光ディスク装置
【課題】光ディスクから読み出すデータの品質が劣化しない、信頼性の高い光ディスク装置を提供する。
【解決手段】青紫色レーザー光りを出力する半導体レーザー１と、半導体レーザー１を駆動する駆動電流供給手段４と、駆動電流供給手段４から供給される駆動電流に高周波電流を重畳する高周波電流重畳手段５を備えて、光ディスク１０のデータを再生する光ディスク装置において、半導体レーザー１に印加する高周波の振幅を調整する振幅調整手段１４と、再生する光ディスク１０の記録層の数を検出する記録層数検出手段とを設けて、記録層数検出手段の検出数に基づいて、振幅調整手段１４によって半導体レーザー１に印加する高周波の振幅を調整する。
【解決手段】青紫色レーザー光りを出力する半導体レーザー１と、半導体レーザー１を駆動する駆動電流供給手段４と、駆動電流供給手段４から供給される駆動電流に高周波電流を重畳する高周波電流重畳手段５を備えて、光ディスク１０のデータを再生する光ディスク装置において、半導体レーザー１に印加する高周波の振幅を調整する振幅調整手段１４と、再生する光ディスク１０の記録層の数を検出する記録層数検出手段とを設けて、記録層数検出手段の検出数に基づいて、振幅調整手段１４によって半導体レーザー１に印加する高周波の振幅を調整する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク装置に係り、特にブルーレーザーを用いる光ディスク装置の高周波重畳条件を最適化する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光ディスク装置は、レーザー光を出力する半導体レーザーと、前記レーザー光を出力するために半導体レーザーに駆動電流を供給する駆動電流供給手段と、その駆動電流供給手段によって供給される駆動電流に高周波電流を重畳する高周波電流重畳手段とを備えている。
【０００３】
光源として波長が比較的長い赤外線レーザーを用いた光ディスク装置の場合、環境温度によってディスク特性が劣化することがなかったため、前記高周波電流重畳手段によって駆動電流に重畳する高周波電流の重畳量は一定であった。
【０００４】
近年、光ディスク装置の記録密度を向上するために、光源波長を短波長化すると共に対物レンズの開口数を大きくすることが有効な手段であることが分かり、光源として波長が４００〜４１０ｎｍ付近の青紫色レーザー光を用いた、所謂、ブルーレイディスク（Ｂｌｕ−ｒａｙ−Ｄｉｓｅｃ）が出現している。
【０００５】
半導体レーザー駆動装置の先行技術文献として、例えば特開２００２−３１９１６９号公報や特開２００６−２０９８１２号公報などを挙げることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−３１９１６９号公報
【特許文献２】特開２００６−２０９８１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで前記ブルーレイディスクを使用した光ディスク装置の場合、再生時に光源（半導体レーザー）の周囲の温度、すなわち環境温度の上昇によって青紫色レーザーの特性が変化し、重畳電流量が増加して、記録してあったデータが劣化し、甚だしいときには前記データが誤消去されるという欠点がある。
【０００８】
本発明の目的は、このような従来技術の欠点を解消し、光ディスクから読み出すデータの品質が劣化しない、信頼性の高い光ディスク装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するため本発明の第１の手段は、
波長が４００〜４１０ｎｍのレーザー光を出力する半導体レーザーと、その半導体レーザーを駆動する駆動電流を前記半導体レーザーに供給する駆動電流供給手段と、その駆動電流供給手段によって供給される駆動電流に高周波電流を重畳する高周波電流重畳手段を備え、
前記半導体レーザーから出力されたレーザー光を用いて光ディスクに記録されているデータを再生する光ディスク装置において、
前記半導体レーザーに印加する高周波の振幅を調整する振幅調整手段と、再生する前記光ディスクの記録層の数を検出する記録層数検出手段とを設けて、
その記録層数検出手段の検出数に基づいて、前記振幅調整手段によって前記半導体レーザーに印加する高周波の振幅を調整する構成になっていることを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の第２の手段は、
半導体レーザーの微分抵抗値の大小に応じて、半導体レーザーと光ディスクドライバーとを接続しているＦＰＣの導電パターンの幅寸法を変えたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は前述のような構成になっており、光ディスクから読み出すデータの品質が劣化しない、信頼性の高い光ディスク装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施例に係る光ディスク装置の概略構成図である。
【図２】本発明の実施例１を説明するための一部ブロック図である。
【図３】本発明の実施例２を説明するための一部ブロック図である。
【図４】本発明の実施例３を説明するための一部ブロック図である。
【図５】各種条件でのレーザー出力波形を示す図である。
【図６】各種条件でのレーザー出力波形を示す波形図である。
【図７】半導体レーザーを駆動する駆動電流に周波数電流を重畳するときの設定条件を説明するための図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
次に本発明の実施例について図面を用いて説明する。
図１は、本発明の実施例に係る光ディスク装置の概略構成図である。
