偽造防止構造体及び真贋判別装置
【課題】存在を知覚出来ず入手困難な識別装置でのみ識別が可能であり偽造困難な偽造防止構造体、この構造体と組み合わされて使用される真贋判別装置を提供することである。
【解決手段】偽造防止構造体１０は、テラヘルツ電磁波が透過する基材１２、基材の一面に設けられ上記電磁波が透過する非導電性隠蔽層１４、基材の反対側の隠蔽層の一面の所定位置に設けられ隠蔽層で隠蔽され上記電磁波が透過する所定パターン配列の開口を有する導電性層１６、隠蔽層の上記一面に設けられ上記電磁波が透過する接着層１８、を備える。導電性層は上記電磁波の透過により上記パターンに対応した所定の基準値を生じさせる。真贋判別装置は、テラヘルツ電磁波発生手段からの電磁波を照射手段により物体に照射し、上記物体を透過した電磁波を対応した測定値に変換手段で変換し、前記構造体からの所定の基準値との差異の有無を判定し、有無のいずれかの場合に警報を発生する。
【解決手段】偽造防止構造体１０は、テラヘルツ電磁波が透過する基材１２、基材の一面に設けられ上記電磁波が透過する非導電性隠蔽層１４、基材の反対側の隠蔽層の一面の所定位置に設けられ隠蔽層で隠蔽され上記電磁波が透過する所定パターン配列の開口を有する導電性層１６、隠蔽層の上記一面に設けられ上記電磁波が透過する接着層１８、を備える。導電性層は上記電磁波の透過により上記パターンに対応した所定の基準値を生じさせる。真贋判別装置は、テラヘルツ電磁波発生手段からの電磁波を照射手段により物体に照射し、上記物体を透過した電磁波を対応した測定値に変換手段で変換し、前記構造体からの所定の基準値との差異の有無を判定し、有無のいずれかの場合に警報を発生する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、偽造を防止する為の偽造防止構造体、及びこの偽造防止構造体と組み合わされて使用される真贋判別装置に関係している。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば株券，債券，小切手，商品券，宝くじ券，定期券等の証券類には、偽造を防止する為の種々の工夫がされている。
【０００３】
そのような工夫の一種として、肉眼ではその存在の判別がし難い肉眼判別困難マークを上記証券類に付して上記肉眼判別困難マークを機械により読み取ることが行なわれている。
【０００４】
肉眼判別困難マークは、例えば熱線吸収ガラス粉または赤外線吸収ガラス粉を混ぜたインクにより描かれる。そして、そのような肉眼判別困難マークを、熱線吸収ガラス粉または赤外線吸収ガラス粉を混ぜない同色のインクで描いた模様の中に紛れ込ませると肉眼で一見しただけではその存在が判別しがたい。
【０００５】
とはいうものの、熱線吸収ガラス粉または赤外線吸収ガラス粉を混ぜたインクにより描かれた肉眼判別不能マークは、斜めから仔細に観察すると熱線吸収ガラス粉または赤外線吸収ガラス粉を混ぜない同色のインクで描いた模様から浮き上がったように見えるので、その存在が判別されてしまうことがある。また、指先の感覚の鋭い人は、肉眼判別不能マークとその周囲の上記模様に触ることにより上記模様の中に肉眼判別不能マークが存在していることを知ることが出来る。
【０００６】
上述した如き肉眼判別困難マークは赤外線照射装置を使用すれば上記模様の中に存在していることが容易に判別され、赤外線照射装置と赤外線カメラとを組み合わせることによりその形状や寸法までも容易に知ることが出来る。そして、赤外線照射装置や赤外線カメラは比較的広く用いられているし容易に入手可能である。従って、上述した如き肉眼判別困難マークは比較的容易に偽造が可能である。
【０００７】
特開２０００−３０９７３６号公報（特許文献１）には、赤外線を吸収可能であるとともに可視光は吸収しない赤外線吸収インクが開示されています。そして、このような赤外線吸収インクと同色のインクで描いた模様の中にこのような赤外線吸収インクを使用して肉眼判別不能マークを描けば、そのような肉眼判別不能マークは斜めから仔細に観察されたとしても赤外線吸収インクと同色のインクで描いた模様から浮き上がったように見えることがなくてその存在が判別されてしまうことがないし、指先の感覚の鋭い人に触られたとしても触覚によりその存在が判別されてしまうことがない。
【０００８】
特開平６−２９７８８８号公報（特許文献２）には、可視光領域では目視不可能で、可視光以外の一定波長の光、具体的には紫外線、により識別可能な蛍光を発する特殊蛍光インクを使用して肉眼判別困難マークを描くことが開示されています。このような特殊蛍光インクと同色のインクで描いた模様の上にこのような特殊蛍光インクを使用して肉眼判別不能マークを描けば、そのような肉眼判別不能マークは斜めから仔細に観察されたとしても特殊蛍光インクと同色のインクで描いた模様から浮き上がったように見えることがなくてその存在が判別されてしまうことがないし、指先の感覚の鋭い人に触られたとしても触覚によりその存在が判別されてしまうことがない。
【特許文献１】特開２０００−３０９７３６号公報
【特許文献２】特開平６−２９７８８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特開２０００−３０９７３６号公報（特許文献１）に記載されている如き赤外線吸収インクを使用した肉眼判別困難マークでも、比較的広く用いられているし容易に入手可能である赤外線照射装置を使用すれば上記模様の中に存在していることが容易に判別され、赤外線照射装置と赤外線カメラとを組み合わせることによりその形状や寸法までも容易に知ることが出来る。
【００１０】
また、特開平６−２９７８８８号公報（特許文献２）に記載されている如き特殊蛍光インクを使用した肉眼判別困難マークでも、赤外線照射装置ほどではないにしろ比較的広く用いられているし容易に入手可能である紫外線照射装置を使用すれば上記模様の中に存在していることが容易に判別され、紫外線照射装置とカメラとを組み合わせることによりその形状や寸法までも容易に知ることが出来る。
【００１１】
この発明は上記事情の下でなされ、この発明の目的は、肉眼や触覚でその存在を知ることが出来ず、しかも入手が困難な識別装置によってのみ識別が可能であり、偽造が困難である偽造防止構造体を提供することであり、またこのような偽造防止構造体と組み合わされて使用される真贋判別装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述したこの発明の目的を達成する為に、この発明に従った偽造防止構造体は：テラヘルツ電磁波が透過される基材と；基材の一面に設けられ、非導電性であり、テラヘルツ電磁波が透過される隠蔽層と；基材とは反対側の隠蔽層の一面の所定の位置に設けられ、隠蔽層により隠蔽され、テラヘルツ電磁波が透過される所定のパターンに配列された開口を有する導電性層と；隠蔽層の上記一面に設けられ、テラヘルツ電磁波が透過される接着層と、を備えていて、導電性層はテラヘルツ電磁波が透過されることにより上記テラヘルツ電磁波から上記所定のパターンに対応した所定の測定値を生じさせる、ことを特徴としている。
【００１３】
上述したこの発明の目的を達成する為に、この発明に従った真贋判別装置は：テラヘルツ電磁波発生手段と；テラヘルツ電磁波発生手段により発生されたテラヘルツ電磁波を物体に照射するテラヘルツ電磁波照射手段と；上記物体を透過したテラヘルツ電磁波を受信し、受信したテラヘルツ電磁波に対応した測定値に変換する測定値変換手段と；請求項１乃至５のいずれか１項に記載の偽造防止構造体を透過したテラヘルツ電磁波から上記測定値変換手段により変換された所定の基準値を記憶しており、上記物体を透過したテラヘルツ電磁波から上記測定値変換手段により変換された測定値と比較し、上記所定の基準値と上記物体を透過したテラヘルツ電磁波から上記測定値変換手段により変換された測定値との差異の有無を判定する判定手段と；上記差異がある場合又は上記差異がない場合のいずれかの場合に警報を発生する報知手段と；を備えていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１４】
現在、テラヘルツ電磁波を発生させる装置は入手が困難である。従って、テラヘルツ電磁波が透過されることにより上記テラヘルツ電磁波から上記所定のパターンに対応した所定の測定値を生じさせる所定のパターンに配列された開口を有する導電性層は入手が困難な識別装置によってのみ識別が可能である。しかも、この導電性層は、基材とは反対側の隠蔽層の一面に設けられ隠蔽層により隠蔽されているので、肉眼や触覚でその存在を知ることが出来ない。従って、上述した如く構成されたことを特徴とするこの発明に従った偽造防止構造体は、偽造が困難である。そして、接着層を介して、偽造を防止したい物体に容易に接着することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
［偽造防止構造体の一実施形態］
最初に、図１乃至図３を参照しながら、この発明の一実施形態に従っている偽造防止構造体１０について説明する。なお、図１は、この発明の一実施形態に従っている偽造防止構造体１０の平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。そして、図３は、この発明の一実施形態に従っている偽造防止構造体１０が備えている導電性層の拡大された平面図である。
【００１６】
偽造防止構造体１０は、テラヘルツ電磁波が透過される基材１２と、基材１２の一面に設けられテラヘルツ電磁波が透過される隠蔽層１４と、基材１２とは反対側の隠蔽層１４の一面の所定の位置に設けられ隠蔽層１４により隠蔽されテラヘルツ電磁波が透過される所定のパターンに配列された開口を有する導電性層１６と、隠蔽層１４の上記一面に設けられテラヘルツ電磁波が透過される接着層１８と、を備えている。
【００１７】
基材１２は所定の形状と寸法とを有していて、その全体がテラヘルツ電磁波が均等に透過可能であることが好ましい。基材１２は例えば紙やプラスチックのシートにより作成することが出来る。基材１２の主たる使用目的は、その一面に隠蔽層１４，導電性層１６，そして接着層１８を順次設ける作業をしやすくする為であり、さらには基材１２の一面に順次設けられた隠蔽層１４，導電性層１６，そして接着層１８を、偽造防止構造体１０の製造ラインからの出荷から、実際に偽造防止の為に使用されるまで、損傷しないよう保護する為でもある。
【００１８】
隠蔽層１４は、基材１２とは反対側の隠蔽層１４の一面に設けられた導電性層１６の存在を基材１２の側から肉眼で見て、そして触覚からも、隠蔽することが出来れば例えば金属やセラミックやプラスチック等の如何なる材料でも良い。隠蔽層１４は、基材１２の一面の全体に設けられているが、隠蔽層１４の一面のいずれの位置に導電性層１６が存在しているのが容易に特定することが出来なければ基材１２の一面の全体に設けられていなくとも良い。
