レーザ装置
【課題】 レーザ素子の端面への導電部材の這い上がりが抑制され、且つ、放熱性に優れたレーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１０と、該基板１０上に設けられた導電部材１１と、該導電部材１１上に設けられた光導波路領域２０ａを有するレーザ素子２０と、を備えるレーザ装置１００である。導電部材１１は、導電部材１１の端部に設けられ、且つ、レーザ素子２０よりも幅が狭い幅狭部１１ａと、幅狭部１１ａよりも幅が広い幅広部１１ｂと、を有し、幅狭部１１ａ及び幅広部１１ｂは、光導波路領域２０ａの直下に設けられている。
【解決手段】 基板１０と、該基板１０上に設けられた導電部材１１と、該導電部材１１上に設けられた光導波路領域２０ａを有するレーザ素子２０と、を備えるレーザ装置１００である。導電部材１１は、導電部材１１の端部に設けられ、且つ、レーザ素子２０よりも幅が狭い幅狭部１１ａと、幅狭部１１ａよりも幅が広い幅広部１１ｂと、を有し、幅狭部１１ａ及び幅広部１１ｂは、光導波路領域２０ａの直下に設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上にレーザ素子が配置されたレーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ装置として、導電部材が形成された基板上にレーザ素子が固定されたものが用いられている。導電部材は、ろう材等のレーザ素子を接着可能な部材であり、導電部材を介してレーザ素子が基板にダイボンドされる。しかし、レーザ素子をダイボンドする際に、導電部材がレーザ素子の端面に這い上がることによって、リークが発生したり出射光が遮られたりするという問題があった。
【０００３】
そこで、図１０に示すように、破線で示したレーザチップ５１が、それよりも小さい面積のろう材５３を介してサブマウント５２にダイボンドされた半導体レーザ装置が提案されている（例えば特許文献１）。これによって、ろう材５３がレーザチップ５１の外周よりはみ出し這い上がることを抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２８４０９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載されている半導体レーザ装置のように導電部材をレーザ素子よりも小さくすると、導電部材とレーザ素子との接着面積が小さく、十分な放熱性を得ることができない。
【０００６】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、導電部材のレーザ素子の端面への這い上がりが抑制され、且つ、放熱性に優れたレーザ装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施形態に係るレーザ装置は、基板と、基板上に設けられた導電部材と、導電部材上に設けられた光導波路領域を有するレーザ素子と、を備えるレーザ装置である。導電部材は、導電部材の端部に設けられ、且つ、レーザ素子よりも幅が狭い幅狭部と、幅狭部よりも幅が広い幅広部と、を有し、幅狭部及び幅広部は、光導波路領域の直下に設けられている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、幅狭部と幅広部とを有する導電部材を備えることで、導電部材のレーザ素子の端面への這い上がりを抑制でき、且つ、放熱性に優れたレーザ装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１に係るレーザ装置の構造を説明するための概略平面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態１に係るレーザ装置の導電部材の構造を説明するための概略平面図である。
【図３】図３は、図１のＡ−Ａ線における概略断面図である。
【図４】図４は、導電部材の一例を示す一部拡大図である。
【図５】図５は、導電部材の一例を示す一部拡大図である。
【図６】図６は、導電部材の一例を示す一部拡大図である。
【図７】図７は、導電部材の一例を示す一部拡大図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態２に係るレーザ装置の構造を説明するための概略平面図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態３に係るレーザ装置の構造を説明するための概略平面図である。
【図１０】図１０は、従来のレーザ装置の構造を説明するための概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本件発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するためのレーザ装置を例示するものであって、本発明はレーザ装置を以下のものに特定しない。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。
【００１１】
＜実施の形態１＞
図１は、実施の形態１に係るレーザ装置１００を上側から見た概略平面図であり、図２は、レーザ装置１００の導電部材１１の形状を示すためのものである。図１に示すように、レーザ装置１００は、基板１０と、その上に設けられた導電部材１１と、その上に設けられたレーザ素子２０と、を有する。レーザ素子２０は、光導波路領域２０ａが導電部材１１上に位置するように設けられている。なお、説明の便宜上、図１では光導波路領域２０ａを破線で示している。
【００１２】
図２に示すように、基板１０の表面には金属層１０ａが設けられており、その上に設けられた導電部材１１は、レーザ素子２０よりも幅が狭い幅狭部１１ａと、幅狭部１１ａよりも幅が広い幅広部１１ｂと、を有する。幅狭部１１ａと幅広部１１ｂは、光導波路領域２０ａの直下に設けられている。本明細書において、幅狭部１１ａ及び幅広部１１ｂの幅とは、光導波路領域２０ａの延伸方向に垂直をなす方向の幅を意味する。なお、図２では、理解を容易にするためレーザ素子２０及び光導波路領域２０ａを破線で示している。
【００１３】