同図に示すように光ディスク装置は、半導体レーザー１を内蔵した光ピックアップ装置２と、各種制御を司る制御部３と、前記半導体レーザー１を駆動する駆動電流を供給する駆動電流供給部４と、その駆動電流供給部４によって供給される駆動電流に高周波電流を重畳する高周波電流重畳部５と、前記半導体レーザー１の出力が一定になるように制御するＡＰＣ回路６などを備えている。
【００１４】
前記半導体レーザー１から出力された波長が４００〜４１０ｎｍ付近の青紫色レーザー光は、プリズム７で反射し、コリメータレンズ８で平行光になり、開口数の大きい対物レンズ９で集光され、光ディスク１０の記録面上に光スポットを形成する。光ディスク１０の記録面上で反射したレーザー光は、先ほどとは逆に対物レンズ９、コリメータレンズ８、プリズム７を通り、集光レンズ１１で集光されて光信号検出器１２で受光される。光信号検出器１２では受光した光信号を電気信号に変換して、前記光ディスク１０に記録されているデータとして再生回路（図示せず）に送られる。
【００１５】
前記半導体レーザー１の近傍には、半導体レーザー１付近の環境温度を検出する例えばサーミスタなどの温度検出器１３が設置されており、温度検出器１３からの温度検出信号１５は前記制御部３に入力されるようになっている。この温度検出器１３（サーミスタ）は、光ピックアップ装置２に搭載されている。前記光ディスク１０は図示していないが、記録層が一つの単層ディスクのみではなく、１枚のディスク内にディスクの厚さ方向に複数の記録層からなる多層ディスクも対象に含む。
【００１６】
本発明に係る光ディスク装置は、基本的には図１に示すような構成になっている。次に本発明の具体的な実施例について説明する。
【実施例１】
【００１７】
図２は、実施例１を説明するための一部ブロック図である。
前記制御部３の中に振幅調整部１４が設けられており、前記温度検出器１３からの温度検出信号１５が前記振幅調整部１４に入力される。振幅調整部１４には予め基準温度（例えば３８℃）が設定されており、この基準温度と前記温度検出信号１５が比較され、その温度差情報に基づいて前記半導体レーザー１に印加する高周波の振幅を新たに決定して、その振幅決定信号１６が制御部３から高周波電流重畳部５に出力され、半導体レーザー１に印加する高周波の振幅が振幅決定信号１６によって変更される構成になっている。
【００１８】
この実施例では、基準温度と実際の温度検出信号１５を比較して、その温度差情報に基づいて高周波の振幅を決定したが、温度と高周波の振幅との関係を予めテーブル化しておき、振幅調整部１４に入力される温度検出信号１５と前記温度−高周波振幅テーブルとを照合して、高周波の振幅を決定することもできる。
【実施例２】
【００１９】
図３は、実施例２を説明するための一部ブロック図である。
前記制御部３の中に周波数調整部１７が設けられており、前記温度検出器１３からの温度検出信号１５が前記周波数調整部１７に入力される。周波数調整部１７には予め基準温度（例えば３８℃）が設定されており、この基準温度と前記温度検出信号１５が比較され、その温度差情報に基づいて前記半導体レーザー１に印加する高周波の周波数を新たに決定して、その周波数決定信号１８が制御部３から高周波電流重畳部５に出力され、半導体レーザー１に印加する高周波の周波数が周波数決定信号１８によって変更される構成になっている。前記高周波電流重畳部５は、電圧値によって周波数が変化するＶＣＯを備えて実現することもできる。
【００２０】
この実施例では、基準温度と実際の温度検出信号１５を比較して、その温度差情報に基づいて高周波の周波数を決定したが、温度と高周波の周波数との関係を予めテーブル化しておき、周波数調整部１７に入力される温度検出信号１５と前記温度−周波数テーブルとを照合して、高周波の周波数を決定することもできる。
【実施例３】
【００２１】
図４は、実施例３を説明するための一部ブロック図である。
前記制御部３の中にデューティ調整部１９が設けられており、前記温度検出器１３からの温度検出信号１５が前記デューティ調整部１９に入力される。デューティ調整部１９には予め基準温度（例えば３８℃）が設定されており、この基準温度と前記温度検出信号１５が比較され、その温度差情報に基づいて前記半導体レーザー１に印加する高周波のデューティを新たに決定して、そのデューティ決定信号２０が制御部３から高周波電流重畳部５に出力され、半導体レーザー１に印加する高周波のデューティがデューティ決定信号２０によって変更される構成になっている。
【００２２】
この実施例では、基準温度と実際の温度検出信号１５を比較して、その温度差情報に基づいて高周波のデューティを決定したが、温度と高周波のデューティとの関係を予めテーブル化しておき、デューティ調整部１９に入力される温度検出信号１５と前記温度−デューティテーブルとを照合して、高周波のデューティを決定することもできる。
【００２３】
図５は各種条件でのレーザー出力波形を示す図で、同図（ａ）は、温度検出器１３で計測された半導体レーザー１の周囲の環境温度が３８℃の場合（光ディスク装置を常温で使用している場合）で、半導体レーザー１に印加する高周波の振幅が１０ｍＡｐ−ｐのときの半導体レーザーの出力波形図である。図中の直線ｐは出力波形のピークレべル、直線ａは出力波形の平均強度レべルを示している。
【００２４】
同図（ｂ）は、同図（ａ）の状態から半導体レーザー１の周囲の環境温度が７５℃まで上昇した場合の半導体レーザーの出力波形図で、半導体レーザー１に印加する高周波の振幅は１０ｍＡｐ−ｐのままである。同図（ａ）、（ｂ）を比較すると明らかなように、半導体レーザー１の周囲の環境温度が上昇すると、それに応じて出力波形のピークレべルｐが高くなり、そのためデータの再生時には光ディスクに記録してあったデータが劣化し、甚だしいときにはそのデータが誤消去されるという問題がある。
