ミスト発生装置及び美容装置
【課題】回路基板に部品を固定させるために用いられた半田への加熱部による悪影響を低減させることができるミスト発生装置及び美容装置を提供する。
【解決手段】美顔器１０は、給水タンクから供給された水を加熱するヒーター２１と、ヒーター２１を制御する制御装置３０とを備え、水を気化させることにより生成されたスチームをハウジング１１外に放出させる。制御装置３０には、ヒーター２１に対向する第１の面３２ａと、第１の面３２ａの反対側に位置する第２の面３２ｂとを有する回路基板３２が設けられており、回路基板３２に実装される複数の部品５０のうち最も背の高い部品を、第１の面３２ａ側に設けた。
【解決手段】美顔器１０は、給水タンクから供給された水を加熱するヒーター２１と、ヒーター２１を制御する制御装置３０とを備え、水を気化させることにより生成されたスチームをハウジング１１外に放出させる。制御装置３０には、ヒーター２１に対向する第１の面３２ａと、第１の面３２ａの反対側に位置する第２の面３２ｂとを有する回路基板３２が設けられており、回路基板３２に実装される複数の部品５０のうち最も背の高い部品を、第１の面３２ａ側に設けた。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ミスト発生装置及びこれを備える美容装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、水などの液体を気化させた温ミスト（「スチーム」ともいう。）を放出するミスト発生装置として、例えば特許文献１に記載の装置が知られている。このミスト発生装置には、図７に示すように、液体を貯留する液体貯留部１００と、該液体貯留部１００から供給された液体を加熱するヒーターなどの加熱部１０１とが設けられている。また、ミスト装置を構成するハウジング１０２内には、加熱部１０１などを制御するための制御装置１０３が設けられている。
【０００３】
この制御装置１０３は、第１の面１０４が加熱部１０１に対向すると共に、第１の面１０４の反対側に位置する第２の面１０５がハウジング１０２の内面に対向するように配置された回路基板１０６を備えている。そして、回路基板１０６の第２の面１０５側には、部品の背の高さに関係なく、コンデンサ、抵抗及びコネクタなどの各種部品１１０が設けられている。そして、部品１１０が回路基板１０６に基板挿入により実装されているため、第１の面１０４には部品１１０を回路基板１０６に固定させるために用いられた半田が設けられている。なお、ここでいう「背の高さ」とは、回路基板の実装面（即ち、第１の面１０４や第２の面１０５）に直交する方向における長さのことを示している。また、「基板挿入による実装」とは、回路基板に設けられた貫通孔を挿通した部品の端子を、該部品が設けられる面（例えば、第１の面）の反対側の面（例えば、第２の面）側で半田を用いて固定させる実装方法である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１８７７６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、近年では、ミスト発生装置を備える美容装置の更なる小型化が望まれている。しかしながら、背の高い部品を第２の面１０５側に設けた回路基板１０６を搭載させる場合には、以下に示す問題が発生し得る。すなわち、美容装置の小型化に伴いハウジング１０２が小型化されるため、回路基板１０６と加熱部１０１との距離を短くする必要がある。しかも、回路基板１０６において加熱部１０１に対向する第１の面１０４には、部品１１０を回路基板１０６に固定させるための半田が設けられている。そのため、半田は、加熱部１０１との距離が近くなる分、該加熱部１０１からの熱の影響を大きく受けることになる。
【０００６】
なお、こうした問題は、ヒーターなどの加熱部を備えたミスト発生装置であれば、温ミストではなく冷ミストを発生する装置であっても同様に発生し得る。冷ミストを発生する装置では、液体貯留部から供給された液体が加熱部による加熱によって殺菌され、殺菌後の液体から冷ミストが生成される。こうした液体の殺菌用の加熱部と回路基板との距離が近いと、回路基板に各種部品を固定させるために用いられる半田は、加熱部からの熱による影響を受けやすくなる。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、回路基板に部品を固定させるために用いられた半田への加熱部による悪影響を低減させることができるミスト発生装置及び美容装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は、液体貯留部から供給された液体を加熱する加熱部と、該加熱部を制御する制御装置と、を備え、液体を気化させることにより生成されたミストを、前記加熱部及び前記制御装置が収容されるハウジング外に放出させるミスト発生装置において、前記制御装置には、前記加熱部に対向する第１の面と、前記第１の面の反対側に位置する第２の面とを有する回路基板が設けられており、前記回路基板に実装される複数の部品のうち最も背の高い部品を、前記第１の面側に設けたことを要旨とする。
【０００９】
本発明のミスト発生装置において、前記回路基板の前記第１の面側に設けられた部品は、前記回路基板に基板挿入により実装されていることが好ましい。
本発明のミスト発生装置において、前記回路基板の前記第２の面側に設けられた部品は、前記回路基板に面実装されていることが好ましい。
【００１０】
本発明のミスト発生装置において、前記回路基板の前記第２の面側には、電力供給によって発熱する電子部品が設けられていることが好ましい。
本発明のミスト発生装置において、前記回路基板の前記第２の面側には、チップ抵抗が設けられていることが好ましい。
【００１１】
本発明のミスト発生装置は、前記ハウジング内を前記加熱部が設置される領域と前記回路基板が設置される領域とに区画する区画部をさらに備え、前記回路基板の前記第１の面は、前記区画部から離れていることが好ましい。
【００１２】
本発明のミスト発生装置において、前記回路基板の前記第１の面側に設けられた部品の先端と前記区画部との間には、隙間が介在していることが好ましい。
本発明のミスト発生装置において、前記制御装置は、前記回路基板を内部に収容する収容ケースをさらに有し、前記収容ケースにおいて前記回路基板と前記加熱部との間に位置する部分が、前記区画部として機能することが好ましい。
【００１３】
本発明のミスト発生装置において、前記収容ケースは、前記回路基板の厚み方向に沿って配置される複数の分割ケース片を含んだ構成となっており、前記回路基板は、前記各分割ケース片のうち最も前記加熱部に近い位置に配置される分割ケース片以外の特定の分割ケース片に支持されていることが好ましい。
【００１４】
本発明のミスト発生装置において、前記特定の分割ケース片は、前記各分割ケース片のうち最も前記加熱部から離れた位置に位置する分割ケース片であることが好ましい。
本発明のミスト発生装置において、前記特定の分割ケース片は、前記収容ケースの前記厚み方向における中央よりも、前記加熱部から遠い位置に配置されていることが好ましい。
【００１５】
本発明のミスト発生装置において、前記特定の分割ケース片の前記厚み方向における長さは、前記特定の分割ケース片以外の他の分割ケース片の前記厚み方向における長さよりも短いことが好ましい。
【００１６】
本発明のミスト発生装置において、前記回路基板の前記第１の面は、前記回路基板の厚み方向において前記収容ケースの中央よりも前記加熱部から遠い位置に位置していることが好ましい。
【００１７】
本発明の美容装置は、上記ミスト発生装置を備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、回路基板に部品を固定させるために用いられた半田への加熱部による悪影響を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明のミスト発生装置を備える美容装置の一実施形態である美顔器を示す斜視図。
【図２】美顔器を示す断面図。
【図３】美顔器を示す断面図。
【図４】美顔器に設けられた回路基板の側面図。
【図５】回路基板の第２の面を示す平面図。
【図６】回路基板の第１の面を示す平面図。
【図７】従来のミスト発生装置を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を、ミスト発生装置を備える美容装置としての美顔器に具体化した一実施形態を図１〜図６に従って説明する。なお、以下の説明において、「前後方向」、「左右方向」、「上下方向」をいう場合には、図中における矢印に示す方向を示すものとする。
【００２１】
