側壁イメージ転写からパターンを作る改善された方法
【課題】実施の容易な、側壁イメージ転写により部分的に定義されるパターンを生成する方法を提供する。
【解決手段】基板１には、第１の材料２の層と、第１のエッチングマスク４と、カバリング層３と、第２のエッチングマスクとが設けられている。カバリング層３は、覆われた主領域と、覆われていない副領域とを有する。カバリング層３の副領域は、第２のエッチングマスクを介して部分的にエッチングされ、突出パターンが形成される。第３のエッチングマスクを定義する突出パターンの周囲に、横スペーサが形成される。第２のエッチングマスクは除去される。カバリング層３は、第３のエッチングマスクを用いてエッチングされ、カバリング層３における突出パターンが形成され、第１のエッチングマスク４および第１の材料２が露出される。第１の材料２の層は、エッチングされ、第１の材料２から作られるパターンが形成される。
【解決手段】基板１には、第１の材料２の層と、第１のエッチングマスク４と、カバリング層３と、第２のエッチングマスクとが設けられている。カバリング層３は、覆われた主領域と、覆われていない副領域とを有する。カバリング層３の副領域は、第２のエッチングマスクを介して部分的にエッチングされ、突出パターンが形成される。第３のエッチングマスクを定義する突出パターンの周囲に、横スペーサが形成される。第２のエッチングマスクは除去される。カバリング層３は、第３のエッチングマスクを用いてエッチングされ、カバリング層３における突出パターンが形成され、第１のエッチングマスク４および第１の材料２が露出される。第１の材料２の層は、エッチングされ、第１の材料２から作られるパターンが形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１の材料から作られるパターンを生成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の、例えば消費および／または動作周波数に関する、性能の継続的な改善は、その構成要素のサイズの一定の減少および増加する密度を、不可避的にもたらす。性能が常に改善される装置を製造するために、小さな寸法のパターンを設計する新たな技術が、生み出されてきた。
【０００３】
トランジスタのサイズの縮小は、特に、小寸法のパターンの、高い密度の定義において困難をもたらすが、異なるフォトリソグラフィレベルの互いに対する位置合わせに関する制約も、増加させる。増加する密度のパターンを形成するために、フォトリソグラフィおよびエッチング機器は、継続的に改善される必要がある。フォトリソグラフィ機器の技術的制約における、この高まる増加は、もはや現在の機器に適合しない。
【０００４】
代わりの開発の道は、マスキング材料を堆積することによる、必要とされるパターンの幅および／または長さの定義に存する。このやり方では、パターンの横寸法の少なくとも１つが、フォトリソグラフィでは定義されず、マスキング材料の事前定義された厚さの堆積によって定義される。
【０００５】
図１に示すように、基板１は、第１の材料２で作られた層により覆われており、第１の材料自体は、カバリング層３によって覆われる。カバリング層３の上に、任意の適切な技術により、エッチングマスク４が形成される。
【０００６】
図２に示すように、カバリング層３は、例えばプラズマにより、エッチングマスク４を通してエッチングされ、後者を、エッチングマスク４のパターンにおいて再現する。
【０００７】
エッチング化学材料は、第１の材料２を破損したり、エッチングマスク４のパターンを修正したりせずに、カバリング層３の一部を除去するために、エッチングマスクに関して、および第１の材料２に関して選択的に選ばれる。
【０００８】
第１の材料２に関する選択性を失うことは、特に、物理化学特性の劣化および第１の材料の厚さの減少をもたらし、その後のステップの満足のいく達成にとって有害である。
【０００９】
エッチング化学材料は、カバリング層３において、エッチングマスク４のパターンを忠実に再現するために、可能な限り異方性に選択される。
【００１０】
このエッチングステップは、エッチングマスク４のパターンから定義される、カバリング材料３のパターンを形成する。
【００１１】
図３に示されるように、カバリング層３がひとたびパターニングされると、第１のエッチングマスク４は除去される。
【００１２】
図４に示すように、マスキング材料５が堆積され、次いで、エッチングされて、１つまたは複数の横スペーサを形成する。マスキング材料５は、共形の態様で堆積され、異方性エッチングされて、カバリング材料３のパターンの側壁に局所化される。
【００１３】
堆積される材料の厚さは、マスキング材料５のパターンの寸法の１つを定義する。この寸法は、プラズマエッチングステップで減少される。このようにして、フォトリソグラフィステップは、パターンの位置を定義し、横スペーサの形成ステップは、これらのパターンの横寸法の少なくとも１つを定義する。
【００１４】
ここで再び、マスキング材料５のエッチングは、異方性が高く、第１の材料２およびカバリング材料３に関して選択的な化学材料を使用する。
【００１５】
図５に示すように、横スペーサがひとたび形成されると、カバリング材料３は除去され、スペーサが、第２のエッチングマスク６を形成する。
【００１６】
図６に示すように、側壁イメージ転写技術によって得られた第２のエッチングマスク６は、第２のカバリング材料７によって覆われる。第３のエッチングマスク８が、第２のカバリング材料７の上に形成される。
【００１７】
図７に示すように、第２のカバリング材料７は、第２のエッチングマスク６および第１の材料２に到達するまで、第３のエッチングマスク８を用いてエッチングされる。
【００１８】
第１の材料２は、次いで、第２のエッチングマスク６（マスキング材料５で作られたスペーサ）と、第３のエッチングマスク８とを用いて、図８に示すようにエッチングされ、第１の材料のパターンを形成する。第１の材料２のパターンのデザインは、第２のエッチングマスク６および第３のエッチングマスク８のデザインの組み合わせに対応する。
【００１９】
この実施方法は、方法の異なるステップにわたって広がる、多数の技術的制約が関係するため、使用が非常に困難である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
実施の容易な、側壁イメージ転写により部分的に定義されるパターンを生成する方法を、提供する必要があることが認められている。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
この要件は、
−第１のエッチングマスクと、カバリング層と、第２のエッチングマスクと、により覆われた第１の材料の層が設けられた基板を供給するステップであって、カバリング層は、第２のエッチングマスクにより覆われた主領域と、覆われていない副領域と、を有する、ステップと、
−カバリング層の副領域を、第２のエッチングマスクを用いて部分的にエッチングし、カバリング層に突出パターンを形成するステップと、
−マスキング材料を堆積およびエッチングして、第３のエッチングマスクを定義する突出パターンの周囲に、横スペーサを形成するステップと、
−第２のエッチングマスクを除去するステップと、
−第３のエッチングマスクを用いて、カバリング層をエッチングし、カバリング層における突出パターンを形成し、かつ、第１のエッチングマスクおよび第１の材料を露出させるステップと、
−カバリング層と第１のエッチングマスクとを用いて、第１の材料の層をエッチングし、第１の材料のパターンを形成するステップと、
を含む方法により、容易に満たされる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