【００２５】
これに対して同図（ｃ）は、温度検出器１３で計測された半導体レーザー１の周囲の環境温度が３８℃の場合（光ディスク装置を常温で使用している場合）で、半導体レーザー１に印加する高周波の振幅を６ｍＡｐ−ｐに調整したときの半導体レーザーの出力波形図である。また同図（ｄ）は、半導体レーザー１の周囲の環境温度が７５℃まで上昇した場合の半導体レーザーの出力波形図で、半導体レーザー１に印加する高周波の振幅は６ｍＡｐ−ｐのままである。
【００２６】
同図（ｂ）と同図（ｄ）を比較すると明らかなように、半導体レーザー１の環境温度の上昇に伴って半導体レーザー１に印加する高周波の振幅が徐々に小さくなるように前記振幅調整部１４（図２参照）で調整すれば、高温であっても同図（ｂ）よりも出力波形のピークレべルｐを低く抑えることができる。
【００２７】
光ディスク装置を常温で使用している場合は半導体レーザー１に印加する高周波の振幅を例えば１０ｍＡｐ−ｐに設定しておき、半導体レーザー１の周囲の環境温度が例えば７５℃まで上昇したことを温度検出器１３（図２参照）で検出すると、前記振幅調整部１４で例えば６ｍＡｐ−ｐに調整すれば、光ディスクに記録してあったデータが再生時に劣化や誤消去しないことが、他の実験で確認されている。
【００２８】
図６（ａ）は、温度検出器１３で計測された半導体レーザー１の周囲の環境温度が３８℃の場合（光ディスク装置を常温で使用している場合）で、半導体レーザー１に印加する高周波の周波数が３５０ＭＨｚのときの半導体レーザーの出力波形図である。
【００２９】
同図（ｂ）は、同図（ａ）の状態から半導体レーザー１の周囲の環境温度が７５℃まで上昇した場合の半導体レーザーの出力波形図で、半導体レーザー１に印加する高周波の周波数は３５０ＭＨｚのままである。同図（ａ）、（ｂ）を比較すると明らかなように、半導体レーザー１の周囲の環境温度が上昇すると、それに応じて出力波形のピークレべルｐが高くなり、そのために光ディスクに記録してあったデータが劣化し、甚だしいときにはそのデータが誤消去されるという問題がある。
【００３０】
これに対して同図（ｃ）は、温度検出器１３で計測された半導体レーザー１の周囲の環境温度が３８℃の場合（光ディスク装置を常温で使用している場合）で、半導体レーザー１に印加する高周波の周波数を７００ＭＨｚに調整したときの半導体レーザーの出力波形図である。また同図（ｄ）は、半導体レーザー１の周囲の環境温度が７５℃まで上昇した場合の半導体レーザーの出力波形図で、半導体レーザー１に印加する高周波の周波数は７００ＭＨｚのままである。
【００３１】
同図（ｂ）と同図（ｄ）を比較すると明らかなように、半導体レーザー１の環境温度の上昇に伴って半導体レーザー１に印加する高周波の周波数が高くなるように前記周波数調整部１７（図３参照）で調整すれば、高温であっても同図（ｂ）よりも出力波形のピークレべルｐを低く抑えることができる。
【００３２】
光ディスク装置を常温で使用している場合は半導体レーザー１に印加する高周波の周波数を例えば３５０ＭＨｚに設定しておき、半導体レーザー１の周囲の環境温度が例えば７５℃まで上昇したことを温度検出器１３（図３参照）で検出すると、前記周波数調整部１７で例えば７００ＭＨｚに調整すれば、光ディスクに記録してあったデータが再生時に劣化や誤消去しないことが、他の実験で確認されている。
【００３３】
図７は、半導体レーザーを駆動する駆動電流に周波数電流（入力電流）を重畳するときの設定条件を説明するための図である。
【００３４】
同図（ａ）に示すように、Ｉｔｈを跨いで重畳を行う場合、電流がＩｔｈを超えたタイミングで緩和振動周波数の光パルスが立つ。通常、緩和振動周波数は１〜２ＧＨｚであり、重畳周波数よりも早い光パルスが発生し、そのために例えば図５に示す平均強度レべルａに対するピークレべルｐの比率[（ピークレべルｐ）／（平均強度レべルａ）]が高くなってしまう。
【００３５】
一方、同図（ｃ）に示すように、入力電流の振幅がＩｔｈを完全に跨がなくなってしまった場合、出力光波形は入力電流とほぼ同じ出力波形となってしまい、周波数電流を重畳する効果が薄れてしまう。
【００３６】
このようなことから、入力電流の振幅がＩｔｈを跨ぎ、かつ前記（ピークレべルｐ）／（平均強度レべルａ）が高くならないようにするためには、同図（ｂ）に示すように重畳条件を設定する必要がある。
【００３７】
１枚の光ディスクの中にディスク厚さ方向に２層の記録層を有するもの（２層ディスク）は、１枚の光ディスクの中に１層の記録層を有するもの（単層ディスク）に比べて２倍のレーザー出力が必要であるから、高周波重畳量も等価的に増加させる必要性がある。
【００３８】
そのため調整しようとするディスクが２層ディスクか単層ディスクかを判別するディスク判別手段と、そのディスク判別手段の判別結果に基づいて半導体レーザーに対する高周波重畳条件を切り替える重畳条件切り替え手段とを設ける必要がある。このことは、３層以上の多層ディスクの場合も同様である。さらに光ディスクの回転速度（情報再生速度）に応じて、半導体レーザーに対する高周波重畳条件を切り替える重畳条件切り替え手段を設けることもできる。
【００３９】
また、半導体レーザーの微分抵抗値（Ｒｄ）の大小に応じて、半導体レーザーと光ディスクドライバーとを接続しているＦＰＣの導電パターンの幅寸法を変えた光ピックアップ装置を用いることにより、高周波重畳量をほぼ一定にすることができる。具体的には、半導体レーザーの微分抵抗値（Ｒｄ）が小さい場合には、ＦＰＣの導電パターンの幅寸法を大きくし、反対に半導体レーザーの微分抵抗値（Ｒｄ）が大きい場合には、ＦＰＣの導電パターンの幅寸法を小さくした光ピックアップ装置を用いる。
【００４０】
さらにまた、例えば１〜２Ω程度の抵抗を半導体レーザーに対してシリーズに接続した光ピックアップ装置を用いることにより、本発明と同じ効果を奏することができる。
