光学活性アミン化合物の製造方法
【課題】光学活性なモノホスフィン化合物を不斉配位子とする不斉遷移金属錯体を利用して、工業的に有利な方法で光学活性アミン化合物を製造できる方法を提供する。
【解決手段】(R,S)-[4-(2-ジフェニルホスファニルナフタレン-1-イル)-フタラジン-1-イル]-（1-フェニルエチル)アミン((R,S)-N-PINAP)類縁の化合物を不斉配位子として含有する不斉遷移金属錯体の存在下、Ｒ７ＣＨＯ（ＩＩ）、ＨＮＲ８Ｒ９（ＩＩＩ）、およびＨＣ≡ＣＲ１０（ＩＶ）を、炭酸エステルを含む溶媒中で反応させることを特徴とする、化合物（Ｖ）：
で表される光学活性アミン化合物の製造方法。（式中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい低級アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基などを、Ｒ１０は水素原子、トリアルキルシリル基などを示す。)
【解決手段】(R,S)-[4-(2-ジフェニルホスファニルナフタレン-1-イル)-フタラジン-1-イル]-（1-フェニルエチル)アミン((R,S)-N-PINAP)類縁の化合物を不斉配位子として含有する不斉遷移金属錯体の存在下、Ｒ７ＣＨＯ（ＩＩ）、ＨＮＲ８Ｒ９（ＩＩＩ）、およびＨＣ≡ＣＲ１０（ＩＶ）を、炭酸エステルを含む溶媒中で反応させることを特徴とする、化合物（Ｖ）：
で表される光学活性アミン化合物の製造方法。（式中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい低級アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基などを、Ｒ１０は水素原子、トリアルキルシリル基などを示す。)
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学活性なモノホスフィン化合物を不斉配位子とする不斉遷移金属錯体を不斉触媒として用いる光学活性アミン化合物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、不斉触媒反応の触媒として多くの不斉遷移金属錯体が報告されており、そのための不斉配位子が数多く開発されてきた。
例えば、光学活性なモノホスフィン化合物を不斉配位子とする不斉遷移金属錯体を利用した光学活性化合物の製造方法は特許文献１に知られており、具体的には、臭化銅および光学活性な［４−（２−ジフェニルホスファニルナフタレン−１−イル）−フタラジン−１−イル］−（１−フェニルエチル）アミン（以下、ＰＩＮＡＰ）から調製される錯体の存在下、トルエン中、３−メチルブタナール、ジベンジルアミンおよび１−ヘキシンを反応させて、光学活性なＮ，Ｎ−ジベンジル−２−メチル−５−デシン−４−アミンを得る方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３４７８８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１記載の反応では、反応時間が２３℃で５日間と長く、工業的実施を考えた場合、反応時間がより短いことが望ましい。また、反応収率および光学収率に改善の余地があった。
本発明は、光学活性なモノホスフィン化合物を不斉配位子とする不斉遷移金属錯体を利用して、工業的に有利な方法で光学活性アミン化合物を製造できる方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者は、上記課題を解決するため鋭意研究をした結果、上記反応における溶媒を、炭酸エステルを含む溶媒とすることにより、反応時間を短縮でき、かつ、反応収率や光学収率が向上すること、さらに、炭酸エステルの使用量が比較的少なく反応溶液が高濃度でも、反応収率や光学収率が保持されることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は以下のとおりである。
［１］ 一般式（Ｉ）：
【０００６】
【化１】
【０００７】
（式中、Ａ環は、存在しないかまたは置換基を有していてもよいベンゼン環を示し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよいフェニル基、シクロヘキシル基、２−フリル基または３−フリル基を示し、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基または置換基を有していてもよいアリール基を示し、Ｘは、−ＯＲ５または−ＮＨＲ６（式中、Ｒ５およびＲ６は置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示す。）で表される残基を示す。）
で表される化合物（以下、化合物（Ｉ）ともいう）の光学活性体を不斉配位子として含有する不斉遷移金属錯体の存在下、一般式（ＩＩ）：Ｒ７ＣＨＯ（ＩＩ）（式中、Ｒ７は、置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよい低級アルケニル基、置換基を有していてもよい低級アルキニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示す。）で表される化合物（以下、化合物（ＩＩ）ともいう）、一般式（ＩＩＩ）：ＨＮＲ８Ｒ９（ＩＩＩ）（式中、Ｒ８およびＲ９はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよい低級アルケニル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示すか、あるいはＲ８とＲ９が隣接する窒素原子と一緒になって、置換基を有していてもよい含窒素複素環を形成してもよい。）で表される化合物（以下、化合物（ＩＩＩ）ともいう）、および一般式（ＩＶ）：ＨＣ≡ＣＲ１０（ＩＶ）（式中、Ｒ１０は、水素原子、置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、トリアルキルシリル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示す。）で表される化合物（以下、化合物（ＩＶ）ともいう）を、炭酸エステルを含む溶媒中で反応させることを特徴とする、一般式（Ｖ）：
【０００８】
【化２】
【０００９】
（式中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は上記と同義を示し、＊は不斉炭素を示す。）
で表される光学活性アミン化合物（以下、化合物（Ｖ）ともいう）の製造方法。
［２］ 炭酸エステルが、炭素数３〜１０の炭酸エステルである、上記［１］記載の製造方法。
［３］ 炭酸エステルが、炭酸ジメチル、炭酸ジエチルおよび炭酸プロピレンから選ばれる、上記［１］記載の製造方法。
［４］ 反応が炭酸エステル中で行われ、かつ当該炭酸エステルが、化合物（ＩＩ）に対して０．５〜３０倍重量使用される、上記［１］〜［３］のいずれかに記載の製造方法。
［５］ 反応が、トルエン、１，２−ジメトキシエタンおよびジクロルメタンから選ばれる溶媒と炭酸エステルとの混合溶媒中で行われ、かつ当該炭酸エステルが、化合物（ＩＩ）に対して０．１〜５倍重量使用される、上記［１］〜［３］のいずれかに記載の製造方法。
［６］ 不斉遷移金属錯体が、化合物（ＩＩ）１モルに対して０．１〜１０モル％使用される、上記［１］〜［５］のいずれかに記載の製造方法。
［７］ 反応が０〜５０℃の範囲内で行われる、上記［１］〜［６］のいずれかに記載の製造方法。
［８］ 反応が、３級アミンおよび芳香族アミンから選ばれる塩基の存在下で行われる、上記［１］〜［７］のいずれかに記載の製造方法。
［９］ 塩基が、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミンおよびアニリンから選ばれる、上記［８］記載の製造方法。
［１０］ 反応が乾燥剤の存在下で行われる、上記［１］〜［９］のいずれかに記載の製造方法。
［１１］ 乾燥剤が、アルミナおよびモレキュラシーブスから選ばれる、上記［１０］記載の製造方法。
［１２］ Ｒ１およびＲ２が共にフェニル基である、上記［１］〜［１１］のいずれかに記載の製造方法。
［１３］ Ｒ３およびＲ４が共に水素原子である、上記［１］〜［１２］のいずれかに記載の製造方法。
［１４］ Ｒ５またはＲ６が不斉中心を有する残基である、上記［１］〜［１３］のいずれかに記載の製造方法。
［１５］ Ｒ５またはＲ６が１−フェニルエチル基である、上記［１］〜［１３］のいずれかに記載の製造方法。
［１６］ Ｒ５またはＲ６がキラルな１−フェニルエチル基である、上記［１］〜［１３］のいずれかに記載の製造方法。
［１７］ 不斉遷移金属錯体中の遷移金属が、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、ＣｕおよびＡｇから選ばれる金属である、上記［１］〜［１６］のいずれかに記載の製造方法。
［１８］ 不斉遷移金属錯体中の遷移金属がＣｕである、上記［１］〜［１６］のいずれかに記載の製造方法。
［１９］ 不斉遷移金属錯体が、一般式（Ｉ）で表される化合物の光学活性体と遷移金属塩またはその錯体とを反応させることにより調製されたものである、上記［１］〜［１８］のいずれかに記載の製造方法。
［２０］ 不斉遷移金属錯体が、一般式（Ｉ）で表される化合物の光学活性体とＣｕＸ１（式中、Ｘ１はハロゲン原子、ＢＦ４、アセトキシ、ＳｂＦ６、ＰＦ６およびＯＳＯ２ＣＦ３から選ばれる対イオンを示す。）とを反応させることにより調製されたものである、上記［１］〜［１８］のいずれかに記載の製造方法。
［２１］ Ｒ８とＲ９が隣接する窒素原子と一緒になって４−ピペリジノンを形成する、上記［１］〜［２０］のいずれかに記載の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
化合物（Ｉ）の光学活性体を不斉配位子として含有する不斉遷移金属錯体の存在下、化合物（ＩＩ）−（ＩＶ）から光学活性アミンである化合物（Ｖ）を製造する際、炭酸エステルを含む溶媒下で反応を行うことにより、反応時間を短縮でき、かつ、反応収率や光学収率が向上すること、さらに、炭酸エステルの使用量が比較的少なく反応溶液が高濃度でも、反応収率や光学収率が保持される。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明について詳細に説明する。
まず、本明細書で使用している各記号の定義を行う。
【００１２】
Ｒ３およびＲ４に示される「ハロゲン原子」としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。Ｒ３およびＲ４は、好ましくは塩素原子またはフッ素原子である。
【００１３】
Ｒ３およびＲ４に示される「低級アルコキシ基」としては、直鎖または分枝のＣ１−１２アルコキシ基、例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペントキシ、イソペントキシ、ネオペントキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ウンデシルオキシおよびドデシルオキシが挙げられ、好ましくはメトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ等の直鎖または分枝のＣ１−４アルコキシ基である。
【００１４】
Ｒ３およびＲ４に示される「低級アルキル基」、およびＲ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０に示される「置換基を有していてもよい低級アルキル基」の「低級アルキル基」としては、直鎖または分枝のＣ１−１２アルキル基、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、２−エチルブチル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシルおよびドデシルが挙げられ、好ましくはメチル、エチル、プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル等の直鎖または分枝のＣ１−４アルキル基である。
【００１５】
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０に示される「置換基を有していてもよい低級アルキル基」の「低級アルキル基」は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、当該置換基としては、例えば上記で定義されたハロゲン原子、上記で定義された低級アルコキシ基、水酸基、オキソ、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、およびアルキル部分が上記で定義された「低級アルキル基」であるアルコキシカルボニル基が挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、同一または異なっていてもよい。
