光学式角度検出
光ビームの入射の角度を検出するための装置および方法。装置は、2つの光検出器を使用し、第1の光検出器の前方に、第2の光検出器の前方の光経路と異なる角度依存の光透過特性を呈するコーティングまたは層が配置されている。したがって、それぞれの検出器において受信される光の特性の相違が、光ビームの入射の角度の知らせをもたらす。角度検出器を、これに限られるわけではないが、特には自由空間光通信システムとともに使用することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、光のビームの入射の角度を検出するための装置、方法、およびコンピュータプログラムに関し、さらにはこれらを取り入れてなるシステムに関する。そのようなシステムは、これらに限られるわけではないが、自由空間光通信の変調器およびシステムを含む。
【背景技術】
【0002】
自由空間光通信システムの可能性は、視線上の2点の間に広帯域のデータリンクをもたらすための手段として、広く認知されている。そのようなシステムについて、大都市地域における通信リンクの構成要素としての用途、および開いた間取りの事務所(open plan office)におけるローカルエリアネットワークの構成要素としての用途など、いくつかの用途が考えられている。
【0003】
本出願と同時に係属中である米国特許出願第10/483,738号(A.M.Scottら)が、間隔を制御することができるエタロンとエタロンを介して受信される光を再びエタロンを通って光源に向かって反射させるように構成された逆反射器とを組み合わせて使用する動的な光反射器およびインタロゲーションシステムを開示している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明は、光ビームの接近の角度の割り出し、およびそのようにして割り出した角度情報の選択肢としての利用に関する装置、方法、および他の関連の態様を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の第1の態様によれば、所定の波長の光ビームの入射の角度を割り出すための光検出器であって、第1および第2の検出器ならびに角度依存の光透過特性を呈する素子を備え、素子が、第1および第2の検出器の少なくとも一方への光学経路に位置し、所定の波長の受信信号のパワーの間の比較に応答して入射の角度を割り出すことができるように検出器に対して配置されている光検出器が提供される。
【0006】
光学的に角度依存性である素子を、第1および第2の検出器のうちの一方のみの上方に位置させることができる。
【0007】
比較は、信号強度の比であってよい。
【0008】
素子の透過率が、入射の角度が垂直から増加するにつれて小さくなってよい。
【0009】
角度依存の光学特性を呈する素子が、比較的少ない層を備えることによってソフトエッジ特性を呈するエッジフィルタを備えることができる。
【0010】
素子は、五酸化タンタルおよび二酸化シリコンの交互の層を備えることができる。
【0011】
素子は、9つの層を備えることができる。
【0012】
素子の透過率が、入射の角度が垂直から増加するにつれて大きくなってよい。
【0013】
光検出器は、入射の角度を示す出力信号がもたらされる出力をさらに備えることができる。
【0014】
本発明のさらなる態様によれば、先行の任意の請求項に記載の光検出器を備える光変調器が提供される。
【0015】
変調器を、入射の角度に応答して制御することができる。
【0016】
さらに本発明は、通信を目的とするシステムであって、本発明を具現化する装置の1つ以上の実例を他の追加の装置とともに備えるシステムを提供する。
【0017】
特には、本発明のさらなる態様によれば、上述の任意の態様による光検出器または変調器を備える自由空間光通信システムが提供される。
【0018】
さらに本発明は、上述の装置を動作させる方法であって、装置のすべての機能を実行するための方法ステップを含む方法に向けられている。
【0019】
特には、本発明のさらなる態様によれば、光ビームの入射の角度を割り出す方法であって、一方の検出器に到着する光が角度依存の透過特性を呈するフィルタ素子を介している2つの検出器により、共通のソース信号からの信号強度を比較すること、および検出された2つの信号の強度の間の比較に応答して、入射の角度を割り出すこと、を備える方法が提供される。
【0020】
本発明のさらなる態様によれば、光変調器の制御方法であって、第1の態様による光検出器を用意するステップ、および光検出器によって検出される入射の角度に応答して、変調器を制御するステップ、を備える方法が提供される。
【0021】
さらに本発明は、機械で読み取ることができる形式のコンピュータソフトウェアであって、動作時に装置および/または方法のすべての機能を実行または制御するように構成されたコンピュータソフトウェアを提供する。
【0022】
特には、本発明のさらなる態様によれば、コンピュータのためのプログラムであって、本発明による光検出器から、受信光ビームの入射の角度を示す信号を受信するステップ、および入射の角度を示す信号に応答して、光変調器の変調を制御するステップ、を備えるプログラムが提供される。
【0023】
さらに本発明は、本発明の残りの態様によって使用される信号に向けられている。
【0024】
当業者にとって明らかであるとおり、好ましい特徴を適宜に組み合わせることができ、本発明の任意の態様に組み合わせることができる。
【0025】
次に、本発明をどのように実行に移すことができるかを示すため、本発明の実施形態を、以下で添付の図面を参照しつつ、あくまで例として説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【0026】
図1aから図1cを参照すると、(1つ以上の)光ビームの強度を制御するために使用できる変調器が、単一の素子10にもとづいており、あるいは1つ以上のマイクロミラー10が基板13の上方に支持12されているMOEMSミラー構造のアレイ11にもとづいている。この構成を、基板(例えば、シリコン)が光学的に透過性である波長の透過に使用することができ、実質的により広い範囲の波長の反射に使用することができる。
【0027】
個々の素子は、1ミクロン未満から数ミクロンの間の間隔にて基板13の上方に支持されたマイクロミラー10を有する。マイクロミラーは、基板とマイクロミラーとの間に電圧が加えられたときに、静電気力によってマイクロミラーが平衡位置(電圧が加えられていない)から基板に向かって引かれるように、ばね14によって支持されている。
【0028】
電圧駆動の静電気デバイスにおいては、所与のしきい値未満であれば、静電気力がデバイスの変位に起因する機械的な復帰力と平衡して、デバイスが安定な平衡状態となる。このしきい値を超えると、静電気力が復帰力を超え、マイクロミラーが基板に向かって制御不能に移動する(一般に「ラッチ」、「プルイン」、または「プルダウン」として知られている状態)ため、デバイスは不安定になる。しきい値を超える電圧を加えることで、所与の駆動電圧においてより大きな範囲(典型的には、しきい値未満の仕組みに対して約3倍)でミラーを動かすことができる。
【0029】
マイクロミラーは、任意の平面形状であってよいが、実質的に平坦かつ基板に平行でなくてはならない。マイクロミラーは、有利には正方形であってよいが、他の形状であってもよい。アレイにおいて密に密集させることができる形状(例えば、三角形、長方形、および六角形)が、特に好ましい。
【0030】
このデバイスへと光15aが導かれると、光の一部は反射15bされ、一部は基板へと透過15cして、反対側から出る(基板が透過性であるような波長の場合)。支持ミラーによる反射および透過光が、基板による反射および透過光と干渉し、したがってデバイスの実際の透過および反射は、デバイスへの光の入射の角度、支持ミラーと基板との間の間隔、ならびに支持マイクロミラーの厚さ、マイクロミラーの素材の屈折率、および入射光の波長などといったシステムの他の所定の特性に応じて、高低の値の間でさまざまである。
【0031】
動作時、マイクロミラーと基板との間の間隔が変化するにつれ、透過が高低の値の間で変化し、すなわち入射光の変調手段がもたらされる。変調は、透過または反射モードにて機能することができる。マイクロミラーが、典型的には厚さが1ミクロン未満であって、シリコンが高度に吸収性である可視の領域においても半透明であり、したがってシリコンから製作される変調器を、可視の帯域において反射に使用できることに留意されたい。当業者にとって明らかであると考えられるが、例えば二酸化シリコンまたはチッ化シリコンなど、シリコン以外の材料も使用可能である。この場合、基板は、透明でなければならない(例えば、二酸化シリコンまたはチッ化シリコンであってよい)と考えられ、マイクロミラーおよび底層は、二酸化シリコンまたはチッ化シリコン、あるいはシリコンの薄い層または材料の組み合わせであると考えられる。
【0032】
変調器の透過および反射特性を、本明細書の式2に提示されるように、ファブリーペローエタロンによる透過および反射についての既知の式を使用して、説明することができる。反射および透過光が、位相のシフトならびに振幅の変化を受けることに、留意されたい。これを、光ビームの位相の変調が求められるデバイスにおいて利用することも可能である。
【0033】
マイクロミラーは、ミラーを密にタイル状に並べることによって広い領域を覆うアレイとして製造される場合、空間光変調器(SLM)となる。SLMにおいて、マイクロミラーを、個々に制御することができ、グループにて制御することができ、あるいはすべてをまとめて制御することができる。好ましくは、マイクロミラーアレイの素子が、コヒーレントに動くように構成または操作され、すなわち得られる光の位相がアレイの全体にわたって一様であるように、同じタイミングおよび振幅で同期して動くように構成され、多数の(おそらくはすべての)マイクロミラーのグループにおいて、デバイスへと入射する波面の各部に実質的に一様な効果をもたらすために、素子が一緒に動く。これは、変調された光の回折特性が、広がった波面によって決定され、単一のマイクロミラー素子による回折によって決定されるわけではないという利益を有する。小さなミラーからなるアレイは、より大きなデバイスと比べたとき、ミラーの平坦性を良好に保ちつつ、高い速度の達成を可能にする。
【0034】
マイクロミラーはそれぞれ、2つの電圧状態を使用して制御されたときのミラーの位置を確証できる2つの安定位置の間で操作される。その第1は、ミラーと基板との間に電圧が加えられていない(あるいは、所与のしきい値を下回る電圧が加えられている)ときに、マイクロミラー10が基板の上方に動かずに支持されている「平衡位置」である。電圧が加えられない実施形態においては、支持ばね14の伸びは存在しない。別の実施形態においては、変調器の状態が変化するときに電池を充電することによって変調器の全体としての電力消費を低減するために、しきい値未満の電圧が加えられる。ミラーは、静電気力と機械的な力とが平衡するより下方の平衡位置(元の平衡位置(電圧が加えられていない)と基板との間)に位置することになる。
【0035】
第2の位置は、しきい値を超える電圧が加えられ、マイクロミラーが基板に向かって強く引き下げられた「プルダウン」位置である。
【0036】
絶縁ストッパ(例えば、ボスまたは他の隆起した電気絶縁性のフィーチャ)16を、基板とマイクロミラーとの間に設けることができ、したがって電圧がしきい値を超えたとき、ミラーがストッパへと引き寄せられて当接するが、それ以上基板に向かって引き寄せられることはない。したがって、このようなプルダウンストッパによれば、望ましくないマイクロミラーと基板との間の電気的接触を防止することができる。そのような電気的接触は、短絡および電気的損傷につながりかねない。さらに、1つ以上の終端ストッパを取り入れることで、プルダウン位置にあるときのミラーと基板との間に、所定のオフセットを定めることができる。さらに、機械的な減衰がもたらされ、静止までの時間が短くなる。有利なことに、このオフセットを、幅広い角度範囲にわたって透過が少ない状態に対応するように、特定的に設計することができる。好ましくは、終端ストッパは、機械的な接触の付着エネルギーに打ち勝つべく追加のエネルギーをもたらすために、プルダウン位置のミラーにわずかな湾曲をもたらすことができるように構成される。考えられる一実施形態においては、実質的に正方形または矩形のミラーが、ミラーのそれぞれの角またはその付近、ならびにミラーの中央またはその付近に、終端ストッパを取り入れている。
【0037】
ミラーは、MEMSプロセス、好ましくは多結晶シリコン表面マイクロマシニングプロセスを使用して実現できる。好ましくは、終端ストッパが、基板上の1つ以上のブシュ16(絶縁されたアイランド)およびミラーの下方のくぼみ17を使用して実現される。さらに好ましくは、ブシュを、チッ化シリコンおよび/または多結晶シリコンで構成でき、ミラーおよびくぼみを、多結晶シリコンで構成できる。
【0038】
小さな電圧が加えられたとき、マイクロミラーは、平衡位置からわずかな量だけ移動する。電圧が特定のしきい値を超えると、この移動が不安定になり、マイクロミラーが「プルダウン位置」へとぱたりと落ち込む(snap down)。アナログの制御電圧を加えて、マイクロミラーを基板からの任意の距離へと動かすことは、電圧について微細な制御が必要であり、アレイ内のミラー間で経路長が相違するがために電圧降下に左右されやすいことから、困難である。通常または単純な制御システムにおいては、アナログ制御のもとでのマイクロミラーの移動は、平衡位置とプルダウン位置との間の道程のうちの約3分の1に限られ、その後にマイクロミラーは、勢いよく完全なプルダウン位置へと移動してしまう。実際には、本発明においては、このスナップダウン位置が好ましく使用され、2つの不連続な電圧状態を使用してマイクロミラーが平衡位置とプルダウン位置との間で好ましく切り替えられる。
【0039】
