メッキ装置
【課題】導電性を有する基材粒子表面に均一なメッキ層を形成するメッキ装置を提供するものであり、メッキ液の攪拌による基材粒子の飛散を防止してメッキ効率に優れたメッキ装置にする。
【解決手段】メッキ液Ｌと基材粒子２０ａを貯留可能なメッキ室１１ｄを有するメッキ槽１１ａと、メッキ室１１ｄにメッキ液Ｌが貯留された状態でメッキ液Ｌに浸漬される陽極１３ａおよび陰極１３ｂと、陽極１３ａと陰極１３ｂとの間に電位差を与える電源１４と、陰極表面に沿ってメッキ液Ｌと基材粒子２０ａを流動させる流動発生手段１２ｅと、極性の異なる磁極面１５ａを複数並べて向きが交互になる複数の磁界１５ｂを形成する磁気回路１５とを備え、流動する基材粒子２０ａが前記複数の磁界中を通過するように磁気回路が配置されたメッキ装置１０とする。
【解決手段】メッキ液Ｌと基材粒子２０ａを貯留可能なメッキ室１１ｄを有するメッキ槽１１ａと、メッキ室１１ｄにメッキ液Ｌが貯留された状態でメッキ液Ｌに浸漬される陽極１３ａおよび陰極１３ｂと、陽極１３ａと陰極１３ｂとの間に電位差を与える電源１４と、陰極表面に沿ってメッキ液Ｌと基材粒子２０ａを流動させる流動発生手段１２ｅと、極性の異なる磁極面１５ａを複数並べて向きが交互になる複数の磁界１５ｂを形成する磁気回路１５とを備え、流動する基材粒子２０ａが前記複数の磁界中を通過するように磁気回路が配置されたメッキ装置１０とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性を有する基材粒子表面にメッキ層を形成するメッキ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
導電性を有する基材粒子表面にメッキ層を形成する技術として、Ｃｕを主体としたコアボールの表面に半田メッキ層を形成して半田被覆Ｃｕコアボール（以下Ｃｕコアボールと称する）を製造する技術がある。本明細書では従来技術の問題点を明らかにするために、Ｃｕコアボールを製造するメッキ装置を例に本発明のメッキ装置を説明するが、本発明は必ずしもＣｕコアボールを製造するメッキ装置に限定されるものではない。
【０００３】
近年、高密度実装により多ピッチ化・狭ピッチ化の進むＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｌｌａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）等の半導体パッケージには、入出力端子用のバンプとして小径のＣｕコアボールが適用されている。Ｃｕコアボールは、リフローしてもコア部分が溶融せず、半導体素子と基板とを所定の距離を保ちつつ実装できるので、半導体素子の起動・停止で生じる熱サイクル負荷等に起因したエレクトロマイグレーションを抑制でき、断線防止に効果的である。
【０００４】
Ｃｕコアボールの製造技術には、メッキ液が流通可能な多数の開口を有するバレル内にコアボールを収納し、バレルをメッキ浴中で自転させ、Ｃｕコアボール表面に半田を形成するバレル式電気メッキ法が知られている。しかしながら、直径１００μｍ以下の小径Ｃｕコアボールを製造するには、バレルの自転による転動だけではコアボールの攪拌が不十分であり、上記方法では、コアボールが凝集して連結したり、メッキ層表面が粗面化したり、メッキ層の厚みが部分的に不均一になる等の歩留まりの低下が問題になっていた。
【０００５】
一方、Ｃｕコアボールのような粉粒体表面にメッキ層を形成する他の例が、特許文献１に記載されている。特許文献１には、粉粒体表面に均一なメッキ層を形成するために、「メッキ槽内底面に陰極を形成し、この内底面上に被メッキ物である粉粒体を堆積させると共に、この粉流体を攪拌下において実質的にメッキ槽内底面に堆積した状態を維持しつつ電気メッキする粉粒体への電気メッキ方法」が開示されており、第１図から第３図にメッキ装置の概念図が示されている。
【０００６】
特許文献１の方法によれば、粉粒体はメッキ槽内底面に堆積された状態を維持しつつ、攪拌機により攪拌されながらメッキされるので、粉粒体表面には均一なメッキ層が形成される。また、攪拌により粉粒体が飛散すると粉粒体と陰極との間に電気導通が形成される機会が減少してメッキ効率の低下が懸念されるが、特許文献１の方法によれば、第２図に示されるような隔膜を配設することで粉粒体の飛散が防止できるとしている。かかる飛散防止効果により、粉粒体は陰極であるメッキ槽内底面に堆積された状態を維持でき、メッキ効率を落とすことなく粉粒体表面にメッキ層を形成することができる。
【０００７】
コアボール表面に均一な厚みのメッキ層を形成するには、特許文献１の方法において攪拌を十分に行い、コアボールの飛散防止に隔膜を配設すれば良いと考えられる。しかしながら、特許文献１の方法を直径１００μｍ以下の小径コアボールに適用する場合には目の細かい隔膜が必要であり、攪拌してもメッキ液の循環が悪くなるので、隔膜の上下でメッキ液の組成が不均一になる現象が懸念される。このような現象は、特に半田メッキのような多元系のメッキではメッキ層の組成ずれに繋がるので好ましくない。従って、小径の粉粒体のメッキでは、隔膜を用ずに飛散を防止する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭５９−４１４８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記従来技術の問題点を解決する発明であり、導電性を有する基材粒子表面に均一なメッキ層を形成するメッキ装置を提供するものであり、メッキ液の攪拌による基材粒子の飛散を防止してメッキ効率に優れたメッキ装置の提供を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のメッキ装置は、導電性を有する基材粒子の表面にメッキ層を形成するメッキ装置であって、メッキ液と基材粒子を貯留可能なメッキ室を有するメッキ槽と、メッキ室にメッキ液が貯留された状態でメッキ液に浸漬される陽極および陰極と、陽極と陰極との間に電位差を与える電源と、陰極表面に沿ってメッキ液と基材粒子を流動させる流動発生手段と、極性の異なる磁極面を複数並べて向きが交互になる複数の磁界を形成する磁気回路とを備え、流動する基材粒子が前記複数の磁界中を通過するように磁気回路が配置されることを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明のメッキ装置は、略円形の陰極が周壁を備えたメッキ室の底面を構成するとともに、流動発生手段がメッキ液と基材粒子とを陰極上で旋回流動させることを可能にし、磁気回路の磁極面が陰極と対向して配される構成にしても良い。
