説明

光ディスク用保護膜、保護膜形成用スパッタリングターゲットおよび該スパッタリングターゲットの製造方法

【課題】 ZnS−20mol%SiO2と同等の光の屈折率と透過率を有し、かつ、青色DVDのシステムにおいても良好なディスク性能を確保できる保護膜を提供する。
【解決手段】 SiO2粉末とSiC粉末を、SiO2に対するSiCの比率がモル比で0.2〜1.0となるように混合し、得られた混合物を真空雰囲気中または不活性雰囲気中で加圧焼結してスパッタリングターゲットを作製する。このスパッタリングターゲットをアルゴン雰囲気中でスパッタリングすることにより、Siの原子数比を1.0としたとき、O及びCの原子数比が1.0:0.5〜1.7:0.17の範囲にある光ディスク用保護膜を得ることができる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、DVD等の光ディスクに用いられる保護膜、および保護膜形成に用いられるスパッタリングターゲットに関する。
【背景技術】
【0002】
コンピュータ情報や映像情報あるいは音楽情報を記録する媒体としてCD−RW、DVD−RW、DVD−RAM、DVD+RW等の各種相変化型光ディスク(以下、光ディスクと記す)が用いられている。これらの光ディスクは、方式やメーカーによって若干の構造の違いはあるものの、いずれも透明なプラスチック基板上に各種機能を有する薄膜をスパッタリングによって層状に形成することによって作られている。
【0003】
図1に一般的な光ディスクの層構造を示す。図1に示すように、プラスチック基板1上に、保護膜2、記録膜3、保護膜4、反射膜5、オーバーコート層6の順に層が形成されている。
【0004】
これら層のうち、保護膜は、データを記録するGeSbTeやAgInSbTe等からなる記録膜の両側を挟む形で形成される層で、従来よりZnS−20mol%SiO2が用いられている。ZnS−20mol%SiO2は光の屈折率と透過率が高く、かつ、アモルファス構造を有するため、保護膜として用いると良好な光ディスク信頼性を確保できる。なお、保護膜に高い光の屈折率が求められる理由は、保護膜の厚さを薄くすることが可能となり、光ディスクの生産性を向上させられるためである。
【0005】
一方、近年、光ディスクの記録密度を高める目的で、記録の書き込みや読み出しに用いるレーザーの波長をCDシステムの780nmやDVDシステムの633nmから405nmへと短くした光ディスクシステム、いわゆる青色DVDシステムが開発されている。
【0006】
しかし、この青色DVDシステムにおいては、従来の光ディスクシステムと比較してディスク上に照射されるレーザースポット内のエネルギー密度が高く、従来材のZnS−20mol%SiO2では保護膜として不十分であり、データ書き換え後に良好なジッター特性を確保できないという問題が生じてきている。
【0007】
ZnS−20mol%SiO2以外の光ディスク用保護膜として、特許文献1(特開2003−331370号公報)において、Si原子を35モル%以上含み、さらにCとOを含む保護膜が提案されている。この保護膜は、ZnS−20mol%SiO2膜とAg系反射膜の間にごく薄く形成され、Ag系反射層の腐食を防止する効果を有するとされる。
【0008】
しかし、特許文献1で提案されている保護膜は、青色DVDへの適用を意図したものではなく、青色DVDのシステムで用いることができるかどうかは不明である。さらに、特許文献1で提案されている保護膜は、ZnS−20mol%SiO2膜とAg系反射膜の間に設けるもので、記録膜と接することのない膜であるため、そのままZnS−20mol%SiO2膜の代替として用いることはできないと考えられる。
【0009】
特許文献2(特開2003−121605号公報)においては、ディスプレイ表面の外光反射を抑制する反射防止膜を構成する低屈折率の光学用薄膜としてSiC膜を用いること、および、その形成方法として導電性SiCターゲットを用いることが示されている。しかしながら、当該発明はディスプレイ表面の外光反射を抑制する反射防止膜に用途が限定されており、記録膜の保護膜として用いることを想定したものではない。
【0010】
【特許文献1】特開2003−331370号公報
【0011】
【特許文献2】特開2003−121605号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0012】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであって、ZnS−20mol%SiO2と同等の光の屈折率と透過率を有し、かつ、青色DVDのシステムにおいても良好な光ディスク性能を確保できる光ディスク用保護膜を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0013】
