説明

レンズサポートおよびワイヤボンドプロテクタ

【課題】
破損しやすいワイヤボンドを保護する。
【解決手段】
ワイヤボンドプロテクタは、超小型電子デバイスの端部に沿った、半導体ダイを基板上の導体に接続するワイヤボンドの長いアレイに対応して細長い形状を有する。ワイヤボンドが保護された超小型電子デバイスを作る場合には、まずワイヤボンドが従来の方法により形成される。その後、ワイヤボンドプロテクタが、ワイヤボンドを少なくとも部分的に覆うようにワイヤボンドのアレイに沿って延びる方向に超小型電子デバイスへ取り付けられる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ワイヤボンドプロテクタを備えた超小型電子デバイスアセンブリに関する。
【背景技術】
【0002】
光通信ネットワークにおいては、光ファイバを通じて光信号を送受信するために、光送信モジュール、光受信モジュール、および光送受信モジュールが用いられる。このような光モジュールの送信部では、データを表す変調された光信号がレーザにより生成され、光ファイバを通して送信される。このレーザは、例えば、垂直共振器面発光レーザ(VCSEL: Vertical Cavity Surface Emitting Laser)または端面発光レーザ(edge-emitting laser
)とすることができる。また、このようなモジュールの受信部では、光学系(optics system)が光ファイバの端部から伝播する光を光学検出器すなわち光検出器に導き、この光検出器は光エネルギーを電気エネルギーに変換する。光検出器は、一般にPIN(p-type/intrinsic/n-type)フォトダイオードなどの半導体フォトダイオードデバイスである。光送受信モジュールは、一般に、複数のデータ信号を送信する複数のレーザと、複数のデータ信号を受信する複数のフォトダイオードとを備えている。
【0003】
通常、光モジュールは、光デバイス、すなわちレーザまたは光検出器をリードフレームとも呼ばれる基板上に取り付けることによって組み立てられる。通常、光デバイスは超小型電子半導体ダイを備えているので、ダイと基板上の導体との間の電気的接続は、ワイヤボンディングとして知られている手法によって行われる。ワイヤボンディングは、熱エネルギーまたは超音波エネルギーを用いて極細ワイヤの一端をダイ上のパッドに接着し、他端を基板上の導体の一つに接着する手法である。レンズアセンブリは、ダイの光送信ポートまたは光受信ポートと位置を合わせることができ、ダイおよび基板に対して固定された状態で取り付けられる。
【0004】
ワイヤは極めて細く小さいため、ワイヤボンドは非常に脆弱である。光学アセンブリを手荒く扱うと、ワイヤボンドが容易に破損したり外れたりする可能性がある。光学アセンブリによっては、光学アセンブリ全体を取り囲む筐体すなわちモジュール本体によってワイヤボンドが保護されている。また、光学アセンブリによっては、ワイヤボンドを保護するために誘電性の樹脂内にワイヤボンドが封入されている。
【発明の概要】
【0005】
本発明は、ワイヤボンドプロテクタと、超小型電子デバイスと、ワイヤボンドを保護する方法とに関する。ワイヤボンドプロテクタは、半導体ダイを基板上の電気的接続部に接続させる超小型電子デバイスの端部に沿ったワイヤボンドの長い(伸長)アレイ(列)に対応して、細長い形状を有する。超小型電子デバイスを作る場合、まずワイヤボンドが通常の方法で形成される。次いで、ワイヤボンドを少なくとも部分的に覆うことによって保護するために、ワイヤボンドのアレイに沿って延びる方向にワイヤボンドプロテクタが超小型電子デバイスへ取り付けられる。
【0006】
他のシステム、方法、特徴、および利点は、以下の図面および詳細な説明により当業者に明らかになるであろう。そのような追加的なシステム、方法、特徴、および利点は、この説明に含まれるものであり、明細書の範囲内であり、添付の特許請求の範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本発明の一実施形態によるワイヤボンドプロテクタの斜視図である。
【図2】図1のワイヤボンドプロテクタの側面図である。
【図3】図1および図2のワイヤボンドプロテクタの端面図である。
【図4】図1〜図3のワイヤボンドプロテクタの底面図である。
【図5】図2のライン5−5に沿った、ワイヤボンドプロテクタの断面図である。
