説明

両面フレキシブルプリント配線板の製造方法

【課題】セミアディティブ工法を適用したビアホール接続による両面フレキシブルプリント配線の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁樹脂ベース材1の両面に金属薄膜層2を有する可撓性の両面金属積層板の両面に形成したエッチング耐性のあるエッチングレジスト層4のビアホール位置に開口部2a,3aを設け、露出した金属薄膜層および絶縁樹脂ベース材を各別にエッチング除去して反対面の金属薄膜層に達する通し孔5を穿設してエッチングレジスト層を剥離し、内壁面に導電化処理を施し、両面金属積層板の両面にめっきレジスト層6を被覆してパターニングし、めっきレジスト層を用いた電解メッキによりビア導体および配線導体を析出してめっきレジスト層を剥離し、配線間に露出した金属薄膜層を除去する方法。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、フレキシブル配線板の製造方法に係わり、特にセミアディティブ工法を適用したブラインドビアホール接続による両面フレキシブルプリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、携帯電話等の小型電子機器に向け、電子機器に搭載される実装基板の微細化、高密度化の要求が高まっている。この一環として、各種電子部品を実装する実装基板間を可撓性ケーブル部で接続した両面フレキシブルプリント配線板が広く普及している。
【0003】
この両面フレキシブルプリント配線板は、貫通型導通孔により接続するものとして、NCドリル、金型等で穴明けした後、スルーホールめっきを施し、さらに両面の回路形成を行う、所謂スルーホール接続による両面フレキシブルプリント配線板が主流である。しかし、スルーホールが部品実装ランド上に存在すると、半田が反対側へ流れてしまい実装できない。
【0004】
そこで、有底導通孔、つまりブラインドビアホールが部品実装ランド上に存在しても実装可能であることから、ブラインドビアホール接続による両面フレキシブルプリント配線板が、携帯電話の液晶廻り等の携帯機器向けとして置き換わりつつある。
【0005】
しかしながら、微細配線の形成に適したセミアディティブ工法を適用するとしても、ブラインドビアホールを好適に形成する方法が確立していない。
【0006】
この理由は、次の通りである。まず、セミアディティブ工法の配線形成時に、電解めっきで配線形成させるためのシード層を形成する銅薄膜層が、導通孔の形成時のレーザ加工やデスミア処理、めっきの前処理等で貫通して不良品を生じて歩留まりが悪化すること、次に、銅薄膜層の厚みをレーザで貫通しない5μm以上の厚みにすると、配線形成後のシード層除去による配線の細りによる不良やビアホール内壁のめっき厚が薄くなることにより信頼性が低下することである。
【0007】
このため、微細な両面フレキシブルプリント配線板に対しては、セミアディティブ工法を適用するものの、その接続方法はスルーホール接続のみとなっており、微細配線は形成できるが、半田が裏面に流れるため、部品実装ランドにはスルーホールが配置できない。したがって、部品実装密度の向上や自由度のある製品設計の妨げになっている。
【0008】
また、携帯機器の高機能化に伴って部品実装密度が向上し、片面実装から両面実装へ移行している。ただし、柔らかいフレキシブルプリント配線板に電子部品を両面実装する場合は、電子部品を基板の表裏に重なるような位置にリフロー治具等の支持体を配置できないので、実装できない。
【0009】
一方、両面フレキシブルプリント配線板の高密度化に伴い、ビアホールは直径50〜80μm程度まで小径化されてはいるが、次のような問題が起こる。すなわち、ビアホール開口上に部品を直接実装する際にはビアホール内にクリーム半田を印刷して充填するが、充填不良を起すと、電子部品の実装性が悪化したり実装部の接続信頼性が確保できなくなったりする場合がある。
【0010】
これを回避するためには、粒径約10μm程度の半田微粒子を含む高価なクリーム半田を用いてビアホール内に半田を充填する。印刷についても、ビアホールに半田を充填しなくてよい場合に比べ、適正な条件範囲が狭くなることから、生産性や歩留まりの面でも問題がある。
【0011】
これに対し、特許文献1に記載されているような両面に開口を有するビアホール接続の両面プリント配線板を適用した場合には、前述の微粒子タイプのクリーム半田を用いる必要はないが、両面にめっき層を形成してから、エッチングによりパターン形成を行うため、微細配線を形成することが困難である。