【００１６】
Ｒ７、Ｒ８およびＲ９に示される「置換基を有していてもよい低級アルケニル基」の「低級アルケニル基」としては、直鎖または分枝のＣ２−１０アルケニル基、例えばエテニル、１−プロペニル、アリル、１−メチル−２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、１−ヘプテニル、２−ヘプテニル、１−オクテニル、２−オクテニル、１−ノネニル、２−ノネニル、１−デセニルおよび２−デセニルが挙げられ、好ましくはアリルである。当該アルケニル基は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、例えば上記で定義されたハロゲン原子、上記で定義された低級アルコキシ基、水酸基、オキソ、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルキル部分が上記で定義された「低級アルキル基」であるアルコキシカルボニル基、および下記で定義するアリール基が挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、同一または異なっていてもよい。
【００１７】
Ｒ７に示される「置換基を有していてもよい低級アルキニル基」の「低級アルキニル基」としては、直鎖または分枝のＣ２−１０アルキニル基、例えばエチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、１−メチル−２−プロピニル、１−ブチニル、２−ブチニル、３−ブチニル、１−ペンチニル、２−ペンチニル、１−ヘキシニル、２−ヘキシニル、１−ヘプチニル、２−ヘプチニル、１−オクチニル、２−オクチニル、１−ノニニル、２−ノニニル、１−デシニルおよび２−デシニルが挙げられる。当該アルキニル基は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、上記「置換基を有していてもよいアルケニル基」で例示された置換基と同じ置換基が挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、同一または異なっていてもよい。
【００１８】
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０に示される「置換基を有していてもよいアリール基」の「アリール基」としては、Ｃ６−２０アリール基、例えばフェニル、１−または２−ナフチルおよびビフェニルが挙げられる。
当該アリール基は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、例えば上記で定義されたハロゲン原子、上記で定義された低級アルキル基、上記で定義された低級アルコキシ基、水酸基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルキル部分が上記で定義された「低級アルキル基」であるアルコキシカルボニル基、上記で定義されたアリール基、および下記で定義するアラルキル基が挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、同一または異なっていてもよい。
【００１９】
Ｒ１およびＲ２に示される「置換基を有していてもよいフェニル基」の置換基としては、上記「置換基を有していてもよいアリール基」で例示された置換基と同じ置換基が挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、同一または異なっていてもよい。
「置換基を有していてもよいフェニル基」の具体例としては、フェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基およびキシリル基（２，３−キシリル基、２，４−キシリル基、２，５−キシリル基、２，６−キシリル基、３，４−キシリル基および３，５−キシリル基）が挙げられる。
【００２０】
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０に示される「置換基を有していてもよいヘテロアリール基」の「ヘテロアリール基」としては、例えば炭素原子以外に酸素原子、硫黄原子及び窒素原子から選ばれるヘテロ原子を１〜３個含む５〜１０員の芳香族性を有する複素環基、及びその縮合ヘテロ環基が挙げられる。例えば２−、又は３−チエニル、２−、又は３−フリル、１−、２−、又は３−ピロリル、１−、２−、４−、又は５−イミダゾリル、２−、４−、又は５−オキサゾリル、２−、４−、又は５−チアゾリル、１−、３−、４−、又は５−ピラゾリル、３−、４−、又は５−イソオキサゾリル、３−、４−、又は５−イソチアゾリル、１，２，４−トリアゾール−１−、３−、４−、又は５−イル、１，２，３−トリアゾール−１−、２−、又は４−イル、１Ｈ−テトラゾール−１−、又は５−イル、２Ｈ−テトラゾール−２−、又は５−イル、２−、３−、又は４−ピリジル、２−、４−、又は５−ピリミジニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、又は７−インドリル、２−、３−、４−、５−、６−、又は７−ベンゾフリル、２−、３−、４−、５−、６−、又は７−ベンゾチエニル、１−、２−、４−、５−、６−、又は７−ベンズイミダゾリル、２−、３−、４−、５−、６−、７−、又は８−キノリル、および１−、３−、４−、５−、６−、７−、又は８−イソキノリルが挙げられる。
【００２１】
当該ヘテロアリール基は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、上記「置換基を有していてもよいアリール基」で例示された置換基と同じ置換基が挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、同一または異なっていてもよい。
【００２２】
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０に示される「置換基を有していてもよいシクロアルキル基」の「シクロアルキル基」としては、Ｃ３−７シクロアルキル基、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシルおよびシクロヘプチルが挙げられる。当該シクロアルキル基は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、上記「置換基を有していてもよいアリール基」で例示された置換基と同じ置換基およびオキソが挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、同一または異なっていてもよい。
【００２３】
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０に示される「置換基を有していてもよいアラルキル基」の「アラルキル基」としては、上記で定義された「低級アルキル基」の任意の位置に上記で定義された「アリール基」が置換したアラルキル基、例えばベンジル、１−または２−フェニルエチル、１−、２−または３−フェニルプロピル、１−または２−ナフチルメチル、１−または２−（１−ナフチル）エチル、１−または２−（２−ナフチル）エチル、２−エチル−１−フェニルブチル、ベンズヒドリルおよびトリチルが挙げられる。当該アラルキル基は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、上記「置換基を有していてもよいアリール基」で例示された置換基と同じ置換基およびオキソが挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、同一または異なっていてもよい。
「置換基を有していてもよいアラルキル基」としては、例えば１−フェニルエチル、２−フェニルエチル、１−（４−トリル）エチル、２−（４−トリル）エチル、２−エチル−２−ヒドロキシ−１−フェニルブチル、１−（１−ナフチル）エチル、２−（１−ナフチル）エチル、１−（２−ナフチル）エチルおよび２−（２−ナフチル）エチルが挙げられる。
【００２４】
Ａ環で示される「置換基を有していてもよいベンゼン環」の「ベンゼン環」が有していてもよい置換基としては、例えばハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、および置換基を有していてもよいアリール基が挙げられる。これらのハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基および置換基を有していてもよいアリール基は、それぞれＲ３およびＲ４において例示されたものと同様のものが挙げられる。
【００２５】
Ｒ８およびＲ９が隣接する窒素原子と一緒になって形成してもよい含窒素複素環としては、隣接する窒素原子以外に、窒素原子、酸素原子および硫黄原子から選ばれる１〜４個のヘテロ原子を含んでいてもよい複素環、例えば、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、チオモルホリン、ピペラジン等の飽和含窒素複素環が挙げられる。当該含窒素複素環は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、上記「置換基を有していてもよいアリール基」で例示された置換基と同じ置換基およびオキソが挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、同一または異なっていてもよい。
Ｒ８およびＲ９に示される「置換基を有していてもよい含窒素複素環」としては、４−ピペリジノンが好ましい。
【００２６】
Ｒ１０に示される「トリアルキルシリル基」としては、例えばトリメチルシリル（以下、ＴＭＳと略す）基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基等のトリ（Ｃ１−４アルキル）シリル基が挙げられ、ＴＭＳ基およびトリエチルシリル基が好ましい。
【００２７】
化合物（Ｖ）、（Ｖａ）および（Ｖｂ）における＊は、付された炭素原子が不斉炭素であることを示し、それぞれの化合物が光学活性な化合物であることを意味する。
本明細書において光学活性とは、不斉炭素においてその立体配置が異なる異性体の等量混合物（例えば、ラセミ体）でないことを意味し、一方の立体異性体が過剰に存在する場合（例えば、６：４の混合物）であれば、光学活性と定義される。
【００２８】
化合物（Ｉ）は、フタラジン環とナフタレン環を繋ぐ単結合の回転障害に基づくアトロプ異性（以下に示す）を示し、室温において分割可能な不斉を示す。
【００２９】
【化３】
【００３０】
本明細書で定義される化合物は、塩の形態であってもよい。そのような塩としては、例えば無機酸塩（例えば塩酸塩、硫酸塩、硝酸塩、リン酸塩）；有機酸塩（例えば酢酸塩、プロピオン酸塩、メタンスルホン酸塩、４−トルエンスルホン酸塩、シュウ酸塩、マレイン酸塩）；アルカリ金属塩（例えばナトリウム塩、カリウム塩）；アルカリ土類金属塩（例えばカルシウム塩、マグネシウム塩）；有機塩基塩（例えばトリメチルアミン塩、トリエチルアミン塩、ピリジン塩、ピコリン塩、ジシクロヘキシルアミン塩）が挙げられる。
【００３１】
化合物（Ｉ）において、Ｒ１およびＲ２としては、置換基を有していてもよいフェニル基またはシクロヘキシル基が好ましく、フェニル基、トリル基（ｐ−トリル基またはｍ−トリル基）またはシクロヘキシル基がより好ましく、フェニル基が特に好ましい。Ｒ３およびＲ４としては、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはシクロアルキル基が好ましく、水素原子またはメトキシ基がより好ましく、水素原子が特に好ましい。
【００３２】
化合物（Ｉ）のＸにおけるＲ５およびＲ６としては、置換基を有していてもよいアラルキル基が好ましく、さらに不斉中心を有する残基である態様がより好ましい。具体的には、（Ｒ）−または（Ｓ）−１−フェニルエチル基、（Ｒ）−または（Ｓ）−１−（４−トリル）エチル、（Ｒ）−または（Ｓ）−２−エチル−２−ヒドロキシ−１−フェニルブチル、（Ｒ）−または（Ｓ）−１−（１−ナフチル）エチル、（Ｒ）−または（Ｓ）−１−（２−ナフチル）エチル等が好ましく、（Ｒ）−または（Ｓ）−１−フェニルエチル基がより好ましい。
【００３３】
本発明の化合物（Ｉ）は、例えば、特許文献１に記載の以下の方法により製造することができる。
【００３４】
【化４】
【００３５】
（式中、Ｘ４は、ハロゲン原子、ｐ−トルエンスルホニルオキシ、メタンスルホニルオキシまたはトリフルオロメタンスルホニルオキシを示し、他の記号は前記と同義を示す。）
すなわち、化合物（ＸＩＸ）を原料として、
