【課題】ブロック管理システムを伴う不揮発性メモリにおいて、制御データなどの重要なデータが、複製されて保持される。多状態メモリにおける重要なデータの２つのコピーをエラーに対して強いように書き込みおよび読み出す。
【解決手段】重要なデータは、複製にして保持しておけば、信頼性のレベルが上がることが保証される。メモリセルの同一のセットのマルチビットを順次にプログラムするための２パスプログラミング手法を使用する多状態メモリシステムについて、第１のパスによって確立されたデータが第２のパスにおけるいかなるプログラミングエラーによっても破損されないように、複製が行われる。また、複製は、書き込みの異常終了の検出、誤検出の検出の助けとなり、信頼性のレベルが向上する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のブロックに組織化された不揮発性メモリであって、各ブロックは、共に消去可能なメモリユニットに分割される不揮発性メモリにおいて、前記メモリ内のデータを記憶および更新する方法は、
（ａ）データの互いに異なる種類を保持するステップと、
（ｂ）前記データの互いに異なる種類に対してランク付けを割り当てるステップと、
（ｃ）各ブロックが実質的に同種類のデータを記憶するように、前記データの互いに異なる種類の更新を複数のブロックに記憶するステップと、
（ｄ）所定の数より少ない空きメモリユニットを有し、かつ前記複数のブロックの中から最上位ランクのデータ種類を有するブロックに応じて、前記ブロックのデータの現在の更新を他のブロックに移転するステップと、
（ｅ）中断されるまで（ｃ）から（ｄ）を繰り返すステップと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
第１の種類のデータの更新が第２の種類のデータよりも更新頻度が低い場合に、第１のデータ種類は、第２のデータ種類よりランクが高い方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、
ブロックを実質的に充填する第２の種類の更新データのカスケード効果によって第１の種類のデータの更新が生じる場合に、第１のデータ種類は、第２のデータ種類よりランクが高い方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、
空きメモリユニットの前記所定の数は、１から６の間である方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか記載の方法において、
前記不揮発性メモリは、フローティングゲートメモリセルを有する方法。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか記載の方法において、
前記不揮発性メモリは、フラッシュＥＥＰＲＯＭである方法。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか記載の方法において、
前記不揮発性メモリは、ＮＲＯＭである方法。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれか記載の方法において、
前記不揮発性メモリは、メモリカード内にある方法。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれか記載の方法において、
前記不揮発性メモリは、それぞれがデータの１ビットを記憶するメモリセルを有する方法。
【請求項１０】
請求項１〜４のいずれか記載の方法において、
前記不揮発性メモリは、それぞれがデータの１ビットより多くを記憶するメモリセルを有する方法。
【請求項１１】
不揮発性メモリであって、
複数のブロックに組織化されたメモリアレイであって、各ブロックは、共に消去可能なメモリユニットに分割されるメモリアレイと、
データの種類の更新をそれぞれ記憶するための複数のブロックであって、データの各種類は、複数のうちのランクを有する複数のブロックと、
あるブロック内の現在の更新を、所定の数より少ない空きメモリユニットを有し、かつ前記複数のブロックのうちの最上位ランクのデータ種類を有する前記ブロックに応じて、他のブロックに移転するためのコントローラと、
を備える不揮発性メモリ。
【請求項１２】
請求項１１記載の不揮発性メモリにおいて、
第１の種類のデータの更新が第２の種類のデータよりも更新頻度が低い場合に、第１のデータ種類は、第２のデータ種類よりランクが高い不揮発性メモリ。
【請求項１３】
請求項１１記載の不揮発性メモリにおいて、
ブロックを実質的に充填する第２の種類の更新データのカスケード効果によって第１の種類のデータの更新が生じる場合に、第１のデータ種類は、第２のデータ種類よりランクが高い不揮発性メモリ。
【請求項１４】
請求項１１記載の不揮発性メモリにおいて、
空きメモリユニットの前記所定の数は、１から６の間である不揮発性メモリ。
【請求項１５】
請求項１１〜１４のいずれか記載の不揮発性メモリにおいて、
前記不揮発性メモリは、フローティングゲートメモリセルを有する不揮発性メモリ。
【請求項１６】
請求項１１〜１４のいずれか記載の不揮発性メモリにおいて、
前記不揮発性メモリは、フラッシュＥＥＰＲＯＭである不揮発性メモリ。
【請求項１７】
請求項１１〜１４のいずれか記載の不揮発性メモリにおいて、
前記不揮発性メモリは、ＮＲＯＭである不揮発性メモリ。
【請求項１８】
請求項１１〜１４のいずれか記載の不揮発性メモリにおいて、
前記不揮発性メモリは、メモリカード内にある不揮発性メモリ。
【請求項１９】
請求項１１〜１４のいずれか記載の不揮発性メモリにおいて、
前記不揮発性メモリは、それぞれがデータの１ビットを記憶するメモリセルを有する不揮発性メモリ。
【請求項２０】
請求項１１〜１４のいずれか記載の不揮発性メモリにおいて、
前記不揮発性メモリは、それぞれがデータの１ビットより多くを記憶するメモリセルを有する不揮発性メモリ。

【図１】

【図２】

【図３Ａ】

【図３Ｂ】

【図４】

【図５Ａ】

【図５Ｂ】

【図５Ｃ】

【図６】

【図７Ａ】

【図７Ｂ】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１Ａ】

【図１１Ｂ】

【図１２Ａ】

【図１２Ｂ】

【図１３Ａ】

【図１３Ｂ】

【図１４（Ａ）−１４（Ｂ）】

【図１４（Ｃ）−１４（Ｅ）】

【図１４（Ｆ）−１４（Ｈ）】

【図１４（Ｉ）−１４（Ｊ）】

【図１５】

【図１６Ａ】

【図１６Ｂ】

【図１６Ｃ】

【図１６Ｄ】

【図１６Ｅ】

【図１７Ａ】

【図１７Ｂ】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２Ａ】

【図２２Ｂ】

【図２３Ａ】

【図２３Ｂ】

【図２４Ａ】

【図２４Ｂ】

【図２４Ｃ】

【図２５】

【図２６Ａ】

【図２６Ｂ】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【図３０】

【図３１Ａ】

【図３１Ｂ】

【図３２Ａ】

【図３２Ｂ】

【図３３】

【図３４Ａ】

【図３４Ｂ】

【図３５Ａ】

【図３５Ｂ】

【図３６Ａ】

【図３６Ｂ】

【図３６Ｃ】

【図３７】

【図３８Ａ】

【図３８Ｂ】

【図３８Ｃ】

【図３９Ａ】

【図３９Ｂ】

【図４０】

【図４１Ａ】

【図４１Ｂ】

【図４２】

【図４３】

【図４４Ａ】

【図４４Ｂ】

【図４４Ｃ】

【図４５】

【図４６Ａ】

【図４６Ｂ】

【図４７】

【図４８】

【公開番号】特開２０１１−２５３５５７（Ｐ２０１１−２５３５５７Ａ）
【公開日】平成２３年１２月１５日（２０１１．１２．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１７１５３１（Ｐ２０１１−１７１５３１）
【出願日】平成２３年８月５日（２０１１．８．５）
【分割の表示】特願２００６−５４７４８７（Ｐ２００６−５４７４８７）の分割
【原出願日】平成１６年１２月２２日（２００４．１２．２２）
【出願人】（５０６１９７９０１）サンディスク　コーポレイション (175)
【Ｆターム（参考）】