マイクロミラーに印加電圧信号からもたらされる力が加えられるとき、その運動は、ミラーの機械的な共振周波数および大気の減衰効果によって決定される。ミラーならびにミラーのばね系が、通常の市販のソフトウェアツールで割り出すことができる共振周波数にて、古典的な共振器として挙動する。所与の構成における正確な共振周波数は、ばねの強さおよびミラーの質量ならびに減衰の程度に依存する。例えば、2つの直線ばねおよびサイズが25ミクロン×25ミクロンであるミラーからなる典型的な構造においては、この共振周波数は、300kHz程度であり得る。より大きなミラーは、これよりも大幅に低い共振周波数を有し得る。より剛なばねを備えるデバイスは、これよりも大幅に高い共振周波数を有し得る。
【0040】
大気圧および数十ミリバールまでの圧力においては、空気がマイクロミラーの運動を大きく減衰させ、状態間の変化に要する時間が、この減衰プロセスによって支配される。数ミリバール以下の圧力においては、マイクロミラーは、高Q共振器として挙動し、すなわち強い振動の形式で運動する。この振動は、ミラーが引き下げられて、プルダウンストッパに当接して保持されるときには、プルダウンストッパが機械的な減衰をもたらすがゆえに生じないが、マイクロミラーが印加電圧をゼロ(または、プルダウン位置への保持に必要なしきい値を下回る電圧)へと切り替えることによってプルダウン位置から解放されるときに明白である。
【0041】
マイクロミラーが真空中で解放される場合、マイクロミラーは、平衡位置に向かって跳ね上がり、次いでこの位置を中心にして、各周期の後にプルダウン位置の近くへと戻るように振動する。これに対する減衰は、おそらくはきわめて弱く、したがって運動が、きわめて予測可能な形式で継続し、振幅および周波数は、正確な真空の程度や最初にマイクロミラーを保持するために使用されていた絶対的な電圧に比較的無関係である。
【0042】
基板の上方のマイクロミラーの変位は、
x(t)=x0−(x0−x1)cos(Ωt)exp(−βt) (1)
によって与えられ、
ここでxは、基板からマイクロミラーまでの距離であり、x0は、平衡位置であり、x1は、プルダウン位置であり、tは、マイクロミラーの解放からの時間であり、Ωは、共振周波数であり、βは、減衰係数である。
【0043】
低い圧力においては、振動の減衰係数が小さく、したがって振動がオーバーシュートを呈するため、例えばプレートに必要とされる最大の離間(マイクロミラーと基板との間の離間)が1.5ミクロンである場合、平衡位置を0.75ミクロンの付近となるように設計し、必要とされる最大の離間を達成するためにオーバーシュートに頼ることが可能である。プレートの離間の全範囲が、エタロンが基板からの最小の離間から最大の離間まで移動する第1の半サイクルにおいて対処される。半周期と全周期との間の或る時刻の後で、基板の電圧が再び印加され、プレートが振動を続けているため、再び基板に向かって移動し、マイクロミラーが印加電界によって再び拘束され、最初の「プルダウン」位置へと復帰する。1周期における典型的なプレートの離間は、時間に対して、図2に示したとおりであり、水平軸が時間を(任意単位で)示し、垂直軸がマイクロミラーの基板からの隔たりを示している。この図示の例では、平衡位置は1ミクロンである。代案として、マイクロミラーを所定の回数(1、2、または3以上)だけ振動させ、その後に電圧を再印加して、マイクロミラーをプルダウン位置に再拘束することも可能である。
【0044】
このやり方でマイクロミラーの解放のタイミングを制御することによって、運動の全範囲にわたってミラー位置の制御を、細かな電圧の制御にではなく、タイミング制御に依存して行うことができる。そのような細かいタイミングの制御は、高速なデジタル電子機器(例えば、0.35ミクロンのCMOS)を使用して達成することができる。
【0045】
次に、図3aおよび図3bを参照すると、ファブリーペローエタロンにおける透過および反射の式(式2が透過を示している)を、時間とともに変化するマイクロミラーと基板との間の間隔の式に組み合わせて使用して、エタロンミラーの間隔が図3aおよび図3bに示すような時間依存に従うときのマイクロミラーの透過の時間変化を割り出すことができる。図3aが、垂直入射についての実験による透過のデータを示す一方で、図3bは、60度の入射角度の場合の該当のデータを示している。やはり、水平軸が、時間を示す一方で、垂直軸は、マイクロミラーの光の透過を示している。
【0046】
図示の第1の例においては、エタロンの面に垂直に入射する光について、マイクロミラーが上昇して基板から離れるときに2つの透過のピークが生じ、これに対応する2つのピークが、マイクロミラーが基板に向かって引き戻されるときに生じる。第2の例は、60度の場合には、マイクロミラーが最大変位へと移動するときに透過のピークが1つ存在し、プルダウン位置へと戻るときに第2のピークが存在することを示している。しかしながら、ピークのタイミングおよび数は、光ビームの入射の角度とともに変化し、したがってエタロンのタイミングを最適化するためには、入射の角度を知ることが強く望まれる。それぞれのグラフは、2つの温度(約20度および70度)における透過特性を示しており、これら2つの動作値の間に良好な度合いの一貫性が見られている。
【0047】
あるいは、振動パターンの測定を、変調器への光の入射の角度を割り出すために使用することができる(実際には、cos(θ)についての測定(θは入射の角度)がもたらされる)。
【0048】
このデバイスを、検出器システムが変調器によって生み出される動的な変調を解像できるのであれば、連続波(CW)レーザ(または、予測可能なパルスパターンを有するレーザ)を制御するために使用することができる(図9bおよび図9c)。あるいは、パルスの継続時間がマイクロミラーの振動の周期よりも有意に短いならば、繰り返しパルスレーザを制御するために使用することができる(図9a)。この場合、インタロゲータシステム(新たな図10または図9c)の検出器は、必ずしも変調器の動的な挙動を解像できる必要はなく、インタロゲータの個々のパルスを解像できればよい。入射パルスの到着時刻を検出する検出器からなるタイミング回路を使用することができ、入射パルスのタイミングが、次のパルスの正確な到着時刻を予測するために使用される。マイクロミラーをプルダウン位置に保持し、レーザパルスの到着予定時刻においてマイクロミラーシステムがパルスに所望の量の変調を加えるための位置にあるように、計算された時刻に解放することができる。
【0049】
次に図4を参照すると、エタロンの動的な応答が、時間(クロックパルス)に対して示されている。最も上部の軌跡41は、入射するレーザパルスを示しており(任意単位)、中央の軌跡42は、マイクロミラーへと加えられる電圧(プルダウン電圧が、「2.5×10−6」に対応し、0Vが、「2×10−6」に対応している)を示しており、最も下方の軌跡43は、基板とMEOMSミラーとの間の間隔を示している(目盛りはメートル)。
【0050】
レーザパルスが、最大変位の付近において到着した場合(第1および第3のパルス)、透過が最大であり、論理1が伝達される。レーザパルスが、ミラーが基板に近いときに到着した場合(第2のパルス)、透過は最小であり、論理0(ゼロ)が伝達される。
【0051】
次に図5を参照すると、軌跡51が、マイクロミラーの駆動電圧を示しており、軌跡52、53が、2つのレーザパルスの透過パワーを示している場合について、実験データを示している。マイクロミラーの解放と第1のパルスの到着との間の遅延は、透過が大52であるようにされている。マイクロミラーの解放と第2のパルスの到着との間の遅延は、透過が小52であるようにされている。
【0052】
変調器を、逆反射器、検出器、および駆動用電子機器と一緒に使用して、図9cに示されているように遠方のインタロゲータシステムと通信できるトランスポンダを形成することができる。右側に、トランスポンダが図示される一方で、左側には、コリメータレンズ98を備えたレーザ95および集光レンズ96を備えた検出器97が示されている。トランスポンダが充分に遠く、トランスポンダからの光が回折および拡散して、レーザインタロゲータへと戻るだけでなく、広がって受信光学系にも進入する場合、検出器が、どの光がトランスポンダから反射されて戻されたのかを検出する。この場合、インタロゲータが、遠方のトランスポンダによって生み出された変調を検出する。
【0053】
受信されるパルスに加えられる変調は、振幅変調、または移動変調、あるいは両者であってよい。
【0054】
真にCWであるインタロゲータにおいては、トランスポンダが、必ずしも検出器を必要とせず、単純にインタロゲータによって検出される変調パターンを送り出すことができる。あるいは、インタロゲータの光の存在を検出するために、検出器を使用してもよい。擬似CW変調インタロゲータにおいては、トランスポンダの検出器が、インタロゲータのビーム内のタイミング情報(例えば、強度の急上昇または強度の中断)を使用し、変調をタイミング情報に同期させることができる。一連の短いパルスを生成するインタロゲータの場合には、トランスポンダが、1つのパルスの到着を検出し、このタイミング情報を、次のパルスの変調を生成するための最適なタイミングを割り出すために使用することができる。最適な解放時刻を、例えば1つのパルスの到着を検出し、到着の角度についての情報を集め、最適な遅延を割り出すべくルックアップテーブルを使用することによって決定できる。例として、システムを、パルスの透過または反射を最大値と最小値との間で切り替えるために使用することができ、もしくはパルスの振幅を、すべてが同じ強度になるように、あるいは何らかのやり方で符号化されるように、制御するために使用することができる。これを、振動の最初の半周期において行うことができる。また、これを、機械的振動の際の任意の予測可能な点において行うことも可能であり、あるいはマイクロミラーを2回振動させ、第2の振動においてパルスの変調を達成することも可能である(全二重の通信を達成したい場合に重要である)。
【0055】
次に図6を参照すると、上述のように、1つのパルスの到着を検出し、この情報を使用して、次のパルスを変調すべくマイクロミラーを解放することができるよう、変調器61に検出器62を組み合わせることができる。
【0056】
次に図7を参照すると、上述の仕組みの変種において、遠方のレーザ発光体を、繰り返しの短パルスレーザシステムを長パルスまたは連続波のレーザシステムに組み合わせて構成することができる。この構成において、短パルスを、タイミングパルスとして使用することが可能である。変調器が、タイミングのための短パルスを使用し、光の連続波部分または長パルス部分に変調を加えることができる。したがって、変調されるビームを、例えばタイミングパルスに対する変調の時間シフトによってエンコードすることができる。インタロゲータが、充分に高速な検出器または敏感な検出器を有する場合には、インタロゲータのビームにタイミング情報を持たせる必要、およびトランスポンダに検出器を持たせる必要は、必ずしもないかもしれない。インタロゲータの検出器が、時間分解された変調を検出でき、あるいは平均の逆反射パワーの小さくかつ高速な変化を検出できる。
【0057】
図7は、タイミングパルス71と擬似CWレーザパルス72とを含むレーザパルスによる変調器61のインタロゲーションを示している。擬似CW部分が変調73されている。各パルスを変調するか、あるいは変調しないかによって、ビームをエンコードすることができ、あるいは変調または時間遅延の変調の適用を選択することができる。最初のタイミングパルスを使用することができ、あるいは矩形波インタロゲーションパルスの立ち上がり縁を使用することができる(左下の例を参照)。変調されたパルスの例は、右の中ほどに示されている。
【0058】
次に図8を参照すると、変調器61を逆反射器81に組み合わせ、変調逆反射器として機能させることができる。変調器のマイクロミラー素子は、例えば差し渡しが25μm程度であってよく、逆反射器の素子は、大幅に大きくてよく、例えば差し渡しが5〜15mmであってよい。個々のマイクロミラーがコヒーレントに動く場合、変調器を通過する光のダイバージェンスは、アレイの全体サイズによって決定され、単一のマイクロミラーによる回折に起因するダイバージェンスによっては決定されない。比較的大きな逆反射素子を使用することは、きわめて平行な反射光ビームを形成する上で役に立つ。したがって、変調逆反射デバイスを、パルスのパターン82を送信するレーザインタロゲータによって照射することができる。変調逆反射デバイスが、到着するパルスを変調し、パルス83をインタロゲータへと逆反射させる。ここで、インタロゲータのパルスは、基本的にパルス状であり、逆反射される光は、完全に逆反射され、あるいは完全に減衰させられる。したがって、インタロゲータは、逆反射されたパルスを受信して、一連の「1」および「0」としてデコードできる。この変調器の構成は、パルスを検出するために検出器62を使用することができ、1つのパルスの検出を使用して次のパルスの到着時刻を予測し、次のパルスを変調すべくマイクロミラーの解放時刻を決定するために、制御ユニット84を使用することができる。この場合、逆反射器への到着の角度が、管理されていなければならず、あるいは逆反射システムが、マイクロミラーの最適な解放のタイミングを決定するために、何らかの形式の角度検出を使用することができる。
【0059】
あるいは、インタロゲータおよび逆反射変調器システムの組み合わせのシステムが、性能を最適化することができる。変調器を、固定の時間遅延で動作させることができ、インタロゲータが、到着の角度を決定し、最適な変調が生じるようにパルスのタイミングを変化させることができる。
【0060】
最大または最小の信号を生み出すための変調器の最適なタイミングは、角度に依存する。上述のシステムが、任意の角度で入射する光について機能すべき場合には、最適なミラーのタイミングが入射光の入射角度に依存して決まるため、検出器が、好ましくは、到着の角度を割り出す手段を取り入れるべきである。あるいは、インタロゲータが、タグへの入射の角度を推定する手段を備え、最大の変調が保証されるようにタグへのパルスのタイミングを変化させてもよい。
【0061】
