標)という商品名で入手可能である。IMPRIO 100(商標)についてのシステム記述は、www.molecularimprints.comで入手可能であり、参照して本明細書に組み込まれている。
【0009】
図2、3の両方を参照すると、インプリント層34のような流動性を有する領域を、実質的に平面の外形を示す表面36の一部に配置する。本実施形態では、その流動性を有する領域を、以下でより完全に論じる、材料40の間隔を置いて離した複数の別々の小滴38として基板32の上に堆積させる。材料40は、実質的にシリコンがなく、選択的に重合され、架橋されて、そこにオリジナルのパターンの逆を記録することができ、記録されたパターンを形成する。材料40は、点42で架橋されているとして図4に示し、架橋したポリマー材料44を形成する。
【0010】
図2、3、5を参照すると、インプリント層34に記録されたパターンは、パターン化されたモールド26との機械的接触により、部分的に生成される。インプリント層34がパターン化されたモールド26と機械的に接触するように、距離「d」を減少させ、表面36全体に材料40の連続形状を有するインプリント層34を形成するように小滴38を広げる。1つの実施形態では、距離「d」を減少させて、インプリント層34の副部分46が凹所28に侵入し、満たすようにする。
【0011】
本実施形態では、突出部30と重ね合わされているインプリント層34の副部分48が、望ましい、通常は最短距離「d」が達成された後に、厚さt1の副部分46と厚さt2の副部分48を残す。厚さt2は残された厚さと呼ばれる。厚さ「t1」と「t2」は、望ましい、用途に依存するどんな厚さであってもよい。小滴38に含まれる全容積は、望ましい厚さt1とt2を得ながら、パターン化されたモールド26と重ね合わされている表面36の領域を越えて広がることから材料40の量を最小にするか、または避けるようなものにすることができる。
【0012】
図2、3、4を参照すると、望ましい距離「d」に達した後に、放射線源22は、材料40を重合させ、架橋させる化学線放射を生成し、架橋したポリマー材料44を生成させる。その結果、インプリント層34の組成物は、材料40から固形物である材料44に変化する。特に、材料44は固化して、図5により明確に示されているパターン化されたモールド26の表面50の形に一致する形を有する面を持つ固化したインプリント層134を形成する。その結果、固化したインプリント層134は、凹所52と突起部54を持って形成される。固化したインプリント層134が形成された後に、パターン化されたモールド26と固化したインプリント層134が間隔を置いて離れるように距離「d」を増加させる。一般に、この工程は何回か繰り返されて、基板32の異なる領域(示されていない)をパターン化する。ステップ・アンド・リピート工程と呼ばれる。典型的なステップ・アンド・リピート工程は、本発明の譲受人に譲渡され、参照により組み込まれている発行済の米国特許出願第20040008334号に開示されている。
【0013】
図l、2、3を参照すると、材料40の特性は、利用される独特な堆積工程の観点から基板を効率的にパターン化するのに重要である。上記のように、材料40が、基板32の上に、複数の個々別々の間隙を介した小滴38として堆積される。小滴38を組み合わせた容積は、材料40が、インプリント層34が形成される表面36の区域全体に適切に分散する程度である。この方法で、小滴38のインプリントする材料40の全容積は、いったん望ましい距離「d」が達成されると、それとともに重ね合わされているパターン化されたモールド26と基板32の部分との間に形成されたすき間に材料40によって占められる総容積が実質的に小滴38中の材料40の総容積に等しいように、得られるべき距離「d」を決める。その結果、インプリント層34は同時に広げられ、パターンが形成され、そのパターンはその後、紫外線のような放射線にさらされることにより記録される。その堆積工程を容易にするために、すべての厚さt1が実質的に均一で、しかもすべての残された厚さt2が実質的に均一であるように、表面36全般にわたって小滴38に材料40が速やかに、しかも均等に広がるように、材料40がある種の特性を有することが望まれる。
【0014】
材料40のための典型的な組成物は、シリコンがなくて、下記のものから成る、すなわち、
組成物1
アクリル酸イソボルニル、
アクリル酸n−ヘキシル、
ジアクリル酸エチレングリコール、
2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン
組成物1では、アクリル酸イソボルニルがその組成物の約55%を構成し、アクリル酸n−ヘキシルが約27%を構成し、ジアクリル酸エチレングリコールが約15%を構成し、そして開始剤である2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オンが約3%を構成する。その開始剤は、ニューヨーク、TarrytownのCIBA(登録商標)によりDAROCUR(登録商標)1173という商品名で販売されている。上で確認された組成物には、また、組成物の運用年数を増加させると化学技術でよく知られている安定剤が含まれている。適当なリリース特性を与えるために、組成物1は、疎水性であり、および/または低い表面エネルギー、例えば、先天的なリリース層である型表面を持つように処理されたテンプレートと共に使われるてもよい。
【0015】
図3、5を参照すると、パターン化されたモールド26と固化したインプリント層134のリリース特性を改善するために、および固化したインプリント層134がパターン化されたモールド26に付着しないことを確実にするために、組成物1に添加物を含ませることができる。そのためには、材料40は添加物として界面活性剤を含んでもよい。本発明の目的のために、界面活性剤は、その一端が疎水性である任意の分子と決められている。界面活性剤は、フッ素含有、例えば、フッ素鎖を含むか、または界面活性剤の分子構造にどんなフッ素も含まないかのどちらであってもよい。典型的な界面活性剤は、DUPONT(商標)から、R1R2という一般的な構造を持っているZONYL(登録商標)FS0−100という商品名で入手できる。式中、R1=F(CF2CF2)Yで、yが1〜7の範囲であることを含めており、そしてR2=CH2CH2O(CH2CH2O)XHであり、ここでXは0〜15の範囲であることを含めている。これは以下の組成物を持つ材料40を与える、すなわち、
組成物2
アクリル酸イソボルニル
アクリル酸n−ヘキシル
ジアクリル酸エチレングリコール
2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン
RfCH2CH2O(CH2CH2O)XH
ZONYL(登録商標)FS0−100添加物は、組成物の1%未満を構成しており、残りの成分の相対量は組成物1に関して上で論じた通りである。しかしながら、ZONYL(登録商標)FSO−100の割合は1%より多くてもよい。
【0016】
図5、6を参照すると、パターン化されたモールド26のパターンを基板32に転写するのを容易にするために、固化したインプリント層134に隣接しているシリコン含んでいる順応層58を形成することによって、多層構造物56を作る。そのためには、シリコンを含んでいる材料を、固化したインプリント層134に隣接して堆積させる。特に、シリコンを含んでいる材料を、材料40の堆積に関して上で論じた技術のような順応層58を形成するためのどんな知られている技術を使っても、固化したインプリント層134に隣接して堆積させることができる。代わりに、シリコンを含んでいる材料を、回転塗布技術を利用して、固化したインプリント層134に隣接して堆積することが可能である。
【0017】
順応層58を形成するための典型的な技術では、シリコンを含んでいる材料を、回転塗布技術を使って、固化したインプリント層134に隣接して堆積させ、その後、そのシリコンを含んでいる材料を熱硬化させて、順応層58を形成する。そのためには、順応層58を形成するのに利用される可能性のある典型的な材料には、シリコーン樹脂、架橋剤、触媒、溶剤などが含まれる。
【0018】
シリコーン樹脂は、プロセスへの適合性があり、所望のイオン、純度、および副産物汚染の必要条件を満たすものである。その上にパターンを記録するための特性を持つ順応層58が非常に小さな形状、すなわち、およそ数ナノメートルを有するという条件で、架橋剤がシリコーン樹脂を架橋するために含まれている。そのためには、触媒は、熱エネルギー、例えば、熱に対応して縮合反応を起こすために供給され、シリコーン樹脂と架橋剤を重合させ、架橋して、架橋したポリマー材料を形成する。選択される溶剤は、シリコーン樹脂と相溶性であり、シリコンを含んでいる材料の残りを表す。もし避けられないなら、溶剤が、例えば固化したインプリント層134の膨張により固化したインプリント層134に歪みを引き起こすのを最小にすることが望ましい。
【0019】
シリコーン樹脂は、どんなアルキルおよび/またはアリルで置換したポリシロキサン、コポリマー、ブレンド、またはその混合物でもよい。シリコーン樹脂に関する例には、チオレン化学作用を介して、紫外線で硬化可能なゾル−ゲル、紫外線で硬化可能なエポキシシリコーン、紫外線で硬化可能なアクリル酸シリコーン、および紫外線で硬化可能なシリコーンが、一方、水素シルセスキオキサン、ポリメタクリレート/シロキサンコポリマーなどの非硬化材料が含まれる。好ましくは、水酸基機能性ポリシロキサンは、水酸基機能性オルガノシロキサンなどのように使用され、オルガノシロキサンの例には、メチル、フェニル、プロピル、およびそれらの混合物が含まれている。シリコーン樹脂は、シリコンを含んでいる組成物の中に、順応層58の望ましい厚さしだいで、約2〜40重量%の量で存在してもよい。本発明で使用される水酸基機能性ポリシロキサンの典型的な例は、Z−6018という商品名でDow Corning(登録商標)(ミシガン州、ミッドランド)から入手可能なシリコンT−樹脂中間体である。
【0020】
架橋剤は、2つ以上の重合可能な基を含む化合物である。架橋剤は、シリコンを含んでいる組成物中に、存在するシリコーン樹脂の量に関連して約2〜50重量%の量で存在することができる。一般的に、架橋剤は、シリコンを含んでいる組成物中に、約20〜30重量%の量で存在する。本発明で使用される架橋剤の典型的な例は、CYMEL 303ULFという商品名でCytec Industries,Inc.(ニュージャージー州、ウエストパターソン)から入手可能なヘキサメトキシメチルメラミン(HMMM)を基にしたアミノ樹脂の架橋剤である。
【0021】
触媒は、縮合反応を触媒するどんな成分であってもよい。適当な触媒には、スルホン酸などの酸性化合物を含むことができるが、それに限定されない。触媒は、シリコンを含んでいる材料中に、存在するシリコーン樹脂に関連して約0.05〜5重量%の量で存在することができる。一般に、触媒は、シリコンを含んでいる材料中に、約1〜2重量%の量で存在する。本発明で使用される触媒の典型的な例は、Cytec Industries,Inc.(ニュージャージー州、ウエストパターソン)から、CYCAT 4040という商品名で入手可能なトルエンスルホン酸である。
【0022】
組成物のつり合いを取るために、溶剤を利用する。溶剤は、いくつかの基準を満たすどんな溶剤、または溶剤の組合せでもよい。上記のように、溶剤は固化したインプリント層134を膨らませるべきでない。さらに、溶剤の蒸発速度を、順応層58を形成するのを増進させるためにシリコンを含んでいる材料の平担化を容易にするのに十分な粘性を与えながら、望ましい量の溶剤が回転塗布工程の結果として蒸発するように決めるべきである。適当な溶剤には、アルコール、エーテル、グリコールまたはグリコールエーテル、ケトン、エステル、アセテートおよびその混合物を含むことができるが、それに限定されない。溶剤は、順応層58を形成するのに使用されるシリコンを含んでいる材料中に、順応層58の所望の厚さによって、約60〜98重量%の量で存在させることができる。本発明で使用される溶剤の典型的な例は、Aldrich Co.(ミズーリ州、セントルイス)からMAKという商品名で入手可能なメチルアミルケトンである。