導電部材１１の一端側が幅狭部１１ａであることで、レーザ素子２０の端面側における導電部材１１の量を軽減でき、レーザ素子２０の端面への導電部材１１の這い上がりを軽減することができる。さらには、幅狭部１１ａのみでなく幅広部１１ｂも有することで、導電部材１１の面積を大きくでき、放熱性を向上させることができる。このように、幅狭部１１ａと幅広部１１ｂとを有する導電部材１１を設けることで、レーザ素子２０端面への導電部材１１の這い上がりが抑制でき、且つ、放熱性に優れたレーザ装置１００とすることができる。
【００１４】
以下、各部材について詳述する。
【００１５】
（基板１０）
基板１０は、レーザ素子２０を固定するサブマウントとして用いられる。その材料としては、セラミックス、金属又は半導体等の熱伝導性の高い部材（例えば、ＡｌＮ、ＣｕＷ、ダイヤモンド、ＳｉＣ）が挙げられる。基板１０の表面には金属層１０ａを設けてもよい。金属層１０ａの表面には、例えば金属ワイヤがボンディングされ、外部電源と接続される。導電部材１１は接着用の部材であるため軟らかく、ワイヤボンディングに適さない。このため、特に基板１０が絶縁性である場合には、金属層１０ａを設け、この金属層１０ａにワイヤボンディングすることが好ましい。金属層１０ａを設ける場合、導電部材１１は多層構造とし、接着層（例えばＡｕ合金層）の下に接着層の材料の拡散を防止可能な材料を含有させた拡散防止層（例えばＰｔ含有層）を設けることが好ましい。これによって、接着層の金属層１０ａへの拡散を防止することができ、また、接着層の形成領域外への流出を防止することができる。基板１０が金属である場合にも同様に、このような拡散防止層を設けることが好ましい。
【００１６】
（導電部材１１）
導電部材１１は、基板１０の上面に設けられ、レーザ素子２０と接合される。導電部材１１は、幅狭部１１ａと幅広部１１ｂとを有する。その材料としては、レーザ素子２０の電極２４と接着可能である導電性の部材を選択できる。例えば、Ｎｉ層、Ａｕ層、Ｐｔ層、Ａｕ層の順に積層された電極２４に対して、導電部材１１の最表面をＡｕを含む合金層（例えばＡｕ−Ｓｎ合金）とし、この導電部材１１上に電極２４を載置し加熱することで、電極２４のＡｕ層と導電部材１１のＡｕ合金層とを合金化し、接合することができる。なお、電極２４のうち合金化されない層（上述の例ではＮｉ層〜Ｐｔ層）は、接合後も接合前と同様の形状で残存する。導電部材１１は、Ａｕ合金層の下に、基板１０との密着性が良好な材料等を含む下地層を設けることが好ましい。
【００１７】
導電部材１１の膜厚は、例えば２μｍ〜５μｍ程度とすることができる。一例として、電極２４の膜厚が約１μｍであり半導体層２２の膜厚が約２〜３μｍである場合に、金属層１０ａ上に、Ｐｔ層とＡｕ−Ｓｎ合金層とをこの順序で積層し、約３μｍのＡｕ−Ｓｎ合金層を含む導電部材１１を形成する。このような導電部材１１は、レーザ素子２０の接着後、レーザ素子２０直下における厚みが接着前の半分程度となる。レーザ素子２０の共振器長方向における導電部材１１の長さは、少なくともレーザ素子２０と同じ長さとすることが好ましい。さらに好ましくは、レーザ素子２０よりも長くする。また、幅狭部１１ａや幅広部１１ｂは、導電部材１１そのものをこの形状で形成したものであることが好ましい。例えば、導電部材１１の端部の一部を絶縁膜で被覆し、見かけ上は幅の狭い部分を形成したとしても、レーザ素子２０接着時の加熱によって絶縁膜下の導電部材１１が絶縁膜の外へと流出するため、レーザ素子２０端面への這い上がり抑制効果は小さい。
【００１８】
（幅狭部１１ａ）
幅狭部１１ａは、図２に示すように、導電部材１１の光導波路領域２０ａ延伸方向における端部に配置され、レーザ素子２０の端面に最も近い位置に配置される。ここで、各部材の幅（光導波路領域２０ａの延伸方向と直交する方向における幅）および長さ（光導波路領域２０ａの延伸方向に沿った長さ）について、図２および図３を用いて説明する。図３は、図１のＡ−Ａ線における概略断面図であり、つまり、幅狭部１１ａを横断する位置で切断した概略断面図である。幅狭部１１ａの幅Ｗａはレーザ素子２０の幅Ｗ１よりも狭い。さらには、幅狭部１１ａの幅Ｗａはレーザ素子２０の電極２４の幅Ｗ２よりも狭いことが好ましく、より好ましくは、幅狭部１１ａの幅Ｗａを電極２４の幅Ｗ２の２分の１以下、さらに好ましくは３分の１以下とする。これによって、導電部材１１の這い上がりをさらに抑制することができる。特にレーザ素子２０をフェースダウン実装する場合に、このような範囲とすることが好ましい。また、レーザ素子２０を安定した状態で接合するためには、図２に示すように幅狭部１１ａの長さＬａを幅広部１１ｂの長さＬｂよりも短くすることが好ましい。また、幅狭部１１ａの長さＬａは、２０μｍ以上が好ましく、５０μｍ以上がさらに好ましい。さらに幅狭部１１ａをレーザ素子実装する際の認識パターンとして利用する場合には、その長さＬａを１００μｍ以下とすることが好ましい。
【００１９】
図２に示すように、幅狭部１１ａは、基板１０の一端に接して設けられることが好ましい。これによって、導電部材１１を基板１０の一端まで形成することができ、レーザ素子２０と導電部材１１との接続面積を増大でき、放熱性を向上させることができる。特に、レーザ素子２０の端面が基板１０の一端とほぼ一致するか、もしくはそれよりも突出して配置される場合に、放熱性向上の効果が大きい。なお、導電部材１１として用いられる金属は、ブレード等によって切断されてウエハ状態から個々の基板１０に個片化される際に切断方向やブレードの回転方向に沿ってバリが発生する。しかし、幅狭部１１であれば、バリが発生しても導電部材１１の元々の量が少ないので、導電部材１１のレーザ素子２０の端面への這い上がりを抑制することができる。
【００２０】
幅狭部１１ａは、幅広部１１ｂへ向かって拡がる領域を有してもよい。幅狭部１１ａは、幅広部１１ｂへ向かって階段状またはテーパー状に拡がった形状とすることもできる。このような形状とすることで、後述するレーザ素子２０を接合する際の導電部材１１の幅狭部１１ａから幅広部１１ｂへの移動が容易になるので、導電部材１１のレーザ素子２０端面への這い上がりをより抑制することができる。
【００２１】