次に、図9aおよび図9bを参照すると、選択肢として、変調逆反射デバイスを、一式の短いタイミングパルスをより強度の低い擬似連続のパルスとともに送信できる(あるいは、送信しなくてもよい)インタロゲータとともに使用することができる。変調逆反射デバイスが、低強度の擬似連続のパルスを、タイミングパルスの後の或る制御された時点において変調できる。デバイスは、このパワーをインタロゲータへと逆反射させる。この構成において、インタロゲータのパルスは、擬似CW周期での変調を含み、逆反射される光は、インタロゲータのパルス状の要素に同期されるが、変調は、インタロゲータの光の擬似CW領域へと加えられる。
【0062】
インタロゲータによって受信される正確な変調パターンは、逆反射デバイスへの到着の角度に依存するが、インタロゲータが、特定のパターンを認識できてもよく、そこから、タイミングパルスに対する最適な時間遅延、および所望であれば入射の角度を決定することができる。
【0063】
擬似連続の波形およびそのタイミングパルスに対するタイミングを測定することによって、インタロゲータは、波形へと加えられた時間シフトの大きさを割り出すことができ、これを1片のデータとして解釈することができる。この後者の手法の利点は、変調装置に角度検出器を取り入れる必要がなく、変調装置を、より小型にでき、より安価に製造できる点にある。
【0064】
次に、図9bを参照すると、インタロゲータが、連続的な光91を生み出すことができ、逆反射される光を、インタロゲータに関連付けられた同期を持たずに、変調92、93することが可能である。
【0065】
次に、図9cを参照すると、全体としてのシステムが、1つ以上の上述のような変調装置を、送信器95と検出器97に組み合わせられた受信テレスコープ96とを備えるインタロゲータレーザシステムとともに備える。
【0066】
第1の角度測定モードにおいて、インタロゲータが、連続波ビームを送信し、トランスポンダから逆反射される光を測定する。トランスポンダは、おそらくはインタロゲータからのいかなる合図も使用せず、「解放および拘束」モードで動作する。「解放および拘束」の各サイクルにおいて、逆反射検出器は、図3に示した信号に定性的に類似した信号、すなわち一連の比較的はっきりした最大値および最小値を含む信号を検出する。いくつかのパルスにわたって測定を行い、積分を行うことで、検出器は、良好に解像された曲線を蓄積することができる。それらの曲線のピークのタイミングは、中央のピークまたは谷の深さまたは高さ同様、トランスポンダへの入射の角度の余弦の関数であり、データについて適切なフィッティングおよび処理を行うことによって、変調器への入射の角度の余弦を割り出すことが可能である。
【0067】
角度測定モードの第2の実施形態においては、インタロゲータが、一連のパルスを送信し、トランスポンダから逆反射される光を測定する。トランスポンダは、「解放および拘束」モードで動作し、インタロゲータからのパルスの検出の後に、所定の時間だけ遅延させて解放時間を開始させる。「解放および拘束」の各サイクルにおいて、逆反射検出器は、トランスポンダからのパルスを検出し、各パルスの振幅を記録できる。インタロゲータが、パルスNとパルスN+1との間の時間遅延が、パルスN−1とパルスNとの間の時間遅延にいくらかの増分Dtを加えた値に等しくなるように、パルス間のタイミングをゆっくりと変化させる場合、結果として、各パルスが、変調器の応答曲線の異なる部分によって変調されることになり、数パルスの期間にわたり、インタロゲータは、変調器の透過プロファイルの全体をストロボ状に採取することになる。このデータによって、インタロゲータは、トランスポンダへの入射の角度を推定することができる。
【0068】
第1の通信モードにおいて、インタロゲータは、変調装置のインタロゲートのために、パルスの列を使用する。変調装置が、到着する信号のタイミングおよび角度検出器からの角度を検出する。過去のパルス列の時間履歴から、変調装置は、次のパルスの到着時刻を予測することができる。変調装置は、内部のクロックおよびルックアップテーブルを使用し、次のパルスが到着するときに変調器によってもたらされる透過が最大または最小のとなるような時点で、マイクロミラーアレイを解放する。あるいは、最小の透過を、単にマイクロミラーをプルダウン位置に保持することによって得てもよい。受信器が、パルスを検出し、論理1であるか、あるいは論理0であるかを判断する。このモードは、最大の範囲にわたって性能をもたらす。
【0069】
第2の通信モードにおいては、インタロゲータが、一連のタイミングパルス(あるいは、タイミングの目的に使用できる鋭い縁を有する一連の矩形パルス)を送信できる(送信しなくてもよい)。これを、インタロゲーション用の擬似連続パワーに重ねることができる。変調装置は、タイミングパルスを検出するが、到着角度の割り出しは試みない。変調装置は、2つのやり方のうちの一方で、「解放および拘束」機構を動作させる。すなわち、論理「1」を示すためにパルスを変調し、論理「0」を示すために変調を行わない(あるいは、この反対)。あるいは、2つの所定の時間遅延のうちの一方において、論理「1」または論理「0」を示すべく変調を行う。前者の利点は、低帯域の検出器で、変調が加えられたか否かを示す小さな透過の変化を検出できる点にある。後者の技法の利点は、論理「1」および論理「0」の検出が能動的に示される点にある。
【0070】
あるいは、真のCWインタロゲーション91において、変調の存在92または非存在93を検出することができ、あるいはインタロゲータが、信号積分時間が変調信号の高周波積分に比べて遅い場合に予想される信号強度の小さな変化を検出できるのであれば、タイムキーシフト変調の存在を検出することができる。
【0071】
インタロゲータは、タイミングパルスおよびアナログの戻りを受信する。到着の角度にかかわらず、逆反射されたタイミングパルスを参照することによって、アナログの戻りのタイミングを認識することができる。
【0072】
遠隔角度検出モードにおいて、目標は、遠方の変調装置への入射の角度を割り出すことにある。これは、例えば、変調装置からの信号を最大にするためにインタロゲータがどの方向に移動すべきかを判断するために、あるいは変調器の向きを割り出すために、有用であると考えられる。インタロゲータが、擬似CWビームで変調器を照らし、マイクロミラーが解放および拘束されるときの時間分解された逆反射を検出する。検出された信号をテンプレートに照らし合わせることによって、プロセッサは、特定の入射角度に一致するテンプレートを特定できる。
【0073】
強度安定化モードにおいて、目標は、(例えばシンチレーションに起因して)入力ビームが繰り返し速度に比べて遅い時間軸において変動しているときに、出力ビームの平均を安定させることにある。入射パワーが、特定の程度の減衰をもたらすように同期させられた変調器に入射する。入射パワーに変動が存在する場合、減衰を調節して、全体としてのレーザパワーが一定の値に保たれるように保証するため、マイクロミラーの解放時刻に小さなタイミングの変化を加えることができる。到着するビームが、例えば論理「1」および論理「0」のパルス列であって、シンチレーションによって生じるよりゆっくりとした強度の変動を有する場合、システムを、このゆっくりと変化する変動が安定化によって取り除かれるが、より高速な論理「1」と論理「0」除との間の変化は残されて、後に検出できるように、変調することができる。この手法を、自由空間光レーザ通信システムにおいて信号を検出するために、大きなダイナミックレンジの検出器の代わりに用いることができる。
【0074】
空間光変調モードにおいては、アレイ上のマイクロミラーのグループが、ビームを横切る空間パターンを生み出すように解放される。これを、例えば信号処理およびビームの操縦など、他の空間光変調器が現在使用されているさまざまな用途に使用することができる。
【0075】
ビーム操縦モードにおいて、個々の素子のそれぞれの解放時刻が制御される場合、マイクロミラーアレイの各素子の位相を効果的に制御することが可能である。各素子の位相を制御することによって、伝搬方向を制御することができる。したがって、これを、それぞれのマイクロミラーを個々に制御できる場合に、レーザビームを所定の方向に操縦するために使用することができる。
【0076】
ファブリーペローエタロンの特徴をさらに詳しく検討すると、MOEMSミラー−基板変調器の透過を、反射率がシリコンへと適用されるフレネル反射の式によって決定される2つの反射面を有する単純な構造としてのシステムを検討することによってモデル化できる。ファブリーペローエタロンの透過は、
【数1】
によって与えられ、ここでφ=(4π/λ)Lcosθである。ここで、プレート間の間隔が、Lによって与えられ、入射の角度が、θによって与えられ、波長は、λである。各表面の反射率が、Rによって与えられ、透過が、Tによって与えられる。
【0077】
変調器およびコーナーキューブ逆反射器の組み合わせを考えると、反射される光が、2つの偏光成分の組み合わせによって決定される点が、注目される。インタロゲータが円偏光または非偏光である場合を考えると、到着の角度にかかわらず、2つの偏光の等しい強度が存在する。入射光が、等しい量の「s」偏光(Eベクトルが表面に平行)および「p」偏光(Eベクトルが透過および反射ビームの平面内にある)の光を有する。それぞれの偏光が異なる量だけ透過し、部分偏光のビームが、コーナーキューブ逆反射器へと進入する。この偏光が、逆反射器の性質に応じて、さまざまな量で解消される。コーナーキューブ逆反射器が金属でコートされている場合には、偏光特性は保存される。コーナーキューブ逆反射器が誘電体に拠る場合には、特定の角度について偏光が大きく解消される。後者の場合、近似として、ビームの偏光がコーナーキューブによって完全に解消されると仮定される。偏光が解消されたビームが、エタロンを通過して第2の経路を、光源へと戻る。
【0078】
したがって、変調された逆反射は、
【数2】
となると考えられ、ここで、Cretroは、逆反射の成分であり、TsおよびTpは、それぞれsおよびp偏光の透過であり、Rccは、コーナーキューブの反射率である。
【0079】
通過において、透過光の位相Ψは、
【数3】
なる関係によって与えられる。ここでφ=(4π/λ)Lcosθである。
【0080】
次に、図10を参照すると、変調器のマイクロミラーの制御の論理図が示されている。ローカルレジスタが初期化101され、タイミングパルスが検出102されたとき、タイミングカウンタが開始103される。パルスが、予想の時間窓に到着104した場合、角度または角度範囲(あるいは、角度範囲または「ビン」)の割り出し106から109が行われる。次いで、明らかにされた入射角度に応答して、マイクロミラーの解放時刻111および次のパルスの予想到着時刻112が決定される。これは、有利には、ルックアップテーブル110を利用することができる。次いで、プロセスが、新たな予想窓について繰り返し113される。変調器は、予想窓内のパルスの受信に繰り返し失敗する場合には、終了105でき、あるいは他の適切な動作をとることができる。
【0081】
システムが、入射の所与の到着角度に合わせて変調器を最適化できるよう、角度検出器が必要とされる可能性がある。2つの例が、以下に説明される。
【0082】
ここで図11を参照すると、第1の装置が、角度検出器をいくつかの「角度ビン」のうちの1つに属するものとして特定している。
【0083】
検出器は、基板の下方に位置する複数(典型的には、6つ)の検出器を備える。基板は、非透過性のコーティングを上面に有し、開口は、サイズの異なる環または円板である。下方の表面には、検出素子の付近を除いてコーティングは存在せず、検出素子の付近には、検出器を覆い隠すマスク領域が、一様なサイズのピンホール開口とともに存在している。検出器は、それぞれ下方の表面の開口のうちの1つの下方に配置されている。
【0084】
上方の表面の環と下方の表面の穴との整列は、光が所与の入射角度の範囲内にて入射する場合にのみ、光が下方の検出器へと対の開口を通過するような整列である。光が通過できる角度の範囲は、上方の表面の環の内径および外径、基板の厚さおよび屈折率、ならびに基板の下部穴の直径によって定められる。検出素子の付近を除いてコーティングが存在せず、したがって光がダイオード開口に進入する前に複数回の反射(誤った角度信号を生じさせ得る)を受けることはない。
【0085】
最大2mmの厚さを有する基板、および50ミクロン程度以上のフィーチャのサイズにおいては、回折が比較的軽微であって、検出器を通過する透過が幾何学的な検討によって決定されることが、モデル化によって示されている。
【0086】
角度θiで表面へと入射するF(J/m2)の一様な光束が、内側半径r1および外側半径r2を有する上側表面の環を通って透過される。透過する光束は、
【数4】
によって与えられる。
【0087】
上記において、短縮の影響が、係数cosθiを導入し、角度依存の透過が、T(θi)として明示的に取り入れられている。
【0088】
上方の環のパターンが、下方の表面に影を形成し、環の中心は
d=wtan(θr)
なる位置に位置し、ここで、wは基板の厚さであり、θrは、基板内の屈折の角度である。
【0089】
半径r3を有する下方の開口を通過する透過は、ブーリアンの重なり合いの積分によって与えられる。
【0090】
これのモデル化が、最良の角度分解能が、基板の厚さが低い屈折率を有し、厚さが最大化されるときに達成されることを示している。また、或る1つのビンと次のビンとの間の変わり目において検出器の雑音が最小化されるよう、「角度ビン」のわずかな重なり合いを有することが最良であることが明らかになっている。
【0091】
次に、図12aを参照すると、厚さ2mmのシリカおよび厚さ100ミクロンのフィーチャのサイズの場合についての角度検出器の透過のモデル化が、感度にわずかな重なり合いが存在し、重なり合いの点の付近において検出器の信号を最大にすることを明らかにしている。
【0092】
シリコンをモデル化したとき、特には大きな角度において、きわめて乏しい分解能しか達成できないことが明らかになった。これは、強力な屈折によってすべての光が垂直に向かって曲げられるため、空気中での到着角度に5度の相違が存在しても、下方の表面上の環の影の変位の相違は、きわめて小さなくなってしまうためである。厚さ1.5mmの基板を使用した最近のモデル化は、これも成功することを示している。2mmの基板については、最大の環の直径は1.4mmである。
【0093】