【0023】
別の実施形態では、、順応層58の組成物は、架橋反応を改善し、架橋速度を改善するために、エポキシ機能性シランのカップリング剤を含むように変更されている。エポキシ機能性シランの例には、グリシドキシメチルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリヒドロキシシラン、3−グリシドキシプロピルジメチルヒドロキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、2,3−エポキシプロピルトリメトキシシラン等を含むことができる。エポキシ機能性シランは、順応層58の中に、シリコーン樹脂に関連して、シリコンを含んでいる化合物の約2〜30重量%の量で、通常は、5〜10%の量で存在することができる。本発明で使用されるエポキシ機能性シランの典型的な例は、GE Silicone/OSi Specialty(コネチカット州、ウィルトン)からA187という商品名で入手可能なγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランである。
【0024】
それから順応層58を形成する典型的な組成物は次の通りである、すなわち、
組成物3
水酸基機能性ポリシロキサン
ヘキサメトキシメチルメラミン
トルエンスルホン酸
メチルアミルケトン
組成物4
水酸基機能性ポリシロキサン
ヘキサメトキシメチルメラミン
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
トルエンスルホン酸
メチルアミルケトン
組成物3では、水酸基機能性ポリシロキサンが組成物の約4%を構成し、ヘキサメトキシメチルメラミンが約0.95%を構成し、トルエンスルホン酸が約0.05%を構成し、そしてメチルアミルケトンが約95%を構成する。組成物4では、水酸基機能性ポリシロキサンが組成物の約4%を構成し、ヘキサメトキシメチルメラミンが約0.7%を構成し、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランが約0.25%を構成し、トルエンスルホン酸が約0.05%を構成し、そしてメチルアミルケトンが約95%を構成する。
【0025】
両方の組成物3と4は、少なくとも4%のシリコーン樹脂で作られている。しかしながら、硬化すると、順応層58中に存在するシリコンの量は少なくとも5重量%であり、通常は、20%以上の範囲である。特に、組成物3、4に存在する溶剤の量および成分は、固化したインプリント層134に組成物3または4を回転塗布している間に、溶剤の大部分が蒸発するように、選択される。現在の典型的なシリコンを含んでいる材料では、溶剤の約90%が回転塗布の間に蒸発する。シリコンを含んでいる材料を熱エネルギーに露出すると、残っている10%の溶剤が蒸発し、約20重量%のシリコンを持っている順応層58が残る。
【0026】
順応層58を形成する典型的な方法には、固化したインプリント層134の中心に最も近くに堆積した約4mLのシリコンを含んでいる材料を回転し続けることが含まれる。そのためには、基板32をホットプレートに置くことによって、基板32を1000回転/分で1分間、回転させる。その後、シリコンを含んでいる材料を、150℃で1分間焼くことによって、熱エネルギーにかける。そうすることにより、順応層58が形成されるシリコンを含んでいる材料が、厚みの変動が20nm以下の状態で、作られる。もし固化したシリコンを含んでいる層の厚さを増加させて、例えば、200nmの厚さを持つ固化したシリコンを含んでいる層を形成するのを望むならば、前述の回転塗布工程と硬化工程を単に繰り返すだけである。その結果、使われる溶剤は、よく硬化した順応層58の中のシリコンを含む材料を除去しない、「洗い流さない」ように選択される。
【0027】
図5、6を参照すると、回転塗布工程と硬化工程の後、順応層58は、第1と第2の向き合っている面が含まれている。第1の面60は、インプリント層134に面しており、インプリント層134の外形への補足的な外形を有する。第2の面は、インプリント層134から見て外方に向いており、実質的に滑らかで、一般的には平らな正規化表面62を形成する。この方法で、正規化表面62は、実質的に正規化した形状を持つ固化した順応層58をもたらす。正規化表面62は、組成物3、4が硬化温度よりも低いガラス遷移温度を有するということを確実にすることによって、滑らかな、例えば、実質的に平らな、表面形状を実現できると信じられている。特に、ガラス遷移温度と硬化温度の間の温度差が、シリコンを含んでいる材料が硬化中にリフローして滑らかさ、例えば、正規化表面62の平面性を最少時間で最大にするようにするのに十分であることが望まれる。例えば、組成物3、4は、それぞれ約50℃のガラス遷移温度と150℃の硬化温度を有する。その結果、正規化表面62の表面形状について、各突起部54の頂部64と正規化表面62との間の距離、k2、k4、k6、k8、k10が実質的に同じである。同様に、各凹所52の最下点表面66と正規化表面62との間の距離、k1、k3、k5、k7、k9、k11は実質的に同じである。
【0028】
図6、7を参照すると、正規化表面62の形成の後、順応層58の一部を取り除いてクラウン表面70を持つ多層構造物56を生成するために、包括的なエッチングを利用する。例えば、そして無制限に、その包括的なエッチングは、カリフォルニア州、フレモントのLam Research,Inc.から得られるLAM Research 9400SEから入手できる装置で達成することが可能である。この方法では、正規化表面62を、例えば、前駆体の少なくとも1つがフッ素を含んでいる材料、例えば、そして無制限に、CHF3とO2の組合せであったフッ素が豊富な等方性ハロゲンの反応性イオンエッチング(「RlE」)にかける。他の適当なハロゲン化合物には、例えば、そして無制限に、CF4が含まれる。酸素がプラズマ化学にないのが望ましい。正規化表面62を、クラウン表面70を露出するのに十分な包括的なエッチングにかける。
【0029】
クラウン表面70が、突起部54のそれぞれの露出している表面72、および包括的なエッチングの後に順応層58に残っている部分74の上面によって形成される。順応層58の組成物は、包括的エッチングが順応層58に適用されると、クラウン表面70が実質的に平面形状を持つ状態で形成されるようなものである。すなわち、「a」として示される突起部54の厚さは、「b」として示される部分74の厚さと実質的に同じである。典型的な包括的エッチングは、フッ素ベースの化学作用を使うプラズマエッチング工程である可能性がある。
【0030】
図7、8を参照すると、クラウン表面70が異方性エッチングにかけられる。異方性エッチングのエッチング化学作用は、凹所52と重ね合わされている部分74のエッチングを最少にしながら、突起部54とそれとともに重ね合わされているインプリント層134のセグメントとのエッチングを最大にするよう選択される。本例では、長所は、インプリント層134と順応層58との間のシリコン含有量の差異について考えられた。特に、異方性のプラズマエッチング、例えば、RIEプラズマエッチングを酸素ベースの化学作用と共に利用すると、クラウン表面70に最も近い部分74の領域にその場で硬くなったマスク76が作成される。これは、シリコンを含んでいる重合可能な材料と酸素プラズマとの相互作用から生じる。硬くなったマスク76とエッチング工程の異方性との結果として、突起部54と重ね合わされている基板32の領域78が露出される。領域78の幅U’は、図2に示されている幅W2に等しいのが最適である。
【0031】
図2、7、8を参照すると、このパターニングする工程の長所は、いろいろである。例えば、部分74と露出した表面72との間の相対的なエッチング速度の差により、正確なエッチングの選択性を実現するのが容易になる。結果として、領域78の寸法の幅U’を正確に調節することが可能であり、それによって、基板32へのパターンの転写歪みが減少する。結果としてできる構造を、パターンの基板32への転写を容易にするためのマスクとして使用することができる。特に、硬くなったマスク76とそれと重ね合わされている固化したインプリント層134の部分とによって生じるエッチングの差が、包括的なエッチングの存在下でエッチングの差をもたらす。この方法で、基板32の領域78は、硬くなったマスク76と重ね合わされている基板32の領域よりも早くエッチングされる。材料とエッチングの化学作用とを適切に選択することにより、最終的には基板32に転写されるパターンの異なる外観の間の関連した寸法を、望むように調節することができる。例えば、酸素プラズマのエッチングを、フッ素エッチングの後に、そして酸素エッチングの前に含めることが有益であることがわかった。特に、酸素プラズマのエッチングの間に、エッチングの選択性が改善された。残りのフッ素が正規化表面62に存在し、アルゴンエッチングが残りのフッ素を除去すると考えられ、それによって、さらに、酸素プラズマのエッチングの間に、利用可能なフッ素を減少させる。
【0032】
図1、5、9をさらに参照すると、寸法幅U’の調節は、残された厚さt2とは相対的に無関係になる。重合可能な流体がモールド26のパターンを満たす速度は、残された厚さt2の3乗に反比例する。その結果、残された厚さt2を、転写歪みを実質的に増加させないで、スループットを最大にするように選択することが可能である。残された厚さt2からの転写歪みのデカップリングは、転写歪みを悪化させないで非平面状表面をパターニングするのを容易にする。倍率修正を果たす際に、モールド26の寸法を変えるときに通常起こるような外部の力によりモールド26が変形する場合に、これは特に有用である。その結果、パターン化したインプリント層234が変形すると、突起部154の頂部172が同じ平面になく、および/または凹所174の最下点表面152が同じ平面にない外形になる可能性がある。
【0033】
この外形から生じるかもしれない転写歪みを弱めるために、順応層158を、突起部154のそれぞれの頂部172と正規化表面162との間の距離kiが次のパラメータを満たすように堆積させる、すなわち、
【0034】
【数1】
式中、
【0035】
【数2】
がkiの最小値であり、
【0036】
【数3】
はkiの最大値である。そして、t3は頂部172と最下点表面152との間で測定される突起部152の高さである。したがって、正規化表面162によって与えられる正規化の制約は、kiのそれぞれの値が実質的に同じである必要がないように軽減される可能性がある。そのためには、順応層158には、回転塗布技術またはインプリント・リソグラフィー技術のどちらかを適用することが可能である。その後、平坦化モールド(示してない)のように、平面表面に対して順応層158を押しつけるために、Z軸に沿って基板132を動かすのに、段階20が使われる。代わりに、平担化モールド(示してない)を、正規化表面162に対してまたはそれら両方を動かすことができる。
【0037】
最終的に、実質的にシリコンのない重合可能な流体から、パターンが形成されたインプリント層234を形成することは、特にモールド26が融解石英からしばしば形成されることを考えると、モールド26の洗浄工程を容易にする。
【0038】