具体例を図４〜図７に示す。図４〜図７は、幅狭部１１ａと幅広部１１ｂの一部を拡大した概略平面図である。なお、図４〜図７における一点鎖線は、幅狭部１１ａと幅広部１１ｂとの境界を説明するための仮想線である。図４は、幅狭部１１ａが幅広部１１ｂへ向かって階段状に拡がった形状である。図５は、幅狭部１１ａが幅広部１１ｂへ向かってテーパー状に拡がった形状である。図６は、幅狭部１１ａの幅広部１１ｂ側の一部が、幅広部１１ｂへ向かってテーパー状に拡がった形状である。図７は、幅狭部１１ａが幅広部１１ｂへ向かってテーパー状に拡がった形状であり、さらに幅狭部１１ａから連続する幅広部１１ｂの一部も同様にテーパー状に拡がった形状である。このように、幅広部１１ｂの幅狭部１１ａ側の一部をテーパー状や階段状とすることもできる。図７において、レーザ素子２０（破線で示す）よりも幅の狭い部分が幅狭部１１ａであり、レーザ素子２０よりも幅の広い部分が幅広部１１ｂである。また、導電部材１１は、幅狭部１１ａが設けられた導電部材１１端部において、幅狭部１１ａを挟むように幅広部１１ｂから延びた突出部や島状部などを有してもよい。これらは幅狭部１１ａから離間して設けられる。好ましくは、導電部材１１の端部には幅狭部１１ａのみを配置する。
【００２２】
（幅広部１１ｂ）
図２に示すように、幅広部１１ｂの幅Ｗｂは幅狭部１１ａの幅Ｗａよりも大きい。これによって、放熱性を向上させることができる。幅広部１１ｂは、幅狭部１１ａから連続して設けられることが好ましい。幅狭部１１ａと連続する幅広部１１ｂを設けることで、放熱性だけでなく、レーザ素子２０を実装する際に、余分な導電部材１１を幅狭部１１ａから幅広部１１ｂへ移動させることができる。つまり、ダイボンド時の表面張力によって形成領域に留まっている導電部材１１は、表面張力を超えればレーザ素子２０の側面へ這い上がるが、幅広部１１ｂがあれば、幅狭部１１ａにおいて余分となった導電部材１１はレーザ素子２０側面への這い上がりよりも幅広部１１ｂへの移動を優先する。これによって、導電部材１１を基板１０の端部に接して配置した際の、導電部材１１のレーザ素子２０の側面、特に光出射端面や光反射端面への這い上がりを抑制することができるので、基板１０の端部においても光導波路領域２０ａの直下に導電部材１１を配置することができ、放熱性を向上させることができる。
【００２３】
また、幅広部１１ｂの幅Ｗｂをレーザ素子２０の電極２４の幅Ｗ２よりも広くすることで、レーザ素子２０を安定した状態で接合することができる。さらに好ましくは、幅広部１１ｂの幅Ｗｂを電極２４の幅Ｗ２の１．５倍以上とし、より好ましくは２倍以上とする。さらには、幅広部１１ｂの幅Ｗｂをレーザ素子２０の幅Ｗ１よりも広くすることで、余分な導電部材１１をレーザ素子２０の外側の幅広部１１ｂに押し出すことができるので、レーザ素子２０側面への這い上がりをさらに抑制することができる。押し出された導電部材１１は、レーザ素子２０の外側の幅広部１１ｂにおいて表面張力による盛り上がり部を形成するので、レーザ素子２０の側面へ這い上がり難い。
【００２４】
また、図１に示すように、基板１０において、レーザ素子２０の光反射端面側の導電部材１１が幅広部１１ｂで構成されている場合は、導電部材１１のレーザ素子２０側面への這い上がり抑制のため、基板１０の他端と幅広部１１ｂとを離間して配置することが好ましい。幅広部１１ｂは、レーザ素子２０の光反射端面２０ｃと一致する位置か、それよりも基板１０の他端側に近い位置まで設けられていることが好ましい。これによって、レーザ素子２０と導電部材１１とが接する面積を大きくすることができるので放熱性を向上させることができる。
【００２５】
（レーザ素子２０）
レーザ素子２０は、光導波路領域２０ａを有する。光導波路領域２０ａにおいては、素子内部で生じた光が光出射端面２０ｂ及び光反射端面２０ｃの一対の端面間で往来し共振する。例えば、光出射端面２０ｂ及び光反射端面２０ｃに所定の反射率のミラーを形成し、光反射端面２０ｃ側のミラーの反射率を光出射端面２０ｂ側のミラーよりも高くすることにより、光出射端面２０ｂ側からレーザ発振が可能なように構成されている。光出射端面側の高反射膜としては、例えばＺｒＯ２等の高屈折率膜とＳｉＯ２等の低屈折率膜とを交互に積層した誘電体多層膜を用いることができる。光出射端面側にはさらに、誘電体多層膜の表面に保護膜としてＳｉＯ２等の低屈折率膜をλ／２ｎ（λは発振波長、ｎは保護膜の屈折率）の膜厚で形成することもできる。
【００２６】
図３は、図１のＡ−Ａ線における概略断面図である。図３に示すように、レーザ素子２０は基板１０にフェースダウン実装されていることが好ましい。図３に示すレーザ素子２０は、上から順に、素子基板２１と、発光層を含む半導体層２２とを備える。半導体層２２には、光導波路領域２０ａを形成するリッジ２３が形成されており、リッジ２３の表面には、電極２４が設けられている。電極２４を幅狭部１１ａ（導電部材１１）に接合することで、レーザ素子２０がフェースダウン実装されている。
【００２７】
このようにフェースダウン実装されることで、発熱源となる半導体層２２側が導電部材１１に接合され、放熱性をさらに向上させることができる。このように半導体層２２側を導電部材１１に接合する場合、発光層２８と導電部材１１との距離が小さくなるため、導電部材１１がレーザ素子２０の端面に這い上がると発光層２８が被覆されやすいが、本実施形態のレーザ装置１００では幅狭部１１ａを設けているため、導電部材１１の這い上がりを抑制することができる。
【００２８】
また、光導波路領域２０ａは、公知の構造が採用でき、例えばリッジ構造や電流狭窄構造によって形成できる。レーザ素子２０の一例を図３に示す。図３のレーザ素子２０は、上から順に、素子基板２１と、発光層を含む半導体層２２とを備え、半導体層２２には光導波路領域２０ａを形成するリッジ２３が形成され、リッジ２３の表面には電極２４が設けられている。リッジ２３は、例えば平面視においてストライプ状のリッジである。素子基板２１の表面には、電極２４と対になって正負電極を構成する第１電極２５が設けられている。
【００２９】
半導体層２２としては、素子基板２１側から順に、第１導電型半導体層２７、発光層２８、第２導電型半導体層２９が積層されている。半導体層２２の材料としては、公知の材料を用いることができる。例えばＧａＮ系化合物半導体を用い、ｎ型ＧａＮ基板の表面にｎ型ＧａＮ系化合半導体層、発光層、ｐ型ＧａＮ系化合物半導体層を順に積層する。半導体層２２の表面や側面は絶縁膜２６で被覆されていてもよい。これによって、導電部材１１がやや這い上がったとしても、短絡を防止することができる。
【００３０】
