光送信装置、光送受信装置、制御方法および制御プログラム
【課題】良好な光出力特性の光送信装置、光送受信装置、制御方法および制御プログラムを提供。
【解決手段】ＬＤ２２で発したレーザ光をＥＡ変調器２２が変調する光送信器１６に対し制御回路１４は、ケース温度(TC)が予め設定した低温側基準温度（T_cool）および高温側基準温度（T_heat）の範囲内にある場合、ＥＡ変調器２２への加熱・冷却を停止し、ＥＡ変調器２２へのバイアス電圧をメモリ回路４４に記録したテーブル情報に基づいて変調器温度に対応するバイアス電圧に設定し、ケース温度が低温側基準温度以下の場合、ＥＡ変調器２２を加熱するとともに低温側基準温度に対応するバイアス電圧を設定し、ケース温度が高温側基準温度以上の場合、ＥＡ変調器２２を冷却するとともに高温側基準温度に対応するバイアス電圧を設定する構成。
【解決手段】ＬＤ２２で発したレーザ光をＥＡ変調器２２が変調する光送信器１６に対し制御回路１４は、ケース温度(TC)が予め設定した低温側基準温度（T_cool）および高温側基準温度（T_heat）の範囲内にある場合、ＥＡ変調器２２への加熱・冷却を停止し、ＥＡ変調器２２へのバイアス電圧をメモリ回路４４に記録したテーブル情報に基づいて変調器温度に対応するバイアス電圧に設定し、ケース温度が低温側基準温度以下の場合、ＥＡ変調器２２を加熱するとともに低温側基準温度に対応するバイアス電圧を設定し、ケース温度が高温側基準温度以上の場合、ＥＡ変調器２２を冷却するとともに高温側基準温度に対応するバイアス電圧を設定する構成。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光送信装置、光送受信装置、制御方法および制御プログラムに係り、とくに、送信データを光信号に変換して出力する光送信装置、光送受信装置、制御方法および制御プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、大容量の情報を高速に伝送する光通信網に接続し、光通信網に接続された他の通信機器と相互に光通信を行う光送受信装置が普及している。光送受信装置には、ホスト側装置から出力される主信号データを光信号に変換し、光ファイバを介して光通信網側の通信機器へ送信する送信側回路が備えられている。
【０００３】
上記の送信側回路は、レーザ光を発生する光源として、たとえば、レーザダイオードと、発生したレーザ光を変調する電界吸収型（EA：Electric Absorption）光変調器とを備えて、これらの集積化および消費電力の削減などが求められている。
【０００４】
このような状況で、たとえば、可変波長光源とＥＡ（電界吸収型）変調器と熱電クーラとを備えた光送信装置が特許文献１に提案されている。その光送信装置は、制御部からＥＡ変調器にＥＡバイアスを入力し、ＥＡバイアスに応じた変調特性によって波長可変光源から出力された光を変調する構成であった。また、この制御部は、ＥＡ変調器の温度を示すＥＡ温度情報が目的の温度となるように、熱電クーラ（Thermo Electric Cooler）の温度を制御するものであった。
【０００５】
また、レーザダイオードの温度をサーミスタで検出し、外気温が低い場合には最適な温度になるように発熱体の発熱量を大きくし、最適温度の場合にその発熱量を小さくする電界吸収型変調器付レーザダイオードが特許文献２に開示されている。この電界吸収型変調器付レーザダイオードでは、電子冷却素子を使用せずに、レーザダイオードの温度を制御するものであった。
【０００６】
また、ＴＥＣ（Thermo Electric Cooler）、ＰＤ（フォトダイオード）、温度検出素子（サーミスタ）およびＬＤチップなどをパッケージに収容した半導体レーザモジュール（ＬＤモジュール）の温度制御装置が特許文献３に開示されている。この温度制御装置では、外気温度Ｔａが半導体レーザの保証温度範囲内であれば、ＬＤチップの温度制御を行わず、ＴＥＣにペルチェ電流を流さない構成であった。
【０００７】
また、ＥＡ変調器集積ＤＦＢ（Distributed Feedback：分布帰還）レーザ（ＥＡ−ＤＦＢレーザ）を作製する材料として、インジウム・ガリウム・アルミニウムヒ素系半導体材料（Ａｌ系材料）を用いることで、アンクールド動作（無温調）でも広い温度範囲の特性改善をしたことが非特許文献１に記載されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−８１５１２号公報
【特許文献２】特開２００４−２９６９８８号公報
【特許文献３】特開平１１−１２６９３９号公報