図１に示すように、美顔器１０における略徳利形状のハウジング１１の上端には、ハウジング１１内外を連通させる開口部１２が形成されている。そして、この開口部１２からは、ミストの一例であるスチーム（「温ミスト」ともいう。）が放出される。また、ハウジング１１の前側には、美顔器１０の駆動を開始させたり、駆動を停止させたりする際にユーザーに操作されるスイッチ１３が設けられている。
【００２２】
また、開口部１２よりも後側には、図１及び図２に示すように、液体の一例としての水を貯留する給水タンク（液体貯留部）１４が着脱可能に収容されるタンクホルダー１５が凹設されている。このタンクホルダー１５の下方には、該タンクホルダー１５内に収容された給水タンク１４から流出した水を一時貯留する一時貯留部１６が設けられている。この一時貯留部１６の下部からは、該一時貯留部１６の前側に配置されるスチーム発生機構１７に水を供給するための給水流路１８が前方に延設されている。
【００２３】
図２及び図３に示すように、スチーム発生機構１７には、ボイラーブロック２０と、該ボイラーブロック２０の左側に配置される加熱部としてのヒーター２１とが設けられている。ボイラーブロック２０の下部には、給水流路１８の下流端１８ａが接続されると共に、該給水流路１８の下流端１８ａとの連通部位から左方に向けて延びる連通路２２が形成されている。そして、給水流路１８及び連通路２２内を流動した水は、ボイラーブロック２０とヒーター２１との間に形成されたボイラー室２３内に流入する。
【００２４】
本実施形態のヒーター２１は、駆動電流の供給によって発熱しその発熱の自己制御機能を有するＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient）ヒーターである。このヒーター２１は平板状をなしており、その加熱面２１ａがボイラー室２３を介してボイラーブロック２０の対向部２０ａと対向している。そして、ボイラー室２３内に流入した水は、ヒーター２１によって加熱される。
【００２５】
ボイラー室２３の上端部からは、ボイラー室２３内で沸騰した水（即ち、スチーム）をボイラー室２３外に流出させるためのスチーム流路２４が右方に延設されている。このスチーム流路２４の下流端（右端）には、該スチーム流路２４よりも下方に位置する連通路２２と給水流路１８との連通部位に連結される還流流路２５が接続されている。この還流流路２５は上下方向に沿って延設されており、スチーム流路２４の下流端に至った時点で液体化した水は、還流流路２５を介して連通路２２側に戻される。
【００２６】
また、スチーム流路２４の下流端の上側には、放電によって、スチーム流路２４から供給されたスチームを微細化させたり、金属微粒子（例えば白金）を発生させたりするための放電部２６が設けられている。この放電部２６は、細長円柱状の一対の第１電極部２６ａを備えている。これら両第１電極部２６ａは、それらの先端同士が対向するようにそれぞれ配置されている。また、両第１電極部２６ａの間には、上下方向に沿って配置される細長円柱状の第２電極部２６ｂが設けられている。この第２電極部２６ｂは、白金含有の金属部材にて構成されている。そして、第２電極部２６ｂと第１電極部２６ａとの間で放電させることにより、放電部２６内に供給されたスチームが微細化されると共に、金属微粒子が発生する。その後、放電部２６を通過したスチーム（及び金属微粒子）は、放電部２６の上方に配置される放出部２７及びハウジング１１の開口部１２を介してハウジング１１外に放出される。
【００２７】
また、図３に示すように、ハウジング１１内の右側には、美顔器１０を統括的に制御する制御装置３０が設けられている。この制御装置３０は、ボイラーブロック２０を介してヒーター２１の加熱面２１ａと対向するように配置されている。
【００２８】
本実施形態の制御装置３０は、複数種類の部品５０（５０Ａ，５０Ｂ）が実装される回路基板３２と、回路基板３２を収容する収容ケース４０とを備えている。この収容ケース４０内において、回路基板３２は、ヒーター２１の加熱面２１ａに対向する第１の面３２ａと、第１の面３２ａの反対側に位置する第２の面３２ｂとを有している。つまり、本実施形態では、回路基板３２は、その厚み方向が左右方向と一致するように配置されている。
【００２９】
収容ケース４０は、左右方向に沿って配置される複数（本実施形態では２つ）の分割ケース片４１，４２を含んだ構成となっている。これら各分割ケース片４１，４２は、ポリカーボネート（ＰＣ）及びＡＢＳ樹脂などの耐熱性に優れた材料によって構成されている。各分割ケース片４１，４２のうちヒーター２１に近い位置に配置される第１の分割ケース片４１は、有底略四角筒状をなしており、第１底壁部４１ａと、該第１底壁部４１ａの右側に位置する四角筒状の第１筒状部４１ｂとを有している。この第１筒状部４１ｂの先端４１ｃ（即ち、右端）は、収容ケース４０の左右方向における中央を示す中央線Ｌ１よりも右側（即ち、ヒーター２１から離れた側）に位置している。また、第１筒状部４１ｂの外側面において先端４１ｃ近傍には、外側に突出する係止用凸部４１ｄが形成されている。
【００３０】
また、第１底壁部４１ａは、ハウジング１１内を、ヒーター２１が設置される領域と回路基板３２が設置される領域とに区画するように位置している。つまり、第１底壁部４１ａは、ヒーター２１と回路基板３２との間に位置している。したがって、本実施形態では、第１の分割ケース片４１の第１底壁部４１ａが、区画部として機能する。
【００３１】
一方、各分割ケース片４１，４２のうちヒーター２１から最も離れた位置に配置される第２の分割ケース片（特定の分割ケース片）４２は、有底略四角筒状をなしている。具体的には、第２の分割ケース片４２は、回路基板３２の第２の面３２ｂに対向する第２底壁部４２ａと、該第２底壁部４２ａの左側に位置する四角筒状の第２筒状部４２ｂとを有している。この第２筒状部４２ｂは、その内側面が第１筒状部４１ｂの外側面と対向するように形成されている。また、第２筒状部４２ｂの内側面には、第１筒状部４１ｂの外側面に形成された係止用凸部４１ｄを係止する係止用爪部４２ｃが形成されている。そして、第１の分割ケース片４１の係止用凸部４１ｄに係止用爪部４２ｃが係止されると、各分割ケース片４１，４２によって回路基板３２を収容する空間４３が、ほぼ密閉された状態になる。なお、第１の分割ケース片４１に組み付けられた第２の分割ケース片４２の第２筒状部４２ｂの先端は、中央線Ｌ１よりも右側（ヒーター２１から遠い位置）に位置している。
【００３２】
また、第２の分割ケース片４２は、回路基板３２を支持している。例えば、回路基板３２は、第２の分割ケース片４２の第２筒状部４２ｂに嵌入されている。このように第２の分割ケース片４２に支持される回路基板３２の第１の面３２ａは、第１の分割ケース片４１の第１底壁部４１ａから離間している。さらに、回路基板３２の第１の面３２ａ側に設けられた各部品５０Ａ（５０）の先端（即ち、左端）と第１底壁部４１ａとの間には、隙間４４が介在している。
【００３３】
同様に、回路基板３２の第２の面３２ｂは、第２の分割ケース片４２の第２底壁部４２ａから離間している。また、回路基板３２の第２の面３２ｂ側に設けられた各部品５０Ｂ（５０）の先端（即ち、右端）と第２底壁部４２ａとの間には、隙間４５が介在している。
【００３４】
次に、本実施形態の回路基板３２について、図４〜図６を参照して説明する。
図４に示すように、回路基板３２の各面３２ａ，３２ｂには、部品５０Ａ，５０Ｂ（５０）がそれぞれ設けられている。なお、以降の記載において、各種部品５０のうち第１の面３２ａ側に設けられる部品のことを「第１の部品５０Ａ」といい、第２の面３２ｂ側に設けられる部品のことを「第２の部品５０Ｂ」というものとする。
【００３５】
図４及び図５に示すように、第１の面３２ａには、回路基板３２に実装される全ての部品５０のうち最も背の高い部品を含んだ複数種類の第１の部品５０Ａが設けられている。第１の部品５０Ａとしては、例えば、コンデンサなどの電子部品及びコネクタなどが挙げられる。また、全ての第１の部品５０Ａは、回路基板３２に対して基板挿入により実装されている。そのため、第１の面３２ａには、第１の部品５０Ａを回路基板３２に固定させるための半田が設けられていない。なお、本実施形態において「背の高さ」とは、回路基板３２の実装面（第１の面３２ａ及び第２の面３２ｂ）に直交する方向（即ち、左右方向）における部品の長さのことを示している。
【００３６】
一方、第２の面３２ｂには、図４及び図６に示すように、回路基板３２に実装される全ての部品５０のうち第１の部品５０Ａと比較して背の低い第２の部品５０Ｂが設けられている。第２の部品５０Ｂとしては、例えば、電流が流れることにより自身で発熱する発熱部品である抵抗が挙げられる。また、回路基板３２にマイクロコンピューターを実装する場合には、発熱部品となるマイクロコンピューターを第２の部品５０Ｂとして第２の面３２ｂ側に設けることが好ましい。こうした全ての第２の部品５０Ｂは、回路基板３２に対して面実装（「表面実装」ともいう。）されている。例えば、第２の部品５０Ｂの一例である抵抗は、チップ抵抗である。なお、本実施形態では、回路基板３２に実装される全ての抵抗は、ヒーター２１に対向することを回避するために、第２の面３２ｂ側に設けられている。