任意の所与の到着角度について、複数の検出器が信号を記録できることが示されている。タグが最強の信号を特定し、これを特定の角度ビンの知らせとして使用することが提案される。これは、3つのエラーの源にさらされ得る。検出器の感度のばらつきが、2つの角度ビンの間の境界におけるエラーにつながり得る。乱れが、強度を小さな距離について無相関にする可能性があり、或る1つの環における強度が、別の環における強度と相違する可能性がある。最後に、太陽束が、DC束として或る1つの検出器に入射する可能性があり、これが該当の検出器の感度を変化させる可能性がある。
【0094】
入射の角度に応じてエタロンの間隔を調節する必要があることが指摘されている。これを行うための最も簡単なやり方は、現実的に対応できる1式のエタロン間隔を特定し、それぞれの特定の間隔について最適な「角度ビン」を特定することである。エタロンの透過を分析すると、
【数5】
であり、
(2π/λ)×Lcosθ=π/2にピークがあり、
所与のLについて、θ=arccos{λ/4L}のときがピークである。
【0095】
図12bが、角度θに対する最適な間隔Lのプロットを示している。
【0096】
1式の一様に分布した間隔が選択される場合、それぞれの間隔について、角度範囲が異なることを見て取ることができる。例として、以下の角度範囲を有する6つの間隔が選択される。
【表1】
【0097】
これらの角度ビンを使用し、反射率がコートなしのシリコンのフレネル反射率によって決定される場合を検討する。
【0098】
フレネル反射率は、
【数6】
によって与えられる。
【0099】
次に、図13aを参照すると、これらの反射率および上記表に提示した1式のエタロン間隔を使用し、種々の間隔について、角度に対する透過率を計算することができる。図は、論理「1」および論理「0」に対応する間隔について、角度に対する逆反射信号のプロット、フレネル反射係数によって決定される反射率を示している。
【0100】
次に、図13bを参照すると、論理「1」レベルおよび論理「0」レベルの間のコントラストが、2つのシリコン表面によるフレネル反射にもとづく単純なエタロンについて計算されている。
【0101】
結果は、垂直入射の付近の約9から12のコントラスト係数が、60度の近くでは3まで低下することを示している。低下は、平行偏光の反射率が入射の角度がブリュースター角に近付くにつれて低下し、この偏光についてのエタロンの鋭敏さが低下するために生じる。結果として、「論理0」状態の透過率が、異常に高くなる。これは、エタロンの構造を、ここで検討した単純なエタロン構造よりも高度化しなければならないことを示している。
【0102】
次に、図14を参照すると、入射の角度が0°から60°へと増加するにつれて、移動するミラーの最大および最小の信号のための変位が、どのように変化するのかが示されている。これを考慮に入れ、ミラーの解放のタイミングを、最大の透過または逆反射のために最適化することができる。
【0103】
次に、図15aを参照すると、光学式の角度検出器の第2の実施形態が、2つの検出器1513、1514および両者を覆う窓1512を備える。一方の検出器1514は、角度依存の透過特性を有して検出器へと近付く光学経路に位置しているフィルタ素子1511(例えば、1つ以上のコーティングまたは層を備える)を有する。このコーティングは、一方の検出器1514を覆っているが、第2の検出器1513は覆っておらず、装置は、2つの検出器のそれぞれにおいて受信される光信号の強度の間の比を測定することによって機能する。該当する到着角度を明らかにするために、ルックアップテーブルを使用することができる。
【0104】
他の実施形態においては、他の構成も使用可能である。一般に、それぞれの検出器において受信される光信号の間の差(または、比)が角度依存の特性を呈する限りにおいて、コーティングおよび層を、両方の検出器の前方に配置することができる。
【0105】
望ましくない干渉の影響を、窓1512が検出器1513、1514の表面に平行でないように保証することによって、軽減することができる。
【0106】
次に図17を参照すると、2つの検出器の比が、入射角度の関数として示されている。図示の例において、入射の角度が垂直に対して0度から60度へと増加するとき、比がほぼ二次関数的に増加することを見て取ることができる。したがって、この変化を、どのような分解能が必要とされても、雑音および検出器の感度の変化にさらされても、入射の角度を割り出すために使用することができる。
【0107】
好ましい実施形態において、入射光ビームは、入射光のsおよびp成分について振幅が等しいよう、偏光しておらず、あるいは円偏光であるべきである。そうでない場合、検出器は、偏光の方向ならびに光の入射角度に左右される。
【0108】
次に図16を参照すると、角度依存の透過を有する素子として使用するためのエッジフィルタベースの設計の透過特性が示されている。エッジフィルタベースの設計は、フィルタ素子が入射光に対して傾けられるとき、波長に対する透過率の曲線が、所与の固定の波長の入射光について素子を通過する透過が変化するように変化するという特徴を呈する。この場合、フィルタの設計は、基本的には、基本の高/低の層のペアの繰り返しが比較的少ない4分の1波長誘電体ミラーの設計である。これは、角度の傾きにつれて緩やかな応答がもたらされ、入射角度の割り出しのための能力が高められるよう、比較的「ソフト」なエッジをもたらす。フィルタのコーティングを、例えば、五酸化タンタルおよび二酸化シリコンの(この順の)9つの交互の層からなり得る。しかしながら、場合によっては知られているエッジ−フィルタの設計にもとづき、層の同様な高/低の屈折率のペアをもたらす別の材料の組み合わせも使用可能である。従来のエッジ−フィルタは、はるかに多くの繰り返しを有し、角度に対してより迅速に変化し、曖昧さのない入射角度の割り出しをより困難にするハードエッジな応答を有する。
【0109】
次に図17を参照すると、2つの検出器によって測定された値の間の比が、フィルタ素子への入射角度が変化するにつれて変化することを見て取ることができる。2つの検出器を使用することで、「角度信号」がレーザ出力またはレーザパルスエネルギーから独立であるように保証される。
【0110】
図17に示した比が、MEOMSマイクロミラーベースの変調器の最適な間隔が角度とともに呈する「二次関数形状」(図14)と同じ「二次関数形状」で、角度とともに変化することに留意されたい。これは、この角度検出器の感度(垂直入射の付近において低く、60度の付近において高い)が、角度を割り出すための一般的要件(すなわち、垂直入射においては精度があまり必要とされず、入射の角度が60度に近付くにつれてより高い精度が必要とされる)によく一致することを意味する。
【0111】
次に図15bを参照すると、上述の実施形態においては、フィルタの透過が、垂直からの入射角度が大きくなるにつれて減少しているが、入射角度に関して反対の特性を有するフィルタ、すなわち入射の角度が垂直から増加するにつれて透過が大きくなるフィルタも使用可能であることは、当業者にとって明らかであろう。さらに、反対の透過特性のフィルタ1511、1515がそれぞれの検出器1514、1513の上方に位置する構成を、さらなる角度の識別をもたらすために使用することができる。そのような場合、2つの検出器において検出される信号の受信強度の比の変化が、図15aの単一のフィルタの場合に比べて、より幅広い範囲の値をとる。
【0112】
本明細書の教示を理解しようとする当業者にとって明らかであるとおり、本明細書に提示したあらゆる範囲および装置の意義は、求める効果を失うことなく拡張または変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【0113】
【図1a】本発明による典型的なマイクロミラー素子および典型的なばね構造の斜視図を示している(基板は示されていない)。
【図1b】本発明によるマイクロミラー素子および典型的なばね構造の側面図を示している。
【図1c】本発明によるマイクロミラー素子のアレイの平面図を示している。
【図2】本発明によるマイクロミラーと基板との間の離間の時間変化の概略のグラフを示している。
【図3a】垂直な入射角度について、本発明による光変調器の透過特性の概略のグラフを示している。
【図3b】60度の入射角度について、本発明による光変調器の透過特性の概略のグラフを示している。
【図4】本発明による変調器の時間に対する動的応答の概略のグラフを示している。
【図5】本発明による印加電圧を透過信号と比較する概略のグラフを示している。
【図6】本発明による第1の変調装置の概略図を示している。
【図7】本発明による第2の変調装置の概略図を示している。
【図8】逆反射器を取り入れてなる本発明による第3の変調装置の概略図を示している。
【図9a】逆反射器を取り入れてなる本発明による第4の変調装置の概略図を示している。
【図9b】逆反射器を取り入れてなる本発明による第5の変調装置の概略図を示している。
【図9c】本発明によるシステムの概略図を示している。
【図10】本発明による変調方法のフロー図を示している。
【図11】本発明による第1の検出器の概略図を示している。
【図12a】本発明に従い、入射の角度に対する角度検出器の透過の概略のグラフを示している。
【図12b】本発明に従い、角度に対する最適な間隔の概略のグラフを示している。
【図13a】本発明に従い、入射の角度に対する角度検出器の透過のさらなる概略のグラフを示している。
【図13b】本発明に従い、論理「1」と論理「0」との間のコントラストの概略のグラフを示している。
【図14】本発明に従い、入射の角度に対するミラーの変位の例を示している。
【図15a】本発明による第1の光検出器の概略図を示している。
【図15b】本発明による第1の光検出器の概略図を示している。
【図16】本発明によるフィルタ素子の透過特性の概略のグラフを示している。
【図17】本発明に従い、入射の角度につれて変化する透過率の概略のグラフを示している。
【技術分野】
【0001】
本発明は、光のビームの入射の角度を検出するための装置、方法、およびコンピュータプログラムに関し、さらにはこれらを取り入れてなるシステムに関する。そのようなシステムは、これらに限られるわけではないが、自由空間光通信の変調器およびシステムを含む。
【背景技術】
【0002】
自由空間光通信システムの可能性は、視線上の2点の間に広帯域のデータリンクをもたらすための手段として、広く認知されている。そのようなシステムについて、大都市地域における通信リンクの構成要素としての用途、および開いた間取りの事務所(open plan office)におけるローカルエリアネットワークの構成要素としての用途など、いくつかの用途が考えられている。
【0003】
本出願と同時に係属中である米国特許出願第10/483,738号(A.M.Scottら)が、間隔を制御することができるエタロンとエタロンを介して受信される光を再びエタロンを通って光源に向かって反射させるように構成された逆反射器とを組み合わせて使用する動的な光反射器およびインタロゲーションシステムを開示している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明は、光ビームの接近の角度の割り出し、およびそのようにして割り出した角度情報の選択肢としての利用に関する装置、方法、および他の関連の態様を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の第1の態様によれば、所定の波長の光ビームの入射の角度を割り出すための光検出器であって、第1および第2の検出器ならびに角度依存の光透過特性を呈する素子を備え、素子が、第1および第2の検出器の少なくとも一方への光学経路に位置し、所定の波長の受信信号のパワーの間の比較に応答して入射の角度を割り出すことができるように検出器に対して配置されている光検出器が提供される。
【0006】
光学的に角度依存性である素子を、第1および第2の検出器のうちの一方のみの上方に位置させることができる。
【0007】
比較は、信号強度の比であってよい。
【0008】
素子の透過率が、入射の角度が垂直から増加するにつれて小さくなってよい。
【0009】
角度依存の光学特性を呈する素子が、比較的少ない層を備えることによってソフトエッジ特性を呈するエッジフィルタを備えることができる。
【0010】
素子は、五酸化タンタルおよび二酸化シリコンの交互の層を備えることができる。
【0011】
素子は、9つの層を備えることができる。
【0012】
素子の透過率が、入射の角度が垂直から増加するにつれて大きくなってよい。
【0013】
光検出器は、入射の角度を示す出力信号がもたらされる出力をさらに備えることができる。
【0014】
本発明のさらなる態様によれば、先行の任意の請求項に記載の光検出器を備える光変調器が提供される。
【0015】
変調器を、入射の角度に応答して制御することができる。
【0016】
さらに本発明は、通信を目的とするシステムであって、本発明を具現化する装置の1つ以上の実例を他の追加の装置とともに備えるシステムを提供する。
【0017】
特には、本発明のさらなる態様によれば、上述の任意の態様による光検出器または変調器を備える自由空間光通信システムが提供される。
【0018】
さらに本発明は、上述の装置を動作させる方法であって、装置のすべての機能を実行するための方法ステップを含む方法に向けられている。
【0019】
特には、本発明のさらなる態様によれば、光ビームの入射の角度を割り出す方法であって、一方の検出器に到着する光が角度依存の透過特性を呈するフィルタ素子を介している2つの検出器により、共通のソース信号からの信号強度を比較すること、および検出された2つの信号の強度の間の比較に応答して、入射の角度を割り出すこと、を備える方法が提供される。
【0020】
本発明のさらなる態様によれば、光変調器の制御方法であって、第1の態様による光検出器を用意するステップ、および光検出器によって検出される入射の角度に応答して、変調器を制御するステップ、を備える方法が提供される。
【0021】
さらに本発明は、機械で読み取ることができる形式のコンピュータソフトウェアであって、動作時に装置および/または方法のすべての機能を実行または制御するように構成されたコンピュータソフトウェアを提供する。