【００４１】
本実施例の特徴点を纏めれば下記の通りである。
（１）波長が４００〜４１０ｎｍのレーザー光を出力する半導体レーザーと、その半導体レーザーを駆動する駆動電流を前記半導体レーザーに供給する駆動電流供給手段と、その駆動電流供給手段によって供給される駆動電流に高周波電流を重畳する高周波電流重畳手段を備え、
前記半導体レーザーから出力されたレーザー光を用いて光ディスクに記録されているデータを再生する光ディスク装置において、
前記半導体レーザーに印加する高周波の振幅を調整する振幅調整手段と、前記半導体レーザー周囲の環境温度を検出する温度検出手段を設けて、
その温度検出手段の検出温度に基づいて、前記振幅調整手段によって前記半導体レーザーに印加する高周波の振幅を調整する構成になっていることを特徴とする。
【００４２】
（２）波長が４００〜４１０ｎｍのレーザー光を出力する半導体レーザーと、その半導体レーザーを駆動する駆動電流を前記半導体レーザーに供給する駆動電流供給手段と、その駆動電流供給手段によって供給される駆動電流に高周波電流を重畳する高周波電流重畳手段を備え、
前記半導体レーザーから出力されたレーザー光を用いて光ディスクに記録されているデータを再生する光ディスク装置において、
前記半導体レーザーに印加する高周波の周波数を調整する周波数調整手段と、前記半導体レーザー周囲の環境温度を検出する温度検出手段を設けて、
その温度検出手段の検出温度に基づいて、前記周波数調整手段によって前記半導体レーザーに印加する高周波の周波数を調整する構成になっていることを特徴とする。
【００４３】
（３）波長が４００〜４１０ｎｍのレーザー光を出力する半導体レーザーと、その半導体レーザーを駆動する駆動電流を前記半導体レーザーに供給する駆動電流供給手段と、その駆動電流供給手段によって供給される駆動電流に高周波電流を重畳する高周波電流重畳手段を備え、
前記半導体レーザーから出力されたレーザー光を用いて光ディスクに記録されているデータを再生する光ディスク装置において、
前記半導体レーザーに印加する高周波のデューティを調整するデューティ調整手段と、前記半導体レーザー周囲の環境温度を検出する温度検出手段を設けて、
その温度検出手段の検出温度に基づいて、前記デューティ調整手段によって前記半導体レーザーに印加する高周波のデューティを調整する構成になっていることを特徴とする。
【００４４】
（４）半導体レーザーを駆動する駆動電流に高周波電流を重畳して、前記半導体レーザーから波長が４００〜４１０ｎｍのレーザー光を出力し、そのレーザー光を用いて光ディスクに記録されているデータを再生する光ディスク再生方法において、
前記半導体レーザー周囲の環境温度を検出して、その検出温度に基づいて前記半導体レーザーに印加する高周波の振幅を調整することを特徴とする。
【００４５】
（５）半導体レーザーを駆動する駆動電流に高周波電流を重畳して、前記半導体レーザーから波長が４００〜４１０ｎｍのレーザー光を出力し、そのレーザー光を用いて光ディスクに記録されているデータを再生する光ディスク再生方法において、
前記半導体レーザー周囲の環境温度を検出して、その検出温度に基づいて前記半導体レーザーに印加する高周波の周波数を調整することを特徴とする。
【００４６】
（６）半導体レーザーを駆動する駆動電流に高周波電流を重畳して、前記半導体レーザーから波長が４００〜４１０ｎｍのレーザー光を出力し、そのレーザー光を用いて光ディスクに記録されているデータを再生する光ディスク再生方法において、
前記半導体レーザー周囲の環境温度を検出して、その検出温度に基づいて前記半導体レーザーに印加する高周波のデューティを調整することを特徴とする。
【００４７】
（７）光ピックアップ装置において、抵抗を半導体レーザーに対してシリーズに接続して重畳して高周波振幅を軽減させたことを特徴とする。
【符号の説明】
【００４８】
１：半導体レーザー、
２：光ピックァップ装置、
３：制御部、
４：駆動電流供給部、
５：高周波電流重畳部、
６：ＡＰＣ回路、
７：プリズム、
８：コリメータレンズ、
９：対物レンズ、
１０：光ディスク、
１１：集光レンズ、
１２：光信号検出器、
１３：温度検出器、
１４：振幅調整部、
１５：温度検出信号、
１６：振幅決定信号、
１７：周波数調整部、
１８：周波数決定信号、
１９：デューティ調整部、
２０：デューティ決定信号。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク装置に係り、特にブルーレーザーを用いる光ディスク装置の高周波重畳条件を最適化する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光ディスク装置は、レーザー光を出力する半導体レーザーと、前記レーザー光を出力するために半導体レーザーに駆動電流を供給する駆動電流供給手段と、その駆動電流供給手段によって供給される駆動電流に高周波電流を重畳する高周波電流重畳手段とを備えている。
【０００３】
光源として波長が比較的長い赤外線レーザーを用いた光ディスク装置の場合、環境温度によってディスク特性が劣化することがなかったため、前記高周波電流重畳手段によって駆動電流に重畳する高周波電流の重畳量は一定であった。
【０００４】
近年、光ディスク装置の記録密度を向上するために、光源波長を短波長化すると共に対物レンズの開口数を大きくすることが有効な手段であることが分かり、光源として波長が４００〜４１０ｎｍ付近の青紫色レーザー光を用いた、所謂、ブルーレイディスク（Ｂｌｕ−ｒａｙ−Ｄｉｓｅｃ）が出現している。
【０００５】
