ポリマー組成物に含まれるナノクレイ
【課題】ポリマー組成物に含まれるナノクレイ、それを含む製品、それの製造プロセス、およびそれを含むシステムを提供する。
【解決手段】ナノクレイが混合されたビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）化合物を含む組成物を提供する。実装基板用のコアを形成する、ナノクレイと混合されたポリマー化合物を含む実装基板を提供する。ＢＴなどのポリマーとナノクレイとを溶融混合することとコアを形成することとを含むプロセスを提供する。ＢＴなどのモノマーとナノクレイとを溶解することとコアを形成することとを含むプロセスを提供する。ポリマーマトリックス内に分散されたナノクレイと、ポリマーマトリックス内に分散されたナノクレイを含む実装基板上に実装されたマイクロエレクトロニクスデバイスとを含むシステムを提供する。
【解決手段】ナノクレイが混合されたビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）化合物を含む組成物を提供する。実装基板用のコアを形成する、ナノクレイと混合されたポリマー化合物を含む実装基板を提供する。ＢＴなどのポリマーとナノクレイとを溶融混合することとコアを形成することとを含むプロセスを提供する。ＢＴなどのモノマーとナノクレイとを溶解することとコアを形成することとを含むプロセスを提供する。ポリマーマトリックス内に分散されたナノクレイと、ポリマーマトリックス内に分散されたナノクレイを含む実装基板上に実装されたマイクロエレクトロニクスデバイスとを含むシステムを提供する。
【発明の詳細な説明】
【関連出願】
【０００１】
本願は、米国特許出願第１１／３９５，７２８号（出願日２００６年３月３１日）に基づき優先権を主張する。当該米国特許出願に記載の内容は参照により本願に組み込まれる。
【技術分野】
【０００２】
本発明の実施形態は概して、ボードレベルの構造およびボード上におけるデバイスの集積に関する。
【背景技術】
【０００３】
マイクロエレクトロニクス産業では安全のため難燃剤を利用している。マザーボードおよび拡張カード等以外にも実装基板では、コア材料の難燃剤として臭化物ベースまたはリンベースの化合物を利用している。政府機関からハロゲン化合物を排除するよう命令を受けたことによって、ハロゲン化合物以外に利用可能な材料および難燃剤としての特性を有する新しい化合物が求められている。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
本発明の実施形態を説明することを目的として、添付図面に図示した実施形態例を参照しつつ、上記で簡潔に言及した実施形態をより詳細に説明する。添付図面は典型的な実施形態を示したものに過ぎず、図示された実施形態は必ずしも実寸に即してはおらず、本発明の範囲を限定するものと解釈されるべきではないと理解されたい。本発明の実施形態を、以下の添付図面に基づき詳細に記載および説明する。
【０００５】
【図１】本発明の実施形態に係る実装基板を示す立面断面図である。
【０００６】
【図２】本発明の実施形態に係る、図１の一部を詳細に示す断面図である。
【０００７】
【図３】本発明の実施形態に係る、図１の一部を詳細に示す断面図である。
【０００８】
【図４】本発明の実施形態に係る、図１の一部を詳細に示す断面図である。
【０００９】
【図５】本発明の実施形態に係る、図１の一部を詳細に示す断面図である。
【００１０】
【図６】本発明の実施形態に係るプロセスおよび方法を示すフローチャートである。
【００１１】
【図７】本発明の実施形態に係るプロセスおよび方法を示すフローチャートである。
【００１２】
【図８】本発明の実施形態に係るコンピュータシステムを示す切り欠き立面図である。
【００１３】
【図９】本発明の実施形態に係る電子システムを示す概略図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の実施形態は、ポリマーマトリックス中に分散されたナノクレイ粒子を含む組成物に関する。一実施形態によると、当該ポリマーマトリックスはビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）基材を含む。
【００１５】
以下の説明では、上方、下方、第１、第２等の用語を使用するが、これらの用語は説明を目的として利用されるに過ぎず、限定的に解釈されるべきではない。本明細書に記載する装置または製品の実施形態は、製造時、使用時または出荷時において、数多くの位置および配向を取り得る。「ダイ」および「チップ」という用語は一般的に、様々な処理工程を経て所望の集積回路デバイスとなる被加工物である物体を意味する。ダイは通常ウェハから分離されたものを指し、ウェハは半導体材料、非半導体材料または両者の組み合わせから構成されるとしてもよい。ボードは通常、ダイ用実装基板として機能する樹脂含侵ファイバーガラス構造である。
【００１６】
本明細書で使用される次の用語は、以下に説明する意味を持つものとする。
【００１７】
「クレイ材料」、「層状クレイ」、または「層状クレイ材料」は、互いに隣接する、結合された複数の層から成る、有機材料、無機材料または両者の混合物を意味する。層状クレイはプレートレット粒子を含む。
【００１８】
「プレートレット粒子」、「プレートレット」、「粒子」または「共面集合状態」は、層状クレイ材料が有する複数の非結合層の各層または集合体を意味する。このような層は、個別のプレートレット粒子の状態にあるとしてもよいし、タクトイド（ｔａｃｔｏｉｄ）として知られている複数のプレートレット粒子から成る小さい規則的または不規則的な集合体であってもよいし、タクトイドの集合体であってもよい。
【００１９】
「分散」または「分散した」という用語は一般的なもので、プレートレット粒子の分離状態の様々なレベルまたは程度を表すものである。分散のレベルには、これらに限定されないが、「プレートレット粒子」、「インターカレート状態」および「剥離状態」がある。
【００２０】
「インターカレート状態」または「インターカレート体」は、互いに隣接するプレートレット粒子または層集合体であるタクトイドの間に任意の構造が配設された、層状クレイ材料を意味する。このような構成とすることによって、隣接し合うプレートレットおよび／またはタクトイドの間の層間間隙が大きくなる。本開示によると、インターカレートされる構造は有機カチオンであってもよいし、マトリックスポリマーであってもよい。
【００２１】
「剥離体」または「剥離状態」は、マトリックスポリマーなどのキャリア材料全体においてプレートレットが主に個別の状態で分散していることを意味する。通常、「剥離状態」はプレートレット粒子の分離状態に関しては最も程度が高いことを指し、「インターカレート状態」はプレートレットの分離状態が中程度であることを指し、「共面集合状態」は分離状態が最も低いことを指す。プレートレットの分離度は「剥離状態」と「共面集合状態」の間で実質的に連続しているので、説明を明確にすることを目的として分離度には数字の範囲を割り当てるが、開示される実施形態の範囲は説明内容よりも広いと理解されたい。
【００２２】
「剥離」は、インターカレート体またはより分散状態が低い層状クレイ材料から、剥離体を形成するプロセスを意味する。
【００２３】
「ナノ合成物」または「ナノ合成物組成物」は、剥離状態且つ層状態のナノクレイ材料から得られる個別のナノサイズのプレートレットが複数分散している、ポリマーまたはコポリマーを意味する。
【００２４】
「マトリックスポリマー」は、ナノ合成物形成用のプレートレット粒子が分散している、熱可塑性ポリマーまたは溶融加工可能なポリマーを意味する。本開示では、プレートレット粒子は、ナノ合成物形成用マトリックスポリマーにおいて「共面集合状態」、「インターカレート状態」または「剥離状態」であってもよい。
【００２５】
これより先の説明では添付図面を参照するが、同様の構成要素には同様の参照符号を単語の末尾に添えて示す。様々な実施形態に係る構造を最も分かりやすい方法で示すべく、本明細書で参照する図面は集積回路構造を線図で示す。このため、製造された構造の実際の外観は、例えば顕微鏡写真で見た場合には、添付図面に示すものとは異なり得るが、図示された実施形態の不可欠な構造は含んでいる。また、添付図面は図示される実施形態を理解する上で必要な構造を示すものである。図面を分かりやすいものとするべく、関連技術分野で公知の構造については図示していない。
【００２６】
図１は、実施形態に係る実装基板１００を示す断面立面図である。実装基板１００は、第１面１１２および第２面１１４を持つコア１１０を有する。一実施形態によると、コア１１０は、粒子サイズが５０ナノメートル（ｎｍ）を約９９％パスするパーティクルを有する第１クレイプレートレットを含むポリマー基材を含む。一実施形態によると、コア１１０は、粒子サイズが５０ｎｍを約９９％パスするパーティクルを有する第１クレイプレートレットを含むビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）ポリマー基材である。「第１クレイプレートレット」は、特に明記していない限り、第１のタイプのクレイプレートレットを意味する。
【００２７】
一実施形態によると、製品はコア１１０とコア１１０の第１面１１２上に配設された第１金属箔１１６とを含む。一実施形態によると、第１金属箔１１６は銅を含み、配線等の電気構造を製造するべくボードに利用され得る銅が通常利用される。一実施形態によると、第１金属箔１１６上にハンダマスク第１膜１１８が設けられている。
【００２８】
一実施形態によると、実装基板１００は、マザーボード、拡張カード、メザニンボード、デュアルインライン実装モジュールボードまたは実装基板などのボードである。実装基板１００をマイクロエレクトロニクスデバイス用の実装基板として利用する場合、ハンダマスク第１膜１１８はリセス１２０を含む。当該リセス１２０によって、第１金属箔１１６の上面１２２が露出する。一実施形態によると、第１金属箔１１６の上面１２２はワイヤボンディング用のボンディングパッドである。一実施形態によると、第１金属箔１１６の上面１２２は電気バンプ用のボンディングパッドである。
【００２９】
一実施形態によると、第１金属箔１１６の上面１２２は、金などの金属から成るフラッシュ（ｆｌａｓｈ）層を含む。一実施形態によると、第１金属箔１１６の上面１２２は、チタンなどの金属から成るフラッシュ層を含む。一実施形態によると、第１金属箔１１６の上面１２２は、金および銀のドレ（ｄｏｒe）合金などの金属から成るフラッシュ層を含む。
【００３０】
一実施形態によると、当該製品はコア１１０とコア１１０の第２面１１４上に設けられた第２金属箔１２４とを含む。一実施形態によると、第２金属箔１２４は銅を含み、配線等の電気構造を製造するべくボードに利用され得る銅が通常利用される。一実施形態によると、第２金属箔１２４上にハンダマスク第２膜１２６が設けられている。
【００３１】
一実施形態によると、実装基板１００は、デュアルインラインメモリモジュール（ＤＩＭＭ）または第１金属箔１１６および第２金属箔１２４の両方に対して可触性な実装基板を例とするボードである。実装基板１００をマイクロエレクトロニクスデバイス用のボードとして利用する場合、ハンダマスク第２膜１２６はリセス１２８を含む。当該リセス１２８によって、第２金属箔１２４の下面１３０が露出する。一実施形態によると、第２金属箔１２４の下面１３０はワイヤボンディング用のボンディングパッドである。一実施形態によると、第１金属箔１２４の下面１３０は電気バンプ用のボンディングパッドである。一実施形態によると、上面１２２の実施形態に関して本明細書で記載されているように、下面１３０にもフラッシュ層が設けられる。
【００３２】
図２は、一実施形態に係る、図１の一部２００を詳細に示す断面図である。図１の分断ライン２−２は、図１の実装基板１００から切り取られたおよその領域を示す。詳細部分２００は便宜上非常に簡略化されている。
【００３３】
実装基板２００はコア２１０を含む。一実施形態によると、コア２１０は、粒子サイズが５０ナノメートル（ｎｍ）を約９９％パスするパーティクルを有する第１クレイプレートレット２３４を含むポリマー基材を含む。一実施形態によると、コア２１０は、粒子サイズが５０ｎｍを約９９％パスするパーティクルを有する第１クレイプレートレット２３４を含むＢＴポリマー基材である。
【００３４】
一実施形態によると、実装基板２００はコア２１０とコア２１０上に配設された第１金属箔２１６とを含む製品である。一実施形態によると、第１金属箔２１６は銅を含む。一実施形態によると、第１金属箔２１６上にハンダマスク第１膜２１８が設けられている。
【００３５】
一実施形態によると、実装基板２００はコア２１０上に配設された第２金属箔２２４をさらに含む製品である。一実施形態によると、第２金属箔２２４は銅を含み、配線等の電気構造を製造するべくボードに利用され得る銅が通常利用される。一実施形態によると、第２金属箔２２４上にハンダマスク第２膜２２６が設けられている。
【００３６】
一実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーが利用される。当該モノマーまたはオリゴマーは点の集合として図示され、そのうちの１つを参照番号２３２で明示する。モノマーまたはオリゴマーと共に、第１クレイプレートレット２３４が略共面集合体として図示される。「略共面集合体」とは、実装基板２００内に存在する第１クレイプレートレット２３４の大部分が別の第１クレイプレートレットまたは複数の第１クレイプレートレットと直接隣接していることを意味する。図２では、略共面集合体は、モノマーまたはオリゴマーのマトリックス内に設けられた４つのクレイプレートレット２３４として図示されている。