サブ10ミクロンの寸法の外観が基板32に転写されることになっている場合、図6に示されている順応層58を形成するとき、追加の平担化が望まれる可能性があることがわかった。そのためには、図2と10に示されているように、シリコンを含んでいる材料を、順応層58を形成することに関して上で論じたように回転させ続けるか、またはインプリント層34に関して上で論じた複数の小滴として堆積させることができる。シリコンを含んでいる材料が堆積した後、たとえ平面的でないとしても、実質的に滑らかな表面82を有する平坦化しているモールド80を利用して、順応層58中のシリコンを含んでいる材料が固化する前に、正規化表面62に接触させる。この方法で、順応層58が、固化したインプリント層134に対して正規化された表面を持つ状態で形成される。これは、正規化層58を形成するのに使われるシリコンを含んでいる材料を含む基板32のすべての領域を同時に平坦化するのに十分な面積を持っているオプティカル・フラットを提供することによって、通常達成される。その後、順応層58の中のシリコンを含んでいる材料が固化され、平坦化したモールド80が順応層58から分離される。そして、正規化表面62を上で論じたように加工して、同じものをパターン化し、パターンを基板32に転写することができる。
【0039】
両方の図2、6、11を参照すると、正規化層58を形成するとき、ステップ・アンド・リピート平担化工程を実施することが望まれることがある。そのためには、放射線源22を選択して化学線放射を行い、赤外線(IR)放射と紫外線放射の両方を使用して、両方とも架橋を達成することが可能である。典型的な放射線源22は、それぞれが単一波長範囲の放射線を発生させ、しかも2つの放射線源84と86を含んでいるのが示されている多重源を含んでいる可能性がある。放射線源84は、赤外線放射を発生させることができる当分野で知られているどれかであり、放射線源86は、小滴38の中の材料を重合させ、架橋させるのに使用される紫外線放射のような化学線放射を発生させることができる当分野で知られているどれかである可能性がある。特に、線源84と86のどちらかによって発生される放射線は、光路88に沿って基板32に向かって伝播される。回路(示されていない)は放射線源84および86と電気通信の状態にあり、紫外線スペクトルと赤外線スペクトルの放射を選択的に基板32に当てる。
【0040】
図12を参照すると、代わりに、放射線源22には、多数の範囲の波長を発生させる単一放射線源が含まれ、その単一放射線源は、連続して、または同時に基板32に当たるように選択的に調節できる。典型的な放射線源22は、紫外線放射と赤外線放射を発生させる単一の広いスペクトル放射線源90から成り、それは水銀(Hg)ランプから成っている。基板32に異なる種類の放射を選択的に当てるために、フィルタリング装置92を利用する。フィルタリング装置92は、高域フィルタ(示してない)と低域フィルタ(示してない)を含み、それぞれが放射線源90との光通信状態にある。フィルタリング装置92は、光路88が赤外線放射を含むように高域フィルタ(示してない)を設置することができ、またはフィルタリング装置92は、光路88が紫外線放射を含むように低域フィルタ(示してない)を設置することができる。高域フィルタと低域フィルタ(示してない)は、それらの間に配置されたスペーサを持つ2つの半ミラーコーティングを含む干渉フィルタのような、当分野で知られているいずれでもあってもよい。そのスペーサの屈折率と厚さが、干渉フィルタを通して選択され、伝送される周波数帯を決定する。したがって、スペーサの適切な屈折率と厚さは、高域フィルタ(示してない)が赤外線放射を通過させ、低域フィルタ(示してない)が紫外線放射を通過させるように、高域フィルタ(示してない)と低域フィルタ(示してない)の両方について選ばれる。プロセッサ(示してない)は、放射線源90およびフィルタリング装置92とデータ通信状態にあり、放射の望ましい波長が光路88に沿って伝播するのを選択的に可能にする。その回路は、赤外線放射が望まれているときは、高域フィルタ(示してない)を可能にし、紫外域放射が望まれているときは、低域フィルタ(示してない)を可能にする。
【0041】
図13を参照すると、基板32は、インプリント層34を堆積させる前に、その上に配置された1つまたは複数の層を有する可能性がある。その結果、シリコンを含んでいる材料を加熱すると、問題となる可能性がある。なぜならば、ウェハが形成される材料、および/またはウェハの上に前から存在する層、例えば、固化したインプリント層134が赤外線放射に対して実質的に非敏感であるからである。その結果、発生するエネルギー伝達が非常に小さく、シリコンを含んでいる材料の温度を、架橋を達成するに十分な温度まで上げるのが困難になる可能性がある。
【0042】
順応層58の中のシリコンを含んでいる材料の架橋を容易にするために、基板32に含まれている層の1つが赤外線吸収層94である。吸収層94は、赤外線放射にさらされると刺激されて、局部的な熱源を生じる材料を含んでいる。一般的に、吸収層94は、加熱工程の間に一定の相状態を維持する材料から形成され、その材料は固相状態を含んでいる。特に、吸収層94に当たる赤外線放射は、その中に含まれる分子の励起を引き起こし、熱を発生させる。吸収層94の中で発生した熱は、ウェハを通る、および/またはそこにある材料のどんな介在層をも通る伝導を介してシリコンを含んでいる材料に伝達される。例えば、吸収層94を、基板32と固化したインプリント層134との間に配置されるように表面36の上に配置することが可能である。その結果、吸収層94と基板32は、赤外線放射を吸収することができ、順応層58のシリコンを含んでいる材料によって感じられる局部的熱源を生じさせることができる分岐した熱伝達メカニズムを供給する。この方法で、吸収層94は、局部的熱源を表面36の上に作る。そのためには、吸収層94を、回転塗布、化学蒸着、物理蒸着、原子層蒸着等のどんな知られている技術を使用しても堆積することができる。典型的な材料は、炭素ベースのPVDコーティング、カーボンブラック充填剤を備えた有機熱硬化性コーティング、またはニ硫化モリブデン(MoS2)ベースのコーティングから形成することができる。
【0043】
図14を参照すると、吸収層94を、固化したインプリント層134の反対側に配置された基板32の面に配置することができる。その結果、吸収層94を、永久に、または取外し可能に取り付けることができる。吸収層94として使用される可能性のある典型的な材料には、黒いニッケルと陽極酸化した黒いアルミニウムが含まれる。また、黒いクロムを、吸収層94として使用することも可能である。黒いクロムは、一般的に、酸化物の混合物として堆積され、太陽電池にコーティングとして使用される。
【0044】
さらに、図2に示されているように、パターン化されたモールド26を、融解石英、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボンポリマー、金属、および上記の組合せなどのどんな材料からも作ることができるが、それらに限定されるものではない。しかしながら、本実施形態では、化学線放射は、パターン化されたモールド26を通して伝播する。したがって、パターン化されたモールド26を、化学線放射に対して実質的に透明な材料から製作するのが望ましい。パターン化されたモールド26に関する複数のフィーチャが、凹所分28が狭間胸壁の形をしたパターン化されたモールド26の横断面を与える突出部30に平行な方向に沿って延在しているものとして示されている。しかしながら、凹所28および突出部30は、集積回路を作成するのに必要などんなフィーチャにも実際には対応する可能性があり、10分の数ナノメートルと同じくらい小さいかもしれない。
【0045】
図2と15を参照すると、同様に、インプリント層34を形成する平坦化した表面を持つ基板32を提供するのが望ましい。そのためには、下塗り層96を、基板32の上に形成することができる。インプリント層34に形成されるべきである外観寸法と比較して、基板32の表面36が粗く見えるとき、下塗り層96が有益であると判明した。さらに、基板32の上に存在する前もって配置されたパターン化された層にインプリント層34を形成するときにも、下塗り層96を堆積させるのが有益であることが分かった。下塗り層96は、また、とりわけ、標準インターフェースにインプリント層34を与える働きをし、それによって、基板32が形成される材料に各工程をカスタマイズする必要を減少させる。加えて、下塗り層96を、インプリント層34と同じエッチング特性を持つ有機材料から形成することができる。下塗り層96は、インプリント層34に対して優れた密着性を示す連続した、滑らかな、そして比較的欠陥のない表面を持つような方法で製作される。下塗り層96を形成するのに使用する典型的な材料は、DUV30J−6という商品名でRolla MissouriのBrewer Science,Inc.から入手可能である。
【0046】
図5、15を参照すると、固化したインプリント層134がパターン化されたモールド26に付着しない可能性を低くするために、表面50を表面エネルギーの低いコーティング98で処理することができる。表面エネルギーの低いコーティング98は、どんな知られている方法を使用しても適用することができる。例えば、加工技術には、化学蒸着法、物理蒸着、原子層蒸着または他の様々な技術、ろう付け等が含まれる可能性がある。同じような方法で、表面エネルギーの低いコーティング198を、図16に示す、平坦化するモールド94に塗布することができる。一般的に、界面活性剤は、層の中の重合可能な材料の表面エネルギーよりも低いそれに関係のある表面エネルギーを持っている。前述の界面活性剤を生成するための典型的な材料と方法は、Benderらによって、Microelectronic Engineeringの61〜62頁(2002年)のMULTIPLE IMPRINTING IN UV−BASED NANOIMPRINT LITHOGRAPHY:RELATED MATERIAL ISSUESで議論されている。界面活性剤の低い表面エネルギーは、インプリント層34または順応層58のどちらかのパターン化されたモールド26への付着性を減らす望ましいリリース特性を与える。界面活性剤を、表面エネルギーが低いコーティング98、198と共に、またはその代わりに使用することができるということを理解すべきである。
【0047】
本発明の上述の実施形態はすべて例として示したものである。上で詳細に記述した開示に、本発明の範囲内に留まりながら、多くの変更と変形を行うことが可能である。したがって、本発明の範囲は、上の記述に関連しないで決められるべきであり、それよりむしろ、添付の特許請求の範囲に関連して、その等価物の完全な範囲と共に、決められるべきである。
【図面の簡単な説明】
【0048】
【図1】本発明に基づくリソグラフ装置の斜視図である。
【図2】本発明に従ってパターンが形成されたインプリント層を作成するのに用いた、図1に示すリソグラフ装置の簡易正面図である。
【図3】本発明に従って重合され、架橋される前に、図2に示すパターンが形成されたインプリント層が含まれる材料の簡易描写図である。
【図4】図3に示す材料が本発明に従って放射にかけられた後に変化する架橋した高分子材料の簡易描写図である。
【図5】本発明に従ってパターニングする後に、図1に示すパターンが形成されたインプリント層から間隔を置いて離したインプリント装置の簡易正面図である。
【図6】本発明の1つの実施形態に従ってパターン化し、パターンが形成されたインプリント層に隣接して順応層を堆積させることによって、図5に示す、固化したインプリント層上の多層構造物の形成についての簡易正面図である。
【図7】本発明の1つの実施形態に従って、パターンが形成されたインプリント層の一部が露出されている状態で順応層中にクラウン表面を形成するために、図6に示す多層構造物の包括的エッチング後の簡易正面図である。