【0012】
また、所謂フィルドビア構造を形成すれば、前述の微粒子タイプのクリーム半田を用いる必要はないが、従来提案されている方法では、生産性、コストおよび歩留まりの面で問題がある。
【0013】
例えば、めっきによるビアフィリングでは、めっき時の電流密度を上げることが難しいため、生産性に乏しくめっき液管理が煩雑であるという欠点がある。
【0014】
また、導電性ペーストやエッチングバンプ等によるバンプ接続型の両面回路も提案されている。しかし、フレキシブルプリント配線板に適用する際には、絶縁ベース材に熱可塑性ポリイミドや液晶ポリマー等の樹脂を用い300℃前後での高温プレス工程が必要であり、コスト高になる。さらに、バンプ頂部を可撓性絶縁ベース材から露出させるためのロール研磨やバフ研磨等の研磨工程において、研磨機の搬送方向への伸びや基板全体の反りが生じる等の問題もある。
【0015】
これは、バンプ接続型の両面フレキシブルプリント配線板だけでなく、従来の両面フレキシブルプリント配線板のビアホールにペースト等を充填し、上述のような研磨工程を行う場合も同様である。また、従来のフレキシブルプリント配線板では、容易に適用可能なロールトゥロールでの製造が困難であり、やはり生産性に問題がある。
【特許文献1】特開平11−17310号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0016】
上述のように、従来、微細配線の形成に適したセミアディティブ工法を適用して両面フレキシブルプリント配線板を製造するにつき、ブラインドビアホールを好適に形成する方法が確立していない状況にある。
【0017】
本発明は上述の点を考慮してなされたもので、セミアディティブ工法を適用したブラインドビアホール接続による両面フレキシブルプリント配線の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0018】
上記目的達成のため、本願では、次の各発明を提供する。
【0019】
第1の発明によれば、
ブラインドビアホールを有する両面フレキシブルプリント配線板の製造方法において、
絶縁樹脂ベース材の両面に金属薄膜層を有する可撓性の両面金属積層板を用意し、
前記両面金属積層板の両面に金属エッチング液および樹脂エッチング液の双方に耐性のあるエッチングレジスト層を形成し、
前記エッチングレジスト層のビアホール位置に開口部を設け、
前記開口部の露出した金属薄膜層を金属エッチング液でエッチング除去し、
露出した絶縁樹脂ベース材を樹脂エッチング液でエッチング除去して反対面の金属薄膜層に達する通し孔を穿設し、
前記エッチングレジスト層を剥離し、
前記通し孔の内壁面に導電化処理を施し、
前記両面金属積層板の両面にめっきレジスト層を被覆し、
前記めっきレジスト層をパターニングし、
前記めっきレジスト層を用いた電解めっきによりビア導体および配線導体を析出し、
前記めっきレジスト層を剥離し、
前記配線間に露出した金属薄膜層を除去する
ことを特徴とする。
【0020】
第2の発明によれば、
ビアホールを有する両面フレキシブルプリント配線板の製造方法において、
絶縁樹脂ベース材の両面に金属薄膜層を有する可撓性の両面金属積層板を用意し、
前記両面金属積層板の両面に樹脂エッチング液に耐性のあるエッチングレジスト層を形成し、
レーザ加工によりビアホール位置の前記レジスト層および金属薄膜層を除去し、続いて反対面の金属薄膜層にレーザ加工から保護できる厚さを残して絶縁樹脂ベース材を除去し、
残存した絶縁樹脂ベース材を樹脂エッチング液でエッチング除去して、反対面の金属薄膜層に達する通し孔を穿設し、
前記エッチングレジスト層を剥離し、
前記通し孔の内壁面に導電化処理を施し、
前記両面金属積層板の両面にめっきレジスト層を被覆し、
前記めっきレジスト層をパターニングし、
前記めっきレジスト層を用いた電解めっきによりビア導体および配線導体を析出し、
前記めっきレジスト層を剥離し、
前記配線間に露出した金属薄膜層を除去する
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【0021】
これらの特徴により、本発明は次のような効果を奏する。
【0022】
