説明

レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

【課題】リソグラフィー特性、塗布性及び引き置き安定性に優れたレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】構成単位(a0−1)と、酸分解性基を含む構成単位(a1)とを有し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するる樹脂成分(A1)を含有する基材成分(A)、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)、及び含窒素有機溶剤成分(S)を含有するレジスト組成物。


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【特許請求の範囲】
【請求項1】
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)、及び有機溶剤成分(S)を含有するレジスト組成物であって、
前記基材成分(A)は、下記一般式(a0−1)で表される構成単位(a0−1)と、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)とを有する樹脂成分(A1)を含有し、
前記有機溶剤成分(S)は、含窒素有機溶剤を含有することを特徴とするレジスト組成物。
【化1】

[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、Rは2価の連結基であり、Rは−SO−含有環式基であり、vは0又は1である。]
【請求項2】
支持体上に、請求項1に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。

【公開番号】特開2013−73224(P2013−73224A)
【公開日】平成25年4月22日(2013.4.22)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−214704(P2011−214704)
【出願日】平成23年9月29日(2011.9.29)
【出願人】(000220239)東京応化工業株式会社 (1,407)
【Fターム(参考)】