（ｉ）化合物（ＸＸ）または化合物（ＸＸＩ）と反応させて、Ｘ４をＸに変換する工程；
（ii）塩基の存在下、トリフルオロメタンスルホン酸無水物と反応させて、水酸基をトリフルオロメタンスルホニルオキシ(以下、−ＯＴｆと略す)に変換する工程；および
（iii）前記工程（ｉ）および（ii）により得られた化合物（ＸＩＸ’）の−ＯＴｆを、ホスフィン類を含む遷移金属錯体の存在下、化合物（ＸＸＩＩ）と反応させて、−ＰＲ１Ｒ２（式中、Ｒ１およびＲ２は前記と同義を示す。）で表される残基に変換する工程を包含する方法によって、化合物（Ｉ）を製造することができる。
【００３６】
Ｘ４で示される「ハロゲン原子」としては、Ｒ３およびＲ４に示される「ハロゲン原子」として例示したものと同様のものが挙げられる。
【００３７】
化合物（Ｉ）の光学活性体（以下、光学活性化合物（Ｉ）という。）を配位子として含有する不斉遷移金属錯体は、不斉反応のための触媒、すなわち不斉触媒として用いることができる。
【００３８】
当該遷移金属錯体の遷移金属としては、例えばＲｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、ＣｕおよびＡｇが挙げられ、Ｒｈ、ＣｕまたはＡｇが好ましく、Ｃｕが特に好ましい。
【００３９】
当該不斉遷移金属錯体は、例えば、特許文献１に記載されているように、溶媒中において、光学活性化合物（Ｉ）と遷移金属塩またはその錯体とを反応させることにより調製することができる。
【００４０】
不斉遷移金属錯体調製に使用される遷移金属塩またはその錯体としては、例えばＣｕＸ１、Ｃｕ（Ｘ１）２、Ｒｈ（ｃｏｄ）２Ｘ１、（ｎｂｄ）Ｒｈ（ａｃａｃ）、ＣｙＲｕ（Ｘ１）２およびＡｇＸ１（Ｘ１はハロゲン原子、ＢＦ４、アセトキシ、ＳｂＦ６、ＰＦ６およびＯＳＯ２ＣＦ３から選ばれる対イオンを示し、ｃｏｄは１，５−シクロオクタジエンを示し、ｎｂｄはノルボナジエンを示し、Ｃｙはシメンを示し、ａｃａｃはアセチルアセトンを示す。）が挙げられ、ＣｕＸ１、Ｒｈ（ｃｏｄ）２Ｘ１、（ｎｂｄ）Ｒｈ（ａｃａｃ）およびＡｇＸ１が好ましく、ＣｕＸ１が特に好ましい。
【００４１】
Ｘ１で示される「ハロゲン原子」としては、Ｒ３およびＲ４に示される「ハロゲン原子」として例示したものと同様のものが挙げられる。
【００４２】
本発明の光学活性アミン化合物の製造方法においては、以下に示すように、光学活性化合物（Ｉ）を不斉配位子として含有する不斉遷移金属錯体の存在下、化合物（ＩＩ）、化合物（ＩＩＩ）および化合物（ＩＶ）を、炭酸エステルを含む溶媒中で反応させることにより、キラルな化合物（Ｖ）を製造することができる。
本発明では、不斉遷移金属錯体は、光学活性化合物（Ｉ）とＣｕＸ１（Ｘ１は前記と同義を示す。）との反応により調製されたものであるのが好ましい。
【００４３】
【化５】
【００４４】
（式中、各記号は前記と同義を示す。）
試薬の添加順序は特に限定はないが、好ましくは不斉遷移金属錯体を調製した溶液に化合物（ＩＩ）〜（ＩＶ）を順次または同時に添加する。
【００４５】
不斉遷移金属錯体の使用量は、反応性およびコストの点から、化合物（ＩＩ）に対して０．１〜１０モル％が好ましく、１〜５モル％がより好ましい。
【００４６】
化合物（ＩＩＩ）の使用量は、化合物（ＩＩ）に対して１〜２当量が好ましく、１〜１．５当量がより好ましい。
化合物（ＩＶ）の使用量は、化合物（ＩＩ）に対して１〜２当量が好ましく、１〜１．５当量がより好ましい。
【００４７】
本発明では、反応を促進するため乾燥剤を添加するのが好ましい。かかる乾燥剤としては、例えばモレキュラシーブス（商品名）、アルミナ、シリカゲルおよびフロリジルが挙げられ、アルミナ、シリカゲルおよびモレキュラシーブスが好ましく、アルミナおよびモレキュラシーブス４Åがより好ましく、モレキュラシーブス４Åが特に好ましい。当該乾燥剤は加熱、脱ガスなどの前処理をすることが好ましい。当該乾燥剤の使用量は、化合物（ＩＩ）に対して０．５〜４０重量倍が好ましく、１〜１０重量倍がより好ましい。
【００４８】
本発明では、反応を促進するため塩基を添加するのが好ましい。かかる塩基としては、例えば、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン等の第３級アミン；およびアニリン等の芳香族アミンが挙げられ、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミンおよびアニリンが好ましく、アニリンがより好ましい。当該塩基の使用量は、化合物（ＩＶ）に対して０．０１〜２当量が好ましく、０．１〜１当量がより好ましい。
【００４９】
本発明では、反応は炭酸エステルを含む溶媒中で行われる。当該炭酸エステルとしては、炭素数３〜１０の炭酸エステル、具体的には、炭酸ジメチル、炭酸ジエチル、炭酸メチルエチル、炭酸エチレンおよび炭酸プロピレンが挙げられ、炭酸ジメチル、炭酸ジエチルおよび炭酸プロピレンがより好ましい。これらの炭酸エステルは単独で使用してもよいし、２種以上の炭酸エステルを組み合わせて使用してもよい。また、トルエン、１，２−ジメトキシエタン、ジクロルメタン等と炭酸エステルとの混合溶媒を使用することもできる。
炭酸エステルの使用量は、単独使用の場合、化合物（ＩＩ）に対して０．５〜３０倍重量が好ましく、２〜２０倍重量がより好ましい。
【００５０】
トルエン、１，２−ジメトキシエタン、ジクロルメタン等と炭酸エステルとの混合溶媒を使用する場合、炭酸エステルの使用量は、化合物（ＩＩ）に対して０．１〜５倍重量が好ましく、０．５〜３倍重量がより好ましい。また、混合割合は、トルエン、１，２−ジメトキシエタン、ジクロルメタン等の合計重量に対して、０．０１〜０．２倍重量が好ましく、０．０４〜０．１倍重量がより好ましい。
【００５１】
反応溶媒として炭酸エステルを含む溶媒を使用することにより、従来のトルエン等と比較して反応時間を短縮でき、かつ反応収率や光学収率が向上する。また、炭酸エステルの使用量が比較的少なく反応溶液が高濃度でも、反応収率や光学収率は保持される。
【００５２】
反応温度は０℃〜５０℃が好ましく、２０〜３５℃がより好ましい。反応温度が低いと立体選択性が向上する傾向にあるが、反応速度が遅くなる。反応時間は、使用する試薬や反応温度にも依存するが、本発明では１時間〜３０時間の反応時間で所望の光学活性アミンを製造することができる。
【００５３】
このようにして得られたキラルな化合物（Ｖ）は、常法により単離精製することができる。例えば、抽出操作を行った後か、あるいは反応混合物を直接シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付することにより、化合物（Ｖ）を単離精製することができる。
【００５４】
反応終了後、乾燥剤をろ別した反応混合物にヘキサン、ヘプタン等の溶媒を加え、析出物をろ取することにより、不斉遷移金属錯体を回収することができる。この回収された不斉遷移金属錯体は、不斉触媒反応の触媒として再度使用することが可能である。このように不斉遷移金属錯体を再利用できるので、工業的に非常に有利となる。
【００５５】
本発明で得られる化合物（Ｖ）においてＲ８とＲ９が隣接する窒素原子と一緒になって４−ピペリジノンを形成する化合物、すなわち化合物（Ｖａ）は、下記スキームに示すように脱保護することにより、プロパルギルアミンである化合物（Ｖｂ）に導くことができるので、有用な化合物である。
【００５６】
【化６】
【００５７】
（式中、各記号は前記と同義を示す。）
４−ピペリジノン環を一級アミンへ変換するこのような反応は、三重結合のような不安定な基が存在していても、光学純度を保持して収率よく進行する。したがって、この反応は種々の不安定な官能基が存在していても副反応を伴うことなく簡便かつ収率よく進行すると考えられる。このように、４−ピペリジノン誘導体からアミン誘導体への一般的な変換に応用可能であり、一級アミンの新規製法として有用である。
当該脱保護は、例えば、アルコール溶媒中、化合物（Ｖａ）をアンモニアおよびアンモニウム塩と反応させることにより行うことができる。以下に当該態様について説明するが、これに限定されるものではない。
【００５８】
使用するアンモニウム塩としては、塩化アンモニウムが好ましい。アンモニウム塩の使用量は、化合物（Ｖａ）に対して１〜４０当量が好ましく、１〜５当量がより好ましい。
【００５９】
アンモニアとしては、使用するアルコール溶媒に飽和させた形態で使用すればよい。アルコール溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ブタノールを使用することができる。
アンモニアを飽和させたアルコール溶媒の使用量は、化合物（Ｖａ）に対して１〜１００倍重量である。
【００６０】
反応温度は、通常は０℃〜１３０℃であるが、４０℃〜１００℃が好ましい。反応時間は、用いられる試薬や反応温度にも依存するが、通常０．５時間〜４８時間である。
【００６１】
得られる化合物（Ｖｂ）は、常法により単離精製することができる。例えば、抽出操作を行った後か、あるいは反応混合物を直接シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付することにより、化合物（Ｖｂ）を単離精製することができる。
【００６２】
本発明においては、光学活性化合物（Ｉ）を不斉配位子として含有する不斉遷移金属錯体を使用することにより、以下に示すように、化合物（ＩＩ）−（ＩＶ）からキラルな化合物（Ｖ）を得ることができる。光学活性化合物（Ｉ）の立体配置により、キラルな化合物（Ｖ）の立体配置が決まる。例えば、光学活性化合物（Ｉ）が
【００６３】
【化７】
【００６４】
であるとＲ体の化合物（Ｖ）が得られ、光学活性化合物（Ｉ）が
【００６５】
【化８】
【００６６】
であるとＳ体の化合物（Ｖ）が得られる。
【実施例】
【００６７】
以下、本発明について、実施例を挙げてさらに具体的に説明する。本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。
なお、ＮＭＲデータ中J値はＨｚを表す。
【００６８】
以下の実施例において、温度を記載していない反応は、室温で実施した。
実施例１
500mLの反応容器に臭化銅 (201mg, 1.4mmol)、(R,S)-[4-(2-ジフェニルホスファニルナフタレン-1-イル)-フタラジン-1-イル]-（1-フェニルエチル）アミン ((R,S)-N-PINAP) (862mg, 1.54mmol)とモレキュラシーブス4Å (16.8g)を加え、アルゴンガス雰囲気下、炭酸ジメチル (50mL)を加えて攪拌した。90分攪拌後、TMS化アセチレン (4.0mL, 28mmol)、シクロヘキシルカルボアルデヒド (3.37mL, 28.0mmol)、およびジベンジルアミン (5.42mL, 28.0mmol)を加えて攪拌した。21時間後、反応液を濃縮し、フラッシュシリカゲルカラムクロマトグラフィー（1％エーテル含有ヘキサン）で精製することにより、(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミン (9.7ｇ)を得た。収率は89％、光学収率は99％であった。
1H-NMR (300 MHz, CDCl3):δ= 7.41-7.40 (m, 4H), 7.39-7.31 (m, 4H), 7.29-7.20 (m, 2H), 3.79 (d, J=13.8, 2H), 3.35 (d, J=13.8, 2H), 3.02 (d, J=10.5, 1H), 2.29-2.25 (m, 1H), 2.00-1.96 (m, 1H), 1.70-1.51 (m, 4H), 1.24-1.04 (m, 3H), 0.81-0.67 (m, 2H), 0.25 (s, 9H)
13C-NMR (100MHz, CDCl3) δ= 139.6, 128.7, 128.0, 126.7, 103.5, 90.1, 58.7, 55.0, 39.7, 31.5, 30.5, 26.9, 26.4, 26.2, 0.83
【００６９】
実施例２
1Lの三口フラスコに臭化銅 (201mg, 1.4mmol)、(R,S)-N-PINAP (862mg, 1.54mmol)とモレキュラシーブス4Å (84g)を加え、アルゴンガス雰囲気下、炭酸ジメチル (100mL)を加えて攪拌した。90分攪拌後、TMS化アセチレン (19.8mL, 140mmol)、シクロヘキシルカルボアルデヒド (16.8mL, 140mmol)、およびジベンジルアミン (27.1mL, 140mmol)を加えて攪拌した。22時間後、反応液を濃縮し、フラッシュシリカゲルカラムクロマトグラフィー（1％エーテル含有ヘキサン）で精製することにより、(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミン (49.9ｇ)を白色固形物として得た。収率は91％、光学収率は99％であった。
【００７０】
実施例３