半導体レーザー駆動装置の先行技術文献として、例えば特開２００２−３１９１６９号公報や特開２００６−２０９８１２号公報などを挙げることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−３１９１６９号公報
【特許文献２】特開２００６−２０９８１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで前記ブルーレイディスクを使用した光ディスク装置の場合、再生時に光源（半導体レーザー）の周囲の温度、すなわち環境温度の上昇によって青紫色レーザーの特性が変化し、重畳電流量が増加して、記録してあったデータが劣化し、甚だしいときには前記データが誤消去されるという欠点がある。
【０００８】
本発明の目的は、このような従来技術の欠点を解消し、光ディスクから読み出すデータの品質が劣化しない、信頼性の高い光ディスク装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するため本発明の第１の手段は、
波長が４００〜４１０ｎｍのレーザー光を出力する半導体レーザーと、その半導体レーザーを駆動する駆動電流を前記半導体レーザーに供給する駆動電流供給手段と、その駆動電流供給手段によって供給される駆動電流に高周波電流を重畳する高周波電流重畳手段を備え、
前記半導体レーザーから出力されたレーザー光を用いて光ディスクに記録されているデータを再生する光ディスク装置において、
前記半導体レーザーに印加する高周波の振幅を調整する振幅調整手段と、再生する前記光ディスクの記録層の数を検出する記録層数検出手段とを設けて、
その記録層数検出手段の検出数に基づいて、前記振幅調整手段によって前記半導体レーザーに印加する高周波の振幅を調整する構成になっていることを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の第２の手段は、
半導体レーザーの微分抵抗値の大小に応じて、半導体レーザーと光ディスクドライバーとを接続しているＦＰＣの導電パターンの幅寸法を変えたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は前述のような構成になっており、光ディスクから読み出すデータの品質が劣化しない、信頼性の高い光ディスク装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施例に係る光ディスク装置の概略構成図である。
【図２】本発明の実施例１を説明するための一部ブロック図である。
【図３】本発明の実施例２を説明するための一部ブロック図である。
【図４】本発明の実施例３を説明するための一部ブロック図である。
【図５】各種条件でのレーザー出力波形を示す図である。
【図６】各種条件でのレーザー出力波形を示す波形図である。
【図７】半導体レーザーを駆動する駆動電流に周波数電流を重畳するときの設定条件を説明するための図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
次に本発明の実施例について図面を用いて説明する。
図１は、本発明の実施例に係る光ディスク装置の概略構成図である。
同図に示すように光ディスク装置は、半導体レーザー１を内蔵した光ピックアップ装置２と、各種制御を司る制御部３と、前記半導体レーザー１を駆動する駆動電流を供給する駆動電流供給部４と、その駆動電流供給部４によって供給される駆動電流に高周波電流を重畳する高周波電流重畳部５と、前記半導体レーザー１の出力が一定になるように制御するＡＰＣ回路６などを備えている。
【００１４】
前記半導体レーザー１から出力された波長が４００〜４１０ｎｍ付近の青紫色レーザー光は、プリズム７で反射し、コリメータレンズ８で平行光になり、開口数の大きい対物レンズ９で集光され、光ディスク１０の記録面上に光スポットを形成する。光ディスク１０の記録面上で反射したレーザー光は、先ほどとは逆に対物レンズ９、コリメータレンズ８、プリズム７を通り、集光レンズ１１で集光されて光信号検出器１２で受光される。光信号検出器１２では受光した光信号を電気信号に変換して、前記光ディスク１０に記録されているデータとして再生回路（図示せず）に送られる。
【００１５】
前記半導体レーザー１の近傍には、半導体レーザー１付近の環境温度を検出する例えばサーミスタなどの温度検出器１３が設置されており、温度検出器１３からの温度検出信号１５は前記制御部３に入力されるようになっている。この温度検出器１３（サーミスタ）は、光ピックアップ装置２に搭載されている。前記光ディスク１０は図示していないが、記録層が一つの単層ディスクのみではなく、１枚のディスク内にディスクの厚さ方向に複数の記録層からなる多層ディスクも対象に含む。
【００１６】
本発明に係る光ディスク装置は、基本的には図１に示すような構成になっている。次に本発明の具体的な実施例について説明する。
【実施例１】
【００１７】
図２は、実施例１を説明するための一部ブロック図である。
前記制御部３の中に振幅調整部１４が設けられており、前記温度検出器１３からの温度検出信号１５が前記振幅調整部１４に入力される。振幅調整部１４には予め基準温度（例えば３８℃）が設定されており、この基準温度と前記温度検出信号１５が比較され、その温度差情報に基づいて前記半導体レーザー１に印加する高周波の振幅を新たに決定して、その振幅決定信号１６が制御部３から高周波電流重畳部５に出力され、半導体レーザー１に印加する高周波の振幅が振幅決定信号１６によって変更される構成になっている。
【００１８】
この実施例では、基準温度と実際の温度検出信号１５を比較して、その温度差情報に基づいて高周波の振幅を決定したが、温度と高周波の振幅との関係を予めテーブル化しておき、振幅調整部１４に入力される温度検出信号１５と前記温度−高周波振幅テーブルとを照合して、高周波の振幅を決定することもできる。
