説明

二軸延伸ポリブチレンテレフタレート系フィルムを含むバルーン用包材

【課題】防湿性、および耐ピンホール性に優れたバルーン用包材を提供する。
【解決手段】外側から基材層−バリア層−シーラント層、または基材層−バリア層−印刷層−シーラント層のいずれかからなるバルーン用包材において、基材層としてポリブチレンテレフタレート樹脂、またはポリブチレンテレフタレート樹脂に対してポリエチレンテレフタレート樹脂を30重量%以下の範囲で配合したポリエステル系樹脂組成物のいずれかからなる二軸延伸ポリブチレンテレフタレート系フィルムを用いる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、防湿性、および耐ピンホール性に優れた二軸延伸ポリブチレンテレフタレー
ト系(以下、OPBT系)フィルムを含むバルーン用包材に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来、玩具用、ディスプレイ、デコレーションなどに用いられるバルーンの多くは、主と
して天然もしくは合成ゴム、または数種のプラスチックフィルムがラミネートされた複合
包材からなる球状の袋に、水素、ヘリウム、空気などのガスを充填して製造される。
【0003】
しかし、天然または合成ゴムからなるバルーンは形態保持能力に劣り、1〜2日程度で浮
遊しなくなる欠点があった。一方、プラスチックフィルムからなるバルーンには、特許文
献1、および特許文献2に提案されているような、蒸着された二軸延伸ナイロン(以下、
ONy)フィルムを用いたタイプ、あるいは特許文献3、および特許文献4のような、エ
チレン−酢酸ビニル共重合体ケン化物(EVOH)やメタキシレンジアミン−6ナイロン
(MXD−6)等のガスバリア樹脂とナイロン樹脂の共押出フィルムやONyフィルムに
バリアコートしたタイプが広く用いられている。しかし、ONyフィルムを基材層として
用いた場合、吸湿による物性変動を起こしやすく、例えば印刷工程でのピッチズレやカー
ルの発生、ヒートシール層とのラミネート工程でのシワの発生による歩留まりの低下等、
さまざまなトラブルを引き起こす。さらには、耐ピンホール性に関しても、ガス漏れ防止
の観点から極めて高いレベルの性能が要求されるため、耐ピンホール性が良好とされるO
Nyフィルムであっても、実用上十分とは言えなかった。
【0004】
一方、ポリエステルフィルム、中でも代表的なポリエチレンテレフタレート(以下、OP
ET)フィルムは、防湿性が良好で、かつコシがあるため印刷やラミネート等の二次加工
適性に優れ、幅広い用途で蒸着用基材として用いられている。しかし、ONyフィルムと
比べて耐ピンホール性が著しく劣るため、バルーン用基材としての利用は極めて限られた
範囲であった。また、特許文献5には他ポリエステル成分を配合し、耐ピンホール性を改
良したOPETフィルムを基材層として用いたバルーン用包材が提案されている。しかし
、OPETフィルムと比較して、一定レベルの耐ピンホール性の向上は見られるものの、
実用上十分なレベルとは言えず、改善の余地があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開平10−95065号公報
【特許文献2】特開平11−320787号公報
【特許文献3】特開2001−301693号公報
【特許文献4】特開2000−61158号公報
【特許文献5】特開2006−305866号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
以上の背景から、防湿性に優れ、かつハイレベルの耐ピンホール性を併せ持つバルーン用
包材が求められていた。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明らは、外側から基材層−バリア層−シーラント層、または基材層−バリア層−印刷
層−シーラント層のいずれかからなるバルーン用包材において、基材層としてポリブチレ
ンテレフタレート樹脂、またはポリブチレンテレフタレート樹脂に対してポリエチレンテ
レフタレート樹脂を30重量%以下の範囲で配合したポリエステル系樹脂組成物のいずれ
かからなる二軸延伸ポリブチレンテレフタレート系フィルムを用いることにより、防湿性
に優れ、かつハイレベルの耐ピンホール性を併せ持つバルーン用包材を得ることが出来る
ことを見い出し、本発明を完成するに至った。
【0008】
すなわち、本発明は以下の物及び手段を提供する。
[1]少なくともポリブチレンテレフタレート樹脂、またはポリブチレンテレフタレート
樹脂に対してポリエチレンテレフタレート樹脂を30重量%以下の範囲で配合したポリエ
ステル系樹脂組成物のいずれかからなる二軸延伸ポリブチレンテレフタレート系フィルム
を含む包材であって、20℃×50%RH条件下で1000回屈曲した際のピンホールの
数が10個以下であることを特徴とするバルーン用包材。
[2]前記バルーン用包材が、外側から基材層−バリア層−シーラント層、または基材層
−バリア層−印刷層−シーラント層のいずれかからなり、該基材層として二軸延伸ポリブ
チレンテレフタレート系フィルムを用いることを特徴とする上記[1]に記載のバルーン
用包材。
[3]前記二軸延伸ポリブチレンテレフタレート系フィルムの4方向(0°(MD)、4
5°、90°(TD)、135°)すべての引張破断強度が170MPa以上、引張破断
伸度が50%以上150%以下であることを特徴とする上記[1]または[2]に記載の
バルーン用包材。
[4]前記二軸延伸ポリブチレンテレフタレート系フィルムが、4方向(0°(MD)、
45°、90°(TD)、135°)の引張破断強度のうち、最大値と最小値の比が1.