【００１９】
導電性層１６は、基材１２や隠蔽層１４を介して肉眼はもちろん触覚からも隠蔽することが出来るように出来る限り薄く作成することが好ましく、例えばアルミニウムのような導電性金属を蒸着することにより形成することが出来る。図３の導電性層１６は、相互に同じ寸法の丸孔１６ａが所定のパターンに網目状に配列されている６角形状をしている。しかしながら、導電性層１６はこの発明の理念に従えば、テラヘルツ電磁波が透過されることにより上記テラヘルツ電磁波から上記所定のパターンに対応した所定の測定値を生じさせるのであれば、個々の網目の形状は丸孔でなくとも良いし、所定のパターンは網目上でなくとも良いし、さらに全体の形状も６角形状以外の任意の形状とすることが出来る。
【００２０】
接着層１８は、導電性層１６が設けられている隠蔽層１４の上記一面に設けられていて、上記一面の全面積に占める導電性層１６の面積の割合が比較的小さければ導電性層１６を覆わなくても良いが、上記面積の割合に係わらず導電性層１６を覆っていることが好ましい。
【００２１】
接着層１８は、テラヘルツ電磁波が透過できれば、例えば感圧接着剤や感熱接着剤や水のような所定の液体が適用されることにより接着性を発揮する接着剤やいわゆる粘着剤を含む如何なる種類の接着剤によっても形成することが出来る。しかしながら、接着層１８が、例えば株券，債券，小切手，商品券，宝くじ券，定期券等の証券類の如き偽造を防止しようとする物体に接着されるまでに、このような物体以外の他の物体に意図せず接着して取り扱いを煩雑にすることを防止する為に、例えば離型紙のような接着層保護覆いにより覆っておくことが出来る。
【００２２】
偽造防止構造体１０は、接着層１８を介して偽造を防止しようとする物体の特定の一面全体に接着されるよう偽造を防止しようとする物体の特定の一面と同じ形状や寸法を有したいわゆるシート状にすることが出来るし、偽造を防止しようとする物体の特定の一面の一部にのみ接着層１８を介して接着されるよう偽造を防止しようとする物体の特定の一面よりも小さな所望の形状や寸法を有したいわゆるラベル状にすることが出来る。
【００２３】
［偽造防止構造体の第１変形例］
次に、図４を参照しながら、第１変形例に従った偽造防止構造体２０を説明する。図４は、図２と同様な、第１変形例に従った偽造防止構造体２０の一部の断面図である。
【００２４】
なお、第１変形例に従った偽造防止構造体２０の構成の大部分は、図１乃至図３を参照しながら前述した一実施形態に従った偽造防止構造体１０の構成の大部分と同じである。従って、第１変形例に従った偽造防止構造体２０において、図１乃至図３を参照しながら前述した一実施形態に従った偽造防止構造体１０の構成部材と同じ構成部材には、一実施形態に従った偽造防止構造体１０の対応する構成部材に付されていた参照符号と同じ参照符号を付して詳細な説明は省略する。
【００２５】
一実施形態では、基材１２の主たる使用目的は、その一面に隠蔽層１４，導電性層１６，そして接着層１８を順次設ける作業をしやすくする為であり、さらには基材１２の一面に順次設けられた隠蔽層１４，導電性層１６，そして接着層１８を、偽造防止構造体１０の製造ラインからの出荷から、実際に偽造防止の為に使用されるまで、損傷しないよう保護する為でもあると説明した。
【００２６】
従って、偽造防止構造体１０が偽造を防止する物体に接着層１８を介して接着された後には、隠蔽層１４，導電性層１６，そして接着層１８の夫々に比べ比較的厚さが大きな基材１２が不要になる場合がある。
【００２７】
第１変形例に従った偽造防止構造体２０は、このような場合に役立つよう、基材１２の前記一面と隠蔽層１４との間に、基材１２を隠蔽層１４から容易に剥離可能にする剥離層２２を備えている。剥離層２２は、テラヘルツ電磁波が均一に透過可能である。
【００２８】
剥離層２２は、基材１２が剥離層２２から剥離された後に、隠蔽層１４が外部空間に直接露出しないようにしており、隠蔽層１４が外部空間に直接露出することにより損傷を受けやすくなるのを防止している。
【００２９】
［偽造防止構造体の第２変形例］
次に、図５を参照しながら、第２変形例に従った偽造防止構造体３０を説明する。図５は、図２と同様な、第２変形例に従った偽造防止構造体３０の一部の断面図である。
【００３０】
なお、第２変形例に従った偽造防止構造体３０の構成の大部分は、図４を参照しながら前述した第１変形例に従った偽造防止構造体３０の構成の大部分と同じである。そして、図４を参照しながら前述した第１変形例に従った偽造防止構造体３０の構成の大部分は、図１乃至図３を参照しながら前述した一実施形態に従った偽造防止構造体１０の構成の大部分と同じである。従って、第２変形例に従った偽造防止構造体３０において、図１乃至図３を参照しながら前述した一実施形態に従った偽造防止構造体１０の構成部材や図４を参照しながら前述した第１変形例に従った偽造防止構造体２０の構成部材と同じ構成部材には、前述した一実施形態に従った偽造防止構造体１０や前述した第１変形例に従った偽造防止構造体２０の対応する構成部材に付されていた参照符号と同じ参照符号を付して詳細な説明は省略する。
【００３１】
第２変形例の偽造防止構造体３０は、剥離層２２´が光透過材料により構成されていて、剥離層２２´と隠蔽層１４との間に光回折層３２を備えている。光回折層３２はいわゆるホログラムであり、導電層１６と共に、偽造防止構造体３０の偽造防止機能をより高める。光回折層３２は、テラヘルツ電磁波が均一に透過可能である。
【００３２】
光回折層３２は、剥離層２２´と隠蔽層１４との間の全体に配置されていることが出来るし、剥離層２２´と隠蔽層１４との間の一部にのみ配置されていても良い。しかしながら、偽造防止構造体３０における導電性層１６の位置を推定されないよう、導電性層１６の寸法に比べ充分に大きな寸法を有しているか、又は導電性層１６から大きくはなれた位置に配置されていることが好ましい。
【００３３】
［偽造防止構造体の第３変形例］
次に、図６を参照しながら、第３変形例に従った偽造防止構造体４０を説明する。図６は、図２と同様な、第３変形例に従った偽造防止構造体４０の一部の断面図である。
【００３４】
なお、第３変形例に従った偽造防止構造体４０の構成の大部分は、図５を参照しながら前述した第２変形例に従った偽造防止構造体３０の構成の大部分と同じである。そして、図５を参照しながら前述した第２変形例に従った偽造防止構造体３０の構成の大部分は、図１乃至図３を参照しながら前述した一実施形態に従った偽造防止構造体１０の構成の大部分と同じである。従って、第３変形例に従った偽造防止構造体４０において、図１乃至図３を参照しながら前述した一実施形態に従った偽造防止構造体１０の構成部材と同じ構成部材や図５を参照しながら前述した第２変形例に従った偽造防止構造体３０の構成部材と同じ構成部材には、前述した一実施形態に従った偽造防止構造体１０や前述した第２変形例に従った偽造防止構造体３０の対応する構成部材に付されていた参照符号と同じ参照符号を付して詳細な説明は省略する。
【００３５】
第３変形例の偽造防止構造体４０では、基材１２´が光透過材料により形成されていて、基材１２´と隠蔽層１４´との間に光回折層３２を備えている。光回折層３２はいわゆるホログラムであり、導電性層１６と共に、偽造防止構造体３０の偽造防止機能をより高める。
【００３６】
光透過材料により形成されている基材１２´は光回折層３２が外部空間に直接露出することを防止し、光回折層３２が損傷されるのを効果的に防止する。
【００３７】
第３変形例の偽造防止構造体４０ではさらに、隠蔽層１４´が例えば金属のような導電性材料により構成されていて、隠蔽層１４´と導電性層１６との間に電気的絶縁層４２を備えている。電気的絶縁層４２も、テラヘルツ電磁波が均一に透過可能である。
【００３８】
隠蔽層１４´を金属の薄膜や蒸着膜により構成すると、導電性層１６の隠蔽効果を減ずることなく厚さを薄くすることが出来る。しかしながら、隠蔽層１４´が例えば金属のような導電性材料により構成された場合には、導電性層１６にテラヘルツ電磁波が透過されたときに導電性層１６が上記テラヘルツ電磁波から上記所定のパターンに対応して生じさせる所定の測定値の大きさが小さくなってしまうことがある。即ち、上記所定の測定値の検出精度が低下し、この発明に従った偽造防止構造体を使用した真贋判別が難しくなることがある。
【００３９】
この場合、隠蔽層１４´と導電性層１６との間に電気的絶縁層４２を備えていると、隠蔽層１４´が例えば金属のような導電性材料により構成されていても、導電性層１６にテラヘルツ電磁波が透過されたときに導電性層１６が上記テラヘルツ電磁波から上記所定のパターンに対応して生じさせる所定の測定値の大きさが小さくなって上記所定の測定値の検出精度が低下することを阻止することが出来、この発明に従った偽造防止構造体を使用した真贋判別が難しくなることを阻止することが出来る。
【００４０】
［偽造防止構造体の第４変形例］
次に、図７を参照しながら、第４変形例に従った偽造防止構造体５０を説明する。図６は、図２と同様な、第３変形例に従った偽造防止構造体５０の一部の断面図である。
【００４１】
なお、第４変形例に従った偽造防止構造体５０の構成の大部分は、図５を参照しながら前述した第２変形例に従った偽造防止構造体３０の構成の大部分と同じである。そして、図５を参照しながら前述した第２変形例に従った偽造防止構造体３０の構成の大部分は、図１乃至図３を参照しながら前述した一実施形態に従った偽造防止構造体１０の構成の大部分と同じである。従って、第４変形例に従った偽造防止構造体５０において、図１乃至図３を参照しながら前述した一実施形態に従った偽造防止構造体１０の構成部材と同じ構成部材や図５を参照しながら前述した第２変形例に従った偽造防止構造体３０の構成部材と同じ構成部材には、前述した一実施形態に従った偽造防止構造体１０や前述した第２変形例に従った偽造防止構造体３０の対応する構成部材に付されていた参照符号と同じ参照符号を付して詳細な説明は省略する。
【００４２】
第４変形例に従った偽造防止構造体５０は、図５を参照しながら前述した第２変形例に従った偽造防止構造体３０の構成を基礎に、図６を参照しながら前述した第３変形例と同様に、隠蔽層１４´が例えば金属のような導電性材料により構成されていて、隠蔽層１４´と導電性層１６との間に電気的絶縁層４２を備えている。
【００４３】
従って、第４変形例に従った偽造防止構造体５０は、図５を参照しながら前述した第２変形例に従った偽造防止構造体３０の構成から得ることが出来る技術的な利点に加え、図６を参照しながら前述した第３変形例において、隠蔽層１４´を例えば金属のような導電性材料により構成し、隠蔽層１４´と導電性層１６との間に電気的絶縁層４２を設けたことにより得ることが出来る技術的な利点もまた得ることが出来る。
