メタルマスク
【目的】 印刷性および耐久性（耐摩耗性）に優れたメタルマスクを提供すること。
【構成】 はんだペースト等を用いた場合の印刷性に優れているメタルマスク２０。メタルマスク本体１６の表面に、反応成膜式イオンプレーティング等のＰＶＤ（物理蒸着法）やプラズマＣＶＤ等のＣＶＤ（化学蒸着法）によりセラミック処理膜１８を形成する。セラミック処理膜１８の形成材は、ふっ素樹脂等の固体潤滑剤を含有させた窒化物等とする。
【構成】 はんだペースト等を用いた場合の印刷性に優れているメタルマスク２０。メタルマスク本体１６の表面に、反応成膜式イオンプレーティング等のＰＶＤ（物理蒸着法）やプラズマＣＶＤ等のＣＶＤ（化学蒸着法）によりセラミック処理膜１８を形成する。セラミック処理膜１８の形成材は、ふっ素樹脂等の固体潤滑剤を含有させた窒化物等とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、印刷性、特に、はんだ（半田）ペーストを用いての印刷性、及び耐久性に優れたメタルマスク及び該メタルマスクを使用した印刷方法に関する。
【０００２】
本願は、特願２００４−３８１５５７号（出願日：平成１６年１２月２８日）を先の出願とする優先権主張出願に係る。
【背景技術】
【０００３】
メタルマスクとは、膜厚が２０〜３００μｍ程度の金属板（箔）に、目的に応じて１０〜５００μｍの微細なパターンが施されており、インク、塗料及びはんだペースト等を基板の上に精密に転写することができる転写版である。そして、メタルマスクは、通常、エッチング、レーザー加工、めっき（電鋳を含む。）等で製造する。例えば、特許文献１段落０００３には、「スクリーン印刷用のメタルマスクは、薄いステンレス板にエッチングやレーザー光により配線パターン穴を開けただけのものか、或いはめっき処理するのが一般的である。」と記載されている。
【０００４】
そして、特許文献２・４・６の各特許請求の範囲等には、めっき処理によりメタルマスクを製造する技術が記載されている。
【０００５】
また、特許文献３には、メタルマスクの印刷性及びはんだ付けの信頼性を向上させるために、開口形状を工夫したクリームはんだ用印刷用メタルマスクが記載され（特許請求の範囲等参照）、特許文献５には、メタルマスクの開口部の内面、さらには、下面及び／又は上面に、ふっ素樹脂入り金属の被膜を設けることが記載されている（特許請求の範囲等参照）。
【０００６】
しかし、メタルマスクのさらなる耐久性及び印刷性の向上が要求されるようになってきている。
【０００７】
なお、先の出願の後に、本願出願人が、中小企業等先行技術調査の結果知り得た公知文献として下記特許文献７〜９が存在する。
【特許文献１】特開平８−２９０６８６号公報（要約書等）
【特許文献２】特開平８−１３１８３号公報（要約書等）
【特許文献３】特開２００１−２１２９２８号公報（要約書等）
【特許文献４】特許第３１４１１１７号公報（要約書等）
【特許文献５】特開平８−２４４３７３号公報（要約書等）
【特許文献６】特許第３４９４７１３号公報（要約書等）
【特許文献７】特開平１１−２４５３７１号公報（請求項３・１３等）
【特許文献８】特開２００２−３６１１３５号公報（段落００５８、請求項２２等）
【特許文献９】特開２００４−２２１４８９号公報（段落００５８、請求項２２等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記にかんがみて、印刷性および耐久性（耐摩耗性）に優れたメタルマスク及びメタルマスクを使用した印刷方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記課題を解決するために，鋭意開発に努力をした結果、下記構成のメタルマスクに想到した。
【００１０】
メタルマスク本体の表面にセラミック処理膜が形成されてなることを特徴とする。
【００１１】
メタルマスクの表面にセラミック処理膜が形成されていることにより、スキージとして、金属スキージが使用可能となり、はんだペースト等を印刷剤として使用した場合の印刷性が向上するとともに、耐久性も向上する。
【００１２】
上記メタルマスク本体としては、フォトリソグラフィ製版を用いためっき（電鋳を含む。）により形成したものを使用することが望ましい。パターンの断面形状がシャープで、パターンが忠実（正確）に再現されるためである。
【００１３】
上記各構成においてセラミック処理膜は、滑剤含有物とすることが望ましい。セラミック処理膜の印刷剤に対する非粘着性が向上して、印刷性の向上に寄与する。
【００１４】
上記セラミック処理膜における滑剤としては、ふっ素樹脂、二硫化モリブデン（ＭｏＳ2）、二硫化タングステン（ＷＳ2）及び窒化ほう素（ＢＮ）の群から１種又は２種以上を選択して使用する。これらのうちで、ふっ素樹脂が望ましい。ふっ素樹脂は、表面張力が小さく、印刷用インク（印刷剤）のメタルマスクに対する界面張力を下げ、メタルマスクの印刷剤の付着力を弱める作用と、被印刷面（印刷物）における印刷剤のニジミを防止する作用を有する。
【００１５】
また、上記各構成におけるセラミック処理膜は、通常、ＰＶＤ（物理蒸着法：Physical Vapor Deposition）膜又はＣＶＤ（化学蒸着法：Chemical Vapor Deposition）膜とする。特に、反応成膜方式のイオンプレーティング膜（ＰＶＤ膜）又はプラズマＣＶＤ膜とすることが望ましい。
【００１６】
そして、上記各構成におけるセラミック処理膜の形成セラミックとしては、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化クロム（ＣｒＮ）及びＤＬＣ（Diamond Like Carbon）の群から選択することが望ましい。これらは、セラミックの中で硬度が高くて、しかも、金属および印刷剤（はんだペースト、導電性ペースト（塗料）、印刷インク）に対する滑り性も良好である（表面摩擦係数が小さい。）ためである。
【００１７】
また、セラミック処理膜（メタルマスク）の表面硬さ（ＪＩＳ Ｚ ２２４４）がＨＶ１０００以上、さらにはＨＶ２０００以上であることが、耐久性の見地から、特に、金属スキージを使用した場合に望ましい。なお硬すぎると、逆に、金属スキージの先端に摩耗が発生して、金属スキージの耐久性が低下するおそれがあり、該表面硬さの上限はＨＶ４０００とする。
【００１８】