【００１２】
そして、本発明のメッキ装置が備える磁気回路は、複数の永久磁石を並べ配した構成にしても良いし、多極着磁した永久磁石を用いても良い。さらに、磁気回路の磁極面を基材粒子の流動方向に移動可能にする駆動機構を備えても良い。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のメッキ装置は、特許文献１のような隔膜を用いることなく、基材粒子の流動と磁界による電磁誘導作用により基材粒子の飛散を抑制するものであり、メッキ液の攪拌を阻害することなく、優れたメッキ効率で導電性を有する基材粒子の表面に厚みが均一なメッキ層を形成することができる。なお、上記メッキ装置の好ましい様態及びその効果については以下詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明により基材粒子の飛散が抑制される原理を説明する図である。
【図２】本発明の実施様態にかかる装置正面図である。
【図３】本発明の実施様態にかかる装置平面図である。
【図４】本発明の実施様態にかかる磁気回路を説明する図である。
【図５】本発明の他の実施様態の装置正面図である。
【図６】本発明の他の実施様態の装置正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（原理）
まず、図１を用いて、本発明のメッキ装置において流動する基材粒子の飛散が抑制される原理について説明する。
【００１６】
本発明のメッキ装置は、メッキ液Ｌとともに陰極表面１３ｃに沿って流動する基材粒子２０ａが陰極表面１３ｃから浮き上がって飛散するのを抑制するために、極性の異なる磁極面１５ａが複数並べられた磁気回路１５を備えている。極性の異なる磁極面１５ａが複数並べられることで、磁気回路１５の下面である磁極面１５ａ近傍には、陰極表面１３ｃと平行で向きが１８０°交互になる複数の磁界１５ｂが形成される。導電性を有する基材粒子２０ａが流動して陰極表面１３ｃから磁極面１５ａに接近し、向きが１８０°交互になる複数の磁界１５ｂ中を通過すると、電磁誘導の作用により基材粒子２０ａには磁極面１５ａと反発する向き、すなわち、陰極表面１３ｃに押し戻される向きの斥力が作用する。かかる斥力により、流動する基材粒子２０ａが陰極表面１３ｃから浮き上がって飛散するのを抑制することが可能になる。
【００１７】
流動速度が大きくなるほど基材粒子２０ａは陰極表面１３ｃから浮き上がりやすくなるが、電磁誘導による基材粒子２０ａの押付け効果も流動速度が大きくなるほど大きくなるので、本発明のメッキ装置は、基材粒子２０ａを高速で流動・攪拌させる場合においても、陰極表面１３ｃからの基材粒子２０ａの浮き上がりを抑制することができる。
【００１８】
また、磁気回路１５ａが形成する磁界１５ｂにより基材粒子２０ａの飛散は抑制されるが、メッキ液の流動・攪拌自体は磁界１５ｂに影響を受けない。従って、特許文献１の隔壁を用いたメッキ装置のように、メッキ液の循環が阻害されないので、メッキ液が不均一になることはない。従って本発明のメッキ装置は、例えば半田メッキのような多元系のメッキに用いても、組成ずれの発生しにくいメッキ装置とすることができる。
【００１９】
（装置概略）
次に、本発明のメッキ装置に関する実施態様を、図面を参照しながら説明する。下記の実施態様は、導電性を有する基材粒子としてＣｕを主体とする球状のコアボールの表面に、Ｓｎを主体とするメッキ層を形成するメッキ装置について説明したものであるが、本発明は必ずしもこの装置に限定されることはない。他の導電性層を有する基材粒子等の表面に電気メッキ法で金属被覆層を形成するのにも好適なメッキ装置である。また、コアボールのような球状の基材粒子だけでなく、例えば長軸と短軸を有する針状の基材粒子や、形状的特徴のない不定形の基材粒子の表面に電気メッキ法で金属被覆層を形成するのにも好適なメッキ装置でもある。
【００２０】
メッキ装置の概略構成を、図２の装置正面図と、図３の密閉蓋を取り外した状態の平面図を用いて説明する。
【００２１】
メッキ装置１０は、本体部１１、メッキ液Ｌに浸漬される陽極１３ａ、陰極１３ｂ、陽極と陰極との間に電位差を与える電源１４、メッキ液供給管１２ａとメッキ液排出管１２ｃを介してメッキ槽に接続された流動発生手段１２ｅ、発生する磁界により流動する基材粒子の飛散を抑制する磁気回路１５を基本的な構成としている。
【００２２】
本体部１１は、円形状の底面１１ｅと、底面１１ｅに向かって縮径する円錐形状の周壁１１ｆとを有するメッキ室１１ｄによりメッキ槽１１ａが構成され、メッキ槽１１ａはメッキ液Ｌに対して耐蝕性があるとともに非導電性の樹脂材料で形成されている。メッキ槽１１ａは、上下に開口した容器１１ｂと、容器１１ｂの上部開口部に密着して開口部を閉塞する密閉蓋１１ｃと、下部開口部に密着して開口部を閉塞する陰極１３ｂで構成されている。この容器１１ｂと密閉蓋１１ｃ、陰極１３ｂとにより形成される空間がメッキ室１１ｄであり、多数のコアボール２０ｂと所定量のメッキ液Ｌが貯留される。
【００２３】