【００４４】
［一実施形態及び種々の変形例に従った偽造防止構造体と組み合わされて使用される真贋判別装置］
次に、図８及び図９を参照しながら、図１乃至図３を参照しながら前述したこの発明の一実施形態に従った偽造防止構造体１０，図４乃至図７を参照しながら前述した第１乃至第４変形例に従った偽造防止構造体２０，３０，４０，そして５０の夫々と組み合わせて使用される真贋判別装置６０について説明する。
【００４５】
図８には、真贋判別装置６０の構成が概略的に示されている。真贋判別装置６０は、テラヘルツ電磁波発生手段６２と、テラヘルツ電磁波発生手段６２により発生されたテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを偽造を防止しようとする物体６４に照射するテラヘルツ電磁波照射手段６６と、上記物体６４を透過したテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを受信し受信したテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷに対応した測定値に変換する測定値変換手段６８と、を備えている。
【００４６】
真贋判別装置６０はさらに、判定手段６９と組み合わされて使用される。判定手段６９は、図１乃至図３を参照しながら前述したこの発明の一実施形態に従った偽造防止構造体１０，図４乃至図７を参照しながら前述した第１乃至第４変形例に従った偽造防止構造体２０，３０，４０，そして５０のいずれか、即ちいずれかの偽造防止構造体１０，２０，３０，４０，又は５０の導電性層１６、を透過したテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷから測定値変換手段６８により変換された所定の測定値（即ち、基準値）を記憶している。そして判定手段６９は、物体６４を透過したテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷから測定値変換手段６８により変換された測定値を上記所定の基準値と比較し、上記所定の基準値と物体６４を透過したテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷから測定値変換手段６８により変換された測定値との差異の有無を判定する。
【００４７】
真贋判別装置６０はまたさらに、判定手段６９による判定結果を基に、上記差異がある場合又は上記差異が無い場合のいずれかの場合に警報を発生する報知手段７０を備えている。
【００４８】
この実施の形態においてテラヘルツ電磁波発生手段６２は、０．０１ＴＨｚから１０ＴＨｚ（Ｔ（テラ）：１０１２）の周波数帯域のテラヘルツ電磁波を発生させる。このようなテラヘルツ電磁波は、光のように直進し物体を透過することが出来、透過する物体の形状や寸法に対応した測定値を発生させる。
【００４９】
テラヘルツ電磁波発生手段６２は、レーザー発信機６２ａと、ＰＣ（フォトコンダクター）アンテナ６２ｂと、を含んでいる。レーザー発信機６２ａは、８０ｆｓ（ｆ（フェムト）秒：１０−１５秒）だけレーザー光をＰＣアンテナ６２ｂに向かい照射する。このような超短時間のパルス光を、超短光パルス光という。
【００５０】
ＰＣ（フォトコンダクター）アンテナ６２ｂは半導体であって、その電極にバイアス電圧が負荷されている間にＰＣアンテナ６２ｂに超短光パルス光が照射されることによりＰＣアンテナ６２ｂにキャリアが発生して電流が流れ、その電場の変化の微分に応じてテラヘルツ電磁波が放射される。
【００５１】
なお、ＰＣアンテナ６２ｂにテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを発生させるために照射するレーザー光をポンプ光ＰＬという。
【００５２】
テラヘルツ電磁波照射手段６６は、ＰＣアンテナ６２ｂから発生されたテラヘルツ電磁波を集め所定の方向に向かい照射する放物面鏡６６ａを含む。テラヘルツ電磁波照射手段６６はさらに、放物面鏡６６ａにより所定の方向に向かい照射されたテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷの中に配置されたテラヘルツ電磁波遮蔽部材６６ｂを含む。テラヘルツ電磁波遮蔽部材６６ｂは、その所定の位置にテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを透過させるテラヘルツ電磁波透過開口６６ｃを有している。テラヘルツ電磁波透過開口６６ｃは、テラヘルツ電磁波透過開口６６ｃに隣接して配置されるいずれかの偽造防止構造体１０，２０，３０，４０，又は５０の導電性層１６にのみテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを照射させる形状寸法を有している。
【００５３】
測定値変換手段６８は、テラヘルツ電磁波遮蔽部材６６ｂのテラヘルツ電磁波透過開口６６ｃを透過したテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを所定の方向に向かい照射する放物面鏡６８ａを含む。測定値変換手段６８はさらに、放物面鏡６８ａにより所定の方向に向かい照射されたテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを受信するＰＣ（フォトコンダクター）アンテナ６８ｂを含む。
【００５４】
テラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを受信する為のＰＣ（フォトコンダクター）アンテナ６８ｂも半導体であり、その電極にはバイアス電圧が負荷されていない。
【００５５】
放物面鏡６８ａからのテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを受信したＰＣ（フォトコンダクター）アンテナ６８ｂは、テラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを発信した前述のＰＣ（フォトコンダクター）アンテナ６２ｂとは逆に、テラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを受信している間に、テラヘルツ電磁波発生手段６２のレーザー発信機６２ａからの超短光パルス光からビームスプリッタ７４を介して分光された超短光パルス光が光遅延回路７６を介して照射されることによりテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷに応じた電流を発生させる。
【００５６】
なお、受信用のＰＣアンテナ６８ｂにテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷに対応した電流を発生させるために照射するレーザー光も測定値変換手段６８に含まれ、テラヘルツ電磁波発生用のＰＣアンテナ６２ｂにテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを発生させるために照射するレーザー光（ポンプ光ＰＬ）と同じであり、プローブ光ＳＬという。
【００５７】
光遅延回路７６は反射鏡７６ａをある一定刻みで移動させることによりポンプ光ＰＬに対しプローブ光ＳＬの光路長を一定刻みに変えることが出来、この結果として、測定値変換手段６８にさらに含まれる信号処理部７８はある一定時間毎にＰＣ（フォトコンダクター）アンテナ６８ｂからのテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷに応じた電流のサンプリングが可能になっている。
【００５８】
例えば、反射鏡７６ａを上記光路長の１０ミクロン相当分動かすと、［１０ミクロン／光の速度］である約０．０３３ピコ秒の一定の刻みで上記サンプリングが可能になる。このような時間遅れをプローブ光ＳＬに与えることにより、ある一定時間毎のサンプリングが可能になる。例えば、１０００ポイントを測定すると０．０３ｘ１０００個で３０ピコ秒の間の時間領域における測定波形を得ることが出来る。その波形をフーリエ変換すると周波数領域のデータを得ることが出来る。
【００５９】
なお、上述した周波数領域のデータは、他の方法、例えばレーザー発信機６２によって差周波を発生させること、によって直接得ることが出来る。
【００６０】
判定手段６９は、図１乃至図３を参照しながら前述したこの発明の一実施形態に従った偽造防止構造体１０，図４乃至図７を参照しながら前述した第１乃至第４変形例に従った偽造防止構造体２０，３０，４０，そして５０のいずれか、即ちいずれかの偽造防止構造体１０，２０，３０，４０，又は５０の導電性層１６、を透過したテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷに対応して測定値変換手段６８のＰＣ（フォトコンダクター）アンテナ６８ｂが発生させる電流から信号処理部７８が上述した方法で予め得ていた所定の測定値（即ち、基準値）を記憶している。
【００６１】
そして判定手段６９は、信号処理部７８から入力される前述の測定値と予め記憶していた上記基準値との差異の有無を判定する。この判定方法は、例えば前述の測定値の波形のパターンと上記基準値の波形のパターンとのマッチングを行い、上記基準値の波形のパターンからの前述の測定値の波形のパターンのずれにより判定することが可能である。とはいうものの、全ての公知の判定方法が利用可能であることはいうまでもない。
【００６２】
報知手段７０は、上記差異がある場合又はない場合のいずれかの場合に警報を発生する。この警報は、音，光，振動，画面への表示，その他、真贋判別装置６０の操作者に認識できる種々の公知の方法で発生させることが出来る。
【００６３】
なお、報知手段７０の構成は、上述した以外に種々の公知の構成の組み合わせであることが出来る。
【００６４】
即ち、この実施の形態の真贋判別装置６０は、物体６４の特定の一面又は特定の一部の特定の位置に導電性層１６が存在しており、この導電性層１６をテラヘルツ電磁波遮蔽部材６６ｂのテラヘルツ電磁波透過開口６６ｃに対向しておくことが出来た場合と、物体６４の特定の一面又は特定の一部の特定の位置に導電性層１６が存在していない場合とを、判別することが出来、これにより、物体６４の真贋を判別することが出来る。
【００６５】