【００３７】
次に、ヒーター２１で発生した熱の回路基板３２への影響について説明する。
さて、ヒーター２１で発生した熱は、制御装置３０との間に介在する空気などを介して収容ケース４０に伝達される。この際、収容ケース４０においてヒーター２１に最も近い第１の分割ケース片４１の第１底壁部４１ａが最も高温となる。そして、第１底壁部４１ａによって受熱された熱は、第１筒状部４１ｂ、第２筒状部４２ｂ、第２底壁部４２ａと徐々に伝わっていく。本実施形態では、収容ケース４０内に収容される回路基板３２は、第２筒状部４２ｂに支持されている。そのため、回路基板３２には、第２筒状部４２ｂによって受熱された熱の一部が伝達される。
【００３８】
ここで、回路基板３２の支持方法としては、第２筒状部４２ｂではなく第１筒状部４１ｂに支持させる方法が考えられる。この場合、回路基板３２は、第１筒状部４１ｂによって受熱された熱の一部が伝達されることになる。第１筒状部４１ｂは、ヒーター２１からの熱の伝達経路において第２筒状部４２ｂよりも上流側に位置している。そのため、第１筒状部４１ｂの受熱量は、第２筒状部４２ｂの受熱量よりも多く、結果として、回路基板３２が温度上昇しやすい。この点、本実施形態では、回路基板３２は、第２筒状部４２ｂに支持されている。そのため、回路基板３２を第１筒状部４１ｂに支持させる場合と比較して、回路基板３２の受熱量を少なくでき、回路基板３２の温度上昇が抑制される。
【００３９】
また、本実施形態では、回路基板３２に実装される各部品５０のうち最も背の高い部品を第１の面３２ａ側に設けている。そのため、全ての部品を第２の面３２ｂ側に設ける従来の場合と比較して、ヒーター２１と回路基板３２との間の距離が長くなり、該回路基板３２の温度上昇が抑制される。
【００４０】
しかも、回路基板３２の第１の面３２ａは、収容ケース４０の左右方向における中央を示す中央線Ｌ１よりもヒーター２１から遠い位置に位置している。さらに、第１の面３２ａ及び該第１の面３２ａ側に設けられる第１の部品５０Ａは、収容ケース４０のうち最も高温となる第１底壁部４１ａから離れている。つまり、回路基板３２及び第１の部品５０Ａには、第１底壁部４１ａとの間に介在する空気を介して熱が伝達されるものの、第１底壁部４１ａから熱が直接伝達されない。そのため、回路基板３２及び第１の部品５０Ａの温度上昇が抑制される。
【００４１】
また、回路基板３２に実装される部品５０の中には、電力供給によって自身が発熱する発熱部品（例えば、抵抗）が含まれている。本実施形態では、こうした発熱部品は、第２の部品５０Ｂとして第２の面３２ｂ側に設けられている。つまり、発熱部品は、ヒーター２１に対向していない。そのため、発熱部品が第１の面３２ａ側に設けられる場合と比較して、発熱部品の過度の温度上昇が抑制される。
【００４２】
回路基板３２において温度上昇及び温度変化に対して最も弱い箇所は、部品５０を回路基板３２に固定させる際に用いられる半田である。本実施形態では、第１の部品５０Ａは回路基板３２に基板挿入により実装されると共に、第２の部品５０Ｂは回路基板３２に面実装されている。つまり、第１の面３２ａには半田が設けられていない。そのため、半田を第１の面３２ａ側に設ける場合と比較して、半田に加わるストレスが低減される。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
（１）回路基板３２に実装される全ての部品５０のうち最も背の高い部品が第１の部品５０Ａとして第１の面３２ａ側に設けられている。そのため、全ての部品が第２の面側に設けられる従来の場合と比較して、回路基板３２を、ヒーター２１から離れた位置に配置することができる。その結果、ヒーター２１からの受熱に基づく回路基板３２の温度上昇を抑制できる。したがって、回路基板３２に各部品５０（５０Ａ，５０Ｂ）を固定させるために用いられた半田を上記従来の場合よりもヒーター２１から離して配置できる分、半田へのヒーター２１による悪影響を低減させることができる。
【００４４】
（２）しかも、第１の面３２ａ側に設けられる各第１の部品５０Ａは、回路基板３２に基板挿入により実装されている。つまり、第１の部品５０Ａを回路基板３２に固定させるための半田は、第２の面３２ｂ側に設けられている。そのため、第１の部品５０Ａが回路基板３２に面実装される場合と比較して、第１の部品５０Ａを回路基板３２に固定させるための半田をヒーター２１に対向させない分、該半田に加わるストレスを低減させることができる。
【００４５】
（３）また、第２の面３２ｂ側に設けられる各第２の部品５０Ｂは、回路基板３２に面実装されている。そのため、第２の部品５０Ｂが回路基板３２に基板挿入により実装される場合と比較して、第２の部品５０Ｂを回路基板３２に固定させるための半田をヒーター２１に対向させない分、該半田に加わるストレスを低減させることができる。
【００４６】
（４）本実施形態では、電力供給によって発熱する抵抗などの発熱部品は、ヒーター２１に対向しない第２の面３２ｂ側に設けられている。そのため、発熱部品を第１の面３２ａ側に設ける場合と比較して、発熱部品の過度の温度上昇を抑制することができる。
【００４７】
（５）ハウジング１１内において、ヒーター２１が設けられる領域と、回路基板３２が設けられる領域との間には、収容ケース４０の第１底壁部４１ａが配置されている。そのため、各領域間に第１底壁部４１ａを設けない場合と比較して、ヒーター２１で発生した熱を、回路基板３２に伝わりにくくすることができ、ひいては回路基板３２の温度上昇を抑制することができる。
【００４８】
（６）また、回路基板３２の第１の面３２ａは、第１底壁部４１ａから離間している。そのため、第１の面３２ａが第１底壁部４１ａに直接接触する場合と比較して、第１底壁部４１ａによって受熱された熱を、回路基板３２に伝わりにくくすることができ、ひいては回路基板３２の温度上昇を抑制することができる。
【００４９】
（７）さらに、第１の面３２ａ側に設けられる第１の部品５０Ａの先端は、第１底壁部４１ａから離間している。そのため、第１の部品５０Ａの先端が第１底壁部４１ａと接触する場合と比較して、第１底壁部４１ａから回路基板３２を離して配置することができる。その結果、第１底壁部４１ａと回路基板３２の第１の面３２ａとの間の空気層を厚くできる分、回路基板３２の温度上昇を抑制することができる。
【００５０】
（８）本実施形態の回路基板３２は、収容ケース４０によって略密閉された空間４３内に設けられている。そのため、回路基板３２の防水性を向上させることができる。
（９）回路基板３２は、収容ケース４０を構成する各分割ケース片４１，４２のうち、ヒーター２１から最も離れた位置に位置する第２の分割ケース片４２に支持されている。そのため、回路基板３２を第１の分割ケース片４１に支持させる場合と比較して、回路基板３２に熱が伝わりにくくなり、該回路基板３２の温度上昇を抑制することができる。
【００５１】
（１０）回路基板３２の第１の面３２ａは、収容ケース４０の左右方向における中央よりもヒーター２１から離れた位置に位置している。そのため、第１の面３２ａが収容ケース４０の左右方向における中央よりもヒーター２１に近い位置に位置する場合と比較して、第１底壁部４１ａと回路基板３２との間の空気層を厚くできる分、回路基板３２の温度上昇を抑制することができる。
【００５２】
（１１）また、各分割ケース片４１，４２のうち、回路基板３２を支持する第２の分割ケース片４２よりもヒーター２１に近い位置に位置する第１の分割ケース片４１の厚みは、第２の分割ケース片４２よりも厚い。つまり、第１の分割ケース片４１の熱容量は、第２の分割ケース片４２の熱容量よりも多い。そのため、第１の分割ケース片４１の熱容量が第２の分割ケース片４２の熱容量と同等以下である場合と比較して、第２の分割ケース片４２には、第１の分割ケース片４１側から伝達される熱量が少なくなる。その結果、第２の分割ケース片４２によって支持される回路基板３２に伝達される熱量が少なくなり、該回路基板３２の温度上昇を抑制することができる。
【００５３】
（１２）また、本実施形態では、第２の面３２ｂ側に設けられる第２の部品５０Ｂは、第２底壁部４２ａに接触していない。そのため、第２の部品５０Ｂが第２底壁部４２ａと接触する場合と比較して、第２の分割ケース片４２から回路基板３２に熱が伝わりにくい。その結果、回路基板３２の温度上昇を抑制することができる。
【００５４】