本発明に係るスパッタリングターゲットは、SiとOとCとからなるスパッタリングターゲットであって、Siの原子数比を1.0としたとき、O及びCの原子数比が1.0:0.5〜1.7:0.17の範囲にあることを特徴とする。
【0014】
当該スパッタリングターゲットは、SiO2粉末とSiC粉末を、SiO2に対するSiCの比率がモル比で0.2〜1.0となるように混合し、得られた混合物を真空雰囲気中または不活性雰囲気中で加圧焼結することにより得ることができる。
【0015】
前記スパッタリングターゲットは、光ディスク用保護膜の形成に用いることができる。
【0016】
本発明に係る光ディスク用保護膜は、SiとOとCとからなるディスク用保護膜であって、Siの原子数比を1.0としたとき、O及びCの原子数比が1.0;0.5〜1.7:0.17の範囲にあることを特徴とする。
【0017】
当該光ディスク用保護膜は、前記本発明に係るスパッタリングターゲットを用いて、アルゴン雰囲気中でスパッタリングすることにより得ることが好ましい。この場合、当該光ディスク用保護膜の組成は、スパッタリングに用いたスパッタリングターゲットと実質的に同一である。
【発明の効果】
【0018】
本発明に係る光ディスク用保護膜は、ZnS−20mol%SiO2と同等の光屈折率と光透過率を有し、かつ、記録膜および反射膜との反応性が低いので、本発明に係る光ディスク用保護膜を用いれば、青色DVDシステムにおいても良好な性能を発揮できる光ディスクを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0019】
本発明者は、前述した課題を解決するため試験研究を重ねた。その結果、以下のような知見を得た。
【0020】
(1)青色DVDシステムにおいてZnS−20mol%SiO2を保護膜として用いた場合にディスク性能を確保できない理由は、高エネルギー密度の青色レーザー照射時にZnS−20mol%SiO2膜がSb−Te合金系記録膜やAg合金系反射膜との間で反応を起こし、各膜の特性が大きく変化するためである。
【0021】
(2)SiO2とSiCを所定の比率で混合し焼結して得たターゲットを用いてスパッタリングすることにより、青色レーザー照射に対しても良好な特性を有する膜を得られる。
【0022】
(3)SiO2単独あるいはSiC単独の膜を用いた場合においても、Sb−Te合金系記録膜との間の反応性およびAg合金系反射膜との間の反応性は小さいが、これらの場合には光の透過性や屈折率、あるいは他の膜との密着性等の点で所望の特性を満足することはできない。
【0023】
本発明は、上述した知見に基づき完成されたものである。以下、本発明に係る光ディスク用保護膜、スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法の各構成要件における数値限定理由等について説明する。
【0024】
「光ディスク用保護膜」
本発明の保護膜は、SiとOとCとからなる。本発明の保護膜の組成は、Siの原子数比を1.0としたとき、O及びCの原子数比が1.0:0.5〜1.7:0.17の範囲にある。
【0025】
Oの原子数比をこのように規定した理由は、OのSiに対する原子数比が1.0より小さくなると膜の光透過性が低下するからであり、逆にOの含有量が1.7より大きくなると膜の屈折率が低くなりすぎて光ディスクの光学設計に支障をきたすようになるからである。
【0026】
また、CのSiに対する原子数比を前記のように規定した理由は、Cの原子数比が0.17より小さくなると屈折率が低くなりすぎるからであり、逆にCの原子数比が0.5より大きくなると膜の透過性や密着性が損なわれるからである。
【0027】
さらに、O及びCの原子数比を1.0:0.5〜1.7:0.17の範囲とするのは、膜の透過性と密着性を確保した上で、屈折率を光ディスクに用いるのに好適な値とするためである。
【0028】
本発明の光ディスク用保護膜は、目的とする膜と実質的に同一の組成範囲を有するスパッタリングターゲットを、アルゴン雰囲気中において高周波電源を用いたマグネトロンスパッタリング法によりスパッタリングすることによって得ることができる。
【0029】
なお、スパッタ条件によっては、同一組成のスパッタリングターゲットを用いても、生成される膜中のO量あるいはC量は若干変動する場合があるが、Siの原子数比を1.0としたときのOとCのそれぞれの原子数比が本発明に係る保護膜の範囲に入っていれば、本発明の範囲に含められる。
【0030】