さらに、セラミック処理膜（メタルマスク）の表面粗度（ＪＩＳ Ｂ ０６０１）が０．１〜１．０μｍＲaであること、さらには、０．３〜０．５μｍＲa（後述の実施例８・９参照）とすることが望ましい。表面粗度が密（小さ）過ぎると、はんだペースト等の印刷剤がメタルマスク（印刷面）に保持され（載り）難く、逆に、表面粗度が粗（大き）過ぎると、鮮明（高精度）の印刷が困難となる。
【００１９】
そして、本発明の印刷方法は、上記各構成のメタルマスクを使用して、金属スキージを用いて基板上に印刷することを特徴とする。そして、はんだ（半田）ペーストにより基板上にプリントすることによりプリント基板を製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明のメタルマスクは、メタルマスク本体の表面に、セラミック処理膜が形成されていることを基本的特徴とする。該セラミック処理膜は、通常、ＰＶＤ膜又はＣＶＤ膜とする。こられのうちで、ＰＶＤ膜としては反応成膜方式のイオンプレーティグ膜が、ＣＶＤ膜としてはプラズマＣＶＤ膜がそれぞれ望ましい。
【００２１】
（１）メタルマスク本体の調製：
ここで、メタルマスク本体のタイプ（種類）は特に限定されないが、例えば、レーザー加工、エッチング加工、めっき加工、等を挙げることができる。
【００２２】
印刷性の見地からは、フォトリソ製版を使用してめっき（湿式）（電鋳を含む。）により調製することが、パターンを忠実（正確）に再現できるため望ましい。以下に、フォトリソ製版を用いためっき加工法について説明する。
【００２３】
１）樹脂硬化工程：
Ａｌ、ＳＵＳ、Ｔｉなどの、表面不動態化膜を形成する金属基板１２に、感光性樹脂塗膜（ポジ型レジスト膜）１４を形成して、該塗膜１４に光を照射（露光）して印刷パターンに対応した硬化部１４ａを形成する（図１（ａ））。このとき、露光を多目とすると、最終的に硬化部１４ａが逆テーパ（下広がり）となって、メタルマスク本体１６（硬化部１４ａのネガとなる。）における穴部１６ａの断面も逆テーパ（下広がり）となる。結果的に、セラミック処理膜１８を形成したメタルマスク２０の穴部である印刷部２０ａも断面が逆テーパ（下広がり）となる（図３・４参照）。したがって、はんだペースト等の印刷剤をメタルマスク２０上にスキージ３２（３２Ａ）で展開して印刷をした場合の印刷剤の切れ性が良好となり、印刷性能の向上が期待できる。このときのテーパ角度αは、印刷剤の種類、要求印刷密度（精度）等により異なるが、０．５〜３０°、望ましくは、２〜２０°の範囲内で適宜設定する。
【００２４】
２）溶解処理工程：
硬化部１４ａを形成した塗膜１４の未硬化部１４ｂを、溶解除去液を使用して基板１２上に印刷パターンに対応した硬化部１４ａのみとしてメタルマスク用型板１５を調製する（図１（ｂ））。この未硬化部１４ｂの溶解除去に際して、スプレー、超音波、空気攪拌などの物理的手段を併用することにより、より効率的に行うことができる。
【００２５】
ここで使用する樹脂溶解浴及びそのスプレー条件の一例を下記する。下記数値は、それぞれ、実施可能な範囲、望ましい範囲、実施例の順に記載したものである。
【００２６】
炭酸ナトリウム 約０．５〜１０％、約２〜４％、約３％
温度 常温〜約７０℃、常温〜約４０℃、約３０℃
スプレー圧 約0.１５〜１MPa、約0.１〜0.５MPa、0.２MPa
スプレー時間 約0.５〜200ｓ、約６０〜120ｓ、約８０ｓ
３）めっき（めっき）工程：
上記で調製したメタルマスク用型板１５に電気めっき（湿式）を行う（図１（ｃ））。ここで、めっき浴は、通常、ニッケルめっき浴とするが、ニッケル−鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）合金めっき浴、ニッケル−コバルト（Ｎｉ−Ｃｏ）合金めっき浴、ニッケル−タングステン（Ｎｉ−Ｗ）合金めっき浴等であってもよい。さらには、電鋳浴を用いてもよい。すると、基板１２上に、印刷パターンのネガに対応しためっき層１５が形成される。なお、めっきは電気めっきに限らず、無電解めっき等であってもよい。
【００２７】
ここで使用するめっき浴（ニッケルめっき浴：スルファミン浴）の一例を下記する。下記数値は、それぞれ、実施可能な範囲、実施例の順に記載したものである。
【００２８】
Ｎｉ（ＮＨ2ＳＯ3）2・４Ｈ2Ｏ 約２００〜６００ｇ／Ｌ、約３００ｇ／Ｌ
Ｈ3ＢＯ3 約２５〜５０ｇ／Ｌ、約３５ｇ／Ｌ
ＮｉＣｌ2 約０〜２０ｇ／Ｌ、約３ｇ／Ｌ
添加剤 適量
温度 約３０〜７０℃、約４０℃
ｐＨ 約２〜５、約４．０
電流密度 約０．５〜５０Ａ／ｄｍ2、約４Ａ／ｄｍ2
時間 必要な膜厚確保可能な時間（１Ａ／ｄｍ2約のとき０．２μｍ／ｍｉｎ）
４）メタルマスク剥離工程
上記のように電気めっきにより基板１２上に形成したメタルマスク本体１６を基板１２から剥離して本発明に使用する印刷パターンのネガ体であるメタルマスク本体１６を調製する（図１（ｄ））。
【００２９】
（２）セラミック処理：
次に、セラミック処理膜１８を上記メタルマスク本体１６の表面に形成してメタルマスク２０とする（図１（ｅ））。このとき、セラミック処理膜１８は、通常、図例の如く、全面とするが、裏側は必然的でない。すなわち、少なくとも、表側及びプリント部（穴部１６ａ）内側の各表面に対してセラミック処理膜１８を形成すればよい。
【００３０】
セラミック処理の方法は、特に限定されないが、通常、ＰＶＤ法又はＣＶＤ法とし、その膜厚は、セラミック処理膜の材質、ＰＶＤ法又はＣＶＤ法の種類、及びメタルマスクに要求される印刷再現性、耐摩耗性等の各要求特性に応じて変わるが、通常、約０．０１〜４μｍ、望ましくは、約０．５〜２μｍ、最も望ましくは約１μｍとする。
【００３１】
さらに、セラミック処理膜の硬さは、耐久性（耐摩耗性）の見地から、ビッカース硬さ（ＨＶ）（ＪＩＳ Ｚ ２２４４）がＨＶ１０００以上、望ましくはＨＶ２０００以上が望ましい。上限はＨＶ４０００とする。ちなみに、ＴｉＮ：ＨＶ１５００〜２５００、ＤＬＣ：ＨＶ１０００〜４０００、ＣｒＮ：１２００〜２２００であるのに対し、Ｎｉ：ＨＶ２００〜６００である。
【００３２】
また、同表面粗度（Ｒａ）は、印刷性の見地から、０．１〜１μｍ、さらには、後述の実施例の如く、０．３〜０．５μｍの範囲が望ましい。表面粗度が密（小さ）過ぎると、メタルマスクの印刷面にはんだペーストのような印刷剤が載り（保持され）難く印刷かすれが発生しやすくなり、他方、表面粗度が粗（大き）過ぎると、鮮明（精密）な高精度の印刷が困難となる。
