光半導体装置及びその製造方法
【課題】 凹部に液状の樹脂がポッティングされたフルオロ樹脂よりなる金型に複数のＬＥＤチップが実装された多面取り基板を圧着させる従来の製造方法においては、多面取り基板をセラミックで構成した場合、フルオロ樹脂よりなる金型と多面取り基板との熱膨張係数の相違から、ＬＥＤチップの中心と多面取り基板の凹部の中心とが一致しなかった。
【解決手段】 透明性樹脂層４が形成された非粘着性樹脂型３の各凹部３ａにＬＥＤチップ１が実装された個片セラミック基板２を圧着させ、透明性樹層４を加熱炉で約１５０℃の高温度で1時間程度硬化させる。この結果、個片セラミック基板２は非粘着性樹脂型３の凹部３ａの段差３ａ−１内に傾斜せずに水平に収まることになる。
【解決手段】 透明性樹脂層４が形成された非粘着性樹脂型３の各凹部３ａにＬＥＤチップ１が実装された個片セラミック基板２を圧着させ、透明性樹層４を加熱炉で約１５０℃の高温度で1時間程度硬化させる。この結果、個片セラミック基板２は非粘着性樹脂型３の凹部３ａの段差３ａ−１内に傾斜せずに水平に収まることになる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、光半導体装置たとえば発光ダイオード（ＬＥＤ）装置の製造方法として樹脂型を利用したものがあり、次の通りである（参照：特許文献１）。
（１）準備工程：複数のＬＥＤチップが実装された多面取り基板及びＬＥＤパッケージ用レンズの材料の樹脂が入るように凹部が形成されたフルオロ樹脂よりなる金型を準備する。
（２）ポッティング工程：金型の凹部にレンズの材料となる液状の樹脂を定量だけ注入する。
（３）圧着工程：液状の樹脂が注入された金型上にＬＥＤチップが実装された多面取り基板を圧着させて液状の樹脂を仮硬化させる。
（４）分離工程：金型を分離した後に液状の樹脂を完全硬化させる。
（５）分割工程：最後に、レンズ付きのＬＥＤチップ毎に多面取り基板をダイシング等により分割してＬＥＤパッケージが完成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−６６７３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の示すＬＥＤ装置の製造方法においては、次のような課題があった。
【０００５】
第１に、多面取り基板としてセラミック基板を用いた場合には、そのセラミック基板の熱膨張係数は約７．１×１０Ｅ−６/℃であるのに対して金型たとえばフルオロ樹脂の熱膨張係数は５〜１２×１０Ｅ−５/℃と一桁近く熱膨張係数が異なる。尚、基板のＬＥＤチップの数は、実際には多数個たとえば２０個程度である。従って、圧着工程において、すべてのＬＥＤチップの中心がフルオロ樹脂の金型の凹部の中心に一致することは困難である。この結果、完成したパッケージのレンズ（透明樹脂層）とＬＥＤチップの中心とが一致せず、所望の光学的指向特性が得られないという課題があった。
【０００６】
第２に、圧着工程において、多面取り基板のＬＥＤチップ側の平面部とフルオロ樹脂よりなる金型の凹部以外の平面部との圧力接触によって透明樹脂層の外部への漏れを防止しているが、これだけでは、高温度の仮硬化時に透明樹脂層の圧力上昇による樹脂漏れを完全に防止できず、この結果、多面取り基板の浮き上がりを招き、やはり、所望の光学的指向特性が得られないという課題があった。
【０００７】
第３に、高温度の仮硬化時に発生する気泡を透明樹脂層に巻き込んでしまう可能性がある。この結果、やはり、所望の光学的指向特性が得られないという課題があった。
【０００８】
第４に、多面取り基板のダイシング等による分割工程を必要とするので、製造コストの上昇を招くという課題もあった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述の課題を解決するために、本発明に係る光半導体装置の製造方法は、少なくとも１つの発光素子が実装された個片基板を複数準備する工程と、複数の凹部が形成された樹脂型を準備する工程と、樹脂型の各凹部に光透過性樹脂を注入する工程と、各個片基板を光透過性樹脂が注入された樹脂型の各凹部に圧着する工程と、光透過性樹脂を硬化する工程とを具備し、各凹部は、圧着する工程において、個片基板の側面と当接する側面部、及び、個片基板の発光素子の実装面の一部と当接する上面部を有するものである。これにより、個片基板は樹脂型の凹部に傾斜せずに水平に収まることになる。
【００１０】
また、個片基板を圧着する工程の前において、凹部の開口サイズは個片基板の外形サイズより小さい。凹部には、側面部と上面部から構成される第一の段差の下に、第二の段差が形成されている。これにより、樹脂の外部への漏れを防止して基板の浮き上がりを防止する。
さらにまた、凹部の外側と第二の段差との間の第一の段差に、気泡抜きスリットを設け、この気泡抜きスリットは凹部の外側の樹脂型の上面部まで延伸している。
【００１１】
さらに、上記製造方法は、光透過性樹脂の硬化の後に、樹脂型を分離する工程を具備する。
【００１２】
さらに、上記製造方法は、光透過性樹脂の硬化の後に、隣接する各個片基板間で樹脂型を分割する工程を具備する。
【００１３】
本発明に係る光半導体装置は、少なくとも１つの発光素子が実装された基板と、基板上で発光素子を囲むように配置された樹脂型と、基板上で発光素子を覆うように樹脂型内を充填する光透過性樹脂層とを具備し、樹脂型の内側面の一部は、基板の側面と当接している。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板を傾斜させることなく、発光素子が実装された個片基板を樹脂型の各凹部に圧着させることができるので、すべての発光素子の中心は樹脂型の各凹部の中心に一致でき、この結果、完成したパッケージの光学的指向特性等を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第１の実施の形態を示す図である。
【図２】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第１の実施の形態を示す図である。
【図３】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第１の実施の形態を示す図である。
【図４】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第１の実施の形態を示す図である。
