レジストパターン形成方法

【課題】高解像性のレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、光塩基発生剤成分とを含有するレジスト組成物を用いて、支持体上にレジスト膜を形成する工程（１）と、前記レジスト膜を露光する工程（２）と、前記工程（２）の後にベークを行い、前記レジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分から発生した塩基と、前記レジスト膜に予め供給された酸とを中和させ、前記レジスト膜の未露光部において、前記レジスト膜に予め供給された酸の作用により、前記基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）とを含むレジストパターン形成方法。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分とを含有するレジスト組成物を用いて、支持体上にレジスト膜を形成する工程（１）と、
前記レジスト膜を露光する工程（２）と、
前記工程（２）の後にベークを行い、前記レジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分から発生した塩基と、前記レジスト膜に予め供給された酸とを中和させ、前記レジスト膜の未露光部において、前記レジスト膜に予め供給された酸の作用により、前記基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、
前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）と
を含むレジストパターン形成方法。
【請求項２】
前記レジスト組成物が、酸を含有する、請求項１記載のレジストパターン形成方法。
【請求項３】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分と、酸とを含有するレジスト組成物を用いて、支持体上にレジスト膜を形成する工程（１’）と、
前記レジスト膜を露光し、前記レジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分から発生した塩基と、前記酸とを中和させる工程（２’）と、
前記工程（２’）の後にベークを行い、前記レジスト膜の未露光部において、前記酸の作用により、前記基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３’）と、
前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４’）と
を含むレジストパターン形成方法。
【請求項４】
前記レジスト組成物が、さらに増感剤を含有する、請求項２又は３記載のレジストパターン形成方法。
【請求項５】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分とを含有するレジスト組成物を用いて、支持体上にレジスト膜を形成する工程（１”）と、
前記レジスト膜を露光する工程（２”）と、
前記工程（２”）の後にベークを行い、前記レジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分から発生した塩基と、前記レジスト膜に予め供給された酸とを中和させ、前記レジスト膜の未露光部において、前記レジスト膜に予め供給された酸の作用により、前記基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３”）と、
前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４”）と、
前記工程（３”）よりも前段側で、前記レジスト膜に前記酸を接触させる工程（５”）と
を含むレジストパターン形成方法。
【請求項６】
前記工程（５”）が、前記酸を含有する有機膜形成用組成物を前記レジスト膜上に塗布する操作を含む、請求項５記載のレジストパターン形成方法。
【請求項７】
前記レジスト膜を露光する工程が、液浸媒体を介して露光する工程である、請求項１〜６のいずれか一項に記載のレジストパターン形成方法。
【請求項８】
前記レジスト膜を露光する工程が、前記レジスト膜に対し、フォトマスクを介した第一の露光を行い、第一のラインアンドスペースパターンの潜像を形成した後、フォトマスクを介した第二の露光を行い、前記第一のラインアンドスペースパターンの潜像と交差するように、第二のラインアンドスペースパターンの潜像を形成する操作を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載のレジストパターン形成方法。

【図１】