【図8】本発明に従って、クラウン表面を異方性エッチングにかけて基板の領域を露出させた後の、図7に示す多層構造物の簡易正面図である。
【図9】本発明の代わりの実施形態に従って順応層を堆積させた後の多層構造物の簡易正面図である。
【図10】本発明の代わりの実施形態に従って平坦化したモールドを用いている順応層の平坦化を示す簡易正面図である。
【図11】図1に示すリソグラフィー装置に用いられている放射線源の簡易平面図であり、二重放射線源を描いている。
【図12】図1に示すリソグラフィー装置に用いられている放射線源の簡易平面図であり、単一放射線源を描いている。
【図13】本発明に従って赤外線吸収層を示す図1、2、5、6、7、および8に示す基板の横断面図である。
【図14】本発明の代わりの実施形態に従って赤外線吸収層を示す図1、2、5、6、7、および8に示す基板の横断面図である。
【図15】本発明に従って使用できるリリース層と平坦化層とを示す横断面図である。
【図16】図14に示す平担化モールドに適用されるリリース層を示す横断面図である。
【技術分野】
【0001】
発明の分野は、全体として、構造物の微細加工に関する。より詳細には、本発明は構造物の形成の促進におけるパターニング基板に向けられる。
【背景技術】
【0002】
微細加工は、例えば、およそマイクロメートル以下の外観を有する非常に小さな構造物の製作にかかわる。微細加工がかなり大きい影響を持ってきた1つの領域は、集積回路の加工である。半導体加工産業が、基板に形成された単位面積当たりの回路を増加させながら、より大きな生産量を求めて努力し続けるにつれて、微細加工はますます重要になる。微細加工は、形成される構造物の最小の外観寸法を大きく低減させる、よりすばらしい工程管理を備えている。微細加工が使われてきた他の開発領域には、バイオテクノロジー、光学技術、機械システムなどがある。
【0003】
典型的な微細加工技術は、Willsonらの米国特許第6,334,960号に示されている。Willsonらは、構造物に凹凸イメージを形成する方法を開示している。その方法には、転写層を有する基板を用いることが含まれる。転写層は重合可能な流体組成物で覆われている。インプリント装置はその重合可能な流体と機械的に接触する。インプリント装置には、領域と溝から形成される凹凸構造物が含まれる。重合可能な流体組成物は、その凹凸構造物を満たし、領域と重ね合わされている重合可能な流体の厚さが残された厚さを決める。次に、重合可能な流体組成物は、それを固化し、重合する条件にかけられ、インプリント装置の凹凸構造物に補足的な凹凸構造物を含む転写層に、固化した高分子材料を形成する。それから、インプリント装置が、インプリント装置の凹凸構造物の複製が固化した高分子材料の中に形成されるように、固体の高分子材料から切り離される。転写層および固化した高分子材料が、凹凸イメージが転写層に形成されるように、固化した高分子材料に対して転写層を選択的にエッチングするための環境にさらされる。その後、従来のエッチング工程を、凹凸構造物のパターンを基板に転写するのに利用することができる。
【0004】
転写歪みと呼ばれる、基板に転写されたパターンから高分子材料に記録されたパターンへの間の寸法の変化を最小にするのが望ましい。そのためには、Willsonらの微細加工技術を前進させるために、多くの試みがなされている。例えば、固化した高分子材料の残された厚さを最小にするのが望まれてきた。残された厚さが薄ければ薄いほど、転写歪みの減少がより大きい。固化した高分子材料の残された厚さは、重合可能な流体の残された厚さに比例している。しかしながら、重合可能な流体が凹凸構造を満たす速度は、重合可能な流体の残された厚さの3乗に反比例する。転写歪みを最小にすると、パターンを基板に記録するのに必要な時間が増加するのは明らかである。したがって、スループットと転写歪みの最小化の間に、妥協点が存在する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
したがって、これらの技術によって形成されるパターンの転写歪みを最小にしながら、微細加工技術のスループットを改善することが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明は、突起部と凹所とを有するパターン化された層を基板の上に形成することによって多層構造物を作成するというものである、基板をパターニングする方法と組成物を提供する。パターン化された層に形成されているのは順応層であり、多層構造物は基板から見て外方に向いているクラウン表面を有する。多層構造物の一部が取り除かれて、突起部と重ね合わされている基板の領域を露出させる一方で、凹所と重ね合わされているクラウン表面の領域に固いマスクを形成する。典型的な実施態様では、パターン化された層は、実質的にシリコンのない重合可能な流体から、インプリント・リソグラフィー技術を利用して形成され、シリコンのない重合した層を形成する。順応層は、シリコンを含んでいる重合した流体から形成されて、前記基板から見て外方に向いている正規化表面を持っている。シリコンを含む重合した層の一部を、包括的なエッチングを利用して取り除いてクラウン表面を形成し、シリコンのない重合した層の突起部が露出する。次に、クラウン表面を、凹所と重ね合わされているクラウン表面の領域に固いマスクを生じる異方性の酸素プラズマのエッチングにかけるが、それとともに重ね合わされているシリコンのない層の突起部とセグメントを取り除き、基板を露出させる。この工程の結果、形成されるパターンの寸法について正確なコントロールを維持しながら、パターニングする時間を短縮する。これらと他の実施形態を、本明細書に記述する。
【発明を実施するための最良の形態】
【0007】
図1は、ブリッジ14を有する1組みの離して設けたブリッジ支持物12とそれらの間に延在するステージ支持物16とを含む、本発明の1つの実施形態に従うリソグラフィー装置10を描いている。ブリッジ14とステージ支持物16は離れている。ブリッジ14に結合されているのは、ブリッジ14からステージ支持物16に向かって延在するインプリントヘッド18である。インプリントヘッド18に面するようにステージ支持物16に配置されているのは、移動ステージ20である。移動ステージ20は、XとY軸に沿ってステージ支持物16に対して動くように構成されており、その上、Z軸に沿って動くこともできる。放射線源22は、化学線放射を移動ステージ20に当てるためにシステム10に結合されている。示されているように、放射線源22は、ブリッジ14に結合されて、放射線源22に接続されている発電機23を含んでいる。
【0008】
図1および2の両方を参照すると、インプリントヘッド18に接続されているのは、パターン化されたモールド26を上に有するテンプレート24である。パターン化されたモールド26には、間隔を置いて離した複数の凹所28と突出部30によって形成された複数のフィーチャが含まれる。突出部30は幅W1を有し、凹所28は幅W2を有する。その両方とも、Z軸に対して横に延びる方向に測定される。その複数のフィーチャが、移動ステージ20に置かれる基板32に転写されるパターンの基礎を形成するオリジナルのパターンである。インプリントヘッド18をZ軸に沿って動かし、パターン化されたモールド26と基板32の間の距離「d」を変えるようにインプリントヘッド18が構成されている。代わりに、インプリントヘッド18と関連させて、移動ステージ20がZ軸に沿ってテンプレート24を動かすことができる。この方法で、パターン化されたモールド26のフィーチャを、以下でより完全に論ずる、基板32の流動性を有する領域にインプリントすることが可能である。放射線源22を、パターン化されたモールド26が放射線源22と基板32の間に位置付けされるように、設置する。パターン化されたモールド26は、放射線源22によって発生する放射線に対して実質的に透明である材料から製作される。典型的なシステムは、78758テキサス州、オースチンの、1807−C Braker Lane、Suite 100に事業所を有するMolecular Imprints,Inc.からのIMPRIO 100(商標)という商品名で入手可能である。IMPRIO 100(商標)についてのシステム記述は、www.molecularimprints.comで入手可能であり、参照して本明細書に組み込まれている。
【0009】
図2、3の両方を参照すると、インプリント層34のような流動性を有する領域を、実質的に平面の外形を示す表面36の一部に配置する。本実施形態では、その流動性を有する領域を、以下でより完全に論じる、材料40の間隔を置いて離した複数の別々の小滴38として基板32の上に堆積させる。材料40は、実質的にシリコンがなく、選択的に重合され、架橋されて、そこにオリジナルのパターンの逆を記録することができ、記録されたパターンを形成する。材料40は、点42で架橋されているとして図4に示し、架橋したポリマー材料44を形成する。
【0010】
図2、3、5を参照すると、インプリント層34に記録されたパターンは、パターン化されたモールド26との機械的接触により、部分的に生成される。インプリント層34がパターン化されたモールド26と機械的に接触するように、距離「d」を減少させ、表面36全体に材料40の連続形状を有するインプリント層34を形成するように小滴38を広げる。1つの実施形態では、距離「d」を減少させて、インプリント層34の副部分46が凹所28に侵入し、満たすようにする。
【0011】
本実施形態では、突出部30と重ね合わされているインプリント層34の副部分48が、望ましい、通常は最短距離「d」が達成された後に、厚さt1の副部分46と厚さt2の副部分48を残す。厚さt2は残された厚さと呼ばれる。厚さ「t1」と「t2」は、望ましい、用途に依存するどんな厚さであってもよい。小滴38に含まれる全容積は、望ましい厚さt1とt2を得ながら、パターン化されたモールド26と重ね合わされている表面36の領域を越えて広がることから材料40の量を最小にするか、または避けるようなものにすることができる。
【0012】
図2、3、4を参照すると、望ましい距離「d」に達した後に、放射線源22は、材料40を重合させ、架橋させる化学線放射を生成し、架橋したポリマー材料44を生成させる。その結果、インプリント層34の組成物は、材料40から固形物である材料44に変化する。特に、材料44は固化して、図5により明確に示されているパターン化されたモールド26の表面50の形に一致する形を有する面を持つ固化したインプリント層134を形成する。その結果、固化したインプリント層134は、凹所52と突起部54を持って形成される。固化したインプリント層134が形成された後に、パターン化されたモールド26と固化したインプリント層134が間隔を置いて離れるように距離「d」を増加させる。一般に、この工程は何回か繰り返されて、基板32の異なる領域(示されていない)をパターン化する。ステップ・アンド・リピート工程と呼ばれる。典型的なステップ・アンド・リピート工程は、本発明の譲受人に譲渡され、参照により組み込まれている発行済の米国特許出願第20040008334号に開示されている。
【0013】
図l、2、3を参照すると、材料40の特性は、利用される独特な堆積工程の観点から基板を効率的にパターン化するのに重要である。上記のように、材料40が、基板32の上に、複数の個々別々の間隙を介した小滴38として堆積される。小滴38を組み合わせた容積は、材料40が、インプリント層34が形成される表面36の区域全体に適切に分散する程度である。この方法で、小滴38のインプリントする材料40の全容積は、いったん望ましい距離「d」が達成されると、それとともに重ね合わされているパターン化されたモールド26と基板32の部分との間に形成されたすき間に材料40によって占められる総容積が実質的に小滴38中の材料40の総容積に等しいように、得られるべき距離「d」を決める。その結果、インプリント層34は同時に広げられ、パターンが形成され、そのパターンはその後、紫外線のような放射線にさらされることにより記録される。その堆積工程を容易にするために、すべての厚さt1が実質的に均一で、しかもすべての残された厚さt2が実質的に均一であるように、表面36全般にわたって小滴38に材料40が速やかに、しかも均等に広がるように、材料40がある種の特性を有することが望まれる。