他の利点および特徴は、非限定の例の目的だけのために与えられ、添付の図面において表される、以下の本発明の特定の実施形態の説明から、より明らかとなるであろう。
【図１】図１は、第１の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図２】図２は、第１の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図３】図３は、第１の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図４】図４は、第１の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図５】図５は、第１の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図６】図６は、第１の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図７】図７は、第１の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図８】図８は、第１の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図９】図９は、第２の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図１０】図１０は、第２の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図１１】図１１は、第２の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図１２】図１２は、第２の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図１３】図１３は、第２の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図１４】図１４は、第２の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図１５】図１５は、第２の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図１６】図１６は、第２の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図１７】図１７は、図１２に関する代わりの実施形態を、断面図で概略的に表している。
【図１８】図１８は、他の代わりの実施形態の断面図を、概略的に表している。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
図９に示すように、基板１は、第１の材料２の層により覆われた支持体を備える。第１の材料２の層は、第１のエッチングマスク４と、カバリング層３とにより覆われる。
【００２４】
支持体は、例えば、１つまたは複数の保護層で覆われた活性要素を有する半導体材料から作られる基板である。支持体は、また、導電性または電気絶縁性材料により形成することもでき、その表面に、パターンが形成される。有利なやり方では、支持体の主表面は、電気絶縁性材料の１つまたは複数の層によって形成される。支持体の主表面は、第１の材料２の層によって覆われる。
【００２５】
第１の材料２は、電気絶縁性または導電性とすることができる。有利なやり方では、基板が、主表面に絶縁層を有する半導体タイプである場合、第１の材料は、導電性とし、例えば、厚さが有利に１０および５０ｎｍの間であり、ＴｉＮ、ＢＮ、ＴａＮ、ＡｌＮから作られる。
【００２６】
第１のエッチングマスク４は、第１の材料２の層の上に形成される。第１のエッチングマスク４は、第１の材料２の上に、主領域Ａと、副領域Ｂとを定義する。主領域Ａは、第１のエッチングマスク４によって直接覆われており、副領域Ｂは、カバリング層３によって直接覆われる。エッチングマスク４のデザインは、任意の形状とすることができ、必要とされるパターンに応じて定義される。第１のエッチングマスク４は、第１の材料２の層と、カバリング層３との間に配置され、第１の材料２と、主領域Ａ内のカバリング層３との間の直接接触を防止する。
【００２７】
第１のエッチングマスク４は、例えば、酸化ケイ素(silicon oxide)、窒化ケイ素(silicon nitride)、または、酸化ケイ素と窒化ケイ素の混合物または積層物である。第１のエッチングマスクは、第１の材料２とカバリング層３との間のその位置に、その成分の性質が適合する限り、他の材料で形成することもできる。
【００２８】
有利なやり方では、カバリング層３は、反射防止特性を備えており、その後の第２のエッチングマスク６の形成を容易にする。例として、カバリング材料３は、化学気相蒸着またはスピンコーティングにより堆積される、炭素質の材料である。例えば、用いられる材料は、式ＣｘＨｙによって表され、これは、ほぼ水素化された炭素材料を生じる。
【００２９】
図１０に示すように、第２のエッチングマスク６は、カバリング層３の上に形成される。第２のエッチングマスク６は、また、カバリング層３の上に主領域Ｃおよび副領域Ｄを定義する。主領域Ｃは、第２のエッチングマスク６により覆われており、副領域Ｄは、露出され、よって解放された状態である。第２のエッチングマスク６のデザインは、任意の形状にすることができ、第１のエッチングマスク４のデザインに関連して、必要とされるパターンに応じて定義される。第１および第２のエッチングマスク４および６は、カバリング層３によって、分離されている。
【００３０】
第２のエッチングマスク６は、例えば、異なる性質のフォトレジストまたは材料である。特定の実施形態において、第２のエッチングマスク６は、酸化ケイ素(silicon oxide)、窒化ケイ素(silicon nitride)、または、酸化ケイ素と窒化ケイ素の積層物または他の材料で作られる。第２のエッチングマスク６が樹脂でない場合、エッチングステップが後に続く、フォトリソグラフィステップを用いて、その形状を定義すると有利である。第２のエッチングマスク６は、また、ハードマスクとも呼ばれる。
【００３１】
図１１に示すように、任意の適切な技術により、第２のエッチングマスク６を用いてカバリング材料３がエッチングされる。カバリング層３のエッチングは、部分的である。解放された状態にあるカバリング材料３の部分は、部分的にエッチングされ、カバリング層３における突出パターンを形成する。この部分的エッチングは、異なる厚さの領域によって表される。第２のエッチングマスク６によって覆われた主領域Ｃにおいて、厚さは変えられず、厚い領域を表す。覆われていない副領域Ｄにおいて、カバリング層３は、部分的に除去されており、これは、層３の薄い領域に対応する。
【００３２】
第２のエッチングマスク６のデザインは、カバリング層３において、第２のエッチングマスク６を通して再現されており、デザインの外形は、垂直またはほぼ垂直の側壁によって形成されており、薄い領域を厚い領域に接続する。カバリング層３のエッチングは、カバリング材料の厚さの一部のみに行われ、側壁の高さは、カバリング層３の厚さよりも小さい。
【００３３】
カバリング層３は、よって、パターニングされ、異なる厚さを有する領域を形成し、これは、カバリング材料３の連続するフィルム上に、カバリング材料の層における突出パターンの存在をもたらす。
【００３４】
有利なやり方では、第１の材料２および第１のエッチングマスク４は、カバリング層３により完全に覆われる。
【００３５】
有利なやり方では、エッチング時間を加え、またはもとの位置での反射率測定によってエッチング厚さを制御して、プラズマによるエッチングが行われる。
【００３６】