メッキ液供給管１２ａは、メッキ室１１ｄの周壁１１ｆ上部にメッキ液Ｌの供給口１２ｂを開口してその一端がメッキ槽１１ａに接続されている。また、メッキ液排出管１２ｃは、軸芯がメッキ室１１ｄと同軸になるように、密閉蓋の中央部を貫通してメッキ室１１ｄの中に突き刺さるようにして配され、排出口１２ｄがメッキ室１１ｄの軸芯の中間位置で開口してメッキ槽１１ａに接続されている。そして、メッキ液供給管１２ａおよびメッキ液排出管１２ｃのメッキ槽に接続されていない他端は流動発生手段１２ｅに接続されている。
【００２４】
流動発生手段１２ｅは、図示しないメッキ液貯蔵タンク、メッキ液循環用ポンプ、メッキ液浄化用フィルタ及び流量制御弁等で構成されており、メッキ液供給管１２ａを通じメッキ室１１ｄにメッキ液Ｌを供給するとともに、メッキ液排出管１２ｃを通じメッキ室１１ｄからメッキ液Ｌを吸引する構成になっている。
【００２５】
本実施様態の流動発生手段１２ｅから送り出されたメッキ液Ｌは、メッキ液供給管１２ａを流通して供給口１２ｂからメッキ室１１ｄに供給され、メッキ室１１ｄの周壁１１ｆに沿って旋回流動しながら螺旋状に流下してメッキ室１１ｄの底面１１ｅに達し、底面１１ｅに沿って流動した後上昇流となり、排出口１２ｄを通じてメッキ液排出管１２ｃから排出されて流動発生手段１２ｅに戻る。
【００２６】
流動発生手段１２ｅのメッキ液循環用ポンプや流量制御弁を調整すれば、メッキ室１１ｄに供給されるメッキ液Ｌの流速や流量を経時的に変化させることが可能であり、旋回流動するコアボール２０ｂの速度を調整することも可能である。
【００２７】
本実施様態のメッキ装置１０に用いた流動発生手段１２ｅは、メッキ液Ｌおよびコアボール２０ｂを流動させるとともに、メッキ液Ｌの循環ろ過機能も兼ね備えた手段であるが、本発明に用いることが可能な流動発生手段１２ｅはこれに限定されるものではない。例えば、特許文献１のプロペラのように、メッキ液Ｌの攪拌機能のみを有しメッキ液Ｌの循環ろ過機能を有さない流動発生手段１２ｅであっても良い。
【００２８】
メッキ室１１ｄ中の大部分のコアボール２０ｂは、メッキ液Ｌの流動とともに、通常底面１１ｅ、すなわち陰極表面１３ｃ近傍を旋回流動するが、コアボール２０ｂの粒径分布が不均一であったり旋回流に乱れが生じたりすると、一部のコアボール２０ｂは陰極表面１３ｃ近傍の旋回軌道を離脱して浮き上がろうとする。しかし、浮き上がったコアボール２０ｂは、磁気回路１５の下面である磁極面１５ａに接近し、磁気回路１５により形成された複数の磁界１５ｂ中を通過すると、電磁誘導の作用により磁極面１５ａと反発する向き、すなわち、陰極表面１３ｃに押し戻される向きの斥力を受け、再び陰極表面１３ｃ近傍の旋回軌道に戻されるようになる。以上作用により、流動するコアボール２０ｂの一部が陰極表面１３ｃから浮き上がって飛散するのを抑制することが可能になる。
【００２９】
陽極１３ａは、錫を含む材料からなり、メッキ液排出管１２ａの外周面に配置されてメッキ室１１ｄを満たすメッキ液Ｌに浸漬される。そして、電気的に電源１４の正極に接続される。
【００３０】
陰極１３ｂは、ステンレス鋼、チタン、白金メッキされたチタン等の材料からなり、円板状にしてその表面１３ｃはメッキ室１１ｄの底面１１ｅを構成してメッキ室１１ｄを満たすメッキ液Ｌに浸漬される。そして、電気的に電源１４の負極に接続される。
【００３１】
本実施様態のメッキ装置１０は、図４（ａ）に示されるようなリング状の永久磁石からなる磁気回路１５を備える。なお、図でコアボール２０ｂ、磁極面１５ａ近傍の磁力線１５ｃを理解しやすいように、磁気回路１５の手前部分の図示を省略している。磁気回路１５は多極着磁された一体物の永久磁石であり、磁気回路１５の下端面から出た磁力線が周壁１１ｆを透過して陰極表面１３ｃ方向に向かうよう、磁極方向がメッキ室１１ｄの軸芯方向に対して傾いた構造になっている。このような形状とすることにより、旋回流動による遠心力により底面１１ｅを旋回流動するコアボール２０ｂには、図４（ｂ）の太矢印で示されるような、陰極表面１３ｃに押さえつけられる向きの力が発生し、コアボール２０ｂが陰極表面１３ｃから浮き上がって飛散するのを抑制することができる。
【００３２】
ここで、磁気回路１５は必ずしも一体物の永久磁石である必要は無く、複数の永久磁石を磁極が交互になるように並べ配しても良いし、電磁石で構成しても良い。
【００３３】
また、本実施様態のメッキ装置１０における磁気回路１５はメッキ槽に対して固定されたものであるが、メッキ室１１ｄの軸方向に移動可能なものとしても良い。磁気回路１５がメッキ室１１ｄの軸方向に移動できれば、コアボール２０ｂの量、飛散の程度に合わせて磁極面１５ａの高さ位置の最適化を図ることができる。
【００３４】
（メッキ装置の動作）
上記メッキ装置の動作を説明する。まず、準備工程では、密閉蓋１１ｃを開けて所定数のコアボール２０ｂをメッキ室１１ｄの底面１１ｅ（陰極表面１３ｃ）に載置し、メッキ液Ｌを流動発生手段１２ｅのメッキ液貯蔵タンクに格納する。なお、コアボール２０ｂには、酸洗処理をして表面を清浄化したものを用いるほうが良い。また、半田メッキ用のメッキ液Ｌは、例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の液組成を有する大和化成製の商品名「ＤＡＩＮ ＴＩＮＳＩＬ ＳＢＢ ２」や、ローム＆ハース製の商品名「ＳＯＬＤＥＲＯＮ ＢＰ ＳＡＣ５０００」等に添加剤を添加して、例えばホウフッ化浴など周知のメッキ浴に適宜調整して用いることができる。メッキ室１１に載置される粒子は全てコアボール２０ｂでなくともよく、例えばコアボール２０ｂの攪拌を促進するための攪拌促進体として、半田や鋼を主体として非磁性の導電性ダミーボール、樹脂やセラミックス等を主体とした非導電性ダミーボールを適量加えても良い。
【００３５】