【図５】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第２の実施の形態を示す図である。
【図６】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第２の実施の形態を示す図である。
【図７】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第２の実施の形態を示す図である。
【図８】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第２の実施の形態を示す図である。
【図９】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第３の実施の形態を示す図である。
【図１０】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第３の実施の形態を示す図である。
【図１１】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第３の実施の形態を示す図である。
【図１２】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第３の実施の形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１〜図４は本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第１の実施の形態を示す図である。
【００１７】
始めに、準備工程を示す図１を参照すると、少なくとも１つのＬＥＤチップ１が実装されたアルミナ等よりなる個片セラミック基板２を準備すると共に（図１の（Ａ））、ＬＥＤパッケージ用レンズの材料の樹脂が入るように凹部３ａが形成された非粘着性樹脂型３を準備する（図１の（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３））。尚、図１の（Ｂ１）、は斜視図、図１の（Ｂ２）は１つの凹部３ａの上面図、図１の（Ｂ３）は（Ｂ２）の中心を通る断面図である。
【００１８】
図１の（Ａ）に示すＬＥＤチップ１が実装された個片セラミック基板２は、ＬＥＤチップ１が実装されていない個片セラミック基板２を専用キャリア治具にセットした上でＬＥＤチップ１をダイボンディングし、その後、専用キャリア治具を個片セラミック基板２から取り外すことによって得られる。あるいは、溝を形成した１枚のセラミック基板に複数のＬＥＤチップを実装した後に、セラミック基板を溝に沿って割ってもよい。この場合、個片セラミック基板２にバリが発生することがあるが、たとえバリが発生しても、後述の圧着工程では、非粘着性樹脂型３は弾性を有するのでその凹部３ａ内に収めることができる。また、個片セラミック基板２に実装されるＬＥＤチップ１の数は１つでも２つ以上でもよい。また、２つ以上の場合には、異なる色のＬＥＤチップあるいは同一色たとえば青色ＬＥＤチップでもよい。
【００１９】
図１の（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３）に示す非粘着性樹脂型３は登録商標名テフロンとして広く知られているポリテトラフルオロエチレンを代表とするフッ素を含むオレフィンの重合で得られるフッ素樹脂よりなる。この樹脂は耐熱性、弾性、摩擦係数が小さい離型性を有している。この非粘着性樹脂型３は、切削加工が困難であるので、金型を作製して成型するのが好ましい。
【００２０】
また、図１の（Ｂ２）、（Ｂ３）に示すように、非粘着性樹脂型３の凹部３ａには、２つの段差３ａ−１、３ａ−２が設けられている。段差３ａ−１の側面は後述の圧着工程で個片セラミック基板２の側面に当接するように作用し、他方、段差３ａ−１の上面は後述の圧着工程で個片セラミック基板２のＬＥＤチップ１側の平面に当接するように作用する。また、段差３ａ−２は後述の圧着工程で充填された樹脂の溜まりの作用をし、その樹脂の逃げを受けるためのものである。
【００２１】
次に、ポッティング工程を示す図２を参照すると、非粘着性樹脂型３の凹部３ａにレンズの材料となる液状の光透過性樹脂４ａたとえばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂をディスペンサ等で定量注入する（図２の（Ａ））。この結果、非粘着性樹脂型３の凹部３ａに透明樹脂層４が形成される（図２の（Ｂ））。この場合、光透過性樹脂４ａの量が少な過ぎると、後述の圧着工程で圧着不良を生じるので、光透過性樹脂４ａの量は、後述の圧着工程において、充填された光透過性樹脂４ａの上部が基板に接して押し広げられる量とする。つまり、段差３ａ−１の上面（平坦面）を超えるように、たとえば盛り形状として充填されることが好ましい。従って、この場合、後述の圧着工程にて、透明樹脂層４は、樹脂溜まりの段差３ａ−２まで延伸することになる。また、液状の光透過性樹脂４ａは、段差３ａ−１の上面および側面に接しないように充填される。これにより、後述の圧着工程において、個片セラミック基板２の上面と段差３ａ−１の上面、基板２の側面と段差３ａ−１の側面とを光透過性樹脂４ａを介することなく確実に当接させることができるので、個片セラミック基板２が傾斜することなく固定することができる。
【００２２】
次に、圧着工程を示す図３を参照すると、透明樹脂層４が形成された非粘着性樹脂型３の各凹部３ａ上にＬＥＤチップ１が実装された個片セラミック基板２を圧着させ（図３の（Ａ））、透明樹脂層４を加熱炉で約１５０℃の高温度で１時間程度で硬化させる（図３の（Ｂ））。
【００２３】
図３の（Ａ）に示すごとく、圧着前において、非粘着性樹脂型３の凹部３ａの開口サイズつまり段差３ａ−１の外形サイズｄ３１は、次式に示すごとく、個片セラミック基板２の外形サイズｄ２より小さくある。
ｄ３１＝α・ｄ２
但し、０．９≦α＜１．０
これにより、非粘着性樹脂型３が弾性を有しているので、個片セラミック基板２は段差３ａ−１に収容されるように、凹部３ａの開口を多少押し広げて嵌め合わされる。つまり、個片セラミック基板２を非粘着性樹脂型３に圧着することができ、その圧着した際には、個片セラミック基板２の側面は段差３ａ−１の側面に確実に当接し、かつ個片セラミック基板２のＬＥＤチップ１側の平面は段差３ａ−１の上面に確実に当接する。この結果、図３の（Ｂ）に示すごとく、個片セラミック基板２は非粘着性樹脂型３の凹部３ａの段差３ａ−１内に傾斜せずに水平に収まることができる。このとき、段差３ａ−１の側面との圧接によって個片セラミック基板２の中心は非粘着性樹脂型３の中心に確実に一致する。また、樹脂溜りの作用する段差３ａ−２の外形サイズｄ３２は、