【図6】ワイヤボンドを保護するために、図1〜図5のワイヤボンドプロテクタを超小型電子デバイスに取り付ける様子を示す説明図である。
【図7】図1〜図5のワイヤボンドプロテクタが取り付けられた超小型電子デバイスの斜視図である。
【図8】図7の超小型電子デバイスの平面図である。
【図9】図7の超小型電子デバイスの側面図である。
【図10】図8のライン10−10に沿った、図7の超小型電子デバイスの断面図である。
【図11】ワイヤボンドプロテクタの上部に別のデバイスが取り付けられている、図7と同様の斜視図である。
【図12】ワイヤボンドプロテクタを有する超小型電子デバイスを組み立てる方法の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0008】
本発明は、以下の図面を参照することによって理解を深めることができる。図中の各部材は必ずしも原寸に比例して記載されているわけではなく、本発明の原理を明確に示すために拡大して示すこともある。
【0009】
図1から図5に示すように、一実施形態では、ワイヤボンドプロテクタ100は、上壁102と側壁104により定まる細長い形状である。ワイヤボンドプロテクタ100の両端は脚部106および108であり、いずれもワイヤボンドプロテクタ100の底部を画定している。ワイヤボンドプロテクタ100の両側にある凹部110および112は、以下に述べるようにワイヤボンドプロテクタ100の位置合せおよび取り付けを容易にするためのものである。上壁102と側壁104の交差により、ワイヤボンドプロテクタ100内に内部空間すなわちキャビティ114が生まれる。
【0010】
ワイヤボンドプロテクタ100は、プラスチック、エポキシなどの樹脂、金属等の適切な物質であれば、どのような物質からでも作成することができる。ワイヤボンドプロテクタ100は、射出成形、注入成形、押出成形または他のあらゆる適切な従来の方法により作成することができる。ワイヤボンドプロテクタ100は、例えば、透明、半透明、または不透明な液晶ポリマ(LCP: liquid crystal polymer)から射出成形することができる。
【0011】
図6に示すように、超小型電子デバイスアセンブリ118のワイヤボンドのアレイ(列)116は、ワイヤボンドプロテクタ100を取り付けることによって保護される。ワイヤボンドのアレイ116は、基板120の端部に沿って延在する複数のワイヤボンドを含んでいる。当技術分野においてよく理解されているように(したがって、分かりやすくするために詳細には示さないが)、各ワイヤボンドは、一端が半導体ダイ122のパッドに接着され、他端が基板120上の導体に接着されている極細ワイヤを含む。ワイヤボンドのアレイ116は、本発明の実施形態で示すように一般にまっすぐで直線状のワイヤボンドの列によって形成されるが、一つ以上の曲がり部が存在している場合もある。ワイヤボンドプロテクタ100の細長い形状は、ワイヤボンドのアレイ116の細長い形状に対応すなわち適合していることに注意されたい。したがって、ワイヤボンドの非直線的な形状のアレイを保護する実施形態では、ワイヤボンドプロテクタはその形状に対応すなわち適合した形状を有することとなる。図示しないが、例えば、別の実施形態では、ワイヤボンドのL字型のアレイを保護するためにワイヤボンドプロテクタをL字型とすることもできる。
【0012】
一実施形態において、基板120は、リードフレーム124と、リードフレーム124の上面に取り付けられる取り付けコア125とを有している。「基板」および「リードフレーム」という用語は同義的に用いられることがあるが、本明細書で使用する「基板」という用語は、リードフレームだけに限定されるものではなく、任意の適切な素子または素子のアセンブリを意味する広い概念である。一実施形態では、いくつかの半導体ダイ122は、取り付けコア125に取り付けられることにより基板120に取り付けられ、次に、取り付けコア125が基板120のリードフレーム124に取り付けられる。一実施形態では、基板120がリードフレーム124と取り付けコア125とを備えているが、別の実施形態では、基板は任意の適切な構造とすることができる。
【0013】
半導体ダイ122は、当技術分野で知られている適切なタイプのデバイスを全て含むものである。例えば、超小型電子デバイスアセンブリ118が光送受信モジュールの一部である実施形態では、上記デバイスを光送信機(例えば、VCSEL)および光受信機(例えば、フォトダイオード)とすることができる。一実施形態では複数の半導体ダイ122を備えており、そのうちのいくつかが光送信機であり、他が光受信機であるが、他の実施形態ではダイを1つだけとすることもできる。