【００３７】
一実施形態によると、第１クレイプレートレット２３４の略共面集合体は、サイズが５０ｎｍを約９９％パスする。一実施形態によると、第１クレイプレートレット２３４の略共面集合体はコア２１０内において重量の範囲が、約１％から約１５％である。一実施形態によると、第１クレイプレートレット２３４の略共面集合体は、サイズが５０ｎｍを約９９％パスし、重量の範囲が約１％から約１５％である。
【００３８】
プロセスの実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーはまず第１クレイプレートレット２３４と溶融混合され、続いて当該化合物を硬化させて、概略的に図示されているようにコア２１０を形成する。本実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーは完全には硬化されない。本実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーは、約３０％の重合化から約９９％の重合化の範囲内で架橋および／または硬化される。一実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーは、約５０％の重合化から約９０％の重合化の範囲内で架橋および／または硬化される。一実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーは、約７０％の重合化から約８０％の重合化の範囲内で架橋および／または硬化される。
【００３９】
方法の実施形態によると、コア２１０は任意の重合化の程度まで硬化され、第１金属箔２１６といった金属箔上に設けられるポリマー膜として形成される。一実施形態によると、第１金属箔２１６の上に（コア２１０となる）ポリマー膜を形成する方法は、Ｂステージのポリマー／クレイプレートレット混合物上に第１金属箔２１６を重ねることを含む。一実施形態によると、第１金属箔２１６上にポリマー膜を形成する方法は、第１金属箔２１６上に半硬化されたポリマー／クレイプレートレット混合物を流すことを含み、続いてポリマー／クレイプレートレット混合物をさらに硬化させる。本明細書に説明する内容と共に、上記以外に関連技術分野で公知の、金属箔およびハンダマスクをボードに積層する方法を利用してもよい。
【００４０】
プロセスの実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーはまず溶剤と混合され、第１クレイプレートレット２３４と混ぜ合わされる。続いて、溶剤を溶液から逃がす。溶剤の大半を除去した後、モノマーまたはオリゴマーを硬化させる。本実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーは完全には硬化されない。本実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーは、約３０％の重合化から約９９％の重合化の範囲内で架橋および／または硬化される。一実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーは、約５０％の重合化から約９０％の重合化の範囲内で架橋および／または硬化される。一実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーは、約７０％の重合化から約８０％の重合化の範囲内で架橋および／または硬化される。
【００４１】
図３は、一実施形態に係る、図１の一部３００を詳細に示す断面図である。図１の分断ライン２−２は、図１の実装基板１００から切り取られたおよその領域を示す。詳細部分３００は便宜上非常に簡略化されている。
【００４２】
実装基板３００はコア３１０を含む。一実施形態によると、コア３１０は、粒子サイズが５０ナノメートル（ｎｍ）を約９９％パスするパーティクルを有する第１クレイプレートレット３３４を含むポリマー基材を含む。一実施形態によると、コア３１０は、粒子サイズが５０ｎｍを約９９％パスするパーティクルを有する第１クレイプレートレット３３４を含むＢＴポリマー基材である。
【００４３】
一実施形態によると、実装基板３００はコア３１０とコア３１０上に配設された第１金属箔３１６とを含む製品である。一実施形態によると、第１金属箔３１６は銅を含む。一実施形態によると、第１金属箔３１６上にハンダマスク第１膜３１８が設けられている。
【００４４】
一実施形態によると、実装基板３００はコア３１０上に配設された第２金属箔３２４をさらに含む製品である。一実施形態によると、第２金属箔３２４は銅を含み、配線等の電気構造を製造するべくボードに利用され得る銅が通常利用される。一実施形態によると、第２金属箔３２４上にハンダマスク第２膜３２６が設けられている。
【００４５】
一実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーが利用される。当該モノマーまたはオリゴマーは結合、硬化または架橋されたポリマーとして図示され、そのうちの１つを参照番号３３２で明示する。結合、硬化または架橋されたポリマー３３２と共に、第１クレイプレートレット３３４が略共面集合体として図示される。図３では、略共面集合体は、結合、硬化または架橋されたポリマー３３２のマトリックス内に設けられた４つのクレイプレートレット３３４として図示されている。
【００４６】
一実施形態によると、第１クレイプレートレット３３４の略共面集合体は、サイズが５０ｎｍを約９９％パスする。一実施形態によると、第１クレイプレートレット３３４の略共面集合体はコア３１０内において重量の範囲が、約１％から約１５％である。一実施形態によると、第１クレイプレートレット３３４の略共面集合体は、サイズが５０ｎｍを約９９％パスし、重量の範囲が約１％から約１５％である。
【００４７】
図４は、一実施形態に係る、図１の一部４００を詳細に示す断面図である。図１の分断ライン２−２は、図１の実装基板１００から切り取られたおよその領域を示す。詳細部分４００は便宜上非常に簡略化されている。
【００４８】
実装基板４００はコア４１０を含む。一実施形態によると、コア４１０は、粒子サイズが５０ナノメートル（ｎｍ）を約９９％パスするパーティクルを有する第１クレイプレートレット４３４を含むポリマー基材を含む。一実施形態によると、コア４１０は、粒子サイズが５０ｎｍを約９９％パスするパーティクルを有する第１クレイプレートレット４３４を含むＢＴポリマー基材である。
【００４９】
一実施形態によると、実装基板４００はコア４１０とコア４１０上に配設された第１金属箔４１６とを含む製品である。一実施形態によると、第１金属箔４１６は銅を含む。一実施形態によると、第１金属箔４１６上にハンダマスク第１膜４１８が設けられている。
【００５０】
一実施形態によると、実装基板４００はコア４１０上に配設された第２金属箔４２４をさらに含む製品である。一実施形態によると、第２金属箔４２４は銅を含み、配線等の電気構造を製造するべくボードに利用され得る銅が通常利用される。一実施形態によると、第２金属箔４２４上にハンダマスク第２膜４２６が設けられている。
【００５１】
一実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーが利用される。当該モノマーまたはオリゴマーは結合、硬化または架橋されたポリマーとして図示され、そのうちの１つを参照番号４３２で明示する。結合、硬化または架橋されたポリマー４３２と共に、第１クレイプレートレット４３４が略インターカレート集合体として図示される。「略インターカレート集合体」とは、実装基板４００内において第１クレイプレートレット４３４の大部分が別の第１クレイプレートレットまたは複数の第１クレイプレートレットに直接隣接しているが、当該集合体には結合、硬化または架橋されたポリマー４３２がインターカレートされていることを意味する。図４では、略インターカレート集合体は、結合、硬化または架橋されたポリマーのマトリックス内に設けられた４つのクレイプレートレット４３４として図示されている。
【００５２】
一実施形態によると、ポリマー基材はＢＴである。一実施形態によると、ナノクレイプレートレット４３４は、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）３）などの水酸化物部分によって難燃特性を持つ。一実施形態によると、ナノクレイ自体の量は約１％から約１５％の範囲内であってよいが、Ａｌ（ＯＨ）３部分が約５％の量で含まれる場合、ナノクレイプレートレット４３４の量は最多で約１２％である。
【００５３】
一実施形態によると、第１クレイプレートレット４３４の略インターカレート集合体は、サイズ（各プレートレット４３４）が５０ｎｍを約９９％パスする。一実施形態によると、第１クレイプレートレット４３４の略インターカレート集合体はコア４１０内において重量の範囲が約１％から約１５％である。一実施形態によると、第１クレイプレートレット４３４の略インターカレート集合体は、サイズが５０ｎｍを約９９％パスし、重量の範囲が約１％から約１５％である。
【００５４】
図５は、一実施形態に係る、図１の一部５００を詳細に示す断面図である。図１の分断ライン２−２は、図１の実装基板１００から切り取られたおよその領域を示す。詳細部分５００は便宜上非常に簡略化されている。
【００５５】
実装基板はコア５１０を含む。一実施形態によると、コア５１０は、粒子サイズが５０ナノメートル（ｎｍ）を約９９％パスするパーティクルを有する第１クレイプレートレット５３４を含むポリマー基材を含む。一実施形態によると、コア５１０は、粒子サイズが５０ｎｍを約９９％パスするパーティクルを有する第１クレイプレートレット５３４を含むＢＴポリマー基材である。
【００５６】
一実施形態によると、実装基板はコア５１０とコア５１０上に配設された第１金属箔５１６とを含む製品の一部である。一実施形態によると、第１金属箔５１６は銅を含む。一実施形態によると、第１金属箔５１６上にハンダマスク第１膜５１８が設けられている。
【００５７】
一実施形態によると、実装基板はコア５１０上に配設された第２金属箔５２４をさらに含む製品の一部である。一実施形態によると、第２金属箔５２４は銅を含み、配線等の電気構造を製造するべくボードに利用され得る銅が通常利用される。一実施形態によると、第２金属箔５２４上にハンダマスク第２膜５２６が設けられている。
【００５８】
一実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーが利用される。当該モノマーまたはオリゴマーは結合、硬化または架橋されたポリマーとして図示され、そのうちの１つを参照番号５３２で明示する。結合、硬化または架橋されたポリマー５３２と共に、第１クレイプレートレット５３４が略剥離構造として図示される。「略剥離構造」とは、実装基板５００内の第１クレイプレートレット５３４が、大半または全ての隣接する第１クレイプレートレットまたは複数の隣接する第１クレイプレートレットのすべてから分離しており、結合、硬化または架橋されたポリマー５３２によってプレートレット同士が互いから分離している状態を意味する。図５では、プレートレットの略剥離構造は、結合、硬化または架橋されたポリマーのマトリックス内の分離したクレイプレートレット５３４として図示されている。
【００５９】
一実施形態によると、第１クレイプレートレット５３４のプレートレットの略剥離構造は、サイズが５０ｎｍを約９９％パスする。一実施形態によると、第１クレイプレートレット５３４のプレートレットの略剥離構造はコア５１０内において重量の範囲が、約１％から約１５％である。一実施形態によると、第１クレイプレートレット５３４のプレートレットの略剥離構造は、サイズが５０ｎｍを約９９％パスし、重量の範囲が約１％から約１５％である。
【００６０】
ナノクレイプレートレットのアスペクト比は用途に応じて選択される。一実施形態によると、マトリックス内でのナノクレイの剥離は、約１：１から約２００：１の範囲内にある高いアスペクト比で、分散されたナノプレートレットを用いて得ることができる。この結果得られるナノクレイ合成材料は、ＨＡＳＴ（Ｈｉｇｈ Ａｃｃｅｌｅｒａｔｉｏｎ Ｓｔｒｅｓｓ Ｔｅｓｔ）性能が改善され、揮発性成分の放出を遅らせ、コア材料のポンプアウト（ｐｕｍｐ−ｏｕｔ）、ブリードアウト（ｂｌｅｅｄ−ｏｕｔ）およびドライアウト（ｄｒｙ−ｏｕｔ）を低減する。また、当該ナノクレイ粒子は、コアの熱酸化安定性を高め、焼成（ｂａｋｅ）特性および熱サイクル（ＴＣ）特性を改善する。
【００６１】
ナノクレイプレートレット粒子をコア材料に加えることによって、半導体パッケージまたはマイクロエレクトロニクスパッケージの信頼性および性能が高まる。信頼性および性能が改善されたのは、熱的インターフェース材料（ｔｈｅｒｍａｌ ｉｎｔｅｒｆａｃｅｄ ｍａｔｅｒｉａｌ）について、ポンプアウトが減少し、ドライアウトが減少し、熱酸化安定性が改善したためである。ポンプアウト、ドライアウトおよび熱酸化安定性は拡散プロセスに左右される。ポリマー／ナノクレイ合成物に関する実施形態において、混合工程は様々なプロセスによって行い得る。
【００６２】