【実施例２】
【００１９】
図３は、実施例２を説明するための一部ブロック図である。
前記制御部３の中に周波数調整部１７が設けられており、前記温度検出器１３からの温度検出信号１５が前記周波数調整部１７に入力される。周波数調整部１７には予め基準温度（例えば３８℃）が設定されており、この基準温度と前記温度検出信号１５が比較され、その温度差情報に基づいて前記半導体レーザー１に印加する高周波の周波数を新たに決定して、その周波数決定信号１８が制御部３から高周波電流重畳部５に出力され、半導体レーザー１に印加する高周波の周波数が周波数決定信号１８によって変更される構成になっている。前記高周波電流重畳部５は、電圧値によって周波数が変化するＶＣＯを備えて実現することもできる。
【００２０】
この実施例では、基準温度と実際の温度検出信号１５を比較して、その温度差情報に基づいて高周波の周波数を決定したが、温度と高周波の周波数との関係を予めテーブル化しておき、周波数調整部１７に入力される温度検出信号１５と前記温度−周波数テーブルとを照合して、高周波の周波数を決定することもできる。
【実施例３】
【００２１】
図４は、実施例３を説明するための一部ブロック図である。
前記制御部３の中にデューティ調整部１９が設けられており、前記温度検出器１３からの温度検出信号１５が前記デューティ調整部１９に入力される。デューティ調整部１９には予め基準温度（例えば３８℃）が設定されており、この基準温度と前記温度検出信号１５が比較され、その温度差情報に基づいて前記半導体レーザー１に印加する高周波のデューティを新たに決定して、そのデューティ決定信号２０が制御部３から高周波電流重畳部５に出力され、半導体レーザー１に印加する高周波のデューティがデューティ決定信号２０によって変更される構成になっている。
【００２２】
この実施例では、基準温度と実際の温度検出信号１５を比較して、その温度差情報に基づいて高周波のデューティを決定したが、温度と高周波のデューティとの関係を予めテーブル化しておき、デューティ調整部１９に入力される温度検出信号１５と前記温度−デューティテーブルとを照合して、高周波のデューティを決定することもできる。
【００２３】
図５は各種条件でのレーザー出力波形を示す図で、同図（ａ）は、温度検出器１３で計測された半導体レーザー１の周囲の環境温度が３８℃の場合（光ディスク装置を常温で使用している場合）で、半導体レーザー１に印加する高周波の振幅が１０ｍＡｐ−ｐのときの半導体レーザーの出力波形図である。図中の直線ｐは出力波形のピークレべル、直線ａは出力波形の平均強度レべルを示している。
【００２４】
同図（ｂ）は、同図（ａ）の状態から半導体レーザー１の周囲の環境温度が７５℃まで上昇した場合の半導体レーザーの出力波形図で、半導体レーザー１に印加する高周波の振幅は１０ｍＡｐ−ｐのままである。同図（ａ）、（ｂ）を比較すると明らかなように、半導体レーザー１の周囲の環境温度が上昇すると、それに応じて出力波形のピークレべルｐが高くなり、そのためデータの再生時には光ディスクに記録してあったデータが劣化し、甚だしいときにはそのデータが誤消去されるという問題がある。
【００２５】
これに対して同図（ｃ）は、温度検出器１３で計測された半導体レーザー１の周囲の環境温度が３８℃の場合（光ディスク装置を常温で使用している場合）で、半導体レーザー１に印加する高周波の振幅を６ｍＡｐ−ｐに調整したときの半導体レーザーの出力波形図である。また同図（ｄ）は、半導体レーザー１の周囲の環境温度が７５℃まで上昇した場合の半導体レーザーの出力波形図で、半導体レーザー１に印加する高周波の振幅は６ｍＡｐ−ｐのままである。
【００２６】
同図（ｂ）と同図（ｄ）を比較すると明らかなように、半導体レーザー１の環境温度の上昇に伴って半導体レーザー１に印加する高周波の振幅が徐々に小さくなるように前記振幅調整部１４（図２参照）で調整すれば、高温であっても同図（ｂ）よりも出力波形のピークレべルｐを低く抑えることができる。
【００２７】
光ディスク装置を常温で使用している場合は半導体レーザー１に印加する高周波の振幅を例えば１０ｍＡｐ−ｐに設定しておき、半導体レーザー１の周囲の環境温度が例えば７５℃まで上昇したことを温度検出器１３（図２参照）で検出すると、前記振幅調整部１４で例えば６ｍＡｐ−ｐに調整すれば、光ディスクに記録してあったデータが再生時に劣化や誤消去しないことが、他の実験で確認されている。
【００２８】
図６（ａ）は、温度検出器１３で計測された半導体レーザー１の周囲の環境温度が３８℃の場合（光ディスク装置を常温で使用している場合）で、半導体レーザー１に印加する高周波の周波数が３５０ＭＨｚのときの半導体レーザーの出力波形図である。
【００２９】
同図（ｂ）は、同図（ａ）の状態から半導体レーザー１の周囲の環境温度が７５℃まで上昇した場合の半導体レーザーの出力波形図で、半導体レーザー１に印加する高周波の周波数は３５０ＭＨｚのままである。同図（ａ）、（ｂ）を比較すると明らかなように、半導体レーザー１の周囲の環境温度が上昇すると、それに応じて出力波形のピークレべルｐが高くなり、そのために光ディスクに記録してあったデータが劣化し、甚だしいときにはそのデータが誤消去されるという問題がある。
【００３０】
これに対して同図（ｃ）は、温度検出器１３で計測された半導体レーザー１の周囲の環境温度が３８℃の場合（光ディスク装置を常温で使用している場合）で、半導体レーザー１に印加する高周波の周波数を７００ＭＨｚに調整したときの半導体レーザーの出力波形図である。また同図（ｄ）は、半導体レーザー１の周囲の環境温度が７５℃まで上昇した場合の半導体レーザーの出力波形図で、半導体レーザー１に印加する高周波の周波数は７００ＭＨｚのままである。
【００３１】