10mLの反応容器に臭化銅 (3.6mg, 0.025mmol)、(R,S)-N-PINAP (15mg, 0.0275mmol)とモレキュラシーブス4Å (300mg)を加え、アルゴンガス雰囲気下、炭酸ジメチル (1mL)を加えて攪拌した。90分攪拌後、TMS化アセチレン (71μL, 0.5mmol)、シクロヘキシルカルボアルデヒド (60μL, 0.5mmol)、およびジベンジルアミン (97μL, 0.5mmol)を加えて攪拌した。20時間後、反応液を濃縮し、フラッシュシリカゲルカラムクロマトグラフィー（1％エーテル含有ヘキサン）で精製することにより、(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミン (168mg)を白色固形物として得た。収率は95％、光学収率は99％であった。
【００７１】
実施例４
アニリン(4.6μL, 0.05mmol）をさらに添加したこと以外は、実施例３と同様の方法により反応を行った。反応時間15時間で(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミンの収率は91％、光学収率は99％であった。
【００７２】
実施例５
触媒調製後、直ちにTMS化アセチレン、シクロヘキシルカルボアルデヒドおよびジベンジルアミンを加えたこと以外は、実施例３と同様の方法により反応を行った。(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミンの収率は85％、光学収率は99％であった。
【００７３】
実施例６
モレキュラシーブスの代わりにアルミナ (300mg)を使用した以外は、実施例３と同様の方法により反応を行った。20時間後の(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミンの収率は86％、光学収率は99％であった。
【００７４】
実施例７
溶媒として炭酸ジメチルの代わりに炭酸ジエチル (2mL)を使用した以外は、実施例３と同様の方法により反応を行った（ただし、溶媒は触媒調製時 (1mL)と基質添加時 (1mL)に２分割して加えた）。(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミンの20時間後の収率は98％、光学収率は96％であった。
【００７５】
実施例８
溶媒として炭酸ジメチルの代わりに炭酸プロピレン (2mL)を使用した以外は、実施例３と同様の方法により反応を行った（ただし、溶媒は触媒調製時 (1mL)と基質添加時 (1mL)に２分割して加えた）。(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミンの20時間後の収率は92％、光学収率は91％であった。
【００７６】
比較例１
溶媒として炭酸ジメチルの代わりにトルエン(2mL)を使用した以外は、実施例３と同様の方法により反応を行った（ただし、溶媒は触媒調製時(1mL)と基質添加時(1mL)に２分割して加えた）。(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミンの48時間後での収率は74％で光学収率は98％であった。また、同条件での120時間後での収率は90％で光学収率は98％であった。
【００７７】
実施例９
溶媒として炭酸プロピレン(100μL)をさらに加えたこと以外は、比較例１と同様の方法により反応を行った。(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミンの16時間後での収率は99％で、光学収率は96％であった。
【００７８】
光学純度の測定法
実施例の方法で得られたシリル体（67mg, 172μmol）を乾燥テトラヒドロフラン(THF) (2mL)に溶解し、0℃に冷却した。トリブチルアンモニウムフルオリド1.0M THF溶液(0.1mL)を加えて15分攪拌後、水を加えた。エーテル (2mL)で3回抽出し、有機層を合一し、食塩水で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー（1％エーテル含有ヘキサンで溶出）で単離した(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-2-プロピン-1-アミンを光学カラムを用いてHPLC分析した。
カラム：キラルセルOD-H 流速：0.3mL/min、移動相：ヘキサン、波長：254nm、Rｆ25.3（minor）、28.5（major）
1H-NMR (300 MHz, CDCl3):δ= 7.45-7.43 (m, 4H), 7.37-7.32 (m, 4H), 7.29-7.25 (m, 2H), 3.86 (d, J=14.1, 2H), 3.42 (d, J=14.1, 2H), 3.08 (dd, J=10.8, 2.1, 1H), 2.38 (d, J=2.1, 1H), 2.39-2.30 (m, 2H), 2.08-2.01 (m, 1H), 1.78-1.62 (m, 4H), 1.30-1.05 (m, 3H), 0.92-0.70 (m, 2H)
13C-NMR (100MHz, CDCl3) δ= 139.6, 128.7, 128.1, 126.8, 81.0, 73.5, 57.7, 54.9, 39.6, 31.3, 30.3, 26.6, 26.2, 26.0
【００７９】
参考例 触媒の回収法
10mLの反応容器に臭化銅 (17.9mg, 0.125mmol)、(R,S)-N-PINAP (77.0mg, 0.138mmol)とモレキュラシーブス4Å（粉末1.5g）を加え、アルゴンガス雰囲気下、炭酸ジメチル2mLを加えて攪拌した。90分攪拌後、TMS化アセチレン(2.50mmol)、シクロヘキシルカルボアルデヒド (301μL, 2.50mmol)、およびジベンジルアミン (484μL, 2.50mmol)を加えて攪拌した。21時間後、ヘキサン (3mL)を反応液に加えた。析出する黄色沈殿物をろ別し、エーテル/ヘキサン（5mL, 1/1容量部）で2回洗浄した。無色のろ液は減圧下濃縮して淡黄色の(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミン (930mg)を得た（95％、NMRより）。反応液から析出した黄色沈殿物はジメチルホルムアミドに溶解し、ろ過した後、ろ液を減圧濃縮して黄色固形物 (104mg)を得た（理論量最大で95mg）。NMR、LCMSおよびMS分析によりPINAPの臭化銅錯体であることを確認した。
【００８０】
実施例１０
触媒として参考例で回収した触媒を使用した以外は、実施例３と同様の方法により反応を行なった。(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミン (183mg)を得た。収率は94％、光学収率は97％であった。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明によれば、化合物（Ｉ）の光学活性体を不斉配位子として含有する不斉遷移金属錯体の存在下、化合物（ＩＩ）−（ＩＶ）から光学活性アミンである化合物（Ｖ）を製造する際、炭酸エステルを含む溶媒下で反応を行うことにより、反応時間を短縮でき、かつ、反応収率や光学収率が向上すること、さらに、炭酸エステルの使用量が比較的少なく反応溶液が高濃度でも、反応収率や光学収率が保持される。
したがって、本発明の製造方法は、医薬、農薬等の光学活性な合成中間体の工業的に有用な製造方法となり得る。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学活性なモノホスフィン化合物を不斉配位子とする不斉遷移金属錯体を不斉触媒として用いる光学活性アミン化合物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、不斉触媒反応の触媒として多くの不斉遷移金属錯体が報告されており、そのための不斉配位子が数多く開発されてきた。
例えば、光学活性なモノホスフィン化合物を不斉配位子とする不斉遷移金属錯体を利用した光学活性化合物の製造方法は特許文献１に知られており、具体的には、臭化銅および光学活性な［４−（２−ジフェニルホスファニルナフタレン−１−イル）−フタラジン−１−イル］−（１−フェニルエチル）アミン（以下、ＰＩＮＡＰ）から調製される錯体の存在下、トルエン中、３−メチルブタナール、ジベンジルアミンおよび１−ヘキシンを反応させて、光学活性なＮ，Ｎ−ジベンジル−２−メチル−５−デシン−４−アミンを得る方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３４７８８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１記載の反応では、反応時間が２３℃で５日間と長く、工業的実施を考えた場合、反応時間がより短いことが望ましい。また、反応収率および光学収率に改善の余地があった。
本発明は、光学活性なモノホスフィン化合物を不斉配位子とする不斉遷移金属錯体を利用して、工業的に有利な方法で光学活性アミン化合物を製造できる方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者は、上記課題を解決するため鋭意研究をした結果、上記反応における溶媒を、炭酸エステルを含む溶媒とすることにより、反応時間を短縮でき、かつ、反応収率や光学収率が向上すること、さらに、炭酸エステルの使用量が比較的少なく反応溶液が高濃度でも、反応収率や光学収率が保持されることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は以下のとおりである。
［１］ 一般式（Ｉ）：
【０００６】
【化１】
【０００７】
（式中、Ａ環は、存在しないかまたは置換基を有していてもよいベンゼン環を示し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよいフェニル基、シクロヘキシル基、２−フリル基または３−フリル基を示し、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基または置換基を有していてもよいアリール基を示し、Ｘは、−ＯＲ５または−ＮＨＲ６（式中、Ｒ５およびＲ６は置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示す。）で表される残基を示す。）
で表される化合物（以下、化合物（Ｉ）ともいう）の光学活性体を不斉配位子として含有する不斉遷移金属錯体の存在下、一般式（ＩＩ）：Ｒ７ＣＨＯ（ＩＩ）（式中、Ｒ７は、置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよい低級アルケニル基、置換基を有していてもよい低級アルキニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示す。）で表される化合物（以下、化合物（ＩＩ）ともいう）、一般式（ＩＩＩ）：ＨＮＲ８Ｒ９（ＩＩＩ）（式中、Ｒ８およびＲ９はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよい低級アルケニル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示すか、あるいはＲ８とＲ９が隣接する窒素原子と一緒になって、置換基を有していてもよい含窒素複素環を形成してもよい。）で表される化合物（以下、化合物（ＩＩＩ）ともいう）、および一般式（ＩＶ）：ＨＣ≡ＣＲ１０（ＩＶ）（式中、Ｒ１０は、水素原子、置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、トリアルキルシリル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示す。）で表される化合物（以下、化合物（ＩＶ）ともいう）を、炭酸エステルを含む溶媒中で反応させることを特徴とする、一般式（Ｖ）：
【０００８】
【化２】
【０００９】
（式中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は上記と同義を示し、＊は不斉炭素を示す。）
で表される光学活性アミン化合物（以下、化合物（Ｖ）ともいう）の製造方法。
［２］ 炭酸エステルが、炭素数３〜１０の炭酸エステルである、上記［１］記載の製造方法。
［３］ 炭酸エステルが、炭酸ジメチル、炭酸ジエチルおよび炭酸プロピレンから選ばれる、上記［１］記載の製造方法。
［４］ 反応が炭酸エステル中で行われ、かつ当該炭酸エステルが、化合物（ＩＩ）に対して０．５〜３０倍重量使用される、上記［１］〜［３］のいずれかに記載の製造方法。