フェースダウン実装する場合は特に、図１に示すように、レーザ素子２０の光出射側の先端を基板１０よりも突き出させることが好ましい。これは、レーザ素子２０の光出射端面２０ｂより放射されるビームが基板１０で反射され、ビーム形状に影響を及ぼすことを防止するためである。また、本実施形態では、幅狭部１１ａを設けることで基板１０の端部に接して導電部材１１を形成することを可能とし、その上に光導波路領域２０ａを配置しているため、レーザ素子２０の先端を突出させた場合でも導電部材１１と光導波路領域２０ａとの接する面積を十分に確保でき、放熱性を向上させることができる。また、これによって、図１０に示す従来のレーザ装置のように基板１０の端部にまで導電部材１１を設けない場合と比較して、レーザ素子の突出量がばらついたとしても比較的高い放熱性を確保できるため、突出量のばらつきに対する許容範囲を大きくでき、歩留まりを向上させることができる。なお、光反射端面２０ｃ側は、このような基板１０での反射によるビーム形状への影響を考慮する必要がないため、図１に示すように基板１０の内側に配置してもよい。
【００３１】
＜実施の形態２＞
図８は、実施の形態２に係るレーザ装置２００の概略平面図である。図８では、上述の図２と同様に、レーザ素子２０及び光導波路領域２０ａを破線で示す。レーザ装置２００は、幅狭部３１ａを光反射端面２０ｃ側に配置した点で実施の形態１と異なる。また、図８に示すレーザ装置２００では金属層１０ａは省略するが、実施の形態１と同様に設けることができる。
【００３２】
このように、幅狭部３１ａは光反射端面２０ｃ側に配置することもできる。これによって、良好な放熱性を維持しながら、光反射端面２０ｃへの導電部材１１の這い上がりを抑制することができる。特に、光反射端面２０ｃに導電部材１１が這い上がることによりモニター光が遮られる場合があるが、レーザ装置２００であれば係る問題を軽減することができる。また、幅狭部３１ａを有することで、導電部材３１を基板１０の端部に接して設けることができるため、基板１０の光導波路領域２０ａ延伸方向における長さを短縮でき、省スペース化することができる。また、これによって基板１０の材料コストを低減することができる。特に、ＳｉＣ等の高価な材料を用いる場合には、コスト低減効果が大きい。好ましくは、図８に示すように、基板１０の端部が光反射端面２０ｃと一致するように設定する。ただし厳密に一致させる必要はなく、レーザ素子２０の実装精度のバラツキによって多少のズレがあってもよい。例えば、５〜１５μｍ程度のズレがあってもよい。
【００３３】
＜実施の形態３＞
図９は、実施の形態３に係るレーザ装置３００の概略平面図である。図９では、上述の図２と同様に、レーザ素子２０及び光導波路領域２０ａを破線で示す。レーザ装置３００は、幅狭部４１ａを光出射端面２０ｂ側及び光反射端面２０ｃ側に配置した点で実施の形態１と異なる。また、図９に示すレーザ装置３００では金属層１０ａは省略するが、実施の形態１と同様に設けることができる。
【００３４】
このように、幅狭部４１ａは光出射端面２０ｂ側と光反射端面２０ｃ側の両方に配置することもできる。これによって、放熱性を低下させることなく、光出射端面２０ｂと光反射端面２０ｃそれぞれへの導電性部材の這い上がりを抑制することができる。また、光出射端面２０ｂ側と光反射端面２０ｃ側の両方において導電部材１１を基板１０の端部に接して設け、光導波路領域２０ａ延伸方向における基板１０の長さを導電部材１１の長さと一致させることができるので、良好な放熱性を維持しながら、基板１０をさらに小面積化することができ、基板１０の材料コストをさらに低減することができる。基板１０の端部とレーザ素子２０の位置関係については、上述の実施の形態２と同様である。
【００３５】
なお、実施の形態２及び実施の形態３において、幅狭部３１ａ，４１ａの位置以外は、実施の形態１と同様のものを採用することができる。例えば、幅狭部３１ａ，４１ａ及び幅広部３１ｂ，４１ｂの形状として、図４〜７の形状を採用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明のレーザ装置は、光ディスク用途、光通信システム、印刷機、露光用途、測定等に利用することができる。
【符号の説明】
【００３７】
１００，２００，３００ レーザ装置
１０ 基板
１０ａ 金属層
１１，３１，４１ 導電部材
１１ａ，３１ａ，４１ａ 幅狭部
１１ｂ，３１ｂ，４１ｂ 幅広部
２０ レーザ素子
２０ａ 光導波路領域、２０ｂ 光出射端面、２０ｃ 光反射端面
２１ 素子基板
２２ 半導体層
２７ 第１導電型半導体層、２８ 発光層、２９ 第２導電型半導体層
２３ リッジ
２４ 電極（第２電極）
２５ 第１電極
２６ 絶縁膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上にレーザ素子が配置されたレーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ装置として、導電部材が形成された基板上にレーザ素子が固定されたものが用いられている。導電部材は、ろう材等のレーザ素子を接着可能な部材であり、導電部材を介してレーザ素子が基板にダイボンドされる。しかし、レーザ素子をダイボンドする際に、導電部材がレーザ素子の端面に這い上がることによって、リークが発生したり出射光が遮られたりするという問題があった。
【０００３】
そこで、図１０に示すように、破線で示したレーザチップ５１が、それよりも小さい面積のろう材５３を介してサブマウント５２にダイボンドされた半導体レーザ装置が提案されている（例えば特許文献１）。これによって、ろう材５３がレーザチップ５１の外周よりはみ出し這い上がることを抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２８４０９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載されている半導体レーザ装置のように導電部材をレーザ素子よりも小さくすると、導電部材とレーザ素子との接着面積が小さく、十分な放熱性を得ることができない。