同図（ｂ）と同図（ｄ）を比較すると明らかなように、半導体レーザー１の環境温度の上昇に伴って半導体レーザー１に印加する高周波の周波数が高くなるように前記周波数調整部１７（図３参照）で調整すれば、高温であっても同図（ｂ）よりも出力波形のピークレべルｐを低く抑えることができる。
【００３２】
光ディスク装置を常温で使用している場合は半導体レーザー１に印加する高周波の周波数を例えば３５０ＭＨｚに設定しておき、半導体レーザー１の周囲の環境温度が例えば７５℃まで上昇したことを温度検出器１３（図３参照）で検出すると、前記周波数調整部１７で例えば７００ＭＨｚに調整すれば、光ディスクに記録してあったデータが再生時に劣化や誤消去しないことが、他の実験で確認されている。
【００３３】
図７は、半導体レーザーを駆動する駆動電流に周波数電流（入力電流）を重畳するときの設定条件を説明するための図である。
【００３４】
同図（ａ）に示すように、Ｉｔｈを跨いで重畳を行う場合、電流がＩｔｈを超えたタイミングで緩和振動周波数の光パルスが立つ。通常、緩和振動周波数は１〜２ＧＨｚであり、重畳周波数よりも早い光パルスが発生し、そのために例えば図５に示す平均強度レべルａに対するピークレべルｐの比率[（ピークレべルｐ）／（平均強度レべルａ）]が高くなってしまう。
【００３５】
一方、同図（ｃ）に示すように、入力電流の振幅がＩｔｈを完全に跨がなくなってしまった場合、出力光波形は入力電流とほぼ同じ出力波形となってしまい、周波数電流を重畳する効果が薄れてしまう。
【００３６】
このようなことから、入力電流の振幅がＩｔｈを跨ぎ、かつ前記（ピークレべルｐ）／（平均強度レべルａ）が高くならないようにするためには、同図（ｂ）に示すように重畳条件を設定する必要がある。
【００３７】
１枚の光ディスクの中にディスク厚さ方向に２層の記録層を有するもの（２層ディスク）は、１枚の光ディスクの中に１層の記録層を有するもの（単層ディスク）に比べて２倍のレーザー出力が必要であるから、高周波重畳量も等価的に増加させる必要性がある。
【００３８】
そのため調整しようとするディスクが２層ディスクか単層ディスクかを判別するディスク判別手段と、そのディスク判別手段の判別結果に基づいて半導体レーザーに対する高周波重畳条件を切り替える重畳条件切り替え手段とを設ける必要がある。このことは、３層以上の多層ディスクの場合も同様である。さらに光ディスクの回転速度（情報再生速度）に応じて、半導体レーザーに対する高周波重畳条件を切り替える重畳条件切り替え手段を設けることもできる。
【００３９】
また、半導体レーザーの微分抵抗値（Ｒｄ）の大小に応じて、半導体レーザーと光ディスクドライバーとを接続しているＦＰＣの導電パターンの幅寸法を変えた光ピックアップ装置を用いることにより、高周波重畳量をほぼ一定にすることができる。具体的には、半導体レーザーの微分抵抗値（Ｒｄ）が小さい場合には、ＦＰＣの導電パターンの幅寸法を大きくし、反対に半導体レーザーの微分抵抗値（Ｒｄ）が大きい場合には、ＦＰＣの導電パターンの幅寸法を小さくした光ピックアップ装置を用いる。
【００４０】
さらにまた、例えば１〜２Ω程度の抵抗を半導体レーザーに対してシリーズに接続した光ピックアップ装置を用いることにより、本発明と同じ効果を奏することができる。
【００４１】
本実施例の特徴点を纏めれば下記の通りである。
（１）波長が４００〜４１０ｎｍのレーザー光を出力する半導体レーザーと、その半導体レーザーを駆動する駆動電流を前記半導体レーザーに供給する駆動電流供給手段と、その駆動電流供給手段によって供給される駆動電流に高周波電流を重畳する高周波電流重畳手段を備え、
前記半導体レーザーから出力されたレーザー光を用いて光ディスクに記録されているデータを再生する光ディスク装置において、
前記半導体レーザーに印加する高周波の振幅を調整する振幅調整手段と、前記半導体レーザー周囲の環境温度を検出する温度検出手段を設けて、
その温度検出手段の検出温度に基づいて、前記振幅調整手段によって前記半導体レーザーに印加する高周波の振幅を調整する構成になっていることを特徴とする。
【００４２】
（２）波長が４００〜４１０ｎｍのレーザー光を出力する半導体レーザーと、その半導体レーザーを駆動する駆動電流を前記半導体レーザーに供給する駆動電流供給手段と、その駆動電流供給手段によって供給される駆動電流に高周波電流を重畳する高周波電流重畳手段を備え、
前記半導体レーザーから出力されたレーザー光を用いて光ディスクに記録されているデータを再生する光ディスク装置において、
前記半導体レーザーに印加する高周波の周波数を調整する周波数調整手段と、前記半導体レーザー周囲の環境温度を検出する温度検出手段を設けて、
その温度検出手段の検出温度に基づいて、前記周波数調整手段によって前記半導体レーザーに印加する高周波の周波数を調整する構成になっていることを特徴とする。
【００４３】
（３）波長が４００〜４１０ｎｍのレーザー光を出力する半導体レーザーと、その半導体レーザーを駆動する駆動電流を前記半導体レーザーに供給する駆動電流供給手段と、その駆動電流供給手段によって供給される駆動電流に高周波電流を重畳する高周波電流重畳手段を備え、
前記半導体レーザーから出力されたレーザー光を用いて光ディスクに記録されているデータを再生する光ディスク装置において、
前記半導体レーザーに印加する高周波のデューティを調整するデューティ調整手段と、前記半導体レーザー周囲の環境温度を検出する温度検出手段を設けて、
その温度検出手段の検出温度に基づいて、前記デューティ調整手段によって前記半導体レーザーに印加する高周波のデューティを調整する構成になっていることを特徴とする。
【００４４】
（４）半導体レーザーを駆動する駆動電流に高周波電流を重畳して、前記半導体レーザーから波長が４００〜４１０ｎｍのレーザー光を出力し、そのレーザー光を用いて光ディスクに記録されているデータを再生する光ディスク再生方法において、