5以下であることを特徴とする上記[1]〜[3]に記載のバルーン用包材。
[5]前記二軸延伸ポリブチレンテレフタレート系フィルムが、溶融押出した直後に20
0℃/秒以上の冷却速度で急冷製膜して得られた未延伸原反を、縦横それぞれ2.7〜4
.5倍同時二軸延伸することにより得られることを特徴とする上記[1]〜[4]に記載
のバルーン用包材。
[6]前記二軸延伸ポリブチレンテレフタレート系フィルムのフィルム厚みが5〜15μ
mであることを特徴とする上記[1]〜[5]に記載のバルーン用包材。
[7]前記基材層の少なくともいずれか一方の面に、アルミニウム、酸化アルミニウム、
酸化珪素、酸化セリウム、酸化カルシウム、あるいはそれらの混合物のいずれかからなる
蒸着膜および/またはバリア樹脂からなるコーティング層が設けられていることを特徴と
する上記[1]〜[6]に記載のバルーン用包材。
【発明の効果】
【0009】
本発明らは、外側から基材層−バリア層−シーラント層、または基材層−バリア層−印刷
層−シーラント層のいずれかからなるバルーン用包材において、基材層としてポリブチレ
ンテレフタレート樹脂、またはポリブチレンテレフタレート樹脂に対してポリエチレンテ
レフタレート樹脂を30重量%以下の範囲で配合したポリエステル系樹脂組成物のいずれ
かからなる二軸延伸ポリブチレンテレフタレート系フィルムを用いることにより、防湿性
に優れ、かつハイレベルの耐ピンホール性を併せ持つバルーン用包材を得ることが可能と
なった。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】チューブラー同時二軸延伸装置の概略図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【0011】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
(OPBT系フィルムの原料) OPBT系フィルムに用いられる主原料は、ブチレンテ
レフタレートを主たる繰返し単位とするポリエステルであれば特に限定されるものでは無
いが、具体的にはグリコール成分としての1,4−ブタンジオール、二塩基酸成分として
のテレフタル酸を主成分としたホモタイプが好ましい。また、最適な機械的強度特性を付
与するためには、ポリブチレンテレフタレート系樹脂のうち、融点200〜250℃、I
V値1.10〜1.35dl/gの範囲のものが好ましく、さらには融点215〜225
℃、IV値1.15〜1.30dl/gの範囲のものが特に好ましい。
【0012】
また、本発明のポリブチレンテレフタレート樹脂には、ポリエチレンテレフタレート樹脂
をポリブチレンテレフタレートに対して30重量%以下の範囲で適宜配合することが可能
であり、ポリエチレンテレフタレート樹脂を配合することによりポリブチレンテレフタレ
ート樹脂の結晶化を適度に抑制することが可能となり、延伸加工性が格段に向上する。配
合するポリエチレンテレフタレート樹脂は、エチレンテレフタレートを主たる繰返し単位
とするポリエステルであれば特に限定されるものでは無いが、具体的にはグリコール成分
としてのエチレングリコール、二塩基酸成分としてのテレフタル酸を主成分としたホモタ
イプが特に好ましい。最適な機械的強度特性を付与するためには、ポリエチレンテレフタ
レート系樹脂のうち、融点240〜265℃、IV値0.55〜0.90dl/gの範囲
のものが好ましく、さらには融点245〜260℃、IV値0.60〜0.80dl/g
の範囲のものが特に好ましい。ポリエチレンテレフタレート樹脂を30重量%より多く配
合すると、延伸フィルム、または未延伸原反の剛性が高くなり過ぎて、結果として耐圧強
度や衝撃強度、突刺し強度の低下や原反割れに伴う延伸不調が発生するため好ましくない
。なお、必要に応じて滑剤、アンチブロッキング剤、無機増量剤、酸化防止剤、紫外線吸