メッキ装置１０は、密閉蓋１１ｃを閉じてメッキ室１１ｄを密閉空間にした後、まず、流動発生手段１２ｅを作動させ、メッキ液供給管１２ａを通じてメッキ室１１ｄへ所定の流量でメッキ液Ｌを供給する。メッキ室１１ｄがメッキ液Ｌで満たされると、メッキ液Ｌはメッキ室１１ｄの周壁１１ｆに沿い旋回流動するとともに、周壁１１ｆの傾斜に沿い底面１１ｅに向い螺旋状に流下する旋回流となる。旋回流動しつつ底面１１ｅに達したメッキ液は、底面１１ｅに接触している複数のコアボール２０ｂをメッキ室１１ｄの底面１１ｅ（陰極表面１３ｃ）の上で旋回流動させる。ここで複数のコアボール２０ｂのうちのいくつかは、底面１１ｅすなわち電源の負極に電気的に接続された陰極表面１３ｃに接触するので、陽極１３ａとの間にメッキ電流が流れて表面にメッキ層が形成される。また、コアボール２０ｂはメッキ室１１ｄの底面１１ｅに接触しつつ旋回流動するのとともに底面１１ｅ上を転動するので、コアボール２０ｂ同士が付着しにくくコアボール２０ｂ同士の凝集が防止でき、かつ転動によりコアボール２０ｂの表面が底面１１ｅに触れる機会が均等になるので、コアボール２０ｂ表面に均一厚みのメッキ層を形成できる。なお、メッキ室１１ｄがメッキ液Ｌで満たされた後に、メッキ液排出管１２ｃを通じてメッキ液を吸引するようにすれば、メッキ液Ｌの旋回流がより整流化され、コアボール２０ｂの旋回流動が安定化するので好ましい。
【００３６】
本実施様態のメッキ装置１０のようなメッキ液Ｌを旋回流動させてメッキを行なう装置では、メッキ液Ｌをより高速で旋回流動させたほうがコアボール２０ｂ同士の凝集（付着）が防止でき、コアボール２０ｂ表面に平滑なメッキ層が形成できるので好ましいと考えられる。しかしながら、メッキ液Ｌの流速が速くなると、突発的な旋回流の乱れの発生によりコアボール２０ｂの挙動が不安定になり、通常はその一部が旋回流から離脱し周壁１１ｆに沿って上昇・飛散しやすくなる。よって陰極表面１３ｃとの接触機会が減少してしまい、メッキ効率が低下してしまう他に、メッキ液Ｌとともにメッキ液排出管１２ｃから流出してしまう場合がある。しかしながら本実施様態のメッキ装置１０では、磁気回路１５が形成する磁界によりコアボール２０ｂの飛散が抑制されるので、メッキ効率を低下させることなくコアボール２０ｂ表面に平滑なメッキ層を形成することができる。
【００３７】
本発明に関するメッキ装置の他の実施様態について、図５と図６を参照しながら説明する。なお、これら実施様態における上記メッキ装置と同一の構成要素については説明を省略する。
【００３８】
図５に示すメッキ装置１０は、リング状の磁気回路１５をメッキ室１１ｄの軸芯と同じ回転軸で回転可能なホルダ１６に固定したものである。モータ１７ａの回転駆動をプーリ１７ｂ、ベルト１７ｃを介してホルダ１６に伝達させることにより、磁気回路１５を回転可能にしている。
【００３９】
速度制御可能なモータをモータ１７ａに使用して磁気回路１５の回転速度を調整すれば、コアボール２０ｂの飛散抑制効果を調整することができる。たとえば、コアボール２０ｂが飛散しやすい条件では、コアボール２０ｂの旋回方向と逆向きに磁気回路１５を回転させてやれば良い。旋回流動するコアボール２０ｂと磁気回路１５の磁極面１５ａとの相対速度が大きくなるほど、コアボール２０ｂの飛散抑制効果が得られるようになる。
【００４０】
図６に示すメッキ装置１０は、磁気回路１５をメッキ室１１ｄ内に設けたものである。本発明のメッキ装置１０では、図６（ａ）のようにメッキ液排出管１２ｃの排出口１２ｄ近傍に磁気回路１５を設けることも可能であり、図６（ｂ）のように、メッキ液排出管１２ｃと陰極表面１３ｃの間に磁気回路１５を設けることも可能である。本実施様態は、コアボール２０ｂと磁気回路１５の磁極面１３ｃを接近させることができ、コアボール２０ｂの飛散抑制効果が高くなる。
【符号の説明】
【００４１】
１０ メッキ装置
１１ 本体部
１１ａ メッキ槽
１１ｂ 容器
１１ｃ 密閉蓋
１１ｄ メッキ室
１１ｅ 底面
１１ｆ 周壁
１２ａ メッキ液供給管
１２ｂ 供給口
１２ｃ メッキ液排出管
１２ｄ 排出口
１２ｅ 流動発生手段
１３ａ 陽極
１３ｂ 陰極
１３ｃ 陰極表面
１４ 電源
１５ 磁気回路
１５ａ 磁極面
１５ｂ 磁界
１５ｃ 磁力線
１６ ホルダ
１７ａ モータ
１７ｂ プーリ
１７ｃ ベルト
２０ａ 基材粒子
２０ｂ コアボール
Ｌ メッキ液
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性を有する基材粒子表面にメッキ層を形成するメッキ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
導電性を有する基材粒子表面にメッキ層を形成する技術として、Ｃｕを主体としたコアボールの表面に半田メッキ層を形成して半田被覆Ｃｕコアボール（以下Ｃｕコアボールと称する）を製造する技術がある。本明細書では従来技術の問題点を明らかにするために、Ｃｕコアボールを製造するメッキ装置を例に本発明のメッキ装置を説明するが、本発明は必ずしもＣｕコアボールを製造するメッキ装置に限定されるものではない。
【０００３】
近年、高密度実装により多ピッチ化・狭ピッチ化の進むＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｌｌａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）等の半導体パッケージには、入出力端子用のバンプとして小径のＣｕコアボールが適用されている。Ｃｕコアボールは、リフローしてもコア部分が溶融せず、半導体素子と基板とを所定の距離を保ちつつ実装できるので、半導体素子の起動・停止で生じる熱サイクル負荷等に起因したエレクトロマイグレーションを抑制でき、断線防止に効果的である。
【０００４】