図１２に示すように、次いで、マスキング材料５が、アセンブリ上に、共形または可能な限り共形に堆積され、カバリング層３および第２のエッチングマスク６を覆う。共形の堆積では、垂直壁に堆積される厚さは、水平壁に堆積される厚さと同じである。ひとたび、マスキング材料５が堆積されると、マスキング材料は、任意の適切な技術、好ましくは異方性のプラズマエッチングによってエッチングされ、横スペーサすなわち側壁スペーサ（“側壁”とも呼ばれる）を形成する。エッチングは、マスキング材料５を、カバリング層３に定義される垂直壁に局所化することを可能にする。このようにして、エッチングステップの後に、マスキング材料５が、カバリング材料３の側壁を覆う横スペーサを形成する。
【００３７】
図１３に示すように、第２のエッチングマスク６が除去され、表面に、カバリング材料３と、マスキング材料５から作られるスペーサとが残される。マスキング材料５から作られるスペーサは、第３のエッチングマスク８を形成する。第３のエッチングマスク８のデザインは、横スペーサの位置を加える第２のエッチングマスク６のデザインによって、部分的に定義される。第３のエッチングマスク８のデザインは、また、堆積されたマスキング材料５の厚さおよびエッチングされた厚さからも定義され、横スペーサを定義する。
【００３８】
図１４に示すように、カバリング層３は、第３のエッチングマスク８を用いてエッチングされ、カバリング層３における突出パターンを形成する。覆われていない領域、すなわち第３のエッチングマスク８に覆われていない領域において、エッチングは完全になされ、第１の材料２または第１のエッチングマスク４に到達する。カバリング材料３は、第２のエッチングマスク６によって最初に覆われた領域の下、および第２の領域Ｄ内の横スペーサで覆われていない位置で、除去される。
【００３９】
カバリング材料３のパターンは、薄い領域に形成され、それらの厚さは、カバリング材料３の部分的エッチングが行われた際に定義されていた。カバリング材料３のパターンは、第３のエッチングマスク８のデザインを再現する。
【００４０】
この実施形態は、第３のエッチングマスク８の定義においてより大きな柔軟性を提示するため、特に有利である。堆積は、完全な共形であることはなく、エッチングは、完全な共形であることはない。これは、従来技術においては、結果として、横スペーサの形状が、機器の技術的可能性により、または、他の技術的ステップにより課される最小厚さ制約により制限されることをもたらす。従来技術において、カバリング層の厚さは、横スペーサの高さを与える。
【００４１】
本ケースでは、薄い領域と厚い領域の間の厚さの差と、第２のエッチングマスク６の厚さとが、横スペーサの高さを加える。次いで、カバリング材料３における沈み込みの深さを調節し、共形または可能な限り共形の堆積を得ることを可能にする、マスキング材料５の堆積を得る。同様のやり方で、横スペーサの高さにおけるこの柔軟性は、より効率的なエッチング方法を得ることを可能にする。カバリング材料３の部分的エッチングを行うことは、必要とされる形状を有する横スペーサの作製において、追加的な自由の度合いを得ることを可能にする。カバリング材料３の厚さは、よって、リソグラフィが形成される際の反射率を最小化するように、独立して選択することができる。
【００４２】
カバリング層３の部分的エッチングを行うことは、解放された平面を形成するカバリング層３により覆われた第１の材料２および第１のエッチングマスク４を残す。これはまた、第３のエッチングマスク８において、寄生パターンの形成を防止する。第１のエッチングマスク４の上でカバリング層３を完全にエッチングし、第１のエッチングマスク４および隣接するカバリング層３の解放面が、覆われていない領域において平面を形成することを保証することにより、同じ結果が得られる。
【００４３】
第１のエッチングマスク４は、カバリング材料３によって覆われているため、第１のエッチングマスク４と、第１の材料２との間で、寄生ステップがない。寄生横スペーサは、よって、このステップのレベルでは形成されない。
【００４４】
カバリング材料３の部分的エッチングは、カバリング材料の堆積の前に存在する表面凹凸を、平滑化すること、例えば、基板１および／または第１の材料２の層での表面マスクワーク、ならびに第１の材料２および第１のエッチングマスク４の間の表面マスクワークを可能にする。
【００４５】
カバリング層３の厚さは、第２のエッチングマスク６の定義ステップでの下部の層およびパターンの効果を制限するように、選択される。これは、次いで、下部の層の効果をマスキングするのに十分な厚さのカバリング層３を使用することを可能にする。カバリング層３の厚さは、２つのステップでエッチングされるため、制約ではなくなる。第１の部分的エッチングは、第３のエッチングマスク８を、最良の条件下で定義することを可能にする。第２の完全なエッチングは、最終マスクを用いて、定義されるべき第１の材料２をエッチングすることを可能にする。
【００４６】
さらに、第１のエッチングマスク４が、従来のやり方、すなわち横スペーサの転写以外の技術で作製される場合、大きな幅を有するパターンを、得ることができる。次に、第２のエッチングマスク６を、第１のエッチングマスクに対して位置合わせすることが、容易である。従来技術では、第１のエッチングマスク４は側壁イメージ転写技術によって得られ、この技術は、その後のフォトリソグラフィレベルの位置合わせを困難にする、小さなサイズのパターンを課す。さらに、最も重要な寸法を定義する第２のエッチングマスクが、重要なトポグラフィ上に作られ、これは、平坦化材料の使用を必要とする。この大きなトポグラフィは、リソグラフィの反射率の不均衡を誘発し、この不均衡は、必要とされる解像度を得るためには有害である。このトポグラフィは、また、下にあるパターンの密度に応じた局部温度差も誘発し、局部温度差は、パターンの最終寸法を修正する。さらに、第２のカバリング材料７（図７）に転写されるパターンは、高いアスペクト比（幅と高さの比）を有し、高いアスペクト比は、これらのパターンに対する強度の問題をもたらす。
【００４７】
述べられた方法とは異なり、最も重要な寸法を定義する第１のエッチングマスク４は、トポグラフィなしに表面に作られ、側壁イメージ転写技術によって形成されるエッチングマスクよりも、小さな厚さを提供する。第２のエッチングマスク６に対する、第１のエッチングマスク４の効果は、よって減少される。
【００４８】
図１５に示すように、第１のエッチングマスク４およびカバリング層に形成されたパターンは、第１の材料２のエッチングに用いられる第４のエッチングマスクを形成する。第４のエッチングマスクのデザインは、第１のエッチングマスク４および第３のエッチングマスク８のソリッド領域の追加に対応する。カバリング材料のエッチングが、等方性成分を含む場合、あるいは、トリミングステップが、パターンのサイズを減少するか、または最小のパターンを消滅させる場合、差が存在することがある。
【００４９】
図１６に示すように、第４のエッチングマスクを通して、よって第１のエッチングマスク４およびカバリング材料３のパターンを通して、第１の材料２のパターンが形成される。
【００５０】
図１７に示される代わりの実施形態では、第２のエッチングマスク６は、マスキング材料５が堆積される前、および横スペーサが形成される前に除去される。横スペーサの高さは、カバリング材料３における沈み込みの深さから定義され、これは、先の実施形態と同じ動作のマージンを残す。この変形は、第２のエッチングマスク６の材料とカバリング材料３の間で、エッチングの選択性のみを必要とするため、特に有利であり、これは、材料の選択における制約を緩和する。
【００５１】
横スペーサが形成された後に、第２のエッチングマスク６が除去される場合、エッチング選択性は、第２のエッチングマスク６の材料とカバリング材料３の間だけでなく、第２のエッチングマスク６の材料とマスキング材料５の間でも、保証しなければならない。
