【課題】ダブルパターニングプロセスにおいて、２回目以降のパターニングの影響を受けにくいレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法、及びこれに用いる樹脂の精製方法を提供すること。
【解決手段】支持体上に、樹脂（Ａ１）と有機溶剤（Ｓ１）とを含有する第一のレジスト材料を用いて第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、樹脂（Ａ２）と、該樹脂（Ａ２）を溶解し且つ前記樹脂（Ａ１）を溶解しない有機溶剤（Ｓ２）とを含有する第二のレジスト材料を用いてレジストパターンを形成する工程とを含むレジストパターン形成方法であって、前記樹脂（Ａ１）を、該樹脂（Ａ１）を溶解せず且つ前記樹脂（Ａ２）を溶解する有機溶剤（Ｗ）を含有する洗浄液で洗浄することにより精製して前記第一のレジスト材料に配合することを特徴とするレジストパターン形成方法。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に、樹脂（Ａ１）と、該樹脂（Ａ１）を溶解する有機溶剤（Ｓ１）とを含有し、露光によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する第一のレジスト材料を塗布して第一のレジスト膜を形成し、該第一のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、
前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、樹脂（Ａ２）と、該樹脂（Ａ２）を溶解し且つ前記樹脂（Ａ１）を溶解しない有機溶剤（Ｓ２）とを含有し、露光によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する第二のレジスト材料を塗布して第二のレジスト膜を形成し、該第二のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像してレジストパターンを形成する工程と、を含むレジストパターン形成方法であって、
前記樹脂（Ａ１）を、該樹脂（Ａ１）を溶解せず且つ前記樹脂（Ａ２）を溶解する有機溶剤（Ｗ）を含有する洗浄液で洗浄することにより精製して前記第一のレジスト材料に配合することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項２】
前記有機溶剤（Ｓ２）および前記有機溶剤（Ｗ）が、それぞれ、アルコール系有機溶剤、フッ素系有機溶剤、および水酸基を有さないエーテル系有機溶剤からなる群から選択される少なくとも１種である請求項１に記載のレジストパターン形成方法。
【請求項３】
前記第一のレジスト材料が、露光により酸を発生する酸発生剤を含有する化学増幅型レジスト組成物であり、前記樹脂（Ａ１）として、前記酸発生剤から発生する酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する樹脂を含有する請求項１または２に記載のレジストパターン形成方法。
【請求項４】
前記樹脂（Ａ１）が、アクリル系樹脂である請求項３に記載のレジストパターン形成方法。
【請求項５】
前記樹脂（Ａ１）が、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を有する請求項４に記載のレジストパターン形成方法。
【請求項６】
前記樹脂（Ａ１）が、さらに、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）を有する請求項５に記載のレジストパターン形成方法。
【請求項７】
前記樹脂（Ａ１）が、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３）を有する請求項５または６に記載のレジストパターン形成方法。
【請求項８】
支持体上に、樹脂（Ａ１）と、該樹脂（Ａ１）を溶解する有機溶剤（Ｓ１）とを含有し、露光によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する第一のレジスト材料を塗布して第一のレジスト膜を形成し、該第一のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、
前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、樹脂（Ａ２）と、該樹脂（Ａ２）を溶解し且つ前記樹脂（Ａ１）を溶解しない有機溶剤（Ｓ２）とを含有し、露光によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する第二のレジスト材料を塗布して第二のレジスト膜を形成し、該第二のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像してレジストパターンを形成する工程と、を含むレジストパターン形成方法にて前記樹脂（Ａ１）を精製する方法であり、
前記樹脂（Ａ１）を、該樹脂（Ａ１）を溶解せず且つ前記樹脂（Ａ２）を溶解する有機溶剤（Ｗ）を含有する洗浄液で洗浄することを特徴とする樹脂の精製方法。

【図１】

【公開番号】特開２０１１−２１５１７７（Ｐ２０１１−２１５１７７Ａ）
【公開日】平成２３年１０月２７日（２０１１．１０．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−８０２２６（Ｐ２０１０−８０２２６）
【出願日】平成２２年３月３１日（２０１０．３．３１）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】