Ｃｕコアボールの製造技術には、メッキ液が流通可能な多数の開口を有するバレル内にコアボールを収納し、バレルをメッキ浴中で自転させ、Ｃｕコアボール表面に半田を形成するバレル式電気メッキ法が知られている。しかしながら、直径１００μｍ以下の小径Ｃｕコアボールを製造するには、バレルの自転による転動だけではコアボールの攪拌が不十分であり、上記方法では、コアボールが凝集して連結したり、メッキ層表面が粗面化したり、メッキ層の厚みが部分的に不均一になる等の歩留まりの低下が問題になっていた。
【０００５】
一方、Ｃｕコアボールのような粉粒体表面にメッキ層を形成する他の例が、特許文献１に記載されている。特許文献１には、粉粒体表面に均一なメッキ層を形成するために、「メッキ槽内底面に陰極を形成し、この内底面上に被メッキ物である粉粒体を堆積させると共に、この粉流体を攪拌下において実質的にメッキ槽内底面に堆積した状態を維持しつつ電気メッキする粉粒体への電気メッキ方法」が開示されており、第１図から第３図にメッキ装置の概念図が示されている。
【０００６】
特許文献１の方法によれば、粉粒体はメッキ槽内底面に堆積された状態を維持しつつ、攪拌機により攪拌されながらメッキされるので、粉粒体表面には均一なメッキ層が形成される。また、攪拌により粉粒体が飛散すると粉粒体と陰極との間に電気導通が形成される機会が減少してメッキ効率の低下が懸念されるが、特許文献１の方法によれば、第２図に示されるような隔膜を配設することで粉粒体の飛散が防止できるとしている。かかる飛散防止効果により、粉粒体は陰極であるメッキ槽内底面に堆積された状態を維持でき、メッキ効率を落とすことなく粉粒体表面にメッキ層を形成することができる。
【０００７】
コアボール表面に均一な厚みのメッキ層を形成するには、特許文献１の方法において攪拌を十分に行い、コアボールの飛散防止に隔膜を配設すれば良いと考えられる。しかしながら、特許文献１の方法を直径１００μｍ以下の小径コアボールに適用する場合には目の細かい隔膜が必要であり、攪拌してもメッキ液の循環が悪くなるので、隔膜の上下でメッキ液の組成が不均一になる現象が懸念される。このような現象は、特に半田メッキのような多元系のメッキではメッキ層の組成ずれに繋がるので好ましくない。従って、小径の粉粒体のメッキでは、隔膜を用ずに飛散を防止する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭５９−４１４８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記従来技術の問題点を解決する発明であり、導電性を有する基材粒子表面に均一なメッキ層を形成するメッキ装置を提供するものであり、メッキ液の攪拌による基材粒子の飛散を防止してメッキ効率に優れたメッキ装置の提供を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のメッキ装置は、導電性を有する基材粒子の表面にメッキ層を形成するメッキ装置であって、メッキ液と基材粒子を貯留可能なメッキ室を有するメッキ槽と、メッキ室にメッキ液が貯留された状態でメッキ液に浸漬される陽極および陰極と、陽極と陰極との間に電位差を与える電源と、陰極表面に沿ってメッキ液と基材粒子を流動させる流動発生手段と、極性の異なる磁極面を複数並べて向きが交互になる複数の磁界を形成する磁気回路とを備え、流動する基材粒子が前記複数の磁界中を通過するように磁気回路が配置されることを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明のメッキ装置は、略円形の陰極が周壁を備えたメッキ室の底面を構成するとともに、流動発生手段がメッキ液と基材粒子とを陰極上で旋回流動させることを可能にし、磁気回路の磁極面が陰極と対向して配される構成にしても良い。
【００１２】
そして、本発明のメッキ装置が備える磁気回路は、複数の永久磁石を並べ配した構成にしても良いし、多極着磁した永久磁石を用いても良い。さらに、磁気回路の磁極面を基材粒子の流動方向に移動可能にする駆動機構を備えても良い。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のメッキ装置は、特許文献１のような隔膜を用いることなく、基材粒子の流動と磁界による電磁誘導作用により基材粒子の飛散を抑制するものであり、メッキ液の攪拌を阻害することなく、優れたメッキ効率で導電性を有する基材粒子の表面に厚みが均一なメッキ層を形成することができる。なお、上記メッキ装置の好ましい様態及びその効果については以下詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明により基材粒子の飛散が抑制される原理を説明する図である。
【図２】本発明の実施様態にかかる装置正面図である。
【図３】本発明の実施様態にかかる装置平面図である。
【図４】本発明の実施様態にかかる磁気回路を説明する図である。
【図５】本発明の他の実施様態の装置正面図である。
【図６】本発明の他の実施様態の装置正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（原理）
まず、図１を用いて、本発明のメッキ装置において流動する基材粒子の飛散が抑制される原理について説明する。
【００１６】
本発明のメッキ装置は、メッキ液Ｌとともに陰極表面１３ｃに沿って流動する基材粒子２０ａが陰極表面１３ｃから浮き上がって飛散するのを抑制するために、極性の異なる磁極面１５ａが複数並べられた磁気回路１５を備えている。極性の異なる磁極面１５ａが複数並べられることで、磁気回路１５の下面である磁極面１５ａ近傍には、陰極表面１３ｃと平行で向きが１８０°交互になる複数の磁界１５ｂが形成される。導電性を有する基材粒子２０ａが流動して陰極表面１３ｃから磁極面１５ａに接近し、向きが１８０°交互になる複数の磁界１５ｂ中を通過すると、電磁誘導の作用により基材粒子２０ａには磁極面１５ａと反発する向き、すなわち、陰極表面１３ｃに押し戻される向きの斥力が作用する。かかる斥力により、流動する基材粒子２０ａが陰極表面１３ｃから浮き上がって飛散するのを抑制することが可能になる。