ｄ３２＜ｄ３１
である。
【００２４】
最後に、分離工程を示す図４を参照すると、透明樹脂層４の硬化後に非粘着性樹脂型３を分離してＬＥＤパッケージが完成する。尚、図４の（Ａ）は断面図、図４の（Ｂ）は斜視図である。
【００２５】
図５〜図８は本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第２の実施の形態を示す図である。
【００２６】
始めに、準備工程を示す図５を参照すると、少なくともＬＥＤチップ１が実装された個片セラミック基板２を準備すると共に（図５の（Ａ））、ＬＥＤパッケージ用レンズの材料の樹脂が入るように凹部３ａが形成された非粘着性樹脂型３を準備する（図５の（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３））。尚、図５の（Ｂ１）は斜視図、図５の（Ｂ２）は１つの凹部３ａの上面図、図５の（Ｂ３）は（Ｂ２）の凹部３ａの中心つまり気泡抜きスリット部３ａ−３を通る断面図である。
【００２７】
図５の（Ａ）に示すＬＥＤチップ１が実装された個片セラミック基板２は、図１の（Ａ）の場合と同一である。
【００２８】
図５の（Ｂ）に示す非粘着性樹脂型３においては、図１の（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３）に示す非粘着性樹脂型３の凹部３ａの段差３ａ−１に４つの気泡抜きスリット３ａ−３を設けてある。気泡抜きスリット３ａ−３は段差３ａ−２と同一深さを有し、後述の圧着工程で液状の樹脂に気泡が生じた場合に、その気泡を逃がすためのものである。気泡抜きスリット３ａ−３は、凹部３ａの外側と段差３ａ−２との間の段差３ａ−１に設けられ、凹部３ａの外側の上面部まで延伸している。つまり、段差３ａ−１の上面（平坦面）から段差３ａ−１を超えた非粘着性樹脂型３の上面まで延伸した溝形状に形成されている。そのため、気泡抜きスリット３ａ−３の一部（段差３ａ−１の上面以外の領域）は、個片基板の圧着工程以降においても、個片セラミック基板２によって覆われることがなく、透過性樹脂４内に発生した気泡の排出口として作用する。
【００２９】
次に、ポッティング工程を示す図６を参照すると、図２の場合と同様に非粘着性樹脂型３の凹部３ａにレンズの材料となる光透過性樹脂４ａたとえばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂をディスペンサ等で定量注入する（図６の（Ａ））。この結果、非粘着性樹脂型３の凹部３ａに透明樹脂層４が形成される（図６の（Ｂ））。この場合も、光透過性樹脂４ａの量が少な過ぎると、後述の圧着工程で圧着不良を生じるので、光透過性樹脂４ａの量は、後述の圧着工程において、充填された光透過性樹脂４ａの上部が基板に接して押し広げられる量とする。つまり、段差３ａ−１の上面（平坦面）を超えるように、たとえば盛り形状として充填されることが好ましい。従って、この場合、後述の圧着工程にて、透明樹脂層４は、樹脂溜まりの段差３ａ−２及び気泡抜きスリット３ａ−３の一部まで延伸することになる。また、液状の光透過性樹脂４ａは、段差３ａ−１の上面および側面に接しないように充填される。これにより、後述の圧着工程において、基板２の上面と段差３ａ−１の上面、基板２の側面と段差３ａ−１の側面とを光透過性樹脂４ａを介することなく確実に当接させることができるので、個片セラミック基板２が傾斜することなく固定することができる。
【００３０】
次に、圧着工程を示す図７を参照すると、透明樹脂層４が形成された非粘着性樹脂型３の各凹部３ａ上にＬＥＤチップ１が実装された個片セラミック基板２を圧着させ（図７の（Ａ））、透明樹脂層４を加熱炉で約１５０℃の高温度で１時間程度で硬化させる（図７の（Ｂ））。この場合、たとえば、ＬＥＤチップ１がフリップチップ型であればバンプの隙間の空気、あるいはボンディングワイヤに吸着していた空気等が透明樹脂層４内に気泡として発生する。このような気泡は気泡抜きスリット３ａ−３を介して図７の（Ｂ）の矢印に示すごとく抜け出る。
【００３１】
尚、図６、図７においては、気泡抜きスリット３ａ−３を通る断面図で説明したが、本第２の実施の形態においても、圧着工程の際、図示しない断面において、第１の実施の形態と同様に、個片セラミック基板２の側面が段差３ａ−１の側面に当接し、また、個片セラミック基板２のＬＥＤ搭載面が段差３ａ−１の上面に当接し、この結果、個片セラミック基板２は凹部３ａに固定されている。
【００３２】
最後に、分離工程を示す図８を参照すると、図４の場合と同様に、透明樹脂層４の硬化後に非粘着性樹脂型３を分離して、ＬＥＤパッケージが完成する。この場合、透明樹脂層４は気泡抜きスリット３ａ−３に対する突出部４ｂを有する場合がある。尚、図８において、透明樹脂層４のすべてに突出部４ｂが形成されている状態を示したが、突出部４ｂは必ず形成される必要はなく、光透過性樹脂４ａの量に応じて形成される。
【００３３】
上述の本発明の第１、第２の実施の形態においては、非粘着性樹脂型３は分離された後に再利用できるので、製造コストも点で有利である。また、非粘着性樹脂型３は非粘着性樹脂の一体型よりなる非粘着性樹脂型を用いているが、金型に非粘着性樹脂を塗布したものを用いてもよく、離型が可能な樹脂型を適宜用いることができる。
【００３４】
図９〜図１２は本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第３の実施の形態を示す図である。
【００３５】
始めに、準備工程を示す図９を参照すると、少なくとも１つのＬＥＤチップ１が実装されたアルミナ等よりなる個片セラミック基板２を準備すると共に（図９の（Ａ））、ＬＥＤパッケージ用レンズの材料の樹脂が入るように凹部５ａが形成された透明樹脂型５を準備する（図９の（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３））。尚、図９の（Ｂ１）は斜視図、図９の（Ｂ２）は１つの凹部５ａの上面図、図９の（Ｂ３）は（Ｂ２）の凹部５ａの中心を通る断面図である。