本発明によれば、セミアディティブ工法に適用可能な薄い銅薄膜をビアホールの底面に有している状態でも、底面の銅薄膜層が貫通することなく工程を流動させることができる。この結果、セミアディティブ工法を適用したビアホール接続による両面フレキシブルプリント配線を安価かつ安定的に製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0023】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【実施形態1】
【0024】
図1は、本発明の第1の実施形態を示す断面工程図である。この場合、ビアホール接続による両面フレキシブルプリント配線板を構成する。これには、図1(1)に示すように、ポリイミド等の可撓性絶縁ベース材1の両面に銅等の金属薄膜層2,3を有する、両面金属積層板を用意する。この金属薄膜層は、後に所謂セミアディティブ手法により配線形成する際のシード層となるため、シード層除去のことを考慮すると薄いものが好ましい。
【0025】
ここでは、両面とも1.5μm厚の銅薄膜を用いたが、1.0〜2.5μmまでが好適に適用できる。これより薄い場合には、ブラインドビアホールを形成する際やその後の工程で貫通してしまうことがある。また、これより厚い場合には、シード層の除去の際に、形成した配線やビアホールのめっき被膜が著しく膜減りするため、信頼性や製品特性上の問題がある。
【0026】
この両面金属積層板の両面の銅薄膜層2および3に対し、通常のフォトファブリケーション手法によるエッチング手法を用いて、ビアホールの形成部位に開口を有するエッチングレジスト層4を形成し、これを用いて開口部2aおよび3aを形成する。
【0027】
レジスト層4としては、厚さ10μm以上のドライフィルムレジストが好適である。これは、次の導通孔を形成する工程で、1.5μm厚程度の銅薄膜単体では貫通のおそれがあることを考慮したためであり、レジスト層4は剥離せずに次工程へ流動する。これにより、薄膜のビアホールにおいても銅薄膜が貫通することはない。ここでは、開口部の直径は60μmとした。
【0028】
次に、図1(2)に示すように、開口内部に露出する絶縁ベース材1を除去して、他方面の銅薄膜層に達する通し孔5を形成する。この後、ビアホールめっきを行うための導電化処理を行う。開口内部に露出する絶縁ベース材1を薬液処理による樹脂エッチング手法を用いて除去し、他方面の銅薄膜層に達する通し孔5を形成する。樹脂エッチング液としては、オキシアルキルアミンとアルカリ金属とを含むものを利用すればよい。
【0029】
ここで、この薬液処理を行うことの更なる利点として、ロールトゥロールで処理を行い易く、かつ他方面の銅薄膜層にダメージを与える可能性のあるデスミア処理の不要なことが挙げられる。また、pH13以上の強アルカリ液であるため、pHが剥離領域以上にあり、この薬液処理中にレジスト層4が剥離することはない。ただし、アルカリ耐性を上げておくために、レジスト層の開口を現像により形成した後に、露光や加熱を追加処理することも効果的である。
【0030】
この薬液処理に続く湯洗、水洗によりレジスト剥離領域のpHが下がることで、レジスト層4が無理なく剥離する。このような工程を経るため、ビアホールの底部を構成する銅薄膜に対して殆どストレスを与えることなく、ブラインドビアホールを形成することが可能となる。
【0031】
また、ポリイミドフィルムの種類によって、樹脂エッチング速度が異なることから、可撓性絶縁ベース材1の種類としては、ピロメリット酸二無水物と芳香族ジアミンとの重縮合により得られるポリイミドフィルム(例えば、デュポン株式会社製のカプトン、鐘淵化学株式会社製のアピカル)、あるいはこれに類する構造の熱可塑性ポリイミド等が好適である。
【0032】
その後、通し孔5の内壁に電解めっき被膜が形成できるように、導電化処理を行う。導電化処理としては、パラジウム系の薬液によるウエットプロセス、スパッタ、蒸着等のドライプロセスの何れも選択可能である。ここでは、パラジウム系の薬液によるウエットプロセスを選択し、導電化処理を行った。
【0033】
このウエットプロセスにおいても、液中スプレーあるいは穏やかな攪拌を行っているだけなので、ビアホールの底部にある銅薄膜に対して殆どストレスを与えることなく、導電化処理を行うことが可能となる。
【0034】
次に、図1(3)に示すように、セミアディティブ手法により配線パターンの形成、およびビアホール5の内部、および開口部2a,3aの上面に電解めっきを行うためのめっきレジスト層6を被覆する。次に、通常のフォトファブリケーション手法によりレジスト層をパターニングする。このパターニングの際、ビアホールの底部にある銅薄膜に対して、0.1MPa程度までのスプレー現像では、ビアホールの底部にある銅薄膜に対して殆どストレスを与えることはなく、超音波を用いるプロセスはビアホールの底部にある銅薄膜が貫通することがあり、好ましくない。