なお、本実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・実施形態において、第２の分割ケース片４２は、各第２の部品５０Ｂのうち少なくとも一つの第２の部品の先端が第２底壁部４２ａに接触するように回路基板３２を支持してもよい。
【００５５】
・実施形態において、第２の分割ケース片４２は、断熱部材を介して回路基板３２を支持してもよい。
・実施形態において、回路基板３２を、第２の分割ケース片４２に支持されるのであれば、第１の面３２ａが左右方向において収容ケース４０の中央よりもヒーター２１に近い位置に位置するように配置してもよい。この場合、第２の分割ケース片４２は、支持機構を介して回路基板３２を支持してもよい。
【００５６】
・実施形態において、第２の分割ケース片４２の左右方向における長さ（即ち、厚み）を、第１の分割ケース片４１の左右方向における長さ（即ち、厚み）以上としてもよい。
・実施形態において、回路基板３２の第１の面３２ａが中央線Ｌ１よりもヒーター２１から遠い位置に位置するのであれば、回路基板３２を第１の分割ケース片４１に支持させてもよい。
【００５７】
・実施形態において、各分割ケース片４１，４２の当接部分の間には、分割ケース片を構成する部材よりも断熱性の高いシール材を介在させてもよい。
・実施形態において、収容ケース４０を、左右方向に沿って配置される３つ以上の任意数の分割ケース片で構成してもよい。この場合、各分割ケース片のうち最もヒーター２１に近い位置に配置される分割ケース片及び最もヒーター２１から離れた位置に配置される分割ケース片以外の分割ケース片を、回路基板３２を支持する特定の分割ケース片としてもよい。このように構成しても、回路基板３２を、最もヒーター２１に近い位置に配置される分割ケース片に支持させる場合と比較して、回路基板３２の温度上昇を抑制することができる。
【００５８】
・実施形態において、収容ケース４０を、電磁シールド性を有する材料（例えば、金属）で被覆してもよい。この場合、収容ケース４０内に収容される回路基板３２に実装された電子部品から発生する電磁波が収容ケース４０外に漏れ出ることを抑制することができる。
【００５９】
・実施形態において、各第１の部品５０Ａのうち少なくとも一つの部品の先端が第１底壁部４１ａに接触するように、回路基板３２を収容ケース４０内に配置してもよい。
・実施形態において、第１の面３２ａが第１底壁部４１ａに接触するように、回路基板３２を収容ケース４０内に配置してもよい。この場合、第１底壁部４１ａには、第１の部品５０Ａを収容ケース４０外に突出させるための貫通孔を設けることが好ましい。
【００６０】
・実施形態において、ヒーター２１が設けられる領域と、回路基板３２が設けられる領域とを区画するための区画部を、収容ケース４０とは別途設けてもよい。この場合の区画部は、平板状をなす区画板であってもよい。また、こうした区画板を設けた場合には、回路基板３２を収容する収容ケース４０を設けなくてもよい。
【００６１】
・実施形態において、ヒーター２１が設けられる領域と、回路基板３２が設けられる領域とを区画するための区画部を設けなくてもよい。
・実施形態において、第２の面３２ｂ側に設けられる各第２の部品５０Ｂのうち少なくとも一つを、回路基板３２に対して基板挿入により実装する部品としてもよい。例えば、第２の面３２ｂ側に第２の部品５０Ｂとして設けられる抵抗を、チップ抵抗としなくてもよい。
【００６２】
・実施形態において、回路基板３２に実装される各抵抗のうち少なくとも一つを、第１の面３２ａ側に設けてもよい。この場合、第１の面３２ａ側に設けられる抵抗は、回路基板３２に基板挿入により実装可能な抵抗であることが好ましい。
【００６３】
・実施形態において、回路基板３２に実装される全ての部品５０を、第１の面３２ａ側に設けてもよい。
・実施形態において、各部品５０のうち最も背の高い部品のみを第１の面３２ａ側に設け、それ以外の他の部品を第２の面３２ｂ側に設けてもよい。
【００６４】
・実施形態において、給水タンク１４から供給させる液体を、水以外の任意の液体としてもよい。液体としては、例えば、アルカリイオン水、美容液を含んだ水、電解水、芳香剤を含んだ水などが挙げられる。
【００６５】
・本発明のミスト発生装置を、液体を加熱する加熱部を備えた構成であれば、スチームではなく冷ミストを発生可能な装置に具体化してもよい。冷ミストを発生する装置では、液体貯留部から供給された液体が加熱部による加熱によって殺菌され、殺菌後の液体から冷ミストが生成される。また、冷ミストを発生させる方法としては、ベンチュリー効果を利用する方法や超音波を利用する方法などが挙げられる。
【００６６】
・また、ミスト発生装置は、スチーム及び冷ミストの両方を発生可能な装置であってもよい。
・本発明のミスト発生装置を、美顔器１０以外の他の任意の装置（例えば、ミストドライヤーや加湿器等）に具体化してもよい。
【符号の説明】
【００６７】
１０…美容装置としての美顔器（ミスト発生装置）、１１…ハウジング、１１ａ…内面、１４…液体貯留手段としての給水タンク、２１…加熱部としてのヒーター、３０…制御装置、３２…回路基板、３２ａ…第１の面、３２ｂ…第２の面、４０…収容ケース、４１…第１の分割ケース片、４１ａ…区画部としての第１底壁部、４２…特定の分割ケース片としての第２の分割ケース片、４４…隙間、５０，５０Ａ，５０Ｂ…部品。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ミスト発生装置及びこれを備える美容装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、水などの液体を気化させた温ミスト（「スチーム」ともいう。）を放出するミスト発生装置として、例えば特許文献１に記載の装置が知られている。このミスト発生装置には、図７に示すように、液体を貯留する液体貯留部１００と、該液体貯留部１００から供給された液体を加熱するヒーターなどの加熱部１０１とが設けられている。また、ミスト装置を構成するハウジング１０２内には、加熱部１０１などを制御するための制御装置１０３が設けられている。
【０００３】
この制御装置１０３は、第１の面１０４が加熱部１０１に対向すると共に、第１の面１０４の反対側に位置する第２の面１０５がハウジング１０２の内面に対向するように配置された回路基板１０６を備えている。そして、回路基板１０６の第２の面１０５側には、部品の背の高さに関係なく、コンデンサ、抵抗及びコネクタなどの各種部品１１０が設けられている。そして、部品１１０が回路基板１０６に基板挿入により実装されているため、第１の面１０４には部品１１０を回路基板１０６に固定させるために用いられた半田が設けられている。なお、ここでいう「背の高さ」とは、回路基板の実装面（即ち、第１の面１０４や第２の面１０５）に直交する方向における長さのことを示している。また、「基板挿入による実装」とは、回路基板に設けられた貫通孔を挿通した部品の端子を、該部品が設けられる面（例えば、第１の面）の反対側の面（例えば、第２の面）側で半田を用いて固定させる実装方法である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１８７７６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、近年では、ミスト発生装置を備える美容装置の更なる小型化が望まれている。しかしながら、背の高い部品を第２の面１０５側に設けた回路基板１０６を搭載させる場合には、以下に示す問題が発生し得る。すなわち、美容装置の小型化に伴いハウジング１０２が小型化されるため、回路基板１０６と加熱部１０１との距離を短くする必要がある。しかも、回路基板１０６において加熱部１０１に対向する第１の面１０４には、部品１１０を回路基板１０６に固定させるための半田が設けられている。そのため、半田は、加熱部１０１との距離が近くなる分、該加熱部１０１からの熱の影響を大きく受けることになる。
【０００６】
なお、こうした問題は、ヒーターなどの加熱部を備えたミスト発生装置であれば、温ミストではなく冷ミストを発生する装置であっても同様に発生し得る。冷ミストを発生する装置では、液体貯留部から供給された液体が加熱部による加熱によって殺菌され、殺菌後の液体から冷ミストが生成される。こうした液体の殺菌用の加熱部と回路基板との距離が近いと、回路基板に各種部品を固定させるために用いられる半田は、加熱部からの熱による影響を受けやすくなる。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、回路基板に部品を固定させるために用いられた半田への加熱部による悪影響を低減させることができるミスト発生装置及び美容装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は、液体貯留部から供給された液体を加熱する加熱部と、該加熱部を制御する制御装置と、を備え、液体を気化させることにより生成されたミストを、前記加熱部及び前記制御装置が収容されるハウジング外に放出させるミスト発生装置において、前記制御装置には、前記加熱部に対向する第１の面と、前記第１の面の反対側に位置する第２の面とを有する回路基板が設けられており、前記回路基板に実装される複数の部品のうち最も背の高い部品を、前記第１の面側に設けたことを要旨とする。