【非特許文献１】ＮＴＴフォトニクス研究所、小林亘 他、「低消費電力１．５５μｍＥＡＤＦＢレーザ」、ＮＴＴ技術ジャーナル、２０１０年１１月号（Vol.22 No.11）、第６９頁〜第７３頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記特許文献１における光送信装置は、ＦＩＴ（Failure In Time）数と消費電力とＥＡ温度とに基づいてしきい値（ＥＡ温度の値）を決定し、ＥＡ変調器の温度と波長とを入力情報として温度制御電流の制御を行うものであり、Ｔａ＜Ｔｎ＜Ｔｂ（上限温度Ｔａ、目標温度Ｔｎ、下限温度Ｔｂ）の範囲で温度制御電流を制御するようになっているので電力を消費するものであった。
【００１０】
また、上記特許文献２では、レーザダイオードの温度を予め定められた規定温度範囲内になるようにする発熱体を搭載した技術が開示されているが、発熱体の発熱量を制御するものであった。
【００１１】
さらに、上記特許文献３では、半導体レーザモジュール（ＬＤチップ）の温度によって抵抗値が変化するサーミスタを備え、そのＬＤチップ温度に応じてＬＤチップに対する温度制御を行い、ＬＤチップの温度を一定の範囲（保証範囲）にする旨の開示があるものの、その保証範囲の温度変化ではＬＤチップの出力特性が変化するものであった。
〔発明の目的〕
本発明は、このような関連技術の有する課題を解決するためになされたもので、出力する光信号の良好な光出力特性を得る光送信装置、光送受信装置、制御方法および制御プログラムを提供することを、その目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明に係る光送信装置は、レーザ光を発する光源と、レーザ光を変調する変調器と、変調器の変調器温度を検出する変調器温度検出素子と、変調器を加熱する機能および冷却する機能を有して温度制御する温度制御素子とを含む光送信部を有し、光送信部の各部の動作を制御する主制御部と、変調器用のバイアス電圧を設定するために予め作成したテーブル情報を記録するメモリ部と、光送信部、主制御部およびメモリ部を収容する筐体を設けると共に当該筐体の筐体温度を検出する筐体温度検出素子とを備え、主制御部は、筐体温度が予め設定された低温側基準温度および高温側基準温度の範囲内にある場合に機能し、変調器に対する温度制御素子の加熱および冷却に係る各制御動作を停止する機能と、筐体温度が低温側基準温度以下にある場合に機能し、温度制御素子を加熱制御するとともに、低温側基準温度に対応するバイアス電圧をテーブル情報に基づいて変調器に設定する機能と、筐体温度が高温側基準温度以上にある場合に機能し、温度制御素子を冷却制御するとともに、高温側基準温度に対応するバイアス電圧をテーブル情報に基づいて変調器に設定する機能とを備えていることを特徴とする。
【００１３】
また、上記目的を達成するため、本発明に係る光通信装置用動作制御方法は、レーザ光を発する光源と、レーザ光を変調する変調器と、変調器の変調器温度を検出する変調器温度検出素子と、変調器を加熱する機能および冷却する機能を有して温度制御する温度制御素子とを含む光送信部を有し、光送信部の各部の動作を制御する主制御部と、変調器用のバイアス電圧を設定するために予め作成したテーブル情報を記録するメモリ部と、光送信部、主制御部およびメモリ部を収容する筐体を設けると共に当該筐体の筐体温度を検出する筐体温度検出素子とを備えて成る光送信装置にあって、筐体温度検出素子により検出される筐体温度が予め設定された低温側基準温度および高温側基準温度の範囲内にある場合に（温度判定工程）、変調器に対する温度制御素子の加熱および冷却に係る各制御動作を停止し（加熱冷却停止工程）、筐体温度が低温側基準温度以下にある場合に（低温側基準温度以下判定工程）、変調器温度が低温側基準温度になるように温度制御素子を加熱制御する（加熱制御工程）と共に低温側基準温度に対応するバイアス電圧をテーブル情報に基づいて変調器に設定し（低温側バイアス設定工程）、筐体温度が高温側基準温度以上にある場合に（高温側基準温度以上判定工程）、変調器温度が高温側基準温度になるように温度制御素子を冷却制御する（冷却制御工程）と共に高温側基準温度に対応するバイアス電圧をテーブル情報に基づいて変調器に設定し（高温側バイアス設定工程）、これらの各設定制御動作を主制御部が順次実行することを特徴とする。
【００１４】