【０００６】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、導電部材のレーザ素子の端面への這い上がりが抑制され、且つ、放熱性に優れたレーザ装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施形態に係るレーザ装置は、基板と、基板上に設けられた導電部材と、導電部材上に設けられた光導波路領域を有するレーザ素子と、を備えるレーザ装置である。導電部材は、導電部材の端部に設けられ、且つ、レーザ素子よりも幅が狭い幅狭部と、幅狭部よりも幅が広い幅広部と、を有し、幅狭部及び幅広部は、光導波路領域の直下に設けられている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、幅狭部と幅広部とを有する導電部材を備えることで、導電部材のレーザ素子の端面への這い上がりを抑制でき、且つ、放熱性に優れたレーザ装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１に係るレーザ装置の構造を説明するための概略平面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態１に係るレーザ装置の導電部材の構造を説明するための概略平面図である。
【図３】図３は、図１のＡ−Ａ線における概略断面図である。
【図４】図４は、導電部材の一例を示す一部拡大図である。
【図５】図５は、導電部材の一例を示す一部拡大図である。
【図６】図６は、導電部材の一例を示す一部拡大図である。
【図７】図７は、導電部材の一例を示す一部拡大図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態２に係るレーザ装置の構造を説明するための概略平面図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態３に係るレーザ装置の構造を説明するための概略平面図である。
【図１０】図１０は、従来のレーザ装置の構造を説明するための概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本件発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するためのレーザ装置を例示するものであって、本発明はレーザ装置を以下のものに特定しない。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。
【００１１】
＜実施の形態１＞
図１は、実施の形態１に係るレーザ装置１００を上側から見た概略平面図であり、図２は、レーザ装置１００の導電部材１１の形状を示すためのものである。図１に示すように、レーザ装置１００は、基板１０と、その上に設けられた導電部材１１と、その上に設けられたレーザ素子２０と、を有する。レーザ素子２０は、光導波路領域２０ａが導電部材１１上に位置するように設けられている。なお、説明の便宜上、図１では光導波路領域２０ａを破線で示している。
【００１２】
図２に示すように、基板１０の表面には金属層１０ａが設けられており、その上に設けられた導電部材１１は、レーザ素子２０よりも幅が狭い幅狭部１１ａと、幅狭部１１ａよりも幅が広い幅広部１１ｂと、を有する。幅狭部１１ａと幅広部１１ｂは、光導波路領域２０ａの直下に設けられている。本明細書において、幅狭部１１ａ及び幅広部１１ｂの幅とは、光導波路領域２０ａの延伸方向に垂直をなす方向の幅を意味する。なお、図２では、理解を容易にするためレーザ素子２０及び光導波路領域２０ａを破線で示している。
【００１３】
導電部材１１の一端側が幅狭部１１ａであることで、レーザ素子２０の端面側における導電部材１１の量を軽減でき、レーザ素子２０の端面への導電部材１１の這い上がりを軽減することができる。さらには、幅狭部１１ａのみでなく幅広部１１ｂも有することで、導電部材１１の面積を大きくでき、放熱性を向上させることができる。このように、幅狭部１１ａと幅広部１１ｂとを有する導電部材１１を設けることで、レーザ素子２０端面への導電部材１１の這い上がりが抑制でき、且つ、放熱性に優れたレーザ装置１００とすることができる。
【００１４】
以下、各部材について詳述する。
【００１５】
（基板１０）
基板１０は、レーザ素子２０を固定するサブマウントとして用いられる。その材料としては、セラミックス、金属又は半導体等の熱伝導性の高い部材（例えば、ＡｌＮ、ＣｕＷ、ダイヤモンド、ＳｉＣ）が挙げられる。基板１０の表面には金属層１０ａを設けてもよい。金属層１０ａの表面には、例えば金属ワイヤがボンディングされ、外部電源と接続される。導電部材１１は接着用の部材であるため軟らかく、ワイヤボンディングに適さない。このため、特に基板１０が絶縁性である場合には、金属層１０ａを設け、この金属層１０ａにワイヤボンディングすることが好ましい。金属層１０ａを設ける場合、導電部材１１は多層構造とし、接着層（例えばＡｕ合金層）の下に接着層の材料の拡散を防止可能な材料を含有させた拡散防止層（例えばＰｔ含有層）を設けることが好ましい。これによって、接着層の金属層１０ａへの拡散を防止することができ、また、接着層の形成領域外への流出を防止することができる。基板１０が金属である場合にも同様に、このような拡散防止層を設けることが好ましい。
【００１６】
（導電部材１１）
導電部材１１は、基板１０の上面に設けられ、レーザ素子２０と接合される。導電部材１１は、幅狭部１１ａと幅広部１１ｂとを有する。その材料としては、レーザ素子２０の電極２４と接着可能である導電性の部材を選択できる。例えば、Ｎｉ層、Ａｕ層、Ｐｔ層、Ａｕ層の順に積層された電極２４に対して、導電部材１１の最表面をＡｕを含む合金層（例えばＡｕ−Ｓｎ合金）とし、この導電部材１１上に電極２４を載置し加熱することで、電極２４のＡｕ層と導電部材１１のＡｕ合金層とを合金化し、接合することができる。なお、電極２４のうち合金化されない層（上述の例ではＮｉ層〜Ｐｔ層）は、接合後も接合前と同様の形状で残存する。導電部材１１は、Ａｕ合金層の下に、基板１０との密着性が良好な材料等を含む下地層を設けることが好ましい。
【００１７】
導電部材１１の膜厚は、例えば２μｍ〜５μｍ程度とすることができる。一例として、電極２４の膜厚が約１μｍであり半導体層２２の膜厚が約２〜３μｍである場合に、金属層１０ａ上に、Ｐｔ層とＡｕ−Ｓｎ合金層とをこの順序で積層し、約３μｍのＡｕ−Ｓｎ合金層を含む導電部材１１を形成する。このような導電部材１１は、レーザ素子２０の接着後、レーザ素子２０直下における厚みが接着前の半分程度となる。レーザ素子２０の共振器長方向における導電部材１１の長さは、少なくともレーザ素子２０と同じ長さとすることが好ましい。さらに好ましくは、レーザ素子２０よりも長くする。また、幅狭部１１ａや幅広部１１ｂは、導電部材１１そのものをこの形状で形成したものであることが好ましい。例えば、導電部材１１の端部の一部を絶縁膜で被覆し、見かけ上は幅の狭い部分を形成したとしても、レーザ素子２０接着時の加熱によって絶縁膜下の導電部材１１が絶縁膜の外へと流出するため、レーザ素子２０端面への這い上がり抑制効果は小さい。