【００３３】
そして、ＰＶＤ法としては、イオンプレーティング、スパッタリングなど、ＣＶＤ法としては、プラズマＣＶＤなど、セラミック成膜が可能であれば、特に限定されない。ＰＶＤ法としては、反応成膜方式のイオンプレーティング法が望ましい（特開２００２−３７１３５２号公報参照）。ＣＶＤ法としては、プラズマＣＶＤ（特開平６−１６３４３４・特開２００３−１１９５６４号公報参照）が望ましい。
【００３４】
以下、当該反応成膜方式について、当該公報の一部（段落００３７〜００４０）を引用しながら、説明する（図番及び図符号は、本明細書用に編集してある。）。
【００３５】
「図２に示すようなイオンプレーティング装置、通常、アークイオンプレーティング（ＡＩＰ）装置を用いて行う。ＡＩＰ法は、バナジウムを蒸発源とし、反応ガスを窒素ガス及び／又は炭化水素ガスとして注入ガス量・ガス比を膜種・膜厚に対応させて調節維持することにより、ＶＮ膜、ＶＣＮ膜、ＶＣ膜を高純度で基材上に反応成膜させることが容易なためである。当然、多陰極電子照射法、高周波励起法、ホロカソードディスチャージ法、クラスタ法、活性化反応蒸着法、等他のタイプのイオンプレーティング法も可能である。
【００３６】
イオンプレーティング装置は、チャンバー２２内に、バナジウム金属を保持する蒸発源保持部（ポット部）２４と、バイアス電圧源２６と接続されたメタルマスク本体（被処理物）１６を載置する回転テーブル３０を備えている。さらに、チャンバー２２は、チャンバー内を所定真空度に維持する排気ポンプと接続される排気口２８と、反応ガス（窒素及び／又はメタン）を導入する反応ガス導入口２９とを備えるとともに、チャンバー２２内を所定温度に維持するとともにメタルマスク本体（被処理物）１６も所定温度に維持するヒータ３１を備えている。
【００３７】
そして、ＡＩＰ法により反応成膜する場合を例に採り説明する。
【００３８】
蒸発源とするバナジウム（Ｖ）は、通常、ツウナインからスリーナインの純度のものを使用する。また、バナジウムと反応する元素である窒素及び炭素の供給源であるガスは、前者として窒素ガス（Ｎ2）を、後者としてメタン（ＣＨ4）、エタン、エチレン、アセチレン等の炭化水素ガスを使用可能である。炭化水素ガスとしては、未反応性ガスが装置や基材表面を汚染するため、煤の発生し難い、メタンが望ましい。そして、それらの純度は、それぞれ、スリーナインからシックスナインとする。」
そして、上記において、本発明のセラミック処理（ＤＬＣを除く。）に際して、蒸発源としては、バナジウム（Ｖ）の他にＴｉ、Ｃｒ、Ｗ等を使用でき、反応ガスは、窒化物の場合は窒素（Ｎ2）を、炭化物の場合はメタン等の炭化水素を、酸化物の場合は酸素（Ｏ2）を、それぞれ使用する。また、ＤＬＣをＣＶＤ法で成膜する場合において、さらに滑剤としてふっ素樹脂を含有させるときには、フルオロ炭化水素ガスを使用する。
【００３９】
フルオロ炭化水素としては、ふっ樹脂の原料である、テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、ペンタヘキサフルオロプロピレン等の不飽和化合物ないしオクタフルオロシクロブタン、デカフルオロシクロヘプタン等の脂環化合物、ばかりでなく、ヘキサフルオロエタン、ジクロロジフルオロメタン、1,1,2−トリクロロ−1,2,2−トリフルオロエタン等の飽和フルオロ炭化水素も使用可能である。飽和フルオロ炭化水素であっても、反応時に遊離ラジカルを含ませるため、重合化が可能となるためである。
【００４０】
なお、ＤＬＣとは、Diamond like carbonの略で膜中にダイヤモンド構造を有する硬質膜の総称であり、ＰＶＤ法又はＣＶＤ法で被膜形成を行う。ＰＶＤ法の場合は、蒸発源として黒鉛を使用する。また、ＣＶＤ法で成膜する場合は、メタン、プロパン、ヘキサン、エチレン、アセチレン等の炭素数１〜１２の、常温ガス状態で又は加温ないし減圧してガス状態で注入可能な飽和・不飽和炭化水素を反応ガスとして使用する。このＤＬＣにも前述と同様、ふっ素樹脂等の滑剤を含有させることができる。
【００４１】
また、滑剤としては、ふっ素樹脂以外に、二硫化モリブデン（ＭｏＳ2）、二硫化タングステン（ＷＳ2）、窒化ほう素（ＢＮ）等さらには黒鉛等の無機系固体滑剤を、単独又はふっ素樹脂を含めて２種以上組み合わせて使用可能である。滑剤の含有量は、滑剤の種類により異なるが、例えば、１〜５０質量％の範囲内で適宜選定する。滑剤の含有量が過多であると、耐摩耗性が低下するおそれがある。
【００４２】
また、上記成膜の際における基板温度は、常温〜５００℃の範囲内で、さらには、１００〜２００℃の範囲内で適宜設定することが望ましい。
【００４３】
上記のようにして調製したメタルマスク２０の使用態様について、従来例におけるメタルマスク２０Ａの使用態様とあわせて、以下に説明する。
【００４４】
メタルマスク２０（２０Ａ）を基板３６上にセットし、さらに、印刷剤（例えばはんだペースト）３４をメタルマスク２０（２０Ａ）の上に置き、スキージ（squeege）を用いて印刷剤３４を薄く広げる（展開する）。
【００４５】
印刷剤としては、はんだペーストの他に導電性塗料、印刷インキも使用可能である。
【００４６】
スキージとしては、図３に示すような従来のウレタンゴム製スキージ３２Ａであってもよいが、本発明においては、図４に示すような金属スキージ３２を使用することが望ましい。
【００４７】
本発明のメタルマスクを使用して印刷すると、非処理のメタルマスクに比して、勿論、樹脂入り金属皮膜を形成した場合に比しても、滑り性とともに耐摩耗性に優れているため、印刷性及びメタルマスクの耐久性も格段に向上する。また、スキージとして金属板を使用可能となるため、印刷剤の表面残りが低減することが期待できるとともにスキージ（従来は通常ウレタンゴム製）の耐久性も格段に向上する。さらには、ゴム製スキージにおけるような、図３に示すように印刷部３８の表面における凹みが発生することもない。
【実施例】
【００４８】
以下、本発明の効果を確認するために行った実施例を比較例とともに説明する。
【００４９】
表１に示す各メタルマスク本体に表示のセラミック処理（表面処理）を行った各試験片について、印刷性及びメタルマスク耐久性について、下記方法に従って性能試験を行った。
【００５０】