［５］ 反応が、トルエン、１，２−ジメトキシエタンおよびジクロルメタンから選ばれる溶媒と炭酸エステルとの混合溶媒中で行われ、かつ当該炭酸エステルが、化合物（ＩＩ）に対して０．１〜５倍重量使用される、上記［１］〜［３］のいずれかに記載の製造方法。
［６］ 不斉遷移金属錯体が、化合物（ＩＩ）１モルに対して０．１〜１０モル％使用される、上記［１］〜［５］のいずれかに記載の製造方法。
［７］ 反応が０〜５０℃の範囲内で行われる、上記［１］〜［６］のいずれかに記載の製造方法。
［８］ 反応が、３級アミンおよび芳香族アミンから選ばれる塩基の存在下で行われる、上記［１］〜［７］のいずれかに記載の製造方法。
［９］ 塩基が、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミンおよびアニリンから選ばれる、上記［８］記載の製造方法。
［１０］ 反応が乾燥剤の存在下で行われる、上記［１］〜［９］のいずれかに記載の製造方法。
［１１］ 乾燥剤が、アルミナおよびモレキュラシーブスから選ばれる、上記［１０］記載の製造方法。
［１２］ Ｒ１およびＲ２が共にフェニル基である、上記［１］〜［１１］のいずれかに記載の製造方法。
［１３］ Ｒ３およびＲ４が共に水素原子である、上記［１］〜［１２］のいずれかに記載の製造方法。
［１４］ Ｒ５またはＲ６が不斉中心を有する残基である、上記［１］〜［１３］のいずれかに記載の製造方法。
［１５］ Ｒ５またはＲ６が１−フェニルエチル基である、上記［１］〜［１３］のいずれかに記載の製造方法。
［１６］ Ｒ５またはＲ６がキラルな１−フェニルエチル基である、上記［１］〜［１３］のいずれかに記載の製造方法。
［１７］ 不斉遷移金属錯体中の遷移金属が、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、ＣｕおよびＡｇから選ばれる金属である、上記［１］〜［１６］のいずれかに記載の製造方法。
［１８］ 不斉遷移金属錯体中の遷移金属がＣｕである、上記［１］〜［１６］のいずれかに記載の製造方法。
［１９］ 不斉遷移金属錯体が、一般式（Ｉ）で表される化合物の光学活性体と遷移金属塩またはその錯体とを反応させることにより調製されたものである、上記［１］〜［１８］のいずれかに記載の製造方法。
［２０］ 不斉遷移金属錯体が、一般式（Ｉ）で表される化合物の光学活性体とＣｕＸ１（式中、Ｘ１はハロゲン原子、ＢＦ４、アセトキシ、ＳｂＦ６、ＰＦ６およびＯＳＯ２ＣＦ３から選ばれる対イオンを示す。）とを反応させることにより調製されたものである、上記［１］〜［１８］のいずれかに記載の製造方法。
［２１］ Ｒ８とＲ９が隣接する窒素原子と一緒になって４−ピペリジノンを形成する、上記［１］〜［２０］のいずれかに記載の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
化合物（Ｉ）の光学活性体を不斉配位子として含有する不斉遷移金属錯体の存在下、化合物（ＩＩ）−（ＩＶ）から光学活性アミンである化合物（Ｖ）を製造する際、炭酸エステルを含む溶媒下で反応を行うことにより、反応時間を短縮でき、かつ、反応収率や光学収率が向上すること、さらに、炭酸エステルの使用量が比較的少なく反応溶液が高濃度でも、反応収率や光学収率が保持される。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明について詳細に説明する。
まず、本明細書で使用している各記号の定義を行う。
【００１２】
Ｒ３およびＲ４に示される「ハロゲン原子」としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。Ｒ３およびＲ４は、好ましくは塩素原子またはフッ素原子である。
【００１３】
Ｒ３およびＲ４に示される「低級アルコキシ基」としては、直鎖または分枝のＣ１−１２アルコキシ基、例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペントキシ、イソペントキシ、ネオペントキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ウンデシルオキシおよびドデシルオキシが挙げられ、好ましくはメトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ等の直鎖または分枝のＣ１−４アルコキシ基である。
【００１４】
Ｒ３およびＲ４に示される「低級アルキル基」、およびＲ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０に示される「置換基を有していてもよい低級アルキル基」の「低級アルキル基」としては、直鎖または分枝のＣ１−１２アルキル基、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、２−エチルブチル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシルおよびドデシルが挙げられ、好ましくはメチル、エチル、プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル等の直鎖または分枝のＣ１−４アルキル基である。
【００１５】
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０に示される「置換基を有していてもよい低級アルキル基」の「低級アルキル基」は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、当該置換基としては、例えば上記で定義されたハロゲン原子、上記で定義された低級アルコキシ基、水酸基、オキソ、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、およびアルキル部分が上記で定義された「低級アルキル基」であるアルコキシカルボニル基が挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、同一または異なっていてもよい。
【００１６】
Ｒ７、Ｒ８およびＲ９に示される「置換基を有していてもよい低級アルケニル基」の「低級アルケニル基」としては、直鎖または分枝のＣ２−１０アルケニル基、例えばエテニル、１−プロペニル、アリル、１−メチル−２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、１−ヘプテニル、２−ヘプテニル、１−オクテニル、２−オクテニル、１−ノネニル、２−ノネニル、１−デセニルおよび２−デセニルが挙げられ、好ましくはアリルである。当該アルケニル基は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、例えば上記で定義されたハロゲン原子、上記で定義された低級アルコキシ基、水酸基、オキソ、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルキル部分が上記で定義された「低級アルキル基」であるアルコキシカルボニル基、および下記で定義するアリール基が挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、同一または異なっていてもよい。
【００１７】
Ｒ７に示される「置換基を有していてもよい低級アルキニル基」の「低級アルキニル基」としては、直鎖または分枝のＣ２−１０アルキニル基、例えばエチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、１−メチル−２−プロピニル、１−ブチニル、２−ブチニル、３−ブチニル、１−ペンチニル、２−ペンチニル、１−ヘキシニル、２−ヘキシニル、１−ヘプチニル、２−ヘプチニル、１−オクチニル、２−オクチニル、１−ノニニル、２−ノニニル、１−デシニルおよび２−デシニルが挙げられる。当該アルキニル基は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、上記「置換基を有していてもよいアルケニル基」で例示された置換基と同じ置換基が挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、同一または異なっていてもよい。
【００１８】
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０に示される「置換基を有していてもよいアリール基」の「アリール基」としては、Ｃ６−２０アリール基、例えばフェニル、１−または２−ナフチルおよびビフェニルが挙げられる。
当該アリール基は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、例えば上記で定義されたハロゲン原子、上記で定義された低級アルキル基、上記で定義された低級アルコキシ基、水酸基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルキル部分が上記で定義された「低級アルキル基」であるアルコキシカルボニル基、上記で定義されたアリール基、および下記で定義するアラルキル基が挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、同一または異なっていてもよい。
【００１９】
Ｒ１およびＲ２に示される「置換基を有していてもよいフェニル基」の置換基としては、上記「置換基を有していてもよいアリール基」で例示された置換基と同じ置換基が挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、同一または異なっていてもよい。
「置換基を有していてもよいフェニル基」の具体例としては、フェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基およびキシリル基（２，３−キシリル基、２，４−キシリル基、２，５−キシリル基、２，６−キシリル基、３，４−キシリル基および３，５−キシリル基）が挙げられる。
【００２０】
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０に示される「置換基を有していてもよいヘテロアリール基」の「ヘテロアリール基」としては、例えば炭素原子以外に酸素原子、硫黄原子及び窒素原子から選ばれるヘテロ原子を１〜３個含む５〜１０員の芳香族性を有する複素環基、及びその縮合ヘテロ環基が挙げられる。例えば２−、又は３−チエニル、２−、又は３−フリル、１−、２−、又は３−ピロリル、１−、２−、４−、又は５−イミダゾリル、２−、４−、又は５−オキサゾリル、２−、４−、又は５−チアゾリル、１−、３−、４−、又は５−ピラゾリル、３−、４−、又は５−イソオキサゾリル、３−、４−、又は５−イソチアゾリル、１，２，４−トリアゾール−１−、３−、４−、又は５−イル、１，２，３−トリアゾール−１−、２−、又は４−イル、１Ｈ−テトラゾール−１−、又は５−イル、２Ｈ−テトラゾール−２−、又は５−イル、２−、３−、又は４−ピリジル、２−、４−、又は５−ピリミジニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、又は７−インドリル、２−、３−、４−、５−、６−、又は７−ベンゾフリル、２−、３−、４−、５−、６−、又は７−ベンゾチエニル、１−、２−、４−、５−、６−、又は７−ベンズイミダゾリル、２−、３−、４−、５−、６−、７−、又は８−キノリル、および１−、３−、４−、５−、６−、７−、又は８−イソキノリルが挙げられる。
【００２１】
当該ヘテロアリール基は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、上記「置換基を有していてもよいアリール基」で例示された置換基と同じ置換基が挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、同一または異なっていてもよい。
【００２２】
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０に示される「置換基を有していてもよいシクロアルキル基」の「シクロアルキル基」としては、Ｃ３−７シクロアルキル基、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシルおよびシクロヘプチルが挙げられる。当該シクロアルキル基は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、上記「置換基を有していてもよいアリール基」で例示された置換基と同じ置換基およびオキソが挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、同一または異なっていてもよい。
【００２３】