【００１８】
（幅狭部１１ａ）
幅狭部１１ａは、図２に示すように、導電部材１１の光導波路領域２０ａ延伸方向における端部に配置され、レーザ素子２０の端面に最も近い位置に配置される。ここで、各部材の幅（光導波路領域２０ａの延伸方向と直交する方向における幅）および長さ（光導波路領域２０ａの延伸方向に沿った長さ）について、図２および図３を用いて説明する。図３は、図１のＡ−Ａ線における概略断面図であり、つまり、幅狭部１１ａを横断する位置で切断した概略断面図である。幅狭部１１ａの幅Ｗａはレーザ素子２０の幅Ｗ１よりも狭い。さらには、幅狭部１１ａの幅Ｗａはレーザ素子２０の電極２４の幅Ｗ２よりも狭いことが好ましく、より好ましくは、幅狭部１１ａの幅Ｗａを電極２４の幅Ｗ２の２分の１以下、さらに好ましくは３分の１以下とする。これによって、導電部材１１の這い上がりをさらに抑制することができる。特にレーザ素子２０をフェースダウン実装する場合に、このような範囲とすることが好ましい。また、レーザ素子２０を安定した状態で接合するためには、図２に示すように幅狭部１１ａの長さＬａを幅広部１１ｂの長さＬｂよりも短くすることが好ましい。また、幅狭部１１ａの長さＬａは、２０μｍ以上が好ましく、５０μｍ以上がさらに好ましい。さらに幅狭部１１ａをレーザ素子実装する際の認識パターンとして利用する場合には、その長さＬａを１００μｍ以下とすることが好ましい。
【００１９】
図２に示すように、幅狭部１１ａは、基板１０の一端に接して設けられることが好ましい。これによって、導電部材１１を基板１０の一端まで形成することができ、レーザ素子２０と導電部材１１との接続面積を増大でき、放熱性を向上させることができる。特に、レーザ素子２０の端面が基板１０の一端とほぼ一致するか、もしくはそれよりも突出して配置される場合に、放熱性向上の効果が大きい。なお、導電部材１１として用いられる金属は、ブレード等によって切断されてウエハ状態から個々の基板１０に個片化される際に切断方向やブレードの回転方向に沿ってバリが発生する。しかし、幅狭部１１であれば、バリが発生しても導電部材１１の元々の量が少ないので、導電部材１１のレーザ素子２０の端面への這い上がりを抑制することができる。
【００２０】
幅狭部１１ａは、幅広部１１ｂへ向かって拡がる領域を有してもよい。幅狭部１１ａは、幅広部１１ｂへ向かって階段状またはテーパー状に拡がった形状とすることもできる。このような形状とすることで、後述するレーザ素子２０を接合する際の導電部材１１の幅狭部１１ａから幅広部１１ｂへの移動が容易になるので、導電部材１１のレーザ素子２０端面への這い上がりをより抑制することができる。
【００２１】
具体例を図４〜図７に示す。図４〜図７は、幅狭部１１ａと幅広部１１ｂの一部を拡大した概略平面図である。なお、図４〜図７における一点鎖線は、幅狭部１１ａと幅広部１１ｂとの境界を説明するための仮想線である。図４は、幅狭部１１ａが幅広部１１ｂへ向かって階段状に拡がった形状である。図５は、幅狭部１１ａが幅広部１１ｂへ向かってテーパー状に拡がった形状である。図６は、幅狭部１１ａの幅広部１１ｂ側の一部が、幅広部１１ｂへ向かってテーパー状に拡がった形状である。図７は、幅狭部１１ａが幅広部１１ｂへ向かってテーパー状に拡がった形状であり、さらに幅狭部１１ａから連続する幅広部１１ｂの一部も同様にテーパー状に拡がった形状である。このように、幅広部１１ｂの幅狭部１１ａ側の一部をテーパー状や階段状とすることもできる。図７において、レーザ素子２０（破線で示す）よりも幅の狭い部分が幅狭部１１ａであり、レーザ素子２０よりも幅の広い部分が幅広部１１ｂである。また、導電部材１１は、幅狭部１１ａが設けられた導電部材１１端部において、幅狭部１１ａを挟むように幅広部１１ｂから延びた突出部や島状部などを有してもよい。これらは幅狭部１１ａから離間して設けられる。好ましくは、導電部材１１の端部には幅狭部１１ａのみを配置する。
【００２２】
（幅広部１１ｂ）
図２に示すように、幅広部１１ｂの幅Ｗｂは幅狭部１１ａの幅Ｗａよりも大きい。これによって、放熱性を向上させることができる。幅広部１１ｂは、幅狭部１１ａから連続して設けられることが好ましい。幅狭部１１ａと連続する幅広部１１ｂを設けることで、放熱性だけでなく、レーザ素子２０を実装する際に、余分な導電部材１１を幅狭部１１ａから幅広部１１ｂへ移動させることができる。つまり、ダイボンド時の表面張力によって形成領域に留まっている導電部材１１は、表面張力を超えればレーザ素子２０の側面へ這い上がるが、幅広部１１ｂがあれば、幅狭部１１ａにおいて余分となった導電部材１１はレーザ素子２０側面への這い上がりよりも幅広部１１ｂへの移動を優先する。これによって、導電部材１１を基板１０の端部に接して配置した際の、導電部材１１のレーザ素子２０の側面、特に光出射端面や光反射端面への這い上がりを抑制することができるので、基板１０の端部においても光導波路領域２０ａの直下に導電部材１１を配置することができ、放熱性を向上させることができる。
【００２３】
また、幅広部１１ｂの幅Ｗｂをレーザ素子２０の電極２４の幅Ｗ２よりも広くすることで、レーザ素子２０を安定した状態で接合することができる。さらに好ましくは、幅広部１１ｂの幅Ｗｂを電極２４の幅Ｗ２の１．５倍以上とし、より好ましくは２倍以上とする。さらには、幅広部１１ｂの幅Ｗｂをレーザ素子２０の幅Ｗ１よりも広くすることで、余分な導電部材１１をレーザ素子２０の外側の幅広部１１ｂに押し出すことができるので、レーザ素子２０側面への這い上がりをさらに抑制することができる。押し出された導電部材１１は、レーザ素子２０の外側の幅広部１１ｂにおいて表面張力による盛り上がり部を形成するので、レーザ素子２０の側面へ這い上がり難い。
【００２４】
また、図１に示すように、基板１０において、レーザ素子２０の光反射端面側の導電部材１１が幅広部１１ｂで構成されている場合は、導電部材１１のレーザ素子２０側面への這い上がり抑制のため、基板１０の他端と幅広部１１ｂとを離間して配置することが好ましい。幅広部１１ｂは、レーザ素子２０の光反射端面２０ｃと一致する位置か、それよりも基板１０の他端側に近い位置まで設けられていることが好ましい。これによって、レーザ素子２０と導電部材１１とが接する面積を大きくすることができるので放熱性を向上させることができる。
