レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物、酸発生剤
【課題】リソグラフィー特性に優れたレジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物及び酸発生剤の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、酸発生剤成分(B)は、式(b1−1)で表される化合物からなる酸発生剤(B1)を含有する[Z+は有機カチオン;Q1及びQ2は、フッ素原子又は直鎖状若しくは分枝鎖状の炭素数1〜6のフッ素化アルキル基;Xは−(CH2)m1−;Yは単結合、−O−(CH2)L1−又は−C(=O)−O−(CH2)L1−;L1、m1は1〜6の整数;RxはC=C不飽和結合を有し、置換基を有していてもよい炭素数2〜36の2価の脂肪族炭化水素基;Ryは酸解離性基である。]。
[化1]
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、酸発生剤成分(B)は、式(b1−1)で表される化合物からなる酸発生剤(B1)を含有する[Z+は有機カチオン;Q1及びQ2は、フッ素原子又は直鎖状若しくは分枝鎖状の炭素数1〜6のフッ素化アルキル基;Xは−(CH2)m1−;Yは単結合、−O−(CH2)L1−又は−C(=O)−O−(CH2)L1−;L1、m1は1〜6の整数;RxはC=C不飽和結合を有し、置換基を有していてもよい炭素数2〜36の2価の脂肪族炭化水素基;Ryは酸解離性基である。]。
[化1]
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、
前記酸発生剤成分(B)は、下記一般式(b1−1)で表される化合物からなる酸発生剤(B1)を含有することを特徴とするレジスト組成物。
【化1】
[Z+は有機カチオンを表す。Q1及びQ2はそれぞれ独立に、フッ素原子、又は直鎖状若しくは分枝鎖状の炭素数1〜6のフッ素化アルキル基である。Xは−(CH2)m1−であって;前記m1は1〜6の整数であり;前記−(CH2)m1−を構成するメチレン基は酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよく;前記−(CH2)m1−を構成する水素原子は、フッ素原子を有していてもよい炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。Yは単結合、−O−(CH2)L1−又は−C(=O)−O−(CH2)L1−であって;前記L1は、1〜6の整数であり;前記−(CH2)L1−を構成するメチレン基は酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよく;前記−(CH2)L1−を構成する水素原子は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。Rxは、置換基を有していてもよい炭素数2〜36の2価の脂肪族炭化水素基であって、前記脂肪族炭化水素基は1つ以上のC=C不飽和結合を有する。Ryは酸解離性基である。]
【請求項2】
前記基材成分(A)が、酸の作用により極性が増大する基材成分(A0)である請求項1に記載のレジスト組成物。
【請求項3】
支持体上に、請求項1又は2に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【請求項4】
下記一般式(b1−0)で表される化合物。
【化2】
[Z’+は金属カチオン又は有機カチオンを表す。Q1及びQ2はそれぞれ独立に、フッ素原子、又は直鎖状若しくは分枝鎖状の炭素数1〜6のフッ素化アルキル基である。Xは−(CH2)m1−であって;前記m1は1〜6の整数であり;前記−(CH2)m1−を構成するメチレン基は酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよく;前記−(CH2)m1−を構成する水素原子は、フッ素原子を有していてもよい炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。Yは単結合、−O−(CH2)L1−又は−C(=O)−O−(CH2)L1−であって;前記L1は、1〜6の整数であり;前記−(CH2)L1−を構成するメチレン基は酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよく;前記−(CH2)L1−を構成する水素原子は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。Rxは、置換基を有していてもよい炭素数2〜36の2価の脂肪族炭化水素基であって、前記脂肪族炭化水素基は1つ以上のC=C不飽和結合を有する。Ryは酸解離性基である。]
【請求項5】
前記一般式(b1−0)におけるZ’+が有機カチオンである請求項4に記載の化合物からなる酸発生剤。
【請求項1】
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、
前記酸発生剤成分(B)は、下記一般式(b1−1)で表される化合物からなる酸発生剤(B1)を含有することを特徴とするレジスト組成物。
【化1】
[Z+は有機カチオンを表す。Q1及びQ2はそれぞれ独立に、フッ素原子、又は直鎖状若しくは分枝鎖状の炭素数1〜6のフッ素化アルキル基である。Xは−(CH2)m1−であって;前記m1は1〜6の整数であり;前記−(CH2)m1−を構成するメチレン基は酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよく;前記−(CH2)m1−を構成する水素原子は、フッ素原子を有していてもよい炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。Yは単結合、−O−(CH2)L1−又は−C(=O)−O−(CH2)L1−であって;前記L1は、1〜6の整数であり;前記−(CH2)L1−を構成するメチレン基は酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよく;前記−(CH2)L1−を構成する水素原子は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。Rxは、置換基を有していてもよい炭素数2〜36の2価の脂肪族炭化水素基であって、前記脂肪族炭化水素基は1つ以上のC=C不飽和結合を有する。Ryは酸解離性基である。]
【請求項2】
前記基材成分(A)が、酸の作用により極性が増大する基材成分(A0)である請求項1に記載のレジスト組成物。
【請求項3】
支持体上に、請求項1又は2に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【請求項4】
下記一般式(b1−0)で表される化合物。
【化2】
[Z’+は金属カチオン又は有機カチオンを表す。Q1及びQ2はそれぞれ独立に、フッ素原子、又は直鎖状若しくは分枝鎖状の炭素数1〜6のフッ素化アルキル基である。Xは−(CH2)m1−であって;前記m1は1〜6の整数であり;前記−(CH2)m1−を構成するメチレン基は酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよく;前記−(CH2)m1−を構成する水素原子は、フッ素原子を有していてもよい炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。Yは単結合、−O−(CH2)L1−又は−C(=O)−O−(CH2)L1−であって;前記L1は、1〜6の整数であり;前記−(CH2)L1−を構成するメチレン基は酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよく;前記−(CH2)L1−を構成する水素原子は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。Rxは、置換基を有していてもよい炭素数2〜36の2価の脂肪族炭化水素基であって、前記脂肪族炭化水素基は1つ以上のC=C不飽和結合を有する。Ryは酸解離性基である。]
【請求項5】
前記一般式(b1−0)におけるZ’+が有機カチオンである請求項4に記載の化合物からなる酸発生剤。
【公開番号】特開2013−92618(P2013−92618A)
【公開日】平成25年5月16日(2013.5.16)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−233962(P2011−233962)
【出願日】平成23年10月25日(2011.10.25)
【出願人】(000220239)東京応化工業株式会社 (1,407)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成25年5月16日(2013.5.16)
【国際特許分類】
【出願日】平成23年10月25日(2011.10.25)
【出願人】(000220239)東京応化工業株式会社 (1,407)
【Fターム(参考)】
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