なお、めっきによるメタルマスク本体は、前記（１）の実施例の条件により製造した。また、セラミック処理（表面処理）は、前述の方法に準じて行った。なお、セラミック処理膜をふっ素素樹脂含有タイプとした場合のふっ素樹脂含有量は０．１〜５０％、ふっ素樹脂用の使用ガスはオクタフルオロシクロブタンとした。
【００５１】
（１）印刷性：
各メタルマスク（パターン部１５４×１５４ｍｍ）に形成された１００個の立方パターン（２００×２００×２００μｍ）に対して、はんだペーストを金属スキージ（ステンレス製、１ｍｍｔ）を用いてはんだペースト印刷を、プリント用基板上に行い、インキの断面形状（縦・横）の投影して、設定大きさ（面積）の±１０％以内に入った個数で下記基準により評価した。
【００５２】
５：１００個全部、 ４：９５〜９９個、 ３：９０〜９４個、
２：８０〜８９個、 １：７９個以下
それらの結果を表１に示すが、±１０％以内に入らない原因は、主として、1)メタルマスクへのはんだペースト残り（ａ）、２）はんだペーストのインクの糸引き（ｂ）、３）はんだペーストのにじみ（ｃ）（図３参照）であることが観察できた。
【００５３】
（２）耐摩耗性：
市販のクリームはんだによりクリームはんだ印刷機を用いて、３ｋｇｆ（２９．４Ｎ）の荷重を負荷させたスキージ（ＳＵＳ３０４製：幅４００ｍｍ×厚み１０ｍｍ）を速度３ｍ／ｍｉｎで１０００回印刷した後のメタルマスクの削れ量により下記基準により評価した。
【００５４】
５：削れ量が１μｍ以下で初期状態が略維持されている。
【００５５】
４：削れ量が１μｍ超３μｍ以下でインクの付着量が略許容レベル内である。
【００５６】
３：削れ量が３μｍ超５μｍ以下であるが、パターンが大きい場合は、この程度の誤差が許される。
【００５７】
２：削れ量が５μｍ超１０μｍ以下である。印刷回数に制限が必要である。
【００５８】
１：削れ量が１０μｍ超で使用に耐えない。
【００５９】
（３）評価
本発明の各実施例は、印刷性及び耐摩耗性に優れていることが分かる。特にリソグラフによりメタルマスク本体を調製したふっ素樹脂含有セラミック処理膜は、印刷性もすぐれていた。なお、本実施例はＰＶＤ法で成膜した場合であるが、ＣＶＤ法（例えば、プラズマＣＶＤ）でも、同様な効果を期待できる。
【００６０】
【表１】
さらに、実施例８・９及び比較例７で調製した各メタルマスクについて、表面粗度（ＪＩＳ Ｂ ０６０１）を測定した。測定箇所は試験片の四隅の一つから２０ｍｍ×２０ｍｍ内側の地点で、測定条件：測定長さ1ｍｍ、測定速度０．０３ｍｍ／ｓとして任意の３点で行った。
【００６１】
その結果（Ｒa）は、下記の如くであった。
【００６２】
実施例８：１）０．３９６μｍ、２）０．３４７μｍ、３）０．３３８μｍ
実施例９：１）０．４３１μｍ、２）０．３１７μｍ、３）０．３８３μｍ
比較例７：１）０．２５７μｍ、２）０．２４２μｍ、３）０．２４９μｍ
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明のメタルマスクの製造工程の一例を示すモデル断面図
【図２】本発明を適用する反応成膜方式のイオンプレーティング装置の一例を示すモデル断面図
【図３】従来のメタルマスクを使用してのゴム製スキージを用いた印刷方法を示すモデル断面図
【図４】本発明におけるメタルマスクを使用しての金属製スキージを用いた印刷方法を示すモデル断面図
【図５】印刷性能評価試験の不良原因の説明用断面図
【符号の説明】
【００６４】
１２ 金属基板
１４ 感光性樹脂塗膜
１５ メタルマスク用型板
１６ メタルマスク本体
１８ セラミック処理膜
２０ メタルマスク
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、印刷性、特に、はんだ（半田）ペーストを用いての印刷性、及び耐久性に優れたメタルマスク及び該メタルマスクを使用した印刷方法に関する。
【０００２】
本願は、特願２００４−３８１５５７号（出願日：平成１６年１２月２８日）を先の出願とする優先権主張出願に係る。
【背景技術】
【０００３】
メタルマスクとは、膜厚が２０〜３００μｍ程度の金属板（箔）に、目的に応じて１０〜５００μｍの微細なパターンが施されており、インク、塗料及びはんだペースト等を基板の上に精密に転写することができる転写版である。そして、メタルマスクは、通常、エッチング、レーザー加工、めっき（電鋳を含む。）等で製造する。例えば、特許文献１段落０００３には、「スクリーン印刷用のメタルマスクは、薄いステンレス板にエッチングやレーザー光により配線パターン穴を開けただけのものか、或いはめっき処理するのが一般的である。」と記載されている。
【０００４】
そして、特許文献２・４・６の各特許請求の範囲等には、めっき処理によりメタルマスクを製造する技術が記載されている。
【０００５】
また、特許文献３には、メタルマスクの印刷性及びはんだ付けの信頼性を向上させるために、開口形状を工夫したクリームはんだ用印刷用メタルマスクが記載され（特許請求の範囲等参照）、特許文献５には、メタルマスクの開口部の内面、さらには、下面及び／又は上面に、ふっ素樹脂入り金属の被膜を設けることが記載されている（特許請求の範囲等参照）。
【０００６】
しかし、メタルマスクのさらなる耐久性及び印刷性の向上が要求されるようになってきている。
【０００７】
なお、先の出願の後に、本願出願人が、中小企業等先行技術調査の結果知り得た公知文献として下記特許文献７〜９が存在する。
【特許文献１】特開平８−２９０６８６号公報（要約書等）
【特許文献２】特開平８−１３１８３号公報（要約書等）
【特許文献３】特開２００１−２１２９２８号公報（要約書等）
【特許文献４】特許第３１４１１１７号公報（要約書等）
【特許文献５】特開平８−２４４３７３号公報（要約書等）
【特許文献６】特許第３４９４７１３号公報（要約書等）
【特許文献７】特開平１１−２４５３７１号公報（請求項３・１３等）
【特許文献８】特開２００２−３６１１３５号公報（段落００５８、請求項２２等）
【特許文献９】特開２００４−２２１４８９号公報（段落００５８、請求項２２等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記にかんがみて、印刷性および耐久性（耐摩耗性）に優れたメタルマスク及びメタルマスクを使用した印刷方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記課題を解決するために，鋭意開発に努力をした結果、下記構成のメタルマスクに想到した。
