説明

レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び高分子化合物

【課題】解像性に優れ、リソグラフィー特性やパターン形状が良好なレジスト組成物及びレジストパターン形成方法、並びに、該レジスト組成物用として有用な高分子化合物の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分(A)は、側鎖に−SO−含有環式基を有するアクリルアミド系構成単位(a0−1)と、露光により酸を発生する構成単位(a0−2)と、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)とを有する樹脂成分(A1)を含有するレジスト組成物。


Notice: Undefined index: DEJ in /mnt/www/gzt_disp.php on line 298

【特許請求の範囲】
【請求項1】
露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)を含有するレジスト組成物であって、
前記基材成分(A)は、下記一般式(a0−1)で表される構成単位(a0−1)と、露光により酸を発生する構成単位(a0−2)と、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)とを有する樹脂成分(A1)を含有することを特徴とするレジスト組成物。
【化1】

[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、Rは2価の連結基であり、Rは−SO−含有環式基であり、vは0又は1である。]
【請求項2】
前記構成単位(a1)が、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a11)である請求項1記載のレジスト組成物。
【請求項3】
前記構成単位(a0−2)が、下記の一般式(a0−2−10)又は一般式(a0−2−20)で表される基を有する請求項1又は2記載のレジスト組成物。
【化2】

[式中、Aは単結合又は2価の連結基であり、R44は置換基を有していてもよいアリーレン基であり、R45、R46はそれぞれ独立に有機基であり、R45、R46は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく、Zは対アニオンである。Rf1、Rf2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基であり、Rf1、Rf2のうち少なくとも1つはフッ素原子又はフッ素化アルキル基であり、bは1〜8の整数であり、Mm+は対カチオンであり、mは1〜3の整数である。]x
【請求項4】
前記構成単位(a0−2)が、下記の一般式(a0−2−1)又は一般式(a0−2−2)で表される構成単位である請求項3記載のレジスト組成物。
【化3】

[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、Aは単結合又は2価の連結基であり、R44は置換基を有していてもよいアリーレン基であり、R45、R46はそれぞれ独立に有機基であり、R45、R46は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく、Zは対アニオンであり、Rf1、Rf2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基であり、Rf1、Rf2のうち少なくとも1つはフッ素原子又はフッ素化アルキル基であり、bは1〜8の整数であり、Mm+は対カチオンであり、mは1〜3の整数である。]
【請求項5】
支持体上に、請求項1〜4のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【請求項6】
下記一般式(a0−1)で表される構成単位(a0−1)と、露光により酸を発生する構成単位(a0−2)と、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)とを有する高分子化合物。
【化4】

[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、Rは2価の連結基であり、Rは−SO−含有環式基であり、vは0又は1である。]
【請求項7】
前記構成単位(a1)が、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a11)である請求項6記載の高分子化合物。
【請求項8】
前記構成単位(a0−2)が、下記の一般式(a0−2−10)又は一般式(a0−2−20)で表される基を有する請求項6又は7記載の高分子化合物。
【化5】

[式中、Aは単結合又は2価の連結基であり、R44は置換基を有していてもよいアリーレン基であり、R45、R46はそれぞれ独立に有機基であり、R45、R46は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく、Zは対アニオンである。Rf1、Rf2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基であり、Rf1、Rf2のうち少なくとも1つはフッ素原子又はフッ素化アルキル基であり、bは1〜8の整数であり、Mm+は対カチオンであり、mは1〜3の整数である。]
【請求項9】
前記構成単位(a0−2)が、下記の一般式(a0−2−1)又は一般式(a0−2−2)で表される構成単位である請求項8記載の高分子化合物。
【化6】

[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、Aは単結合又は2価の連結基であり、R44は置換基を有していてもよいアリーレン基であり、R45、R46はそれぞれ独立に有機基であり、R45、R46は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく、Zは対アニオンであり、Rf1、Rf2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基であり、Rf1、Rf2のうち少なくとも1つはフッ素原子又はフッ素化アルキル基であり、bは1〜8の整数であり、Mm+は対カチオンであり、mは1〜3の整数である。]

【公開番号】特開2012−255837(P2012−255837A)
【公開日】平成24年12月27日(2012.12.27)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−127558(P2011−127558)
【出願日】平成23年6月7日(2011.6.7)
【出願人】(000220239)東京応化工業株式会社 (1,407)
【Fターム(参考)】