【０００９】
本発明のミスト発生装置において、前記回路基板の前記第１の面側に設けられた部品は、前記回路基板に基板挿入により実装されていることが好ましい。
本発明のミスト発生装置において、前記回路基板の前記第２の面側に設けられた部品は、前記回路基板に面実装されていることが好ましい。
【００１０】
本発明のミスト発生装置において、前記回路基板の前記第２の面側には、電力供給によって発熱する電子部品が設けられていることが好ましい。
本発明のミスト発生装置において、前記回路基板の前記第２の面側には、チップ抵抗が設けられていることが好ましい。
【００１１】
本発明のミスト発生装置は、前記ハウジング内を前記加熱部が設置される領域と前記回路基板が設置される領域とに区画する区画部をさらに備え、前記回路基板の前記第１の面は、前記区画部から離れていることが好ましい。
【００１２】
本発明のミスト発生装置において、前記回路基板の前記第１の面側に設けられた部品の先端と前記区画部との間には、隙間が介在していることが好ましい。
本発明のミスト発生装置において、前記制御装置は、前記回路基板を内部に収容する収容ケースをさらに有し、前記収容ケースにおいて前記回路基板と前記加熱部との間に位置する部分が、前記区画部として機能することが好ましい。
【００１３】
本発明のミスト発生装置において、前記収容ケースは、前記回路基板の厚み方向に沿って配置される複数の分割ケース片を含んだ構成となっており、前記回路基板は、前記各分割ケース片のうち最も前記加熱部に近い位置に配置される分割ケース片以外の特定の分割ケース片に支持されていることが好ましい。
【００１４】
本発明のミスト発生装置において、前記特定の分割ケース片は、前記各分割ケース片のうち最も前記加熱部から離れた位置に位置する分割ケース片であることが好ましい。
本発明のミスト発生装置において、前記特定の分割ケース片は、前記収容ケースの前記厚み方向における中央よりも、前記加熱部から遠い位置に配置されていることが好ましい。
【００１５】
本発明のミスト発生装置において、前記特定の分割ケース片の前記厚み方向における長さは、前記特定の分割ケース片以外の他の分割ケース片の前記厚み方向における長さよりも短いことが好ましい。
【００１６】
本発明のミスト発生装置において、前記回路基板の前記第１の面は、前記回路基板の厚み方向において前記収容ケースの中央よりも前記加熱部から遠い位置に位置していることが好ましい。
【００１７】
本発明の美容装置は、上記ミスト発生装置を備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、回路基板に部品を固定させるために用いられた半田への加熱部による悪影響を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明のミスト発生装置を備える美容装置の一実施形態である美顔器を示す斜視図。
【図２】美顔器を示す断面図。
【図３】美顔器を示す断面図。
【図４】美顔器に設けられた回路基板の側面図。
【図５】回路基板の第２の面を示す平面図。
【図６】回路基板の第１の面を示す平面図。
【図７】従来のミスト発生装置を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を、ミスト発生装置を備える美容装置としての美顔器に具体化した一実施形態を図１〜図６に従って説明する。なお、以下の説明において、「前後方向」、「左右方向」、「上下方向」をいう場合には、図中における矢印に示す方向を示すものとする。
【００２１】
図１に示すように、美顔器１０における略徳利形状のハウジング１１の上端には、ハウジング１１内外を連通させる開口部１２が形成されている。そして、この開口部１２からは、ミストの一例であるスチーム（「温ミスト」ともいう。）が放出される。また、ハウジング１１の前側には、美顔器１０の駆動を開始させたり、駆動を停止させたりする際にユーザーに操作されるスイッチ１３が設けられている。
【００２２】
また、開口部１２よりも後側には、図１及び図２に示すように、液体の一例としての水を貯留する給水タンク（液体貯留部）１４が着脱可能に収容されるタンクホルダー１５が凹設されている。このタンクホルダー１５の下方には、該タンクホルダー１５内に収容された給水タンク１４から流出した水を一時貯留する一時貯留部１６が設けられている。この一時貯留部１６の下部からは、該一時貯留部１６の前側に配置されるスチーム発生機構１７に水を供給するための給水流路１８が前方に延設されている。
【００２３】
図２及び図３に示すように、スチーム発生機構１７には、ボイラーブロック２０と、該ボイラーブロック２０の左側に配置される加熱部としてのヒーター２１とが設けられている。ボイラーブロック２０の下部には、給水流路１８の下流端１８ａが接続されると共に、該給水流路１８の下流端１８ａとの連通部位から左方に向けて延びる連通路２２が形成されている。そして、給水流路１８及び連通路２２内を流動した水は、ボイラーブロック２０とヒーター２１との間に形成されたボイラー室２３内に流入する。
【００２４】
本実施形態のヒーター２１は、駆動電流の供給によって発熱しその発熱の自己制御機能を有するＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient）ヒーターである。このヒーター２１は平板状をなしており、その加熱面２１ａがボイラー室２３を介してボイラーブロック２０の対向部２０ａと対向している。そして、ボイラー室２３内に流入した水は、ヒーター２１によって加熱される。
【００２５】
ボイラー室２３の上端部からは、ボイラー室２３内で沸騰した水（即ち、スチーム）をボイラー室２３外に流出させるためのスチーム流路２４が右方に延設されている。このスチーム流路２４の下流端（右端）には、該スチーム流路２４よりも下方に位置する連通路２２と給水流路１８との連通部位に連結される還流流路２５が接続されている。この還流流路２５は上下方向に沿って延設されており、スチーム流路２４の下流端に至った時点で液体化した水は、還流流路２５を介して連通路２２側に戻される。
【００２６】
また、スチーム流路２４の下流端の上側には、放電によって、スチーム流路２４から供給されたスチームを微細化させたり、金属微粒子（例えば白金）を発生させたりするための放電部２６が設けられている。この放電部２６は、細長円柱状の一対の第１電極部２６ａを備えている。これら両第１電極部２６ａは、それらの先端同士が対向するようにそれぞれ配置されている。また、両第１電極部２６ａの間には、上下方向に沿って配置される細長円柱状の第２電極部２６ｂが設けられている。この第２電極部２６ｂは、白金含有の金属部材にて構成されている。そして、第２電極部２６ｂと第１電極部２６ａとの間で放電させることにより、放電部２６内に供給されたスチームが微細化されると共に、金属微粒子が発生する。その後、放電部２６を通過したスチーム（及び金属微粒子）は、放電部２６の上方に配置される放出部２７及びハウジング１１の開口部１２を介してハウジング１１外に放出される。
【００２７】
また、図３に示すように、ハウジング１１内の右側には、美顔器１０を統括的に制御する制御装置３０が設けられている。この制御装置３０は、ボイラーブロック２０を介してヒーター２１の加熱面２１ａと対向するように配置されている。
【００２８】
本実施形態の制御装置３０は、複数種類の部品５０（５０Ａ，５０Ｂ）が実装される回路基板３２と、回路基板３２を収容する収容ケース４０とを備えている。この収容ケース４０内において、回路基板３２は、ヒーター２１の加熱面２１ａに対向する第１の面３２ａと、第１の面３２ａの反対側に位置する第２の面３２ｂとを有している。つまり、本実施形態では、回路基板３２は、その厚み方向が左右方向と一致するように配置されている。
【００２９】
収容ケース４０は、左右方向に沿って配置される複数（本実施形態では２つ）の分割ケース片４１，４２を含んだ構成となっている。これら各分割ケース片４１，４２は、ポリカーボネート（ＰＣ）及びＡＢＳ樹脂などの耐熱性に優れた材料によって構成されている。各分割ケース片４１，４２のうちヒーター２１に近い位置に配置される第１の分割ケース片４１は、有底略四角筒状をなしており、第１底壁部４１ａと、該第１底壁部４１ａの右側に位置する四角筒状の第１筒状部４１ｂとを有している。この第１筒状部４１ｂの先端４１ｃ（即ち、右端）は、収容ケース４０の左右方向における中央を示す中央線Ｌ１よりも右側（即ち、ヒーター２１から離れた側）に位置している。また、第１筒状部４１ｂの外側面において先端４１ｃ近傍には、外側に突出する係止用凸部４１ｄが形成されている。