【００１０】
メタルマスク本体の表面にセラミック処理膜が形成されてなることを特徴とする。
【００１１】
メタルマスクの表面にセラミック処理膜が形成されていることにより、スキージとして、金属スキージが使用可能となり、はんだペースト等を印刷剤として使用した場合の印刷性が向上するとともに、耐久性も向上する。
【００１２】
上記メタルマスク本体としては、フォトリソグラフィ製版を用いためっき（電鋳を含む。）により形成したものを使用することが望ましい。パターンの断面形状がシャープで、パターンが忠実（正確）に再現されるためである。
【００１３】
上記各構成においてセラミック処理膜は、滑剤含有物とすることが望ましい。セラミック処理膜の印刷剤に対する非粘着性が向上して、印刷性の向上に寄与する。
【００１４】
上記セラミック処理膜における滑剤としては、ふっ素樹脂、二硫化モリブデン（ＭｏＳ2）、二硫化タングステン（ＷＳ2）及び窒化ほう素（ＢＮ）の群から１種又は２種以上を選択して使用する。これらのうちで、ふっ素樹脂が望ましい。ふっ素樹脂は、表面張力が小さく、印刷用インク（印刷剤）のメタルマスクに対する界面張力を下げ、メタルマスクの印刷剤の付着力を弱める作用と、被印刷面（印刷物）における印刷剤のニジミを防止する作用を有する。
【００１５】
また、上記各構成におけるセラミック処理膜は、通常、ＰＶＤ（物理蒸着法：Physical Vapor Deposition）膜又はＣＶＤ（化学蒸着法：Chemical Vapor Deposition）膜とする。特に、反応成膜方式のイオンプレーティング膜（ＰＶＤ膜）又はプラズマＣＶＤ膜とすることが望ましい。
【００１６】
そして、上記各構成におけるセラミック処理膜の形成セラミックとしては、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化クロム（ＣｒＮ）及びＤＬＣ（Diamond Like Carbon）の群から選択することが望ましい。これらは、セラミックの中で硬度が高くて、しかも、金属および印刷剤（はんだペースト、導電性ペースト（塗料）、印刷インク）に対する滑り性も良好である（表面摩擦係数が小さい。）ためである。
【００１７】
また、セラミック処理膜（メタルマスク）の表面硬さ（ＪＩＳ Ｚ ２２４４）がＨＶ１０００以上、さらにはＨＶ２０００以上であることが、耐久性の見地から、特に、金属スキージを使用した場合に望ましい。なお硬すぎると、逆に、金属スキージの先端に摩耗が発生して、金属スキージの耐久性が低下するおそれがあり、該表面硬さの上限はＨＶ４０００とする。
【００１８】
さらに、セラミック処理膜（メタルマスク）の表面粗度（ＪＩＳ Ｂ ０６０１）が０．１〜１．０μｍＲaであること、さらには、０．３〜０．５μｍＲa（後述の実施例８・９参照）とすることが望ましい。表面粗度が密（小さ）過ぎると、はんだペースト等の印刷剤がメタルマスク（印刷面）に保持され（載り）難く、逆に、表面粗度が粗（大き）過ぎると、鮮明（高精度）の印刷が困難となる。
【００１９】
そして、本発明の印刷方法は、上記各構成のメタルマスクを使用して、金属スキージを用いて基板上に印刷することを特徴とする。そして、はんだ（半田）ペーストにより基板上にプリントすることによりプリント基板を製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明のメタルマスクは、メタルマスク本体の表面に、セラミック処理膜が形成されていることを基本的特徴とする。該セラミック処理膜は、通常、ＰＶＤ膜又はＣＶＤ膜とする。こられのうちで、ＰＶＤ膜としては反応成膜方式のイオンプレーティグ膜が、ＣＶＤ膜としてはプラズマＣＶＤ膜がそれぞれ望ましい。
【００２１】
（１）メタルマスク本体の調製：
ここで、メタルマスク本体のタイプ（種類）は特に限定されないが、例えば、レーザー加工、エッチング加工、めっき加工、等を挙げることができる。
【００２２】
印刷性の見地からは、フォトリソ製版を使用してめっき（湿式）（電鋳を含む。）により調製することが、パターンを忠実（正確）に再現できるため望ましい。以下に、フォトリソ製版を用いためっき加工法について説明する。
【００２３】
１）樹脂硬化工程：
Ａｌ、ＳＵＳ、Ｔｉなどの、表面不動態化膜を形成する金属基板１２に、感光性樹脂塗膜（ポジ型レジスト膜）１４を形成して、該塗膜１４に光を照射（露光）して印刷パターンに対応した硬化部１４ａを形成する（図１（ａ））。このとき、露光を多目とすると、最終的に硬化部１４ａが逆テーパ（下広がり）となって、メタルマスク本体１６（硬化部１４ａのネガとなる。）における穴部１６ａの断面も逆テーパ（下広がり）となる。結果的に、セラミック処理膜１８を形成したメタルマスク２０の穴部である印刷部２０ａも断面が逆テーパ（下広がり）となる（図３・４参照）。したがって、はんだペースト等の印刷剤をメタルマスク２０上にスキージ３２（３２Ａ）で展開して印刷をした場合の印刷剤の切れ性が良好となり、印刷性能の向上が期待できる。このときのテーパ角度αは、印刷剤の種類、要求印刷密度（精度）等により異なるが、０．５〜３０°、望ましくは、２〜２０°の範囲内で適宜設定する。
【００２４】
２）溶解処理工程：
硬化部１４ａを形成した塗膜１４の未硬化部１４ｂを、溶解除去液を使用して基板１２上に印刷パターンに対応した硬化部１４ａのみとしてメタルマスク用型板１５を調製する（図１（ｂ））。この未硬化部１４ｂの溶解除去に際して、スプレー、超音波、空気攪拌などの物理的手段を併用することにより、より効率的に行うことができる。
【００２５】
ここで使用する樹脂溶解浴及びそのスプレー条件の一例を下記する。下記数値は、それぞれ、実施可能な範囲、望ましい範囲、実施例の順に記載したものである。
【００２６】
炭酸ナトリウム 約０．５〜１０％、約２〜４％、約３％
温度 常温〜約７０℃、常温〜約４０℃、約３０℃
スプレー圧 約0.１５〜１MPa、約0.１〜0.５MPa、0.２MPa
スプレー時間 約0.５〜200ｓ、約６０〜120ｓ、約８０ｓ
３）めっき（めっき）工程：
上記で調製したメタルマスク用型板１５に電気めっき（湿式）を行う（図１（ｃ））。ここで、めっき浴は、通常、ニッケルめっき浴とするが、ニッケル−鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）合金めっき浴、ニッケル−コバルト（Ｎｉ−Ｃｏ）合金めっき浴、ニッケル−タングステン（Ｎｉ−Ｗ）合金めっき浴等であってもよい。さらには、電鋳浴を用いてもよい。すると、基板１２上に、印刷パターンのネガに対応しためっき層１５が形成される。なお、めっきは電気めっきに限らず、無電解めっき等であってもよい。