収剤、帯電防止剤、難燃剤、可塑剤、着色剤、結晶化抑制剤、結晶化促進剤等の添加剤を
加えても差し支えない。また、用いるポリエステル系樹脂ペレットは加熱溶融時の加水分
解による粘度低下を避けるため、加熱溶融前に水分率が0.05wt%以下、好ましくは
0.01wt%以下になるように十分予備乾燥を行った上で使用するのが好ましい。
【0013】
(ポリブチレンテレフタレート系未延伸原反の製造方法)OPBT系フィルムを安定的に
製造するには、延伸前未延伸原反の結晶化を極力抑制する必要があり、押出されたポリブ
チレンテレフタレート系溶融体を冷却して製膜する際、該ポリマーの結晶化温度領域をあ
る速度以上で冷却する、すなわち原反冷却速度が重要な因子となる。その原反冷却速度は
200℃/秒以上、好ましくは250℃/秒以上、特に好ましくは350℃/秒以上であ
り、高い冷却速度で製膜された未延伸原反は極めて低い結晶状態を保っているため、延伸
時のバブルの安定性が飛躍的に向上する。さらには高速での製膜も可能になることから、
生産性も向上する。冷却速度が200℃/秒未満では、得られた未延伸原反の結晶性が高
くなり延伸性が低下するばかりでなく、極端な場合には延伸バブルが破裂し、延伸が継続
しない場合がある。
【0014】
原反製膜方式は、前記原反冷却速度を満たす方法であれば特に限定されるものでは無いが
、急冷製膜の点では内外直接水冷式がもっとも適している。その内外直接水冷式による原
反製膜法の概要を以下に説明する。まず、ポリブチレンテレフタレート系樹脂は210〜
280℃の温度に設定された押出機によって溶融混練され、Tダイ製膜の場合は、シート
状の溶融樹脂を水槽に浸漬することにより内外とも直接水冷する。一方、環状製膜の場合
は、押出機に下向きに取り付けられた環状ダイより下方に押し出され、溶融管状薄膜が成
形される。
【0015】
次に環状ダイに連結されている冷却マンドレルに導かれ、冷却マンドレル各ノズルから導
入された冷却水が溶融管状薄膜の内側に直接接触して冷却される。同時に、冷却マンドレ
ルと組み合わせて使用される外部冷却槽からも冷却水が流され、溶融管状薄膜の外側にも
冷却水が直接接触して冷却される。内部水、および外部水の温度は30℃以下が好ましく
、急冷製膜の観点では20℃以下が特に好ましい。30℃より高くなると、原反の白化や
冷却水の沸騰による原反外観不良等を招き、延伸も徐々に困難になる。
【0016】
(OPBT系フィルムの製造方法)ポリブチレンテレフタレート系未延伸原反は、25℃
以下、好ましくは20℃以下の雰囲気温度に保ちつつ延伸ゾーンまで搬送する必要があり
、当該温度管理下では滞留時間に関係無く、製膜直後の未延伸原反の結晶性を維持するこ
とが出来る。この延伸開始点までの結晶化制御は、前記未延伸原反の製膜技術とともに、
ポリブチレンテレフタレート系樹脂の二軸延伸を安定して行う上で重要なポイントと言え
る。
【0017】
同時二軸延伸法は、例えばチューブラー方式やテンター方式が挙げられるが、縦横の強度
バランスの点で、チューブラー法が特に好ましい。図1はチューブラー法同時二軸延伸装
置の概略図である。延伸ゾーンに導かれた未延伸原反1は、一対の低速ニップロール2間
に挿通された後、中に空気を圧入しながら延伸用ヒーター3で加熱するとともに、延伸終
了点に冷却ショルダーエアーリング4よりエアーを吹き付けることにより、チューブラー
法によるMD、およびTD同時二軸延伸フィルム7を得た。延伸倍率は、延伸安定性や得
られたOPBT系フィルムの強度物性、透明性、および厚み均一性を考慮すると、MD、
およびTDそれぞれ2.7〜4.5倍の範囲であることが好ましい。延伸倍率が2.7倍
未満である場合、得られたOPBT系フィルムの引張強度や衝撃強度が不十分となり好ま
しくない。また4.5倍超の場合、延伸により過度な分子鎖のひずみが発生するため、延