【００２５】
（レーザ素子２０）
レーザ素子２０は、光導波路領域２０ａを有する。光導波路領域２０ａにおいては、素子内部で生じた光が光出射端面２０ｂ及び光反射端面２０ｃの一対の端面間で往来し共振する。例えば、光出射端面２０ｂ及び光反射端面２０ｃに所定の反射率のミラーを形成し、光反射端面２０ｃ側のミラーの反射率を光出射端面２０ｂ側のミラーよりも高くすることにより、光出射端面２０ｂ側からレーザ発振が可能なように構成されている。光出射端面側の高反射膜としては、例えばＺｒＯ２等の高屈折率膜とＳｉＯ２等の低屈折率膜とを交互に積層した誘電体多層膜を用いることができる。光出射端面側にはさらに、誘電体多層膜の表面に保護膜としてＳｉＯ２等の低屈折率膜をλ／２ｎ（λは発振波長、ｎは保護膜の屈折率）の膜厚で形成することもできる。
【００２６】
図３は、図１のＡ−Ａ線における概略断面図である。図３に示すように、レーザ素子２０は基板１０にフェースダウン実装されていることが好ましい。図３に示すレーザ素子２０は、上から順に、素子基板２１と、発光層を含む半導体層２２とを備える。半導体層２２には、光導波路領域２０ａを形成するリッジ２３が形成されており、リッジ２３の表面には、電極２４が設けられている。電極２４を幅狭部１１ａ（導電部材１１）に接合することで、レーザ素子２０がフェースダウン実装されている。
【００２７】
このようにフェースダウン実装されることで、発熱源となる半導体層２２側が導電部材１１に接合され、放熱性をさらに向上させることができる。このように半導体層２２側を導電部材１１に接合する場合、発光層２８と導電部材１１との距離が小さくなるため、導電部材１１がレーザ素子２０の端面に這い上がると発光層２８が被覆されやすいが、本実施形態のレーザ装置１００では幅狭部１１ａを設けているため、導電部材１１の這い上がりを抑制することができる。
【００２８】
また、光導波路領域２０ａは、公知の構造が採用でき、例えばリッジ構造や電流狭窄構造によって形成できる。レーザ素子２０の一例を図３に示す。図３のレーザ素子２０は、上から順に、素子基板２１と、発光層を含む半導体層２２とを備え、半導体層２２には光導波路領域２０ａを形成するリッジ２３が形成され、リッジ２３の表面には電極２４が設けられている。リッジ２３は、例えば平面視においてストライプ状のリッジである。素子基板２１の表面には、電極２４と対になって正負電極を構成する第１電極２５が設けられている。
【００２９】
半導体層２２としては、素子基板２１側から順に、第１導電型半導体層２７、発光層２８、第２導電型半導体層２９が積層されている。半導体層２２の材料としては、公知の材料を用いることができる。例えばＧａＮ系化合物半導体を用い、ｎ型ＧａＮ基板の表面にｎ型ＧａＮ系化合半導体層、発光層、ｐ型ＧａＮ系化合物半導体層を順に積層する。半導体層２２の表面や側面は絶縁膜２６で被覆されていてもよい。これによって、導電部材１１がやや這い上がったとしても、短絡を防止することができる。
【００３０】
フェースダウン実装する場合は特に、図１に示すように、レーザ素子２０の光出射側の先端を基板１０よりも突き出させることが好ましい。これは、レーザ素子２０の光出射端面２０ｂより放射されるビームが基板１０で反射され、ビーム形状に影響を及ぼすことを防止するためである。また、本実施形態では、幅狭部１１ａを設けることで基板１０の端部に接して導電部材１１を形成することを可能とし、その上に光導波路領域２０ａを配置しているため、レーザ素子２０の先端を突出させた場合でも導電部材１１と光導波路領域２０ａとの接する面積を十分に確保でき、放熱性を向上させることができる。また、これによって、図１０に示す従来のレーザ装置のように基板１０の端部にまで導電部材１１を設けない場合と比較して、レーザ素子の突出量がばらついたとしても比較的高い放熱性を確保できるため、突出量のばらつきに対する許容範囲を大きくでき、歩留まりを向上させることができる。なお、光反射端面２０ｃ側は、このような基板１０での反射によるビーム形状への影響を考慮する必要がないため、図１に示すように基板１０の内側に配置してもよい。
【００３１】
＜実施の形態２＞
図８は、実施の形態２に係るレーザ装置２００の概略平面図である。図８では、上述の図２と同様に、レーザ素子２０及び光導波路領域２０ａを破線で示す。レーザ装置２００は、幅狭部３１ａを光反射端面２０ｃ側に配置した点で実施の形態１と異なる。また、図８に示すレーザ装置２００では金属層１０ａは省略するが、実施の形態１と同様に設けることができる。
【００３２】
このように、幅狭部３１ａは光反射端面２０ｃ側に配置することもできる。これによって、良好な放熱性を維持しながら、光反射端面２０ｃへの導電部材１１の這い上がりを抑制することができる。特に、光反射端面２０ｃに導電部材１１が這い上がることによりモニター光が遮られる場合があるが、レーザ装置２００であれば係る問題を軽減することができる。また、幅狭部３１ａを有することで、導電部材３１を基板１０の端部に接して設けることができるため、基板１０の光導波路領域２０ａ延伸方向における長さを短縮でき、省スペース化することができる。また、これによって基板１０の材料コストを低減することができる。特に、ＳｉＣ等の高価な材料を用いる場合には、コスト低減効果が大きい。好ましくは、図８に示すように、基板１０の端部が光反射端面２０ｃと一致するように設定する。ただし厳密に一致させる必要はなく、レーザ素子２０の実装精度のバラツキによって多少のズレがあってもよい。例えば、５〜１５μｍ程度のズレがあってもよい。
【００３３】
＜実施の形態３＞
図９は、実施の形態３に係るレーザ装置３００の概略平面図である。図９では、上述の図２と同様に、レーザ素子２０及び光導波路領域２０ａを破線で示す。レーザ装置３００は、幅狭部４１ａを光出射端面２０ｂ側及び光反射端面２０ｃ側に配置した点で実施の形態１と異なる。また、図９に示すレーザ装置３００では金属層１０ａは省略するが、実施の形態１と同様に設けることができる。
【００３４】