【００５２】
第３のエッチングマスク８を形成する横スペーサは、前と同じやり方で形成され、第３のエッチングマスク８を、前と同様に用いて、カバリング材料３をエッチングする。最終的な構造は、先の実施形態の図１６に示すものと同様である。
【００５３】
このようにして、カバリング材料３のエッチングは、第３のエッチングマスク８に関する、カバリング材料３の選択的エッチングを用いて行われる。第３のエッチングマスク８は、次いで、カバリング材料３に関して選択的に除去される。マスキング材料５は、次いで、カバリング材料３に関して選択的に除去され、横スペーサを形成する。最後に、カバリング材料３は、マスキング材料５に関して選択的に除去され、この第３のエッチングマスク８のデザインを再現する。
【００５４】
この特定の実施形態は、各エッチングステップが、少ない数の材料で行われるため、非常に有利である。基板の表面には、除去されるべき材料および保持されるべき材料のみが存在する。従来技術のように、２つの保持されるべき材料が存在する状態で、除去されるべき材料は無い。これは、エッチングを行うために使用できる方法および／または最もロバストなエッチング方法において、より大きな選択の自由をもたらす。
【００５５】
有利なやり方で、カバリング層３の薄い領域および厚い領域において、第１のエッチングマスク４は、カバリング材料３によって覆われている。カバリング材料により、第１のエッチングマスク４を全体的に覆うことは、エッチングステップにおいて、可視の材料の数を制限することを可能にし、これにより、エッチング化学の開発および調整を容易にする。
【００５６】
好適な実施形態において、第１のエッチングマスク４は、エッチングステップが後に続くフォトリソグラフィステップを用いて、直接得られる。第１のエッチングマスク４のデザインは、フォトレジストマスクのデザインから、直接来るものである。フォトリソグラフィにより定義されるデザインからの、この直接の定義は、異なる大きさの領域を、容易に形成することを可能にし、これは、有利には、スペーサにより第３のエッチングマスク８に定義されるものよりも、著しく大きな寸法を有する領域である。この実施形態では、例えば少なくとも数ミクロンの、大きなサイズの位置合わせパターンが、第１のエッチングマスク４に形成される。この大きなパターンは、第１のエッチングマスク４により定義されるものに関する、第２のエッチングマスク６のフォトリソグラフィレベルの容易な位置合わせを可能にする。従来技術では、フォトリソグラフィレベルは反転され、横スペーサの転写により得られるエッチングマスクは、フォトリソグラフィにより得られるエッチングマスクの前に形成される。リソグラフィステップのこの配置は、小寸法のパターンの高い密度を有する領域を用いて、より困難な位置合わせを行う必要があることを意味する。この方法は、したがって、使用される２つのフォトリソグラフィレベルのより良い位置合わせおよび／またはよりロバストな位置合わせ方法を得ることを可能にする。
【００５７】
図１８に示す例のように、第１のエッチングマスク４を、従来のやり方で形成する。基板１には、追加のマスキング層９および追加のエッチングマスク１０により覆われた第１の材料２の層が設けられる。追加のカバリング層（図示せず）を用いて、追加のエッチングマスク１０が形成される際の、基板１の影響を減少することができる。追加のカバリング層および追加のマスキング層９がエッチングされ、マスキング層９は、第１のエッチングマスク４を形成する。追加のエッチングマスク１０および追加のカバリング層が除去され、表面に第１のエッチングマスク４のみが残される。
【００５８】
他の実施形態において、第１のエッチングマスク４は、例えば横スペーサによる転写を用いて、用いられるフォトリソグラフィレベルのデザインから間接的に得ることができる。
【００５９】
また、第３のエッチングマスク８を用いてカバリング材料３がエッチングされた後に、横スペーサの転写によって、追加のエッチングマスクを生成することも可能である。方法は、次いで、第１の材料２に存在する方法が第１のエッチングマスク４であることを考慮し、上述したものと同じである。
【００６０】
第２のエッチングマスク６が、フォトリソグラフィによって、カバリング材料３上に形成される場合、これは、特にカバリング材料３の選択および使用可能な厚さに関して、特定の制約を課す。これらの制約の目的は、反射率および下部の層の光学的影響の問題を減少させることにより、フォトリソグラフィステップを容易にすることである。これらの制約は、カバリング層３の厚さを増やして、第２のエッチングマスク６の形成を容易にする効果を有する。上に示したように、カバリング層３は、横スペーサの定義を可能にする必要があり、これは、課されたプロファイルに適合する方法を得るための、アクセス可能な材料の範囲および／または使用可能な厚さの範囲を制限する。
【００６１】
その厚さの一部にわたる、カバリング材料３のエッチングは、これらの制約を、少なくとも部分的に緩和することを可能にする。フォトリソグラフィステップは、カバリング材料３の特定の厚さにわたって行われる。この厚さは、フォトリソグラフィステップを容易にするように選択される。カバリング材料３の層が、次いでエッチングされ、厚い領域および薄い領域を形成し、この厚さの差を用いて、選択される寸法比を有する横スペーサの定義を容易にする。スペーサの定義は、より大きな材料の選択がアクセス可能となることから、容易となり、薄い領域と厚い領域の間の厚さの差の選択を柔軟にすることにより、共形の堆積を得る難しさを、部分的に除去する。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１の材料から作られるパターンを生成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の、例えば消費および／または動作周波数に関する、性能の継続的な改善は、その構成要素のサイズの一定の減少および増加する密度を、不可避的にもたらす。性能が常に改善される装置を製造するために、小さな寸法のパターンを設計する新たな技術が、生み出されてきた。
【０００３】
トランジスタのサイズの縮小は、特に、小寸法のパターンの、高い密度の定義において困難をもたらすが、異なるフォトリソグラフィレベルの互いに対する位置合わせに関する制約も、増加させる。増加する密度のパターンを形成するために、フォトリソグラフィおよびエッチング機器は、継続的に改善される必要がある。フォトリソグラフィ機器の技術的制約における、この高まる増加は、もはや現在の機器に適合しない。
【０００４】
代わりの開発の道は、マスキング材料を堆積することによる、必要とされるパターンの幅および／または長さの定義に存する。このやり方では、パターンの横寸法の少なくとも１つが、フォトリソグラフィでは定義されず、マスキング材料の事前定義された厚さの堆積によって定義される。
【０００５】
図１に示すように、基板１は、第１の材料２で作られた層により覆われており、第１の材料自体は、カバリング層３によって覆われる。カバリング層３の上に、任意の適切な技術により、エッチングマスク４が形成される。
【０００６】
図２に示すように、カバリング層３は、例えばプラズマにより、エッチングマスク４を通してエッチングされ、後者を、エッチングマスク４のパターンにおいて再現する。
【０００７】
エッチング化学材料は、第１の材料２を破損したり、エッチングマスク４のパターンを修正したりせずに、カバリング層３の一部を除去するために、エッチングマスクに関して、および第１の材料２に関して選択的に選ばれる。
【０００８】
第１の材料２に関する選択性を失うことは、特に、物理化学特性の劣化および第１の材料の厚さの減少をもたらし、その後のステップの満足のいく達成にとって有害である。
【０００９】