この実施の形態の真贋判別装置６０では、テラヘルツ電磁波遮蔽部材６６ｂのテラヘルツ電磁波透過開口６６ｃが、テラヘルツ電磁波透過開口６６ｃに隣接して配置されたいずれかの偽造防止構造体１０，２０，３０，４０，又は５０の導電性層１６にのみテラヘルツ電磁波を照射できるような形状寸法を有しているので、いずれかの偽造防止構造体１０，２０，３０，４０，又は５０の導電性層１６であっても、テラヘルツ電磁波遮蔽部材６６ｂのテラヘルツ電磁波透過開口６６ｃに対向して配置された場合にのみ、テラヘルツ電磁波透過開口６６ｃを透過したテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷにより照射されることが出来、ひいては導電性層１６を透過したテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷに対応した特有の基準値を生じさせることが出来る。
【００６６】
なお、この実施の形態の真贋判別装置６０では：テラヘルツ電磁波発生手段６２は、レーザー発信機６２ａとＰＣ（フォトコンダクター）アンテナ６２ｂとを含んでおり；テラヘルツ電磁波照射手段６６は、放物面鏡６６ａとテラヘルツ電磁波遮蔽部材６６ｂとを含んでおり；さらに、測定値変換手段６８は、放物面鏡６８ａとＰＣ（フォトコンダクター）アンテナ６８ｂとレーザー発信機６２ａからのレーザー光からビームスプリッタ７４により分取され光遅延装置７６を介してＰＣ（フォトコンダクター）アンテナ６８ｂに入射されるプローブ光ＳＬと信号処理部７８とを含んでいる。しかしながら、テラヘルツ電磁波発生手段６２や、テラヘルツ電磁波照射手段６６や、測定値変換手段６８は、テラヘルツ電磁波を発生させることが出来、発生させたテラヘルツ電磁波を所定の部分に照射することが出来、さらに上記所定の部分に照射されたテラヘルツ電磁波を受信して対応する測定値に変換することが出来るいかなる公知の構成であることが出来る。
【００６７】
図９の（Ａ）は、偽装を防止しようとする物体６４の特定の一面全体又は特定の一部に接着層１８を介して接着された図７の偽造防止構造体５０の導電性層１６が、図８の真贋判別装置６０のテラヘルツ電磁波遮蔽部材６６ｂのテラヘルツ電磁波透過開口６６ｃに対向して配置された場合に、真贋判別装置６０により得られた特定の基準値の例が示されている。
【００６８】
ここにおいて、図７の偽造防止構造体５０は、２５μｍの厚さの透明なＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）を基材１２としている。そして、基材１２の一面に１．０μｍの厚さの剥離層２２´が設けられており、剥離層２２´において基材１２とは反対側の一面に０．７μｍの光回折層３２が設けられている。剥離層２２´において基材１２とは反対側の一面に光回折層３２を覆うよう６０ｎｍの圧さの覆層１４´がアルミニウムを真空蒸着することにより設けられている。さらに、覆層１４´において剥離層２２´とは反対側の一面に２．０μｍの電気的絶縁層４２が設けられている。電気的絶縁層４２において覆層１４´とは反対側の一面の所定の位置に厚さ８０ｎｍの導電性層１６が設けられているとともに、導電性層１６を覆うよう２．０μｍの厚さの接着層１８が設けられている。
【００６９】
剥離層２２´は、アクリル樹脂２０部と溶剤（トルエン４０部・ＭＥＫ３５部・酢酸エチル５部）とにより構成されている。
【００７０】
光回折層３２は、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合２５部とウレタン樹脂１０部とＭＥＫ７０部とトルエン３０部とにより構成されている。
【００７１】
電気的絶縁層４２は、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合２５部と溶剤（トルエン４０部・ＭＥＫ３５部・酢酸エチル５部）とにより構成されている。
【００７２】
導電性層１６は、電気的絶縁層４２の上記一面に、直径１６０μｍの円が規則正しく千鳥配列されている６角形状のパターンが水溶性樹脂によりパターン印刷された後にその上にアルミニウムを厚さ８０ｎｍに真空蒸着し、さらに水洗して水溶性樹脂を洗い流すことにより構成されている。
【００７３】
そして、接着層１８は、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合３０部とポリエステル樹脂２０部とポリエステル樹脂２０部とＭＥＫ２５部とトルエン２５部とにより構成されている。
【００７４】
図９の（Ｂ）は、偽装を防止しようとする物体６４の特定の一面全体又は特定の一部に、導電性層１６が設けられていない以外は図７の偽造防止構造体５０と同じ構成の偽造構造体を接着層１８を介して接着し、図８の真贋判別装置６０のテラヘルツ電磁波遮蔽部材６６ｂのテラヘルツ電磁波透過開口６６ｃに上記偽造構造体を対向して配置された場合に、真贋判別装置６０により得られた測定値の例が示されている。
【００７５】
図９の（Ａ）と（Ｂ）とを比べて見ると、導電性層１６が設けられている偽造防止構造体５０と導電性層１６が設けられていない以外は図７の偽造防止構造体５０と同じ構成の偽造構造体との差異が明らかである。
【００７６】
［導電性層１６の第１乃至第３変形例］
図１０の（Ａ），（Ｂ），そして（Ｃ）は、図３の導電性層１６の第１乃至第３変形例を示す拡大された平面図である。
【００７７】
図１０の（Ａ）に示されている図３の導電性層１６の第１変形例に従った導電性層１６´では、全体が図３の導電性層１６と同様に６角形状をしているが、網目状の所定のパターンが相互に同じ寸法の星形状孔１６´ａにより形成されている。
【００７８】
図１０の（Ｂ）に示されている図３の導電性層１６の第２変形例に従った導電性層１６´´では、全体が図３の導電性層１６と同様に６角形状をしているが、図１０の（Ｂ）において紙面に沿い左右方向に相互に平行に延出した複数の細長孔１６´´ａが所定のパターンに配列された開口を構成している。
【００７９】
図１０の（Ｃ）に示されている図３の導電性層１６の第３変形例に従った導電性層１６´´´では、全体が図３の導電性層１６と同様に６角形状をしているが、図１０の（Ｃ）において紙面に沿い上下方向に相互に平行に延出した複数の細長孔１６´´´ａが所定のパターンに配列された開口を構成している。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】図１は、この発明の一実施形態に従っている偽造防止構造体の平面図である。
【図２】図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図３】図３は、図１の一実施形態に従っている偽造防止構造体が備えている導電性層の拡大された平面図である。
【図４】図４は、図２と同様な、第１変形例に従った偽造防止構造体の一部の断面図である。
【図５】図５は、図２と同様な、第２変形例に従った偽造防止構造体の一部の断面図である。
【図６】図６は、図２と同様な、第３変形例に従った偽造防止構造体の一部の断面図である。
【図７】図７は、図２と同様な、第４変形例に従った偽造防止構造体の一部の断面図である。
【図８】図８は、図１乃至図３中のこの発明の一実施形態に従った偽造防止構造体，図４乃至図７中の第１乃至第４変形例に従った偽造防止構造体の夫々と組み合わせて使用される真贋判別装置の構成を概略的に示す図である。
【図９】図９の（Ａ）は、偽装を防止しようとする物体の特定の一面全体又は特定の一部に接着層を介して接着された図７の偽造防止構造体の導電性層が、図８の真贋判別装置のテラヘルツ電磁波遮蔽部材のテラヘルツ電磁波透過開口に対向して配置された場合に、真贋判別装置により得られた特定の測定値の例を示している。図９の（Ｂ）は、偽装を防止しようとする物体の特定の一面全体又は特定の一部に、導電性層が設けられていない以外は図７の偽造防止構造体と同じ構成の偽造構造体を接着層を介して接着し、図８の真贋判別装置のテラヘルツ電磁波遮蔽部材のテラヘルツ電磁波透過開口に上記偽造構造体を対向して配置された場合に、真贋判別装置により得られた測定値の例を示している。
【図１０】図１０の（Ａ），（Ｂ），そして（Ｃ）は、図３の導電性層の第１乃至第３変形例を示す拡大された平面図である。
【符号の説明】
【００８１】
１０…偽造防止構造体、１２，１２´…基材、１４，１４´…隠蔽層、１６，１６´，１６´´，１６´´´…導電性層、１８…接着層、２０…偽造防止構造体、２２，２２´…剥離層、３０…偽造防止構造体、３２…光回折層、４０…偽造防止構造体、４２…電気的絶縁層、６０…真贋判別装置、６２…テラヘルツ電磁波発生手段、６４…物体、６６…テラヘルツ電磁波照射手段、６８…測定値変換手段、６９…判定手段、７０…報知手段。
【技術分野】
【０００１】
この発明は、偽造を防止する為の偽造防止構造体、及びこの偽造防止構造体と組み合わされて使用される真贋判別装置に関係している。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば株券，債券，小切手，商品券，宝くじ券，定期券等の証券類には、偽造を防止する為の種々の工夫がされている。
【０００３】
そのような工夫の一種として、肉眼ではその存在の判別がし難い肉眼判別困難マークを上記証券類に付して上記肉眼判別困難マークを機械により読み取ることが行なわれている。
【０００４】
肉眼判別困難マークは、例えば熱線吸収ガラス粉または赤外線吸収ガラス粉を混ぜたインクにより描かれる。そして、そのような肉眼判別困難マークを、熱線吸収ガラス粉または赤外線吸収ガラス粉を混ぜない同色のインクで描いた模様の中に紛れ込ませると肉眼で一見しただけではその存在が判別しがたい。
【０００５】
とはいうものの、熱線吸収ガラス粉または赤外線吸収ガラス粉を混ぜたインクにより描かれた肉眼判別不能マークは、斜めから仔細に観察すると熱線吸収ガラス粉または赤外線吸収ガラス粉を混ぜない同色のインクで描いた模様から浮き上がったように見えるので、その存在が判別されてしまうことがある。また、指先の感覚の鋭い人は、肉眼判別不能マークとその周囲の上記模様に触ることにより上記模様の中に肉眼判別不能マークが存在していることを知ることが出来る。
【０００６】
上述した如き肉眼判別困難マークは赤外線照射装置を使用すれば上記模様の中に存在していることが容易に判別され、赤外線照射装置と赤外線カメラとを組み合わせることによりその形状や寸法までも容易に知ることが出来る。そして、赤外線照射装置や赤外線カメラは比較的広く用いられているし容易に入手可能である。従って、上述した如き肉眼判別困難マークは比較的容易に偽造が可能である。
【０００７】
特開２０００−３０９７３６号公報（特許文献１）には、赤外線を吸収可能であるとともに可視光は吸収しない赤外線吸収インクが開示されています。そして、このような赤外線吸収インクと同色のインクで描いた模様の中にこのような赤外線吸収インクを使用して肉眼判別不能マークを描けば、そのような肉眼判別不能マークは斜めから仔細に観察されたとしても赤外線吸収インクと同色のインクで描いた模様から浮き上がったように見えることがなくてその存在が判別されてしまうことがないし、指先の感覚の鋭い人に触られたとしても触覚によりその存在が判別されてしまうことがない。