このように、幅狭部４１ａは光出射端面２０ｂ側と光反射端面２０ｃ側の両方に配置することもできる。これによって、放熱性を低下させることなく、光出射端面２０ｂと光反射端面２０ｃそれぞれへの導電性部材の這い上がりを抑制することができる。また、光出射端面２０ｂ側と光反射端面２０ｃ側の両方において導電部材１１を基板１０の端部に接して設け、光導波路領域２０ａ延伸方向における基板１０の長さを導電部材１１の長さと一致させることができるので、良好な放熱性を維持しながら、基板１０をさらに小面積化することができ、基板１０の材料コストをさらに低減することができる。基板１０の端部とレーザ素子２０の位置関係については、上述の実施の形態２と同様である。
【００３５】
なお、実施の形態２及び実施の形態３において、幅狭部３１ａ，４１ａの位置以外は、実施の形態１と同様のものを採用することができる。例えば、幅狭部３１ａ，４１ａ及び幅広部３１ｂ，４１ｂの形状として、図４〜７の形状を採用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明のレーザ装置は、光ディスク用途、光通信システム、印刷機、露光用途、測定等に利用することができる。
【符号の説明】
【００３７】
１００，２００，３００ レーザ装置
１０ 基板
１０ａ 金属層
１１，３１，４１ 導電部材
１１ａ，３１ａ，４１ａ 幅狭部
１１ｂ，３１ｂ，４１ｂ 幅広部
２０ レーザ素子
２０ａ 光導波路領域、２０ｂ 光出射端面、２０ｃ 光反射端面
２１ 素子基板
２２ 半導体層
２７ 第１導電型半導体層、２８ 発光層、２９ 第２導電型半導体層
２３ リッジ
２４ 電極（第２電極）
２５ 第１電極
２６ 絶縁膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に設けられた導電部材と、該導電部材上に設けられた光導波路領域を有するレーザ素子と、を備えるレーザ装置であって、
前記導電部材は、前記導電部材の端部に設けられ、且つ、前記レーザ素子よりも幅が狭い幅狭部と、前記幅狭部よりも幅が広い幅広部と、を有し、
前記幅狭部及び前記幅広部は、前記光導波路領域の直下に設けられていることを特徴とするレーザ装置。
【請求項２】
前記幅広部は、前記幅狭部から連続して設けられていることを特徴とする請求項１に記載のレーザ装置。
【請求項３】
前記幅狭部は、前記基板の一端に接していることを特徴とする請求項１又は２に記載のレーザ装置。
【請求項４】
前記レーザ素子は、前記基板にフェースダウン実装されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【請求項５】
前記幅広部は、前記レーザ素子よりも幅が広いことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【請求項６】
前記レーザ素子は、前記導電部材と接続される電極を有し、
前記幅狭部は、前記電極よりも幅が狭いことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【請求項７】
前記幅狭部は、前記レーザ素子の光出射端面側に設けられており、
前記レーザ素子は、その光出射端面側が前記基板から突出していることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【請求項８】
前記幅狭部は、前記レーザ素子の光出射端面側及び光反射端面側の両方に配置されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【請求項９】
前記幅狭部は、前記幅広部へ向かって拡がる領域を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【請求項１】
基板と、該基板上に設けられた導電部材と、該導電部材上に設けられた光導波路領域を有するレーザ素子と、を備えるレーザ装置であって、
前記導電部材は、前記導電部材の端部に設けられ、且つ、前記レーザ素子よりも幅が狭い幅狭部と、前記幅狭部よりも幅が広い幅広部と、を有し、
前記幅狭部及び前記幅広部は、前記光導波路領域の直下に設けられていることを特徴とするレーザ装置。
【請求項２】
前記幅広部は、前記幅狭部から連続して設けられていることを特徴とする請求項１に記載のレーザ装置。
【請求項３】
前記幅狭部は、前記基板の一端に接していることを特徴とする請求項１又は２に記載のレーザ装置。
【請求項４】
前記レーザ素子は、前記基板にフェースダウン実装されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【請求項５】
前記幅広部は、前記レーザ素子よりも幅が広いことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【請求項６】
前記レーザ素子は、前記導電部材と接続される電極を有し、
前記幅狭部は、前記電極よりも幅が狭いことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【請求項７】
前記幅狭部は、前記レーザ素子の光出射端面側に設けられており、
前記レーザ素子は、その光出射端面側が前記基板から突出していることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【請求項８】
前記幅狭部は、前記レーザ素子の光出射端面側及び光反射端面側の両方に配置されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【請求項９】
前記幅狭部は、前記幅広部へ向かって拡がる領域を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１３−１１５２４０（Ｐ２０１３−１１５２４０Ａ）
【公開日】平成２５年６月１０日（２０１３．６．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２６０１８１（Ｐ２０１１−２６０１８１）
【出願日】平成２３年１１月２９日（２０１１．１１．２９）
【出願人】（０００２２６０５７）日亜化学工業株式会社 (993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月１０日（２０１３．６．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月２９日（２０１１．１１．２９）
【出願人】（０００２２６０５７）日亜化学工業株式会社 (993)
【Ｆターム（参考）】
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