エッチング化学材料は、カバリング層３において、エッチングマスク４のパターンを忠実に再現するために、可能な限り異方性に選択される。
【００１０】
このエッチングステップは、エッチングマスク４のパターンから定義される、カバリング材料３のパターンを形成する。
【００１１】
図３に示されるように、カバリング層３がひとたびパターニングされると、第１のエッチングマスク４は除去される。
【００１２】
図４に示すように、マスキング材料５が堆積され、次いで、エッチングされて、１つまたは複数の横スペーサを形成する。マスキング材料５は、共形の態様で堆積され、異方性エッチングされて、カバリング材料３のパターンの側壁に局所化される。
【００１３】
堆積される材料の厚さは、マスキング材料５のパターンの寸法の１つを定義する。この寸法は、プラズマエッチングステップで減少される。このようにして、フォトリソグラフィステップは、パターンの位置を定義し、横スペーサの形成ステップは、これらのパターンの横寸法の少なくとも１つを定義する。
【００１４】
ここで再び、マスキング材料５のエッチングは、異方性が高く、第１の材料２およびカバリング材料３に関して選択的な化学材料を使用する。
【００１５】
図５に示すように、横スペーサがひとたび形成されると、カバリング材料３は除去され、スペーサが、第２のエッチングマスク６を形成する。
【００１６】
図６に示すように、側壁イメージ転写技術によって得られた第２のエッチングマスク６は、第２のカバリング材料７によって覆われる。第３のエッチングマスク８が、第２のカバリング材料７の上に形成される。
【００１７】
図７に示すように、第２のカバリング材料７は、第２のエッチングマスク６および第１の材料２に到達するまで、第３のエッチングマスク８を用いてエッチングされる。
【００１８】
第１の材料２は、次いで、第２のエッチングマスク６（マスキング材料５で作られたスペーサ）と、第３のエッチングマスク８とを用いて、図８に示すようにエッチングされ、第１の材料のパターンを形成する。第１の材料２のパターンのデザインは、第２のエッチングマスク６および第３のエッチングマスク８のデザインの組み合わせに対応する。
【００１９】
この実施方法は、方法の異なるステップにわたって広がる、多数の技術的制約が関係するため、使用が非常に困難である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
実施の容易な、側壁イメージ転写により部分的に定義されるパターンを生成する方法を、提供する必要があることが認められている。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
この要件は、
−第１のエッチングマスクと、カバリング層と、第２のエッチングマスクと、により覆われた第１の材料の層が設けられた基板を供給するステップであって、カバリング層は、第２のエッチングマスクにより覆われた主領域と、覆われていない副領域と、を有する、ステップと、
−カバリング層の副領域を、第２のエッチングマスクを用いて部分的にエッチングし、カバリング層に突出パターンを形成するステップと、
−マスキング材料を堆積およびエッチングして、第３のエッチングマスクを定義する突出パターンの周囲に、横スペーサを形成するステップと、
−第２のエッチングマスクを除去するステップと、
−第３のエッチングマスクを用いて、カバリング層をエッチングし、カバリング層における突出パターンを形成し、かつ、第１のエッチングマスクおよび第１の材料を露出させるステップと、
−カバリング層と第１のエッチングマスクとを用いて、第１の材料の層をエッチングし、第１の材料のパターンを形成するステップと、
を含む方法により、容易に満たされる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
他の利点および特徴は、非限定の例の目的だけのために与えられ、添付の図面において表される、以下の本発明の特定の実施形態の説明から、より明らかとなるであろう。
【図１】図１は、第１の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図２】図２は、第１の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図３】図３は、第１の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図４】図４は、第１の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図５】図５は、第１の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図６】図６は、第１の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図７】図７は、第１の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図８】図８は、第１の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図９】図９は、第２の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図１０】図１０は、第２の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図１１】図１１は、第２の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図１２】図１２は、第２の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図１３】図１３は、第２の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図１４】図１４は、第２の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図１５】図１５は、第２の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図１６】図１６は、第２の方法の実施の連続するステップを、断面図で概略的に表している。
【図１７】図１７は、図１２に関する代わりの実施形態を、断面図で概略的に表している。
【図１８】図１８は、他の代わりの実施形態の断面図を、概略的に表している。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
図９に示すように、基板１は、第１の材料２の層により覆われた支持体を備える。第１の材料２の層は、第１のエッチングマスク４と、カバリング層３とにより覆われる。
【００２４】
支持体は、例えば、１つまたは複数の保護層で覆われた活性要素を有する半導体材料から作られる基板である。支持体は、また、導電性または電気絶縁性材料により形成することもでき、その表面に、パターンが形成される。有利なやり方では、支持体の主表面は、電気絶縁性材料の１つまたは複数の層によって形成される。支持体の主表面は、第１の材料２の層によって覆われる。
【００２５】
第１の材料２は、電気絶縁性または導電性とすることができる。有利なやり方では、基板が、主表面に絶縁層を有する半導体タイプである場合、第１の材料は、導電性とし、例えば、厚さが有利に１０および５０ｎｍの間であり、ＴｉＮ、ＢＮ、ＴａＮ、ＡｌＮから作られる。
【００２６】
第１のエッチングマスク４は、第１の材料２の層の上に形成される。第１のエッチングマスク４は、第１の材料２の上に、主領域Ａと、副領域Ｂとを定義する。主領域Ａは、第１のエッチングマスク４によって直接覆われており、副領域Ｂは、カバリング層３によって直接覆われる。エッチングマスク４のデザインは、任意の形状とすることができ、必要とされるパターンに応じて定義される。第１のエッチングマスク４は、第１の材料２の層と、カバリング層３との間に配置され、第１の材料２と、主領域Ａ内のカバリング層３との間の直接接触を防止する。
