【課題】ディフェクトの発生を低減することができ、且つ保存安定性に優れたレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、末端にフッ素化アルキルエステル基を有するフッ素含有有機基を側鎖に有する化合物成分（Ｆ）とを含有することを特徴とするレジスト組成物。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、
露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、
下記一般式（ｆ０）で表される含フッ素化合物成分（Ｆ）とを含有することを特徴とするレジスト組成物。
【化１】

［式中、Ａは重合性基を含んでいてもよい有機基であり、Ｗは２価の連結基であり、Ｒｆ_１、Ｒｆ_２はそれぞれ独立にフッ素原子、又は炭素数１〜５のフッ素化アルキル基であり、Ｒｆは一部又は全部の水素原子がフッ素原子で置換された炭化水素基であり、ｖは２以上の整数である。］
【請求項２】
前記含フッ素化合物成分（Ｆ）が、下記一般式（ｆ２−１）で表される構成単位（ｆ２−１）を有する高分子化合物である請求項１に記載のレジスト組成物。
【化２】

［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ｗ^１は２価の連結基であり、Ｒ^１、Ｒ^２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数１〜４のフッ素化アルキル基であり、Ｒｆ_１、Ｒｆ_２はそれぞれ独立にフッ素原子、又は炭素数１〜５のフッ素化アルキル基であり、Ｒｆは一部又は全部の水素原子がフッ素原子で置換された炭化水素基であり、ｖは２以上の整数である。］
【請求項３】
前記基材成分（Ａ）が、酸の作用により極性が増大する基材成分（Ａ０）である請求項１又は２に記載のレジスト組成物。
【請求項４】
支持体上に、請求項１〜３のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。

【図１】

【図２】

【公開番号】特開２０１３−４７７３４（Ｐ２０１３−４７７３４Ａ）
【公開日】平成２５年３月７日（２０１３．３．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１８６０４０（Ｐ２０１１−１８６０４０）
【出願日】平成２３年８月２９日（２０１１．８．２９）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】