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０に示される「置換基を有していてもよいアラルキル基」の「アラルキル基」としては、上記で定義された「低級アルキル基」の任意の位置に上記で定義された「アリール基」が置換したアラルキル基、例えばベンジル、１−または２−フェニルエチル、１−、２−または３−フェニルプロピル、１−または２−ナフチルメチル、１−または２−（１−ナフチル）エチル、１−または２−（２−ナフチル）エチル、２−エチル−１−フェニルブチル、ベンズヒドリルおよびトリチルが挙げられる。当該アラルキル基は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、上記「置換基を有していてもよいアリール基」で例示された置換基と同じ置換基およびオキソが挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、同一または異なっていてもよい。
「置換基を有していてもよいアラルキル基」としては、例えば１−フェニルエチル、２−フェニルエチル、１−（４−トリル）エチル、２−（４−トリル）エチル、２−エチル−２−ヒドロキシ−１−フェニルブチル、１−（１−ナフチル）エチル、２−（１−ナフチル）エチル、１−（２−ナフチル）エチルおよび２−（２−ナフチル）エチルが挙げられる。
【００２４】
Ａ環で示される「置換基を有していてもよいベンゼン環」の「ベンゼン環」が有していてもよい置換基としては、例えばハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、および置換基を有していてもよいアリール基が挙げられる。これらのハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基および置換基を有していてもよいアリール基は、それぞれＲ３およびＲ４において例示されたものと同様のものが挙げられる。
【００２５】
Ｒ８およびＲ９が隣接する窒素原子と一緒になって形成してもよい含窒素複素環としては、隣接する窒素原子以外に、窒素原子、酸素原子および硫黄原子から選ばれる１〜４個のヘテロ原子を含んでいてもよい複素環、例えば、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、チオモルホリン、ピペラジン等の飽和含窒素複素環が挙げられる。当該含窒素複素環は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、上記「置換基を有していてもよいアリール基」で例示された置換基と同じ置換基およびオキソが挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、同一または異なっていてもよい。
Ｒ８およびＲ９に示される「置換基を有していてもよい含窒素複素環」としては、４−ピペリジノンが好ましい。
【００２６】
Ｒ１０に示される「トリアルキルシリル基」としては、例えばトリメチルシリル（以下、ＴＭＳと略す）基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基等のトリ（Ｃ１−４アルキル）シリル基が挙げられ、ＴＭＳ基およびトリエチルシリル基が好ましい。
【００２７】
化合物（Ｖ）、（Ｖａ）および（Ｖｂ）における＊は、付された炭素原子が不斉炭素であることを示し、それぞれの化合物が光学活性な化合物であることを意味する。
本明細書において光学活性とは、不斉炭素においてその立体配置が異なる異性体の等量混合物（例えば、ラセミ体）でないことを意味し、一方の立体異性体が過剰に存在する場合（例えば、６：４の混合物）であれば、光学活性と定義される。
【００２８】
化合物（Ｉ）は、フタラジン環とナフタレン環を繋ぐ単結合の回転障害に基づくアトロプ異性（以下に示す）を示し、室温において分割可能な不斉を示す。
【００２９】
【化３】
【００３０】
本明細書で定義される化合物は、塩の形態であってもよい。そのような塩としては、例えば無機酸塩（例えば塩酸塩、硫酸塩、硝酸塩、リン酸塩）；有機酸塩（例えば酢酸塩、プロピオン酸塩、メタンスルホン酸塩、４−トルエンスルホン酸塩、シュウ酸塩、マレイン酸塩）；アルカリ金属塩（例えばナトリウム塩、カリウム塩）；アルカリ土類金属塩（例えばカルシウム塩、マグネシウム塩）；有機塩基塩（例えばトリメチルアミン塩、トリエチルアミン塩、ピリジン塩、ピコリン塩、ジシクロヘキシルアミン塩）が挙げられる。
【００３１】
化合物（Ｉ）において、Ｒ１およびＲ２としては、置換基を有していてもよいフェニル基またはシクロヘキシル基が好ましく、フェニル基、トリル基（ｐ−トリル基またはｍ−トリル基）またはシクロヘキシル基がより好ましく、フェニル基が特に好ましい。Ｒ３およびＲ４としては、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはシクロアルキル基が好ましく、水素原子またはメトキシ基がより好ましく、水素原子が特に好ましい。
【００３２】
化合物（Ｉ）のＸにおけるＲ５およびＲ６としては、置換基を有していてもよいアラルキル基が好ましく、さらに不斉中心を有する残基である態様がより好ましい。具体的には、（Ｒ）−または（Ｓ）−１−フェニルエチル基、（Ｒ）−または（Ｓ）−１−（４−トリル）エチル、（Ｒ）−または（Ｓ）−２−エチル−２−ヒドロキシ−１−フェニルブチル、（Ｒ）−または（Ｓ）−１−（１−ナフチル）エチル、（Ｒ）−または（Ｓ）−１−（２−ナフチル）エチル等が好ましく、（Ｒ）−または（Ｓ）−１−フェニルエチル基がより好ましい。
【００３３】
本発明の化合物（Ｉ）は、例えば、特許文献１に記載の以下の方法により製造することができる。
【００３４】
【化４】
【００３５】
（式中、Ｘ４は、ハロゲン原子、ｐ−トルエンスルホニルオキシ、メタンスルホニルオキシまたはトリフルオロメタンスルホニルオキシを示し、他の記号は前記と同義を示す。）
すなわち、化合物（ＸＩＸ）を原料として、
（ｉ）化合物（ＸＸ）または化合物（ＸＸＩ）と反応させて、Ｘ４をＸに変換する工程；
（ii）塩基の存在下、トリフルオロメタンスルホン酸無水物と反応させて、水酸基をトリフルオロメタンスルホニルオキシ(以下、−ＯＴｆと略す)に変換する工程；および
（iii）前記工程（ｉ）および（ii）により得られた化合物（ＸＩＸ’）の−ＯＴｆを、ホスフィン類を含む遷移金属錯体の存在下、化合物（ＸＸＩＩ）と反応させて、−ＰＲ１Ｒ２（式中、Ｒ１およびＲ２は前記と同義を示す。）で表される残基に変換する工程を包含する方法によって、化合物（Ｉ）を製造することができる。
【００３６】
Ｘ４で示される「ハロゲン原子」としては、Ｒ３およびＲ４に示される「ハロゲン原子」として例示したものと同様のものが挙げられる。
【００３７】
化合物（Ｉ）の光学活性体（以下、光学活性化合物（Ｉ）という。）を配位子として含有する不斉遷移金属錯体は、不斉反応のための触媒、すなわち不斉触媒として用いることができる。
【００３８】
当該遷移金属錯体の遷移金属としては、例えばＲｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、ＣｕおよびＡｇが挙げられ、Ｒｈ、ＣｕまたはＡｇが好ましく、Ｃｕが特に好ましい。
【００３９】
当該不斉遷移金属錯体は、例えば、特許文献１に記載されているように、溶媒中において、光学活性化合物（Ｉ）と遷移金属塩またはその錯体とを反応させることにより調製することができる。
【００４０】
不斉遷移金属錯体調製に使用される遷移金属塩またはその錯体としては、例えばＣｕＸ１、Ｃｕ（Ｘ１）２、Ｒｈ（ｃｏｄ）２Ｘ１、（ｎｂｄ）Ｒｈ（ａｃａｃ）、ＣｙＲｕ（Ｘ１）２およびＡｇＸ１（Ｘ１はハロゲン原子、ＢＦ４、アセトキシ、ＳｂＦ６、ＰＦ６およびＯＳＯ２ＣＦ３から選ばれる対イオンを示し、ｃｏｄは１，５−シクロオクタジエンを示し、ｎｂｄはノルボナジエンを示し、Ｃｙはシメンを示し、ａｃａｃはアセチルアセトンを示す。）が挙げられ、ＣｕＸ１、Ｒｈ（ｃｏｄ）２Ｘ１、（ｎｂｄ）Ｒｈ（ａｃａｃ）およびＡｇＸ１が好ましく、ＣｕＸ１が特に好ましい。
【００４１】
Ｘ１で示される「ハロゲン原子」としては、Ｒ３およびＲ４に示される「ハロゲン原子」として例示したものと同様のものが挙げられる。
【００４２】
本発明の光学活性アミン化合物の製造方法においては、以下に示すように、光学活性化合物（Ｉ）を不斉配位子として含有する不斉遷移金属錯体の存在下、化合物（ＩＩ）、化合物（ＩＩＩ）および化合物（ＩＶ）を、炭酸エステルを含む溶媒中で反応させることにより、キラルな化合物（Ｖ）を製造することができる。
本発明では、不斉遷移金属錯体は、光学活性化合物（Ｉ）とＣｕＸ１（Ｘ１は前記と同義を示す。）との反応により調製されたものであるのが好ましい。
【００４３】
【化５】
【００４４】
（式中、各記号は前記と同義を示す。）
試薬の添加順序は特に限定はないが、好ましくは不斉遷移金属錯体を調製した溶液に化合物（ＩＩ）〜（ＩＶ）を順次または同時に添加する。
【００４５】
不斉遷移金属錯体の使用量は、反応性およびコストの点から、化合物（ＩＩ）に対して０．１〜１０モル％が好ましく、１〜５モル％がより好ましい。
【００４６】
化合物（ＩＩＩ）の使用量は、化合物（ＩＩ）に対して１〜２当量が好ましく、１〜１．５当量がより好ましい。
化合物（ＩＶ）の使用量は、化合物（ＩＩ）に対して１〜２当量が好ましく、１〜１．５当量がより好ましい。
【００４７】
本発明では、反応を促進するため乾燥剤を添加するのが好ましい。かかる乾燥剤としては、例えばモレキュラシーブス（商品名）、アルミナ、シリカゲルおよびフロリジルが挙げられ、アルミナ、シリカゲルおよびモレキュラシーブスが好ましく、アルミナおよびモレキュラシーブス４Åがより好ましく、モレキュラシーブス４Åが特に好ましい。当該乾燥剤は加熱、脱ガスなどの前処理をすることが好ましい。当該乾燥剤の使用量は、化合物（ＩＩ）に対して０．５〜４０重量倍が好ましく、１〜１０重量倍がより好ましい。
【００４８】
本発明では、反応を促進するため塩基を添加するのが好ましい。かかる塩基としては、例えば、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン等の第３級アミン；およびアニリン等の芳香族アミンが挙げられ、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミンおよびアニリンが好ましく、アニリンがより好ましい。当該塩基の使用量は、化合物（ＩＶ）に対して０．０１〜２当量が好ましく、０．１〜１当量がより好ましい。
【００４９】
本発明では、反応は炭酸エステルを含む溶媒中で行われる。当該炭酸エステルとしては、炭素数３〜１０の炭酸エステル、具体的には、炭酸ジメチル、炭酸ジエチル、炭酸メチルエチル、炭酸エチレンおよび炭酸プロピレンが挙げられ、炭酸ジメチル、炭酸ジエチルおよび炭酸プロピレンがより好ましい。これらの炭酸エステルは単独で使用してもよいし、２種以上の炭酸エステルを組み合わせて使用してもよい。また、トルエン、１，２−ジメトキシエタン、ジクロルメタン等と炭酸エステルとの混合溶媒を使用することもできる。
炭酸エステルの使用量は、単独使用の場合、化合物（ＩＩ）に対して０．５〜３０倍重量が好ましく、２〜２０倍重量がより好ましい。
【００５０】
トルエン、１，２−ジメトキシエタン、ジクロルメタン等と炭酸エステルとの混合溶媒を使用する場合、炭酸エステルの使用量は、化合物（ＩＩ）に対して０．１〜５倍重量が好ましく、０．５〜３倍重量がより好ましい。また、混合割合は、トルエン、１，２−ジメトキシエタン、ジクロルメタン等の合計重量に対して、０．０１〜０．２倍重量が好ましく、０．０４〜０．１倍重量がより好ましい。
【００５１】
反応溶媒として炭酸エステルを含む溶媒を使用することにより、従来のトルエン等と比較して反応時間を短縮でき、かつ反応収率や光学収率が向上する。また、炭酸エステルの使用量が比較的少なく反応溶液が高濃度でも、反応収率や光学収率は保持される。
【００５２】
反応温度は０℃〜５０℃が好ましく、２０〜３５℃がより好ましい。反応温度が低いと立体選択性が向上する傾向にあるが、反応速度が遅くなる。反応時間は、使用する試薬や反応温度にも依存するが、本発明では１時間〜３０時間の反応時間で所望の光学活性アミンを製造することができる。
【００５３】
このようにして得られたキラルな化合物（Ｖ）は、常法により単離精製することができる。例えば、抽出操作を行った後か、あるいは反応混合物を直接シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付することにより、化合物（Ｖ）を単離精製することができる。
【００５４】
反応終了後、乾燥剤をろ別した反応混合物にヘキサン、ヘプタン等の溶媒を加え、析出物をろ取することにより、不斉遷移金属錯体を回収することができる。この回収された不斉遷移金属錯体は、不斉触媒反応の触媒として再度使用することが可能である。このように不斉遷移金属錯体を再利用できるので、工業的に非常に有利となる。
【００５５】