【００３６】
図９の（Ａ）に示すＬＥＤチップ１が実装された個片セラミック基板２は、図１の（Ａ）の場合と同一である。
【００３７】
図９の（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３）に示す透明性樹脂型５はたとえばシリコーン樹脂よりなる。切削加工が困難であるので、金型を作製して成型するのが好ましい。
【００３８】
また、図９の（Ｂ２）、（Ｂ３）に示すように、透明性樹脂型５の凹部５ａには、図１の（Ｂ２）、（Ｂ３）の２つの段差３ａ−１、３ａ−２に対応する２つの段差５ａ−１、５ａ−２が設けられている。すなわち、段差５ａ−１の側面は後述の圧着工程で個片セラミック基板２の側面に当接するように作用し、他方、段差５ａ−１の上面は後述の圧着工程で個片セラミック基板２のＬＥＤチップ１側の平面に当接するように作用する。また、段差５ａ−２は後述の圧着工程で充填された樹脂の溜まりの作用をし、その樹脂の逃げを受けるためのものである。
【００３９】
次に、ポッティング工程を示す図１０を参照すると、透明性樹脂型５の凹部５ａにレンズの材料となる光透過性樹脂４ａたとえばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂をディスペンサ等で定量注入する（図１０の（Ａ））。この結果、透明性樹脂型５の凹部５ａに透明樹脂層４が形成される（図１０の（Ｂ））。この場合も、光透過性樹脂４ａの量が少な過ぎると、後述の圧着工程で圧着不良を生じるので、光透過性樹脂４ａの量は、後述の圧着工程において、充填された光透過性樹脂４ａの上部が基板に接して押し広げられる量とする。つまり、段差５ａ−１の上面（平坦面）を超えるように、たとえば盛り形状として充填されることが好ましい。従って、この場合、後述の圧着工程にて、透明樹脂層４は、樹脂溜まりの段差５ａ−２まで延伸することになる。また、液状の光透過性樹脂４ａは、段差５ａ−１の上面および側面に接しないように充填される。これにより、後述の圧着工程において、基板２の上面と段差５ａ−１の上面、基板２の側面と段差５ａ−１の側面とを光透過性樹脂４ａを介することなく確実に当接させることができるので、個片セラミック基板２が傾斜することなく固定することができる。
【００４０】
次に、圧着工程を示す図１１を参照すると、図３の場合と同様に、透明樹脂層４が形成された透明性樹脂型５の各凹部５ａ上にＬＥＤチップ１が実装された個片セラミック基板２を圧着させ（図１１の（Ａ））、透明樹脂層４を加熱炉で約１５０℃の高温度で１時間程度で硬化させる（図１１の（Ｂ））。
【００４１】
最後に、分割工程を示す図１２を参照すると、透明樹脂層４の硬化後に透明樹脂型５をダイシング等により図１１の分割面ＤＦに沿って分割することにより、ＬＥＤパッケージが完成する。そして、完成したＬＥＤパッケージにおいて、樹脂型５の内側面の一部、すなわち凹部５ａの段差５ａ−１の側面に相当する部分は、基板２の側面に当接している。
【００４２】
このように、本発明の第３の実施の形態においては、第１、第２の実施の形態の分離工程は存在しない。つまり、透明樹脂型５は分離することなくそのまま個片セラミック基板２と一体になってＬＥＤパッケージとなる。
【００４３】
尚、上述の本発明の第３の実施の形態においても、第２の実施の形態における気泡抜きスリット３ａ−３を透明性樹脂枠５の凹部５ａに設けることができる。
【００４４】
上述の本発明の各実施の形態における光半導体装置を白色ＬＥＤ装置として使用する場合には、ＬＥＤチップ１表面に蛍光層を塗布するか、透明樹脂層４に蛍光体を分散すればよい。
【００４５】
また、本発明はＬＥＤチップ以外の発光するチップたとえば半導体レーザチップ等にも適用できる。
【符号の説明】
【００４６】
１：ＬＥＤチップ
２：個片セラミック基板
３：非粘着性樹脂型
３ａ：凹部
３ａ−１、３ａ−２：段差
３ａ−３：気泡抜きスリット
４：透明性樹脂層
４ａ：樹脂
４ｂ：突出部
５：透明性樹脂型
５ａ：凹部
５ａ−１、５ａ−２：段差
【技術分野】
【０００１】
本発明は光半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、光半導体装置たとえば発光ダイオード（ＬＥＤ）装置の製造方法として樹脂型を利用したものがあり、次の通りである（参照：特許文献１）。
（１）準備工程：複数のＬＥＤチップが実装された多面取り基板及びＬＥＤパッケージ用レンズの材料の樹脂が入るように凹部が形成されたフルオロ樹脂よりなる金型を準備する。
（２）ポッティング工程：金型の凹部にレンズの材料となる液状の樹脂を定量だけ注入する。
（３）圧着工程：液状の樹脂が注入された金型上にＬＥＤチップが実装された多面取り基板を圧着させて液状の樹脂を仮硬化させる。
（４）分離工程：金型を分離した後に液状の樹脂を完全硬化させる。
（５）分割工程：最後に、レンズ付きのＬＥＤチップ毎に多面取り基板をダイシング等により分割してＬＥＤパッケージが完成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−６６７３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の示すＬＥＤ装置の製造方法においては、次のような課題があった。
【０００５】
第１に、多面取り基板としてセラミック基板を用いた場合には、そのセラミック基板の熱膨張係数は約７．１×１０Ｅ−６/℃であるのに対して金型たとえばフルオロ樹脂の熱膨張係数は５〜１２×１０Ｅ−５/℃と一桁近く熱膨張係数が異なる。尚、基板のＬＥＤチップの数は、実際には多数個たとえば２０個程度である。従って、圧着工程において、すべてのＬＥＤチップの中心がフルオロ樹脂の金型の凹部の中心に一致することは困難である。この結果、完成したパッケージのレンズ（透明樹脂層）とＬＥＤチップの中心とが一致せず、所望の光学的指向特性が得られないという課題があった。
【０００６】
第２に、圧着工程において、多面取り基板のＬＥＤチップ側の平面部とフルオロ樹脂よりなる金型の凹部以外の平面部との圧力接触によって透明樹脂層の外部への漏れを防止しているが、これだけでは、高温度の仮硬化時に透明樹脂層の圧力上昇による樹脂漏れを完全に防止できず、この結果、多面取り基板の浮き上がりを招き、やはり、所望の光学的指向特性が得られないという課題があった。
【０００７】
