【課題】感度、解像性、リソグラフィー特性及びエッチング耐性に優れる高分子化合物、レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化し、（ａ５−０）で表される構成単位を有する高分子化合物を含む基材成分（Ａ）及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物。（式（ａ５−０）中、Ｒは水素原子、アルキル基又はハロゲン化アルキル基である。Ｒ^１は硫黄原子又は酸素原子である。Ｒ^２は単結合又は２価の連結基である。Ｙは芳香族炭化水素基、又は多環式基を有する脂肪族炭化水素基である。）

【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、
前記基材成分（Ａ）は、下記一般式（ａ５−０）で表される構成単位（ａ５）を有する高分子化合物（Ａ１）を含むことを特徴とするレジスト組成物。
【化１】

［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基である。Ｒ^１は硫黄原子又は酸素原子である。Ｒ^２は単結合又は２価の連結基である。Ｙは芳香族炭化水素基、又は多環式基を有する脂肪族炭化水素基（該芳香族炭化水素基又は該脂肪族炭化水素基は、その炭素原子又は水素原子が置換基で置換されていてもよい）である。］
【請求項２】
前記構成単位（ａ５）の割合が、前記高分子化合物（Ａ１）を構成する全構成単位に対して５〜７０モル％である、請求項１記載のレジスト組成物。
【請求項３】
前記高分子化合物（Ａ１）が、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）を有する、請求項１又は２記載のレジスト組成物。
【請求項４】
支持体上に、請求項１〜３のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【請求項５】
下記一般式（１）で表される化合物。
【化２】

［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基である。Ｒ^１は硫黄原子又は酸素原子である。Ｒ^２は単結合又は２価の連結基である。Ｙは芳香族炭化水素基、又は多環式基を有する脂肪族炭化水素基（該芳香族炭化水素基又は該脂肪族炭化水素基は、その炭素原子又は水素原子が置換基で置換されていてもよい）である。］
【請求項６】
下記一般式（ａ５−０）で表される構成単位（ａ５）を有する高分子化合物。
【化３】

［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基である。Ｒ^１は硫黄原子又は酸素原子である。Ｒ^２は単結合又は２価の連結基である。Ｙは芳香族炭化水素基、又は多環式基を有する脂肪族炭化水素基（該芳香族炭化水素基又は該脂肪族炭化水素基は、その炭素原子又は水素原子が置換基で置換されていてもよい）である。］
【請求項７】
前記構成単位（ａ５）の割合が、該高分子化合物を構成する全構成単位に対して５〜７０モル％である、請求項６記載の高分子化合物。
【請求項８】
酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）を有する、請求項６又は７記載の高分子化合物。

【公開番号】特開２０１３−１０１２７７（Ｐ２０１３−１０１２７７Ａ）
【公開日】平成２５年５月２３日（２０１３．５．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４５９０４（Ｐ２０１１−２４５９０４）
【出願日】平成２３年１１月９日（２０１１．１１．９）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】