【００１７】
流動速度が大きくなるほど基材粒子２０ａは陰極表面１３ｃから浮き上がりやすくなるが、電磁誘導による基材粒子２０ａの押付け効果も流動速度が大きくなるほど大きくなるので、本発明のメッキ装置は、基材粒子２０ａを高速で流動・攪拌させる場合においても、陰極表面１３ｃからの基材粒子２０ａの浮き上がりを抑制することができる。
【００１８】
また、磁気回路１５ａが形成する磁界１５ｂにより基材粒子２０ａの飛散は抑制されるが、メッキ液の流動・攪拌自体は磁界１５ｂに影響を受けない。従って、特許文献１の隔壁を用いたメッキ装置のように、メッキ液の循環が阻害されないので、メッキ液が不均一になることはない。従って本発明のメッキ装置は、例えば半田メッキのような多元系のメッキに用いても、組成ずれの発生しにくいメッキ装置とすることができる。
【００１９】
（装置概略）
次に、本発明のメッキ装置に関する実施態様を、図面を参照しながら説明する。下記の実施態様は、導電性を有する基材粒子としてＣｕを主体とする球状のコアボールの表面に、Ｓｎを主体とするメッキ層を形成するメッキ装置について説明したものであるが、本発明は必ずしもこの装置に限定されることはない。他の導電性層を有する基材粒子等の表面に電気メッキ法で金属被覆層を形成するのにも好適なメッキ装置である。また、コアボールのような球状の基材粒子だけでなく、例えば長軸と短軸を有する針状の基材粒子や、形状的特徴のない不定形の基材粒子の表面に電気メッキ法で金属被覆層を形成するのにも好適なメッキ装置でもある。
【００２０】
メッキ装置の概略構成を、図２の装置正面図と、図３の密閉蓋を取り外した状態の平面図を用いて説明する。
【００２１】
メッキ装置１０は、本体部１１、メッキ液Ｌに浸漬される陽極１３ａ、陰極１３ｂ、陽極と陰極との間に電位差を与える電源１４、メッキ液供給管１２ａとメッキ液排出管１２ｃを介してメッキ槽に接続された流動発生手段１２ｅ、発生する磁界により流動する基材粒子の飛散を抑制する磁気回路１５を基本的な構成としている。
【００２２】
本体部１１は、円形状の底面１１ｅと、底面１１ｅに向かって縮径する円錐形状の周壁１１ｆとを有するメッキ室１１ｄによりメッキ槽１１ａが構成され、メッキ槽１１ａはメッキ液Ｌに対して耐蝕性があるとともに非導電性の樹脂材料で形成されている。メッキ槽１１ａは、上下に開口した容器１１ｂと、容器１１ｂの上部開口部に密着して開口部を閉塞する密閉蓋１１ｃと、下部開口部に密着して開口部を閉塞する陰極１３ｂで構成されている。この容器１１ｂと密閉蓋１１ｃ、陰極１３ｂとにより形成される空間がメッキ室１１ｄであり、多数のコアボール２０ｂと所定量のメッキ液Ｌが貯留される。
【００２３】
メッキ液供給管１２ａは、メッキ室１１ｄの周壁１１ｆ上部にメッキ液Ｌの供給口１２ｂを開口してその一端がメッキ槽１１ａに接続されている。また、メッキ液排出管１２ｃは、軸芯がメッキ室１１ｄと同軸になるように、密閉蓋の中央部を貫通してメッキ室１１ｄの中に突き刺さるようにして配され、排出口１２ｄがメッキ室１１ｄの軸芯の中間位置で開口してメッキ槽１１ａに接続されている。そして、メッキ液供給管１２ａおよびメッキ液排出管１２ｃのメッキ槽に接続されていない他端は流動発生手段１２ｅに接続されている。
【００２４】
流動発生手段１２ｅは、図示しないメッキ液貯蔵タンク、メッキ液循環用ポンプ、メッキ液浄化用フィルタ及び流量制御弁等で構成されており、メッキ液供給管１２ａを通じメッキ室１１ｄにメッキ液Ｌを供給するとともに、メッキ液排出管１２ｃを通じメッキ室１１ｄからメッキ液Ｌを吸引する構成になっている。
【００２５】
本実施様態の流動発生手段１２ｅから送り出されたメッキ液Ｌは、メッキ液供給管１２ａを流通して供給口１２ｂからメッキ室１１ｄに供給され、メッキ室１１ｄの周壁１１ｆに沿って旋回流動しながら螺旋状に流下してメッキ室１１ｄの底面１１ｅに達し、底面１１ｅに沿って流動した後上昇流となり、排出口１２ｄを通じてメッキ液排出管１２ｃから排出されて流動発生手段１２ｅに戻る。
【００２６】
流動発生手段１２ｅのメッキ液循環用ポンプや流量制御弁を調整すれば、メッキ室１１ｄに供給されるメッキ液Ｌの流速や流量を経時的に変化させることが可能であり、旋回流動するコアボール２０ｂの速度を調整することも可能である。
【００２７】
本実施様態のメッキ装置１０に用いた流動発生手段１２ｅは、メッキ液Ｌおよびコアボール２０ｂを流動させるとともに、メッキ液Ｌの循環ろ過機能も兼ね備えた手段であるが、本発明に用いることが可能な流動発生手段１２ｅはこれに限定されるものではない。例えば、特許文献１のプロペラのように、メッキ液Ｌの攪拌機能のみを有しメッキ液Ｌの循環ろ過機能を有さない流動発生手段１２ｅであっても良い。
【００２８】
メッキ室１１ｄ中の大部分のコアボール２０ｂは、メッキ液Ｌの流動とともに、通常底面１１ｅ、すなわち陰極表面１３ｃ近傍を旋回流動するが、コアボール２０ｂの粒径分布が不均一であったり旋回流に乱れが生じたりすると、一部のコアボール２０ｂは陰極表面１３ｃ近傍の旋回軌道を離脱して浮き上がろうとする。しかし、浮き上がったコアボール２０ｂは、磁気回路１５の下面である磁極面１５ａに接近し、磁気回路１５により形成された複数の磁界１５ｂ中を通過すると、電磁誘導の作用により磁極面１５ａと反発する向き、すなわち、陰極表面１３ｃに押し戻される向きの斥力を受け、再び陰極表面１３ｃ近傍の旋回軌道に戻されるようになる。以上作用により、流動するコアボール２０ｂの一部が陰極表面１３ｃから浮き上がって飛散するのを抑制することが可能になる。
【００２９】
陽極１３ａは、錫を含む材料からなり、メッキ液排出管１２ａの外周面に配置されてメッキ室１１ｄを満たすメッキ液Ｌに浸漬される。そして、電気的に電源１４の正極に接続される。