前記半導体レーザー周囲の環境温度を検出して、その検出温度に基づいて前記半導体レーザーに印加する高周波の振幅を調整することを特徴とする。
【００４５】
（５）半導体レーザーを駆動する駆動電流に高周波電流を重畳して、前記半導体レーザーから波長が４００〜４１０ｎｍのレーザー光を出力し、そのレーザー光を用いて光ディスクに記録されているデータを再生する光ディスク再生方法において、
前記半導体レーザー周囲の環境温度を検出して、その検出温度に基づいて前記半導体レーザーに印加する高周波の周波数を調整することを特徴とする。
【００４６】
（６）半導体レーザーを駆動する駆動電流に高周波電流を重畳して、前記半導体レーザーから波長が４００〜４１０ｎｍのレーザー光を出力し、そのレーザー光を用いて光ディスクに記録されているデータを再生する光ディスク再生方法において、
前記半導体レーザー周囲の環境温度を検出して、その検出温度に基づいて前記半導体レーザーに印加する高周波のデューティを調整することを特徴とする。
【００４７】
（７）光ピックアップ装置において、抵抗を半導体レーザーに対してシリーズに接続して重畳して高周波振幅を軽減させたことを特徴とする。
【符号の説明】
【００４８】
１：半導体レーザー、
２：光ピックァップ装置、
３：制御部、
４：駆動電流供給部、
５：高周波電流重畳部、
６：ＡＰＣ回路、
７：プリズム、
８：コリメータレンズ、
９：対物レンズ、
１０：光ディスク、
１１：集光レンズ、
１２：光信号検出器、
１３：温度検出器、
１４：振幅調整部、
１５：温度検出信号、
１６：振幅決定信号、
１７：周波数調整部、
１８：周波数決定信号、
１９：デューティ調整部、
２０：デューティ決定信号。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長が４００〜４１０ｎｍのレーザー光を出力する半導体レーザーと、その半導体レーザーを駆動する駆動電流を前記半導体レーザーに供給する駆動電流供給手段と、その駆動電流供給手段によって供給される駆動電流に高周波電流を重畳する高周波電流重畳手段を備え、
前記半導体レーザーから出力されたレーザー光を用いて光ディスクに記録されているデータを再生する光ディスク装置において、
前記半導体レーザーに印加する高周波の振幅を調整する振幅調整手段と、再生する前記光ディスクの記録層の数を検出する記録層数検出手段とを設けて、
その記録層数検出手段の検出数に基づいて、前記振幅調整手段によって前記半導体レーザーに印加する高周波の振幅を調整する構成になっていることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
半導体レーザーの微分抵抗値の大小に応じて、半導体レーザーと光ディスクドライバーとを接続しているＦＰＣの導電パターンの幅寸法を変えたことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項１】
波長が４００〜４１０ｎｍのレーザー光を出力する半導体レーザーと、その半導体レーザーを駆動する駆動電流を前記半導体レーザーに供給する駆動電流供給手段と、その駆動電流供給手段によって供給される駆動電流に高周波電流を重畳する高周波電流重畳手段を備え、
前記半導体レーザーから出力されたレーザー光を用いて光ディスクに記録されているデータを再生する光ディスク装置において、
前記半導体レーザーに印加する高周波の振幅を調整する振幅調整手段と、再生する前記光ディスクの記録層の数を検出する記録層数検出手段とを設けて、
その記録層数検出手段の検出数に基づいて、前記振幅調整手段によって前記半導体レーザーに印加する高周波の振幅を調整する構成になっていることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
半導体レーザーの微分抵抗値の大小に応じて、半導体レーザーと光ディスクドライバーとを接続しているＦＰＣの導電パターンの幅寸法を変えたことを特徴とする光ピックアップ装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１３−８０５５６（Ｐ２０１３−８０５５６Ａ）
【公開日】平成２５年５月２日（２０１３．５．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２６２８０４（Ｐ２０１２−２６２８０４）
【出願日】平成２４年１１月３０日（２０１２．１１．３０）
【分割の表示】特願２００９−５９８６５（Ｐ２００９−５９８６５）の分割
【原出願日】平成２１年３月１２日（２００９．３．１２）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．Ｂｌｕ−ｒａｙ
【出願人】（０００１５３５３５）株式会社日立メディアエレクトロニクス (452)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２日（２０１３．５．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年１１月３０日（２０１２．１１．３０）
【分割の表示】特願２００９−５９８６５（Ｐ２００９−５９８６５）の分割
【原出願日】平成２１年３月１２日（２００９．３．１２）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．Ｂｌｕ−ｒａｙ
【出願人】（０００１５３５３５）株式会社日立メディアエレクトロニクス (452)
【Ｆターム（参考）】
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