【００２７】
ここで使用するめっき浴（ニッケルめっき浴：スルファミン浴）の一例を下記する。下記数値は、それぞれ、実施可能な範囲、実施例の順に記載したものである。
【００２８】
Ｎｉ（ＮＨ2ＳＯ3）2・４Ｈ2Ｏ 約２００〜６００ｇ／Ｌ、約３００ｇ／Ｌ
Ｈ3ＢＯ3 約２５〜５０ｇ／Ｌ、約３５ｇ／Ｌ
ＮｉＣｌ2 約０〜２０ｇ／Ｌ、約３ｇ／Ｌ
添加剤 適量
温度 約３０〜７０℃、約４０℃
ｐＨ 約２〜５、約４．０
電流密度 約０．５〜５０Ａ／ｄｍ2、約４Ａ／ｄｍ2
時間 必要な膜厚確保可能な時間（１Ａ／ｄｍ2約のとき０．２μｍ／ｍｉｎ）
４）メタルマスク剥離工程
上記のように電気めっきにより基板１２上に形成したメタルマスク本体１６を基板１２から剥離して本発明に使用する印刷パターンのネガ体であるメタルマスク本体１６を調製する（図１（ｄ））。
【００２９】
（２）セラミック処理：
次に、セラミック処理膜１８を上記メタルマスク本体１６の表面に形成してメタルマスク２０とする（図１（ｅ））。このとき、セラミック処理膜１８は、通常、図例の如く、全面とするが、裏側は必然的でない。すなわち、少なくとも、表側及びプリント部（穴部１６ａ）内側の各表面に対してセラミック処理膜１８を形成すればよい。
【００３０】
セラミック処理の方法は、特に限定されないが、通常、ＰＶＤ法又はＣＶＤ法とし、その膜厚は、セラミック処理膜の材質、ＰＶＤ法又はＣＶＤ法の種類、及びメタルマスクに要求される印刷再現性、耐摩耗性等の各要求特性に応じて変わるが、通常、約０．０１〜４μｍ、望ましくは、約０．５〜２μｍ、最も望ましくは約１μｍとする。
【００３１】
さらに、セラミック処理膜の硬さは、耐久性（耐摩耗性）の見地から、ビッカース硬さ（ＨＶ）（ＪＩＳ Ｚ ２２４４）がＨＶ１０００以上、望ましくはＨＶ２０００以上が望ましい。上限はＨＶ４０００とする。ちなみに、ＴｉＮ：ＨＶ１５００〜２５００、ＤＬＣ：ＨＶ１０００〜４０００、ＣｒＮ：１２００〜２２００であるのに対し、Ｎｉ：ＨＶ２００〜６００である。
【００３２】
また、同表面粗度（Ｒａ）は、印刷性の見地から、０．１〜１μｍ、さらには、後述の実施例の如く、０．３〜０．５μｍの範囲が望ましい。表面粗度が密（小さ）過ぎると、メタルマスクの印刷面にはんだペーストのような印刷剤が載り（保持され）難く印刷かすれが発生しやすくなり、他方、表面粗度が粗（大き）過ぎると、鮮明（精密）な高精度の印刷が困難となる。
【００３３】
そして、ＰＶＤ法としては、イオンプレーティング、スパッタリングなど、ＣＶＤ法としては、プラズマＣＶＤなど、セラミック成膜が可能であれば、特に限定されない。ＰＶＤ法としては、反応成膜方式のイオンプレーティング法が望ましい（特開２００２−３７１３５２号公報参照）。ＣＶＤ法としては、プラズマＣＶＤ（特開平６−１６３４３４・特開２００３−１１９５６４号公報参照）が望ましい。
【００３４】
以下、当該反応成膜方式について、当該公報の一部（段落００３７〜００４０）を引用しながら、説明する（図番及び図符号は、本明細書用に編集してある。）。
【００３５】
「図２に示すようなイオンプレーティング装置、通常、アークイオンプレーティング（ＡＩＰ）装置を用いて行う。ＡＩＰ法は、バナジウムを蒸発源とし、反応ガスを窒素ガス及び／又は炭化水素ガスとして注入ガス量・ガス比を膜種・膜厚に対応させて調節維持することにより、ＶＮ膜、ＶＣＮ膜、ＶＣ膜を高純度で基材上に反応成膜させることが容易なためである。当然、多陰極電子照射法、高周波励起法、ホロカソードディスチャージ法、クラスタ法、活性化反応蒸着法、等他のタイプのイオンプレーティング法も可能である。
【００３６】
イオンプレーティング装置は、チャンバー２２内に、バナジウム金属を保持する蒸発源保持部（ポット部）２４と、バイアス電圧源２６と接続されたメタルマスク本体（被処理物）１６を載置する回転テーブル３０を備えている。さらに、チャンバー２２は、チャンバー内を所定真空度に維持する排気ポンプと接続される排気口２８と、反応ガス（窒素及び／又はメタン）を導入する反応ガス導入口２９とを備えるとともに、チャンバー２２内を所定温度に維持するとともにメタルマスク本体（被処理物）１６も所定温度に維持するヒータ３１を備えている。
【００３７】
そして、ＡＩＰ法により反応成膜する場合を例に採り説明する。
【００３８】
蒸発源とするバナジウム（Ｖ）は、通常、ツウナインからスリーナインの純度のものを使用する。また、バナジウムと反応する元素である窒素及び炭素の供給源であるガスは、前者として窒素ガス（Ｎ2）を、後者としてメタン（ＣＨ4）、エタン、エチレン、アセチレン等の炭化水素ガスを使用可能である。炭化水素ガスとしては、未反応性ガスが装置や基材表面を汚染するため、煤の発生し難い、メタンが望ましい。そして、それらの純度は、それぞれ、スリーナインからシックスナインとする。」
そして、上記において、本発明のセラミック処理（ＤＬＣを除く。）に際して、蒸発源としては、バナジウム（Ｖ）の他にＴｉ、Ｃｒ、Ｗ等を使用でき、反応ガスは、窒化物の場合は窒素（Ｎ2）を、炭化物の場合はメタン等の炭化水素を、酸化物の場合は酸素（Ｏ2）を、それぞれ使用する。また、ＤＬＣをＣＶＤ法で成膜する場合において、さらに滑剤としてふっ素樹脂を含有させるときには、フルオロ炭化水素ガスを使用する。
【００３９】
フルオロ炭化水素としては、ふっ樹脂の原料である、テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、ペンタヘキサフルオロプロピレン等の不飽和化合物ないしオクタフルオロシクロブタン、デカフルオロシクロヘプタン等の脂環化合物、ばかりでなく、ヘキサフルオロエタン、ジクロロジフルオロメタン、1,1,2−トリクロロ−1,2,2−トリフルオロエタン等の飽和フルオロ炭化水素も使用可能である。飽和フルオロ炭化水素であっても、反応時に遊離ラジカルを含ませるため、重合化が可能となるためである。
【００４０】