【００２７】
第１のエッチングマスク４は、例えば、酸化ケイ素(silicon oxide)、窒化ケイ素(silicon nitride)、または、酸化ケイ素と窒化ケイ素の混合物または積層物である。第１のエッチングマスクは、第１の材料２とカバリング層３との間のその位置に、その成分の性質が適合する限り、他の材料で形成することもできる。
【００２８】
有利なやり方では、カバリング層３は、反射防止特性を備えており、その後の第２のエッチングマスク６の形成を容易にする。例として、カバリング材料３は、化学気相蒸着またはスピンコーティングにより堆積される、炭素質の材料である。例えば、用いられる材料は、式ＣｘＨｙによって表され、これは、ほぼ水素化された炭素材料を生じる。
【００２９】
図１０に示すように、第２のエッチングマスク６は、カバリング層３の上に形成される。第２のエッチングマスク６は、また、カバリング層３の上に主領域Ｃおよび副領域Ｄを定義する。主領域Ｃは、第２のエッチングマスク６により覆われており、副領域Ｄは、露出され、よって解放された状態である。第２のエッチングマスク６のデザインは、任意の形状にすることができ、第１のエッチングマスク４のデザインに関連して、必要とされるパターンに応じて定義される。第１および第２のエッチングマスク４および６は、カバリング層３によって、分離されている。
【００３０】
第２のエッチングマスク６は、例えば、異なる性質のフォトレジストまたは材料である。特定の実施形態において、第２のエッチングマスク６は、酸化ケイ素(silicon oxide)、窒化ケイ素(silicon nitride)、または、酸化ケイ素と窒化ケイ素の積層物または他の材料で作られる。第２のエッチングマスク６が樹脂でない場合、エッチングステップが後に続く、フォトリソグラフィステップを用いて、その形状を定義すると有利である。第２のエッチングマスク６は、また、ハードマスクとも呼ばれる。
【００３１】
図１１に示すように、任意の適切な技術により、第２のエッチングマスク６を用いてカバリング材料３がエッチングされる。カバリング層３のエッチングは、部分的である。解放された状態にあるカバリング材料３の部分は、部分的にエッチングされ、カバリング層３における突出パターンを形成する。この部分的エッチングは、異なる厚さの領域によって表される。第２のエッチングマスク６によって覆われた主領域Ｃにおいて、厚さは変えられず、厚い領域を表す。覆われていない副領域Ｄにおいて、カバリング層３は、部分的に除去されており、これは、層３の薄い領域に対応する。
【００３２】
第２のエッチングマスク６のデザインは、カバリング層３において、第２のエッチングマスク６を通して再現されており、デザインの外形は、垂直またはほぼ垂直の側壁によって形成されており、薄い領域を厚い領域に接続する。カバリング層３のエッチングは、カバリング材料の厚さの一部のみに行われ、側壁の高さは、カバリング層３の厚さよりも小さい。
【００３３】
カバリング層３は、よって、パターニングされ、異なる厚さを有する領域を形成し、これは、カバリング材料３の連続するフィルム上に、カバリング材料の層における突出パターンの存在をもたらす。
【００３４】
有利なやり方では、第１の材料２および第１のエッチングマスク４は、カバリング層３により完全に覆われる。
【００３５】
有利なやり方では、エッチング時間を加え、またはもとの位置での反射率測定によってエッチング厚さを制御して、プラズマによるエッチングが行われる。
【００３６】
図１２に示すように、次いで、マスキング材料５が、アセンブリ上に、共形または可能な限り共形に堆積され、カバリング層３および第２のエッチングマスク６を覆う。共形の堆積では、垂直壁に堆積される厚さは、水平壁に堆積される厚さと同じである。ひとたび、マスキング材料５が堆積されると、マスキング材料は、任意の適切な技術、好ましくは異方性のプラズマエッチングによってエッチングされ、横スペーサすなわち側壁スペーサ（“側壁”とも呼ばれる）を形成する。エッチングは、マスキング材料５を、カバリング層３に定義される垂直壁に局所化することを可能にする。このようにして、エッチングステップの後に、マスキング材料５が、カバリング材料３の側壁を覆う横スペーサを形成する。
【００３７】
図１３に示すように、第２のエッチングマスク６が除去され、表面に、カバリング材料３と、マスキング材料５から作られるスペーサとが残される。マスキング材料５から作られるスペーサは、第３のエッチングマスク８を形成する。第３のエッチングマスク８のデザインは、横スペーサの位置を加える第２のエッチングマスク６のデザインによって、部分的に定義される。第３のエッチングマスク８のデザインは、また、堆積されたマスキング材料５の厚さおよびエッチングされた厚さからも定義され、横スペーサを定義する。
【００３８】
図１４に示すように、カバリング層３は、第３のエッチングマスク８を用いてエッチングされ、カバリング層３における突出パターンを形成する。覆われていない領域、すなわち第３のエッチングマスク８に覆われていない領域において、エッチングは完全になされ、第１の材料２または第１のエッチングマスク４に到達する。カバリング材料３は、第２のエッチングマスク６によって最初に覆われた領域の下、および第２の領域Ｄ内の横スペーサで覆われていない位置で、除去される。
【００３９】
カバリング材料３のパターンは、薄い領域に形成され、それらの厚さは、カバリング材料３の部分的エッチングが行われた際に定義されていた。カバリング材料３のパターンは、第３のエッチングマスク８のデザインを再現する。
【００４０】
この実施形態は、第３のエッチングマスク８の定義においてより大きな柔軟性を提示するため、特に有利である。堆積は、完全な共形であることはなく、エッチングは、完全な共形であることはない。これは、従来技術においては、結果として、横スペーサの形状が、機器の技術的可能性により、または、他の技術的ステップにより課される最小厚さ制約により制限されることをもたらす。従来技術において、カバリング層の厚さは、横スペーサの高さを与える。
【００４１】
本ケースでは、薄い領域と厚い領域の間の厚さの差と、第２のエッチングマスク６の厚さとが、横スペーサの高さを加える。次いで、カバリング材料３における沈み込みの深さを調節し、共形または可能な限り共形の堆積を得ることを可能にする、マスキング材料５の堆積を得る。同様のやり方で、横スペーサの高さにおけるこの柔軟性は、より効率的なエッチング方法を得ることを可能にする。カバリング材料３の部分的エッチングを行うことは、必要とされる形状を有する横スペーサの作製において、追加的な自由の度合いを得ることを可能にする。カバリング材料３の厚さは、よって、リソグラフィが形成される際の反射率を最小化するように、独立して選択することができる。
【００４２】
カバリング層３の部分的エッチングを行うことは、解放された平面を形成するカバリング層３により覆われた第１の材料２および第１のエッチングマスク４を残す。これはまた、第３のエッチングマスク８において、寄生パターンの形成を防止する。第１のエッチングマスク４の上でカバリング層３を完全にエッチングし、第１のエッチングマスク４および隣接するカバリング層３の解放面が、覆われていない領域において平面を形成することを保証することにより、同じ結果が得られる。
【００４３】
第１のエッチングマスク４は、カバリング材料３によって覆われているため、第１のエッチングマスク４と、第１の材料２との間で、寄生ステップがない。寄生横スペーサは、よって、このステップのレベルでは形成されない。
【００４４】