【0022】
特には、本発明のさらなる態様によれば、コンピュータのためのプログラムであって、本発明による光検出器から、受信光ビームの入射の角度を示す信号を受信するステップ、および入射の角度を示す信号に応答して、光変調器の変調を制御するステップ、を備えるプログラムが提供される。
【0023】
さらに本発明は、本発明の残りの態様によって使用される信号に向けられている。
【0024】
当業者にとって明らかであるとおり、好ましい特徴を適宜に組み合わせることができ、本発明の任意の態様に組み合わせることができる。
【0025】
次に、本発明をどのように実行に移すことができるかを示すため、本発明の実施形態を、以下で添付の図面を参照しつつ、あくまで例として説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【0026】
図1aから図1cを参照すると、(1つ以上の)光ビームの強度を制御するために使用できる変調器が、単一の素子10にもとづいており、あるいは1つ以上のマイクロミラー10が基板13の上方に支持12されているMOEMSミラー構造のアレイ11にもとづいている。この構成を、基板(例えば、シリコン)が光学的に透過性である波長の透過に使用することができ、実質的により広い範囲の波長の反射に使用することができる。
【0027】
個々の素子は、1ミクロン未満から数ミクロンの間の間隔にて基板13の上方に支持されたマイクロミラー10を有する。マイクロミラーは、基板とマイクロミラーとの間に電圧が加えられたときに、静電気力によってマイクロミラーが平衡位置(電圧が加えられていない)から基板に向かって引かれるように、ばね14によって支持されている。
【0028】
電圧駆動の静電気デバイスにおいては、所与のしきい値未満であれば、静電気力がデバイスの変位に起因する機械的な復帰力と平衡して、デバイスが安定な平衡状態となる。このしきい値を超えると、静電気力が復帰力を超え、マイクロミラーが基板に向かって制御不能に移動する(一般に「ラッチ」、「プルイン」、または「プルダウン」として知られている状態)ため、デバイスは不安定になる。しきい値を超える電圧を加えることで、所与の駆動電圧においてより大きな範囲(典型的には、しきい値未満の仕組みに対して約3倍)でミラーを動かすことができる。
【0029】
マイクロミラーは、任意の平面形状であってよいが、実質的に平坦かつ基板に平行でなくてはならない。マイクロミラーは、有利には正方形であってよいが、他の形状であってもよい。アレイにおいて密に密集させることができる形状(例えば、三角形、長方形、および六角形)が、特に好ましい。
【0030】
このデバイスへと光15aが導かれると、光の一部は反射15bされ、一部は基板へと透過15cして、反対側から出る(基板が透過性であるような波長の場合)。支持ミラーによる反射および透過光が、基板による反射および透過光と干渉し、したがってデバイスの実際の透過および反射は、デバイスへの光の入射の角度、支持ミラーと基板との間の間隔、ならびに支持マイクロミラーの厚さ、マイクロミラーの素材の屈折率、および入射光の波長などといったシステムの他の所定の特性に応じて、高低の値の間でさまざまである。
【0031】
動作時、マイクロミラーと基板との間の間隔が変化するにつれ、透過が高低の値の間で変化し、すなわち入射光の変調手段がもたらされる。変調は、透過または反射モードにて機能することができる。マイクロミラーが、典型的には厚さが1ミクロン未満であって、シリコンが高度に吸収性である可視の領域においても半透明であり、したがってシリコンから製作される変調器を、可視の帯域において反射に使用できることに留意されたい。当業者にとって明らかであると考えられるが、例えば二酸化シリコンまたはチッ化シリコンなど、シリコン以外の材料も使用可能である。この場合、基板は、透明でなければならない(例えば、二酸化シリコンまたはチッ化シリコンであってよい)と考えられ、マイクロミラーおよび底層は、二酸化シリコンまたはチッ化シリコン、あるいはシリコンの薄い層または材料の組み合わせであると考えられる。
【0032】
変調器の透過および反射特性を、本明細書の式2に提示されるように、ファブリーペローエタロンによる透過および反射についての既知の式を使用して、説明することができる。反射および透過光が、位相のシフトならびに振幅の変化を受けることに、留意されたい。これを、光ビームの位相の変調が求められるデバイスにおいて利用することも可能である。
【0033】
マイクロミラーは、ミラーを密にタイル状に並べることによって広い領域を覆うアレイとして製造される場合、空間光変調器(SLM)となる。SLMにおいて、マイクロミラーを、個々に制御することができ、グループにて制御することができ、あるいはすべてをまとめて制御することができる。好ましくは、マイクロミラーアレイの素子が、コヒーレントに動くように構成または操作され、すなわち得られる光の位相がアレイの全体にわたって一様であるように、同じタイミングおよび振幅で同期して動くように構成され、多数の(おそらくはすべての)マイクロミラーのグループにおいて、デバイスへと入射する波面の各部に実質的に一様な効果をもたらすために、素子が一緒に動く。これは、変調された光の回折特性が、広がった波面によって決定され、単一のマイクロミラー素子による回折によって決定されるわけではないという利益を有する。小さなミラーからなるアレイは、より大きなデバイスと比べたとき、ミラーの平坦性を良好に保ちつつ、高い速度の達成を可能にする。
【0034】
マイクロミラーはそれぞれ、2つの電圧状態を使用して制御されたときのミラーの位置を確証できる2つの安定位置の間で操作される。その第1は、ミラーと基板との間に電圧が加えられていない(あるいは、所与のしきい値を下回る電圧が加えられている)ときに、マイクロミラー10が基板の上方に動かずに支持されている「平衡位置」である。電圧が加えられない実施形態においては、支持ばね14の伸びは存在しない。別の実施形態においては、変調器の状態が変化するときに電池を充電することによって変調器の全体としての電力消費を低減するために、しきい値未満の電圧が加えられる。ミラーは、静電気力と機械的な力とが平衡するより下方の平衡位置(元の平衡位置(電圧が加えられていない)と基板との間)に位置することになる。
【0035】
第2の位置は、しきい値を超える電圧が加えられ、マイクロミラーが基板に向かって強く引き下げられた「プルダウン」位置である。
【0036】
絶縁ストッパ(例えば、ボスまたは他の隆起した電気絶縁性のフィーチャ)16を、基板とマイクロミラーとの間に設けることができ、したがって電圧がしきい値を超えたとき、ミラーがストッパへと引き寄せられて当接するが、それ以上基板に向かって引き寄せられることはない。したがって、このようなプルダウンストッパによれば、望ましくないマイクロミラーと基板との間の電気的接触を防止することができる。そのような電気的接触は、短絡および電気的損傷につながりかねない。さらに、1つ以上の終端ストッパを取り入れることで、プルダウン位置にあるときのミラーと基板との間に、所定のオフセットを定めることができる。さらに、機械的な減衰がもたらされ、静止までの時間が短くなる。有利なことに、このオフセットを、幅広い角度範囲にわたって透過が少ない状態に対応するように、特定的に設計することができる。好ましくは、終端ストッパは、機械的な接触の付着エネルギーに打ち勝つべく追加のエネルギーをもたらすために、プルダウン位置のミラーにわずかな湾曲をもたらすことができるように構成される。考えられる一実施形態においては、実質的に正方形または矩形のミラーが、ミラーのそれぞれの角またはその付近、ならびにミラーの中央またはその付近に、終端ストッパを取り入れている。
【0037】
ミラーは、MEMSプロセス、好ましくは多結晶シリコン表面マイクロマシニングプロセスを使用して実現できる。好ましくは、終端ストッパが、基板上の1つ以上のブシュ16(絶縁されたアイランド)およびミラーの下方のくぼみ17を使用して実現される。さらに好ましくは、ブシュを、チッ化シリコンおよび/または多結晶シリコンで構成でき、ミラーおよびくぼみを、多結晶シリコンで構成できる。
【0038】
小さな電圧が加えられたとき、マイクロミラーは、平衡位置からわずかな量だけ移動する。電圧が特定のしきい値を超えると、この移動が不安定になり、マイクロミラーが「プルダウン位置」へとぱたりと落ち込む(snap down)。アナログの制御電圧を加えて、マイクロミラーを基板からの任意の距離へと動かすことは、電圧について微細な制御が必要であり、アレイ内のミラー間で経路長が相違するがために電圧降下に左右されやすいことから、困難である。通常または単純な制御システムにおいては、アナログ制御のもとでのマイクロミラーの移動は、平衡位置とプルダウン位置との間の道程のうちの約3分の1に限られ、その後にマイクロミラーは、勢いよく完全なプルダウン位置へと移動してしまう。実際には、本発明においては、このスナップダウン位置が好ましく使用され、2つの不連続な電圧状態を使用してマイクロミラーが平衡位置とプルダウン位置との間で好ましく切り替えられる。
【0039】
マイクロミラーに印加電圧信号からもたらされる力が加えられるとき、その運動は、ミラーの機械的な共振周波数および大気の減衰効果によって決定される。ミラーならびにミラーのばね系が、通常の市販のソフトウェアツールで割り出すことができる共振周波数にて、古典的な共振器として挙動する。所与の構成における正確な共振周波数は、ばねの強さおよびミラーの質量ならびに減衰の程度に依存する。例えば、2つの直線ばねおよびサイズが25ミクロン×25ミクロンであるミラーからなる典型的な構造においては、この共振周波数は、300kHz程度であり得る。より大きなミラーは、これよりも大幅に低い共振周波数を有し得る。より剛なばねを備えるデバイスは、これよりも大幅に高い共振周波数を有し得る。
【0040】
大気圧および数十ミリバールまでの圧力においては、空気がマイクロミラーの運動を大きく減衰させ、状態間の変化に要する時間が、この減衰プロセスによって支配される。数ミリバール以下の圧力においては、マイクロミラーは、高Q共振器として挙動し、すなわち強い振動の形式で運動する。この振動は、ミラーが引き下げられて、プルダウンストッパに当接して保持されるときには、プルダウンストッパが機械的な減衰をもたらすがゆえに生じないが、マイクロミラーが印加電圧をゼロ(または、プルダウン位置への保持に必要なしきい値を下回る電圧)へと切り替えることによってプルダウン位置から解放されるときに明白である。
【0041】
マイクロミラーが真空中で解放される場合、マイクロミラーは、平衡位置に向かって跳ね上がり、次いでこの位置を中心にして、各周期の後にプルダウン位置の近くへと戻るように振動する。これに対する減衰は、おそらくはきわめて弱く、したがって運動が、きわめて予測可能な形式で継続し、振幅および周波数は、正確な真空の程度や最初にマイクロミラーを保持するために使用されていた絶対的な電圧に比較的無関係である。
【0042】
基板の上方のマイクロミラーの変位は、
x(t)=x0−(x0−x1)cos(Ωt)exp(−βt) (1)
によって与えられ、
ここでxは、基板からマイクロミラーまでの距離であり、x0は、平衡位置であり、x1は、プルダウン位置であり、tは、マイクロミラーの解放からの時間であり、Ωは、共振周波数であり、βは、減衰係数である。
【0043】
低い圧力においては、振動の減衰係数が小さく、したがって振動がオーバーシュートを呈するため、例えばプレートに必要とされる最大の離間(マイクロミラーと基板との間の離間)が1.5ミクロンである場合、平衡位置を0.75ミクロンの付近となるように設計し、必要とされる最大の離間を達成するためにオーバーシュートに頼ることが可能である。プレートの離間の全範囲が、エタロンが基板からの最小の離間から最大の離間まで移動する第1の半サイクルにおいて対処される。半周期と全周期との間の或る時刻の後で、基板の電圧が再び印加され、プレートが振動を続けているため、再び基板に向かって移動し、マイクロミラーが印加電界によって再び拘束され、最初の「プルダウン」位置へと復帰する。1周期における典型的なプレートの離間は、時間に対して、図2に示したとおりであり、水平軸が時間を(任意単位で)示し、垂直軸がマイクロミラーの基板からの隔たりを示している。この図示の例では、平衡位置は1ミクロンである。代案として、マイクロミラーを所定の回数(1、2、または3以上)だけ振動させ、その後に電圧を再印加して、マイクロミラーをプルダウン位置に再拘束することも可能である。
【0044】
このやり方でマイクロミラーの解放のタイミングを制御することによって、運動の全範囲にわたってミラー位置の制御を、細かな電圧の制御にではなく、タイミング制御に依存して行うことができる。そのような細かいタイミングの制御は、高速なデジタル電子機器(例えば、0.35ミクロンのCMOS)を使用して達成することができる。
【0045】
次に、図3aおよび図3bを参照すると、ファブリーペローエタロンにおける透過および反射の式(式2が透過を示している)を、時間とともに変化するマイクロミラーと基板との間の間隔の式に組み合わせて使用して、エタロンミラーの間隔が図3aおよび図3bに示すような時間依存に従うときのマイクロミラーの透過の時間変化を割り出すことができる。図3aが、垂直入射についての実験による透過のデータを示す一方で、図3bは、60度の入射角度の場合の該当のデータを示している。やはり、水平軸が、時間を示す一方で、垂直軸は、マイクロミラーの光の透過を示している。
【0046】
図示の第1の例においては、エタロンの面に垂直に入射する光について、マイクロミラーが上昇して基板から離れるときに2つの透過のピークが生じ、これに対応する2つのピークが、マイクロミラーが基板に向かって引き戻されるときに生じる。第2の例は、60度の場合には、マイクロミラーが最大変位へと移動するときに透過のピークが1つ存在し、プルダウン位置へと戻るときに第2のピークが存在することを示している。しかしながら、ピークのタイミングおよび数は、光ビームの入射の角度とともに変化し、したがってエタロンのタイミングを最適化するためには、入射の角度を知ることが強く望まれる。それぞれのグラフは、2つの温度(約20度および70度)における透過特性を示しており、これら2つの動作値の間に良好な度合いの一貫性が見られている。
