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レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び高分子化合物
説明

レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び高分子化合物

【課題】感度、解像性及びリソグラフィー特性に優れるレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な高分子化合物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分(A)は、一般式(a5−0)で表される構成単位(a5)と、露光により酸を発生する構成単位(a6)とを有する高分子化合物(A1)を含むことを特徴とするレジスト組成物。


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【特許請求の範囲】
【請求項1】
露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)を含有するレジスト組成物であって、
前記基材成分(A)は、下記一般式(a5−0)で表される構成単位(a5)と、露光により酸を発生する構成単位(a6)とを有する高分子化合物(A1)を含むことを特徴とするレジスト組成物。
【化1】

[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。Rは硫黄原子又は酸素原子である。Rは単結合又は2価の連結基である。Yは炭素原子又は水素原子が置換基で置換されていてもよい炭化水素基である。]
【請求項2】
前記構成単位(a6)が、下記の一般式(a6−0−1)又は一般式(a6−0−2)で表される基を有する構成単位を含む、請求項1記載のレジスト組成物。
【化2】

[式中、Q及びQはそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基である。R、R及びRはそれぞれ独立に有機基であり、RとRとは相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。Vは対アニオンである。Aはアニオンを含む有機基であり、Mm+はm価の有機カチオンである。mは1〜3の整数である。]
【請求項3】
前記高分子化合物(A1)が、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)を有する、請求項1又は2記載のレジスト組成物。
【請求項4】
支持体上に、請求項1〜3のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【請求項5】
下記一般式(a5−0)で表される構成単位(a5)と、露光により酸を発生する構成単位(a6)とを有する高分子化合物。
【化3】

[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。Rは硫黄原子又は酸素原子である。Rは単結合又は2価の連結基である。Yは炭素原子又は水素原子が置換基で置換されていてもよい炭化水素基である。]
【請求項6】
前記構成単位(a6)が、下記の一般式(a6−0−1)又は一般式(a6−0−2)で表される基を有する構成単位を含む、請求項5記載の高分子化合物。
【化4】

[式中、Q及びQはそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基である。R、R及びRはそれぞれ独立に有機基であり、RとRとは相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。Vは対アニオンである。Aはアニオンを含む有機基であり、Mm+はm価の有機カチオンである。mは1〜3の整数である。]
【請求項7】
酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)を有する、請求項5又は6記載の高分子化合物。

【公開番号】特開2013−113915(P2013−113915A)
【公開日】平成25年6月10日(2013.6.10)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−257859(P2011−257859)
【出願日】平成23年11月25日(2011.11.25)
【出願人】(000220239)東京応化工業株式会社 (1,407)
【Fターム(参考)】