【0014】
材料40のための典型的な組成物は、シリコンがなくて、下記のものから成る、すなわち、
組成物1
アクリル酸イソボルニル、
アクリル酸n−ヘキシル、
ジアクリル酸エチレングリコール、
2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン
組成物1では、アクリル酸イソボルニルがその組成物の約55%を構成し、アクリル酸n−ヘキシルが約27%を構成し、ジアクリル酸エチレングリコールが約15%を構成し、そして開始剤である2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オンが約3%を構成する。その開始剤は、ニューヨーク、TarrytownのCIBA(登録商標)によりDAROCUR(登録商標)1173という商品名で販売されている。上で確認された組成物には、また、組成物の運用年数を増加させると化学技術でよく知られている安定剤が含まれている。適当なリリース特性を与えるために、組成物1は、疎水性であり、および/または低い表面エネルギー、例えば、先天的なリリース層である型表面を持つように処理されたテンプレートと共に使われるてもよい。
【0015】
図3、5を参照すると、パターン化されたモールド26と固化したインプリント層134のリリース特性を改善するために、および固化したインプリント層134がパターン化されたモールド26に付着しないことを確実にするために、組成物1に添加物を含ませることができる。そのためには、材料40は添加物として界面活性剤を含んでもよい。本発明の目的のために、界面活性剤は、その一端が疎水性である任意の分子と決められている。界面活性剤は、フッ素含有、例えば、フッ素鎖を含むか、または界面活性剤の分子構造にどんなフッ素も含まないかのどちらであってもよい。典型的な界面活性剤は、DUPONT(商標)から、R1R2という一般的な構造を持っているZONYL(登録商標)FS0−100という商品名で入手できる。式中、R1=F(CF2CF2)Yで、yが1〜7の範囲であることを含めており、そしてR2=CH2CH2O(CH2CH2O)XHであり、ここでXは0〜15の範囲であることを含めている。これは以下の組成物を持つ材料40を与える、すなわち、
組成物2
アクリル酸イソボルニル
アクリル酸n−ヘキシル
ジアクリル酸エチレングリコール
2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン
RfCH2CH2O(CH2CH2O)XH
ZONYL(登録商標)FS0−100添加物は、組成物の1%未満を構成しており、残りの成分の相対量は組成物1に関して上で論じた通りである。しかしながら、ZONYL(登録商標)FSO−100の割合は1%より多くてもよい。
【0016】
図5、6を参照すると、パターン化されたモールド26のパターンを基板32に転写するのを容易にするために、固化したインプリント層134に隣接しているシリコン含んでいる順応層58を形成することによって、多層構造物56を作る。そのためには、シリコンを含んでいる材料を、固化したインプリント層134に隣接して堆積させる。特に、シリコンを含んでいる材料を、材料40の堆積に関して上で論じた技術のような順応層58を形成するためのどんな知られている技術を使っても、固化したインプリント層134に隣接して堆積させることができる。代わりに、シリコンを含んでいる材料を、回転塗布技術を利用して、固化したインプリント層134に隣接して堆積することが可能である。
【0017】
順応層58を形成するための典型的な技術では、シリコンを含んでいる材料を、回転塗布技術を使って、固化したインプリント層134に隣接して堆積させ、その後、そのシリコンを含んでいる材料を熱硬化させて、順応層58を形成する。そのためには、順応層58を形成するのに利用される可能性のある典型的な材料には、シリコーン樹脂、架橋剤、触媒、溶剤などが含まれる。
【0018】
シリコーン樹脂は、プロセスへの適合性があり、所望のイオン、純度、および副産物汚染の必要条件を満たすものである。その上にパターンを記録するための特性を持つ順応層58が非常に小さな形状、すなわち、およそ数ナノメートルを有するという条件で、架橋剤がシリコーン樹脂を架橋するために含まれている。そのためには、触媒は、熱エネルギー、例えば、熱に対応して縮合反応を起こすために供給され、シリコーン樹脂と架橋剤を重合させ、架橋して、架橋したポリマー材料を形成する。選択される溶剤は、シリコーン樹脂と相溶性であり、シリコンを含んでいる材料の残りを表す。もし避けられないなら、溶剤が、例えば固化したインプリント層134の膨張により固化したインプリント層134に歪みを引き起こすのを最小にすることが望ましい。
【0019】
シリコーン樹脂は、どんなアルキルおよび/またはアリルで置換したポリシロキサン、コポリマー、ブレンド、またはその混合物でもよい。シリコーン樹脂に関する例には、チオレン化学作用を介して、紫外線で硬化可能なゾル−ゲル、紫外線で硬化可能なエポキシシリコーン、紫外線で硬化可能なアクリル酸シリコーン、および紫外線で硬化可能なシリコーンが、一方、水素シルセスキオキサン、ポリメタクリレート/シロキサンコポリマーなどの非硬化材料が含まれる。好ましくは、水酸基機能性ポリシロキサンは、水酸基機能性オルガノシロキサンなどのように使用され、オルガノシロキサンの例には、メチル、フェニル、プロピル、およびそれらの混合物が含まれている。シリコーン樹脂は、シリコンを含んでいる組成物の中に、順応層58の望ましい厚さしだいで、約2〜40重量%の量で存在してもよい。本発明で使用される水酸基機能性ポリシロキサンの典型的な例は、Z−6018という商品名でDow Corning(登録商標)(ミシガン州、ミッドランド)から入手可能なシリコンT−樹脂中間体である。
【0020】
架橋剤は、2つ以上の重合可能な基を含む化合物である。架橋剤は、シリコンを含んでいる組成物中に、存在するシリコーン樹脂の量に関連して約2〜50重量%の量で存在することができる。一般的に、架橋剤は、シリコンを含んでいる組成物中に、約20〜30重量%の量で存在する。本発明で使用される架橋剤の典型的な例は、CYMEL 303ULFという商品名でCytec Industries,Inc.(ニュージャージー州、ウエストパターソン)から入手可能なヘキサメトキシメチルメラミン(HMMM)を基にしたアミノ樹脂の架橋剤である。
【0021】
触媒は、縮合反応を触媒するどんな成分であってもよい。適当な触媒には、スルホン酸などの酸性化合物を含むことができるが、それに限定されない。触媒は、シリコンを含んでいる材料中に、存在するシリコーン樹脂に関連して約0.05〜5重量%の量で存在することができる。一般に、触媒は、シリコンを含んでいる材料中に、約1〜2重量%の量で存在する。本発明で使用される触媒の典型的な例は、Cytec Industries,Inc.(ニュージャージー州、ウエストパターソン)から、CYCAT 4040という商品名で入手可能なトルエンスルホン酸である。
【0022】
組成物のつり合いを取るために、溶剤を利用する。溶剤は、いくつかの基準を満たすどんな溶剤、または溶剤の組合せでもよい。上記のように、溶剤は固化したインプリント層134を膨らませるべきでない。さらに、溶剤の蒸発速度を、順応層58を形成するのを増進させるためにシリコンを含んでいる材料の平担化を容易にするのに十分な粘性を与えながら、望ましい量の溶剤が回転塗布工程の結果として蒸発するように決めるべきである。適当な溶剤には、アルコール、エーテル、グリコールまたはグリコールエーテル、ケトン、エステル、アセテートおよびその混合物を含むことができるが、それに限定されない。溶剤は、順応層58を形成するのに使用されるシリコンを含んでいる材料中に、順応層58の所望の厚さによって、約60〜98重量%の量で存在させることができる。本発明で使用される溶剤の典型的な例は、Aldrich Co.(ミズーリ州、セントルイス)からMAKという商品名で入手可能なメチルアミルケトンである。
【0023】
別の実施形態では、、順応層58の組成物は、架橋反応を改善し、架橋速度を改善するために、エポキシ機能性シランのカップリング剤を含むように変更されている。エポキシ機能性シランの例には、グリシドキシメチルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリヒドロキシシラン、3−グリシドキシプロピルジメチルヒドロキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、2,3−エポキシプロピルトリメトキシシラン等を含むことができる。エポキシ機能性シランは、順応層58の中に、シリコーン樹脂に関連して、シリコンを含んでいる化合物の約2〜30重量%の量で、通常は、5〜10%の量で存在することができる。本発明で使用されるエポキシ機能性シランの典型的な例は、GE Silicone/OSi Specialty(コネチカット州、ウィルトン)からA187という商品名で入手可能なγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランである。
【0024】
それから順応層58を形成する典型的な組成物は次の通りである、すなわち、
組成物3
水酸基機能性ポリシロキサン
ヘキサメトキシメチルメラミン
トルエンスルホン酸
メチルアミルケトン
組成物4
水酸基機能性ポリシロキサン
ヘキサメトキシメチルメラミン
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
トルエンスルホン酸
メチルアミルケトン
組成物3では、水酸基機能性ポリシロキサンが組成物の約4%を構成し、ヘキサメトキシメチルメラミンが約0.95%を構成し、トルエンスルホン酸が約0.05%を構成し、そしてメチルアミルケトンが約95%を構成する。組成物4では、水酸基機能性ポリシロキサンが組成物の約4%を構成し、ヘキサメトキシメチルメラミンが約0.7%を構成し、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランが約0.25%を構成し、トルエンスルホン酸が約0.05%を構成し、そしてメチルアミルケトンが約95%を構成する。
【0025】
両方の組成物3と4は、少なくとも4%のシリコーン樹脂で作られている。しかしながら、硬化すると、順応層58中に存在するシリコンの量は少なくとも5重量%であり、通常は、20%以上の範囲である。特に、組成物3、4に存在する溶剤の量および成分は、固化したインプリント層134に組成物3または4を回転塗布している間に、溶剤の大部分が蒸発するように、選択される。現在の典型的なシリコンを含んでいる材料では、溶剤の約90%が回転塗布の間に蒸発する。シリコンを含んでいる材料を熱エネルギーに露出すると、残っている10%の溶剤が蒸発し、約20重量%のシリコンを持っている順応層58が残る。
【0026】