【0047】
あるいは、振動パターンの測定を、変調器への光の入射の角度を割り出すために使用することができる(実際には、cos(θ)についての測定(θは入射の角度)がもたらされる)。
【0048】
このデバイスを、検出器システムが変調器によって生み出される動的な変調を解像できるのであれば、連続波(CW)レーザ(または、予測可能なパルスパターンを有するレーザ)を制御するために使用することができる(図9bおよび図9c)。あるいは、パルスの継続時間がマイクロミラーの振動の周期よりも有意に短いならば、繰り返しパルスレーザを制御するために使用することができる(図9a)。この場合、インタロゲータシステム(新たな図10または図9c)の検出器は、必ずしも変調器の動的な挙動を解像できる必要はなく、インタロゲータの個々のパルスを解像できればよい。入射パルスの到着時刻を検出する検出器からなるタイミング回路を使用することができ、入射パルスのタイミングが、次のパルスの正確な到着時刻を予測するために使用される。マイクロミラーをプルダウン位置に保持し、レーザパルスの到着予定時刻においてマイクロミラーシステムがパルスに所望の量の変調を加えるための位置にあるように、計算された時刻に解放することができる。
【0049】
次に図4を参照すると、エタロンの動的な応答が、時間(クロックパルス)に対して示されている。最も上部の軌跡41は、入射するレーザパルスを示しており(任意単位)、中央の軌跡42は、マイクロミラーへと加えられる電圧(プルダウン電圧が、「2.5×10−6」に対応し、0Vが、「2×10−6」に対応している)を示しており、最も下方の軌跡43は、基板とMEOMSミラーとの間の間隔を示している(目盛りはメートル)。
【0050】
レーザパルスが、最大変位の付近において到着した場合(第1および第3のパルス)、透過が最大であり、論理1が伝達される。レーザパルスが、ミラーが基板に近いときに到着した場合(第2のパルス)、透過は最小であり、論理0(ゼロ)が伝達される。
【0051】
次に図5を参照すると、軌跡51が、マイクロミラーの駆動電圧を示しており、軌跡52、53が、2つのレーザパルスの透過パワーを示している場合について、実験データを示している。マイクロミラーの解放と第1のパルスの到着との間の遅延は、透過が大52であるようにされている。マイクロミラーの解放と第2のパルスの到着との間の遅延は、透過が小52であるようにされている。
【0052】
変調器を、逆反射器、検出器、および駆動用電子機器と一緒に使用して、図9cに示されているように遠方のインタロゲータシステムと通信できるトランスポンダを形成することができる。右側に、トランスポンダが図示される一方で、左側には、コリメータレンズ98を備えたレーザ95および集光レンズ96を備えた検出器97が示されている。トランスポンダが充分に遠く、トランスポンダからの光が回折および拡散して、レーザインタロゲータへと戻るだけでなく、広がって受信光学系にも進入する場合、検出器が、どの光がトランスポンダから反射されて戻されたのかを検出する。この場合、インタロゲータが、遠方のトランスポンダによって生み出された変調を検出する。
【0053】
受信されるパルスに加えられる変調は、振幅変調、または移動変調、あるいは両者であってよい。
【0054】
真にCWであるインタロゲータにおいては、トランスポンダが、必ずしも検出器を必要とせず、単純にインタロゲータによって検出される変調パターンを送り出すことができる。あるいは、インタロゲータの光の存在を検出するために、検出器を使用してもよい。擬似CW変調インタロゲータにおいては、トランスポンダの検出器が、インタロゲータのビーム内のタイミング情報(例えば、強度の急上昇または強度の中断)を使用し、変調をタイミング情報に同期させることができる。一連の短いパルスを生成するインタロゲータの場合には、トランスポンダが、1つのパルスの到着を検出し、このタイミング情報を、次のパルスの変調を生成するための最適なタイミングを割り出すために使用することができる。最適な解放時刻を、例えば1つのパルスの到着を検出し、到着の角度についての情報を集め、最適な遅延を割り出すべくルックアップテーブルを使用することによって決定できる。例として、システムを、パルスの透過または反射を最大値と最小値との間で切り替えるために使用することができ、もしくはパルスの振幅を、すべてが同じ強度になるように、あるいは何らかのやり方で符号化されるように、制御するために使用することができる。これを、振動の最初の半周期において行うことができる。また、これを、機械的振動の際の任意の予測可能な点において行うことも可能であり、あるいはマイクロミラーを2回振動させ、第2の振動においてパルスの変調を達成することも可能である(全二重の通信を達成したい場合に重要である)。
【0055】
次に図6を参照すると、上述のように、1つのパルスの到着を検出し、この情報を使用して、次のパルスを変調すべくマイクロミラーを解放することができるよう、変調器61に検出器62を組み合わせることができる。
【0056】
次に図7を参照すると、上述の仕組みの変種において、遠方のレーザ発光体を、繰り返しの短パルスレーザシステムを長パルスまたは連続波のレーザシステムに組み合わせて構成することができる。この構成において、短パルスを、タイミングパルスとして使用することが可能である。変調器が、タイミングのための短パルスを使用し、光の連続波部分または長パルス部分に変調を加えることができる。したがって、変調されるビームを、例えばタイミングパルスに対する変調の時間シフトによってエンコードすることができる。インタロゲータが、充分に高速な検出器または敏感な検出器を有する場合には、インタロゲータのビームにタイミング情報を持たせる必要、およびトランスポンダに検出器を持たせる必要は、必ずしもないかもしれない。インタロゲータの検出器が、時間分解された変調を検出でき、あるいは平均の逆反射パワーの小さくかつ高速な変化を検出できる。
【0057】
図7は、タイミングパルス71と擬似CWレーザパルス72とを含むレーザパルスによる変調器61のインタロゲーションを示している。擬似CW部分が変調73されている。各パルスを変調するか、あるいは変調しないかによって、ビームをエンコードすることができ、あるいは変調または時間遅延の変調の適用を選択することができる。最初のタイミングパルスを使用することができ、あるいは矩形波インタロゲーションパルスの立ち上がり縁を使用することができる(左下の例を参照)。変調されたパルスの例は、右の中ほどに示されている。
【0058】
次に図8を参照すると、変調器61を逆反射器81に組み合わせ、変調逆反射器として機能させることができる。変調器のマイクロミラー素子は、例えば差し渡しが25μm程度であってよく、逆反射器の素子は、大幅に大きくてよく、例えば差し渡しが5〜15mmであってよい。個々のマイクロミラーがコヒーレントに動く場合、変調器を通過する光のダイバージェンスは、アレイの全体サイズによって決定され、単一のマイクロミラーによる回折に起因するダイバージェンスによっては決定されない。比較的大きな逆反射素子を使用することは、きわめて平行な反射光ビームを形成する上で役に立つ。したがって、変調逆反射デバイスを、パルスのパターン82を送信するレーザインタロゲータによって照射することができる。変調逆反射デバイスが、到着するパルスを変調し、パルス83をインタロゲータへと逆反射させる。ここで、インタロゲータのパルスは、基本的にパルス状であり、逆反射される光は、完全に逆反射され、あるいは完全に減衰させられる。したがって、インタロゲータは、逆反射されたパルスを受信して、一連の「1」および「0」としてデコードできる。この変調器の構成は、パルスを検出するために検出器62を使用することができ、1つのパルスの検出を使用して次のパルスの到着時刻を予測し、次のパルスを変調すべくマイクロミラーの解放時刻を決定するために、制御ユニット84を使用することができる。この場合、逆反射器への到着の角度が、管理されていなければならず、あるいは逆反射システムが、マイクロミラーの最適な解放のタイミングを決定するために、何らかの形式の角度検出を使用することができる。
【0059】
あるいは、インタロゲータおよび逆反射変調器システムの組み合わせのシステムが、性能を最適化することができる。変調器を、固定の時間遅延で動作させることができ、インタロゲータが、到着の角度を決定し、最適な変調が生じるようにパルスのタイミングを変化させることができる。
【0060】
最大または最小の信号を生み出すための変調器の最適なタイミングは、角度に依存する。上述のシステムが、任意の角度で入射する光について機能すべき場合には、最適なミラーのタイミングが入射光の入射角度に依存して決まるため、検出器が、好ましくは、到着の角度を割り出す手段を取り入れるべきである。あるいは、インタロゲータが、タグへの入射の角度を推定する手段を備え、最大の変調が保証されるようにタグへのパルスのタイミングを変化させてもよい。
【0061】
次に、図9aおよび図9bを参照すると、選択肢として、変調逆反射デバイスを、一式の短いタイミングパルスをより強度の低い擬似連続のパルスとともに送信できる(あるいは、送信しなくてもよい)インタロゲータとともに使用することができる。変調逆反射デバイスが、低強度の擬似連続のパルスを、タイミングパルスの後の或る制御された時点において変調できる。デバイスは、このパワーをインタロゲータへと逆反射させる。この構成において、インタロゲータのパルスは、擬似CW周期での変調を含み、逆反射される光は、インタロゲータのパルス状の要素に同期されるが、変調は、インタロゲータの光の擬似CW領域へと加えられる。
【0062】
インタロゲータによって受信される正確な変調パターンは、逆反射デバイスへの到着の角度に依存するが、インタロゲータが、特定のパターンを認識できてもよく、そこから、タイミングパルスに対する最適な時間遅延、および所望であれば入射の角度を決定することができる。
【0063】
擬似連続の波形およびそのタイミングパルスに対するタイミングを測定することによって、インタロゲータは、波形へと加えられた時間シフトの大きさを割り出すことができ、これを1片のデータとして解釈することができる。この後者の手法の利点は、変調装置に角度検出器を取り入れる必要がなく、変調装置を、より小型にでき、より安価に製造できる点にある。
【0064】
次に、図9bを参照すると、インタロゲータが、連続的な光91を生み出すことができ、逆反射される光を、インタロゲータに関連付けられた同期を持たずに、変調92、93することが可能である。
【0065】
次に、図9cを参照すると、全体としてのシステムが、1つ以上の上述のような変調装置を、送信器95と検出器97に組み合わせられた受信テレスコープ96とを備えるインタロゲータレーザシステムとともに備える。
【0066】
第1の角度測定モードにおいて、インタロゲータが、連続波ビームを送信し、トランスポンダから逆反射される光を測定する。トランスポンダは、おそらくはインタロゲータからのいかなる合図も使用せず、「解放および拘束」モードで動作する。「解放および拘束」の各サイクルにおいて、逆反射検出器は、図3に示した信号に定性的に類似した信号、すなわち一連の比較的はっきりした最大値および最小値を含む信号を検出する。いくつかのパルスにわたって測定を行い、積分を行うことで、検出器は、良好に解像された曲線を蓄積することができる。それらの曲線のピークのタイミングは、中央のピークまたは谷の深さまたは高さ同様、トランスポンダへの入射の角度の余弦の関数であり、データについて適切なフィッティングおよび処理を行うことによって、変調器への入射の角度の余弦を割り出すことが可能である。
【0067】
角度測定モードの第2の実施形態においては、インタロゲータが、一連のパルスを送信し、トランスポンダから逆反射される光を測定する。トランスポンダは、「解放および拘束」モードで動作し、インタロゲータからのパルスの検出の後に、所定の時間だけ遅延させて解放時間を開始させる。「解放および拘束」の各サイクルにおいて、逆反射検出器は、トランスポンダからのパルスを検出し、各パルスの振幅を記録できる。インタロゲータが、パルスNとパルスN+1との間の時間遅延が、パルスN−1とパルスNとの間の時間遅延にいくらかの増分Dtを加えた値に等しくなるように、パルス間のタイミングをゆっくりと変化させる場合、結果として、各パルスが、変調器の応答曲線の異なる部分によって変調されることになり、数パルスの期間にわたり、インタロゲータは、変調器の透過プロファイルの全体をストロボ状に採取することになる。このデータによって、インタロゲータは、トランスポンダへの入射の角度を推定することができる。
【0068】
第1の通信モードにおいて、インタロゲータは、変調装置のインタロゲートのために、パルスの列を使用する。変調装置が、到着する信号のタイミングおよび角度検出器からの角度を検出する。過去のパルス列の時間履歴から、変調装置は、次のパルスの到着時刻を予測することができる。変調装置は、内部のクロックおよびルックアップテーブルを使用し、次のパルスが到着するときに変調器によってもたらされる透過が最大または最小のとなるような時点で、マイクロミラーアレイを解放する。あるいは、最小の透過を、単にマイクロミラーをプルダウン位置に保持することによって得てもよい。受信器が、パルスを検出し、論理1であるか、あるいは論理0であるかを判断する。このモードは、最大の範囲にわたって性能をもたらす。
【0069】
第2の通信モードにおいては、インタロゲータが、一連のタイミングパルス(あるいは、タイミングの目的に使用できる鋭い縁を有する一連の矩形パルス)を送信できる(送信しなくてもよい)。これを、インタロゲーション用の擬似連続パワーに重ねることができる。変調装置は、タイミングパルスを検出するが、到着角度の割り出しは試みない。変調装置は、2つのやり方のうちの一方で、「解放および拘束」機構を動作させる。すなわち、論理「1」を示すためにパルスを変調し、論理「0」を示すために変調を行わない(あるいは、この反対)。あるいは、2つの所定の時間遅延のうちの一方において、論理「1」または論理「0」を示すべく変調を行う。前者の利点は、低帯域の検出器で、変調が加えられたか否かを示す小さな透過の変化を検出できる点にある。後者の技法の利点は、論理「1」および論理「0」の検出が能動的に示される点にある。