本開示内容は、多岐にわたるマトリックス用有機物を用いて実施し得る。一実施形態によると、マトリックス用有機物はＢＴである。ＢＴポリマー以外にも、他の有機物を追加し得る。一実施形態によると、ＢＴが大量に含まれ、それを補完するべく、第２のポリマー等が少量含まれる。一実施形態によると、ＢＴポリマー第１有機物に対して第２となるポリマー第２有機物として、オレフィン樹脂が含まれる。一実施形態によると、オレフィン樹脂は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、パラフィンロウ、ポリブタジエンまたはポリイソプレンなどの不飽和オレフィンゴム、エチレンプロピレンのような飽和ゴム、エチレンプロピレンジエンモノマー（ＥＰＤＭ）、水素化ポリイソプレンなどのうち少なくとも１つである。一実施形態によると、ポリイミドコア材料もそれのみでコアマトリックスを形成するべく加えられるとしてもよいし、コアマトリックスの一成分として加えられるとしてもよい。
【００６３】
一実施形態によると、ポリマー／ナノクレイ化合物は熱伝導率が約５０Ｗ／ｍＫを超える。有用なフィラーの例を挙げると、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウムなどのセラミックス、アルミニウム、銅、銀などの金属、インジウム、スズ、スズ−インジウム、銀、スズ−銀、スズ−インジウム−銀などのハンダがある。熱伝導性フィラーの量は、通常約１０％から約９０％の範囲内にあり、所望の全体熱伝導率およびナノクレイプレートレットの選択といった、用途ごとに求められる要素に応じて決定される。
【００６４】
一実施形態によると、複数の特性のナノクレイプレートレットが使用される。有用なナノクレイ材料を挙げると、天然の層状ケイ酸塩、合成の層状ケイ酸塩および修飾された層状ケイ酸塩がある。天然のクレイには、モンモリロナイト、サポナイト、ヘクトライト、雲母、バーミキュライト、ベントナイト、ノントロナイト、バイデル石、ヴォルコンスキー石（ｖｏｌｋｏｎｓｋｏｉｔｅ）、マガダイト（ｍａｇａｄｉｔｅ）、ケニヤイト（ｋｅｎｙａｉｔｅ）などのスメクタイトクレイがある。合成のクレイには、合成雲母、合成サポナイト、合成ヘクトライトなどがある。
【００６５】
一実施形態によると、少なくとも２種類の異なるナノクレイが含まれる。例えばナノクレイは、第１の量だけヘクトライトを含み、当該第１の量よりも少ない第２の量だけモンモロロナイト（ｍｏｎｔｍｏｒｏｌｌｏｎｉｔｅ）を含む。
【００６６】
一実施形態によると、ナノクレイには実質的にハロゲンが無い。「実質的にハロゲンが無い」というのは、ナノクレイおよびポリマー基材を得るための原材料および／または供給材料にハロゲンが使用されておらず、検出可能な不純物以外は通常の分析技術でハロゲンが検出されない、という意味である。
【００６７】
一実施形態によると、インターカレート層状クレイ材料は、膨潤性層状クレイと１以上の有機カチオンを反応させることによって得られる。この時、部分的または完全なカチオン交換を行うべくアンモニウム化合物を利用するのが好ましい。層状クレイを有機カチオンで修飾するための方法は数多くあり、実施形態ではどの方法を用いてもよい。一実施形態によると、層状ナノクレイを有機カチオン塩（非ハロゲン化合物）で以下のプロセスに従って有機修飾する。層状クレイまたは複数のクレイの混合物を温水（摂氏５０度から摂氏８０度）内で分散させ、攪拌しながら有機カチオン塩（水またはアルコール内で加熱または溶解されたもの）を加え、１または複数のクレイ材料の層の間にある金属カチオンの大半を有機カチオンで交換するために十分な時間だけ混ぜ合わせる。続いて、有機修飾された層状クレイ材料は、関連技術分野で公知の方法を用いて分離される。公知の方法には、ろ過、遠心分離、噴霧乾燥およびこれらの方法の組み合わせなどがある。
【００６８】
一実施形態によると、合成物内での剥離を促進すること、および／または、ポリマー／クレイ界面の強度を改善することを目的として、ナノクレイにはさらなる処理が施される。上記の目的を達成するのであればどのような処理を行うとしてもよい。有用な処理の例を挙げると、水溶性または不水溶性ポリマー、有機試薬またはモノマー、シラン化合物、金属または有機金属、および／またはそれらの組み合わせを用いたインターカレートがある。
【００６９】
一実施形態によると、ナノクレイ材料の大半が、約２０ｎｍ未満の寸法で、個別のプレートレット粒子（剥離状態）、小さなタクトイド（インターカレート状態）およびタクトイドの小さい集合体（プレートレット集合体）として存在するように、ナノクレイはポリマーマトリックス内で分散される。個別の状態にあるプレートレット粒子の割合がより高く、タクトイドまたはタクトイドの集合体の割合がより低い合成物を用いるとしてもよい。
【００７０】
図６は、実施形態に係るプロセスおよび方法を説明するためのフローチャート６００である。行程６１０において、ポリマーとナノクレイとを溶融混合して化合物を生成する。本実施形態によると、当該化合物は、ポリマーマトリックス内に、共面集合状態、インターカレート状態、または剥離状態で存在するナノクレイを含む。ナノクレイプレートレットの分離度は、溶融混合装置の機械的せん断によって溶融混合行程中に大きくすることができる。従って溶融混合工程は、ポリマーマトリックス内において例えば略剥離状態のナノクレイプレートレットを得るべく、延長することができる。
【００７１】
行程６２０において、当該化合物を金属箔に塗布して実装基板を形成する。本開示においては、図２乃至図５のサポートとなる記載を含め、様々な実施形態に係る実装基板を示している。一実施形態によると、当該プロセスは行程６１０で始まり、工程６２０で終了する。
【００７２】
工程６３０において、マイクロエレクトロニクスデバイスを実装基板にアセンブルする。実装基板にアセンブルされたマイクロエレクトロニクスデバイスを図８に図示する。一実施形態によると、当該プロセスは行程６１０で始まり、工程６３０で終了する。
【００７３】
工程６４０は工程６１０に続いて行われ、ポリマーを硬化させてコアを形成する。本開示においては、図１乃至図５のサポートとなる記載を含め、様々な実施形態に係る実装基板を示している。一実施形態によると、当該プロセスは行程６１０で始まり、工程６４０で終了する。一実施形態によると、当該プロセスは行程６１０で始まり、工程６２０に進み、工程６４０で終了する。
【００７４】
工程６４２において、コアを金属箔に塗布して実装基板を形成する。一実施形態によると、当該プロセスは工程６１０で始まり、工程６４０で終了する。一実施形態によると、当該プロセスは工程６１０で始まり、工程６４０および６４２に進み、工程６３０で終了する。
【００７５】
図７は、実施形態に係るプロセスおよび方法を説明するためのフローチャート７００である。工程７１０において、モノマーまたはオリゴマー、もしくは両者を溶解して溶剤−ナノクレイ分散を得る。有機物等を溶解して溶液を得るプロセスは、混合装置の機械的せん断によってナノクレイプレートレットの分離を実現することを含み得る。
【００７６】
工程７２０において、溶剤を蒸発させてモノマー（またはオリゴマー等）とナノクレイの合成物を得る。一実施形態によると、当該プロセスは工程７１０で始まり工程７２０で終了する。
【００７７】
工程７３０において、当該合成物を金属箔に塗布して実装基板を得る。本開示においては、図２乃至図５のサポートとなる記載を含め、様々な実施形態に係る実装基板を示している。一実施形態によると、当該プロセスは行程７１０で始まり、工程７３０で終了する。
【００７８】
工程７４０において、マイクロエレクトロニクスデバイスを実装基板にアセンブルする。実装基板にアセンブルされたマイクロエレクトロニクスデバイスを図８に図示する。一実施形態によると、当該プロセスは行程７１０で始まり、工程７４０で終了する。
【００７９】
工程７５０は工程７２０に続いて行われ、モノマーまたはオリゴマーを硬化させてコアを得る。本開示においては、図１乃至図５のサポートとなる記載を含め、様々な実施形態に係る実装基板を示している。一実施形態によると、当該プロセスは行程７１０で始まり、工程７５０で終了する。一実施形態によると、当該プロセスは行程７１０で始まり、工程７３０に進み、工程７５０で終了する。
【００８０】
工程７５２において、コアを金属箔に塗布して実装基板を形成する。一実施形態によると、当該プロセスは工程７１０で始まり、工程７５２で終了する。一実施形態によると、当該プロセスは工程７１０で始まり、工程７５０および７５２に進み、工程７４０で終了する。
【００８１】
図８は、本発明の実施形態に係るコンピュータシステム８００を示す切り欠き立面図である。上述した実施形態のうち１以上に係るナノクレイ含有ポリマーマトリックスによって構成されるコアを、図８に示すコンピュータシステム８００のようなコンピュータシステムに利用するとしてもよい。以下では、任意の単一または複数の実施形態に係るナノクレイ含有ポリマーマトリックスから構成されるコアを、実施形態に係る構成と呼ぶ。
【００８２】
コンピュータシステム８００は例えば、ＩＣチップパッケージ８１０内に封止されている少なくとも１つのプロセッサ（不図示）、データストレージシステム８１２、キーボード８１４などの少なくとも１つの入力デバイス、およびモニタ８１６などの少なくとも１つの出力デバイスを備える。一実施形態によると、データストレージシステム８１２は、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）などのランダムアクセスメモリ、ポリマーメモリ、フラッシュメモリ、または相変化メモリである。コンピュータシステム８００は、データ信号を処理するプロセッサを含む。コンピュータシステム８００は例えば、インテル・コーポレーション社製のマイクロプロセッサを含み得る。コンピュータシステム８００は、キーボード８１４以外にも、例えばマウス８１８といった別のユーザ入力デバイスを含み得る。コンピュータシステム８００は、図１、３、４および５に図示した実施形態のうち任意の実施形態に係るナノクレイ含有ポリマーマトリックスから構成されるコアのように処理された構造を含み得る。一実施形態によると、コンピュータシステム８００は、デスクトップコンピュータ用のボックスのような筐体８２２を含む。
【００８３】
本開示の目的を鑑みて、請求項の主題に応じた構成要素を実現するコンピュータシステム８００は、例えば、ＤＲＡＭ、ポリマーメモリ、フラッシュメモリ、または相変化メモリなどのデータストレージに接続されている、少なくとも１つの実施形態に係るナノクレイ含有ポリマーマトリックスによって構成されるコアを含み得るマイクロエレクトロニクスデバイスシステムを利用するシステムであればどのようなシステムを含むとしてもよい。本実施形態によると、１または複数の実施形態に係るコアは、プロセッサに接続されることによってこれらの機能の任意の組み合わせに接続される。しかし一実施形態によると、本開示において説明されている実施形態に係る構成は、これらの機能のいずれかに接続されている。実施形態の一例を挙げると、データストレージはダイ上に設けられた埋め込みＤＲＡＭキャッシュを含む。さらに一実施形態によると、プロセッサ（不図示）に接続される実施形態に係る構成は、ＤＲＡＭキャッシュであるデータストレージに接続された実施形態に係る構成を持つシステムの一部である。さらに一実施形態によると、実施形態に係る構成はデータストレージ８１２に接続されている。
【００８４】
一実施形態によると、コンピュータシステム８００はさらに、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）、マイクロコントローラ、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、またはマイクロプロセッサを備えるダイを含み得る。本実施形態によると、実施形態に係る構成は、プロセッサに接続されることによってこれらの機能の任意の組み合わせに接続される。実施形態例によると、ＤＳＰはチップセットの一部であり、該チップセットは、スタンドアロンプロセッサを含み、且つ、実施形態に係るナノクレイ含有ポリマーマトリックスから構成されるコアである、ボード８２０上の該チップセットの別の部分として該ＤＳＰを含み得る。本実施形態によると、ある実施形態に係る構成はＤＳＰに接続され、別の実施形態に係る構成はＩＣチップパッケージ８１０内のプロセッサに接続され得る。さらに一実施形態によると、実施形態に係る構成は、ＩＣチップパッケージ８１０と同じボード８２０に実装されているＤＳＰに接続される。以上の記載より明らかであるが、実施形態に係る構成は、本開示に記載された様々な実施形態に係るナノクレイ含有ポリマーマトリックスから構成されるコアおよびその均等物によって説明される実施形態に係る構成と組み合わせされて、コンピュータシステム８００に対して上述したように組み合わされ得る。
【００８５】
以上より明らかであるが、本開示に記載する実施形態は従来のコンピュータ以外のデバイスおよび装置に応用することができる。例えば、ダイを実施形態に係る構成でパッケージングして、ワイヤレス通信器などの携帯用デバイスまたは携帯情報端末（ＰＤＡ）などの手持ちデバイス内にパッケージングされたダイを載置するとしてもよい。本実施形態によると、システムの筐体がワイヤレス電話等のシェルとなり得る。別の例を挙げると、ダイを実施形態に係る構成でパッケージングして、自動車、機関車、船舶、航空機または宇宙船などの車両内にパッケージングしたダイを載置する。
【００８６】