伸加工時に破断やパンクが頻繁に発生し、安定的に生産出来ない。延伸温度は、40〜8
0℃の範囲が好ましく、特に好ましくは45〜65℃である。前記の高い冷却速度で製造
した未延伸原反は、結晶性が低いため、比較的低温域の延伸温度で安定して延伸可能であ
る。80℃を超える高温延伸では、延伸バブルの揺れが激しくなり、大きな延伸ムラが発
生して厚み精度の良好なフィルムは得られない。一方、40℃未満の延伸温度では、低温
延伸による過度な延伸配向結晶化が発生し、フィルムの白化等を招き、場合によって延伸
バブルが破裂し延伸継続困難となる。このように二軸延伸加工を施すことにより、特に強
度物性が飛躍的に向上し、かつ異方性が少ないOPBT系フィルムを得ることが出来る。
【0018】
得られたOPBT系フィルムを熱ロール方式またはテンター方式、あるいはそれらを組み
合わせた熱処理設備に任意の時間投入し、180〜240℃、特に好ましくは190〜2
10℃で熱処理を行うことにより、熱寸法安定性に優れたOPBT系フィルムを得ること
ができる。熱処理温度が220℃よりも高い場合は、ボーイング現象が大きくなり過ぎて
幅方向での異方性が増加する、または結晶化度が高くなり過ぎるため強度物性が低下して
しまう。一方、熱処理温度が185℃よりも低い場合は、フィルムの熱寸法安定性が大き
く低下するため、ラミネートや印刷加工時にフィルムが縮み易くなり、実用上問題が生じ
る。
【0019】
OPBT系フィルムの厚みは、バルーン用包材の主要基材として用いる場合は5〜20μ
m、好ましくは5〜15μmである。5μmより小さいと強度やガスバリア性が不十分と
なり、加工性が低下する恐れがある。一方、20μmを超えるとバルーン本体が重くなり
、バルーン形状によっては浮遊しなくなる可能性があるため好ましくない。
【0020】
OPBT系フィルムの4方向(0°(MD)、45°、90°(TD)、135°)にお
ける引張破断強度は、いずれも170MPa以上であることが好ましく、これにより耐衝
撃性や耐屈曲性、耐突刺し性、および二次加工適性等が格段に向上する。引張破断強度が
170MPaより小さい場合、破袋等の原因になるため好ましくない。さらに、異方性を
小さくするためには、4方向(0°(MD)、45°、90°(TD)、135°)の引
張破断強度のうち、最大値と最小値の比が1.5以下に調整することが好ましく、特に好
ましくは1.3以下である。一方、引張破断伸度は50%以上150%以下であり、好ま
しくは100%以上150%以下である。150%より大きい、あるいは50%より小さ
い場合、印刷や他基材と貼り合わせる際の張力により、フィルムの破断や伸び等が発生し
やすくなるため好ましくない。このような特性をもつフィルムは、上述した製造方法によ
り安定して得られる。
【0021】
(バルーン用包材の構成)OPBT系フィルムを含むバルーン用包材は、OPBT系フィ
ルムのいずれか一方、あるいは両方の面に、1層あるいは2層以上他基材を積層して構成
される。具体的には、外側から基材層−バリア層−シーラント層の3層構成、あるいは基
材層−バリア層−印刷層−シーラント層の4層構成等が挙げられ、基材層は、OPBT系
フィルム単独、もしくはOPBT系フィルムとONyフィルム、OPETフィルム等の他
基材と併用して構成することも出来る。但し、上述した通り、層数が増し、バルーンの重
みが増せば、浮遊性が維持できなくなる恐れが高まるため、バルーン形状や充填ガス圧の
考慮が必要となる。バリア層は、長期間浮遊性、および防湿性を付与する必要があるため
、基材層のOPBT系フィルムの少なくとも片面にアルミニウム、酸化アルミニウム、酸
化珪素、酸化セリウム、酸化カルシウム、ダイアモンド状炭素膜、あるいはそれらの混合
物のいずれかからなる蒸着層を設ける方法で形成される。蒸着簿膜の作製方法としては、
真空蒸着法、EB蒸着法、スパッタリング法イオンプレーティング法などの物理的蒸着法