第３に、高温度の仮硬化時に発生する気泡を透明樹脂層に巻き込んでしまう可能性がある。この結果、やはり、所望の光学的指向特性が得られないという課題があった。
【０００８】
第４に、多面取り基板のダイシング等による分割工程を必要とするので、製造コストの上昇を招くという課題もあった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述の課題を解決するために、本発明に係る光半導体装置の製造方法は、少なくとも１つの発光素子が実装された個片基板を複数準備する工程と、複数の凹部が形成された樹脂型を準備する工程と、樹脂型の各凹部に光透過性樹脂を注入する工程と、各個片基板を光透過性樹脂が注入された樹脂型の各凹部に圧着する工程と、光透過性樹脂を硬化する工程とを具備し、各凹部は、圧着する工程において、個片基板の側面と当接する側面部、及び、個片基板の発光素子の実装面の一部と当接する上面部を有するものである。これにより、個片基板は樹脂型の凹部に傾斜せずに水平に収まることになる。
【００１０】
また、個片基板を圧着する工程の前において、凹部の開口サイズは個片基板の外形サイズより小さい。凹部には、側面部と上面部から構成される第一の段差の下に、第二の段差が形成されている。これにより、樹脂の外部への漏れを防止して基板の浮き上がりを防止する。
さらにまた、凹部の外側と第二の段差との間の第一の段差に、気泡抜きスリットを設け、この気泡抜きスリットは凹部の外側の樹脂型の上面部まで延伸している。
【００１１】
さらに、上記製造方法は、光透過性樹脂の硬化の後に、樹脂型を分離する工程を具備する。
【００１２】
さらに、上記製造方法は、光透過性樹脂の硬化の後に、隣接する各個片基板間で樹脂型を分割する工程を具備する。
【００１３】
本発明に係る光半導体装置は、少なくとも１つの発光素子が実装された基板と、基板上で発光素子を囲むように配置された樹脂型と、基板上で発光素子を覆うように樹脂型内を充填する光透過性樹脂層とを具備し、樹脂型の内側面の一部は、基板の側面と当接している。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板を傾斜させることなく、発光素子が実装された個片基板を樹脂型の各凹部に圧着させることができるので、すべての発光素子の中心は樹脂型の各凹部の中心に一致でき、この結果、完成したパッケージの光学的指向特性等を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第１の実施の形態を示す図である。
【図２】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第１の実施の形態を示す図である。
【図３】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第１の実施の形態を示す図である。
【図４】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第１の実施の形態を示す図である。
【図５】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第２の実施の形態を示す図である。
【図６】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第２の実施の形態を示す図である。
【図７】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第２の実施の形態を示す図である。
【図８】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第２の実施の形態を示す図である。
【図９】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第３の実施の形態を示す図である。
【図１０】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第３の実施の形態を示す図である。
【図１１】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第３の実施の形態を示す図である。
【図１２】本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第３の実施の形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１〜図４は本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第１の実施の形態を示す図である。
【００１７】
始めに、準備工程を示す図１を参照すると、少なくとも１つのＬＥＤチップ１が実装されたアルミナ等よりなる個片セラミック基板２を準備すると共に（図１の（Ａ））、ＬＥＤパッケージ用レンズの材料の樹脂が入るように凹部３ａが形成された非粘着性樹脂型３を準備する（図１の（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３））。尚、図１の（Ｂ１）、は斜視図、図１の（Ｂ２）は１つの凹部３ａの上面図、図１の（Ｂ３）は（Ｂ２）の中心を通る断面図である。
【００１８】
図１の（Ａ）に示すＬＥＤチップ１が実装された個片セラミック基板２は、ＬＥＤチップ１が実装されていない個片セラミック基板２を専用キャリア治具にセットした上でＬＥＤチップ１をダイボンディングし、その後、専用キャリア治具を個片セラミック基板２から取り外すことによって得られる。あるいは、溝を形成した１枚のセラミック基板に複数のＬＥＤチップを実装した後に、セラミック基板を溝に沿って割ってもよい。この場合、個片セラミック基板２にバリが発生することがあるが、たとえバリが発生しても、後述の圧着工程では、非粘着性樹脂型３は弾性を有するのでその凹部３ａ内に収めることができる。また、個片セラミック基板２に実装されるＬＥＤチップ１の数は１つでも２つ以上でもよい。また、２つ以上の場合には、異なる色のＬＥＤチップあるいは同一色たとえば青色ＬＥＤチップでもよい。
【００１９】
図１の（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３）に示す非粘着性樹脂型３は登録商標名テフロンとして広く知られているポリテトラフルオロエチレンを代表とするフッ素を含むオレフィンの重合で得られるフッ素樹脂よりなる。この樹脂は耐熱性、弾性、摩擦係数が小さい離型性を有している。この非粘着性樹脂型３は、切削加工が困難であるので、金型を作製して成型するのが好ましい。