【0035】
レジスト層の厚みとしては、後に形成するめっき被膜の狙い厚みより5μm程度厚くする必要があり、ここでは20μm厚みのドライフィルムレジストを用いた。さらに電解めっきを行い、配線パターンおよびビアホールに位置する箇所に、めっき層7aおよび7bを形成する。
【0036】
ここで、ビアホール8が形成される。次の工程でシード層に相当する銅薄膜層2,3をエッチング除去する際に、配線パターンおよびビアホールの銅も膜減りすることを考慮し、10〜15μm厚みのめっき被膜を形成する。
【0037】
次に、図1(4)に示すように、レジスト層6を剥離し、めっき層7a,7bをマスクとして、銅薄膜層をエッチング除去することで、配線パターン2b,3bを形成する。ここまでの一連の工程は、所謂ロールトゥロールで流動可能である。
【0038】
必要に応じて、ポリイミドフィルムの片側に接着剤層を有する、所謂カバーレイを接着して表面保護絶縁膜を形成する。さらに、表面保護絶縁膜に形成された開口部に無電解ニッケル・金めっき等の表面処理を行い、金型を用いた打ち抜き等により外形加工を施して、両面にそれぞれ開口を持ったブラインドビアホール接続による両面フレキシブルプリント配線板9を得る。
【実施形態2】
【0039】
図2は、本発明の第2の実施形態を示す断面工程図である。この場合、ブラインドビアホール接続による両面フレキシブルプリント配線板を構成する。これには、まず、同図(1)に示すように、ポリイミド等の可撓性絶縁ベース材1の両面に銅薄膜層2,3を有する、両面銅張積層板を用意する。この銅薄膜層は、後に所謂セミアディティブ手法により配線形成する際のシード層となるため、シード層除去を考慮すると薄いものが好ましい。
【0040】
ここでは、両面とも1.5μm厚の銅薄膜を適用している。銅薄膜厚みは、1.0〜2.5μmまでが適当である。これより薄い場合には、ビアホールを形成する際やその後の工程で貫通してしまうことがある。また、これより厚い場合には、形成した配線やビアホールのめっき被膜が、シード層の除去の際に著しく膜減りするため、信頼性や製品特性上の問題を生じる。
【0041】
この両面型銅張積層板の両面の銅薄膜層2および3に対し、UV−YAGレーザを用いてダイレクトレーザ加工を行って通し孔5を形成するが、レーザ光入射面の反対面の銅薄膜が貫通しないように、加工初期のみに適用し、レーザ光入射面の反対面の銅薄膜へのダメージの発生する恐れのない厚みの絶縁ベース樹脂を残す。
【0042】
また、レーザ光入射面の銅薄膜表面がレーザ加工時のスミアにより汚染されると、後にデスミアが必要となる。このデスミア処理は、ビアホールの底の銅薄膜へダメージを与えることから、デスミアが不要な工程とする必要がある。そこで、レーザ入射面の銅薄膜表面にエッチングレジスト層4を形成し、レジスト層および銅薄膜、絶縁ベース材が一部残る状態までレーザ加工を行う。
【0043】
レジスト層4としては、厚さ10μm以上で20μm以下のドライフィルムレジストが好適である。その理由として、レーザ加工後に樹脂エッチング手法でビアホールを形成する工程で、1.5μm厚程度の銅薄膜を保護するため、レジスト層4は剥離せずに次工程へ流動する。
【0044】
これにより、ビアホールの底部においても銅薄膜が貫通することはない。また、厚さ20μmを越えると、レーザ加工によるタクトの低下とレジストに穴加工した際のスミア量の増加が生じるため、レジスト層の厚みは20μm以下が好ましい。
【0045】
レーザ加工条件については、1パルス当たりのエネルギー量を少な目に設定して1穴当たりのパルス数を増やせば、レーザ光入射面の反対側の銅薄膜側に残す絶縁ベース樹脂の厚みが安定するとともに、この銅薄膜に与えるダメージを低減することができる。このようなレーザ加工法によって、銅薄膜面上に厚み3〜5μmの絶縁ベース樹脂を残した。レーザ加工時に発生したスミアは、レジスト層4の表面にのみ付着した。ビアホールの直径は、60μmとした。
【0046】
次に、図2(2)に示すように、開口内部に露出する絶縁ベース材1の残りの樹脂を、薬液処理による樹脂エッチング手法により除去する。樹脂エッチング液としては、オキシアルキルアミンとアルカリ金属とを含むものを利用すればよい。開口内部に露出する絶縁ベース材1を除去して、他方面の銅薄膜層に達するビアホール5を形成する。
【0047】