【０００８】
特開平６−２９７８８８号公報（特許文献２）には、可視光領域では目視不可能で、可視光以外の一定波長の光、具体的には紫外線、により識別可能な蛍光を発する特殊蛍光インクを使用して肉眼判別困難マークを描くことが開示されています。このような特殊蛍光インクと同色のインクで描いた模様の上にこのような特殊蛍光インクを使用して肉眼判別不能マークを描けば、そのような肉眼判別不能マークは斜めから仔細に観察されたとしても特殊蛍光インクと同色のインクで描いた模様から浮き上がったように見えることがなくてその存在が判別されてしまうことがないし、指先の感覚の鋭い人に触られたとしても触覚によりその存在が判別されてしまうことがない。
【特許文献１】特開２０００−３０９７３６号公報
【特許文献２】特開平６−２９７８８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特開２０００−３０９７３６号公報（特許文献１）に記載されている如き赤外線吸収インクを使用した肉眼判別困難マークでも、比較的広く用いられているし容易に入手可能である赤外線照射装置を使用すれば上記模様の中に存在していることが容易に判別され、赤外線照射装置と赤外線カメラとを組み合わせることによりその形状や寸法までも容易に知ることが出来る。
【００１０】
また、特開平６−２９７８８８号公報（特許文献２）に記載されている如き特殊蛍光インクを使用した肉眼判別困難マークでも、赤外線照射装置ほどではないにしろ比較的広く用いられているし容易に入手可能である紫外線照射装置を使用すれば上記模様の中に存在していることが容易に判別され、紫外線照射装置とカメラとを組み合わせることによりその形状や寸法までも容易に知ることが出来る。
【００１１】
この発明は上記事情の下でなされ、この発明の目的は、肉眼や触覚でその存在を知ることが出来ず、しかも入手が困難な識別装置によってのみ識別が可能であり、偽造が困難である偽造防止構造体を提供することであり、またこのような偽造防止構造体と組み合わされて使用される真贋判別装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述したこの発明の目的を達成する為に、この発明に従った偽造防止構造体は：テラヘルツ電磁波が透過される基材と；基材の一面に設けられ、非導電性であり、テラヘルツ電磁波が透過される隠蔽層と；基材とは反対側の隠蔽層の一面の所定の位置に設けられ、隠蔽層により隠蔽され、テラヘルツ電磁波が透過される所定のパターンに配列された開口を有する導電性層と；隠蔽層の上記一面に設けられ、テラヘルツ電磁波が透過される接着層と、を備えていて、導電性層はテラヘルツ電磁波が透過されることにより上記テラヘルツ電磁波から上記所定のパターンに対応した所定の測定値を生じさせる、ことを特徴としている。
【００１３】
上述したこの発明の目的を達成する為に、この発明に従った真贋判別装置は：テラヘルツ電磁波発生手段と；テラヘルツ電磁波発生手段により発生されたテラヘルツ電磁波を物体に照射するテラヘルツ電磁波照射手段と；上記物体を透過したテラヘルツ電磁波を受信し、受信したテラヘルツ電磁波に対応した測定値に変換する測定値変換手段と；請求項１乃至５のいずれか１項に記載の偽造防止構造体を透過したテラヘルツ電磁波から上記測定値変換手段により変換された所定の基準値を記憶しており、上記物体を透過したテラヘルツ電磁波から上記測定値変換手段により変換された測定値と比較し、上記所定の基準値と上記物体を透過したテラヘルツ電磁波から上記測定値変換手段により変換された測定値との差異の有無を判定する判定手段と；上記差異がある場合又は上記差異がない場合のいずれかの場合に警報を発生する報知手段と；を備えていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１４】
現在、テラヘルツ電磁波を発生させる装置は入手が困難である。従って、テラヘルツ電磁波が透過されることにより上記テラヘルツ電磁波から上記所定のパターンに対応した所定の測定値を生じさせる所定のパターンに配列された開口を有する導電性層は入手が困難な識別装置によってのみ識別が可能である。しかも、この導電性層は、基材とは反対側の隠蔽層の一面に設けられ隠蔽層により隠蔽されているので、肉眼や触覚でその存在を知ることが出来ない。従って、上述した如く構成されたことを特徴とするこの発明に従った偽造防止構造体は、偽造が困難である。そして、接着層を介して、偽造を防止したい物体に容易に接着することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
［偽造防止構造体の一実施形態］
最初に、図１乃至図３を参照しながら、この発明の一実施形態に従っている偽造防止構造体１０について説明する。なお、図１は、この発明の一実施形態に従っている偽造防止構造体１０の平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。そして、図３は、この発明の一実施形態に従っている偽造防止構造体１０が備えている導電性層の拡大された平面図である。
【００１６】
偽造防止構造体１０は、テラヘルツ電磁波が透過される基材１２と、基材１２の一面に設けられテラヘルツ電磁波が透過される隠蔽層１４と、基材１２とは反対側の隠蔽層１４の一面の所定の位置に設けられ隠蔽層１４により隠蔽されテラヘルツ電磁波が透過される所定のパターンに配列された開口を有する導電性層１６と、隠蔽層１４の上記一面に設けられテラヘルツ電磁波が透過される接着層１８と、を備えている。
【００１７】
基材１２は所定の形状と寸法とを有していて、その全体がテラヘルツ電磁波が均等に透過可能であることが好ましい。基材１２は例えば紙やプラスチックのシートにより作成することが出来る。基材１２の主たる使用目的は、その一面に隠蔽層１４，導電性層１６，そして接着層１８を順次設ける作業をしやすくする為であり、さらには基材１２の一面に順次設けられた隠蔽層１４，導電性層１６，そして接着層１８を、偽造防止構造体１０の製造ラインからの出荷から、実際に偽造防止の為に使用されるまで、損傷しないよう保護する為でもある。
【００１８】
隠蔽層１４は、基材１２とは反対側の隠蔽層１４の一面に設けられた導電性層１６の存在を基材１２の側から肉眼で見て、そして触覚からも、隠蔽することが出来れば例えば金属やセラミックやプラスチック等の如何なる材料でも良い。隠蔽層１４は、基材１２の一面の全体に設けられているが、隠蔽層１４の一面のいずれの位置に導電性層１６が存在しているのが容易に特定することが出来なければ基材１２の一面の全体に設けられていなくとも良い。
【００１９】
導電性層１６は、基材１２や隠蔽層１４を介して肉眼はもちろん触覚からも隠蔽することが出来るように出来る限り薄く作成することが好ましく、例えばアルミニウムのような導電性金属を蒸着することにより形成することが出来る。図３の導電性層１６は、相互に同じ寸法の丸孔１６ａが所定のパターンに網目状に配列されている６角形状をしている。しかしながら、導電性層１６はこの発明の理念に従えば、テラヘルツ電磁波が透過されることにより上記テラヘルツ電磁波から上記所定のパターンに対応した所定の測定値を生じさせるのであれば、個々の網目の形状は丸孔でなくとも良いし、所定のパターンは網目上でなくとも良いし、さらに全体の形状も６角形状以外の任意の形状とすることが出来る。
【００２０】
接着層１８は、導電性層１６が設けられている隠蔽層１４の上記一面に設けられていて、上記一面の全面積に占める導電性層１６の面積の割合が比較的小さければ導電性層１６を覆わなくても良いが、上記面積の割合に係わらず導電性層１６を覆っていることが好ましい。
【００２１】
接着層１８は、テラヘルツ電磁波が透過できれば、例えば感圧接着剤や感熱接着剤や水のような所定の液体が適用されることにより接着性を発揮する接着剤やいわゆる粘着剤を含む如何なる種類の接着剤によっても形成することが出来る。しかしながら、接着層１８が、例えば株券，債券，小切手，商品券，宝くじ券，定期券等の証券類の如き偽造を防止しようとする物体に接着されるまでに、このような物体以外の他の物体に意図せず接着して取り扱いを煩雑にすることを防止する為に、例えば離型紙のような接着層保護覆いにより覆っておくことが出来る。
【００２２】
偽造防止構造体１０は、接着層１８を介して偽造を防止しようとする物体の特定の一面全体に接着されるよう偽造を防止しようとする物体の特定の一面と同じ形状や寸法を有したいわゆるシート状にすることが出来るし、偽造を防止しようとする物体の特定の一面の一部にのみ接着層１８を介して接着されるよう偽造を防止しようとする物体の特定の一面よりも小さな所望の形状や寸法を有したいわゆるラベル状にすることが出来る。
【００２３】
［偽造防止構造体の第１変形例］
次に、図４を参照しながら、第１変形例に従った偽造防止構造体２０を説明する。図４は、図２と同様な、第１変形例に従った偽造防止構造体２０の一部の断面図である。
【００２４】
なお、第１変形例に従った偽造防止構造体２０の構成の大部分は、図１乃至図３を参照しながら前述した一実施形態に従った偽造防止構造体１０の構成の大部分と同じである。従って、第１変形例に従った偽造防止構造体２０において、図１乃至図３を参照しながら前述した一実施形態に従った偽造防止構造体１０の構成部材と同じ構成部材には、一実施形態に従った偽造防止構造体１０の対応する構成部材に付されていた参照符号と同じ参照符号を付して詳細な説明は省略する。
【００２５】
一実施形態では、基材１２の主たる使用目的は、その一面に隠蔽層１４，導電性層１６，そして接着層１８を順次設ける作業をしやすくする為であり、さらには基材１２の一面に順次設けられた隠蔽層１４，導電性層１６，そして接着層１８を、偽造防止構造体１０の製造ラインからの出荷から、実際に偽造防止の為に使用されるまで、損傷しないよう保護する為でもあると説明した。
【００２６】
従って、偽造防止構造体１０が偽造を防止する物体に接着層１８を介して接着された後には、隠蔽層１４，導電性層１６，そして接着層１８の夫々に比べ比較的厚さが大きな基材１２が不要になる場合がある。
【００２７】
第１変形例に従った偽造防止構造体２０は、このような場合に役立つよう、基材１２の前記一面と隠蔽層１４との間に、基材１２を隠蔽層１４から容易に剥離可能にする剥離層２２を備えている。剥離層２２は、テラヘルツ電磁波が均一に透過可能である。
【００２８】
剥離層２２は、基材１２が剥離層２２から剥離された後に、隠蔽層１４が外部空間に直接露出しないようにしており、隠蔽層１４が外部空間に直接露出することにより損傷を受けやすくなるのを防止している。
【００２９】