順応層58を形成する典型的な方法には、固化したインプリント層134の中心に最も近くに堆積した約4mLのシリコンを含んでいる材料を回転し続けることが含まれる。そのためには、基板32をホットプレートに置くことによって、基板32を1000回転/分で1分間、回転させる。その後、シリコンを含んでいる材料を、150℃で1分間焼くことによって、熱エネルギーにかける。そうすることにより、順応層58が形成されるシリコンを含んでいる材料が、厚みの変動が20nm以下の状態で、作られる。もし固化したシリコンを含んでいる層の厚さを増加させて、例えば、200nmの厚さを持つ固化したシリコンを含んでいる層を形成するのを望むならば、前述の回転塗布工程と硬化工程を単に繰り返すだけである。その結果、使われる溶剤は、よく硬化した順応層58の中のシリコンを含む材料を除去しない、「洗い流さない」ように選択される。
【0027】
図5、6を参照すると、回転塗布工程と硬化工程の後、順応層58は、第1と第2の向き合っている面が含まれている。第1の面60は、インプリント層134に面しており、インプリント層134の外形への補足的な外形を有する。第2の面は、インプリント層134から見て外方に向いており、実質的に滑らかで、一般的には平らな正規化表面62を形成する。この方法で、正規化表面62は、実質的に正規化した形状を持つ固化した順応層58をもたらす。正規化表面62は、組成物3、4が硬化温度よりも低いガラス遷移温度を有するということを確実にすることによって、滑らかな、例えば、実質的に平らな、表面形状を実現できると信じられている。特に、ガラス遷移温度と硬化温度の間の温度差が、シリコンを含んでいる材料が硬化中にリフローして滑らかさ、例えば、正規化表面62の平面性を最少時間で最大にするようにするのに十分であることが望まれる。例えば、組成物3、4は、それぞれ約50℃のガラス遷移温度と150℃の硬化温度を有する。その結果、正規化表面62の表面形状について、各突起部54の頂部64と正規化表面62との間の距離、k2、k4、k6、k8、k10が実質的に同じである。同様に、各凹所52の最下点表面66と正規化表面62との間の距離、k1、k3、k5、k7、k9、k11は実質的に同じである。
【0028】
図6、7を参照すると、正規化表面62の形成の後、順応層58の一部を取り除いてクラウン表面70を持つ多層構造物56を生成するために、包括的なエッチングを利用する。例えば、そして無制限に、その包括的なエッチングは、カリフォルニア州、フレモントのLam Research,Inc.から得られるLAM Research 9400SEから入手できる装置で達成することが可能である。この方法では、正規化表面62を、例えば、前駆体の少なくとも1つがフッ素を含んでいる材料、例えば、そして無制限に、CHF3とO2の組合せであったフッ素が豊富な等方性ハロゲンの反応性イオンエッチング(「RlE」)にかける。他の適当なハロゲン化合物には、例えば、そして無制限に、CF4が含まれる。酸素がプラズマ化学にないのが望ましい。正規化表面62を、クラウン表面70を露出するのに十分な包括的なエッチングにかける。
【0029】
クラウン表面70が、突起部54のそれぞれの露出している表面72、および包括的なエッチングの後に順応層58に残っている部分74の上面によって形成される。順応層58の組成物は、包括的エッチングが順応層58に適用されると、クラウン表面70が実質的に平面形状を持つ状態で形成されるようなものである。すなわち、「a」として示される突起部54の厚さは、「b」として示される部分74の厚さと実質的に同じである。典型的な包括的エッチングは、フッ素ベースの化学作用を使うプラズマエッチング工程である可能性がある。
【0030】
図7、8を参照すると、クラウン表面70が異方性エッチングにかけられる。異方性エッチングのエッチング化学作用は、凹所52と重ね合わされている部分74のエッチングを最少にしながら、突起部54とそれとともに重ね合わされているインプリント層134のセグメントとのエッチングを最大にするよう選択される。本例では、長所は、インプリント層134と順応層58との間のシリコン含有量の差異について考えられた。特に、異方性のプラズマエッチング、例えば、RIEプラズマエッチングを酸素ベースの化学作用と共に利用すると、クラウン表面70に最も近い部分74の領域にその場で硬くなったマスク76が作成される。これは、シリコンを含んでいる重合可能な材料と酸素プラズマとの相互作用から生じる。硬くなったマスク76とエッチング工程の異方性との結果として、突起部54と重ね合わされている基板32の領域78が露出される。領域78の幅U’は、図2に示されている幅W2に等しいのが最適である。
【0031】
図2、7、8を参照すると、このパターニングする工程の長所は、いろいろである。例えば、部分74と露出した表面72との間の相対的なエッチング速度の差により、正確なエッチングの選択性を実現するのが容易になる。結果として、領域78の寸法の幅U’を正確に調節することが可能であり、それによって、基板32へのパターンの転写歪みが減少する。結果としてできる構造を、パターンの基板32への転写を容易にするためのマスクとして使用することができる。特に、硬くなったマスク76とそれと重ね合わされている固化したインプリント層134の部分とによって生じるエッチングの差が、包括的なエッチングの存在下でエッチングの差をもたらす。この方法で、基板32の領域78は、硬くなったマスク76と重ね合わされている基板32の領域よりも早くエッチングされる。材料とエッチングの化学作用とを適切に選択することにより、最終的には基板32に転写されるパターンの異なる外観の間の関連した寸法を、望むように調節することができる。例えば、酸素プラズマのエッチングを、フッ素エッチングの後に、そして酸素エッチングの前に含めることが有益であることがわかった。特に、酸素プラズマのエッチングの間に、エッチングの選択性が改善された。残りのフッ素が正規化表面62に存在し、アルゴンエッチングが残りのフッ素を除去すると考えられ、それによって、さらに、酸素プラズマのエッチングの間に、利用可能なフッ素を減少させる。
【0032】
図1、5、9をさらに参照すると、寸法幅U’の調節は、残された厚さt2とは相対的に無関係になる。重合可能な流体がモールド26のパターンを満たす速度は、残された厚さt2の3乗に反比例する。その結果、残された厚さt2を、転写歪みを実質的に増加させないで、スループットを最大にするように選択することが可能である。残された厚さt2からの転写歪みのデカップリングは、転写歪みを悪化させないで非平面状表面をパターニングするのを容易にする。倍率修正を果たす際に、モールド26の寸法を変えるときに通常起こるような外部の力によりモールド26が変形する場合に、これは特に有用である。その結果、パターン化したインプリント層234が変形すると、突起部154の頂部172が同じ平面になく、および/または凹所174の最下点表面152が同じ平面にない外形になる可能性がある。
【0033】
この外形から生じるかもしれない転写歪みを弱めるために、順応層158を、突起部154のそれぞれの頂部172と正規化表面162との間の距離kiが次のパラメータを満たすように堆積させる、すなわち、
【0034】
【数1】
式中、
【0035】
【数2】
がkiの最小値であり、
【0036】
【数3】
はkiの最大値である。そして、t3は頂部172と最下点表面152との間で測定される突起部152の高さである。したがって、正規化表面162によって与えられる正規化の制約は、kiのそれぞれの値が実質的に同じである必要がないように軽減される可能性がある。そのためには、順応層158には、回転塗布技術またはインプリント・リソグラフィー技術のどちらかを適用することが可能である。その後、平坦化モールド(示してない)のように、平面表面に対して順応層158を押しつけるために、Z軸に沿って基板132を動かすのに、段階20が使われる。代わりに、平担化モールド(示してない)を、正規化表面162に対してまたはそれら両方を動かすことができる。
【0037】
最終的に、実質的にシリコンのない重合可能な流体から、パターンが形成されたインプリント層234を形成することは、特にモールド26が融解石英からしばしば形成されることを考えると、モールド26の洗浄工程を容易にする。
【0038】
サブ10ミクロンの寸法の外観が基板32に転写されることになっている場合、図6に示されている順応層58を形成するとき、追加の平担化が望まれる可能性があることがわかった。そのためには、図2と10に示されているように、シリコンを含んでいる材料を、順応層58を形成することに関して上で論じたように回転させ続けるか、またはインプリント層34に関して上で論じた複数の小滴として堆積させることができる。シリコンを含んでいる材料が堆積した後、たとえ平面的でないとしても、実質的に滑らかな表面82を有する平坦化しているモールド80を利用して、順応層58中のシリコンを含んでいる材料が固化する前に、正規化表面62に接触させる。この方法で、順応層58が、固化したインプリント層134に対して正規化された表面を持つ状態で形成される。これは、正規化層58を形成するのに使われるシリコンを含んでいる材料を含む基板32のすべての領域を同時に平坦化するのに十分な面積を持っているオプティカル・フラットを提供することによって、通常達成される。その後、順応層58の中のシリコンを含んでいる材料が固化され、平坦化したモールド80が順応層58から分離される。そして、正規化表面62を上で論じたように加工して、同じものをパターン化し、パターンを基板32に転写することができる。
【0039】
両方の図2、6、11を参照すると、正規化層58を形成するとき、ステップ・アンド・リピート平担化工程を実施することが望まれることがある。そのためには、放射線源22を選択して化学線放射を行い、赤外線(IR)放射と紫外線放射の両方を使用して、両方とも架橋を達成することが可能である。典型的な放射線源22は、それぞれが単一波長範囲の放射線を発生させ、しかも2つの放射線源84と86を含んでいるのが示されている多重源を含んでいる可能性がある。放射線源84は、赤外線放射を発生させることができる当分野で知られているどれかであり、放射線源86は、小滴38の中の材料を重合させ、架橋させるのに使用される紫外線放射のような化学線放射を発生させることができる当分野で知られているどれかである可能性がある。特に、線源84と86のどちらかによって発生される放射線は、光路88に沿って基板32に向かって伝播される。回路(示されていない)は放射線源84および86と電気通信の状態にあり、紫外線スペクトルと赤外線スペクトルの放射を選択的に基板32に当てる。
【0040】
図12を参照すると、代わりに、放射線源22には、多数の範囲の波長を発生させる単一放射線源が含まれ、その単一放射線源は、連続して、または同時に基板32に当たるように選択的に調節できる。典型的な放射線源22は、紫外線放射と赤外線放射を発生させる単一の広いスペクトル放射線源90から成り、それは水銀(Hg)ランプから成っている。基板32に異なる種類の放射を選択的に当てるために、フィルタリング装置92を利用する。フィルタリング装置92は、高域フィルタ(示してない)と低域フィルタ(示してない)を含み、それぞれが放射線源90との光通信状態にある。フィルタリング装置92は、光路88が赤外線放射を含むように高域フィルタ(示してない)を設置することができ、またはフィルタリング装置92は、光路88が紫外線放射を含むように低域フィルタ(示してない)を設置することができる。高域フィルタと低域フィルタ(示してない)は、それらの間に配置されたスペーサを持つ2つの半ミラーコーティングを含む干渉フィルタのような、当分野で知られているいずれでもあってもよい。そのスペーサの屈折率と厚さが、干渉フィルタを通して選択され、伝送される周波数帯を決定する。したがって、スペーサの適切な屈折率と厚さは、高域フィルタ(示してない)が赤外線放射を通過させ、低域フィルタ(示してない)が紫外線放射を通過させるように、高域フィルタ(示してない)と低域フィルタ(示してない)の両方について選ばれる。プロセッサ(示してない)は、放射線源90およびフィルタリング装置92とデータ通信状態にあり、放射の望ましい波長が光路88に沿って伝播するのを選択的に可能にする。その回路は、赤外線放射が望まれているときは、高域フィルタ(示してない)を可能にし、紫外域放射が望まれているときは、低域フィルタ(示してない)を可能にする。