【００２０】
また、図１の（Ｂ２）、（Ｂ３）に示すように、非粘着性樹脂型３の凹部３ａには、２つの段差３ａ−１、３ａ−２が設けられている。段差３ａ−１の側面は後述の圧着工程で個片セラミック基板２の側面に当接するように作用し、他方、段差３ａ−１の上面は後述の圧着工程で個片セラミック基板２のＬＥＤチップ１側の平面に当接するように作用する。また、段差３ａ−２は後述の圧着工程で充填された樹脂の溜まりの作用をし、その樹脂の逃げを受けるためのものである。
【００２１】
次に、ポッティング工程を示す図２を参照すると、非粘着性樹脂型３の凹部３ａにレンズの材料となる液状の光透過性樹脂４ａたとえばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂をディスペンサ等で定量注入する（図２の（Ａ））。この結果、非粘着性樹脂型３の凹部３ａに透明樹脂層４が形成される（図２の（Ｂ））。この場合、光透過性樹脂４ａの量が少な過ぎると、後述の圧着工程で圧着不良を生じるので、光透過性樹脂４ａの量は、後述の圧着工程において、充填された光透過性樹脂４ａの上部が基板に接して押し広げられる量とする。つまり、段差３ａ−１の上面（平坦面）を超えるように、たとえば盛り形状として充填されることが好ましい。従って、この場合、後述の圧着工程にて、透明樹脂層４は、樹脂溜まりの段差３ａ−２まで延伸することになる。また、液状の光透過性樹脂４ａは、段差３ａ−１の上面および側面に接しないように充填される。これにより、後述の圧着工程において、個片セラミック基板２の上面と段差３ａ−１の上面、基板２の側面と段差３ａ−１の側面とを光透過性樹脂４ａを介することなく確実に当接させることができるので、個片セラミック基板２が傾斜することなく固定することができる。
【００２２】
次に、圧着工程を示す図３を参照すると、透明樹脂層４が形成された非粘着性樹脂型３の各凹部３ａ上にＬＥＤチップ１が実装された個片セラミック基板２を圧着させ（図３の（Ａ））、透明樹脂層４を加熱炉で約１５０℃の高温度で１時間程度で硬化させる（図３の（Ｂ））。
【００２３】
図３の（Ａ）に示すごとく、圧着前において、非粘着性樹脂型３の凹部３ａの開口サイズつまり段差３ａ−１の外形サイズｄ３１は、次式に示すごとく、個片セラミック基板２の外形サイズｄ２より小さくある。
ｄ３１＝α・ｄ２
但し、０．９≦α＜１．０
これにより、非粘着性樹脂型３が弾性を有しているので、個片セラミック基板２は段差３ａ−１に収容されるように、凹部３ａの開口を多少押し広げて嵌め合わされる。つまり、個片セラミック基板２を非粘着性樹脂型３に圧着することができ、その圧着した際には、個片セラミック基板２の側面は段差３ａ−１の側面に確実に当接し、かつ個片セラミック基板２のＬＥＤチップ１側の平面は段差３ａ−１の上面に確実に当接する。この結果、図３の（Ｂ）に示すごとく、個片セラミック基板２は非粘着性樹脂型３の凹部３ａの段差３ａ−１内に傾斜せずに水平に収まることができる。このとき、段差３ａ−１の側面との圧接によって個片セラミック基板２の中心は非粘着性樹脂型３の中心に確実に一致する。また、樹脂溜りの作用する段差３ａ−２の外形サイズｄ３２は、
ｄ３２＜ｄ３１
である。
【００２４】
最後に、分離工程を示す図４を参照すると、透明樹脂層４の硬化後に非粘着性樹脂型３を分離してＬＥＤパッケージが完成する。尚、図４の（Ａ）は断面図、図４の（Ｂ）は斜視図である。
【００２５】
図５〜図８は本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第２の実施の形態を示す図である。
【００２６】
始めに、準備工程を示す図５を参照すると、少なくともＬＥＤチップ１が実装された個片セラミック基板２を準備すると共に（図５の（Ａ））、ＬＥＤパッケージ用レンズの材料の樹脂が入るように凹部３ａが形成された非粘着性樹脂型３を準備する（図５の（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３））。尚、図５の（Ｂ１）は斜視図、図５の（Ｂ２）は１つの凹部３ａの上面図、図５の（Ｂ３）は（Ｂ２）の凹部３ａの中心つまり気泡抜きスリット部３ａ−３を通る断面図である。
【００２７】
図５の（Ａ）に示すＬＥＤチップ１が実装された個片セラミック基板２は、図１の（Ａ）の場合と同一である。
【００２８】
図５の（Ｂ）に示す非粘着性樹脂型３においては、図１の（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３）に示す非粘着性樹脂型３の凹部３ａの段差３ａ−１に４つの気泡抜きスリット３ａ−３を設けてある。気泡抜きスリット３ａ−３は段差３ａ−２と同一深さを有し、後述の圧着工程で液状の樹脂に気泡が生じた場合に、その気泡を逃がすためのものである。気泡抜きスリット３ａ−３は、凹部３ａの外側と段差３ａ−２との間の段差３ａ−１に設けられ、凹部３ａの外側の上面部まで延伸している。つまり、段差３ａ−１の上面（平坦面）から段差３ａ−１を超えた非粘着性樹脂型３の上面まで延伸した溝形状に形成されている。そのため、気泡抜きスリット３ａ−３の一部（段差３ａ−１の上面以外の領域）は、個片基板の圧着工程以降においても、個片セラミック基板２によって覆われることがなく、透過性樹脂４内に発生した気泡の排出口として作用する。
【００２９】
次に、ポッティング工程を示す図６を参照すると、図２の場合と同様に非粘着性樹脂型３の凹部３ａにレンズの材料となる光透過性樹脂４ａたとえばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂をディスペンサ等で定量注入する（図６の（Ａ））。この結果、非粘着性樹脂型３の凹部３ａに透明樹脂層４が形成される（図６の（Ｂ））。この場合も、光透過性樹脂４ａの量が少な過ぎると、後述の圧着工程で圧着不良を生じるので、光透過性樹脂４ａの量は、後述の圧着工程において、充填された光透過性樹脂４ａの上部が基板に接して押し広げられる量とする。つまり、段差３ａ−１の上面（平坦面）を超えるように、たとえば盛り形状として充填されることが好ましい。従って、この場合、後述の圧着工程にて、透明樹脂層４は、樹脂溜まりの段差３ａ−２及び気泡抜きスリット３ａ−３の一部まで延伸することになる。また、液状の光透過性樹脂４ａは、段差３ａ−１の上面および側面に接しないように充填される。これにより、後述の圧着工程において、基板２の上面と段差３ａ−１の上面、基板２の側面と段差３ａ−１の側面とを光透過性樹脂４ａを介することなく確実に当接させることができるので、個片セラミック基板２が傾斜することなく固定することができる。