、プラズマCVDなど各種化学蒸着法などを用いることができる。生産性やコストの点か
らは真空蒸着法が特に好ましく用いられる。ガスバリア層として、厚さ5〜15μm程度
のアルミニウム箔を積層することでも高いガスバリア性は得られるが、廃棄時の環境負荷
低減の観点から、蒸着層を設ける方法が好ましく用いられる。また、基材層のOPBT系
フィルムの少なくとも片面にポリ塩化ビニリデン(以下、Kコート)等のバリア樹脂から
なるコーティング層を設けてバリア性を付与する方法も好ましい。シーラント層は、未延
伸ポリエチレン系フィルム、未延伸ポリプロピレン系フィルム、未延伸ポリ塩化ビニルフ
ィルム、エチレン−酢酸ビニルフィルム、アイオノマーフィルム、その他エチレンコポリ
マー系フィルムをドライラミネートする、あるいはポリオレフィン樹脂を押し出しラミネ
ートする、融点の低いホットメルト接着剤等をコーティングする等の方法を用いて設けら
れる。印刷層は、必要に応じてグラビア印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷といった既
知の印刷方法により、基材層表面、あるいはその他基材表面に設けることも出来る。
【0022】
本願の耐ピンホール性は、ゲルボフレックステスターを用いて測定することができる。
本発明は、前述の構成により得られたバルーン用包材を所定の大きさ(200mm×30
0mm)に切断して測定する。切断したフィルムを円筒形にし、ゲルボテスターに固定す
る。20℃×50%RH条件下で、60回/分のサイクルで1000回屈曲した後のピン
ホールの数を測定する。本発明は、ピンホールの数が10個以下であることが好ましい。
ピンホールの数が10個より大きくなると、使用前の輸送時や加工時等にクラックやピン
ホールが発生する確率が高くなり、十分な浮遊持続性、形状保持性を確保出来ず、実用上
問題がある。本発明の基材層としてOPBT系フィルムを用いることにより、OPETフ
ィルム、または耐ピンホール性が良好とされるONyフィルムを用いた場合よりバルーン
用包材の耐ピンホール性を格段に向上させることが可能となる。
【実施例】
【0023】
以下に実施例および比較例を用いて、本発明を具体的に説明する。
<実施例1>
(OPBT系フィルムの製造)
140℃で5時間熱風乾燥機にて乾燥したポリブチレンテレフタレート樹脂ペレット(ホ
モタイプ、融点=224℃、IV値=1.26dl/g)を押出機中、シリンダーおよび
ダイ温度210〜275℃の各条件で溶融混練して溶融管状薄膜を環状ダイより下方に押
し出した。引き続き、冷却マンドレルの外径を通しカラプサロールで折り畳んだ後、引取
ニップロールにより1.2m/minの速度で製膜引取りを行った。溶融管状薄膜に直接
接触する冷却水の温度は内側、外側ともに20℃であり、原反冷却速度は416℃/秒で
あった。未延伸原反の折径は143mmであり、ポリブチレンテレフタレート樹脂中には
あらかじめ滑剤としてステアリン酸マグネシウムを1000ppm添加した。以上の条件
で製膜した未延伸原反1を20℃の雰囲気中で低速ニップロール2まで搬送し、図1に示
す構造のチューブラー同時二軸延伸装置にて縦横同時二軸延伸を行った。延伸倍率はMD
が3.0倍、TDが2.8倍であり、延伸温度は60℃であった。次に、この二軸延伸フ
ィルム7を熱ロール式、およびテンター式熱処理設備にそれぞれ投入し、210℃で熱処
理を施すことにより二軸延伸ポリブチレンテレフタレートフィルムを得た。なお、二軸延
伸ポリブチレンテレフタレートフィルムの厚みは12μmであった。
【0024】
(原反冷却速度の測定方法)前記原反冷却速度は下記に示した式により算出した。溶融薄
膜、および原反温度は接触式の放射温度計にて測定した。また、冷却開始点は溶融薄膜が
冷却水、または冷却装置に接触する部分、冷却終了点は未延伸原反の温度が30℃に到達
する部分をいう。