図９は、一実施形態に係る電子システム９００を示す概略図である。図示された電子システム９００は、図８に示したコンピュータシステム８００を実施したものとしてもよいが、図９に示す当該電子システムはより一般的な例を示すとする。電子システム９００には、集積回路（ＩＣ）ダイ９１０などの電子アセンブリと共に、例えば図８に示したボード８２０である実装基板が少なくとも１つ組み込まれている。一実施形態によると、電子システム９００は、該電子システム９００の様々な構成要素を電気的に接続するシステムバス９２０を有するコンピュータシステムである。実施形態によっては、システムバス９２０は１つのバスとしてもよいし、複数のバスを組み合わせたものとしてもよい。電子システム９００は、集積回路９１０に電力を供給する電圧源９３０を有する。実施形態によっては、電圧源９３０はシステムバス９２０を介して集積回路９１０へと電流を供給する。
【００８７】
一実施形態に係る集積回路９１０は、システムバス９２０に電気的に接続され、単一の回路または複数の回路の組み合わせを含む。一実施形態によると、集積回路９１０は任意の種類のプロセッサ９１２を有する。本明細書で言及される場合、プロセッサ９１２はどのような種類の回路を意味してもよく、例えば以下に限定されないが、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、グラフィクスプロセッサ、デジタル・シグナル・プロセッサなどのプロセッサであってもよい。このほかに集積回路９１０に組み込まれ得る回路の種類としては、カスタム回路もしくはＡＳＩＣがあり、一例を挙げると、携帯電話、ポケットベル、携帯用コンピュータ、送受信可能ラジオなどの電子システムである無線デバイスで利用される通信回路９１４を組み込むとしてもよい。一実施形態によると、プロセッサ９１０はＳＲＡＭなどのオンダイメモリ９１６を有する。一実施形態によると、プロセッサ９１０はｅＤＲＡＭなどのオンダイメモリ９１６を含む。
【００８８】
一実施形態によると、電子システム９００はさらに外部メモリ９４を含む。外部メモリ９４０は、特定のアプリケーションに適したメモリ素子を１以上含むとしてもよい。該メモリ素子の例を挙げると、ＲＡＭであるメインメモリ９４２、１以上のハードドライブ９４４、および／または取外し可能な媒体９４６を取り扱う１以上のドライブがある。取外し可能な媒体９４６は、ディスケット、コンパクト・ディスク（ＣＤ）、デジタル・ビデオ・ディスク（ＤＶＤ）、フラッシュ・メモリ・キーなどの公知の取外し可能媒体である。
【００８９】
一実施形態によると、電子システム９００はさらに表示デバイス９５０および音声出力部９６０を備える。一実施形態によると、電子システム９００は入力デバイス９７０を有する。入力デバイス９７０は、キーボード、マウス、トラックボール、ゲームコントローラ、マイクロフォン、音声認識装置などの電子システム９００に情報を入力するデバイスである。
【００９０】
本明細書に記載するように、集積回路９１０は複数の異なる実施形態において実装されるとしてもよい。実施形態の例を挙げると、電子パッケージ、電子システム、コンピュータシステム、１以上の集積回路製造方法、１以上の電子アセンブリ製造方法などがあり、電子アセンブリは、ボードに実装された集積回路、および本明細書に記載した様々な実施形態に係るナノクレイ含有ポリマーマトリックスから構成されるコアおよびその均等物を有する。素子、材料、形状、寸法、および動作順序は特定のパッケージングの要件を満たすべく変更されるとしてもよい。
【００９１】
米国特許法施行規則§１．７２（ｂ）は技術内容の本質および要点を簡潔に伝えることを目的として要約を記載するよう求めており、その要件を遵守するべく要約を記載する。要約は特許請求の範囲の意味を解釈または限定するべく利用されないという理解の下、要約を記載する。
【００９２】
上述した「発明を実施するための最良の形態」では、記載を簡潔にすることを目的として、複数の様々な特徴を１つの実施形態にまとめている。このような開示方法は、保護を請求する本発明の実施形態は各請求項に明示されているよりも多くの特徴を必要とするという意図を反映するものと解釈されるべきではない。むしろ本明細書に添付の請求の範囲が反映しているのは、開示された１つの実施形態が有するすべての特徴よりも少ない特徴に、発明の主題は存在するという理解である。このため、本明細書に添付の請求の範囲は「発明を実施するための最良の形態」に組み込まれ、請求項はそれぞれが別々の好ましい実施形態として独立している。
【００９３】
本発明の本質を説明するべく記載および図示されている構成要素および方法の工程の詳細な内容、材料および配置は、本明細書に添付する請求項に記載される発明の原理および範囲を超えることなく、上記以外の方法でも変更され得ることは当業者には明らかであると理解されたい。
【関連出願】
【０００１】
本願は、米国特許出願第１１／３９５，７２８号（出願日２００６年３月３１日）に基づき優先権を主張する。当該米国特許出願に記載の内容は参照により本願に組み込まれる。
【技術分野】
【０００２】
本発明の実施形態は概して、ボードレベルの構造およびボード上におけるデバイスの集積に関する。
【背景技術】
【０００３】
マイクロエレクトロニクス産業では安全のため難燃剤を利用している。マザーボードおよび拡張カード等以外にも実装基板では、コア材料の難燃剤として臭化物ベースまたはリンベースの化合物を利用している。政府機関からハロゲン化合物を排除するよう命令を受けたことによって、ハロゲン化合物以外に利用可能な材料および難燃剤としての特性を有する新しい化合物が求められている。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
本発明の実施形態を説明することを目的として、添付図面に図示した実施形態例を参照しつつ、上記で簡潔に言及した実施形態をより詳細に説明する。添付図面は典型的な実施形態を示したものに過ぎず、図示された実施形態は必ずしも実寸に即してはおらず、本発明の範囲を限定するものと解釈されるべきではないと理解されたい。本発明の実施形態を、以下の添付図面に基づき詳細に記載および説明する。
【０００５】
【図１】本発明の実施形態に係る実装基板を示す立面断面図である。
【０００６】
【図２】本発明の実施形態に係る、図１の一部を詳細に示す断面図である。
【０００７】
【図３】本発明の実施形態に係る、図１の一部を詳細に示す断面図である。
【０００８】
【図４】本発明の実施形態に係る、図１の一部を詳細に示す断面図である。
【０００９】
【図５】本発明の実施形態に係る、図１の一部を詳細に示す断面図である。
【００１０】
【図６】本発明の実施形態に係るプロセスおよび方法を示すフローチャートである。
【００１１】
【図７】本発明の実施形態に係るプロセスおよび方法を示すフローチャートである。
【００１２】
【図８】本発明の実施形態に係るコンピュータシステムを示す切り欠き立面図である。
【００１３】
【図９】本発明の実施形態に係る電子システムを示す概略図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の実施形態は、ポリマーマトリックス中に分散されたナノクレイ粒子を含む組成物に関する。一実施形態によると、当該ポリマーマトリックスはビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）基材を含む。
【００１５】
以下の説明では、上方、下方、第１、第２等の用語を使用するが、これらの用語は説明を目的として利用されるに過ぎず、限定的に解釈されるべきではない。本明細書に記載する装置または製品の実施形態は、製造時、使用時または出荷時において、数多くの位置および配向を取り得る。「ダイ」および「チップ」という用語は一般的に、様々な処理工程を経て所望の集積回路デバイスとなる被加工物である物体を意味する。ダイは通常ウェハから分離されたものを指し、ウェハは半導体材料、非半導体材料または両者の組み合わせから構成されるとしてもよい。ボードは通常、ダイ用実装基板として機能する樹脂含侵ファイバーガラス構造である。
【００１６】
本明細書で使用される次の用語は、以下に説明する意味を持つものとする。
【００１７】
「クレイ材料」、「層状クレイ」、または「層状クレイ材料」は、互いに隣接する、結合された複数の層から成る、有機材料、無機材料または両者の混合物を意味する。層状クレイはプレートレット粒子を含む。
【００１８】
「プレートレット粒子」、「プレートレット」、「粒子」または「共面集合状態」は、層状クレイ材料が有する複数の非結合層の各層または集合体を意味する。このような層は、個別のプレートレット粒子の状態にあるとしてもよいし、タクトイド（ｔａｃｔｏｉｄ）として知られている複数のプレートレット粒子から成る小さい規則的または不規則的な集合体であってもよいし、タクトイドの集合体であってもよい。
【００１９】
「分散」または「分散した」という用語は一般的なもので、プレートレット粒子の分離状態の様々なレベルまたは程度を表すものである。分散のレベルには、これらに限定されないが、「プレートレット粒子」、「インターカレート状態」および「剥離状態」がある。
【００２０】
「インターカレート状態」または「インターカレート体」は、互いに隣接するプレートレット粒子または層集合体であるタクトイドの間に任意の構造が配設された、層状クレイ材料を意味する。このような構成とすることによって、隣接し合うプレートレットおよび／またはタクトイドの間の層間間隙が大きくなる。本開示によると、インターカレートされる構造は有機カチオンであってもよいし、マトリックスポリマーであってもよい。
【００２１】
「剥離体」または「剥離状態」は、マトリックスポリマーなどのキャリア材料全体においてプレートレットが主に個別の状態で分散していることを意味する。通常、「剥離状態」はプレートレット粒子の分離状態に関しては最も程度が高いことを指し、「インターカレート状態」はプレートレットの分離状態が中程度であることを指し、「共面集合状態」は分離状態が最も低いことを指す。プレートレットの分離度は「剥離状態」と「共面集合状態」の間で実質的に連続しているので、説明を明確にすることを目的として分離度には数字の範囲を割り当てるが、開示される実施形態の範囲は説明内容よりも広いと理解されたい。
【００２２】
「剥離」は、インターカレート体またはより分散状態が低い層状クレイ材料から、剥離体を形成するプロセスを意味する。
【００２３】
「ナノ合成物」または「ナノ合成物組成物」は、剥離状態且つ層状態のナノクレイ材料から得られる個別のナノサイズのプレートレットが複数分散している、ポリマーまたはコポリマーを意味する。
【００２４】
「マトリックスポリマー」は、ナノ合成物形成用のプレートレット粒子が分散している、熱可塑性ポリマーまたは溶融加工可能なポリマーを意味する。本開示では、プレートレット粒子は、ナノ合成物形成用マトリックスポリマーにおいて「共面集合状態」、「インターカレート状態」または「剥離状態」であってもよい。
【００２５】
これより先の説明では添付図面を参照するが、同様の構成要素には同様の参照符号を単語の末尾に添えて示す。様々な実施形態に係る構造を最も分かりやすい方法で示すべく、本明細書で参照する図面は集積回路構造を線図で示す。このため、製造された構造の実際の外観は、例えば顕微鏡写真で見た場合には、添付図面に示すものとは異なり得るが、図示された実施形態の不可欠な構造は含んでいる。また、添付図面は図示される実施形態を理解する上で必要な構造を示すものである。図面を分かりやすいものとするべく、関連技術分野で公知の構造については図示していない。
【００２６】
図１は、実施形態に係る実装基板１００を示す断面立面図である。実装基板１００は、第１面１１２および第２面１１４を持つコア１１０を有する。一実施形態によると、コア１１０は、粒子サイズが５０ナノメートル（ｎｍ）を約９９％パスするパーティクルを有する第１クレイプレートレットを含むポリマー基材を含む。一実施形態によると、コア１１０は、粒子サイズが５０ｎｍを約９９％パスするパーティクルを有する第１クレイプレートレットを含むビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）ポリマー基材である。「第１クレイプレートレット」は、特に明記していない限り、第１のタイプのクレイプレートレットを意味する。
【００２７】
一実施形態によると、製品はコア１１０とコア１１０の第１面１１２上に配設された第１金属箔１１６とを含む。一実施形態によると、第１金属箔１１６は銅を含み、配線等の電気構造を製造するべくボードに利用され得る銅が通常利用される。一実施形態によると、第１金属箔１１６上にハンダマスク第１膜１１８が設けられている。
【００２８】
一実施形態によると、実装基板１００は、マザーボード、拡張カード、メザニンボード、デュアルインライン実装モジュールボードまたは実装基板などのボードである。実装基板１００をマイクロエレクトロニクスデバイス用の実装基板として利用する場合、ハンダマスク第１膜１１８はリセス１２０を含む。当該リセス１２０によって、第１金属箔１１６の上面１２２が露出する。一実施形態によると、第１金属箔１１６の上面１２２はワイヤボンディング用のボンディングパッドである。一実施形態によると、第１金属箔１１６の上面１２２は電気バンプ用のボンディングパッドである。
【００２９】
一実施形態によると、第１金属箔１１６の上面１２２は、金などの金属から成るフラッシュ（ｆｌａｓｈ）層を含む。一実施形態によると、第１金属箔１１６の上面１２２は、チタンなどの金属から成るフラッシュ層を含む。一実施形態によると、第１金属箔１１６の上面１２２は、金および銀のドレ（ｄｏｒe）合金などの金属から成るフラッシュ層を含む。