また、SiCターゲットやSiC+Siターゲットのように酸素を含まないターゲットを用いても、酸素混合雰囲気中における反応性スパッタリングにより、酸素を含む膜を作成することは可能であり、当該方法によっても本発明に係る保護膜を作製することは可能である。さらに、酸素混合雰囲気中で反応性スパッタリングすることによって、SiC+SiO2ターゲット中のOの原子数比よりも作成した保護膜中のOの原子数比を高めることも可能である。しかしながら、安定した膜品質を得るには酸素濃度の厳密な制御が必要であり、実際の光ディスク生産では酸素濃度を厳密に制御することが難しいことから、この方法は好ましい作製方法とはいえない。
【0031】
「スパッタリングターゲット」
本発明のスパッタリングターゲットは、SiとOとCとからなり、その組成は、Siの原子数比を1.0としたとき、O及びCの原子数比が1.0:0.5〜1.7:0.17の範囲にあり、本発明に係る保護膜に要求される組成と実質的に同じである。
【0032】
本発明のスパッタリングターゲットは、SiO2とSiCからなる原料粉末を、SiO2に対するSiCの比率がモル比で0.2〜1.0となるように、常温大気中において乾式法により混合し、得られた混合物を、通常のホットプレス法またはHIP法を用いて、真空雰囲気中または不活性雰囲気中で加圧焼結することにより得ることができる。
【0033】
本発明のスパッタリングターゲットの作製に用いるSiO2とSiCの純度および粒径については特に限定しないが、高密度の焼結体を得るため、および膜の透明度を確保するため、99.99%程度の純度を有する100μm以下の径を有する粉末が好ましい。SiO2とSiCの粉末の混合は、乾式法でも湿式法でもよい。
【0034】
また、焼結させやすくする目的でSiO2とSiCの混合時に炭素系の焼結助剤を用いることも可能である。ただし、炭素系焼結助剤の量をあまり多量にするとスパッタリングターゲットに含まれるC量が多くなり、その結果スパッタリングにより得られる膜中のC量も増加して膜の光透過性が損なわれるので、炭素系焼結助剤の量は全体の1.0質量%以下とするのが好ましい。
【実施例】
【0035】
99.99%純度を有するSiC粉、SiO2粉を下記表1に示すような比率(SiO2とSiCの混合モル比)で配合し、それを乾式ボールミルで10時間混合した後に、ホットプレス装置を用いて真空雰囲気中で1200℃で焼成して焼結体を得た。加圧圧力は300kg/cm2とした。このようにして得られた焼結体を直径150mm×厚さ5mmに機械加工した後、バッキングプレートへInはんだで接合することにより、スパッタリングターゲットを作製した。
【0036】
ターゲットの組成はICP(inductively coupled plasma : 誘導結合プラズマ)分析で焼結体の小片を分析することにより求めた。特性評価用の薄膜試料は、これらのターゲットと日本真空技術社製スパッタ装置を用いて作製を行った。具体的には、アルゴン100%雰囲気中で高周波電源を用いたマグネトロンスパッタ法を用い、ガラス基板上に所定の厚さの膜を形成することで作製した。形成した膜の組成はEPMA測定により分析した。ターゲットと膜の組成分析結果を表1に示す。
【0037】
【表1】

【0038】
形成した膜の光学特性については、エリプソメーターと分光光度計を用いて評価を行った。具体的には、ガラス基板上に形成した厚さ1000Åの膜について、波長405nmの光を用いて屈折率と透過率を測定した。
【0039】
形成した膜と記録膜材料との反応性については、形成した厚さ1000Åの膜の上で記録膜の成分であるAg、In、Sn及びTeからなる合金をアルゴン雰囲気中で800℃まで加熱することによって溶融させ、その後室温まで冷却し、その後の膜の状態を目視観察することで評価を行った。記録膜材料と反応してしまい、形成した膜が消失した場合を不合格、膜の消失がなかった場合を合格と判定した。
【0040】
形成した膜と反射膜材料との反応性については、ガラス基板上に形成した厚さ2000Åの純Ag膜の上に、各組成のターゲットを用いて200Åの膜を形成し、これを試料として用いて評価を行った。具体的には、この試料を80℃、85%の恒温恒湿槽に500時間保持した場合の純Ag膜の反射率の変化を測定し、反射率の低下が5%未満の場合を合格とした。
【0041】
さらに、形成した膜を実際に青色DVD用保護膜として使用した場合の性能を確認するために、ポリカーボネート基板上に、Ag反射膜1000Å/保護膜200Å/Ag、In、Sn及びTeからなる記録膜200Å/保護膜800Åの各層をスパッタリング法により順次形成した後、さらに0.1μmのオーバーコート層を塗布した試料を作製した。このようにして得られた試料について、初期化処理を施した後に、波長405nmのレーザー光をオーバーコート側から照射して、書き込み処理と消去処理を100回繰り返した。その際、線速は7.0m/secとし、消去用レーザーパワーは3mW、書き込み用レーザーパワーは6mWとした。