【００３０】
陰極１３ｂは、ステンレス鋼、チタン、白金メッキされたチタン等の材料からなり、円板状にしてその表面１３ｃはメッキ室１１ｄの底面１１ｅを構成してメッキ室１１ｄを満たすメッキ液Ｌに浸漬される。そして、電気的に電源１４の負極に接続される。
【００３１】
本実施様態のメッキ装置１０は、図４（ａ）に示されるようなリング状の永久磁石からなる磁気回路１５を備える。なお、図でコアボール２０ｂ、磁極面１５ａ近傍の磁力線１５ｃを理解しやすいように、磁気回路１５の手前部分の図示を省略している。磁気回路１５は多極着磁された一体物の永久磁石であり、磁気回路１５の下端面から出た磁力線が周壁１１ｆを透過して陰極表面１３ｃ方向に向かうよう、磁極方向がメッキ室１１ｄの軸芯方向に対して傾いた構造になっている。このような形状とすることにより、旋回流動による遠心力により底面１１ｅを旋回流動するコアボール２０ｂには、図４（ｂ）の太矢印で示されるような、陰極表面１３ｃに押さえつけられる向きの力が発生し、コアボール２０ｂが陰極表面１３ｃから浮き上がって飛散するのを抑制することができる。
【００３２】
ここで、磁気回路１５は必ずしも一体物の永久磁石である必要は無く、複数の永久磁石を磁極が交互になるように並べ配しても良いし、電磁石で構成しても良い。
【００３３】
また、本実施様態のメッキ装置１０における磁気回路１５はメッキ槽に対して固定されたものであるが、メッキ室１１ｄの軸方向に移動可能なものとしても良い。磁気回路１５がメッキ室１１ｄの軸方向に移動できれば、コアボール２０ｂの量、飛散の程度に合わせて磁極面１５ａの高さ位置の最適化を図ることができる。
【００３４】
（メッキ装置の動作）
上記メッキ装置の動作を説明する。まず、準備工程では、密閉蓋１１ｃを開けて所定数のコアボール２０ｂをメッキ室１１ｄの底面１１ｅ（陰極表面１３ｃ）に載置し、メッキ液Ｌを流動発生手段１２ｅのメッキ液貯蔵タンクに格納する。なお、コアボール２０ｂには、酸洗処理をして表面を清浄化したものを用いるほうが良い。また、半田メッキ用のメッキ液Ｌは、例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の液組成を有する大和化成製の商品名「ＤＡＩＮ ＴＩＮＳＩＬ ＳＢＢ ２」や、ローム＆ハース製の商品名「ＳＯＬＤＥＲＯＮ ＢＰ ＳＡＣ５０００」等に添加剤を添加して、例えばホウフッ化浴など周知のメッキ浴に適宜調整して用いることができる。メッキ室１１に載置される粒子は全てコアボール２０ｂでなくともよく、例えばコアボール２０ｂの攪拌を促進するための攪拌促進体として、半田や鋼を主体として非磁性の導電性ダミーボール、樹脂やセラミックス等を主体とした非導電性ダミーボールを適量加えても良い。
【００３５】
メッキ装置１０は、密閉蓋１１ｃを閉じてメッキ室１１ｄを密閉空間にした後、まず、流動発生手段１２ｅを作動させ、メッキ液供給管１２ａを通じてメッキ室１１ｄへ所定の流量でメッキ液Ｌを供給する。メッキ室１１ｄがメッキ液Ｌで満たされると、メッキ液Ｌはメッキ室１１ｄの周壁１１ｆに沿い旋回流動するとともに、周壁１１ｆの傾斜に沿い底面１１ｅに向い螺旋状に流下する旋回流となる。旋回流動しつつ底面１１ｅに達したメッキ液は、底面１１ｅに接触している複数のコアボール２０ｂをメッキ室１１ｄの底面１１ｅ（陰極表面１３ｃ）の上で旋回流動させる。ここで複数のコアボール２０ｂのうちのいくつかは、底面１１ｅすなわち電源の負極に電気的に接続された陰極表面１３ｃに接触するので、陽極１３ａとの間にメッキ電流が流れて表面にメッキ層が形成される。また、コアボール２０ｂはメッキ室１１ｄの底面１１ｅに接触しつつ旋回流動するのとともに底面１１ｅ上を転動するので、コアボール２０ｂ同士が付着しにくくコアボール２０ｂ同士の凝集が防止でき、かつ転動によりコアボール２０ｂの表面が底面１１ｅに触れる機会が均等になるので、コアボール２０ｂ表面に均一厚みのメッキ層を形成できる。なお、メッキ室１１ｄがメッキ液Ｌで満たされた後に、メッキ液排出管１２ｃを通じてメッキ液を吸引するようにすれば、メッキ液Ｌの旋回流がより整流化され、コアボール２０ｂの旋回流動が安定化するので好ましい。
【００３６】
本実施様態のメッキ装置１０のようなメッキ液Ｌを旋回流動させてメッキを行なう装置では、メッキ液Ｌをより高速で旋回流動させたほうがコアボール２０ｂ同士の凝集（付着）が防止でき、コアボール２０ｂ表面に平滑なメッキ層が形成できるので好ましいと考えられる。しかしながら、メッキ液Ｌの流速が速くなると、突発的な旋回流の乱れの発生によりコアボール２０ｂの挙動が不安定になり、通常はその一部が旋回流から離脱し周壁１１ｆに沿って上昇・飛散しやすくなる。よって陰極表面１３ｃとの接触機会が減少してしまい、メッキ効率が低下してしまう他に、メッキ液Ｌとともにメッキ液排出管１２ｃから流出してしまう場合がある。しかしながら本実施様態のメッキ装置１０では、磁気回路１５が形成する磁界によりコアボール２０ｂの飛散が抑制されるので、メッキ効率を低下させることなくコアボール２０ｂ表面に平滑なメッキ層を形成することができる。
【００３７】
本発明に関するメッキ装置の他の実施様態について、図５と図６を参照しながら説明する。なお、これら実施様態における上記メッキ装置と同一の構成要素については説明を省略する。
【００３８】
図５に示すメッキ装置１０は、リング状の磁気回路１５をメッキ室１１ｄの軸芯と同じ回転軸で回転可能なホルダ１６に固定したものである。モータ１７ａの回転駆動をプーリ１７ｂ、ベルト１７ｃを介してホルダ１６に伝達させることにより、磁気回路１５を回転可能にしている。
【００３９】