【0014】
ワイヤボンドプロテクタ100を図6に示す矢印の方向に動かすことにより、超小型電子デバイスアセンブリ118との位置を合わせて、ワイヤボンドプロテクタ100を超小型電子デバイスアセンブリ118に取り付けることができる。ワイヤボンドプロテクタ100が超小型電子デバイスアセンブリ118に接近すると、凹部110および112内のテーパ加工または角度が付けられた表面が、基板120(の取り付けコア125)上の対応する突起126および128をガイドする。突起126および128は、凹部110および112とスナップ嵌合式またはプレス嵌合(締まり嵌めとしても知られている)式に嵌まり合う。このガイドにより、ワイヤボンドプロテクタ100を位置合わせされた状態に移動させるときにワイヤボンドプロテクタ100の一部がワイヤボンドに衝突してワイヤボンドを損傷する事態を防ぐことができる。ワイヤボンドプロテクタ100が超小型電子デバイスアセンブリ118に完全に嵌合されると、脚部106および108が基板120(のリードフレーム124)の表面に載る。脚部106および108の突出部も止め部として働き、ワイヤボンドプロテクタ100が超小型電子デバイスアセンブリ118と完全に嵌合したときに基板120の一部と当接する。
【0015】
いくつかの実施形態では、ワイヤボンドプロテクタ100を超小型電子デバイスアセンブリ118に固定するために、上述した機械的な嵌合に代えて、またはこれに加えて、適切な接着剤を用いることもできる。一実施形態によれば、ワイヤボンドプロテクタ100は取り付けコア125に取り付けられるが、他の実施形態では、ワイヤボンドプロテクタを基板の他の要素または他の部分に取り付けることができることに留意されたい。
【0016】
一実施形態では、図6から図10に示すように、相対するワイヤボンドのアレイ116および116’を保護するために、2つのワイヤボンドプロテクタ100および100’が基板120の相対する端部に取り付けられている。ワイヤボンドのアレイ116および116’の個々のワイヤボンドは、キャビティ114および114’にそれぞれ覆われているか、またはキャビティ114および114’内に半密閉されていることに留意されたい。一実施形態では、ワイヤボンドプロテクタ100および100’は、ワイヤボンドのアレイ116および116’をほぼ完全に遮蔽すなわち保護しているが、他の実施形態では、ワイヤボンドプロテクタがワイヤボンドの少なくとも一部を覆うことが適している。
【0017】
図6から図10では、ワイヤボンドプロテクタ100および100’が超小型電子デバイスアセンブリ118へ取り付けられていることにより、手荒な取扱いの悪影響からワイヤボンドが保護されていることが分かる。ワイヤボンドプロテクタ100および100’は、半導体ダイ122および他の素子を砂ぼこりや塵埃などの汚染物質から遮蔽する役割も果たす。
【0018】
ワイヤボンドを損傷から保護し、ワイヤボンドおよび他の領域を汚染物質から遮蔽するワイヤボンドプロテクタ100に加えて、ワイヤボンドプロテクタ100の上壁102の表面を、追加的すなわち補助的なデバイスの取り付け面すなわち受け面として用いることもできる。図11に示すように、超小型電子デバイスアセンブリ118が光学送受信モジュールの一部である一実施形態では、このような追加的なデバイスをレンズアセンブリ130とすることができる。当技術分野で知られているように、光学レンズは、VCSELなどの光送信機によって生成された光を集束させたり、受信した光を光学検出器上に集束させたりするための光送受信モジュールに一般に含まれている。
【0019】