【００３０】
一実施形態によると、当該製品はコア１１０とコア１１０の第２面１１４上に設けられた第２金属箔１２４とを含む。一実施形態によると、第２金属箔１２４は銅を含み、配線等の電気構造を製造するべくボードに利用され得る銅が通常利用される。一実施形態によると、第２金属箔１２４上にハンダマスク第２膜１２６が設けられている。
【００３１】
一実施形態によると、実装基板１００は、デュアルインラインメモリモジュール（ＤＩＭＭ）または第１金属箔１１６および第２金属箔１２４の両方に対して可触性な実装基板を例とするボードである。実装基板１００をマイクロエレクトロニクスデバイス用のボードとして利用する場合、ハンダマスク第２膜１２６はリセス１２８を含む。当該リセス１２８によって、第２金属箔１２４の下面１３０が露出する。一実施形態によると、第２金属箔１２４の下面１３０はワイヤボンディング用のボンディングパッドである。一実施形態によると、第１金属箔１２４の下面１３０は電気バンプ用のボンディングパッドである。一実施形態によると、上面１２２の実施形態に関して本明細書で記載されているように、下面１３０にもフラッシュ層が設けられる。
【００３２】
図２は、一実施形態に係る、図１の一部２００を詳細に示す断面図である。図１の分断ライン２−２は、図１の実装基板１００から切り取られたおよその領域を示す。詳細部分２００は便宜上非常に簡略化されている。
【００３３】
実装基板２００はコア２１０を含む。一実施形態によると、コア２１０は、粒子サイズが５０ナノメートル（ｎｍ）を約９９％パスするパーティクルを有する第１クレイプレートレット２３４を含むポリマー基材を含む。一実施形態によると、コア２１０は、粒子サイズが５０ｎｍを約９９％パスするパーティクルを有する第１クレイプレートレット２３４を含むＢＴポリマー基材である。
【００３４】
一実施形態によると、実装基板２００はコア２１０とコア２１０上に配設された第１金属箔２１６とを含む製品である。一実施形態によると、第１金属箔２１６は銅を含む。一実施形態によると、第１金属箔２１６上にハンダマスク第１膜２１８が設けられている。
【００３５】
一実施形態によると、実装基板２００はコア２１０上に配設された第２金属箔２２４をさらに含む製品である。一実施形態によると、第２金属箔２２４は銅を含み、配線等の電気構造を製造するべくボードに利用され得る銅が通常利用される。一実施形態によると、第２金属箔２２４上にハンダマスク第２膜２２６が設けられている。
【００３６】
一実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーが利用される。当該モノマーまたはオリゴマーは点の集合として図示され、そのうちの１つを参照番号２３２で明示する。モノマーまたはオリゴマーと共に、第１クレイプレートレット２３４が略共面集合体として図示される。「略共面集合体」とは、実装基板２００内に存在する第１クレイプレートレット２３４の大部分が別の第１クレイプレートレットまたは複数の第１クレイプレートレットと直接隣接していることを意味する。図２では、略共面集合体は、モノマーまたはオリゴマーのマトリックス内に設けられた４つのクレイプレートレット２３４として図示されている。
【００３７】
一実施形態によると、第１クレイプレートレット２３４の略共面集合体は、サイズが５０ｎｍを約９９％パスする。一実施形態によると、第１クレイプレートレット２３４の略共面集合体はコア２１０内において重量の範囲が、約１％から約１５％である。一実施形態によると、第１クレイプレートレット２３４の略共面集合体は、サイズが５０ｎｍを約９９％パスし、重量の範囲が約１％から約１５％である。
【００３８】
プロセスの実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーはまず第１クレイプレートレット２３４と溶融混合され、続いて当該化合物を硬化させて、概略的に図示されているようにコア２１０を形成する。本実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーは完全には硬化されない。本実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーは、約３０％の重合化から約９９％の重合化の範囲内で架橋および／または硬化される。一実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーは、約５０％の重合化から約９０％の重合化の範囲内で架橋および／または硬化される。一実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーは、約７０％の重合化から約８０％の重合化の範囲内で架橋および／または硬化される。
【００３９】
方法の実施形態によると、コア２１０は任意の重合化の程度まで硬化され、第１金属箔２１６といった金属箔上に設けられるポリマー膜として形成される。一実施形態によると、第１金属箔２１６の上に（コア２１０となる）ポリマー膜を形成する方法は、Ｂステージのポリマー／クレイプレートレット混合物上に第１金属箔２１６を重ねることを含む。一実施形態によると、第１金属箔２１６上にポリマー膜を形成する方法は、第１金属箔２１６上に半硬化されたポリマー／クレイプレートレット混合物を流すことを含み、続いてポリマー／クレイプレートレット混合物をさらに硬化させる。本明細書に説明する内容と共に、上記以外に関連技術分野で公知の、金属箔およびハンダマスクをボードに積層する方法を利用してもよい。
【００４０】
プロセスの実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーはまず溶剤と混合され、第１クレイプレートレット２３４と混ぜ合わされる。続いて、溶剤を溶液から逃がす。溶剤の大半を除去した後、モノマーまたはオリゴマーを硬化させる。本実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーは完全には硬化されない。本実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーは、約３０％の重合化から約９９％の重合化の範囲内で架橋および／または硬化される。一実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーは、約５０％の重合化から約９０％の重合化の範囲内で架橋および／または硬化される。一実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーは、約７０％の重合化から約８０％の重合化の範囲内で架橋および／または硬化される。
【００４１】
図３は、一実施形態に係る、図１の一部３００を詳細に示す断面図である。図１の分断ライン２−２は、図１の実装基板１００から切り取られたおよその領域を示す。詳細部分３００は便宜上非常に簡略化されている。
【００４２】
実装基板３００はコア３１０を含む。一実施形態によると、コア３１０は、粒子サイズが５０ナノメートル（ｎｍ）を約９９％パスするパーティクルを有する第１クレイプレートレット３３４を含むポリマー基材を含む。一実施形態によると、コア３１０は、粒子サイズが５０ｎｍを約９９％パスするパーティクルを有する第１クレイプレートレット３３４を含むＢＴポリマー基材である。
【００４３】
一実施形態によると、実装基板３００はコア３１０とコア３１０上に配設された第１金属箔３１６とを含む製品である。一実施形態によると、第１金属箔３１６は銅を含む。一実施形態によると、第１金属箔３１６上にハンダマスク第１膜３１８が設けられている。
【００４４】
一実施形態によると、実装基板３００はコア３１０上に配設された第２金属箔３２４をさらに含む製品である。一実施形態によると、第２金属箔３２４は銅を含み、配線等の電気構造を製造するべくボードに利用され得る銅が通常利用される。一実施形態によると、第２金属箔３２４上にハンダマスク第２膜３２６が設けられている。
【００４５】
一実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーが利用される。当該モノマーまたはオリゴマーは結合、硬化または架橋されたポリマーとして図示され、そのうちの１つを参照番号３３２で明示する。結合、硬化または架橋されたポリマー３３２と共に、第１クレイプレートレット３３４が略共面集合体として図示される。図３では、略共面集合体は、結合、硬化または架橋されたポリマー３３２のマトリックス内に設けられた４つのクレイプレートレット３３４として図示されている。
【００４６】
一実施形態によると、第１クレイプレートレット３３４の略共面集合体は、サイズが５０ｎｍを約９９％パスする。一実施形態によると、第１クレイプレートレット３３４の略共面集合体はコア３１０内において重量の範囲が、約１％から約１５％である。一実施形態によると、第１クレイプレートレット３３４の略共面集合体は、サイズが５０ｎｍを約９９％パスし、重量の範囲が約１％から約１５％である。
【００４７】
図４は、一実施形態に係る、図１の一部４００を詳細に示す断面図である。図１の分断ライン２−２は、図１の実装基板１００から切り取られたおよその領域を示す。詳細部分４００は便宜上非常に簡略化されている。
【００４８】
実装基板４００はコア４１０を含む。一実施形態によると、コア４１０は、粒子サイズが５０ナノメートル（ｎｍ）を約９９％パスするパーティクルを有する第１クレイプレートレット４３４を含むポリマー基材を含む。一実施形態によると、コア４１０は、粒子サイズが５０ｎｍを約９９％パスするパーティクルを有する第１クレイプレートレット４３４を含むＢＴポリマー基材である。
【００４９】
一実施形態によると、実装基板４００はコア４１０とコア４１０上に配設された第１金属箔４１６とを含む製品である。一実施形態によると、第１金属箔４１６は銅を含む。一実施形態によると、第１金属箔４１６上にハンダマスク第１膜４１８が設けられている。
【００５０】
一実施形態によると、実装基板４００はコア４１０上に配設された第２金属箔４２４をさらに含む製品である。一実施形態によると、第２金属箔４２４は銅を含み、配線等の電気構造を製造するべくボードに利用され得る銅が通常利用される。一実施形態によると、第２金属箔４２４上にハンダマスク第２膜４２６が設けられている。
【００５１】
一実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーが利用される。当該モノマーまたはオリゴマーは結合、硬化または架橋されたポリマーとして図示され、そのうちの１つを参照番号４３２で明示する。結合、硬化または架橋されたポリマー４３２と共に、第１クレイプレートレット４３４が略インターカレート集合体として図示される。「略インターカレート集合体」とは、実装基板４００内において第１クレイプレートレット４３４の大部分が別の第１クレイプレートレットまたは複数の第１クレイプレートレットに直接隣接しているが、当該集合体には結合、硬化または架橋されたポリマー４３２がインターカレートされていることを意味する。図４では、略インターカレート集合体は、結合、硬化または架橋されたポリマーのマトリックス内に設けられた４つのクレイプレートレット４３４として図示されている。
【００５２】
一実施形態によると、ポリマー基材はＢＴである。一実施形態によると、ナノクレイプレートレット４３４は、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）３）などの水酸化物部分によって難燃特性を持つ。一実施形態によると、ナノクレイ自体の量は約１％から約１５％の範囲内であってよいが、Ａｌ（ＯＨ）３部分が約５％の量で含まれる場合、ナノクレイプレートレット４３４の量は最多で約１２％である。
【００５３】
一実施形態によると、第１クレイプレートレット４３４の略インターカレート集合体は、サイズ（各プレートレット４３４）が５０ｎｍを約９９％パスする。一実施形態によると、第１クレイプレートレット４３４の略インターカレート集合体はコア４１０内において重量の範囲が約１％から約１５％である。一実施形態によると、第１クレイプレートレット４３４の略インターカレート集合体は、サイズが５０ｎｍを約９９％パスし、重量の範囲が約１％から約１５％である。
【００５４】
図５は、一実施形態に係る、図１の一部５００を詳細に示す断面図である。図１の分断ライン２−２は、図１の実装基板１００から切り取られたおよその領域を示す。詳細部分５００は便宜上非常に簡略化されている。
【００５５】
実装基板はコア５１０を含む。一実施形態によると、コア５１０は、粒子サイズが５０ナノメートル（ｎｍ）を約９９％パスするパーティクルを有する第１クレイプレートレット５３４を含むポリマー基材を含む。一実施形態によると、コア５１０は、粒子サイズが５０ｎｍを約９９％パスするパーティクルを有する第１クレイプレートレット５３４を含むＢＴポリマー基材である。
【００５６】
一実施形態によると、実装基板はコア５１０とコア５１０上に配設された第１金属箔５１６とを含む製品の一部である。一実施形態によると、第１金属箔５１６は銅を含む。一実施形態によると、第１金属箔５１６上にハンダマスク第１膜５１８が設けられている。
【００５７】
一実施形態によると、実装基板はコア５１０上に配設された第２金属箔５２４をさらに含む製品の一部である。一実施形態によると、第２金属箔５２４は銅を含み、配線等の電気構造を製造するべくボードに利用され得る銅が通常利用される。一実施形態によると、第２金属箔５２４上にハンダマスク第２膜５２６が設けられている。