【００３０】
また、第１底壁部４１ａは、ハウジング１１内を、ヒーター２１が設置される領域と回路基板３２が設置される領域とに区画するように位置している。つまり、第１底壁部４１ａは、ヒーター２１と回路基板３２との間に位置している。したがって、本実施形態では、第１の分割ケース片４１の第１底壁部４１ａが、区画部として機能する。
【００３１】
一方、各分割ケース片４１，４２のうちヒーター２１から最も離れた位置に配置される第２の分割ケース片（特定の分割ケース片）４２は、有底略四角筒状をなしている。具体的には、第２の分割ケース片４２は、回路基板３２の第２の面３２ｂに対向する第２底壁部４２ａと、該第２底壁部４２ａの左側に位置する四角筒状の第２筒状部４２ｂとを有している。この第２筒状部４２ｂは、その内側面が第１筒状部４１ｂの外側面と対向するように形成されている。また、第２筒状部４２ｂの内側面には、第１筒状部４１ｂの外側面に形成された係止用凸部４１ｄを係止する係止用爪部４２ｃが形成されている。そして、第１の分割ケース片４１の係止用凸部４１ｄに係止用爪部４２ｃが係止されると、各分割ケース片４１，４２によって回路基板３２を収容する空間４３が、ほぼ密閉された状態になる。なお、第１の分割ケース片４１に組み付けられた第２の分割ケース片４２の第２筒状部４２ｂの先端は、中央線Ｌ１よりも右側（ヒーター２１から遠い位置）に位置している。
【００３２】
また、第２の分割ケース片４２は、回路基板３２を支持している。例えば、回路基板３２は、第２の分割ケース片４２の第２筒状部４２ｂに嵌入されている。このように第２の分割ケース片４２に支持される回路基板３２の第１の面３２ａは、第１の分割ケース片４１の第１底壁部４１ａから離間している。さらに、回路基板３２の第１の面３２ａ側に設けられた各部品５０Ａ（５０）の先端（即ち、左端）と第１底壁部４１ａとの間には、隙間４４が介在している。
【００３３】
同様に、回路基板３２の第２の面３２ｂは、第２の分割ケース片４２の第２底壁部４２ａから離間している。また、回路基板３２の第２の面３２ｂ側に設けられた各部品５０Ｂ（５０）の先端（即ち、右端）と第２底壁部４２ａとの間には、隙間４５が介在している。
【００３４】
次に、本実施形態の回路基板３２について、図４〜図６を参照して説明する。
図４に示すように、回路基板３２の各面３２ａ，３２ｂには、部品５０Ａ，５０Ｂ（５０）がそれぞれ設けられている。なお、以降の記載において、各種部品５０のうち第１の面３２ａ側に設けられる部品のことを「第１の部品５０Ａ」といい、第２の面３２ｂ側に設けられる部品のことを「第２の部品５０Ｂ」というものとする。
【００３５】
図４及び図５に示すように、第１の面３２ａには、回路基板３２に実装される全ての部品５０のうち最も背の高い部品を含んだ複数種類の第１の部品５０Ａが設けられている。第１の部品５０Ａとしては、例えば、コンデンサなどの電子部品及びコネクタなどが挙げられる。また、全ての第１の部品５０Ａは、回路基板３２に対して基板挿入により実装されている。そのため、第１の面３２ａには、第１の部品５０Ａを回路基板３２に固定させるための半田が設けられていない。なお、本実施形態において「背の高さ」とは、回路基板３２の実装面（第１の面３２ａ及び第２の面３２ｂ）に直交する方向（即ち、左右方向）における部品の長さのことを示している。
【００３６】
一方、第２の面３２ｂには、図４及び図６に示すように、回路基板３２に実装される全ての部品５０のうち第１の部品５０Ａと比較して背の低い第２の部品５０Ｂが設けられている。第２の部品５０Ｂとしては、例えば、電流が流れることにより自身で発熱する発熱部品である抵抗が挙げられる。また、回路基板３２にマイクロコンピューターを実装する場合には、発熱部品となるマイクロコンピューターを第２の部品５０Ｂとして第２の面３２ｂ側に設けることが好ましい。こうした全ての第２の部品５０Ｂは、回路基板３２に対して面実装（「表面実装」ともいう。）されている。例えば、第２の部品５０Ｂの一例である抵抗は、チップ抵抗である。なお、本実施形態では、回路基板３２に実装される全ての抵抗は、ヒーター２１に対向することを回避するために、第２の面３２ｂ側に設けられている。
【００３７】
次に、ヒーター２１で発生した熱の回路基板３２への影響について説明する。
さて、ヒーター２１で発生した熱は、制御装置３０との間に介在する空気などを介して収容ケース４０に伝達される。この際、収容ケース４０においてヒーター２１に最も近い第１の分割ケース片４１の第１底壁部４１ａが最も高温となる。そして、第１底壁部４１ａによって受熱された熱は、第１筒状部４１ｂ、第２筒状部４２ｂ、第２底壁部４２ａと徐々に伝わっていく。本実施形態では、収容ケース４０内に収容される回路基板３２は、第２筒状部４２ｂに支持されている。そのため、回路基板３２には、第２筒状部４２ｂによって受熱された熱の一部が伝達される。
【００３８】
ここで、回路基板３２の支持方法としては、第２筒状部４２ｂではなく第１筒状部４１ｂに支持させる方法が考えられる。この場合、回路基板３２は、第１筒状部４１ｂによって受熱された熱の一部が伝達されることになる。第１筒状部４１ｂは、ヒーター２１からの熱の伝達経路において第２筒状部４２ｂよりも上流側に位置している。そのため、第１筒状部４１ｂの受熱量は、第２筒状部４２ｂの受熱量よりも多く、結果として、回路基板３２が温度上昇しやすい。この点、本実施形態では、回路基板３２は、第２筒状部４２ｂに支持されている。そのため、回路基板３２を第１筒状部４１ｂに支持させる場合と比較して、回路基板３２の受熱量を少なくでき、回路基板３２の温度上昇が抑制される。
【００３９】
また、本実施形態では、回路基板３２に実装される各部品５０のうち最も背の高い部品を第１の面３２ａ側に設けている。そのため、全ての部品を第２の面３２ｂ側に設ける従来の場合と比較して、ヒーター２１と回路基板３２との間の距離が長くなり、該回路基板３２の温度上昇が抑制される。
【００４０】
しかも、回路基板３２の第１の面３２ａは、収容ケース４０の左右方向における中央を示す中央線Ｌ１よりもヒーター２１から遠い位置に位置している。さらに、第１の面３２ａ及び該第１の面３２ａ側に設けられる第１の部品５０Ａは、収容ケース４０のうち最も高温となる第１底壁部４１ａから離れている。つまり、回路基板３２及び第１の部品５０Ａには、第１底壁部４１ａとの間に介在する空気を介して熱が伝達されるものの、第１底壁部４１ａから熱が直接伝達されない。そのため、回路基板３２及び第１の部品５０Ａの温度上昇が抑制される。
【００４１】
また、回路基板３２に実装される部品５０の中には、電力供給によって自身が発熱する発熱部品（例えば、抵抗）が含まれている。本実施形態では、こうした発熱部品は、第２の部品５０Ｂとして第２の面３２ｂ側に設けられている。つまり、発熱部品は、ヒーター２１に対向していない。そのため、発熱部品が第１の面３２ａ側に設けられる場合と比較して、発熱部品の過度の温度上昇が抑制される。
【００４２】
回路基板３２において温度上昇及び温度変化に対して最も弱い箇所は、部品５０を回路基板３２に固定させる際に用いられる半田である。本実施形態では、第１の部品５０Ａは回路基板３２に基板挿入により実装されると共に、第２の部品５０Ｂは回路基板３２に面実装されている。つまり、第１の面３２ａには半田が設けられていない。そのため、半田を第１の面３２ａ側に設ける場合と比較して、半田に加わるストレスが低減される。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
（１）回路基板３２に実装される全ての部品５０のうち最も背の高い部品が第１の部品５０Ａとして第１の面３２ａ側に設けられている。そのため、全ての部品が第２の面側に設けられる従来の場合と比較して、回路基板３２を、ヒーター２１から離れた位置に配置することができる。その結果、ヒーター２１からの受熱に基づく回路基板３２の温度上昇を抑制できる。したがって、回路基板３２に各部品５０（５０Ａ，５０Ｂ）を固定させるために用いられた半田を上記従来の場合よりもヒーター２１から離して配置できる分、半田へのヒーター２１による悪影響を低減させることができる。
【００４４】
（２）しかも、第１の面３２ａ側に設けられる各第１の部品５０Ａは、回路基板３２に基板挿入により実装されている。つまり、第１の部品５０Ａを回路基板３２に固定させるための半田は、第２の面３２ｂ側に設けられている。そのため、第１の部品５０Ａが回路基板３２に面実装される場合と比較して、第１の部品５０Ａを回路基板３２に固定させるための半田をヒーター２１に対向させない分、該半田に加わるストレスを低減させることができる。