【0041】
図13を参照すると、基板32は、インプリント層34を堆積させる前に、その上に配置された1つまたは複数の層を有する可能性がある。その結果、シリコンを含んでいる材料を加熱すると、問題となる可能性がある。なぜならば、ウェハが形成される材料、および/またはウェハの上に前から存在する層、例えば、固化したインプリント層134が赤外線放射に対して実質的に非敏感であるからである。その結果、発生するエネルギー伝達が非常に小さく、シリコンを含んでいる材料の温度を、架橋を達成するに十分な温度まで上げるのが困難になる可能性がある。
【0042】
順応層58の中のシリコンを含んでいる材料の架橋を容易にするために、基板32に含まれている層の1つが赤外線吸収層94である。吸収層94は、赤外線放射にさらされると刺激されて、局部的な熱源を生じる材料を含んでいる。一般的に、吸収層94は、加熱工程の間に一定の相状態を維持する材料から形成され、その材料は固相状態を含んでいる。特に、吸収層94に当たる赤外線放射は、その中に含まれる分子の励起を引き起こし、熱を発生させる。吸収層94の中で発生した熱は、ウェハを通る、および/またはそこにある材料のどんな介在層をも通る伝導を介してシリコンを含んでいる材料に伝達される。例えば、吸収層94を、基板32と固化したインプリント層134との間に配置されるように表面36の上に配置することが可能である。その結果、吸収層94と基板32は、赤外線放射を吸収することができ、順応層58のシリコンを含んでいる材料によって感じられる局部的熱源を生じさせることができる分岐した熱伝達メカニズムを供給する。この方法で、吸収層94は、局部的熱源を表面36の上に作る。そのためには、吸収層94を、回転塗布、化学蒸着、物理蒸着、原子層蒸着等のどんな知られている技術を使用しても堆積することができる。典型的な材料は、炭素ベースのPVDコーティング、カーボンブラック充填剤を備えた有機熱硬化性コーティング、またはニ硫化モリブデン(MoS2)ベースのコーティングから形成することができる。
【0043】
図14を参照すると、吸収層94を、固化したインプリント層134の反対側に配置された基板32の面に配置することができる。その結果、吸収層94を、永久に、または取外し可能に取り付けることができる。吸収層94として使用される可能性のある典型的な材料には、黒いニッケルと陽極酸化した黒いアルミニウムが含まれる。また、黒いクロムを、吸収層94として使用することも可能である。黒いクロムは、一般的に、酸化物の混合物として堆積され、太陽電池にコーティングとして使用される。
【0044】
さらに、図2に示されているように、パターン化されたモールド26を、融解石英、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボンポリマー、金属、および上記の組合せなどのどんな材料からも作ることができるが、それらに限定されるものではない。しかしながら、本実施形態では、化学線放射は、パターン化されたモールド26を通して伝播する。したがって、パターン化されたモールド26を、化学線放射に対して実質的に透明な材料から製作するのが望ましい。パターン化されたモールド26に関する複数のフィーチャが、凹所分28が狭間胸壁の形をしたパターン化されたモールド26の横断面を与える突出部30に平行な方向に沿って延在しているものとして示されている。しかしながら、凹所28および突出部30は、集積回路を作成するのに必要などんなフィーチャにも実際には対応する可能性があり、10分の数ナノメートルと同じくらい小さいかもしれない。
【0045】
図2と15を参照すると、同様に、インプリント層34を形成する平坦化した表面を持つ基板32を提供するのが望ましい。そのためには、下塗り層96を、基板32の上に形成することができる。インプリント層34に形成されるべきである外観寸法と比較して、基板32の表面36が粗く見えるとき、下塗り層96が有益であると判明した。さらに、基板32の上に存在する前もって配置されたパターン化された層にインプリント層34を形成するときにも、下塗り層96を堆積させるのが有益であることが分かった。下塗り層96は、また、とりわけ、標準インターフェースにインプリント層34を与える働きをし、それによって、基板32が形成される材料に各工程をカスタマイズする必要を減少させる。加えて、下塗り層96を、インプリント層34と同じエッチング特性を持つ有機材料から形成することができる。下塗り層96は、インプリント層34に対して優れた密着性を示す連続した、滑らかな、そして比較的欠陥のない表面を持つような方法で製作される。下塗り層96を形成するのに使用する典型的な材料は、DUV30J−6という商品名でRolla MissouriのBrewer Science,Inc.から入手可能である。
【0046】
図5、15を参照すると、固化したインプリント層134がパターン化されたモールド26に付着しない可能性を低くするために、表面50を表面エネルギーの低いコーティング98で処理することができる。表面エネルギーの低いコーティング98は、どんな知られている方法を使用しても適用することができる。例えば、加工技術には、化学蒸着法、物理蒸着、原子層蒸着または他の様々な技術、ろう付け等が含まれる可能性がある。同じような方法で、表面エネルギーの低いコーティング198を、図16に示す、平坦化するモールド94に塗布することができる。一般的に、界面活性剤は、層の中の重合可能な材料の表面エネルギーよりも低いそれに関係のある表面エネルギーを持っている。前述の界面活性剤を生成するための典型的な材料と方法は、Benderらによって、Microelectronic Engineeringの61〜62頁(2002年)のMULTIPLE IMPRINTING IN UV−BASED NANOIMPRINT LITHOGRAPHY:RELATED MATERIAL ISSUESで議論されている。界面活性剤の低い表面エネルギーは、インプリント層34または順応層58のどちらかのパターン化されたモールド26への付着性を減らす望ましいリリース特性を与える。界面活性剤を、表面エネルギーが低いコーティング98、198と共に、またはその代わりに使用することができるということを理解すべきである。
【0047】
本発明の上述の実施形態はすべて例として示したものである。上で詳細に記述した開示に、本発明の範囲内に留まりながら、多くの変更と変形を行うことが可能である。したがって、本発明の範囲は、上の記述に関連しないで決められるべきであり、それよりむしろ、添付の特許請求の範囲に関連して、その等価物の完全な範囲と共に、決められるべきである。
【図面の簡単な説明】
【0048】
【図1】本発明に基づくリソグラフ装置の斜視図である。
【図2】本発明に従ってパターンが形成されたインプリント層を作成するのに用いた、図1に示すリソグラフ装置の簡易正面図である。
【図3】本発明に従って重合され、架橋される前に、図2に示すパターンが形成されたインプリント層が含まれる材料の簡易描写図である。
【図4】図3に示す材料が本発明に従って放射にかけられた後に変化する架橋した高分子材料の簡易描写図である。
【図5】本発明に従ってパターニングする後に、図1に示すパターンが形成されたインプリント層から間隔を置いて離したインプリント装置の簡易正面図である。
【図6】本発明の1つの実施形態に従ってパターン化し、パターンが形成されたインプリント層に隣接して順応層を堆積させることによって、図5に示す、固化したインプリント層上の多層構造物の形成についての簡易正面図である。
【図7】本発明の1つの実施形態に従って、パターンが形成されたインプリント層の一部が露出されている状態で順応層中にクラウン表面を形成するために、図6に示す多層構造物の包括的エッチング後の簡易正面図である。
【図8】本発明に従って、クラウン表面を異方性エッチングにかけて基板の領域を露出させた後の、図7に示す多層構造物の簡易正面図である。
【図9】本発明の代わりの実施形態に従って順応層を堆積させた後の多層構造物の簡易正面図である。
【図10】本発明の代わりの実施形態に従って平坦化したモールドを用いている順応層の平坦化を示す簡易正面図である。
【図11】図1に示すリソグラフィー装置に用いられている放射線源の簡易平面図であり、二重放射線源を描いている。
【図12】図1に示すリソグラフィー装置に用いられている放射線源の簡易平面図であり、単一放射線源を描いている。
【図13】本発明に従って赤外線吸収層を示す図1、2、5、6、7、および8に示す基板の横断面図である。
【図14】本発明の代わりの実施形態に従って赤外線吸収層を示す図1、2、5、6、7、および8に示す基板の横断面図である。
【図15】本発明に従って使用できるリリース層と平坦化層とを示す横断面図である。
【図16】図14に示す平担化モールドに適用されるリリース層を示す横断面図である。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ある形を有する、パターン化された層を基板上に形成すること、および
前記形の逆を前記基板へ転写することを含む、基板をパターニングする方法。
【請求項2】
転写することが、前記基板上に、突起部と凹所とを有する前記パターン化された層を形成し、前記パターン化された層上に順応層を形成することによって、前記基板から見て外方に向いているクラウン表面を有する多層構造物を作成すること、および前記多層構造物の一部を選択的に取り除いて、前記突起部と重ね合わされている前記基板の領域を露出させる一方で、前記凹所と重ね合わされている前記クラウン表面の領域に固いマスクを形成することをさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項3】
前記パターン化された層を形成することが、ある頂部とある高さを前記突起部に設けることをさらに含み、前記順応層を形成することが、一方の頂部から最小距離離れ、付加的な頂部から最大距離離れた正規化表面を前記順応層に提供することをさらに含み、前記高さが前記最大距離と前記最小距離離の間の差よりも大きい請求項2に記載の方法。
【請求項4】
作成することが、実質的にシリコンのない重合可能な有機材料から前記パターン化された層を形成すること、および重合可能なシリコン含有材料から前記順応層を形成することをさらに含む請求項2に記載の方法。
【請求項5】
作成することが、重合可能な化合物を有する材料、および前記重合可能な化合物の表面エネルギーよりも小さい表面エネルギーを有する界面活性剤から前記パターン化された層を形成することをさらに含む請求項2に記載の方法。
【請求項6】
作成することが、重合可能な化合物を有する材料、および前記重合可能な化合物の表面エネルギーよりも小さい表面エネルギーを有する界面活性剤で前記順応層を形成することをさらに含む請求項2に記載の方法。
【請求項7】
作成することが、前記基板上に重合可能な流体組成物を堆積させること、前記重合可能な流体組成物をモールドの表面と接触させることであって、前記表面が前記突起部と前記凹所に補足的な外形を有する接触させること、ならびに前記重合可能な流体組成物を前記重合可能な流体組成物を重合させる条件にかけて重合した層を形成することによって前記パターン化された層を形成することをさらに含む請求項2に記載の方法。
【請求項8】
作成することが、前記基板上に重合可能な流体組成物を堆積させること、前記重合可能な流体組成物を実質的に平面な表面を有するモールドと接触させること、および前記重合可能な流体組成物を前記重合可能な流体組成物を重合させる条件にかけることによって前記順応層を形成することをさらに含む請求項2に記載の方法。