【００５８】
一実施形態によると、モノマーまたはオリゴマーが利用される。当該モノマーまたはオリゴマーは結合、硬化または架橋されたポリマーとして図示され、そのうちの１つを参照番号５３２で明示する。結合、硬化または架橋されたポリマー５３２と共に、第１クレイプレートレット５３４が略剥離構造として図示される。「略剥離構造」とは、実装基板５００内の第１クレイプレートレット５３４が、大半または全ての隣接する第１クレイプレートレットまたは複数の隣接する第１クレイプレートレットのすべてから分離しており、結合、硬化または架橋されたポリマー５３２によってプレートレット同士が互いから分離している状態を意味する。図５では、プレートレットの略剥離構造は、結合、硬化または架橋されたポリマーのマトリックス内の分離したクレイプレートレット５３４として図示されている。
【００５９】
一実施形態によると、第１クレイプレートレット５３４のプレートレットの略剥離構造は、サイズが５０ｎｍを約９９％パスする。一実施形態によると、第１クレイプレートレット５３４のプレートレットの略剥離構造はコア５１０内において重量の範囲が、約１％から約１５％である。一実施形態によると、第１クレイプレートレット５３４のプレートレットの略剥離構造は、サイズが５０ｎｍを約９９％パスし、重量の範囲が約１％から約１５％である。
【００６０】
ナノクレイプレートレットのアスペクト比は用途に応じて選択される。一実施形態によると、マトリックス内でのナノクレイの剥離は、約１：１から約２００：１の範囲内にある高いアスペクト比で、分散されたナノプレートレットを用いて得ることができる。この結果得られるナノクレイ合成材料は、ＨＡＳＴ（Ｈｉｇｈ Ａｃｃｅｌｅｒａｔｉｏｎ Ｓｔｒｅｓｓ Ｔｅｓｔ）性能が改善され、揮発性成分の放出を遅らせ、コア材料のポンプアウト（ｐｕｍｐ−ｏｕｔ）、ブリードアウト（ｂｌｅｅｄ−ｏｕｔ）およびドライアウト（ｄｒｙ−ｏｕｔ）を低減する。また、当該ナノクレイ粒子は、コアの熱酸化安定性を高め、焼成（ｂａｋｅ）特性および熱サイクル（ＴＣ）特性を改善する。
【００６１】
ナノクレイプレートレット粒子をコア材料に加えることによって、半導体パッケージまたはマイクロエレクトロニクスパッケージの信頼性および性能が高まる。信頼性および性能が改善されたのは、熱的インターフェース材料（ｔｈｅｒｍａｌ ｉｎｔｅｒｆａｃｅｄ ｍａｔｅｒｉａｌ）について、ポンプアウトが減少し、ドライアウトが減少し、熱酸化安定性が改善したためである。ポンプアウト、ドライアウトおよび熱酸化安定性は拡散プロセスに左右される。ポリマー／ナノクレイ合成物に関する実施形態において、混合工程は様々なプロセスによって行い得る。
【００６２】
本開示内容は、多岐にわたるマトリックス用有機物を用いて実施し得る。一実施形態によると、マトリックス用有機物はＢＴである。ＢＴポリマー以外にも、他の有機物を追加し得る。一実施形態によると、ＢＴが大量に含まれ、それを補完するべく、第２のポリマー等が少量含まれる。一実施形態によると、ＢＴポリマー第１有機物に対して第２となるポリマー第２有機物として、オレフィン樹脂が含まれる。一実施形態によると、オレフィン樹脂は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、パラフィンロウ、ポリブタジエンまたはポリイソプレンなどの不飽和オレフィンゴム、エチレンプロピレンのような飽和ゴム、エチレンプロピレンジエンモノマー（ＥＰＤＭ）、水素化ポリイソプレンなどのうち少なくとも１つである。一実施形態によると、ポリイミドコア材料もそれのみでコアマトリックスを形成するべく加えられるとしてもよいし、コアマトリックスの一成分として加えられるとしてもよい。
【００６３】
一実施形態によると、ポリマー／ナノクレイ化合物は熱伝導率が約５０Ｗ／ｍＫを超える。有用なフィラーの例を挙げると、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウムなどのセラミックス、アルミニウム、銅、銀などの金属、インジウム、スズ、スズ−インジウム、銀、スズ−銀、スズ−インジウム−銀などのハンダがある。熱伝導性フィラーの量は、通常約１０％から約９０％の範囲内にあり、所望の全体熱伝導率およびナノクレイプレートレットの選択といった、用途ごとに求められる要素に応じて決定される。
【００６４】
一実施形態によると、複数の特性のナノクレイプレートレットが使用される。有用なナノクレイ材料を挙げると、天然の層状ケイ酸塩、合成の層状ケイ酸塩および修飾された層状ケイ酸塩がある。天然のクレイには、モンモリロナイト、サポナイト、ヘクトライト、雲母、バーミキュライト、ベントナイト、ノントロナイト、バイデル石、ヴォルコンスキー石（ｖｏｌｋｏｎｓｋｏｉｔｅ）、マガダイト（ｍａｇａｄｉｔｅ）、ケニヤイト（ｋｅｎｙａｉｔｅ）などのスメクタイトクレイがある。合成のクレイには、合成雲母、合成サポナイト、合成ヘクトライトなどがある。
【００６５】
一実施形態によると、少なくとも２種類の異なるナノクレイが含まれる。例えばナノクレイは、第１の量だけヘクトライトを含み、当該第１の量よりも少ない第２の量だけモンモロロナイト（ｍｏｎｔｍｏｒｏｌｌｏｎｉｔｅ）を含む。
【００６６】
一実施形態によると、ナノクレイには実質的にハロゲンが無い。「実質的にハロゲンが無い」というのは、ナノクレイおよびポリマー基材を得るための原材料および／または供給材料にハロゲンが使用されておらず、検出可能な不純物以外は通常の分析技術でハロゲンが検出されない、という意味である。
【００６７】
一実施形態によると、インターカレート層状クレイ材料は、膨潤性層状クレイと１以上の有機カチオンを反応させることによって得られる。この時、部分的または完全なカチオン交換を行うべくアンモニウム化合物を利用するのが好ましい。層状クレイを有機カチオンで修飾するための方法は数多くあり、実施形態ではどの方法を用いてもよい。一実施形態によると、層状ナノクレイを有機カチオン塩（非ハロゲン化合物）で以下のプロセスに従って有機修飾する。層状クレイまたは複数のクレイの混合物を温水（摂氏５０度から摂氏８０度）内で分散させ、攪拌しながら有機カチオン塩（水またはアルコール内で加熱または溶解されたもの）を加え、１または複数のクレイ材料の層の間にある金属カチオンの大半を有機カチオンで交換するために十分な時間だけ混ぜ合わせる。続いて、有機修飾された層状クレイ材料は、関連技術分野で公知の方法を用いて分離される。公知の方法には、ろ過、遠心分離、噴霧乾燥およびこれらの方法の組み合わせなどがある。
【００６８】
一実施形態によると、合成物内での剥離を促進すること、および／または、ポリマー／クレイ界面の強度を改善することを目的として、ナノクレイにはさらなる処理が施される。上記の目的を達成するのであればどのような処理を行うとしてもよい。有用な処理の例を挙げると、水溶性または不水溶性ポリマー、有機試薬またはモノマー、シラン化合物、金属または有機金属、および／またはそれらの組み合わせを用いたインターカレートがある。
【００６９】
一実施形態によると、ナノクレイ材料の大半が、約２０ｎｍ未満の寸法で、個別のプレートレット粒子（剥離状態）、小さなタクトイド（インターカレート状態）およびタクトイドの小さい集合体（プレートレット集合体）として存在するように、ナノクレイはポリマーマトリックス内で分散される。個別の状態にあるプレートレット粒子の割合がより高く、タクトイドまたはタクトイドの集合体の割合がより低い合成物を用いるとしてもよい。
【００７０】
図６は、実施形態に係るプロセスおよび方法を説明するためのフローチャート６００である。行程６１０において、ポリマーとナノクレイとを溶融混合して化合物を生成する。本実施形態によると、当該化合物は、ポリマーマトリックス内に、共面集合状態、インターカレート状態、または剥離状態で存在するナノクレイを含む。ナノクレイプレートレットの分離度は、溶融混合装置の機械的せん断によって溶融混合行程中に大きくすることができる。従って溶融混合工程は、ポリマーマトリックス内において例えば略剥離状態のナノクレイプレートレットを得るべく、延長することができる。
【００７１】
行程６２０において、当該化合物を金属箔に塗布して実装基板を形成する。本開示においては、図２乃至図５のサポートとなる記載を含め、様々な実施形態に係る実装基板を示している。一実施形態によると、当該プロセスは行程６１０で始まり、工程６２０で終了する。
【００７２】
工程６３０において、マイクロエレクトロニクスデバイスを実装基板にアセンブルする。実装基板にアセンブルされたマイクロエレクトロニクスデバイスを図８に図示する。一実施形態によると、当該プロセスは行程６１０で始まり、工程６３０で終了する。
【００７３】
工程６４０は工程６１０に続いて行われ、ポリマーを硬化させてコアを形成する。本開示においては、図１乃至図５のサポートとなる記載を含め、様々な実施形態に係る実装基板を示している。一実施形態によると、当該プロセスは行程６１０で始まり、工程６４０で終了する。一実施形態によると、当該プロセスは行程６１０で始まり、工程６２０に進み、工程６４０で終了する。
【００７４】
工程６４２において、コアを金属箔に塗布して実装基板を形成する。一実施形態によると、当該プロセスは工程６１０で始まり、工程６４０で終了する。一実施形態によると、当該プロセスは工程６１０で始まり、工程６４０および６４２に進み、工程６３０で終了する。
【００７５】
図７は、実施形態に係るプロセスおよび方法を説明するためのフローチャート７００である。工程７１０において、モノマーまたはオリゴマー、もしくは両者を溶解して溶剤−ナノクレイ分散を得る。有機物等を溶解して溶液を得るプロセスは、混合装置の機械的せん断によってナノクレイプレートレットの分離を実現することを含み得る。
【００７６】
工程７２０において、溶剤を蒸発させてモノマー（またはオリゴマー等）とナノクレイの合成物を得る。一実施形態によると、当該プロセスは工程７１０で始まり工程７２０で終了する。
【００７７】
工程７３０において、当該合成物を金属箔に塗布して実装基板を得る。本開示においては、図２乃至図５のサポートとなる記載を含め、様々な実施形態に係る実装基板を示している。一実施形態によると、当該プロセスは行程７１０で始まり、工程７３０で終了する。
【００７８】
工程７４０において、マイクロエレクトロニクスデバイスを実装基板にアセンブルする。実装基板にアセンブルされたマイクロエレクトロニクスデバイスを図８に図示する。一実施形態によると、当該プロセスは行程７１０で始まり、工程７４０で終了する。
【００７９】
工程７５０は工程７２０に続いて行われ、モノマーまたはオリゴマーを硬化させてコアを得る。本開示においては、図１乃至図５のサポートとなる記載を含め、様々な実施形態に係る実装基板を示している。一実施形態によると、当該プロセスは行程７１０で始まり、工程７５０で終了する。一実施形態によると、当該プロセスは行程７１０で始まり、工程７３０に進み、工程７５０で終了する。
【００８０】
工程７５２において、コアを金属箔に塗布して実装基板を形成する。一実施形態によると、当該プロセスは工程７１０で始まり、工程７５２で終了する。一実施形態によると、当該プロセスは工程７１０で始まり、工程７５０および７５２に進み、工程７４０で終了する。
【００８１】
図８は、本発明の実施形態に係るコンピュータシステム８００を示す切り欠き立面図である。上述した実施形態のうち１以上に係るナノクレイ含有ポリマーマトリックスによって構成されるコアを、図８に示すコンピュータシステム８００のようなコンピュータシステムに利用するとしてもよい。以下では、任意の単一または複数の実施形態に係るナノクレイ含有ポリマーマトリックスから構成されるコアを、実施形態に係る構成と呼ぶ。
【００８２】
コンピュータシステム８００は例えば、ＩＣチップパッケージ８１０内に封止されている少なくとも１つのプロセッサ（不図示）、データストレージシステム８１２、キーボード８１４などの少なくとも１つの入力デバイス、およびモニタ８１６などの少なくとも１つの出力デバイスを備える。一実施形態によると、データストレージシステム８１２は、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）などのランダムアクセスメモリ、ポリマーメモリ、フラッシュメモリ、または相変化メモリである。コンピュータシステム８００は、データ信号を処理するプロセッサを含む。コンピュータシステム８００は例えば、インテル・コーポレーション社製のマイクロプロセッサを含み得る。コンピュータシステム８００は、キーボード８１４以外にも、例えばマウス８１８といった別のユーザ入力デバイスを含み得る。コンピュータシステム８００は、図１、３、４および５に図示した実施形態のうち任意の実施形態に係るナノクレイ含有ポリマーマトリックスから構成されるコアのように処理された構造を含み得る。一実施形態によると、コンピュータシステム８００は、デスクトップコンピュータ用のボックスのような筐体８２２を含む。
【００８３】