【００４５】
（３）また、第２の面３２ｂ側に設けられる各第２の部品５０Ｂは、回路基板３２に面実装されている。そのため、第２の部品５０Ｂが回路基板３２に基板挿入により実装される場合と比較して、第２の部品５０Ｂを回路基板３２に固定させるための半田をヒーター２１に対向させない分、該半田に加わるストレスを低減させることができる。
【００４６】
（４）本実施形態では、電力供給によって発熱する抵抗などの発熱部品は、ヒーター２１に対向しない第２の面３２ｂ側に設けられている。そのため、発熱部品を第１の面３２ａ側に設ける場合と比較して、発熱部品の過度の温度上昇を抑制することができる。
【００４７】
（５）ハウジング１１内において、ヒーター２１が設けられる領域と、回路基板３２が設けられる領域との間には、収容ケース４０の第１底壁部４１ａが配置されている。そのため、各領域間に第１底壁部４１ａを設けない場合と比較して、ヒーター２１で発生した熱を、回路基板３２に伝わりにくくすることができ、ひいては回路基板３２の温度上昇を抑制することができる。
【００４８】
（６）また、回路基板３２の第１の面３２ａは、第１底壁部４１ａから離間している。そのため、第１の面３２ａが第１底壁部４１ａに直接接触する場合と比較して、第１底壁部４１ａによって受熱された熱を、回路基板３２に伝わりにくくすることができ、ひいては回路基板３２の温度上昇を抑制することができる。
【００４９】
（７）さらに、第１の面３２ａ側に設けられる第１の部品５０Ａの先端は、第１底壁部４１ａから離間している。そのため、第１の部品５０Ａの先端が第１底壁部４１ａと接触する場合と比較して、第１底壁部４１ａから回路基板３２を離して配置することができる。その結果、第１底壁部４１ａと回路基板３２の第１の面３２ａとの間の空気層を厚くできる分、回路基板３２の温度上昇を抑制することができる。
【００５０】
（８）本実施形態の回路基板３２は、収容ケース４０によって略密閉された空間４３内に設けられている。そのため、回路基板３２の防水性を向上させることができる。
（９）回路基板３２は、収容ケース４０を構成する各分割ケース片４１，４２のうち、ヒーター２１から最も離れた位置に位置する第２の分割ケース片４２に支持されている。そのため、回路基板３２を第１の分割ケース片４１に支持させる場合と比較して、回路基板３２に熱が伝わりにくくなり、該回路基板３２の温度上昇を抑制することができる。
【００５１】
（１０）回路基板３２の第１の面３２ａは、収容ケース４０の左右方向における中央よりもヒーター２１から離れた位置に位置している。そのため、第１の面３２ａが収容ケース４０の左右方向における中央よりもヒーター２１に近い位置に位置する場合と比較して、第１底壁部４１ａと回路基板３２との間の空気層を厚くできる分、回路基板３２の温度上昇を抑制することができる。
【００５２】
（１１）また、各分割ケース片４１，４２のうち、回路基板３２を支持する第２の分割ケース片４２よりもヒーター２１に近い位置に位置する第１の分割ケース片４１の厚みは、第２の分割ケース片４２よりも厚い。つまり、第１の分割ケース片４１の熱容量は、第２の分割ケース片４２の熱容量よりも多い。そのため、第１の分割ケース片４１の熱容量が第２の分割ケース片４２の熱容量と同等以下である場合と比較して、第２の分割ケース片４２には、第１の分割ケース片４１側から伝達される熱量が少なくなる。その結果、第２の分割ケース片４２によって支持される回路基板３２に伝達される熱量が少なくなり、該回路基板３２の温度上昇を抑制することができる。
【００５３】
（１２）また、本実施形態では、第２の面３２ｂ側に設けられる第２の部品５０Ｂは、第２底壁部４２ａに接触していない。そのため、第２の部品５０Ｂが第２底壁部４２ａと接触する場合と比較して、第２の分割ケース片４２から回路基板３２に熱が伝わりにくい。その結果、回路基板３２の温度上昇を抑制することができる。
【００５４】
なお、本実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・実施形態において、第２の分割ケース片４２は、各第２の部品５０Ｂのうち少なくとも一つの第２の部品の先端が第２底壁部４２ａに接触するように回路基板３２を支持してもよい。
【００５５】
・実施形態において、第２の分割ケース片４２は、断熱部材を介して回路基板３２を支持してもよい。
・実施形態において、回路基板３２を、第２の分割ケース片４２に支持されるのであれば、第１の面３２ａが左右方向において収容ケース４０の中央よりもヒーター２１に近い位置に位置するように配置してもよい。この場合、第２の分割ケース片４２は、支持機構を介して回路基板３２を支持してもよい。
【００５６】
・実施形態において、第２の分割ケース片４２の左右方向における長さ（即ち、厚み）を、第１の分割ケース片４１の左右方向における長さ（即ち、厚み）以上としてもよい。
・実施形態において、回路基板３２の第１の面３２ａが中央線Ｌ１よりもヒーター２１から遠い位置に位置するのであれば、回路基板３２を第１の分割ケース片４１に支持させてもよい。
【００５７】
・実施形態において、各分割ケース片４１，４２の当接部分の間には、分割ケース片を構成する部材よりも断熱性の高いシール材を介在させてもよい。
・実施形態において、収容ケース４０を、左右方向に沿って配置される３つ以上の任意数の分割ケース片で構成してもよい。この場合、各分割ケース片のうち最もヒーター２１に近い位置に配置される分割ケース片及び最もヒーター２１から離れた位置に配置される分割ケース片以外の分割ケース片を、回路基板３２を支持する特定の分割ケース片としてもよい。このように構成しても、回路基板３２を、最もヒーター２１に近い位置に配置される分割ケース片に支持させる場合と比較して、回路基板３２の温度上昇を抑制することができる。
【００５８】
・実施形態において、収容ケース４０を、電磁シールド性を有する材料（例えば、金属）で被覆してもよい。この場合、収容ケース４０内に収容される回路基板３２に実装された電子部品から発生する電磁波が収容ケース４０外に漏れ出ることを抑制することができる。
【００５９】
・実施形態において、各第１の部品５０Ａのうち少なくとも一つの部品の先端が第１底壁部４１ａに接触するように、回路基板３２を収容ケース４０内に配置してもよい。
・実施形態において、第１の面３２ａが第１底壁部４１ａに接触するように、回路基板３２を収容ケース４０内に配置してもよい。この場合、第１底壁部４１ａには、第１の部品５０Ａを収容ケース４０外に突出させるための貫通孔を設けることが好ましい。
【００６０】
・実施形態において、ヒーター２１が設けられる領域と、回路基板３２が設けられる領域とを区画するための区画部を、収容ケース４０とは別途設けてもよい。この場合の区画部は、平板状をなす区画板であってもよい。また、こうした区画板を設けた場合には、回路基板３２を収容する収容ケース４０を設けなくてもよい。
【００６１】
・実施形態において、ヒーター２１が設けられる領域と、回路基板３２が設けられる領域とを区画するための区画部を設けなくてもよい。
・実施形態において、第２の面３２ｂ側に設けられる各第２の部品５０Ｂのうち少なくとも一つを、回路基板３２に対して基板挿入により実装する部品としてもよい。例えば、第２の面３２ｂ側に第２の部品５０Ｂとして設けられる抵抗を、チップ抵抗としなくてもよい。
【００６２】
・実施形態において、回路基板３２に実装される各抵抗のうち少なくとも一つを、第１の面３２ａ側に設けてもよい。この場合、第１の面３２ａ側に設けられる抵抗は、回路基板３２に基板挿入により実装可能な抵抗であることが好ましい。
【００６３】
・実施形態において、回路基板３２に実装される全ての部品５０を、第１の面３２ａ側に設けてもよい。
・実施形態において、各部品５０のうち最も背の高い部品のみを第１の面３２ａ側に設け、それ以外の他の部品を第２の面３２ｂ側に設けてもよい。
【００６４】
・実施形態において、給水タンク１４から供給させる液体を、水以外の任意の液体としてもよい。液体としては、例えば、アルカリイオン水、美容液を含んだ水、電解水、芳香剤を含んだ水などが挙げられる。
【００６５】
・本発明のミスト発生装置を、液体を加熱する加熱部を備えた構成であれば、スチームではなく冷ミストを発生可能な装置に具体化してもよい。冷ミストを発生する装置では、液体貯留部から供給された液体が加熱部による加熱によって殺菌され、殺菌後の液体から冷ミストが生成される。また、冷ミストを発生させる方法としては、ベンチュリー効果を利用する方法や超音波を利用する方法などが挙げられる。