原反冷却速度(℃/秒)=(冷却開始点直前の溶融薄膜温度−冷却終了点の原反温度)(
℃)/(冷却開始点〜冷却終了点間距離)(m)×冷却開始点〜冷却終了点間の原反の通
過速度(m/秒)
【0025】
(OPBT系フィルムの引張破断強伸度の評価方法) 得られたフィルムの引張破断強伸
度は、オリエンテック製―テンシロン(RTC−1210−A)を使用し、試料幅15m
m、チャック間100mm、引張速度200mm/minの条件で、0℃(MD)方向/
45°方向/90°(TD)方向/135°方向の4方向についてそれぞれ測定を行った
。得られた応力−ひずみ曲線に基づいて求めた、各方向での引張破断強度、破断伸度、お
よび4方向の引張破断強度のうち最大値と最小値の比を表1に示した。
【0026】
(バルーン用包材の作成方法)得られたOPBT系フィルムの両面にコロナ処理を施し、
真空蒸着装置内にセット、1.00×10−2Paの高真空にした後に、20℃の冷却金
属ドラムを介して走行させた。このとき、アルミニウム金属を加熱蒸発させ蒸着薄膜層を
形成して巻取った。蒸着後、40℃で2日間エージングして、蒸着OPBT系フィルムを
得た。得られた蒸着OPBT系フィルム上に日本ポリエチレン(株)製直鎖状低密度ポリ
エチレン"ノバテック"UE320を15μmの厚みに押出ラミネートすることにより、バ
ルーン用包材を得た。
【0027】
(耐ピンホール性評価方法)得られたバルーン用包材をA−4サイズにサンプリングし、
ゲルボテスターを用いて、20℃×50%RH条件下で1000回屈曲した際のピンホー
ルの数を一試料につき4回測定し、その平均値を用いた。
【0028】
(防湿性評価方法)得られたバルーン用包材の防湿性の評価方法は、JISZ0208に
準じて40℃×90%RH環境下での水蒸気透過性(透湿度)を測定し、50g/m
24Hr未満の場合は◎、50以上〜100g/m・24Hr以下の場合は○、100
g/m・24Hrより大きい場合は×という基準で評価した。
【0029】
(浮遊持続性評価方法)得られたバルーン用包材の浮遊持続性の評価方法は、上記構成の
バルーン用包材を平面形状が直径500mmの円形となるように200℃×1秒間ヒート
シールし、周囲をトリミングしてバルーンの原型となる製袋品を作成した。ヒートシール
巾は2.5mmとした。該バルーン製袋品にガス注入口からヘリウムガスを注入して膨ら
ませた後、ガス注入口をヒートシールして封止した。作製したバルーンの浮遊持続性が1
日以内の場合は×、1〜7日未満の場合は○、7日以上の場合は◎という基準で評価した

【0030】
<実施例2〜8、比較例1〜5> 実施例1において、ポリブチレンテレフタレート樹脂
に対するポリエチレンテレフタレート樹脂添加量、および/または延伸倍率を表1に記載
した条件に変えた以外は実施例1と同様に行った。
【0031】
<実施例9>実施例1において、OPBT系フィルムにKコートした以外は実施例1と同
様に行った。
【0032】
<比較例6〜8> 実施例1において、基材層を表1に記載した基材に変えた以外は実施
例1と同様に行った。なお、ONyフィルムはBN−RX((株)興人製、厚み15μm)
、OPETフィルムはE5100(フ東洋紡績(株)製、厚み12μm)、共重合OPE
TフィルムはルミラーF865(東レ(株)製、厚み15μ)をそれぞれ用いた。
【0033】
<比較例9> 実施例1において、ポリブチレンテレフタレート樹脂に対して、ハイトレ
ル4767N(東レ・デュポン(株)製)を5重量%添加した以外は実施例1と同様に行
った。
【0034】
<実施例10〜11、比較例10>実施例1において、OPBT系フィルムのフィルム厚
みを変えた以外は実施例1と同様に行った。
【0035】
<実施例12〜13>実施例1において、バリア層の種類を変えた以外は実施例1と同様
に行った。
【0036】