この後、ビアホールめっきを行うための導電化処理を行う。開口内部に露出する絶縁ベース材1を、この薬液処理による樹脂エッチング手法を用いてエッチング除去し、他方面の銅薄膜層に達する有底の通し孔5を形成する。ここで、この薬液処理を行うことの更なる利点として、ロールトゥロールで処理を行い易く、他方面の銅薄膜層にダメージを与える可能性のあるデスミア処理の不要なことが挙げられる。
【0048】
また、pH13以上の強アルカリ液であるため、pHが剥離領域以上にあり、この薬液処理中レジスト層4が剥離することはない。ただし、アルカリ耐性を上げておくため、レジスト層を形成した後に、全面露光や加熱することも効果的である。この薬液処理に続く湯洗、水洗によりレジスト剥離領域のpHが下がることで、レジスト層4が無理なく剥離する。
【0049】
このとき、レーザ入射面のレジスト層表面に付着したスミアも同時にレジスト層4とともに除去される。このような工程を経るため、ビアホールの底部にある銅薄膜に対して殆どストレスを与えることなく、ブラインドビアホールを形成することが可能となる。
【0050】
また、ポリイミドフィルムの種類によって、樹脂エッチング速度が異なることから、可撓性絶縁ベース材1の種類としては、ピロメリット酸二無水物と芳香族ジアミンとの重縮合により得られるポリイミドフィルム(例えば、デュポン株式会社製のカプトン、鐘淵化学株式会社のアピカル)、あるいはこれに類する構造の熱可塑性ポリイミド等が好適である。
【0051】
その後、通し孔5の内壁に電解めっき被膜が形成できるように、導電化処理を行う。導電化処理としては、パラジウム系の薬液によるウエットプロセス、スパッタ、蒸着等のドライプロセスの何れも選択可能である。
【0052】
ここでは、パラジウム系の薬液によるウエットプロセスを選択し、導電化処理を行った。このウエットプロセスにおいても、液中スプレーするか、穏やかな攪拌を行っているだけなので、ビアホール底部の銅薄膜に対して殆どストレスを与えることなく導電化処理を行うことが可能となる。
【0053】
次に、図2(3)に示すように、セミアディティブ手法により配線パターンの形成、ならびにビアホール5の内部および銅薄膜2,3の上面に電解めっきを行うためのめっきレジスト層6を被覆する。次に、通常のフォトファブリケーション手法によりレジスト層をパターニングする。
【0054】
パターニングの際、ビアホールの底部の銅薄膜に対しては、0.1MPa程度までのスプレー現像であれば、ビアホールの底部の銅薄膜に対して殆どストレスを与えることはないが、超音波を用いるプロセスは導通孔の底部の銅薄膜が貫通することがあり、好ましくない。
【0055】
レジスト層の厚みとしては、後に形成するめっき被膜の狙い厚みより5μm程度厚くする必要があり、ここでは20μm厚みのドライフィルムレジストを用いた。さらに電解めっきを行い、配線パターンおよびビアホールに位置する箇所に、めっき層7aおよび7bを形成する。これにより、ビアホール8が形成される。次の工程でシード層に相当する銅薄膜2,3をエッチングにより除去する際に、配線パターンおよびビアホールの銅も膜減りすることを考慮し、10〜15μm厚のめっき被膜を形成した。
【0056】
次に、図2(4)に示すように、レジスト層6を剥離し、めっき層7a,7bをマスクとして、銅薄膜層2a,3aをエッチング除去することで、配線パターン2b,3bを形成する。ここまでの一連の工程は、所謂ロールトゥロールで流動可能である。
【0057】
必要に応じて、ポリイミドフィルムの片側に接着剤層を有する、所謂カバーレイを接着して表面保護絶縁膜を形成する。さらに、この表面保護絶縁膜に形成された開口部に無電解ニッケル・金めっき等の表面処理を行い、金型による打ち抜き等により外形加工を施して、両面に開口を有するビアホール接続による両面フレキシブルプリント配線板9を得る。
【応用例】
【0058】
図3は、本発明の応用例を示す断面図であり、両面フレキシブルプリント配線板に電子部品を実装した構造を示している。この場合、本発明によるブラインドビアホール型両面フレキシブルプリント配線板のビアホールの底面側に、クリーム半田を印刷して電子部品10を実装することで、従来の設備を用いて両面フレキシブルプリント配線板を製造することができる。
【0059】
そして、高価な微粒子タイプのクリーム半田を用いることなく、両面フレキシブルプリント配線板へ電子部品を両面実装することができる。さらに、図3に示すように、電子部品実装後のフレキシブルプリント配線板を折り畳むスタック構造を形成する際にも同様に適用できる。
【0060】