【００６６】
・また、ミスト発生装置は、スチーム及び冷ミストの両方を発生可能な装置であってもよい。
・本発明のミスト発生装置を、美顔器１０以外の他の任意の装置（例えば、ミストドライヤーや加湿器等）に具体化してもよい。
【符号の説明】
【００６７】
１０…美容装置としての美顔器（ミスト発生装置）、１１…ハウジング、１１ａ…内面、１４…液体貯留手段としての給水タンク、２１…加熱部としてのヒーター、３０…制御装置、３２…回路基板、３２ａ…第１の面、３２ｂ…第２の面、４０…収容ケース、４１…第１の分割ケース片、４１ａ…区画部としての第１底壁部、４２…特定の分割ケース片としての第２の分割ケース片、４４…隙間、５０，５０Ａ，５０Ｂ…部品。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体貯留部から供給された液体を加熱する加熱部と、該加熱部を制御する制御装置と、を備え、液体を気化させることにより生成されたミストを、前記加熱部及び前記制御装置が収容されるハウジング外に放出させるミスト発生装置において、
前記制御装置には、前記加熱部に対向する第１の面と、前記第１の面の反対側に位置する第２の面とを有する回路基板が設けられており、
前記回路基板に実装される複数の部品のうち最も背の高い部品を、前記第１の面側に設けたことを特徴とするミスト発生装置。
【請求項２】
前記回路基板の前記第１の面側に設けられた部品は、前記回路基板に基板挿入により実装されていることを特徴とする請求項１に記載のミスト発生装置。
【請求項３】
前記回路基板の前記第２の面側に設けられた部品は、前記回路基板に面実装されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のミスト発生装置。
【請求項４】
前記回路基板の前記第２の面側には、電力供給によって発熱する電子部品が設けられていることを特徴とする請求項１〜請求項３のうち何れか一項に記載のミスト発生装置。
【請求項５】
前記回路基板の前記第２の面側には、チップ抵抗が設けられていることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載のミスト発生装置。
【請求項６】
前記ハウジング内を前記加熱部が設置される領域と前記回路基板が設置される領域とに区画する区画部をさらに備え、
前記回路基板の前記第１の面は、前記区画部から離れていることを特徴とする請求項１〜請求項５のうち何れか一項に記載のミスト発生装置。
【請求項７】
前記回路基板の前記第１の面側に設けられた部品の先端と前記区画部との間には、隙間が介在していることを特徴とする請求項６に記載のミスト発生装置。
【請求項８】
前記制御装置は、前記回路基板を内部に収容する収容ケースをさらに有し、
前記収容ケースにおいて前記回路基板と前記加熱部との間に位置する部分が、前記区画部として機能することを特徴とする請求項６又は請求項７に記載のミスト発生装置。
【請求項９】
前記収容ケースは、前記回路基板の厚み方向に沿って配置される複数の分割ケース片を含んだ構成となっており、
前記回路基板は、前記各分割ケース片のうち最も前記加熱部に近い位置に配置される分割ケース片以外の特定の分割ケース片に支持されていることを特徴とする請求項８に記載のミスト発生装置。
【請求項１０】
前記特定の分割ケース片は、前記各分割ケース片のうち最も前記加熱部から離れた位置に位置する分割ケース片であることを特徴とする請求項９に記載のミスト発生装置。
【請求項１１】
前記特定の分割ケース片は、前記収容ケースの前記厚み方向における中央よりも、前記加熱部から遠い位置に配置されていることを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載のミスト発生装置。
【請求項１２】
前記特定の分割ケース片の前記厚み方向における長さは、前記特定の分割ケース片以外の他の分割ケース片の前記厚み方向における長さよりも短いことを特徴とする請求項９〜請求項１１のうち何れか一項に記載のミスト発生装置。
【請求項１３】
前記回路基板の前記第１の面は、前記回路基板の厚み方向において前記収容ケースの中央よりも前記加熱部から遠い位置に位置していることを特徴とする請求項８〜請求項１２のうち何れか一項に記載のミスト発生装置。
【請求項１４】
請求項１〜請求項１３のうち何れか一項に記載のミスト発生装置を備えることを特徴とする美容装置。
【請求項１】
液体貯留部から供給された液体を加熱する加熱部と、該加熱部を制御する制御装置と、を備え、液体を気化させることにより生成されたミストを、前記加熱部及び前記制御装置が収容されるハウジング外に放出させるミスト発生装置において、
前記制御装置には、前記加熱部に対向する第１の面と、前記第１の面の反対側に位置する第２の面とを有する回路基板が設けられており、
前記回路基板に実装される複数の部品のうち最も背の高い部品を、前記第１の面側に設けたことを特徴とするミスト発生装置。
【請求項２】
前記回路基板の前記第１の面側に設けられた部品は、前記回路基板に基板挿入により実装されていることを特徴とする請求項１に記載のミスト発生装置。
【請求項３】
前記回路基板の前記第２の面側に設けられた部品は、前記回路基板に面実装されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のミスト発生装置。
【請求項４】
前記回路基板の前記第２の面側には、電力供給によって発熱する電子部品が設けられていることを特徴とする請求項１〜請求項３のうち何れか一項に記載のミスト発生装置。
【請求項５】
前記回路基板の前記第２の面側には、チップ抵抗が設けられていることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載のミスト発生装置。
【請求項６】
前記ハウジング内を前記加熱部が設置される領域と前記回路基板が設置される領域とに区画する区画部をさらに備え、
前記回路基板の前記第１の面は、前記区画部から離れていることを特徴とする請求項１〜請求項５のうち何れか一項に記載のミスト発生装置。
【請求項７】
前記回路基板の前記第１の面側に設けられた部品の先端と前記区画部との間には、隙間が介在していることを特徴とする請求項６に記載のミスト発生装置。
【請求項８】
前記制御装置は、前記回路基板を内部に収容する収容ケースをさらに有し、
前記収容ケースにおいて前記回路基板と前記加熱部との間に位置する部分が、前記区画部として機能することを特徴とする請求項６又は請求項７に記載のミスト発生装置。
【請求項９】
前記収容ケースは、前記回路基板の厚み方向に沿って配置される複数の分割ケース片を含んだ構成となっており、
前記回路基板は、前記各分割ケース片のうち最も前記加熱部に近い位置に配置される分割ケース片以外の特定の分割ケース片に支持されていることを特徴とする請求項８に記載のミスト発生装置。
【請求項１０】
前記特定の分割ケース片は、前記各分割ケース片のうち最も前記加熱部から離れた位置に位置する分割ケース片であることを特徴とする請求項９に記載のミスト発生装置。
【請求項１１】
前記特定の分割ケース片は、前記収容ケースの前記厚み方向における中央よりも、前記加熱部から遠い位置に配置されていることを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載のミスト発生装置。
【請求項１２】
前記特定の分割ケース片の前記厚み方向における長さは、前記特定の分割ケース片以外の他の分割ケース片の前記厚み方向における長さよりも短いことを特徴とする請求項９〜請求項１１のうち何れか一項に記載のミスト発生装置。
【請求項１３】
前記回路基板の前記第１の面は、前記回路基板の厚み方向において前記収容ケースの中央よりも前記加熱部から遠い位置に位置していることを特徴とする請求項８〜請求項１２のうち何れか一項に記載のミスト発生装置。
【請求項１４】
請求項１〜請求項１３のうち何れか一項に記載のミスト発生装置を備えることを特徴とする美容装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１３−４００（Ｐ２０１３−４００Ａ）
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３５３８７（Ｐ２０１１−１３５３８７）
【出願日】平成２３年６月１７日（２０１１．６．１７）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月１７日（２０１１．６．１７）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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