説明

レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

【課題】高解像のパターンを良好な形状で形成でき、PEB温度のパターン寸法への影響も少ないレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、下記一般式(a0−1)又は(a0−2)で表される基を含む構成単位(a0)と、酸の作用により極性が増大し且つ多環式基を含む酸分解性基を含む構成単位(a11)と、酸の作用により極性が増大し且つ単環式基を含む酸分解性基を含む構成単位(a12)と、を有する共重合体(A1)を含有するレジスト組成物。式中の基−R−S(R)(R)、Mm+はそれぞれ、全体で芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。
[化1]


Notice: Undefined index: DEJ in /mnt/www/gzt_disp.php on line 298

【特許請求の範囲】
【請求項1】
露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)を含有するレジスト組成物であって、
前記基材成分(A)が、下記一般式(a0−1)又は(a0−2)で表される基を含む構成単位(a0)と、酸の作用により極性が増大し且つ多環式基を含む酸分解性基を含む構成単位(a11)と、酸の作用により極性が増大し且つ単環式基を含む酸分解性基を含む構成単位(a12)と、を有する共重合体(A1)を含有することを特徴とするレジスト組成物。
【化1】

[式中、Q及びQはそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基である。R、R及びRはそれぞれ独立に有機基であり、RとRとは相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。ただし、式中の基−R−S(R)(R)は、全体で芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。Vは対アニオンである。Aはアニオンを含む有機基である。Mm+はm価の有機カチオンであり、mは1〜3の整数である。ただし、Mm+は、芳香環を1個のみ有するか、又は芳香環を有さない。]
【請求項2】
前記共重合体(A1)中、前記構成単位(a11)と前記構成単位(a12)との共重合比(モル比)が99:1〜1:99である、請求項1記載のレジスト組成物。
【請求項3】
前記共重合体(A1)が、さらに、−SO−含有環式基またはラクトン含有環式基を含む構成単位(a2)を有する、請求項1又は2記載のレジスト組成物。
【請求項4】
支持体上に、請求項1〜3のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。

【公開番号】特開2013−97272(P2013−97272A)
【公開日】平成25年5月20日(2013.5.20)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−241592(P2011−241592)
【出願日】平成23年11月2日(2011.11.2)
【出願人】(000220239)東京応化工業株式会社 (1,407)
【Fターム(参考)】