［偽造防止構造体の第２変形例］
次に、図５を参照しながら、第２変形例に従った偽造防止構造体３０を説明する。図５は、図２と同様な、第２変形例に従った偽造防止構造体３０の一部の断面図である。
【００３０】
なお、第２変形例に従った偽造防止構造体３０の構成の大部分は、図４を参照しながら前述した第１変形例に従った偽造防止構造体３０の構成の大部分と同じである。そして、図４を参照しながら前述した第１変形例に従った偽造防止構造体３０の構成の大部分は、図１乃至図３を参照しながら前述した一実施形態に従った偽造防止構造体１０の構成の大部分と同じである。従って、第２変形例に従った偽造防止構造体３０において、図１乃至図３を参照しながら前述した一実施形態に従った偽造防止構造体１０の構成部材や図４を参照しながら前述した第１変形例に従った偽造防止構造体２０の構成部材と同じ構成部材には、前述した一実施形態に従った偽造防止構造体１０や前述した第１変形例に従った偽造防止構造体２０の対応する構成部材に付されていた参照符号と同じ参照符号を付して詳細な説明は省略する。
【００３１】
第２変形例の偽造防止構造体３０は、剥離層２２´が光透過材料により構成されていて、剥離層２２´と隠蔽層１４との間に光回折層３２を備えている。光回折層３２はいわゆるホログラムであり、導電層１６と共に、偽造防止構造体３０の偽造防止機能をより高める。光回折層３２は、テラヘルツ電磁波が均一に透過可能である。
【００３２】
光回折層３２は、剥離層２２´と隠蔽層１４との間の全体に配置されていることが出来るし、剥離層２２´と隠蔽層１４との間の一部にのみ配置されていても良い。しかしながら、偽造防止構造体３０における導電性層１６の位置を推定されないよう、導電性層１６の寸法に比べ充分に大きな寸法を有しているか、又は導電性層１６から大きくはなれた位置に配置されていることが好ましい。
【００３３】
［偽造防止構造体の第３変形例］
次に、図６を参照しながら、第３変形例に従った偽造防止構造体４０を説明する。図６は、図２と同様な、第３変形例に従った偽造防止構造体４０の一部の断面図である。
【００３４】
なお、第３変形例に従った偽造防止構造体４０の構成の大部分は、図５を参照しながら前述した第２変形例に従った偽造防止構造体３０の構成の大部分と同じである。そして、図５を参照しながら前述した第２変形例に従った偽造防止構造体３０の構成の大部分は、図１乃至図３を参照しながら前述した一実施形態に従った偽造防止構造体１０の構成の大部分と同じである。従って、第３変形例に従った偽造防止構造体４０において、図１乃至図３を参照しながら前述した一実施形態に従った偽造防止構造体１０の構成部材と同じ構成部材や図５を参照しながら前述した第２変形例に従った偽造防止構造体３０の構成部材と同じ構成部材には、前述した一実施形態に従った偽造防止構造体１０や前述した第２変形例に従った偽造防止構造体３０の対応する構成部材に付されていた参照符号と同じ参照符号を付して詳細な説明は省略する。
【００３５】
第３変形例の偽造防止構造体４０では、基材１２´が光透過材料により形成されていて、基材１２´と隠蔽層１４´との間に光回折層３２を備えている。光回折層３２はいわゆるホログラムであり、導電性層１６と共に、偽造防止構造体３０の偽造防止機能をより高める。
【００３６】
光透過材料により形成されている基材１２´は光回折層３２が外部空間に直接露出することを防止し、光回折層３２が損傷されるのを効果的に防止する。
【００３７】
第３変形例の偽造防止構造体４０ではさらに、隠蔽層１４´が例えば金属のような導電性材料により構成されていて、隠蔽層１４´と導電性層１６との間に電気的絶縁層４２を備えている。電気的絶縁層４２も、テラヘルツ電磁波が均一に透過可能である。
【００３８】
隠蔽層１４´を金属の薄膜や蒸着膜により構成すると、導電性層１６の隠蔽効果を減ずることなく厚さを薄くすることが出来る。しかしながら、隠蔽層１４´が例えば金属のような導電性材料により構成された場合には、導電性層１６にテラヘルツ電磁波が透過されたときに導電性層１６が上記テラヘルツ電磁波から上記所定のパターンに対応して生じさせる所定の測定値の大きさが小さくなってしまうことがある。即ち、上記所定の測定値の検出精度が低下し、この発明に従った偽造防止構造体を使用した真贋判別が難しくなることがある。
【００３９】
この場合、隠蔽層１４´と導電性層１６との間に電気的絶縁層４２を備えていると、隠蔽層１４´が例えば金属のような導電性材料により構成されていても、導電性層１６にテラヘルツ電磁波が透過されたときに導電性層１６が上記テラヘルツ電磁波から上記所定のパターンに対応して生じさせる所定の測定値の大きさが小さくなって上記所定の測定値の検出精度が低下することを阻止することが出来、この発明に従った偽造防止構造体を使用した真贋判別が難しくなることを阻止することが出来る。
【００４０】
［偽造防止構造体の第４変形例］
次に、図７を参照しながら、第４変形例に従った偽造防止構造体５０を説明する。図６は、図２と同様な、第３変形例に従った偽造防止構造体５０の一部の断面図である。
【００４１】
なお、第４変形例に従った偽造防止構造体５０の構成の大部分は、図５を参照しながら前述した第２変形例に従った偽造防止構造体３０の構成の大部分と同じである。そして、図５を参照しながら前述した第２変形例に従った偽造防止構造体３０の構成の大部分は、図１乃至図３を参照しながら前述した一実施形態に従った偽造防止構造体１０の構成の大部分と同じである。従って、第４変形例に従った偽造防止構造体５０において、図１乃至図３を参照しながら前述した一実施形態に従った偽造防止構造体１０の構成部材と同じ構成部材や図５を参照しながら前述した第２変形例に従った偽造防止構造体３０の構成部材と同じ構成部材には、前述した一実施形態に従った偽造防止構造体１０や前述した第２変形例に従った偽造防止構造体３０の対応する構成部材に付されていた参照符号と同じ参照符号を付して詳細な説明は省略する。
【００４２】
第４変形例に従った偽造防止構造体５０は、図５を参照しながら前述した第２変形例に従った偽造防止構造体３０の構成を基礎に、図６を参照しながら前述した第３変形例と同様に、隠蔽層１４´が例えば金属のような導電性材料により構成されていて、隠蔽層１４´と導電性層１６との間に電気的絶縁層４２を備えている。
【００４３】
従って、第４変形例に従った偽造防止構造体５０は、図５を参照しながら前述した第２変形例に従った偽造防止構造体３０の構成から得ることが出来る技術的な利点に加え、図６を参照しながら前述した第３変形例において、隠蔽層１４´を例えば金属のような導電性材料により構成し、隠蔽層１４´と導電性層１６との間に電気的絶縁層４２を設けたことにより得ることが出来る技術的な利点もまた得ることが出来る。
【００４４】
［一実施形態及び種々の変形例に従った偽造防止構造体と組み合わされて使用される真贋判別装置］
次に、図８及び図９を参照しながら、図１乃至図３を参照しながら前述したこの発明の一実施形態に従った偽造防止構造体１０，図４乃至図７を参照しながら前述した第１乃至第４変形例に従った偽造防止構造体２０，３０，４０，そして５０の夫々と組み合わせて使用される真贋判別装置６０について説明する。
【００４５】
図８には、真贋判別装置６０の構成が概略的に示されている。真贋判別装置６０は、テラヘルツ電磁波発生手段６２と、テラヘルツ電磁波発生手段６２により発生されたテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを偽造を防止しようとする物体６４に照射するテラヘルツ電磁波照射手段６６と、上記物体６４を透過したテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを受信し受信したテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷに対応した測定値に変換する測定値変換手段６８と、を備えている。
【００４６】
真贋判別装置６０はさらに、判定手段６９と組み合わされて使用される。判定手段６９は、図１乃至図３を参照しながら前述したこの発明の一実施形態に従った偽造防止構造体１０，図４乃至図７を参照しながら前述した第１乃至第４変形例に従った偽造防止構造体２０，３０，４０，そして５０のいずれか、即ちいずれかの偽造防止構造体１０，２０，３０，４０，又は５０の導電性層１６、を透過したテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷから測定値変換手段６８により変換された所定の測定値（即ち、基準値）を記憶している。そして判定手段６９は、物体６４を透過したテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷから測定値変換手段６８により変換された測定値を上記所定の基準値と比較し、上記所定の基準値と物体６４を透過したテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷから測定値変換手段６８により変換された測定値との差異の有無を判定する。
【００４７】
真贋判別装置６０はまたさらに、判定手段６９による判定結果を基に、上記差異がある場合又は上記差異が無い場合のいずれかの場合に警報を発生する報知手段７０を備えている。
【００４８】
この実施の形態においてテラヘルツ電磁波発生手段６２は、０．０１ＴＨｚから１０ＴＨｚ（Ｔ（テラ）：１０１２）の周波数帯域のテラヘルツ電磁波を発生させる。このようなテラヘルツ電磁波は、光のように直進し物体を透過することが出来、透過する物体の形状や寸法に対応した測定値を発生させる。
【００４９】
テラヘルツ電磁波発生手段６２は、レーザー発信機６２ａと、ＰＣ（フォトコンダクター）アンテナ６２ｂと、を含んでいる。レーザー発信機６２ａは、８０ｆｓ（ｆ（フェムト）秒：１０−１５秒）だけレーザー光をＰＣアンテナ６２ｂに向かい照射する。このような超短時間のパルス光を、超短光パルス光という。
【００５０】
ＰＣ（フォトコンダクター）アンテナ６２ｂは半導体であって、その電極にバイアス電圧が負荷されている間にＰＣアンテナ６２ｂに超短光パルス光が照射されることによりＰＣアンテナ６２ｂにキャリアが発生して電流が流れ、その電場の変化の微分に応じてテラヘルツ電磁波が放射される。
【００５１】
なお、ＰＣアンテナ６２ｂにテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを発生させるために照射するレーザー光をポンプ光ＰＬという。
【００５２】