本開示の目的を鑑みて、請求項の主題に応じた構成要素を実現するコンピュータシステム８００は、例えば、ＤＲＡＭ、ポリマーメモリ、フラッシュメモリ、または相変化メモリなどのデータストレージに接続されている、少なくとも１つの実施形態に係るナノクレイ含有ポリマーマトリックスによって構成されるコアを含み得るマイクロエレクトロニクスデバイスシステムを利用するシステムであればどのようなシステムを含むとしてもよい。本実施形態によると、１または複数の実施形態に係るコアは、プロセッサに接続されることによってこれらの機能の任意の組み合わせに接続される。しかし一実施形態によると、本開示において説明されている実施形態に係る構成は、これらの機能のいずれかに接続されている。実施形態の一例を挙げると、データストレージはダイ上に設けられた埋め込みＤＲＡＭキャッシュを含む。さらに一実施形態によると、プロセッサ（不図示）に接続される実施形態に係る構成は、ＤＲＡＭキャッシュであるデータストレージに接続された実施形態に係る構成を持つシステムの一部である。さらに一実施形態によると、実施形態に係る構成はデータストレージ８１２に接続されている。
【００８４】
一実施形態によると、コンピュータシステム８００はさらに、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）、マイクロコントローラ、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、またはマイクロプロセッサを備えるダイを含み得る。本実施形態によると、実施形態に係る構成は、プロセッサに接続されることによってこれらの機能の任意の組み合わせに接続される。実施形態例によると、ＤＳＰはチップセットの一部であり、該チップセットは、スタンドアロンプロセッサを含み、且つ、実施形態に係るナノクレイ含有ポリマーマトリックスから構成されるコアである、ボード８２０上の該チップセットの別の部分として該ＤＳＰを含み得る。本実施形態によると、ある実施形態に係る構成はＤＳＰに接続され、別の実施形態に係る構成はＩＣチップパッケージ８１０内のプロセッサに接続され得る。さらに一実施形態によると、実施形態に係る構成は、ＩＣチップパッケージ８１０と同じボード８２０に実装されているＤＳＰに接続される。以上の記載より明らかであるが、実施形態に係る構成は、本開示に記載された様々な実施形態に係るナノクレイ含有ポリマーマトリックスから構成されるコアおよびその均等物によって説明される実施形態に係る構成と組み合わせされて、コンピュータシステム８００に対して上述したように組み合わされ得る。
【００８５】
以上より明らかであるが、本開示に記載する実施形態は従来のコンピュータ以外のデバイスおよび装置に応用することができる。例えば、ダイを実施形態に係る構成でパッケージングして、ワイヤレス通信器などの携帯用デバイスまたは携帯情報端末（ＰＤＡ）などの手持ちデバイス内にパッケージングされたダイを載置するとしてもよい。本実施形態によると、システムの筐体がワイヤレス電話等のシェルとなり得る。別の例を挙げると、ダイを実施形態に係る構成でパッケージングして、自動車、機関車、船舶、航空機または宇宙船などの車両内にパッケージングしたダイを載置する。
【００８６】
図９は、一実施形態に係る電子システム９００を示す概略図である。図示された電子システム９００は、図８に示したコンピュータシステム８００を実施したものとしてもよいが、図９に示す当該電子システムはより一般的な例を示すとする。電子システム９００には、集積回路（ＩＣ）ダイ９１０などの電子アセンブリと共に、例えば図８に示したボード８２０である実装基板が少なくとも１つ組み込まれている。一実施形態によると、電子システム９００は、該電子システム９００の様々な構成要素を電気的に接続するシステムバス９２０を有するコンピュータシステムである。実施形態によっては、システムバス９２０は１つのバスとしてもよいし、複数のバスを組み合わせたものとしてもよい。電子システム９００は、集積回路９１０に電力を供給する電圧源９３０を有する。実施形態によっては、電圧源９３０はシステムバス９２０を介して集積回路９１０へと電流を供給する。
【００８７】
一実施形態に係る集積回路９１０は、システムバス９２０に電気的に接続され、単一の回路または複数の回路の組み合わせを含む。一実施形態によると、集積回路９１０は任意の種類のプロセッサ９１２を有する。本明細書で言及される場合、プロセッサ９１２はどのような種類の回路を意味してもよく、例えば以下に限定されないが、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、グラフィクスプロセッサ、デジタル・シグナル・プロセッサなどのプロセッサであってもよい。このほかに集積回路９１０に組み込まれ得る回路の種類としては、カスタム回路もしくはＡＳＩＣがあり、一例を挙げると、携帯電話、ポケットベル、携帯用コンピュータ、送受信可能ラジオなどの電子システムである無線デバイスで利用される通信回路９１４を組み込むとしてもよい。一実施形態によると、プロセッサ９１０はＳＲＡＭなどのオンダイメモリ９１６を有する。一実施形態によると、プロセッサ９１０はｅＤＲＡＭなどのオンダイメモリ９１６を含む。
【００８８】
一実施形態によると、電子システム９００はさらに外部メモリ９４を含む。外部メモリ９４０は、特定のアプリケーションに適したメモリ素子を１以上含むとしてもよい。該メモリ素子の例を挙げると、ＲＡＭであるメインメモリ９４２、１以上のハードドライブ９４４、および／または取外し可能な媒体９４６を取り扱う１以上のドライブがある。取外し可能な媒体９４６は、ディスケット、コンパクト・ディスク（ＣＤ）、デジタル・ビデオ・ディスク（ＤＶＤ）、フラッシュ・メモリ・キーなどの公知の取外し可能媒体である。
【００８９】
一実施形態によると、電子システム９００はさらに表示デバイス９５０および音声出力部９６０を備える。一実施形態によると、電子システム９００は入力デバイス９７０を有する。入力デバイス９７０は、キーボード、マウス、トラックボール、ゲームコントローラ、マイクロフォン、音声認識装置などの電子システム９００に情報を入力するデバイスである。
【００９０】
本明細書に記載するように、集積回路９１０は複数の異なる実施形態において実装されるとしてもよい。実施形態の例を挙げると、電子パッケージ、電子システム、コンピュータシステム、１以上の集積回路製造方法、１以上の電子アセンブリ製造方法などがあり、電子アセンブリは、ボードに実装された集積回路、および本明細書に記載した様々な実施形態に係るナノクレイ含有ポリマーマトリックスから構成されるコアおよびその均等物を有する。素子、材料、形状、寸法、および動作順序は特定のパッケージングの要件を満たすべく変更されるとしてもよい。
【００９１】
米国特許法施行規則§１．７２（ｂ）は技術内容の本質および要点を簡潔に伝えることを目的として要約を記載するよう求めており、その要件を遵守するべく要約を記載する。要約は特許請求の範囲の意味を解釈または限定するべく利用されないという理解の下、要約を記載する。
【００９２】
上述した「発明を実施するための最良の形態」では、記載を簡潔にすることを目的として、複数の様々な特徴を１つの実施形態にまとめている。このような開示方法は、保護を請求する本発明の実施形態は各請求項に明示されているよりも多くの特徴を必要とするという意図を反映するものと解釈されるべきではない。むしろ本明細書に添付の請求の範囲が反映しているのは、開示された１つの実施形態が有するすべての特徴よりも少ない特徴に、発明の主題は存在するという理解である。このため、本明細書に添付の請求の範囲は「発明を実施するための最良の形態」に組み込まれ、請求項はそれぞれが別々の好ましい実施形態として独立している。
【００９３】
本発明の本質を説明するべく記載および図示されている構成要素および方法の工程の詳細な内容、材料および配置は、本明細書に添付する請求項に記載される発明の原理および範囲を超えることなく、上記以外の方法でも変更され得ることは当業者には明らかであると理解されたい。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）基材を含むポリマーと、
粒子サイズが約９９％５０ナノメートルをパスするクレイプレートレットと
を含む組成物。
【請求項２】
前記クレイプレートレットは約１％から約１５％の範囲内で含まれる
請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記組成物は実質的にハロゲンが無い
請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記クレイプレートレットは、ベイナイト、バイデル石、ベントナイト、ヘクトライト、ケニヤイト、雲母、マガダイト、モンモリロナイト、モンモロロナイト、ノントロナイト、サポナイト、スメクタイト、バーミキュライト、ヴォルコンスキー石およびこれらのうちの少なくとも２つの組み合わせの中から選択される
請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記クレイプレートレットは、第１量のヘクトライトを含み、前記第１量未満の第２量のモンモロロナイトを含む
請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
シリカ、アルミナ、窒化シリコン、グラファイト、ダイヤモンド、およびそれらの組み合わせの中から選択される無機粒子
をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記ＢＴ基材に分散される無機粒子フィラー
をさらに含み、
前記フィラーは約１０％から約９０％の範囲内にある
請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記ＢＴ基材は少なくとも１つの第２ポリマーによって補完される
請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
前記クレイプレートレットは、略共面集合状態、略インターカレート状態および略剥離状態の中から選択される状態で、前記ＢＴ基材内で分散している
請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
前記クレイプレートレットは、粒子サイズが約９９％マイナス−２０ナノメートルをパスし、濃度が約２％から約１０％の範囲内にある
請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
前記組成物は実質的にハロゲンが無く、
前記第１プレートレットは、ベイナイト、バイデル石、ベントナイト、ヘクトライト、ケニヤイト、雲母、マガダイト、モンモリロナイト、モンモロロナイト、ノントロナイト、サポナイト、スメクタイト、バーミキュライト、ヴォルコンスキー石およびこれらのうちの少なくとも２つの組み合わせの中から選択され、
前記ＢＴ基材は少なくとも１つの第２ポリマーによって補完される
請求項１に記載の組成物。
【請求項１２】
ポリマー基材第１面とポリマー基材第２面とを有するポリマー基材と、
前記ポリマー基材内で分散しており、粒子サイズは約９９％マイナス−５０ナノメートルをパスし、濃度が約１％から約１５％の範囲内にある、クレイプレートレットと、
第１金属箔第１面と第１金属箔第２面とを有し、前記ポリマー基材第１面上に設けられる第１金属箔と
を備える製品。
【請求項１３】
前記ポリマー基材は、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）を主成分として含む
請求項１２に記載の製品。
【請求項１４】
前記ポリマー基材は、前記第１金属箔を露出させるリセスを少なくとも１つ有する
請求項１２に記載の製品。
【請求項１５】
前記第１金属箔は主成分が銅である
請求項１２に記載の製品。
【請求項１６】
前記ポリマー基材は実質的にハロゲンが無い
請求項１２に記載の製品。
【請求項１７】
前記第１金属箔に対して上方に来るように前記第１金属箔上に配設されるハンダマスク第１膜
をさらに含む、請求項１２に記載の製品。
【請求項１８】
前記ポリマー基材第２面上に配設される、第２金属箔第１面と第２金属箔第２面とを有する第２金属箔
をさらに含む、請求項１２に記載の製品。
【請求項１９】
前記ポリマー基材第２面上に配設される、第２金属箔第１面と第２金属箔第２面とを有する第２金属箔と、
前記第２金属箔に対し下方に来るように前記第２金属箔上に配設されるハンダマスク第２膜と
をさらに含む、請求項１２に記載の製品。
【請求項２０】
第１ポリマーとクレイプレートレットとを溶融混合して前記クレイプレートレットを前記第１ポリマー内で分散させることと
前記第１ポリマーおよび前記クレイプレートレットから、金属箔上にポリマー膜を形成することと
を含み、
前記クレイプレートレットは、粒子サイズが約９９％マイナス−５０ナノメートルをパスし、濃度が約１％から約１５％の範囲内である
プロセス。
【請求項２１】
溶融混合することは、前記クレイプレートレットを前記第１ポリマー内で分散させて、略共面集合状態、略インターカレート状態および略剥離状態の中から選択された状態の分散を実現することを含む
請求項２０に記載のプロセス。
【請求項２２】
溶融混合することは、主成分がビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）ポリマーである前記第１ポリマーを溶融することを含む
請求項２０に記載のプロセス。
【請求項２３】
溶融混合することは、主成分がビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）ポリマーである前記第１ポリマーを溶融することを含み、
前記第１ポリマーは、エポキシおよびポリイミドのうち少なくとも１つと溶融混合される
請求項２０に記載のプロセス。
【請求項２４】