図4は、本発明の他の応用例を示す断面図である。この場合、ブラインドビアホール接続による両面フレキシブルプリント配線板をコア基板とした、ケーブル部を有する多層プリント配線板を構成する。この配線板は、両面に開口を有する両面フレキシブル配線板9に、例えば12μm厚のポリイミドフィルム11上に、厚さ20μmのアクリル・エポキシ等の接着材12を有する、所謂カバーレイ13を両面に張り合わせ、内層のコア基板とする。
【0061】
一方、外層ビルドアップ部14は、片面銅張積層板を出発材料とした、接着剤15を介して積層し、コア基板9のビアホールの底部に、外層ビルドアップ層からビアホール16を略同軸上に配置することで、厚み0.5mm以下の薄型の可撓性ケーブル部を有する多層プリント配線板17とする。
【0062】
これにより、内層のコア基板9のビアホール8をフィルめっきや導電性ペースト等で充填することなく、ビアオンビアのスタック構造が形成可能となる。内層のコア基板9のビアの開口側には、スタック構造が形成できないが、図のような厚み0.5mm以下の薄型の4層プリント配線板においては、基板の剛性が足りないため、CSP等の電子部品を基板の表裏に重なるような位置には実装できない。したがって、設計仕様上、両面からスタック構造を形成できる基板との差異がないプリント配線板が安価に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【0063】
【図1】本発明の第1の実施形態を示す断面工程図。
【図2】本発明の第2の実施形態を示す断面工程図。
【図3】本発明の応用例を示す断面図。
【図4】本発明の他の応用例を示す断面図。
【符号の説明】
【0064】
1 可撓性絶縁ベース材
2,3 金属薄膜層
2a,3a 開口部
2b,3b 配線パターン
4,6 レジスト層
5 通し孔
7,7a,7b めっき層
8 ビアホール
9 本発明の製造法による両面フレキシブルプリント配線板
10 電子部品
11 ポリイミドフィルム
12,15 接着材
13 カバーレイ
14 外層ビルドアップ部
16 ビアホール
17 本発明の製造法による多層プリント配線板

【特許請求の範囲】
【請求項1】
ブラインドビアホールを有する両面フレキシブルプリント配線板の製造方法において、
絶縁樹脂ベース材の両面に金属薄膜層を有する可撓性の両面金属積層板を用意し、
前記両面金属積層板の両面にエッチングレジスト層を形成し、
前記エッチングレジスト層のビアホール位置に開口部を設け、
前記開口部の露出した金属薄膜層をエッチング除去し、
露出した絶縁樹脂ベース材をエッチング除去して反対面の金属薄膜層に達する通し孔を穿設し、
前記エッチングレジスト層を剥離し、
前記通し孔の内壁面に導電化処理を施し、
前記両面金属積層板の両面にめっきレジスト層を被覆し、
前記めっきレジスト層をパターニングし、
前記めっきレジスト層を用いた電解めっきによりビア導体および配線導体を析出し、
前記めっきレジスト層を剥離し、
前記配線間に露出した金属薄膜層を除去する
ことを特徴とする両面金属フレキシブルプリント配線板の製造方法。
【請求項2】
ブラインドビアホールを有する両面フレキシブルプリント配線板の製造方法において、
絶縁樹脂ベース材の両面に金属薄膜層を有する可撓性の両面金属積層板を用意し、
前記両面金属積層板の両面にエッチングレジスト層を形成し、
レーザ加工によりビアホール位置の前記レジスト層および金属薄膜層を除去し、続いて反対面の金属薄膜層にレーザ加工から保護できる厚さを残して絶縁樹脂ベース材を除去し、
残存した絶縁樹脂ベース材をエッチング除去して、反対面の金属薄膜層に達する通し孔を穿設し、
前記エッチングレジスト層を剥離し、
前記通し孔の内壁面に導電化処理を施し、
前記両面金属積層板の両面にめっきレジスト層を被覆し、
前記めっきレジスト層をパターニングし、
前記めっきレジスト層を用いた電解めっきによりビア導体および配線導体を析出し、
前記めっきレジスト層を剥離し、
前記配線間に露出した金属薄膜層を除去する
ことを特徴とする両面金属フレキシブルプリント配線板の製造方法。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【公開番号】特開2008−60504(P2008−60504A)
【公開日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−238735(P2006−238735)
【出願日】平成18年9月4日(2006.9.4)
【出願人】(000230249)日本メクトロン株式会社 (216)
【Fターム(参考)】