本発明で得られる化合物（Ｖ）においてＲ８とＲ９が隣接する窒素原子と一緒になって４−ピペリジノンを形成する化合物、すなわち化合物（Ｖａ）は、下記スキームに示すように脱保護することにより、プロパルギルアミンである化合物（Ｖｂ）に導くことができるので、有用な化合物である。
【００５６】
【化６】
【００５７】
（式中、各記号は前記と同義を示す。）
４−ピペリジノン環を一級アミンへ変換するこのような反応は、三重結合のような不安定な基が存在していても、光学純度を保持して収率よく進行する。したがって、この反応は種々の不安定な官能基が存在していても副反応を伴うことなく簡便かつ収率よく進行すると考えられる。このように、４−ピペリジノン誘導体からアミン誘導体への一般的な変換に応用可能であり、一級アミンの新規製法として有用である。
当該脱保護は、例えば、アルコール溶媒中、化合物（Ｖａ）をアンモニアおよびアンモニウム塩と反応させることにより行うことができる。以下に当該態様について説明するが、これに限定されるものではない。
【００５８】
使用するアンモニウム塩としては、塩化アンモニウムが好ましい。アンモニウム塩の使用量は、化合物（Ｖａ）に対して１〜４０当量が好ましく、１〜５当量がより好ましい。
【００５９】
アンモニアとしては、使用するアルコール溶媒に飽和させた形態で使用すればよい。アルコール溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ブタノールを使用することができる。
アンモニアを飽和させたアルコール溶媒の使用量は、化合物（Ｖａ）に対して１〜１００倍重量である。
【００６０】
反応温度は、通常は０℃〜１３０℃であるが、４０℃〜１００℃が好ましい。反応時間は、用いられる試薬や反応温度にも依存するが、通常０．５時間〜４８時間である。
【００６１】
得られる化合物（Ｖｂ）は、常法により単離精製することができる。例えば、抽出操作を行った後か、あるいは反応混合物を直接シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付することにより、化合物（Ｖｂ）を単離精製することができる。
【００６２】
本発明においては、光学活性化合物（Ｉ）を不斉配位子として含有する不斉遷移金属錯体を使用することにより、以下に示すように、化合物（ＩＩ）−（ＩＶ）からキラルな化合物（Ｖ）を得ることができる。光学活性化合物（Ｉ）の立体配置により、キラルな化合物（Ｖ）の立体配置が決まる。例えば、光学活性化合物（Ｉ）が
【００６３】
【化７】
【００６４】
であるとＲ体の化合物（Ｖ）が得られ、光学活性化合物（Ｉ）が
【００６５】
【化８】
【００６６】
であるとＳ体の化合物（Ｖ）が得られる。
【実施例】
【００６７】
以下、本発明について、実施例を挙げてさらに具体的に説明する。本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。
なお、ＮＭＲデータ中J値はＨｚを表す。
【００６８】
以下の実施例において、温度を記載していない反応は、室温で実施した。
実施例１
500mLの反応容器に臭化銅 (201mg, 1.4mmol)、(R,S)-[4-(2-ジフェニルホスファニルナフタレン-1-イル)-フタラジン-1-イル]-（1-フェニルエチル）アミン ((R,S)-N-PINAP) (862mg, 1.54mmol)とモレキュラシーブス4Å (16.8g)を加え、アルゴンガス雰囲気下、炭酸ジメチル (50mL)を加えて攪拌した。90分攪拌後、TMS化アセチレン (4.0mL, 28mmol)、シクロヘキシルカルボアルデヒド (3.37mL, 28.0mmol)、およびジベンジルアミン (5.42mL, 28.0mmol)を加えて攪拌した。21時間後、反応液を濃縮し、フラッシュシリカゲルカラムクロマトグラフィー（1％エーテル含有ヘキサン）で精製することにより、(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミン (9.7ｇ)を得た。収率は89％、光学収率は99％であった。
1H-NMR (300 MHz, CDCl3):δ= 7.41-7.40 (m, 4H), 7.39-7.31 (m, 4H), 7.29-7.20 (m, 2H), 3.79 (d, J=13.8, 2H), 3.35 (d, J=13.8, 2H), 3.02 (d, J=10.5, 1H), 2.29-2.25 (m, 1H), 2.00-1.96 (m, 1H), 1.70-1.51 (m, 4H), 1.24-1.04 (m, 3H), 0.81-0.67 (m, 2H), 0.25 (s, 9H)
13C-NMR (100MHz, CDCl3) δ= 139.6, 128.7, 128.0, 126.7, 103.5, 90.1, 58.7, 55.0, 39.7, 31.5, 30.5, 26.9, 26.4, 26.2, 0.83
【００６９】
実施例２
1Lの三口フラスコに臭化銅 (201mg, 1.4mmol)、(R,S)-N-PINAP (862mg, 1.54mmol)とモレキュラシーブス4Å (84g)を加え、アルゴンガス雰囲気下、炭酸ジメチル (100mL)を加えて攪拌した。90分攪拌後、TMS化アセチレン (19.8mL, 140mmol)、シクロヘキシルカルボアルデヒド (16.8mL, 140mmol)、およびジベンジルアミン (27.1mL, 140mmol)を加えて攪拌した。22時間後、反応液を濃縮し、フラッシュシリカゲルカラムクロマトグラフィー（1％エーテル含有ヘキサン）で精製することにより、(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミン (49.9ｇ)を白色固形物として得た。収率は91％、光学収率は99％であった。
【００７０】
実施例３
10mLの反応容器に臭化銅 (3.6mg, 0.025mmol)、(R,S)-N-PINAP (15mg, 0.0275mmol)とモレキュラシーブス4Å (300mg)を加え、アルゴンガス雰囲気下、炭酸ジメチル (1mL)を加えて攪拌した。90分攪拌後、TMS化アセチレン (71μL, 0.5mmol)、シクロヘキシルカルボアルデヒド (60μL, 0.5mmol)、およびジベンジルアミン (97μL, 0.5mmol)を加えて攪拌した。20時間後、反応液を濃縮し、フラッシュシリカゲルカラムクロマトグラフィー（1％エーテル含有ヘキサン）で精製することにより、(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミン (168mg)を白色固形物として得た。収率は95％、光学収率は99％であった。
【００７１】
実施例４
アニリン(4.6μL, 0.05mmol）をさらに添加したこと以外は、実施例３と同様の方法により反応を行った。反応時間15時間で(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミンの収率は91％、光学収率は99％であった。
【００７２】
実施例５
触媒調製後、直ちにTMS化アセチレン、シクロヘキシルカルボアルデヒドおよびジベンジルアミンを加えたこと以外は、実施例３と同様の方法により反応を行った。(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミンの収率は85％、光学収率は99％であった。
【００７３】
実施例６
モレキュラシーブスの代わりにアルミナ (300mg)を使用した以外は、実施例３と同様の方法により反応を行った。20時間後の(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミンの収率は86％、光学収率は99％であった。
【００７４】
実施例７
溶媒として炭酸ジメチルの代わりに炭酸ジエチル (2mL)を使用した以外は、実施例３と同様の方法により反応を行った（ただし、溶媒は触媒調製時 (1mL)と基質添加時 (1mL)に２分割して加えた）。(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミンの20時間後の収率は98％、光学収率は96％であった。
【００７５】
実施例８
溶媒として炭酸ジメチルの代わりに炭酸プロピレン (2mL)を使用した以外は、実施例３と同様の方法により反応を行った（ただし、溶媒は触媒調製時 (1mL)と基質添加時 (1mL)に２分割して加えた）。(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミンの20時間後の収率は92％、光学収率は91％であった。
【００７６】
比較例１
溶媒として炭酸ジメチルの代わりにトルエン(2mL)を使用した以外は、実施例３と同様の方法により反応を行った（ただし、溶媒は触媒調製時(1mL)と基質添加時(1mL)に２分割して加えた）。(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミンの48時間後での収率は74％で光学収率は98％であった。また、同条件での120時間後での収率は90％で光学収率は98％であった。
【００７７】
実施例９
溶媒として炭酸プロピレン(100μL)をさらに加えたこと以外は、比較例１と同様の方法により反応を行った。(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミンの16時間後での収率は99％で、光学収率は96％であった。
【００７８】
光学純度の測定法
実施例の方法で得られたシリル体（67mg, 172μmol）を乾燥テトラヒドロフラン(THF) (2mL)に溶解し、0℃に冷却した。トリブチルアンモニウムフルオリド1.0M THF溶液(0.1mL)を加えて15分攪拌後、水を加えた。エーテル (2mL)で3回抽出し、有機層を合一し、食塩水で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー（1％エーテル含有ヘキサンで溶出）で単離した(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-2-プロピン-1-アミンを光学カラムを用いてHPLC分析した。
カラム：キラルセルOD-H 流速：0.3mL/min、移動相：ヘキサン、波長：254nm、Rｆ25.3（minor）、28.5（major）
1H-NMR (300 MHz, CDCl3):δ= 7.45-7.43 (m, 4H), 7.37-7.32 (m, 4H), 7.29-7.25 (m, 2H), 3.86 (d, J=14.1, 2H), 3.42 (d, J=14.1, 2H), 3.08 (dd, J=10.8, 2.1, 1H), 2.38 (d, J=2.1, 1H), 2.39-2.30 (m, 2H), 2.08-2.01 (m, 1H), 1.78-1.62 (m, 4H), 1.30-1.05 (m, 3H), 0.92-0.70 (m, 2H)
13C-NMR (100MHz, CDCl3) δ= 139.6, 128.7, 128.1, 126.8, 81.0, 73.5, 57.7, 54.9, 39.6, 31.3, 30.3, 26.6, 26.2, 26.0
【００７９】
参考例 触媒の回収法
10mLの反応容器に臭化銅 (17.9mg, 0.125mmol)、(R,S)-N-PINAP (77.0mg, 0.138mmol)とモレキュラシーブス4Å（粉末1.5g）を加え、アルゴンガス雰囲気下、炭酸ジメチル2mLを加えて攪拌した。90分攪拌後、TMS化アセチレン(2.50mmol)、シクロヘキシルカルボアルデヒド (301μL, 2.50mmol)、およびジベンジルアミン (484μL, 2.50mmol)を加えて攪拌した。21時間後、ヘキサン (3mL)を反応液に加えた。析出する黄色沈殿物をろ別し、エーテル/ヘキサン（5mL, 1/1容量部）で2回洗浄した。無色のろ液は減圧下濃縮して淡黄色の(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミン (930mg)を得た（95％、NMRより）。反応液から析出した黄色沈殿物はジメチルホルムアミドに溶解し、ろ過した後、ろ液を減圧濃縮して黄色固形物 (104mg)を得た（理論量最大で95mg）。NMR、LCMSおよびMS分析によりPINAPの臭化銅錯体であることを確認した。
【００８０】
実施例１０
触媒として参考例で回収した触媒を使用した以外は、実施例３と同様の方法により反応を行なった。(R)-N,N-ジベンジル-1-シクロヘキシル-3-(トリメチルシリル)-2-プロピン-1-アミン (183mg)を得た。収率は94％、光学収率は97％であった。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明によれば、化合物（Ｉ）の光学活性体を不斉配位子として含有する不斉遷移金属錯体の存在下、化合物（ＩＩ）−（ＩＶ）から光学活性アミンである化合物（Ｖ）を製造する際、炭酸エステルを含む溶媒下で反応を行うことにより、反応時間を短縮でき、かつ、反応収率や光学収率が向上すること、さらに、炭酸エステルの使用量が比較的少なく反応溶液が高濃度でも、反応収率や光学収率が保持される。