テラヘルツ電磁波照射手段６６は、ＰＣアンテナ６２ｂから発生されたテラヘルツ電磁波を集め所定の方向に向かい照射する放物面鏡６６ａを含む。テラヘルツ電磁波照射手段６６はさらに、放物面鏡６６ａにより所定の方向に向かい照射されたテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷの中に配置されたテラヘルツ電磁波遮蔽部材６６ｂを含む。テラヘルツ電磁波遮蔽部材６６ｂは、その所定の位置にテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを透過させるテラヘルツ電磁波透過開口６６ｃを有している。テラヘルツ電磁波透過開口６６ｃは、テラヘルツ電磁波透過開口６６ｃに隣接して配置されるいずれかの偽造防止構造体１０，２０，３０，４０，又は５０の導電性層１６にのみテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを照射させる形状寸法を有している。
【００５３】
測定値変換手段６８は、テラヘルツ電磁波遮蔽部材６６ｂのテラヘルツ電磁波透過開口６６ｃを透過したテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを所定の方向に向かい照射する放物面鏡６８ａを含む。測定値変換手段６８はさらに、放物面鏡６８ａにより所定の方向に向かい照射されたテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを受信するＰＣ（フォトコンダクター）アンテナ６８ｂを含む。
【００５４】
テラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを受信する為のＰＣ（フォトコンダクター）アンテナ６８ｂも半導体であり、その電極にはバイアス電圧が負荷されていない。
【００５５】
放物面鏡６８ａからのテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを受信したＰＣ（フォトコンダクター）アンテナ６８ｂは、テラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを発信した前述のＰＣ（フォトコンダクター）アンテナ６２ｂとは逆に、テラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを受信している間に、テラヘルツ電磁波発生手段６２のレーザー発信機６２ａからの超短光パルス光からビームスプリッタ７４を介して分光された超短光パルス光が光遅延回路７６を介して照射されることによりテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷに応じた電流を発生させる。
【００５６】
なお、受信用のＰＣアンテナ６８ｂにテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷに対応した電流を発生させるために照射するレーザー光も測定値変換手段６８に含まれ、テラヘルツ電磁波発生用のＰＣアンテナ６２ｂにテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷを発生させるために照射するレーザー光（ポンプ光ＰＬ）と同じであり、プローブ光ＳＬという。
【００５７】
光遅延回路７６は反射鏡７６ａをある一定刻みで移動させることによりポンプ光ＰＬに対しプローブ光ＳＬの光路長を一定刻みに変えることが出来、この結果として、測定値変換手段６８にさらに含まれる信号処理部７８はある一定時間毎にＰＣ（フォトコンダクター）アンテナ６８ｂからのテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷに応じた電流のサンプリングが可能になっている。
【００５８】
例えば、反射鏡７６ａを上記光路長の１０ミクロン相当分動かすと、［１０ミクロン／光の速度］である約０．０３３ピコ秒の一定の刻みで上記サンプリングが可能になる。このような時間遅れをプローブ光ＳＬに与えることにより、ある一定時間毎のサンプリングが可能になる。例えば、１０００ポイントを測定すると０．０３ｘ１０００個で３０ピコ秒の間の時間領域における測定波形を得ることが出来る。その波形をフーリエ変換すると周波数領域のデータを得ることが出来る。
【００５９】
なお、上述した周波数領域のデータは、他の方法、例えばレーザー発信機６２によって差周波を発生させること、によって直接得ることが出来る。
【００６０】
判定手段６９は、図１乃至図３を参照しながら前述したこの発明の一実施形態に従った偽造防止構造体１０，図４乃至図７を参照しながら前述した第１乃至第４変形例に従った偽造防止構造体２０，３０，４０，そして５０のいずれか、即ちいずれかの偽造防止構造体１０，２０，３０，４０，又は５０の導電性層１６、を透過したテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷに対応して測定値変換手段６８のＰＣ（フォトコンダクター）アンテナ６８ｂが発生させる電流から信号処理部７８が上述した方法で予め得ていた所定の測定値（即ち、基準値）を記憶している。
【００６１】
そして判定手段６９は、信号処理部７８から入力される前述の測定値と予め記憶していた上記基準値との差異の有無を判定する。この判定方法は、例えば前述の測定値の波形のパターンと上記基準値の波形のパターンとのマッチングを行い、上記基準値の波形のパターンからの前述の測定値の波形のパターンのずれにより判定することが可能である。とはいうものの、全ての公知の判定方法が利用可能であることはいうまでもない。
【００６２】
報知手段７０は、上記差異がある場合又はない場合のいずれかの場合に警報を発生する。この警報は、音，光，振動，画面への表示，その他、真贋判別装置６０の操作者に認識できる種々の公知の方法で発生させることが出来る。
【００６３】
なお、報知手段７０の構成は、上述した以外に種々の公知の構成の組み合わせであることが出来る。
【００６４】
即ち、この実施の形態の真贋判別装置６０は、物体６４の特定の一面又は特定の一部の特定の位置に導電性層１６が存在しており、この導電性層１６をテラヘルツ電磁波遮蔽部材６６ｂのテラヘルツ電磁波透過開口６６ｃに対向しておくことが出来た場合と、物体６４の特定の一面又は特定の一部の特定の位置に導電性層１６が存在していない場合とを、判別することが出来、これにより、物体６４の真贋を判別することが出来る。
【００６５】
この実施の形態の真贋判別装置６０では、テラヘルツ電磁波遮蔽部材６６ｂのテラヘルツ電磁波透過開口６６ｃが、テラヘルツ電磁波透過開口６６ｃに隣接して配置されたいずれかの偽造防止構造体１０，２０，３０，４０，又は５０の導電性層１６にのみテラヘルツ電磁波を照射できるような形状寸法を有しているので、いずれかの偽造防止構造体１０，２０，３０，４０，又は５０の導電性層１６であっても、テラヘルツ電磁波遮蔽部材６６ｂのテラヘルツ電磁波透過開口６６ｃに対向して配置された場合にのみ、テラヘルツ電磁波透過開口６６ｃを透過したテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷにより照射されることが出来、ひいては導電性層１６を透過したテラヘルツ電磁波ＴＨＭＷに対応した特有の基準値を生じさせることが出来る。
【００６６】
なお、この実施の形態の真贋判別装置６０では：テラヘルツ電磁波発生手段６２は、レーザー発信機６２ａとＰＣ（フォトコンダクター）アンテナ６２ｂとを含んでおり；テラヘルツ電磁波照射手段６６は、放物面鏡６６ａとテラヘルツ電磁波遮蔽部材６６ｂとを含んでおり；さらに、測定値変換手段６８は、放物面鏡６８ａとＰＣ（フォトコンダクター）アンテナ６８ｂとレーザー発信機６２ａからのレーザー光からビームスプリッタ７４により分取され光遅延装置７６を介してＰＣ（フォトコンダクター）アンテナ６８ｂに入射されるプローブ光ＳＬと信号処理部７８とを含んでいる。しかしながら、テラヘルツ電磁波発生手段６２や、テラヘルツ電磁波照射手段６６や、測定値変換手段６８は、テラヘルツ電磁波を発生させることが出来、発生させたテラヘルツ電磁波を所定の部分に照射することが出来、さらに上記所定の部分に照射されたテラヘルツ電磁波を受信して対応する測定値に変換することが出来るいかなる公知の構成であることが出来る。
【００６７】
図９の（Ａ）は、偽装を防止しようとする物体６４の特定の一面全体又は特定の一部に接着層１８を介して接着された図７の偽造防止構造体５０の導電性層１６が、図８の真贋判別装置６０のテラヘルツ電磁波遮蔽部材６６ｂのテラヘルツ電磁波透過開口６６ｃに対向して配置された場合に、真贋判別装置６０により得られた特定の基準値の例が示されている。
【００６８】
ここにおいて、図７の偽造防止構造体５０は、２５μｍの厚さの透明なＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）を基材１２としている。そして、基材１２の一面に１．０μｍの厚さの剥離層２２´が設けられており、剥離層２２´において基材１２とは反対側の一面に０．７μｍの光回折層３２が設けられている。剥離層２２´において基材１２とは反対側の一面に光回折層３２を覆うよう６０ｎｍの圧さの覆層１４´がアルミニウムを真空蒸着することにより設けられている。さらに、覆層１４´において剥離層２２´とは反対側の一面に２．０μｍの電気的絶縁層４２が設けられている。電気的絶縁層４２において覆層１４´とは反対側の一面の所定の位置に厚さ８０ｎｍの導電性層１６が設けられているとともに、導電性層１６を覆うよう２．０μｍの厚さの接着層１８が設けられている。
【００６９】
剥離層２２´は、アクリル樹脂２０部と溶剤（トルエン４０部・ＭＥＫ３５部・酢酸エチル５部）とにより構成されている。
【００７０】
光回折層３２は、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合２５部とウレタン樹脂１０部とＭＥＫ７０部とトルエン３０部とにより構成されている。
【００７１】
電気的絶縁層４２は、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合２５部と溶剤（トルエン４０部・ＭＥＫ３５部・酢酸エチル５部）とにより構成されている。
【００７２】
導電性層１６は、電気的絶縁層４２の上記一面に、直径１６０μｍの円が規則正しく千鳥配列されている６角形状のパターンが水溶性樹脂によりパターン印刷された後にその上にアルミニウムを厚さ８０ｎｍに真空蒸着し、さらに水洗して水溶性樹脂を洗い流すことにより構成されている。
【００７３】
そして、接着層１８は、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合３０部とポリエステル樹脂２０部とポリエステル樹脂２０部とＭＥＫ２５部とトルエン２５部とにより構成されている。
【００７４】