【００３０】
次に、圧着工程を示す図７を参照すると、透明樹脂層４が形成された非粘着性樹脂型３の各凹部３ａ上にＬＥＤチップ１が実装された個片セラミック基板２を圧着させ（図７の（Ａ））、透明樹脂層４を加熱炉で約１５０℃の高温度で１時間程度で硬化させる（図７の（Ｂ））。この場合、たとえば、ＬＥＤチップ１がフリップチップ型であればバンプの隙間の空気、あるいはボンディングワイヤに吸着していた空気等が透明樹脂層４内に気泡として発生する。このような気泡は気泡抜きスリット３ａ−３を介して図７の（Ｂ）の矢印に示すごとく抜け出る。
【００３１】
尚、図６、図７においては、気泡抜きスリット３ａ−３を通る断面図で説明したが、本第２の実施の形態においても、圧着工程の際、図示しない断面において、第１の実施の形態と同様に、個片セラミック基板２の側面が段差３ａ−１の側面に当接し、また、個片セラミック基板２のＬＥＤ搭載面が段差３ａ−１の上面に当接し、この結果、個片セラミック基板２は凹部３ａに固定されている。
【００３２】
最後に、分離工程を示す図８を参照すると、図４の場合と同様に、透明樹脂層４の硬化後に非粘着性樹脂型３を分離して、ＬＥＤパッケージが完成する。この場合、透明樹脂層４は気泡抜きスリット３ａ−３に対する突出部４ｂを有する場合がある。尚、図８において、透明樹脂層４のすべてに突出部４ｂが形成されている状態を示したが、突出部４ｂは必ず形成される必要はなく、光透過性樹脂４ａの量に応じて形成される。
【００３３】
上述の本発明の第１、第２の実施の形態においては、非粘着性樹脂型３は分離された後に再利用できるので、製造コストも点で有利である。また、非粘着性樹脂型３は非粘着性樹脂の一体型よりなる非粘着性樹脂型を用いているが、金型に非粘着性樹脂を塗布したものを用いてもよく、離型が可能な樹脂型を適宜用いることができる。
【００３４】
図９〜図１２は本発明に係るＬＥＤ装置の製造方法の第３の実施の形態を示す図である。
【００３５】
始めに、準備工程を示す図９を参照すると、少なくとも１つのＬＥＤチップ１が実装されたアルミナ等よりなる個片セラミック基板２を準備すると共に（図９の（Ａ））、ＬＥＤパッケージ用レンズの材料の樹脂が入るように凹部５ａが形成された透明樹脂型５を準備する（図９の（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３））。尚、図９の（Ｂ１）は斜視図、図９の（Ｂ２）は１つの凹部５ａの上面図、図９の（Ｂ３）は（Ｂ２）の凹部５ａの中心を通る断面図である。
【００３６】
図９の（Ａ）に示すＬＥＤチップ１が実装された個片セラミック基板２は、図１の（Ａ）の場合と同一である。
【００３７】
図９の（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３）に示す透明性樹脂型５はたとえばシリコーン樹脂よりなる。切削加工が困難であるので、金型を作製して成型するのが好ましい。
【００３８】
また、図９の（Ｂ２）、（Ｂ３）に示すように、透明性樹脂型５の凹部５ａには、図１の（Ｂ２）、（Ｂ３）の２つの段差３ａ−１、３ａ−２に対応する２つの段差５ａ−１、５ａ−２が設けられている。すなわち、段差５ａ−１の側面は後述の圧着工程で個片セラミック基板２の側面に当接するように作用し、他方、段差５ａ−１の上面は後述の圧着工程で個片セラミック基板２のＬＥＤチップ１側の平面に当接するように作用する。また、段差５ａ−２は後述の圧着工程で充填された樹脂の溜まりの作用をし、その樹脂の逃げを受けるためのものである。
【００３９】
次に、ポッティング工程を示す図１０を参照すると、透明性樹脂型５の凹部５ａにレンズの材料となる光透過性樹脂４ａたとえばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂をディスペンサ等で定量注入する（図１０の（Ａ））。この結果、透明性樹脂型５の凹部５ａに透明樹脂層４が形成される（図１０の（Ｂ））。この場合も、光透過性樹脂４ａの量が少な過ぎると、後述の圧着工程で圧着不良を生じるので、光透過性樹脂４ａの量は、後述の圧着工程において、充填された光透過性樹脂４ａの上部が基板に接して押し広げられる量とする。つまり、段差５ａ−１の上面（平坦面）を超えるように、たとえば盛り形状として充填されることが好ましい。従って、この場合、後述の圧着工程にて、透明樹脂層４は、樹脂溜まりの段差５ａ−２まで延伸することになる。また、液状の光透過性樹脂４ａは、段差５ａ−１の上面および側面に接しないように充填される。これにより、後述の圧着工程において、基板２の上面と段差５ａ−１の上面、基板２の側面と段差５ａ−１の側面とを光透過性樹脂４ａを介することなく確実に当接させることができるので、個片セラミック基板２が傾斜することなく固定することができる。
【００４０】
次に、圧着工程を示す図１１を参照すると、図３の場合と同様に、透明樹脂層４が形成された透明性樹脂型５の各凹部５ａ上にＬＥＤチップ１が実装された個片セラミック基板２を圧着させ（図１１の（Ａ））、透明樹脂層４を加熱炉で約１５０℃の高温度で１時間程度で硬化させる（図１１の（Ｂ））。
【００４１】
最後に、分割工程を示す図１２を参照すると、透明樹脂層４の硬化後に透明樹脂型５をダイシング等により図１１の分割面ＤＦに沿って分割することにより、ＬＥＤパッケージが完成する。そして、完成したＬＥＤパッケージにおいて、樹脂型５の内側面の一部、すなわち凹部５ａの段差５ａ−１の側面に相当する部分は、基板２の側面に当接している。
【００４２】
このように、本発明の第３の実施の形態においては、第１、第２の実施の形態の分離工程は存在しない。つまり、透明樹脂型５は分離することなくそのまま個片セラミック基板２と一体になってＬＥＤパッケージとなる。
【００４３】
尚、上述の本発明の第３の実施の形態においても、第２の実施の形態における気泡抜きスリット３ａ−３を透明性樹脂枠５の凹部５ａに設けることができる。
【００４４】