上述したように、例えば、ダイ122の一部または全部をVCSELとすることができる。レンズアセンブリ130は、レンズアセンブリ130の本体が超小型電子デバイスアセンブリ118の内部に及んでいる状態で、各ワイヤボンドプロテクタ100および100’の上壁102および102’の平坦な面上の相対する端部に取り付けることができる。ワイヤボンドプロテクタ100および100’でレンズアセンブリ130を支えることにより、レンズアセンブリ130のレンズ(図示せず)をVCSELポート(図示せず)と光学的に位置合わせしやすくなる。レンズアセンブリ130をワイヤボンドプロテクタ100および100’に固定するために、上壁102および102’の平坦な表面に塗布されるエポキシまたは他の適切な接着剤を用いることができる。VCSELポートの光軸と垂直すなわち直角な平面にエポキシを置くと、エポキシの硬化によって生じる力は、VCSELポートと光学的に位置合わせがなされた状態のレンズアセンブリ118のレンズを引っ張ってずらすような方向の力ではない。また、レンズアセンブリ130が超小型電子デバイスアセンブリ118の内側を覆った状態では、ワイヤボンドプロテクタ100および100’とレンズアセンブリ130との組み合わせは、特にエポキシまたは他のシーリング材(sealant)が使用される場合に、内部を汚染からシーリングする役割を更に果たすことに留意されたい。
【0020】
ワイヤボンドプロテクタ100および100’が透明または少なくとも半透明である実施形態では、ワイヤボンドプロテクタが超小型電子デバイスアセンブリ118に取り付けられた後であっても、また、レンズアセンブリ130または他の補助デバイスが取り付けられた後であっても、製造担当者がワイヤボンドを目視により検査することができる。
【0021】
超小型電子デバイスのワイヤボンドは、本発明に係る方法、例えば図12に記載の方法により保護することができる。まず、ステップ132において、半導体ダイ122と基板120との間にワイヤボンドのアレイ116が形成される。当技術分野で知られているように、ワイヤボンディングは、熱エネルギーまたは超音波エネルギーを用いて極細ワイヤの一端をダイ122上のパッド(図示せず)に接着し、かつ極細ワイヤの他端を基板120の導体(図示せず)の一つに接着する必要がある。
【0022】
本方法のいくつかの実施形態においては、種々の追加ステップを含めることができる。例えば、ステップ134において、樹脂、接着剤または他の材料を、ワイヤボンドプロテクタ100の一部または半導体デバイスアセンブリ118の嵌合部に塗布することができる。この材料は、ワイヤボンドプロテクタ100を半導体デバイスアセンブリ118の嵌合部に接着したり、ワイヤボンドを封入したり、他の適切な目的のために使用できる。例えば、この材料を内部すなわちキャビティ114に塗布してワイヤボンドを封入したり、上壁102の表面に塗布してレンズアセンブリ130を接着したりすることができる。
【0023】
次に、ステップ136において、ワイヤボンドプロテクタ100が、ワイヤボンドのアレイ116を少なくとも部分的に覆う方向に取り付けられる。ワイヤボンドの複数のアレイを保護しなくてはならない実施形態では、対応する複数のワイヤボンドプロテクタを取り付けることができる。図6から図10に最も良く示されているように、ワイヤボンドのアレイ116および116’がキャビティ114および114’にそれぞれ包囲されている。
【0024】
接着剤または他の材料が塗布される実施形態では、ステップ138において、材料を硬化させて固めたり固定したりすることができる。ワイヤボンドプロテクタ100が透明または紫外線(UV)光を透過する実施形態では、この材料をUV光により硬化可能な樹脂またはエポキシとすることができる。エポキシおよびワイヤボンドプロテクタ100が十分に透明でクリアな実施形態では、ワイヤボンドを目視により検査できることに留意されたい。
【0025】
いくつかの実施形態では、ステップ140において、補助的なデバイスを1つ以上のワイヤボンドプロテクタ100に取り付けることができる。上述したように、この実施形態では、レンズアセンブリ130は2つのワイヤボンドプロテクタ100および100’の間に取り付けられる。この実施形態において補助デバイスはレンズアセンブリであるが、他の実施形態では、適切なタイプのデバイスであれば任意のデバイスとすることもできる。
【0026】
アセンブリ全体を適切な送受信モジュールパッケージまたは筐体に取り付けるなど、従来の任意かつ適切なステップを含むこともできる。また、すべての実施形態が上記ステップの全部を含む必要はないことに留意すべきである。例えば、実施形態の中には、ステップ134、138、および140の一部または全部を含まないものもある。また、特に明示されていなくとも、ステップは任意かつ適切な順序で実施できる。
【0027】
以上、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は添付の特許請求の範囲によって定まるものであり、上記の特定の実施形態に限定されるものではない。