表1に示すように、外側から基材層−バリア層−シーラント層、または基材層−バリア層
−印刷層−シーラント層のいずれかからなるバルーン用包材において、基材層としてポリ
ブチレンテレフタレート樹脂、またはポリブチレンテレフタレート樹脂に対してポリエチ
レンテレフタレート樹脂を30重量%以下の範囲で配合したポリエステル系樹脂組成物の
いずれかからなる二軸延伸ポリブチレンテレフタレート系フィルムを用いることにより、
防湿性に優れ、かつハイレベルの耐ピンホール性を併せ持つバルーン用包材が得られるこ
とが分かった。
【0037】
【表1】

【産業上の利用可能性】
【0038】
本発明のOPBT系フィルムを含むバルーン用包材は、防湿性に優れ、かつハイレベルの
耐ピンホール性を併せ持つため、玩具やディスプレイ、デコレーションなどのバルーン用
途に好適に使用され産業的価値は非常に大きい。
【0039】
1 未延伸原反 2 低速ニップロール
3 延伸用ヒーター
4 冷却ショルダーエアーリング
5 カラプサロール
6 高速ニップロール
7 二軸延伸フィルム

【特許請求の範囲】
【請求項1】
少なくともポリブチレンテレフタレート樹脂、またはポリブチレンテレフタレート樹脂に
対してポリエチレンテレフタレート樹脂を30重量%以下の範囲で配合したポリエステル
系樹脂組成物のいずれかからなる二軸延伸ポリブチレンテレフタレート系フィルムを含む
包材であって、20℃×50%RH条件下で1000回屈曲した際のピンホールの数が1
0個以下であることを特徴とするバルーン用包材。
【請求項2】
前記バルーン用包材が、外側から基材層−バリア層−シーラント層、または基材層−バリ
ア層−印刷層−シーラント層のいずれかからなり、該基材層として二軸延伸ポリブチレン
テレフタレート系フィルムを用いることを特徴とする請求項1に記載のバルーン用包材。
【請求項3】
前記二軸延伸ポリブチレンテレフタレート系フィルムの4方向(0°(MD)、45°、
90°(TD)、135°)すべての引張破断強度が170MPa以上、引張破断伸度が
50%以上150%以下であることを特徴とする請求項1または2に記載のバルーン用包
材。
【請求項4】
前記二軸延伸ポリブチレンテレフタレート系フィルムが、4方向(0°(MD)、45°
、90°(TD)、135°)の引張破断強度のうち、最大値と最小値の比が1.5以下
であることを特徴とする請求項1〜3に記載のバルーン用包材。
【請求項5】
前記二軸延伸ポリブチレンテレフタレート系フィルムが、溶融押出した直後に200℃/
秒以上の冷却速度で急冷製膜して得られた未延伸原反を、縦横それぞれ2.7〜4.5倍
同時二軸延伸することにより得られることを特徴とする請求項1〜4に記載のバルーン用
包材。
【請求項6】
前記二軸延伸ポリブチレンテレフタレート系フィルムの厚みが5〜15μmであることを
特徴とする請求項1〜5に記載のバルーン用包材。
【請求項7】
前記基材層の少なくともいずれか一方の面に、アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化珪
素、酸化セリウム、酸化カルシウム、あるいはそれらの混合物のいずれかからなる蒸着膜
および/またはバリア樹脂からなるコーティング層が設けられていることを特徴とする請
求項1〜6に記載のバルーン用包材。

【図1】
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【公開番号】特開2013−43296(P2013−43296A)
【公開日】平成25年3月4日(2013.3.4)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−180569(P2011−180569)
【出願日】平成23年8月22日(2011.8.22)
【出願人】(000142252)興人ホールディングス株式会社 (182)
【Fターム(参考)】