なお、ＤＬＣとは、Diamond like carbonの略で膜中にダイヤモンド構造を有する硬質膜の総称であり、ＰＶＤ法又はＣＶＤ法で被膜形成を行う。ＰＶＤ法の場合は、蒸発源として黒鉛を使用する。また、ＣＶＤ法で成膜する場合は、メタン、プロパン、ヘキサン、エチレン、アセチレン等の炭素数１〜１２の、常温ガス状態で又は加温ないし減圧してガス状態で注入可能な飽和・不飽和炭化水素を反応ガスとして使用する。このＤＬＣにも前述と同様、ふっ素樹脂等の滑剤を含有させることができる。
【００４１】
また、滑剤としては、ふっ素樹脂以外に、二硫化モリブデン（ＭｏＳ2）、二硫化タングステン（ＷＳ2）、窒化ほう素（ＢＮ）等さらには黒鉛等の無機系固体滑剤を、単独又はふっ素樹脂を含めて２種以上組み合わせて使用可能である。滑剤の含有量は、滑剤の種類により異なるが、例えば、１〜５０質量％の範囲内で適宜選定する。滑剤の含有量が過多であると、耐摩耗性が低下するおそれがある。
【００４２】
また、上記成膜の際における基板温度は、常温〜５００℃の範囲内で、さらには、１００〜２００℃の範囲内で適宜設定することが望ましい。
【００４３】
上記のようにして調製したメタルマスク２０の使用態様について、従来例におけるメタルマスク２０Ａの使用態様とあわせて、以下に説明する。
【００４４】
メタルマスク２０（２０Ａ）を基板３６上にセットし、さらに、印刷剤（例えばはんだペースト）３４をメタルマスク２０（２０Ａ）の上に置き、スキージ（squeege）を用いて印刷剤３４を薄く広げる（展開する）。
【００４５】
印刷剤としては、はんだペーストの他に導電性塗料、印刷インキも使用可能である。
【００４６】
スキージとしては、図３に示すような従来のウレタンゴム製スキージ３２Ａであってもよいが、本発明においては、図４に示すような金属スキージ３２を使用することが望ましい。
【００４７】
本発明のメタルマスクを使用して印刷すると、非処理のメタルマスクに比して、勿論、樹脂入り金属皮膜を形成した場合に比しても、滑り性とともに耐摩耗性に優れているため、印刷性及びメタルマスクの耐久性も格段に向上する。また、スキージとして金属板を使用可能となるため、印刷剤の表面残りが低減することが期待できるとともにスキージ（従来は通常ウレタンゴム製）の耐久性も格段に向上する。さらには、ゴム製スキージにおけるような、図３に示すように印刷部３８の表面における凹みが発生することもない。
【実施例】
【００４８】
以下、本発明の効果を確認するために行った実施例を比較例とともに説明する。
【００４９】
表１に示す各メタルマスク本体に表示のセラミック処理（表面処理）を行った各試験片について、印刷性及びメタルマスク耐久性について、下記方法に従って性能試験を行った。
【００５０】
なお、めっきによるメタルマスク本体は、前記（１）の実施例の条件により製造した。また、セラミック処理（表面処理）は、前述の方法に準じて行った。なお、セラミック処理膜をふっ素素樹脂含有タイプとした場合のふっ素樹脂含有量は０．１〜５０％、ふっ素樹脂用の使用ガスはオクタフルオロシクロブタンとした。
【００５１】
（１）印刷性：
各メタルマスク（パターン部１５４×１５４ｍｍ）に形成された１００個の立方パターン（２００×２００×２００μｍ）に対して、はんだペーストを金属スキージ（ステンレス製、１ｍｍｔ）を用いてはんだペースト印刷を、プリント用基板上に行い、インキの断面形状（縦・横）の投影して、設定大きさ（面積）の±１０％以内に入った個数で下記基準により評価した。
【００５２】
５：１００個全部、 ４：９５〜９９個、 ３：９０〜９４個、
２：８０〜８９個、 １：７９個以下
それらの結果を表１に示すが、±１０％以内に入らない原因は、主として、1)メタルマスクへのはんだペースト残り（ａ）、２）はんだペーストのインクの糸引き（ｂ）、３）はんだペーストのにじみ（ｃ）（図３参照）であることが観察できた。
【００５３】
（２）耐摩耗性：
市販のクリームはんだによりクリームはんだ印刷機を用いて、３ｋｇｆ（２９．４Ｎ）の荷重を負荷させたスキージ（ＳＵＳ３０４製：幅４００ｍｍ×厚み１０ｍｍ）を速度３ｍ／ｍｉｎで１０００回印刷した後のメタルマスクの削れ量により下記基準により評価した。
【００５４】
５：削れ量が１μｍ以下で初期状態が略維持されている。
【００５５】
４：削れ量が１μｍ超３μｍ以下でインクの付着量が略許容レベル内である。
【００５６】
３：削れ量が３μｍ超５μｍ以下であるが、パターンが大きい場合は、この程度の誤差が許される。
【００５７】
２：削れ量が５μｍ超１０μｍ以下である。印刷回数に制限が必要である。
【００５８】
１：削れ量が１０μｍ超で使用に耐えない。
【００５９】
（３）評価
本発明の各実施例は、印刷性及び耐摩耗性に優れていることが分かる。特にリソグラフによりメタルマスク本体を調製したふっ素樹脂含有セラミック処理膜は、印刷性もすぐれていた。なお、本実施例はＰＶＤ法で成膜した場合であるが、ＣＶＤ法（例えば、プラズマＣＶＤ）でも、同様な効果を期待できる。
【００６０】
【表１】
さらに、実施例８・９及び比較例７で調製した各メタルマスクについて、表面粗度（ＪＩＳ Ｂ ０６０１）を測定した。測定箇所は試験片の四隅の一つから２０ｍｍ×２０ｍｍ内側の地点で、測定条件：測定長さ1ｍｍ、測定速度０．０３ｍｍ／ｓとして任意の３点で行った。
【００６１】
その結果（Ｒa）は、下記の如くであった。
【００６２】
実施例８：１）０．３９６μｍ、２）０．３４７μｍ、３）０．３３８μｍ
実施例９：１）０．４３１μｍ、２）０．３１７μｍ、３）０．３８３μｍ
比較例７：１）０．２５７μｍ、２）０．２４２μｍ、３）０．２４９μｍ
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明のメタルマスクの製造工程の一例を示すモデル断面図
【図２】本発明を適用する反応成膜方式のイオンプレーティング装置の一例を示すモデル断面図
【図３】従来のメタルマスクを使用してのゴム製スキージを用いた印刷方法を示すモデル断面図
【図４】本発明におけるメタルマスクを使用しての金属製スキージを用いた印刷方法を示すモデル断面図
【図５】印刷性能評価試験の不良原因の説明用断面図
【符号の説明】
【００６４】
１２ 金属基板
１４ 感光性樹脂塗膜
１５ メタルマスク用型板
１６ メタルマスク本体
１８ セラミック処理膜
２０ メタルマスク
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタルマスク本体の表面にセラミック処理膜が形成されてなることを特徴とするメタルマスク。