溶融混合することは、粒子サイズが約９９％マイナス−２０ナノメートルをパスする前記クレイプレートレットを分散させることを含み、
前記クレイプレートレットは濃度が約２％から約１０％の範囲内にある
請求項２０に記載のプロセス。
【請求項２５】
モノマー、オリゴマーおよび両者の組み合わせの中から選択される第１化合物を溶解することと、
前記第１化合物とクレイプレートレットとを混合して前記第１化合物内で前記クレイプレートレットを分散させることと、
前記第１化合物を重合化して第１ポリマーを得ることと、
前記第１ポリマーおよび前記クレイプレートレットから、金属箔上にポリマー膜を形成することと
を含み、
前記クレイプレートレットは、粒子サイズが約９９％マイナス−５０ナノメートルをパスし、濃度が約１％から約１５％の範囲内にある
プロセス。
【請求項２６】
重合化することは、熱硬化、架橋および両者の組み合わせの中から選択されるプロセスを含む
請求項２５に記載のプロセス。
【請求項２７】
重合化することは、約３０％の重合化から約１００％の重合化の範囲内で前記第１化合物を重合化することを含む
請求項２５に記載のプロセス。
【請求項２８】
溶融時において、前記クレイプレートレットは、略共面集合状態、略インターカレート状態および略剥離状態の中から選択された状態の分散を実現するべく、前記第１化合物内で分散される
請求項２５に記載のプロセス。
【請求項２９】
溶解することは、主成分がビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）モノマーまたはオリゴマーである前記第１化合物を溶解することを含む
請求項２５に記載のプロセス。
【請求項３０】
溶解することは、粒子サイズが約９９％マイナス−２０ナノメートルをパスする前記クレイプレートレットを分散させることを含み、
前記クレイプレートレットは濃度が約２％から約１０％の範囲内にある
請求項２５に記載のプロセス。
【請求項３１】
ダイと、
実装基板と
前記ダイに結合されるダイナミックランダムアクセスメモリと
を備えるシステムであって、
前記実装基板は、
ポリマー基材第１面とポリマー基材第２面とを有するポリマー基材と、
前記ポリマー基材内で分散しており、粒子サイズは約９９％マイナス−５０ナノメートルをパスし、濃度が約１％から約１５％の範囲内にあるクレイプレートレットと、
第１金属箔第１面と第１金属箔第２面とを有し、前記ポリマー基材第１面上に設けられる第１金属箔と
を有するシステム。
【請求項３２】
前記ポリマー基材第２面上に配設される、第２金属箔第１面と第２金属箔第２面とを有する第２金属箔
をさらに含む、請求項３１に記載のシステム。
【請求項３３】
前記システムは、コンピュータ、無線通信器、手持ちデバイス、自動車、機関車、航空機、船舶および宇宙船のうちのいずれかに配設される
請求項３１に記載のシステム。
【請求項３４】
前記ダイは、データストレージデバイス、デジタルシグナルプロセッサ、マイクロコントローラ、特定用途向け集積回路およびマイクロプロセッサの中から選択される
請求項３１に記載のシステム。
【請求項１】
ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）基材を含むポリマーと、
粒子サイズが約９９％５０ナノメートルをパスするクレイプレートレットと
を含む組成物。
【請求項２】
前記クレイプレートレットは約１％から約１５％の範囲内で含まれる
請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記組成物は実質的にハロゲンが無い
請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記クレイプレートレットは、ベイナイト、バイデル石、ベントナイト、ヘクトライト、ケニヤイト、雲母、マガダイト、モンモリロナイト、モンモロロナイト、ノントロナイト、サポナイト、スメクタイト、バーミキュライト、ヴォルコンスキー石およびこれらのうちの少なくとも２つの組み合わせの中から選択される
請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記クレイプレートレットは、第１量のヘクトライトを含み、前記第１量未満の第２量のモンモロロナイトを含む
請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
シリカ、アルミナ、窒化シリコン、グラファイト、ダイヤモンド、およびそれらの組み合わせの中から選択される無機粒子
をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記ＢＴ基材に分散される無機粒子フィラー
をさらに含み、
前記フィラーは約１０％から約９０％の範囲内にある
請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記ＢＴ基材は少なくとも１つの第２ポリマーによって補完される
請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
前記クレイプレートレットは、略共面集合状態、略インターカレート状態および略剥離状態の中から選択される状態で、前記ＢＴ基材内で分散している
請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
前記クレイプレートレットは、粒子サイズが約９９％マイナス−２０ナノメートルをパスし、濃度が約２％から約１０％の範囲内にある
請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
前記組成物は実質的にハロゲンが無く、
前記第１プレートレットは、ベイナイト、バイデル石、ベントナイト、ヘクトライト、ケニヤイト、雲母、マガダイト、モンモリロナイト、モンモロロナイト、ノントロナイト、サポナイト、スメクタイト、バーミキュライト、ヴォルコンスキー石およびこれらのうちの少なくとも２つの組み合わせの中から選択され、
前記ＢＴ基材は少なくとも１つの第２ポリマーによって補完される
請求項１に記載の組成物。
【請求項１２】
ポリマー基材第１面とポリマー基材第２面とを有するポリマー基材と、
前記ポリマー基材内で分散しており、粒子サイズは約９９％マイナス−５０ナノメートルをパスし、濃度が約１％から約１５％の範囲内にある、クレイプレートレットと、
第１金属箔第１面と第１金属箔第２面とを有し、前記ポリマー基材第１面上に設けられる第１金属箔と
を備える製品。
【請求項１３】
前記ポリマー基材は、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）を主成分として含む
請求項１２に記載の製品。
【請求項１４】
前記ポリマー基材は、前記第１金属箔を露出させるリセスを少なくとも１つ有する
請求項１２に記載の製品。
【請求項１５】
前記第１金属箔は主成分が銅である
請求項１２に記載の製品。
【請求項１６】
前記ポリマー基材は実質的にハロゲンが無い
請求項１２に記載の製品。
【請求項１７】
前記第１金属箔に対して上方に来るように前記第１金属箔上に配設されるハンダマスク第１膜
をさらに含む、請求項１２に記載の製品。
【請求項１８】
前記ポリマー基材第２面上に配設される、第２金属箔第１面と第２金属箔第２面とを有する第２金属箔
をさらに含む、請求項１２に記載の製品。
【請求項１９】
前記ポリマー基材第２面上に配設される、第２金属箔第１面と第２金属箔第２面とを有する第２金属箔と、
前記第２金属箔に対し下方に来るように前記第２金属箔上に配設されるハンダマスク第２膜と
をさらに含む、請求項１２に記載の製品。
【請求項２０】
第１ポリマーとクレイプレートレットとを溶融混合して前記クレイプレートレットを前記第１ポリマー内で分散させることと
前記第１ポリマーおよび前記クレイプレートレットから、金属箔上にポリマー膜を形成することと
を含み、
前記クレイプレートレットは、粒子サイズが約９９％マイナス−５０ナノメートルをパスし、濃度が約１％から約１５％の範囲内である
プロセス。
【請求項２１】
溶融混合することは、前記クレイプレートレットを前記第１ポリマー内で分散させて、略共面集合状態、略インターカレート状態および略剥離状態の中から選択された状態の分散を実現することを含む
請求項２０に記載のプロセス。
【請求項２２】
溶融混合することは、主成分がビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）ポリマーである前記第１ポリマーを溶融することを含む
請求項２０に記載のプロセス。
【請求項２３】
溶融混合することは、主成分がビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）ポリマーである前記第１ポリマーを溶融することを含み、
前記第１ポリマーは、エポキシおよびポリイミドのうち少なくとも１つと溶融混合される
請求項２０に記載のプロセス。
【請求項２４】
溶融混合することは、粒子サイズが約９９％マイナス−２０ナノメートルをパスする前記クレイプレートレットを分散させることを含み、
前記クレイプレートレットは濃度が約２％から約１０％の範囲内にある
請求項２０に記載のプロセス。
【請求項２５】
モノマー、オリゴマーおよび両者の組み合わせの中から選択される第１化合物を溶解することと、
前記第１化合物とクレイプレートレットとを混合して前記第１化合物内で前記クレイプレートレットを分散させることと、
前記第１化合物を重合化して第１ポリマーを得ることと、
前記第１ポリマーおよび前記クレイプレートレットから、金属箔上にポリマー膜を形成することと
を含み、
前記クレイプレートレットは、粒子サイズが約９９％マイナス−５０ナノメートルをパスし、濃度が約１％から約１５％の範囲内にある
プロセス。
【請求項２６】
重合化することは、熱硬化、架橋および両者の組み合わせの中から選択されるプロセスを含む
請求項２５に記載のプロセス。
【請求項２７】
重合化することは、約３０％の重合化から約１００％の重合化の範囲内で前記第１化合物を重合化することを含む
請求項２５に記載のプロセス。
【請求項２８】
溶融時において、前記クレイプレートレットは、略共面集合状態、略インターカレート状態および略剥離状態の中から選択された状態の分散を実現するべく、前記第１化合物内で分散される
請求項２５に記載のプロセス。
【請求項２９】
溶解することは、主成分がビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）モノマーまたはオリゴマーである前記第１化合物を溶解することを含む
請求項２５に記載のプロセス。
【請求項３０】
溶解することは、粒子サイズが約９９％マイナス−２０ナノメートルをパスする前記クレイプレートレットを分散させることを含み、
前記クレイプレートレットは濃度が約２％から約１０％の範囲内にある
請求項２５に記載のプロセス。
【請求項３１】
ダイと、
実装基板と
前記ダイに結合されるダイナミックランダムアクセスメモリと
を備えるシステムであって、
前記実装基板は、
ポリマー基材第１面とポリマー基材第２面とを有するポリマー基材と、
前記ポリマー基材内で分散しており、粒子サイズは約９９％マイナス−５０ナノメートルをパスし、濃度が約１％から約１５％の範囲内にあるクレイプレートレットと、
第１金属箔第１面と第１金属箔第２面とを有し、前記ポリマー基材第１面上に設けられる第１金属箔と
を有するシステム。
【請求項３２】
前記ポリマー基材第２面上に配設される、第２金属箔第１面と第２金属箔第２面とを有する第２金属箔
をさらに含む、請求項３１に記載のシステム。
【請求項３３】
前記システムは、コンピュータ、無線通信器、手持ちデバイス、自動車、機関車、航空機、船舶および宇宙船のうちのいずれかに配設される
請求項３１に記載のシステム。
【請求項３４】
前記ダイは、データストレージデバイス、デジタルシグナルプロセッサ、マイクロコントローラ、特定用途向け集積回路およびマイクロプロセッサの中から選択される
請求項３１に記載のシステム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１３−４９８７１（Ｐ２０１３−４９８７１Ａ）
【公開日】平成２５年３月１４日（２０１３．３．１４）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２０１２−２６４５５４（Ｐ２０１２−２６４５５４）
【出願日】平成２４年１２月３日（２０１２．１２．３）
【分割の表示】特願２００８−５５２５１７（Ｐ２００８−５５２５１７）の分割
【原出願日】平成１９年３月３１日（２００７．３．３１）
【出願人】（５９１００３９４３）インテル・コーポレーション (1,101)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月１４日（２０１３．３．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２６４５５４（Ｐ２０１２−２６４５５４）
【出願日】平成２４年１２月３日（２０１２．１２．３）
【分割の表示】特願２００８−５５２５１７（Ｐ２００８−５５２５１７）の分割
【原出願日】平成１９年３月３１日（２００７．３．３１）
【出願人】（５９１００３９４３）インテル・コーポレーション (1,101)
【Ｆターム（参考）】
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