【0042】
初期化処理終了後の試料と、100回目の消去処理を行った後の試料について、オーバーコート側から反射率の測定を行い、反射率の変化率を求めた。
【0043】
また、初期化処理後に温度80℃、湿度85%の恒温恒湿槽で500時間保持した試料を作製し、同様に反射率の変化率を求めた。
【0044】
保護膜性能の良否は、上記処理による反射率の劣化の程度で評価し、反射率の低下が10%未満の場合を合格とした。
【0045】
さらに、温度80℃、湿度85%で500時間保持した試料については、膜の密着性試験を実施した。膜の密着性は、オーバーコートの上から接着させた接着テープを剥離させた場合に、保護膜の前後で剥離が起こった場合を不合格、それ以外を合格と判定した。
【0046】
得られた結果を表2にまとめて示した。表2には同様に評価した従来材ZnS−20mol%SiO2(比較例3)の結果も併せて示してある。
【0047】
【表2】

【0048】
表2から明らかなように、本発明の範囲内の保護膜(実施例1〜4)は従来材のZnS−20mol%SiO2(比較例3)とほぼ同等の光学特性(屈折率と透過率)を有し、かつ、記録膜材料および反射膜材料との反応性が小さく、光ディスクとしての性能(反射膜の反射率、保護膜の密着性)を劣化させにくい。
【0049】
一方、本発明の範囲内に含まれないSiO2のみからなる保護膜(比較例1)は、光の屈折率が従来材のZnS−20mol%SiO2(比較例3)よりも30%程度小さく、光ディスクの光学設計に支障をきたす。また、本発明の範囲内に含まれないSiCのみからなる保護膜(比較例2)は、光の透過率が従来材のZnS−20mol%SiO2(比較例3)よりも11%程度小さく、光ディスクの保護膜として適さない。また、記録膜および反射膜との密着性も悪い。
【0050】
従来材のZnS−20mol%SiO2(比較例3)は記録膜材料および反射膜材料との反応性が大きく、光ディスクの性能を劣化させやすい。
【図面の簡単な説明】
【0051】
【図1】一般的な光ディスクの層構造を示す図である。
【符号の説明】
【0052】
1:プラスチック基板
2,4:保護膜
3:記録膜
5:反射膜
6:オーバーコート層

【特許請求の範囲】
【請求項1】
SiとOとCとからなるスパッタリングターゲットであって、Siの原子数比を1.0としたとき、O及びCの原子数比が1.0:0.5〜1.7:0.17の範囲にあることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項2】
SiO2粉末とSiC粉末を、SiO2に対するSiCの比率がモル比で0.2〜1.0となるように混合し、得られた混合物を真空雰囲気中または不活性雰囲気中で加圧焼結することにより得られる請求項1に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項3】
光ディスク用保護膜の形成に用いることを特徴とする請求項1又は2に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項4】
SiとOとCとからなるディスク用保護膜であって、Siの原子数比を1.0としたとき、O及びCの原子数比が1.0:0.5〜1.7:0.17の範囲にあることを特徴とする光ディスク用保護膜。
【請求項5】
請求項1〜3のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを用いて、アルゴン雰囲気中でスパッタリングすることにより得られる光ディスク用保護膜。
【請求項6】
SiO2粉末とSiC粉末を、SiO2に対するSiCの比率がモル比で0.2〜1.0となるように混合し、得られた混合物を真空雰囲気中または不活性雰囲気中で加圧焼結することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。

【図1】
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【公開番号】特開2006−28537(P2006−28537A)
【公開日】平成18年2月2日(2006.2.2)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2004−204675(P2004−204675)
【出願日】平成16年7月12日(2004.7.12)
【出願人】(000183303)住友金属鉱山株式会社 (2,015)
【Fターム(参考)】