【請求項２】
前記メタルマスク本体がフォトリソグラフィ製版を用いためっき（電鋳を含む。）により形成されたものであることを特徴とする請求項１記載のメタルマスク。
【請求項３】
前記セラミック処理膜が、滑剤含有物であることを特徴とする請求項１又は２記載のメタルマスク。
【請求項４】
前記滑剤が、フッ素樹脂、二硫化モリブデン（ＭｏＳ2）、二硫化タングステン（ＷＳ2）及び窒化ほう素（ＢＮ）の群から選択される１種又は２種以上からなることを特徴とする請求項３記載のメタルマスク。
【請求項５】
前記セラミック処理膜がＰＶＤ（物理蒸着法：Physical Vapor Deposition）膜又はＣＶＤ膜（化学蒸着法：Chemical Vapor Deposition）膜であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のメタルマスク。
【請求項６】
前記セラミック処理膜が、反応成膜方式のイオンプレーティング膜（ＰＶＤ膜）又はプラズマＣＶＤ膜であることを特徴とする請求項５記載のメタルマスク。
【請求項７】
前記セラミック処理膜の形成セラミックが、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化クロム（ＣｒＮ）、窒化バナジウム（ＶＮ）、酸化けい素（ＳｉＯ2）及びＤＬＣ（ダイアモンド・ライク・カーボン：Diamond Like Carbon）の群から選択されることを特徴とする請求項６記載のメタルマスク。
【請求項８】
前記メタルマスクの表面硬さ（ＪＩＳ Ｚ ２２４４）がＨＶ１０００以上であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のメタルマスク。
【請求項９】
前記メタルマスクの表面硬さ（ＪＩＳ Ｚ ２２４４）がＨＶ２０００〜４０００であることを特徴とする請求項８に記載のメタルマスク。
【請求項１０】
前記メタルマスクの表面粗度（ＪＩＳ Ｂ ０６０１）が０．１〜１．０μｍＲaであることを特徴と請求項８又は９記載のメタルマスク。
【請求項１１】
前記メタルマスクの表面粗度（ＪＩＳ Ｂ ０６０１）が０．３〜０．５μｍＲaであることを特徴と請求項１０記載のメタルマスク。
【請求項１２】
請求項１〜１１記載のメタルマスクを使用して、金属スキージを用いて基板上に印刷することを特徴とする印刷方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の印刷方法を使用して、はんだ（半田）ペーストにより基板上にプリントすることを特徴とするプリント基板の製造方法。
【請求項１】
メタルマスク本体の表面にセラミック処理膜が形成されてなることを特徴とするメタルマスク。
【請求項２】
前記メタルマスク本体がフォトリソグラフィ製版を用いためっき（電鋳を含む。）により形成されたものであることを特徴とする請求項１記載のメタルマスク。
【請求項３】
前記セラミック処理膜が、滑剤含有物であることを特徴とする請求項１又は２記載のメタルマスク。
【請求項４】
前記滑剤が、フッ素樹脂、二硫化モリブデン（ＭｏＳ2）、二硫化タングステン（ＷＳ2）及び窒化ほう素（ＢＮ）の群から選択される１種又は２種以上からなることを特徴とする請求項３記載のメタルマスク。
【請求項５】
前記セラミック処理膜がＰＶＤ（物理蒸着法：Physical Vapor Deposition）膜又はＣＶＤ膜（化学蒸着法：Chemical Vapor Deposition）膜であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のメタルマスク。
【請求項６】
前記セラミック処理膜が、反応成膜方式のイオンプレーティング膜（ＰＶＤ膜）又はプラズマＣＶＤ膜であることを特徴とする請求項５記載のメタルマスク。
【請求項７】
前記セラミック処理膜の形成セラミックが、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化クロム（ＣｒＮ）、窒化バナジウム（ＶＮ）、酸化けい素（ＳｉＯ2）及びＤＬＣ（ダイアモンド・ライク・カーボン：Diamond Like Carbon）の群から選択されることを特徴とする請求項６記載のメタルマスク。
【請求項８】
前記メタルマスクの表面硬さ（ＪＩＳ Ｚ ２２４４）がＨＶ１０００以上であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のメタルマスク。
【請求項９】
前記メタルマスクの表面硬さ（ＪＩＳ Ｚ ２２４４）がＨＶ２０００〜４０００であることを特徴とする請求項８に記載のメタルマスク。
【請求項１０】
前記メタルマスクの表面粗度（ＪＩＳ Ｂ ０６０１）が０．１〜１．０μｍＲaであることを特徴と請求項８又は９記載のメタルマスク。
【請求項１１】
前記メタルマスクの表面粗度（ＪＩＳ Ｂ ０６０１）が０．３〜０．５μｍＲaであることを特徴と請求項１０記載のメタルマスク。
【請求項１２】
請求項１〜１１記載のメタルマスクを使用して、金属スキージを用いて基板上に印刷することを特徴とする印刷方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の印刷方法を使用して、はんだ（半田）ペーストにより基板上にプリントすることを特徴とするプリント基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００６−２０５７１６（Ｐ２００６−２０５７１６Ａ）
【公開日】平成１８年８月１０日（２００６．８．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２５８４７０（Ｐ２００５−２５８４７０）
【出願日】平成１７年９月６日（２００５．９．６）
【出願人】（０００１１５０７２）ユケン工業株式会社 (33)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年８月１０日（２００６．８．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月６日（２００５．９．６）
【出願人】（０００１１５０７２）ユケン工業株式会社 (33)
【Ｆターム（参考）】
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