カバリング材料３の部分的エッチングは、カバリング材料の堆積の前に存在する表面凹凸を、平滑化すること、例えば、基板１および／または第１の材料２の層での表面マスクワーク、ならびに第１の材料２および第１のエッチングマスク４の間の表面マスクワークを可能にする。
【００４５】
カバリング層３の厚さは、第２のエッチングマスク６の定義ステップでの下部の層およびパターンの効果を制限するように、選択される。これは、次いで、下部の層の効果をマスキングするのに十分な厚さのカバリング層３を使用することを可能にする。カバリング層３の厚さは、２つのステップでエッチングされるため、制約ではなくなる。第１の部分的エッチングは、第３のエッチングマスク８を、最良の条件下で定義することを可能にする。第２の完全なエッチングは、最終マスクを用いて、定義されるべき第１の材料２をエッチングすることを可能にする。
【００４６】
さらに、第１のエッチングマスク４が、従来のやり方、すなわち横スペーサの転写以外の技術で作製される場合、大きな幅を有するパターンを、得ることができる。次に、第２のエッチングマスク６を、第１のエッチングマスクに対して位置合わせすることが、容易である。従来技術では、第１のエッチングマスク４は側壁イメージ転写技術によって得られ、この技術は、その後のフォトリソグラフィレベルの位置合わせを困難にする、小さなサイズのパターンを課す。さらに、最も重要な寸法を定義する第２のエッチングマスクが、重要なトポグラフィ上に作られ、これは、平坦化材料の使用を必要とする。この大きなトポグラフィは、リソグラフィの反射率の不均衡を誘発し、この不均衡は、必要とされる解像度を得るためには有害である。このトポグラフィは、また、下にあるパターンの密度に応じた局部温度差も誘発し、局部温度差は、パターンの最終寸法を修正する。さらに、第２のカバリング材料７（図７）に転写されるパターンは、高いアスペクト比（幅と高さの比）を有し、高いアスペクト比は、これらのパターンに対する強度の問題をもたらす。
【００４７】
述べられた方法とは異なり、最も重要な寸法を定義する第１のエッチングマスク４は、トポグラフィなしに表面に作られ、側壁イメージ転写技術によって形成されるエッチングマスクよりも、小さな厚さを提供する。第２のエッチングマスク６に対する、第１のエッチングマスク４の効果は、よって減少される。
【００４８】
図１５に示すように、第１のエッチングマスク４およびカバリング層に形成されたパターンは、第１の材料２のエッチングに用いられる第４のエッチングマスクを形成する。第４のエッチングマスクのデザインは、第１のエッチングマスク４および第３のエッチングマスク８のソリッド領域の追加に対応する。カバリング材料のエッチングが、等方性成分を含む場合、あるいは、トリミングステップが、パターンのサイズを減少するか、または最小のパターンを消滅させる場合、差が存在することがある。
【００４９】
図１６に示すように、第４のエッチングマスクを通して、よって第１のエッチングマスク４およびカバリング材料３のパターンを通して、第１の材料２のパターンが形成される。
【００５０】
図１７に示される代わりの実施形態では、第２のエッチングマスク６は、マスキング材料５が堆積される前、および横スペーサが形成される前に除去される。横スペーサの高さは、カバリング材料３における沈み込みの深さから定義され、これは、先の実施形態と同じ動作のマージンを残す。この変形は、第２のエッチングマスク６の材料とカバリング材料３の間で、エッチングの選択性のみを必要とするため、特に有利であり、これは、材料の選択における制約を緩和する。
【００５１】
横スペーサが形成された後に、第２のエッチングマスク６が除去される場合、エッチング選択性は、第２のエッチングマスク６の材料とカバリング材料３の間だけでなく、第２のエッチングマスク６の材料とマスキング材料５の間でも、保証しなければならない。
【００５２】
第３のエッチングマスク８を形成する横スペーサは、前と同じやり方で形成され、第３のエッチングマスク８を、前と同様に用いて、カバリング材料３をエッチングする。最終的な構造は、先の実施形態の図１６に示すものと同様である。
【００５３】
このようにして、カバリング材料３のエッチングは、第３のエッチングマスク８に関する、カバリング材料３の選択的エッチングを用いて行われる。第３のエッチングマスク８は、次いで、カバリング材料３に関して選択的に除去される。マスキング材料５は、次いで、カバリング材料３に関して選択的に除去され、横スペーサを形成する。最後に、カバリング材料３は、マスキング材料５に関して選択的に除去され、この第３のエッチングマスク８のデザインを再現する。
【００５４】
この特定の実施形態は、各エッチングステップが、少ない数の材料で行われるため、非常に有利である。基板の表面には、除去されるべき材料および保持されるべき材料のみが存在する。従来技術のように、２つの保持されるべき材料が存在する状態で、除去されるべき材料は無い。これは、エッチングを行うために使用できる方法および／または最もロバストなエッチング方法において、より大きな選択の自由をもたらす。
【００５５】
有利なやり方で、カバリング層３の薄い領域および厚い領域において、第１のエッチングマスク４は、カバリング材料３によって覆われている。カバリング材料により、第１のエッチングマスク４を全体的に覆うことは、エッチングステップにおいて、可視の材料の数を制限することを可能にし、これにより、エッチング化学の開発および調整を容易にする。
【００５６】
好適な実施形態において、第１のエッチングマスク４は、エッチングステップが後に続くフォトリソグラフィステップを用いて、直接得られる。第１のエッチングマスク４のデザインは、フォトレジストマスクのデザインから、直接来るものである。フォトリソグラフィにより定義されるデザインからの、この直接の定義は、異なる大きさの領域を、容易に形成することを可能にし、これは、有利には、スペーサにより第３のエッチングマスク８に定義されるものよりも、著しく大きな寸法を有する領域である。この実施形態では、例えば少なくとも数ミクロンの、大きなサイズの位置合わせパターンが、第１のエッチングマスク４に形成される。この大きなパターンは、第１のエッチングマスク４により定義されるものに関する、第２のエッチングマスク６のフォトリソグラフィレベルの容易な位置合わせを可能にする。従来技術では、フォトリソグラフィレベルは反転され、横スペーサの転写により得られるエッチングマスクは、フォトリソグラフィにより得られるエッチングマスクの前に形成される。リソグラフィステップのこの配置は、小寸法のパターンの高い密度を有する領域を用いて、より困難な位置合わせを行う必要があることを意味する。この方法は、したがって、使用される２つのフォトリソグラフィレベルのより良い位置合わせおよび／またはよりロバストな位置合わせ方法を得ることを可能にする。
【００５７】
図１８に示す例のように、第１のエッチングマスク４を、従来のやり方で形成する。基板１には、追加のマスキング層９および追加のエッチングマスク１０により覆われた第１の材料２の層が設けられる。追加のカバリング層（図示せず）を用いて、追加のエッチングマスク１０が形成される際の、基板１の影響を減少することができる。追加のカバリング層および追加のマスキング層９がエッチングされ、マスキング層９は、第１のエッチングマスク４を形成する。追加のエッチングマスク１０および追加のカバリング層が除去され、表面に第１のエッチングマスク４のみが残される。
【００５８】
他の実施形態において、第１のエッチングマスク４は、例えば横スペーサによる転写を用いて、用いられるフォトリソグラフィレベルのデザインから間接的に得ることができる。
【００５９】
また、第３のエッチングマスク８を用いてカバリング材料３がエッチングされた後に、横スペーサの転写によって、追加のエッチングマスクを生成することも可能である。方法は、次いで、第１の材料２に存在する方法が第１のエッチングマスク４であることを考慮し、上述したものと同じである。