図９の（Ｂ）は、偽装を防止しようとする物体６４の特定の一面全体又は特定の一部に、導電性層１６が設けられていない以外は図７の偽造防止構造体５０と同じ構成の偽造構造体を接着層１８を介して接着し、図８の真贋判別装置６０のテラヘルツ電磁波遮蔽部材６６ｂのテラヘルツ電磁波透過開口６６ｃに上記偽造構造体を対向して配置された場合に、真贋判別装置６０により得られた測定値の例が示されている。
【００７５】
図９の（Ａ）と（Ｂ）とを比べて見ると、導電性層１６が設けられている偽造防止構造体５０と導電性層１６が設けられていない以外は図７の偽造防止構造体５０と同じ構成の偽造構造体との差異が明らかである。
【００７６】
［導電性層１６の第１乃至第３変形例］
図１０の（Ａ），（Ｂ），そして（Ｃ）は、図３の導電性層１６の第１乃至第３変形例を示す拡大された平面図である。
【００７７】
図１０の（Ａ）に示されている図３の導電性層１６の第１変形例に従った導電性層１６´では、全体が図３の導電性層１６と同様に６角形状をしているが、網目状の所定のパターンが相互に同じ寸法の星形状孔１６´ａにより形成されている。
【００７８】
図１０の（Ｂ）に示されている図３の導電性層１６の第２変形例に従った導電性層１６´´では、全体が図３の導電性層１６と同様に６角形状をしているが、図１０の（Ｂ）において紙面に沿い左右方向に相互に平行に延出した複数の細長孔１６´´ａが所定のパターンに配列された開口を構成している。
【００７９】
図１０の（Ｃ）に示されている図３の導電性層１６の第３変形例に従った導電性層１６´´´では、全体が図３の導電性層１６と同様に６角形状をしているが、図１０の（Ｃ）において紙面に沿い上下方向に相互に平行に延出した複数の細長孔１６´´´ａが所定のパターンに配列された開口を構成している。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】図１は、この発明の一実施形態に従っている偽造防止構造体の平面図である。
【図２】図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図３】図３は、図１の一実施形態に従っている偽造防止構造体が備えている導電性層の拡大された平面図である。
【図４】図４は、図２と同様な、第１変形例に従った偽造防止構造体の一部の断面図である。
【図５】図５は、図２と同様な、第２変形例に従った偽造防止構造体の一部の断面図である。
【図６】図６は、図２と同様な、第３変形例に従った偽造防止構造体の一部の断面図である。
【図７】図７は、図２と同様な、第４変形例に従った偽造防止構造体の一部の断面図である。
【図８】図８は、図１乃至図３中のこの発明の一実施形態に従った偽造防止構造体，図４乃至図７中の第１乃至第４変形例に従った偽造防止構造体の夫々と組み合わせて使用される真贋判別装置の構成を概略的に示す図である。
【図９】図９の（Ａ）は、偽装を防止しようとする物体の特定の一面全体又は特定の一部に接着層を介して接着された図７の偽造防止構造体の導電性層が、図８の真贋判別装置のテラヘルツ電磁波遮蔽部材のテラヘルツ電磁波透過開口に対向して配置された場合に、真贋判別装置により得られた特定の測定値の例を示している。図９の（Ｂ）は、偽装を防止しようとする物体の特定の一面全体又は特定の一部に、導電性層が設けられていない以外は図７の偽造防止構造体と同じ構成の偽造構造体を接着層を介して接着し、図８の真贋判別装置のテラヘルツ電磁波遮蔽部材のテラヘルツ電磁波透過開口に上記偽造構造体を対向して配置された場合に、真贋判別装置により得られた測定値の例を示している。
【図１０】図１０の（Ａ），（Ｂ），そして（Ｃ）は、図３の導電性層の第１乃至第３変形例を示す拡大された平面図である。
【符号の説明】
【００８１】
１０…偽造防止構造体、１２，１２´…基材、１４，１４´…隠蔽層、１６，１６´，１６´´，１６´´´…導電性層、１８…接着層、２０…偽造防止構造体、２２，２２´…剥離層、３０…偽造防止構造体、３２…光回折層、４０…偽造防止構造体、４２…電気的絶縁層、６０…真贋判別装置、６２…テラヘルツ電磁波発生手段、６４…物体、６６…テラヘルツ電磁波照射手段、６８…測定値変換手段、６９…判定手段、７０…報知手段。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テラヘルツ電磁波が透過される基材と；
基材の一面に設けられ、非導電性であり、テラヘルツ電磁波が透過される隠蔽層と；
基材とは反対側の隠蔽層の一面の所定の位置に設けられ、隠蔽層により隠蔽され、テラヘルツ電磁波が透過される所定のパターンに配列された開口を有する導電性層と；
隠蔽層の上記一面に設けられ、テラヘルツ電磁波が透過される接着層と、
を備えていて、
導電性層はテラヘルツ電磁波が透過されることにより上記テラヘルツ電磁波から上記所定のパターンに対応した所定の測定値を生じさせる、
ことを特徴とする偽造防止構造体。
【請求項２】
基材の前記一面と隠蔽層との間に、テラヘルツ電磁波が透過されるとともに基材を隠蔽層から剥離可能にする剥離層を備えている、ことを特徴とする請求項１に記載の偽造防止構造体。
【請求項３】
剥離層が光透過材料により形成されていて、テラヘルツ電磁波が透過されるとともに、剥離層と隠蔽層との間に光の照射により回折を生じさせる光回折層を備えている、ことを特徴とする請求項２に記載の偽造防止構造体。
【請求項４】
基材が光透過材料により形成されていて、テラヘルツ電磁波が透過されるとともに、基材と隠蔽層との間に光の照射により回折を生じさせる光回折層を備えている、ことを特徴とする請求項１に記載の偽造防止構造体。
【請求項５】
隠蔽層が導電性材料により形成されていて、テラヘルツ電磁波が透過されるとともに、隠蔽層と導電性層との間に電気的絶縁層を備えている、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の偽造防止構造体。
【請求項６】
テラヘルツ電磁波発生手段と；
テラヘルツ電磁波発生手段により発生されたテラヘルツ電磁波を物体に照射するテラヘルツ電磁波照射手段と；
上記物体を透過したテラヘルツ電磁波を受信し、受信したテラヘルツ電磁波に対応した測定値に変換する測定値変換手段と；
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の偽造防止構造体を透過したテラヘルツ電磁波から上記測定値変換手段により変換された所定の基準値を記憶しており、上記物体を透過したテラヘルツ電磁波から上記測定値変換手段により変換された測定値と比較し、上記所定の基準値と上記物体を透過したテラヘルツ電磁波から上記測定値変換手段により変換された測定値との差異の有無を判定する判定手段と；
上記差異がある場合又は上記差異がない場合のいずれかの場合に警報を発生する報知手段と；
を備えていることを特徴とする真贋判別装置。
【請求項１】
テラヘルツ電磁波が透過される基材と；
基材の一面に設けられ、非導電性であり、テラヘルツ電磁波が透過される隠蔽層と；
基材とは反対側の隠蔽層の一面の所定の位置に設けられ、隠蔽層により隠蔽され、テラヘルツ電磁波が透過される所定のパターンに配列された開口を有する導電性層と；
隠蔽層の上記一面に設けられ、テラヘルツ電磁波が透過される接着層と、
を備えていて、
導電性層はテラヘルツ電磁波が透過されることにより上記テラヘルツ電磁波から上記所定のパターンに対応した所定の測定値を生じさせる、
ことを特徴とする偽造防止構造体。
【請求項２】
基材の前記一面と隠蔽層との間に、テラヘルツ電磁波が透過されるとともに基材を隠蔽層から剥離可能にする剥離層を備えている、ことを特徴とする請求項１に記載の偽造防止構造体。
【請求項３】
剥離層が光透過材料により形成されていて、テラヘルツ電磁波が透過されるとともに、剥離層と隠蔽層との間に光の照射により回折を生じさせる光回折層を備えている、ことを特徴とする請求項２に記載の偽造防止構造体。
【請求項４】
基材が光透過材料により形成されていて、テラヘルツ電磁波が透過されるとともに、基材と隠蔽層との間に光の照射により回折を生じさせる光回折層を備えている、ことを特徴とする請求項１に記載の偽造防止構造体。
【請求項５】
隠蔽層が導電性材料により形成されていて、テラヘルツ電磁波が透過されるとともに、隠蔽層と導電性層との間に電気的絶縁層を備えている、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の偽造防止構造体。
【請求項６】
テラヘルツ電磁波発生手段と；
テラヘルツ電磁波発生手段により発生されたテラヘルツ電磁波を物体に照射するテラヘルツ電磁波照射手段と；
上記物体を透過したテラヘルツ電磁波を受信し、受信したテラヘルツ電磁波に対応した測定値に変換する測定値変換手段と；
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の偽造防止構造体を透過したテラヘルツ電磁波から上記測定値変換手段により変換された所定の基準値を記憶しており、上記物体を透過したテラヘルツ電磁波から上記測定値変換手段により変換された測定値と比較し、上記所定の基準値と上記物体を透過したテラヘルツ電磁波から上記測定値変換手段により変換された測定値との差異の有無を判定する判定手段と；
上記差異がある場合又は上記差異がない場合のいずれかの場合に警報を発生する報知手段と；
を備えていることを特徴とする真贋判別装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００８−２５４３１０（Ｐ２００８−２５４３１０Ａ）
【公開日】平成２０年１０月２３日（２００８．１０．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−９８６２４（Ｐ２００７−９８６２４）
【出願日】平成１９年４月４日（２００７．４．４）
【出願人】（０００００３１９３）凸版印刷株式会社 (10,630)
【出願人】（０００００１４３２）グローリー株式会社 (1,344)
【出願人】（５０４１７６９１１）国立大学法人大阪大学 (1,536)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１０月２３日（２００８．１０．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年４月４日（２００７．４．４）
【出願人】（０００００３１９３）凸版印刷株式会社 (10,630)
【出願人】（０００００１４３２）グローリー株式会社 (1,344)
【出願人】（５０４１７６９１１）国立大学法人大阪大学 (1,536)
【Ｆターム（参考）】
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