【0070】
あるいは、真のCWインタロゲーション91において、変調の存在92または非存在93を検出することができ、あるいはインタロゲータが、信号積分時間が変調信号の高周波積分に比べて遅い場合に予想される信号強度の小さな変化を検出できるのであれば、タイムキーシフト変調の存在を検出することができる。
【0071】
インタロゲータは、タイミングパルスおよびアナログの戻りを受信する。到着の角度にかかわらず、逆反射されたタイミングパルスを参照することによって、アナログの戻りのタイミングを認識することができる。
【0072】
遠隔角度検出モードにおいて、目標は、遠方の変調装置への入射の角度を割り出すことにある。これは、例えば、変調装置からの信号を最大にするためにインタロゲータがどの方向に移動すべきかを判断するために、あるいは変調器の向きを割り出すために、有用であると考えられる。インタロゲータが、擬似CWビームで変調器を照らし、マイクロミラーが解放および拘束されるときの時間分解された逆反射を検出する。検出された信号をテンプレートに照らし合わせることによって、プロセッサは、特定の入射角度に一致するテンプレートを特定できる。
【0073】
強度安定化モードにおいて、目標は、(例えばシンチレーションに起因して)入力ビームが繰り返し速度に比べて遅い時間軸において変動しているときに、出力ビームの平均を安定させることにある。入射パワーが、特定の程度の減衰をもたらすように同期させられた変調器に入射する。入射パワーに変動が存在する場合、減衰を調節して、全体としてのレーザパワーが一定の値に保たれるように保証するため、マイクロミラーの解放時刻に小さなタイミングの変化を加えることができる。到着するビームが、例えば論理「1」および論理「0」のパルス列であって、シンチレーションによって生じるよりゆっくりとした強度の変動を有する場合、システムを、このゆっくりと変化する変動が安定化によって取り除かれるが、より高速な論理「1」と論理「0」除との間の変化は残されて、後に検出できるように、変調することができる。この手法を、自由空間光レーザ通信システムにおいて信号を検出するために、大きなダイナミックレンジの検出器の代わりに用いることができる。
【0074】
空間光変調モードにおいては、アレイ上のマイクロミラーのグループが、ビームを横切る空間パターンを生み出すように解放される。これを、例えば信号処理およびビームの操縦など、他の空間光変調器が現在使用されているさまざまな用途に使用することができる。
【0075】
ビーム操縦モードにおいて、個々の素子のそれぞれの解放時刻が制御される場合、マイクロミラーアレイの各素子の位相を効果的に制御することが可能である。各素子の位相を制御することによって、伝搬方向を制御することができる。したがって、これを、それぞれのマイクロミラーを個々に制御できる場合に、レーザビームを所定の方向に操縦するために使用することができる。
【0076】
ファブリーペローエタロンの特徴をさらに詳しく検討すると、MOEMSミラー−基板変調器の透過を、反射率がシリコンへと適用されるフレネル反射の式によって決定される2つの反射面を有する単純な構造としてのシステムを検討することによってモデル化できる。ファブリーペローエタロンの透過は、
【数1】
によって与えられ、ここでφ=(4π/λ)Lcosθである。ここで、プレート間の間隔が、Lによって与えられ、入射の角度が、θによって与えられ、波長は、λである。各表面の反射率が、Rによって与えられ、透過が、Tによって与えられる。
【0077】
変調器およびコーナーキューブ逆反射器の組み合わせを考えると、反射される光が、2つの偏光成分の組み合わせによって決定される点が、注目される。インタロゲータが円偏光または非偏光である場合を考えると、到着の角度にかかわらず、2つの偏光の等しい強度が存在する。入射光が、等しい量の「s」偏光(Eベクトルが表面に平行)および「p」偏光(Eベクトルが透過および反射ビームの平面内にある)の光を有する。それぞれの偏光が異なる量だけ透過し、部分偏光のビームが、コーナーキューブ逆反射器へと進入する。この偏光が、逆反射器の性質に応じて、さまざまな量で解消される。コーナーキューブ逆反射器が金属でコートされている場合には、偏光特性は保存される。コーナーキューブ逆反射器が誘電体に拠る場合には、特定の角度について偏光が大きく解消される。後者の場合、近似として、ビームの偏光がコーナーキューブによって完全に解消されると仮定される。偏光が解消されたビームが、エタロンを通過して第2の経路を、光源へと戻る。
【0078】
したがって、変調された逆反射は、
【数2】
となると考えられ、ここで、Cretroは、逆反射の成分であり、TsおよびTpは、それぞれsおよびp偏光の透過であり、Rccは、コーナーキューブの反射率である。
【0079】
通過において、透過光の位相Ψは、
【数3】
なる関係によって与えられる。ここでφ=(4π/λ)Lcosθである。
【0080】
次に、図10を参照すると、変調器のマイクロミラーの制御の論理図が示されている。ローカルレジスタが初期化101され、タイミングパルスが検出102されたとき、タイミングカウンタが開始103される。パルスが、予想の時間窓に到着104した場合、角度または角度範囲(あるいは、角度範囲または「ビン」)の割り出し106から109が行われる。次いで、明らかにされた入射角度に応答して、マイクロミラーの解放時刻111および次のパルスの予想到着時刻112が決定される。これは、有利には、ルックアップテーブル110を利用することができる。次いで、プロセスが、新たな予想窓について繰り返し113される。変調器は、予想窓内のパルスの受信に繰り返し失敗する場合には、終了105でき、あるいは他の適切な動作をとることができる。
【0081】
システムが、入射の所与の到着角度に合わせて変調器を最適化できるよう、角度検出器が必要とされる可能性がある。2つの例が、以下に説明される。
【0082】
ここで図11を参照すると、第1の装置が、角度検出器をいくつかの「角度ビン」のうちの1つに属するものとして特定している。
【0083】
検出器は、基板の下方に位置する複数(典型的には、6つ)の検出器を備える。基板は、非透過性のコーティングを上面に有し、開口は、サイズの異なる環または円板である。下方の表面には、検出素子の付近を除いてコーティングは存在せず、検出素子の付近には、検出器を覆い隠すマスク領域が、一様なサイズのピンホール開口とともに存在している。検出器は、それぞれ下方の表面の開口のうちの1つの下方に配置されている。
【0084】
上方の表面の環と下方の表面の穴との整列は、光が所与の入射角度の範囲内にて入射する場合にのみ、光が下方の検出器へと対の開口を通過するような整列である。光が通過できる角度の範囲は、上方の表面の環の内径および外径、基板の厚さおよび屈折率、ならびに基板の下部穴の直径によって定められる。検出素子の付近を除いてコーティングが存在せず、したがって光がダイオード開口に進入する前に複数回の反射(誤った角度信号を生じさせ得る)を受けることはない。
【0085】
最大2mmの厚さを有する基板、および50ミクロン程度以上のフィーチャのサイズにおいては、回折が比較的軽微であって、検出器を通過する透過が幾何学的な検討によって決定されることが、モデル化によって示されている。
【0086】
角度θiで表面へと入射するF(J/m2)の一様な光束が、内側半径r1および外側半径r2を有する上側表面の環を通って透過される。透過する光束は、
【数4】
によって与えられる。
【0087】
上記において、短縮の影響が、係数cosθiを導入し、角度依存の透過が、T(θi)として明示的に取り入れられている。
【0088】
上方の環のパターンが、下方の表面に影を形成し、環の中心は
d=wtan(θr)
なる位置に位置し、ここで、wは基板の厚さであり、θrは、基板内の屈折の角度である。
【0089】
半径r3を有する下方の開口を通過する透過は、ブーリアンの重なり合いの積分によって与えられる。
【0090】
これのモデル化が、最良の角度分解能が、基板の厚さが低い屈折率を有し、厚さが最大化されるときに達成されることを示している。また、或る1つのビンと次のビンとの間の変わり目において検出器の雑音が最小化されるよう、「角度ビン」のわずかな重なり合いを有することが最良であることが明らかになっている。
【0091】
次に、図12aを参照すると、厚さ2mmのシリカおよび厚さ100ミクロンのフィーチャのサイズの場合についての角度検出器の透過のモデル化が、感度にわずかな重なり合いが存在し、重なり合いの点の付近において検出器の信号を最大にすることを明らかにしている。
【0092】
シリコンをモデル化したとき、特には大きな角度において、きわめて乏しい分解能しか達成できないことが明らかになった。これは、強力な屈折によってすべての光が垂直に向かって曲げられるため、空気中での到着角度に5度の相違が存在しても、下方の表面上の環の影の変位の相違は、きわめて小さなくなってしまうためである。厚さ1.5mmの基板を使用した最近のモデル化は、これも成功することを示している。2mmの基板については、最大の環の直径は1.4mmである。
【0093】
任意の所与の到着角度について、複数の検出器が信号を記録できることが示されている。タグが最強の信号を特定し、これを特定の角度ビンの知らせとして使用することが提案される。これは、3つのエラーの源にさらされ得る。検出器の感度のばらつきが、2つの角度ビンの間の境界におけるエラーにつながり得る。乱れが、強度を小さな距離について無相関にする可能性があり、或る1つの環における強度が、別の環における強度と相違する可能性がある。最後に、太陽束が、DC束として或る1つの検出器に入射する可能性があり、これが該当の検出器の感度を変化させる可能性がある。
【0094】
入射の角度に応じてエタロンの間隔を調節する必要があることが指摘されている。これを行うための最も簡単なやり方は、現実的に対応できる1式のエタロン間隔を特定し、それぞれの特定の間隔について最適な「角度ビン」を特定することである。エタロンの透過を分析すると、
【数5】
であり、
(2π/λ)×Lcosθ=π/2にピークがあり、
所与のLについて、θ=arccos{λ/4L}のときがピークである。
【0095】
図12bが、角度θに対する最適な間隔Lのプロットを示している。
【0096】
1式の一様に分布した間隔が選択される場合、それぞれの間隔について、角度範囲が異なることを見て取ることができる。例として、以下の角度範囲を有する6つの間隔が選択される。
【表1】
【0097】
これらの角度ビンを使用し、反射率がコートなしのシリコンのフレネル反射率によって決定される場合を検討する。
【0098】
フレネル反射率は、
【数6】
によって与えられる。
【0099】
次に、図13aを参照すると、これらの反射率および上記表に提示した1式のエタロン間隔を使用し、種々の間隔について、角度に対する透過率を計算することができる。図は、論理「1」および論理「0」に対応する間隔について、角度に対する逆反射信号のプロット、フレネル反射係数によって決定される反射率を示している。
【0100】
次に、図13bを参照すると、論理「1」レベルおよび論理「0」レベルの間のコントラストが、2つのシリコン表面によるフレネル反射にもとづく単純なエタロンについて計算されている。
【0101】
結果は、垂直入射の付近の約9から12のコントラスト係数が、60度の近くでは3まで低下することを示している。低下は、平行偏光の反射率が入射の角度がブリュースター角に近付くにつれて低下し、この偏光についてのエタロンの鋭敏さが低下するために生じる。結果として、「論理0」状態の透過率が、異常に高くなる。これは、エタロンの構造を、ここで検討した単純なエタロン構造よりも高度化しなければならないことを示している。
【0102】
次に、図14を参照すると、入射の角度が0°から60°へと増加するにつれて、移動するミラーの最大および最小の信号のための変位が、どのように変化するのかが示されている。これを考慮に入れ、ミラーの解放のタイミングを、最大の透過または逆反射のために最適化することができる。
【0103】
次に、図15aを参照すると、光学式の角度検出器の第2の実施形態が、2つの検出器1513、1514および両者を覆う窓1512を備える。一方の検出器1514は、角度依存の透過特性を有して検出器へと近付く光学経路に位置しているフィルタ素子1511(例えば、1つ以上のコーティングまたは層を備える)を有する。このコーティングは、一方の検出器1514を覆っているが、第2の検出器1513は覆っておらず、装置は、2つの検出器のそれぞれにおいて受信される光信号の強度の間の比を測定することによって機能する。該当する到着角度を明らかにするために、ルックアップテーブルを使用することができる。
【0104】
他の実施形態においては、他の構成も使用可能である。一般に、それぞれの検出器において受信される光信号の間の差(または、比)が角度依存の特性を呈する限りにおいて、コーティングおよび層を、両方の検出器の前方に配置することができる。
【0105】
望ましくない干渉の影響を、窓1512が検出器1513、1514の表面に平行でないように保証することによって、軽減することができる。
【0106】
次に図17を参照すると、2つの検出器の比が、入射角度の関数として示されている。図示の例において、入射の角度が垂直に対して0度から60度へと増加するとき、比がほぼ二次関数的に増加することを見て取ることができる。したがって、この変化を、どのような分解能が必要とされても、雑音および検出器の感度の変化にさらされても、入射の角度を割り出すために使用することができる。
【0107】
好ましい実施形態において、入射光ビームは、入射光のsおよびp成分について振幅が等しいよう、偏光しておらず、あるいは円偏光であるべきである。そうでない場合、検出器は、偏光の方向ならびに光の入射角度に左右される。
【0108】