【００６０】
第２のエッチングマスク６が、フォトリソグラフィによって、カバリング材料３上に形成される場合、これは、特にカバリング材料３の選択および使用可能な厚さに関して、特定の制約を課す。これらの制約の目的は、反射率および下部の層の光学的影響の問題を減少させることにより、フォトリソグラフィステップを容易にすることである。これらの制約は、カバリング層３の厚さを増やして、第２のエッチングマスク６の形成を容易にする効果を有する。上に示したように、カバリング層３は、横スペーサの定義を可能にする必要があり、これは、課されたプロファイルに適合する方法を得るための、アクセス可能な材料の範囲および／または使用可能な厚さの範囲を制限する。
【００６１】
その厚さの一部にわたる、カバリング材料３のエッチングは、これらの制約を、少なくとも部分的に緩和することを可能にする。フォトリソグラフィステップは、カバリング材料３の特定の厚さにわたって行われる。この厚さは、フォトリソグラフィステップを容易にするように選択される。カバリング材料３の層が、次いでエッチングされ、厚い領域および薄い領域を形成し、この厚さの差を用いて、選択される寸法比を有する横スペーサの定義を容易にする。スペーサの定義は、より大きな材料の選択がアクセス可能となることから、容易となり、薄い領域と厚い領域の間の厚さの差の選択を柔軟にすることにより、共形の堆積を得る難しさを、部分的に除去する。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の材料（２）で作られるパターンを生成する方法であって、
第１のエッチングマスク（４）と、カバリング層（３）と、第２のエッチングマスク（６）とにより覆われた第１の材料（２）の層が設けられた基板（１）を供給するステップであって、前記カバリング層（３）は、前記第２のエッチングマスク（６）により覆われた主領域（Ｃ）と、覆われていない副領域（Ｄ）と、を有する、ステップと、
前記カバリング層（３）の副領域（Ｄ）を、前記第２のエッチングマスク（６）を用いて部分的にエッチングし、前記カバリング層（３）に突出パターンを形成するステップと、
マスキング材料（５）を形成およびエッチングして、第３のエッチングマスク（８）を定義する前記突出パターンの周囲に、横スペーサを形成するステップと、
前記第２のエッチングマスク（６）を除去するステップと、
前記第３のエッチングマスク（８）を用いて、前記カバリング層（３）をエッチングし、前記カバリング層（３）における突出パターンを形成し、かつ、前記第１のエッチングマスク（４）および前記第１の材料（２）を露出させるステップと、
前記カバリング層（３）と前記第１のエッチングマスク（４）とを用いて、前記第１の材料（２）の層をエッチングし、前記第１の材料（２）で作られるパターンを形成するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１のエッチングマスク（４）の形成は、
追加のマスキング層（９）と、追加のエッチングマスク（１０）と、により覆われた前記第１の材料（２）の層が設けられた基板（１）を供給するステップと、
前記追加のマスキング層（９）をエッチングし、前記第１のエッチングマスク（４）を形成するステップと、
前記追加のエッチングマスク（１０）を除去するステップと、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第３のエッチングマスク（８）を定義する突出パターンの周囲に前記横スペーサが形成される前に、前記第２のエッチングマスク（６）は除去される、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項１】
第１の材料（２）で作られるパターンを生成する方法であって、
第１のエッチングマスク（４）と、カバリング層（３）と、第２のエッチングマスク（６）とにより覆われた第１の材料（２）の層が設けられた基板（１）を供給するステップであって、前記カバリング層（３）は、前記第２のエッチングマスク（６）により覆われた主領域（Ｃ）と、覆われていない副領域（Ｄ）と、を有する、ステップと、
前記カバリング層（３）の副領域（Ｄ）を、前記第２のエッチングマスク（６）を用いて部分的にエッチングし、前記カバリング層（３）に突出パターンを形成するステップと、
マスキング材料（５）を形成およびエッチングして、第３のエッチングマスク（８）を定義する前記突出パターンの周囲に、横スペーサを形成するステップと、
前記第２のエッチングマスク（６）を除去するステップと、
前記第３のエッチングマスク（８）を用いて、前記カバリング層（３）をエッチングし、前記カバリング層（３）における突出パターンを形成し、かつ、前記第１のエッチングマスク（４）および前記第１の材料（２）を露出させるステップと、
前記カバリング層（３）と前記第１のエッチングマスク（４）とを用いて、前記第１の材料（２）の層をエッチングし、前記第１の材料（２）で作られるパターンを形成するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１のエッチングマスク（４）の形成は、
追加のマスキング層（９）と、追加のエッチングマスク（１０）と、により覆われた前記第１の材料（２）の層が設けられた基板（１）を供給するステップと、
前記追加のマスキング層（９）をエッチングし、前記第１のエッチングマスク（４）を形成するステップと、
前記追加のエッチングマスク（１０）を除去するステップと、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第３のエッチングマスク（８）を定義する突出パターンの周囲に前記横スペーサが形成される前に、前記第２のエッチングマスク（６）は除去される、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２０１２−１３８５７０（Ｐ２０１２−１３８５７０Ａ）
【公開日】平成２４年７月１９日（２０１２．７．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２６０７９４（Ｐ２０１１−２６０７９４）
【出願日】平成２３年１１月２９日（２０１１．１１．２９）
【出願人】（５１０２２５２９２）コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ (97)
【氏名又は名称原語表記】ＣＯＭＭＩＳＳＡＲＩＡＴ Ａ Ｌ’ＥＮＥＲＧＩＥ ＡＴＯＭＩＱＵＥ ＥＴ ＡＵＸ ＥＮＥＲＧＩＥＳ ＡＬＴＥＲＮＡＴＩＶＥＳ
【住所又は居所原語表記】Ｂａｔｉｍｅｎｔ Ｌｅ Ｐｏｎａｎｔ Ｄ，２５ ｒｕｅ Ｌｅｂｌａｎｃ，Ｆ−７５０１５ Ｐａｒｉｓ， ＦＲＡＮＣＥ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年７月１９日（２０１２．７．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月２９日（２０１１．１１．２９）
【出願人】（５１０２２５２９２）コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ (97)
【氏名又は名称原語表記】ＣＯＭＭＩＳＳＡＲＩＡＴ Ａ Ｌ’ＥＮＥＲＧＩＥ ＡＴＯＭＩＱＵＥ ＥＴ ＡＵＸ ＥＮＥＲＧＩＥＳ ＡＬＴＥＲＮＡＴＩＶＥＳ
【住所又は居所原語表記】Ｂａｔｉｍｅｎｔ Ｌｅ Ｐｏｎａｎｔ Ｄ，２５ ｒｕｅ Ｌｅｂｌａｎｃ，Ｆ−７５０１５ Ｐａｒｉｓ， ＦＲＡＮＣＥ
【Ｆターム（参考）】
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