速度制御可能なモータをモータ１７ａに使用して磁気回路１５の回転速度を調整すれば、コアボール２０ｂの飛散抑制効果を調整することができる。たとえば、コアボール２０ｂが飛散しやすい条件では、コアボール２０ｂの旋回方向と逆向きに磁気回路１５を回転させてやれば良い。旋回流動するコアボール２０ｂと磁気回路１５の磁極面１５ａとの相対速度が大きくなるほど、コアボール２０ｂの飛散抑制効果が得られるようになる。
【００４０】
図６に示すメッキ装置１０は、磁気回路１５をメッキ室１１ｄ内に設けたものである。本発明のメッキ装置１０では、図６（ａ）のようにメッキ液排出管１２ｃの排出口１２ｄ近傍に磁気回路１５を設けることも可能であり、図６（ｂ）のように、メッキ液排出管１２ｃと陰極表面１３ｃの間に磁気回路１５を設けることも可能である。本実施様態は、コアボール２０ｂと磁気回路１５の磁極面１３ｃを接近させることができ、コアボール２０ｂの飛散抑制効果が高くなる。
【符号の説明】
【００４１】
１０ メッキ装置
１１ 本体部
１１ａ メッキ槽
１１ｂ 容器
１１ｃ 密閉蓋
１１ｄ メッキ室
１１ｅ 底面
１１ｆ 周壁
１２ａ メッキ液供給管
１２ｂ 供給口
１２ｃ メッキ液排出管
１２ｄ 排出口
１２ｅ 流動発生手段
１３ａ 陽極
１３ｂ 陰極
１３ｃ 陰極表面
１４ 電源
１５ 磁気回路
１５ａ 磁極面
１５ｂ 磁界
１５ｃ 磁力線
１６ ホルダ
１７ａ モータ
１７ｂ プーリ
１７ｃ ベルト
２０ａ 基材粒子
２０ｂ コアボール
Ｌ メッキ液
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有する基材粒子の表面にメッキ層を形成するメッキ装置であって、
メッキ液と前記基材粒子を貯留可能なメッキ室を有するメッキ槽と、
前記メッキ室にメッキ液が貯留された状態でメッキ液に浸漬される陽極および陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に電位差を与える電源と、
前記陰極表面に沿って前記メッキ液と前記基材粒子を流動させる流動発生手段と、
極性の異なる磁極面を複数並べて向きが交互になる複数の磁界を形成する磁気回路とを備え、
流動する前記基材粒子が前記複数の磁界中を通過するように前記磁気回路が配置されていることを特徴とするメッキ装置。
【請求項２】
略円形の前記陰極が周壁を備えた前記メッキ室の底面を構成するとともに、
前記流動発生手段が前記メッキ液と前記基材粒子とを前記陰極上で旋回流動させることが可能であり、
前記磁気回路の磁極面が前記陰極と対向して配される
ことを特徴とする請求項１に記載のメッキ装置。
【請求項３】
前記磁気回路が複数の永久磁石を並べ配したものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のメッキ装置。
【請求項４】
前記磁気回路が多極着磁した永久磁石であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のメッキ装置。
【請求項５】
前記磁気回路の磁極面を前記基材粒子の流動方向に沿って移動可能な駆動機構を備えることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のメッキ装置。
【請求項１】
導電性を有する基材粒子の表面にメッキ層を形成するメッキ装置であって、
メッキ液と前記基材粒子を貯留可能なメッキ室を有するメッキ槽と、
前記メッキ室にメッキ液が貯留された状態でメッキ液に浸漬される陽極および陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に電位差を与える電源と、
前記陰極表面に沿って前記メッキ液と前記基材粒子を流動させる流動発生手段と、
極性の異なる磁極面を複数並べて向きが交互になる複数の磁界を形成する磁気回路とを備え、
流動する前記基材粒子が前記複数の磁界中を通過するように前記磁気回路が配置されていることを特徴とするメッキ装置。
【請求項２】
略円形の前記陰極が周壁を備えた前記メッキ室の底面を構成するとともに、
前記流動発生手段が前記メッキ液と前記基材粒子とを前記陰極上で旋回流動させることが可能であり、
前記磁気回路の磁極面が前記陰極と対向して配される
ことを特徴とする請求項１に記載のメッキ装置。
【請求項３】
前記磁気回路が複数の永久磁石を並べ配したものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のメッキ装置。
【請求項４】
前記磁気回路が多極着磁した永久磁石であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のメッキ装置。
【請求項５】
前記磁気回路の磁極面を前記基材粒子の流動方向に沿って移動可能な駆動機構を備えることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のメッキ装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１２−２５９７５（Ｐ２０１２−２５９７５Ａ）
【公開日】平成２４年２月９日（２０１２．２．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１６２７２５（Ｐ２０１０−１６２７２５）
【出願日】平成２２年７月２０日（２０１０．７．２０）
【出願人】（０００００５０８３）日立金属株式会社 (2,051)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年２月９日（２０１２．２．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月２０日（２０１０．７．２０）
【出願人】（０００００５０８３）日立金属株式会社 (2,051)
【Ｆターム（参考）】
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