次に図16を参照すると、角度依存の透過を有する素子として使用するためのエッジフィルタベースの設計の透過特性が示されている。エッジフィルタベースの設計は、フィルタ素子が入射光に対して傾けられるとき、波長に対する透過率の曲線が、所与の固定の波長の入射光について素子を通過する透過が変化するように変化するという特徴を呈する。この場合、フィルタの設計は、基本的には、基本の高/低の層のペアの繰り返しが比較的少ない4分の1波長誘電体ミラーの設計である。これは、角度の傾きにつれて緩やかな応答がもたらされ、入射角度の割り出しのための能力が高められるよう、比較的「ソフト」なエッジをもたらす。フィルタのコーティングを、例えば、五酸化タンタルおよび二酸化シリコンの(この順の)9つの交互の層からなり得る。しかしながら、場合によっては知られているエッジ−フィルタの設計にもとづき、層の同様な高/低の屈折率のペアをもたらす別の材料の組み合わせも使用可能である。従来のエッジ−フィルタは、はるかに多くの繰り返しを有し、角度に対してより迅速に変化し、曖昧さのない入射角度の割り出しをより困難にするハードエッジな応答を有する。
【0109】
次に図17を参照すると、2つの検出器によって測定された値の間の比が、フィルタ素子への入射角度が変化するにつれて変化することを見て取ることができる。2つの検出器を使用することで、「角度信号」がレーザ出力またはレーザパルスエネルギーから独立であるように保証される。
【0110】
図17に示した比が、MEOMSマイクロミラーベースの変調器の最適な間隔が角度とともに呈する「二次関数形状」(図14)と同じ「二次関数形状」で、角度とともに変化することに留意されたい。これは、この角度検出器の感度(垂直入射の付近において低く、60度の付近において高い)が、角度を割り出すための一般的要件(すなわち、垂直入射においては精度があまり必要とされず、入射の角度が60度に近付くにつれてより高い精度が必要とされる)によく一致することを意味する。
【0111】
次に図15bを参照すると、上述の実施形態においては、フィルタの透過が、垂直からの入射角度が大きくなるにつれて減少しているが、入射角度に関して反対の特性を有するフィルタ、すなわち入射の角度が垂直から増加するにつれて透過が大きくなるフィルタも使用可能であることは、当業者にとって明らかであろう。さらに、反対の透過特性のフィルタ1511、1515がそれぞれの検出器1514、1513の上方に位置する構成を、さらなる角度の識別をもたらすために使用することができる。そのような場合、2つの検出器において検出される信号の受信強度の比の変化が、図15aの単一のフィルタの場合に比べて、より幅広い範囲の値をとる。
【0112】
本明細書の教示を理解しようとする当業者にとって明らかであるとおり、本明細書に提示したあらゆる範囲および装置の意義は、求める効果を失うことなく拡張または変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【0113】
【図1a】本発明による典型的なマイクロミラー素子および典型的なばね構造の斜視図を示している(基板は示されていない)。
【図1b】本発明によるマイクロミラー素子および典型的なばね構造の側面図を示している。
【図1c】本発明によるマイクロミラー素子のアレイの平面図を示している。
【図2】本発明によるマイクロミラーと基板との間の離間の時間変化の概略のグラフを示している。
【図3a】垂直な入射角度について、本発明による光変調器の透過特性の概略のグラフを示している。
【図3b】60度の入射角度について、本発明による光変調器の透過特性の概略のグラフを示している。
【図4】本発明による変調器の時間に対する動的応答の概略のグラフを示している。
【図5】本発明による印加電圧を透過信号と比較する概略のグラフを示している。
【図6】本発明による第1の変調装置の概略図を示している。
【図7】本発明による第2の変調装置の概略図を示している。
【図8】逆反射器を取り入れてなる本発明による第3の変調装置の概略図を示している。
【図9a】逆反射器を取り入れてなる本発明による第4の変調装置の概略図を示している。
【図9b】逆反射器を取り入れてなる本発明による第5の変調装置の概略図を示している。
【図9c】本発明によるシステムの概略図を示している。
【図10】本発明による変調方法のフロー図を示している。
【図11】本発明による第1の検出器の概略図を示している。
【図12a】本発明に従い、入射の角度に対する角度検出器の透過の概略のグラフを示している。
【図12b】本発明に従い、角度に対する最適な間隔の概略のグラフを示している。
【図13a】本発明に従い、入射の角度に対する角度検出器の透過のさらなる概略のグラフを示している。
【図13b】本発明に従い、論理「1」と論理「0」との間のコントラストの概略のグラフを示している。
【図14】本発明に従い、入射の角度に対するミラーの変位の例を示している。
【図15a】本発明による第1の光検出器の概略図を示している。
【図15b】本発明による第1の光検出器の概略図を示している。
【図16】本発明によるフィルタ素子の透過特性の概略のグラフを示している。
【図17】本発明に従い、入射の角度につれて変化する透過率の概略のグラフを示している。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
所定の波長の光ビームの入射の角度を割り出すための光検出器であって、
第1および第2の検出器ならびに角度依存の光透過特性を呈する素子を備え、
素子が、第1および第2の検出器の少なくとも一方への光学経路に位置し、所定の波長の受信信号のパワーの間の比較に応答して入射の角度を割り出すことができるように検出器に対して配置されている、光検出器。
【請求項2】
光学的に角度依存性である素子が、第1および第2の検出器のうちの一方にのみ位置している、請求項1に記載の光検出器。
【請求項3】
比較が、信号強度の比である、請求項1または2に記載の光検出器。
【請求項4】
素子の透過率が、入射の角度が垂直から増加するにつれて低下する、請求項1から3のいずれか一項に記載の光検出器。
【請求項5】
角度依存の光学特性を呈する素子が、比較的少ない層を備えることによってソフトエッジ特性を呈するエッジフィルタを備える、請求項1から4のいずれか一項に記載の光検出器。
【請求項6】
素子が、五酸化タンタルおよび二酸化シリコンの交互の層を備える、請求項1から5のいずれか一項に記載の光検出器。
【請求項7】
9つの層を備える、請求項6に記載の光検出器。
【請求項8】
素子の透過率が、入射の角度が垂直から増加するにつれて大きくなる、請求項1に記載の光検出器。
【請求項9】
素子が、第1の検出器への経路に位置しており、素子の透過率が、入射の角度が垂直から増加するにつれて低下し、
角度依存の光透過特性を呈する第2の素子が、第2の検出器への光学経路に位置しており、第2の素子の透過率が、入射の角度が垂直から増加するにつれて大きくなる、請求項1から8のいずれか一項に記載の光検出器。
【請求項10】
入射の角度を示す出力信号がもたらされる出力をさらに備える、請求項1から9のいずれか一項に記載の光検出器。
【請求項11】
請求項1から10のいずれか一項に記載の光検出器を備える、光変調器。
【請求項12】
入射の角度に応答して制御される、請求項6に記載の光変調器。
【請求項13】
請求項1から4のいずれか一項に記載の光検出器を備える、自由空間光通信システム。
【請求項14】
光ビームの入射の角度を割り出す方法であって、
一方の検出器に到着する光が角度依存の透過特性を呈するフィルタ素子を介している2つの検出器により、共通のソース信号からの信号強度を比較すること、および
検出された2つの信号の強度の間の比較に応答して、入射の角度を割り出すこと
を備える方法。
【請求項15】
光変調器の制御方法であって、
請求項1から10のいずれか一項に記載の光検出器を用意するステップ、および
光検出器によって検出される入射の角度に応答して、変調器を制御するステップ
を備える方法。
【請求項16】
コンピュータのためのプログラムであって、
請求項1から10のいずれか一項に記載の光検出器から、受信光ビームの入射の角度を示す信号を受信するステップ、および
入射の角度を示す信号に応答して、光変調器の変調を制御するステップ
を備えるプログラム。
【請求項17】
本明細書において添付の図面を参照して実質的に説明される、光学式角度検出器。
【請求項18】
本明細書において添付の図面を参照して実質的に説明される、光ビームの入射の角度を割り出す方法。
【請求項19】
本明細書において添付の図面を参照して実質的に説明される、光変調器の制御方法。
【請求項20】
本明細書において添付の図面を参照して実質的に説明される、コンピュータプログラム。
【請求項1】
所定の波長の光ビームの入射の角度を割り出すための光検出器であって、
第1および第2の検出器ならびに角度依存の光透過特性を呈する素子を備え、
素子が、第1および第2の検出器の少なくとも一方への光学経路に位置し、所定の波長の受信信号のパワーの間の比較に応答して入射の角度を割り出すことができるように検出器に対して配置されている、光検出器。
【請求項2】
光学的に角度依存性である素子が、第1および第2の検出器のうちの一方にのみ位置している、請求項1に記載の光検出器。
【請求項3】
比較が、信号強度の比である、請求項1または2に記載の光検出器。
【請求項4】
素子の透過率が、入射の角度が垂直から増加するにつれて低下する、請求項1から3のいずれか一項に記載の光検出器。
【請求項5】
角度依存の光学特性を呈する素子が、比較的少ない層を備えることによってソフトエッジ特性を呈するエッジフィルタを備える、請求項1から4のいずれか一項に記載の光検出器。
【請求項6】
素子が、五酸化タンタルおよび二酸化シリコンの交互の層を備える、請求項1から5のいずれか一項に記載の光検出器。
【請求項7】
9つの層を備える、請求項6に記載の光検出器。
【請求項8】
素子の透過率が、入射の角度が垂直から増加するにつれて大きくなる、請求項1に記載の光検出器。
【請求項9】
素子が、第1の検出器への経路に位置しており、素子の透過率が、入射の角度が垂直から増加するにつれて低下し、
角度依存の光透過特性を呈する第2の素子が、第2の検出器への光学経路に位置しており、第2の素子の透過率が、入射の角度が垂直から増加するにつれて大きくなる、請求項1から8のいずれか一項に記載の光検出器。
【請求項10】
入射の角度を示す出力信号がもたらされる出力をさらに備える、請求項1から9のいずれか一項に記載の光検出器。
【請求項11】
請求項1から10のいずれか一項に記載の光検出器を備える、光変調器。
【請求項12】
入射の角度に応答して制御される、請求項6に記載の光変調器。
【請求項13】
請求項1から4のいずれか一項に記載の光検出器を備える、自由空間光通信システム。
【請求項14】
光ビームの入射の角度を割り出す方法であって、
一方の検出器に到着する光が角度依存の透過特性を呈するフィルタ素子を介している2つの検出器により、共通のソース信号からの信号強度を比較すること、および
検出された2つの信号の強度の間の比較に応答して、入射の角度を割り出すこと
を備える方法。
【請求項15】
光変調器の制御方法であって、
請求項1から10のいずれか一項に記載の光検出器を用意するステップ、および
光検出器によって検出される入射の角度に応答して、変調器を制御するステップ
を備える方法。
【請求項16】
コンピュータのためのプログラムであって、
請求項1から10のいずれか一項に記載の光検出器から、受信光ビームの入射の角度を示す信号を受信するステップ、および
入射の角度を示す信号に応答して、光変調器の変調を制御するステップ
を備えるプログラム。
【請求項17】
本明細書において添付の図面を参照して実質的に説明される、光学式角度検出器。
【請求項18】
本明細書において添付の図面を参照して実質的に説明される、光ビームの入射の角度を割り出す方法。
【請求項19】
本明細書において添付の図面を参照して実質的に説明される、光変調器の制御方法。
【請求項20】
本明細書において添付の図面を参照して実質的に説明される、コンピュータプログラム。
【図1a】
【図1b】
【図1c】
【図2】
【図3a】
【図3b】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9a】
【図9b】
【図9c】
【図10】
【図11】
【図12a】
【図12b】
【図13a】
【図13b】
【図14】
【図15a】
【図15b】
【図16】
【図17】
【図1b】
【図1c】
【図2】
【図3a】
【図3b】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9a】
【図9b】
【図9c】
【図10】
【図11】
【図12a】
【図12b】
【図13a】
【図13b】
【図14】
【図15a】
【図15b】
【図16】
【図17】
【公表番号】特表2009−512849(P2009−512849A)
【公表日】平成21年3月26日(2009.3.26)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−536119(P2008−536119)
【出願日】平成18年10月19日(2006.10.19)
【国際出願番号】PCT/GB2006/003882
【国際公開番号】WO2007/045871
【国際公開日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【出願人】(501352882)キネテイツク・リミテツド (93)
【Fターム(参考)】
【公表日】平成21年3月26日(2009.3.26)
【国際特許分類】
【出願日】平成18年10月19日(2006.10.19)
【国際出願番号】PCT/GB2006/003882
【国際公開番号】WO2007/045871
【国際公開日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【出願人】(501352882)キネテイツク・リミテツド (93)
【Fターム(参考)】
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