上述の本発明の各実施の形態における光半導体装置を白色ＬＥＤ装置として使用する場合には、ＬＥＤチップ１表面に蛍光層を塗布するか、透明樹脂層４に蛍光体を分散すればよい。
【００４５】
また、本発明はＬＥＤチップ以外の発光するチップたとえば半導体レーザチップ等にも適用できる。
【符号の説明】
【００４６】
１：ＬＥＤチップ
２：個片セラミック基板
３：非粘着性樹脂型
３ａ：凹部
３ａ−１、３ａ−２：段差
３ａ−３：気泡抜きスリット
４：透明性樹脂層
４ａ：樹脂
４ｂ：突出部
５：透明性樹脂型
５ａ：凹部
５ａ−１、５ａ−２：段差
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの発光素子が実装された個片基板を複数準備する工程と、
複数の凹部が形成された樹脂型を準備する工程と、
前記樹脂型の各凹部に光透過性樹脂を注入する工程と、
前記各個片基板を前記光透過性樹脂が注入された前記樹脂型の各凹部に圧着する工程と、
前記光透過性樹脂を硬化する工程と
を具備し、
前記各凹部は、前記圧着する工程において、前記個片基板の側面と当接する側面部、及び、前記個片基板の前記発光素子の実装面の一部と当接する上面部を有する光半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記個片基板を圧着する工程の前において、前記凹部のサイズは、前記個片基板の外形サイズより小さい請求項１に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記個片基板はセラミック基板である請求項１または請求項２に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記凹部には、前記側面部と前記上面部から構成される第一の段差の下に、第二の段差が形成されている請求項１ないし３のいずれかに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記凹部の外側と前記第二の段差との間の前記第一の段差に、気泡抜きスリットを設け、該気泡抜きスリットは前記凹部の外側の前記樹脂型の上面部まで延伸した請求項４に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項６】
さらに、前記光透過性樹脂の硬化の後に、前記樹脂型を分離する工程を具備する請求項１ないし５のいずれかに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項７】
さらに、前記光透過性樹脂の硬化の後に、隣接する前記個片基板間で前記樹脂型を分割する工程を具備する請求項１ないし５のいずれかに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項８】
少なくとも１つの発光素子が実装された基板と、
前記基板上で前記発光素子を囲むように配置された樹脂型と、
前期基板上で前記発光素子を覆うように前記樹脂型内を充填する光透過性樹脂層とを具備し、
前記樹脂型の内側面の一部は、前記基板の側面と当接している光半導体装置。
【請求項１】
少なくとも１つの発光素子が実装された個片基板を複数準備する工程と、
複数の凹部が形成された樹脂型を準備する工程と、
前記樹脂型の各凹部に光透過性樹脂を注入する工程と、
前記各個片基板を前記光透過性樹脂が注入された前記樹脂型の各凹部に圧着する工程と、
前記光透過性樹脂を硬化する工程と
を具備し、
前記各凹部は、前記圧着する工程において、前記個片基板の側面と当接する側面部、及び、前記個片基板の前記発光素子の実装面の一部と当接する上面部を有する光半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記個片基板を圧着する工程の前において、前記凹部のサイズは、前記個片基板の外形サイズより小さい請求項１に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記個片基板はセラミック基板である請求項１または請求項２に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記凹部には、前記側面部と前記上面部から構成される第一の段差の下に、第二の段差が形成されている請求項１ないし３のいずれかに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記凹部の外側と前記第二の段差との間の前記第一の段差に、気泡抜きスリットを設け、該気泡抜きスリットは前記凹部の外側の前記樹脂型の上面部まで延伸した請求項４に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項６】
さらに、前記光透過性樹脂の硬化の後に、前記樹脂型を分離する工程を具備する請求項１ないし５のいずれかに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項７】
さらに、前記光透過性樹脂の硬化の後に、隣接する前記個片基板間で前記樹脂型を分割する工程を具備する請求項１ないし５のいずれかに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項８】
少なくとも１つの発光素子が実装された基板と、
前記基板上で前記発光素子を囲むように配置された樹脂型と、
前期基板上で前記発光素子を覆うように前記樹脂型内を充填する光透過性樹脂層とを具備し、
前記樹脂型の内側面の一部は、前記基板の側面と当接している光半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１３−１０５８１７（Ｐ２０１３−１０５８１７Ａ）
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４７３０３（Ｐ２０１１−２４７３０３）
【出願日】平成２３年１１月１１日（２０１１．１１．１１）
【出願人】（０００００２３０３）スタンレー電気株式会社 (2,684)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月１１日（２０１１．１１．１１）
【出願人】（０００００２３０３）スタンレー電気株式会社 (2,684)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]