【符号の説明】
【0028】
100 ワイヤボンドプロテクタ
102 上壁
104 側壁
106 脚部
110 凹部
114 キャビティ
116 ワイヤボンドのアレイ
118 超小型電子デバイスアセンブリ
120 基板
122 半導体ダイ
124 リードフレーム
125 取り付けコア
126 突起
130 レンズアセンブリ

【特許請求の範囲】
【請求項1】
ワイヤボンドの長いアレイを形成するように、半導体ダイが取り付けられた基板の一部の電気的接続部へ前記半導体ダイのパッドをワイヤボンディングするステップと、
前記ワイヤボンドを少なくとも部分的に覆うために、細長いワイヤボンドプロテクタを前記ワイヤボンドのアレイに沿って超小型電子デバイスに取り付けるステップと
を含む、超小型電子デバイスのワイヤボンドを保護する方法。
【請求項2】
細長いワイヤボンドプロテクタを取り付ける前記ステップは、前記ワイヤボンドプロテクタの一部を前記基板の嵌合部へ嵌合させるステップを含むものである、請求項1に記載の方法。
【請求項3】
嵌合させる前記ステップは、前記ワイヤボンドプロテクタの一部を前記基板の嵌合部へスナップ嵌合させるステップを含むものである、請求項2に記載の方法。
【請求項4】
前記ワイヤボンドプロテクタの受け面上にあるデバイスを取り付けるステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項5】
デバイスを取り付ける前記ステップは、光アセンブリがあるワイヤボンドプロテクタから別のワイヤボンドプロテクタへと前記基板を横切って延びる状態となる方向で、前記デバイスを複数のワイヤボンドプロテクタのそれぞれの受け面上に取り付けるステップを含むものである、請求項4に記載の方法。
【請求項6】
前記ワイヤボンドプロテクタの溝に接着剤を与えるステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項7】
前記溝内の接着剤を光硬化させるために前記ワイヤボンドプロテクタの光透過性を持つ外面に光を照射するステップをさらに含む請求項6に記載の方法。
【請求項8】
前記ワイヤボンドプロテクタの透明な壁面を通して前記ワイヤボンドを目視により検査するステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項9】
基板と、
前記基板に取り付けられた半導体ダイと、
前記半導体ダイのパッドと前記基板の一部の電気的接続部との間にあるワイヤボンドの長いアレイと、
前記ワイヤボンドのアレイに沿って延在し、前記ワイヤボンドを少なくとも部分的に覆う細長いワイヤボンドプロテクタと
を備える超小型電子デバイスアセンブリ。
【請求項10】
前記ワイヤボンドプロテクタが光透過性を有する材料で形成される、請求項9に記載の超小型電子デバイスアセンブリ。
【請求項11】
前記ワイヤボンドプロテクタが透明である、請求項10に記載の超小型電子デバイスアセンブリ。
【請求項12】
前記ワイヤボンドプロテクタは、その長さに沿って延びるキャビティを有するものである、請求項9に記載の超小型電子デバイスアセンブリ。
【請求項13】
前記ワイヤボンドプロテクタは、前記基板の嵌合部と嵌合可能な係合部を有するものである、請求項9に記載の超小型電子デバイスアセンブリ。
【請求項14】
前記係合部がスナップ係合部である、請求項13に記載の超小型電子デバイスアセンブリ。
【請求項15】
前記ワイヤボンドプロテクタは、その長さに沿って延びる外壁と、前記外壁と同じ広がりを持つ上壁と、ワイヤボンドが配置される溝を画定する前記外壁および前記上壁によって少なくとも部分的に境界が定められる内部とを有するものである、請求項9に記載の超小型電子デバイスアセンブリ。
【請求項16】
前記ワイヤボンドプロテクタの前記上壁がほぼ平坦な表面を有する、請求項15に記載の超小型電子デバイスアセンブリ。
【請求項17】
前記ワイヤボンドプロテクタの前記上壁へ少なくとも部分的に取り付けられたデバイスを更に備える請求項16に記載の超小型電子デバイスアセンブリ。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【図11】
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【図12】
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