したがって、本発明の製造方法は、医薬、農薬等の光学活性な合成中間体の工業的に有用な製造方法となり得る。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）：
【化１】
（式中、Ａ環は、存在しないかまたは置換基を有していてもよいベンゼン環を示し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよいフェニル基、シクロヘキシル基、２−フリル基または３−フリル基を示し、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基または置換基を有していてもよいアリール基を示し、Ｘは、−ＯＲ５または−ＮＨＲ６（式中、Ｒ５およびＲ６は置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示す。）で表される残基を示す。）
で表される化合物の光学活性体を不斉配位子として含有する不斉遷移金属錯体の存在下、一般式（ＩＩ）：Ｒ７ＣＨＯ（ＩＩ）（式中、Ｒ７は、置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよい低級アルケニル基、置換基を有していてもよい低級アルキニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示す。）で表される化合物、一般式（ＩＩＩ）：ＨＮＲ８Ｒ９（ＩＩＩ）（式中、Ｒ８およびＲ９はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよい低級アルケニル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示すか、あるいはＲ８とＲ９が隣接する窒素原子と一緒になって、置換基を有していてもよい含窒素複素環を形成してもよい。）で表される化合物、および一般式（ＩＶ）：ＨＣ≡ＣＲ１０（ＩＶ）（式中、Ｒ１０は、水素原子、置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、トリアルキルシリル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示す。）で表される化合物を、炭酸エステルを含む溶媒中で反応させることを特徴とする、一般式（Ｖ）：
【化２】
（式中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は上記と同義を示し、＊は不斉炭素を示す。）
で表される光学活性アミン化合物の製造方法。
【請求項２】
炭酸エステルが、炭素数３〜１０の炭酸エステルである、請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
炭酸エステルが、炭酸ジメチル、炭酸ジエチルおよび炭酸プロピレンから選ばれる、請求項１記載の製造方法。
【請求項４】
反応が炭酸エステル中で行われ、かつ当該炭酸エステルが、化合物（ＩＩ）に対して０．５〜３０倍重量使用される、請求項１記載の製造方法。
【請求項５】
反応が、トルエン、１，２−ジメトキシエタンおよびジクロルメタンから選ばれる溶媒と炭酸エステルとの混合溶媒中で行われ、かつ当該炭酸エステルが、化合物（ＩＩ）に対して０．１〜５倍重量使用される、請求項１記載の製造方法。
【請求項６】
不斉遷移金属錯体が、化合物（ＩＩ）１モルに対して０．１〜１０モル％使用される、請求項１記載の製造方法。
【請求項７】
反応が０〜５０℃の範囲内で行われる、請求項１記載の製造方法。
【請求項８】
反応が、３級アミンおよび芳香族アミンから選ばれる塩基の存在下で行われる、請求項１記載の製造方法。
【請求項９】
塩基が、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミンおよびアニリンから選ばれる、請求項８記載の製造方法。
【請求項１０】
反応が乾燥剤の存在下で行われる、請求項１記載の製造方法。
【請求項１１】
乾燥剤が、アルミナおよびモレキュラシーブスから選ばれる、請求項１０記載の製造方法。
【請求項１２】
Ｒ１およびＲ２が共にフェニル基である、請求項１記載の製造方法。
【請求項１３】
Ｒ３およびＲ４が共に水素原子である、請求項１記載の製造方法。
【請求項１４】
Ｒ５またはＲ６が不斉中心を有する残基である、請求項１記載の製造方法。
【請求項１５】
Ｒ５またはＲ６が１−フェニルエチル基である、請求項１記載の製造方法。
【請求項１６】
Ｒ５またはＲ６がキラルな１−フェニルエチル基である、請求項１記載の製造方法。
【請求項１７】
不斉遷移金属錯体中の遷移金属が、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、ＣｕおよびＡｇから選ばれる金属である、請求項１記載の製造方法。
【請求項１８】
不斉遷移金属錯体中の遷移金属がＣｕである、請求項１記載の製造方法。
【請求項１９】
不斉遷移金属錯体が、一般式（Ｉ）で表される化合物の光学活性体と遷移金属塩またはその錯体とを反応させることにより調製されたものである、請求項１記載の製造方法。
【請求項２０】
不斉遷移金属錯体が、一般式（Ｉ）で表される化合物の光学活性体とＣｕＸ１（式中、Ｘ１はハロゲン原子、ＢＦ４、アセトキシ、ＳｂＦ６、ＰＦ６およびＯＳＯ２ＣＦ３から選ばれる対イオンを示す。）とを反応させることにより調製されたものである、請求項１記載の製造方法。
【請求項２１】
Ｒ８とＲ９が隣接する窒素原子と一緒になって４−ピペリジノンを形成する、請求項１記載の製造方法。
【請求項１】
一般式（Ｉ）：
【化１】
（式中、Ａ環は、存在しないかまたは置換基を有していてもよいベンゼン環を示し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよいフェニル基、シクロヘキシル基、２−フリル基または３−フリル基を示し、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基または置換基を有していてもよいアリール基を示し、Ｘは、−ＯＲ５または−ＮＨＲ６（式中、Ｒ５およびＲ６は置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示す。）で表される残基を示す。）
で表される化合物の光学活性体を不斉配位子として含有する不斉遷移金属錯体の存在下、一般式（ＩＩ）：Ｒ７ＣＨＯ（ＩＩ）（式中、Ｒ７は、置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよい低級アルケニル基、置換基を有していてもよい低級アルキニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示す。）で表される化合物、一般式（ＩＩＩ）：ＨＮＲ８Ｒ９（ＩＩＩ）（式中、Ｒ８およびＲ９はそれぞれ独立して、置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよい低級アルケニル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示すか、あるいはＲ８とＲ９が隣接する窒素原子と一緒になって、置換基を有していてもよい含窒素複素環を形成してもよい。）で表される化合物、および一般式（ＩＶ）：ＨＣ≡ＣＲ１０（ＩＶ）（式中、Ｒ１０は、水素原子、置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、トリアルキルシリル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示す。）で表される化合物を、炭酸エステルを含む溶媒中で反応させることを特徴とする、一般式（Ｖ）：
【化２】
（式中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は上記と同義を示し、＊は不斉炭素を示す。）
で表される光学活性アミン化合物の製造方法。
【請求項２】
炭酸エステルが、炭素数３〜１０の炭酸エステルである、請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
炭酸エステルが、炭酸ジメチル、炭酸ジエチルおよび炭酸プロピレンから選ばれる、請求項１記載の製造方法。
【請求項４】
反応が炭酸エステル中で行われ、かつ当該炭酸エステルが、化合物（ＩＩ）に対して０．５〜３０倍重量使用される、請求項１記載の製造方法。
【請求項５】
反応が、トルエン、１，２−ジメトキシエタンおよびジクロルメタンから選ばれる溶媒と炭酸エステルとの混合溶媒中で行われ、かつ当該炭酸エステルが、化合物（ＩＩ）に対して０．１〜５倍重量使用される、請求項１記載の製造方法。
【請求項６】
不斉遷移金属錯体が、化合物（ＩＩ）１モルに対して０．１〜１０モル％使用される、請求項１記載の製造方法。
【請求項７】
反応が０〜５０℃の範囲内で行われる、請求項１記載の製造方法。
【請求項８】
反応が、３級アミンおよび芳香族アミンから選ばれる塩基の存在下で行われる、請求項１記載の製造方法。
【請求項９】
塩基が、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミンおよびアニリンから選ばれる、請求項８記載の製造方法。
【請求項１０】
反応が乾燥剤の存在下で行われる、請求項１記載の製造方法。
【請求項１１】
乾燥剤が、アルミナおよびモレキュラシーブスから選ばれる、請求項１０記載の製造方法。
【請求項１２】
Ｒ１およびＲ２が共にフェニル基である、請求項１記載の製造方法。
【請求項１３】
Ｒ３およびＲ４が共に水素原子である、請求項１記載の製造方法。
【請求項１４】
Ｒ５またはＲ６が不斉中心を有する残基である、請求項１記載の製造方法。
【請求項１５】
Ｒ５またはＲ６が１−フェニルエチル基である、請求項１記載の製造方法。
【請求項１６】
Ｒ５またはＲ６がキラルな１−フェニルエチル基である、請求項１記載の製造方法。
【請求項１７】
不斉遷移金属錯体中の遷移金属が、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、ＣｕおよびＡｇから選ばれる金属である、請求項１記載の製造方法。
【請求項１８】
不斉遷移金属錯体中の遷移金属がＣｕである、請求項１記載の製造方法。
【請求項１９】
不斉遷移金属錯体が、一般式（Ｉ）で表される化合物の光学活性体と遷移金属塩またはその錯体とを反応させることにより調製されたものである、請求項１記載の製造方法。
【請求項２０】
不斉遷移金属錯体が、一般式（Ｉ）で表される化合物の光学活性体とＣｕＸ１（式中、Ｘ１はハロゲン原子、ＢＦ４、アセトキシ、ＳｂＦ６、ＰＦ６およびＯＳＯ２ＣＦ３から選ばれる対イオンを示す。）とを反応させることにより調製されたものである、請求項１記載の製造方法。
【請求項２１】
Ｒ８とＲ９が隣接する窒素原子と一緒になって４−ピペリジノンを形成する、請求項１記載の製造方法。
【公開番号】特開２０１０−３０９９２（Ｐ２０１０−３０９９２Ａ）
【公開日】平成２２年２月１２日（２０１０．２．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１４６７７２（Ｐ２００９−１４６７７２）
【出願日】平成２１年６月１９日（２００９．６．１９）
【出願人】（５０２０７９８０１）
【氏名又は名称原語表記】ＥＲＩＣＫ Ｍ． ＣＡＲＲＥＩＲＡ
【住所又は居所原語表記】ＬＡＢＯＲＡＴＯＲＹ ＯＦ ＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ ＥＴＨ ＨＯＥＮＧＧＥＲＢＥＲＧ， ＺＵＥＲＩＣＨ， ＳＷＩＴＺＥＲＬＡＮＤ
【出願人】（０００００２０９３）住友化学株式会社 (8,981)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年２月１２日（２０１０．２．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年６月１９日（２００９．６．１９）
【出願人】（５０２０７９８０１）
【氏名又は名称原語表記】ＥＲＩＣＫ Ｍ． ＣＡＲＲＥＩＲＡ
【住所又は居所原語表記】ＬＡＢＯＲＡＴＯＲＹ ＯＦ ＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ ＥＴＨ ＨＯＥＮＧＧＥＲＢＥＲＧ， ＺＵＥＲＩＣＨ， ＳＷＩＴＺＥＲＬＡＮＤ
【出願人】（０００００２０９３）住友化学株式会社 (8,981)
【Ｆターム（参考）】
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