【請求項9】
前記順応層を形成することが、前記パターン化された層上に重合可能な流体を回転塗布することをさらに含む請求項2に記載の方法。
【請求項10】
前記パターン化された層と前記基板の間に下塗り層を堆積させることをさらに含む請求項2に記載の方法。
【請求項11】
作成することが、前記パターン化された層の反対側に堆積され、前記突起部から間隙を介する前記正規化表面を有する区画を有する前記順応層を形成することをさらに含み、前記方法が、前記区画の一部を取り除いて前記突起部を露出させること、前記クラウン表面を形成すること、および前記クラウン表面をエッチング化学作用にさらすことをさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項12】
関係のあるシリコン原子を有するシリコーン樹脂成分と、架橋成分と、触媒成分と、溶剤成分とを含む組成物であって、前記シリコーン樹脂成分、前記架橋成分、前記触媒成分、および前記溶剤成分の組成比が、前記組成物に基づいて、リフローし前記組成物内のシリコン原子の割合を変化させるように決められ、所定のシリコン原子の重量割合を得るために液体から固体相へと変化する際にリフローする組成物を含む、表面上に層を形成する材料。
【請求項13】
前記シリコーン樹脂成分が前記組成物の約4重量%であり、前記架橋成分が前記組成物の約0.95重量%であり、前記触媒成分が前記組成物の約0.05重量%であり、前記溶剤成分が前記組成物の約95重量%である請求項12に記載の組成物。
【請求項14】
前記組成物が液体状態から固化した状態へと遷移した後、前記シリコン原子の重量割合が10%から20%の範囲内である請求項12に記載の組成物。
【請求項15】
前記組成物が液体状態から固化した状態へと遷移した後、前記シリコン原子の重量割合が20%よりも大きい請求項12に記載の組成物。
【請求項16】
エポキシ機能性シラン成分をさらに含み、前記シリコーン樹脂成分が前記組成物の約4重量%であり、前記架橋成分が前記組成物の約0.7重量%であり、前記エポキシ機能性シラン成分が前記組成物の約0.25重量%であり、前記触媒成分が前記組成物の約0.05重量%であり、前記溶剤成分が前記組成物の約95重量%である請求項12に記載の組成物。
【請求項17】
前記シリコーン樹脂成分が、メチル基、フェニル基、およびプロピル基から成る水酸基機能性ポリシロキサンの組から選択される請求項12に記載の組成物。
【請求項18】
前記架橋成分がアミノ樹脂の架橋剤を含む請求項12に記載の組成物。
【請求項19】
前記架橋成分がヘキサメトキシメチルメラミンを含む請求項12に記載の組成物。
【請求項20】
前記触媒成分が酸性化合物を含む請求項12に記載の組成物。
【請求項21】
前記触媒成分がトルエンスルホン酸を含む請求項12に記載の組成物。
【請求項22】
前記溶剤成分が、アルコール、エーテル、グリコール、グリコールエーテル、メチルアミルケトン、エステル、およびアセテートから成る組からのものである請求項12に記載の組成物。
【請求項23】
前記エポキシ機能性シラン成分が、グリシドキシプロピルトリヒドロキシシラン、3−グリシドキシプロピルジメチルヒドロキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、2,3−エポキシプロピルトリメトキシシラン、およびγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランから成る組から選択される請求項16に記載の組成物。
【請求項24】
前記組成物が、熱曝露の結果、前記液体状態から前記固化した状態へと変化する請求項12に記載の組成物。
【請求項25】
前記組成物が、遠心分離と熱曝露の結果、前記液体状態から前記固化した状態へと変化する請求項12に記載の組成物。
【請求項1】
ある形を有する、パターン化された層を基板上に形成すること、および
前記形の逆を前記基板へ転写することを含む、基板をパターニングする方法。
【請求項2】
転写することが、前記基板上に、突起部と凹所とを有する前記パターン化された層を形成し、前記パターン化された層上に順応層を形成することによって、前記基板から見て外方に向いているクラウン表面を有する多層構造物を作成すること、および前記多層構造物の一部を選択的に取り除いて、前記突起部と重ね合わされている前記基板の領域を露出させる一方で、前記凹所と重ね合わされている前記クラウン表面の領域に固いマスクを形成することをさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項3】
前記パターン化された層を形成することが、ある頂部とある高さを前記突起部に設けることをさらに含み、前記順応層を形成することが、一方の頂部から最小距離離れ、付加的な頂部から最大距離離れた正規化表面を前記順応層に提供することをさらに含み、前記高さが前記最大距離と前記最小距離離の間の差よりも大きい請求項2に記載の方法。
【請求項4】
作成することが、実質的にシリコンのない重合可能な有機材料から前記パターン化された層を形成すること、および重合可能なシリコン含有材料から前記順応層を形成することをさらに含む請求項2に記載の方法。
【請求項5】
作成することが、重合可能な化合物を有する材料、および前記重合可能な化合物の表面エネルギーよりも小さい表面エネルギーを有する界面活性剤から前記パターン化された層を形成することをさらに含む請求項2に記載の方法。
【請求項6】
作成することが、重合可能な化合物を有する材料、および前記重合可能な化合物の表面エネルギーよりも小さい表面エネルギーを有する界面活性剤で前記順応層を形成することをさらに含む請求項2に記載の方法。
【請求項7】
作成することが、前記基板上に重合可能な流体組成物を堆積させること、前記重合可能な流体組成物をモールドの表面と接触させることであって、前記表面が前記突起部と前記凹所に補足的な外形を有する接触させること、ならびに前記重合可能な流体組成物を前記重合可能な流体組成物を重合させる条件にかけて重合した層を形成することによって前記パターン化された層を形成することをさらに含む請求項2に記載の方法。
【請求項8】
作成することが、前記基板上に重合可能な流体組成物を堆積させること、前記重合可能な流体組成物を実質的に平面な表面を有するモールドと接触させること、および前記重合可能な流体組成物を前記重合可能な流体組成物を重合させる条件にかけることによって前記順応層を形成することをさらに含む請求項2に記載の方法。
【請求項9】
前記順応層を形成することが、前記パターン化された層上に重合可能な流体を回転塗布することをさらに含む請求項2に記載の方法。
【請求項10】
前記パターン化された層と前記基板の間に下塗り層を堆積させることをさらに含む請求項2に記載の方法。
【請求項11】
作成することが、前記パターン化された層の反対側に堆積され、前記突起部から間隙を介する前記正規化表面を有する区画を有する前記順応層を形成することをさらに含み、前記方法が、前記区画の一部を取り除いて前記突起部を露出させること、前記クラウン表面を形成すること、および前記クラウン表面をエッチング化学作用にさらすことをさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項12】
関係のあるシリコン原子を有するシリコーン樹脂成分と、架橋成分と、触媒成分と、溶剤成分とを含む組成物であって、前記シリコーン樹脂成分、前記架橋成分、前記触媒成分、および前記溶剤成分の組成比が、前記組成物に基づいて、リフローし前記組成物内のシリコン原子の割合を変化させるように決められ、所定のシリコン原子の重量割合を得るために液体から固体相へと変化する際にリフローする組成物を含む、表面上に層を形成する材料。
【請求項13】
前記シリコーン樹脂成分が前記組成物の約4重量%であり、前記架橋成分が前記組成物の約0.95重量%であり、前記触媒成分が前記組成物の約0.05重量%であり、前記溶剤成分が前記組成物の約95重量%である請求項12に記載の組成物。
【請求項14】
前記組成物が液体状態から固化した状態へと遷移した後、前記シリコン原子の重量割合が10%から20%の範囲内である請求項12に記載の組成物。
【請求項15】
前記組成物が液体状態から固化した状態へと遷移した後、前記シリコン原子の重量割合が20%よりも大きい請求項12に記載の組成物。
【請求項16】
エポキシ機能性シラン成分をさらに含み、前記シリコーン樹脂成分が前記組成物の約4重量%であり、前記架橋成分が前記組成物の約0.7重量%であり、前記エポキシ機能性シラン成分が前記組成物の約0.25重量%であり、前記触媒成分が前記組成物の約0.05重量%であり、前記溶剤成分が前記組成物の約95重量%である請求項12に記載の組成物。
【請求項17】
前記シリコーン樹脂成分が、メチル基、フェニル基、およびプロピル基から成る水酸基機能性ポリシロキサンの組から選択される請求項12に記載の組成物。
【請求項18】
前記架橋成分がアミノ樹脂の架橋剤を含む請求項12に記載の組成物。
【請求項19】
前記架橋成分がヘキサメトキシメチルメラミンを含む請求項12に記載の組成物。
【請求項20】
前記触媒成分が酸性化合物を含む請求項12に記載の組成物。
【請求項21】
前記触媒成分がトルエンスルホン酸を含む請求項12に記載の組成物。
【請求項22】
前記溶剤成分が、アルコール、エーテル、グリコール、グリコールエーテル、メチルアミルケトン、エステル、およびアセテートから成る組からのものである請求項12に記載の組成物。
【請求項23】
前記エポキシ機能性シラン成分が、グリシドキシプロピルトリヒドロキシシラン、3−グリシドキシプロピルジメチルヒドロキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、2,3−エポキシプロピルトリメトキシシラン、およびγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランから成る組から選択される請求項16に記載の組成物。
【請求項24】
前記組成物が、熱曝露の結果、前記液体状態から前記固化した状態へと変化する請求項12に記載の組成物。
【請求項25】
前記組成物が、遠心分離と熱曝露の結果、前記液体状態から前記固化した状態へと変化する請求項12に記載の組成物。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【公表番号】特表2006−521702(P2006−521702A)
【公表日】平成18年9月21日(2006.9.21)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−507506(P2006−507506)
【出願日】平成16年3月24日(2004.3.24)
【国際出願番号】PCT/US2004/008920
【国際公開番号】WO2004/088414
【国際公開日】平成16年10月14日(2004.10.14)
【出願人】(503193362)モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド (94)
【Fターム(参考)】
【公表日】平成18年9月21日(2006.9.21)
【国際特許分類】
【出願日】平成16年3月24日(2004.3.24)
【国際出願番号】PCT/US2004/008920
【国際公開番号】WO2004/088414
【国際公開日】平成16年10月14日(2004.10.14)
【出願人】(503193362)モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド (94)
【Fターム(参考)】
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