また、上記目的を達成するため、本発明に係る光送信装置用動作制御プログラムは、レーザ光を発する光源と、レーザ光を変調する変調器と、変調器の変調器温度を検出する変調器温度検出素子と、変調器を加熱する機能および冷却する機能を有して温度制御する温度制御素子とを含む光送信部を有し、光送信部の各部の動作を制御する主制御部と、変調器用のバイアス電圧を設定するために予め作成したテーブル情報を記録するメモリ部と、光送信部、主制御部およびメモリ部を収容する筐体を設けると共に当該筐体の筐体温度を検出する筐体温度検出素子とを備えて成る光送信装置にあって、筐体温度検出素子により検出される筐体温度が予め設定された低温側基準温度および高温側基準温度の温度範囲内にあることを判定する温度範囲内判定機能、筐体温度が温度範囲内の場合に機能し変調器に対する温度制御素子の加熱および冷却に係る各制御動作を停止する加熱冷却停止制御機能、筐体温度が低温側基準温度以下にあることを判定する低温側基準温度以下判定機能、筐体温度が低温側基準温度以下である場合に機能し温度制御素子を加熱制御する低温側基準温度以下加熱機能、筐体温度が低温側基準温度以下である場合に機能し低温側基準温度に対応するバイアス電圧をテーブル情報に基づいて変調器に設定する低温側バイアス設定機能、筐体温度が高温側基準温度以上にあることを判定する高温側基準温度以上判定機能と、筐体温度が前記高温側基準温度以上にある場合に機能し温度制御素子を冷却制御する高温側基準温度以上冷却機能、および筐体温度が高温側基準温度以上にある場合に機能し高温側基準温度に対応するバイアス電圧をテーブル情報に基づいて変調器に設定する高温側バイアス設定機能を設け、これらの機能を主制御部が備えているコンピュータに実現させるようにしたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は以上のように構成したので、予め設定する温度範囲を広くとり、その設定した温度範囲内での電力消費を低減し、予め設定した消光比の光出力を広い温度範囲にて得ることができる。
【００１６】
したがって、出力する光信号の良好な光出力特性を得ることができるという優れた光送信装置、光送受信装置、制御方法および制御プログラムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明が適用された実施形態における送受信装置の構成例を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施形態における制御回路の構成例を示す機能構成図である。
【図３】実施形態におけるケース温度（ＴＣ）とＥＡ変調器の温度（ＴＥＡ）との関係を示すグラフである。
【図４】実施形態におけるＥＡ変調器の温度（ＴＥＡ）と消光比（ＥＲ）との関係を示すグラフである。
【図５】実施形態におけるＥＡ変調器のＥＡバイアス電圧と消光比（ＥＲ）との関係を示すグラフである。
【図６】図１に示すメモリ回路に記録したテーブル情報を示す図である。
【図７】図１に示す制御回路に一時格納したテーブル情報と使用する設定値（バイアス電圧）とを示す図である。
【図８】実施形態におけるテーブル情報の作成処理の手順を示すフローチャートである。
【図９】実施形態における温度制御処理および光出力制御処理の手順を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明に係る光送信装置を含む光送受信装置の一実施形態を、図１ないし図７を参照して説明する。
【００１９】
（光送受信装置の構成）
図１において、光送受信装置１０は、他の光通信装置から伝送される光信号を光ファイバＡを介して光受信器（光受信装置）１２にて受信して電気信号に変換し、変換した受信信号データを制御回路１４の出力Ｂから出力し、別の接続機器から制御回路１４に与えられる入力データＣを光送信器（光送信装置）１６にて光信号とし、光信号を光送信器１６から光ファイバＤに送出する送受信機能を有する光トランシーバである。
【００２０】
実施形態における光送信器１６は、とくに制御回路１４が行う温度制御と出力制御とによって良好な出力特性にて動作可能に構成されている。
【００２１】
詳しくは光送信器１６は、レーザダイオード（LD： Laser Diode）２０にて発生したレーザ光をＥＡ（Electro Absorption：電界吸収型）変調器２２を通して光変調して、光ファイバＤに送出する。光送信器１６には、さらに、ＥＡ変調器２２の近傍に備えられ、ＥＡ変調器２２の温度を調節するための熱電クーラ（TEC： Thermo Electric Cooler）２４と、ＥＡ変調器２２の近傍に備えられ、その温度を検出するための変調器温度検出素子２６と、レーザダイオード（ＬＤ）２０のレーザ光を受光し、その光強度を検出するための光強度検出素子２８とが共通の基台に備えられている。
【００２２】
レーザダイオード（ＬＤ）２０は、ＬＤ駆動回路３０から与えられる順方向の駆動電流に応じてレーザ光を発生する光源である。ＬＤ駆動回路３０は、接続線Ｅを介して制御回路１４に接続され、制御回路１４の制御に基づいて駆動電流を生成する。
【００２３】
ＥＡ変調器２２は、ＥＡバイアス発生回路３２から逆バイアスで印加されるＥＡバイアス電圧に応じて動作点が設定され、レーザダイオード２０から発したレーザ光の吸収率を主信号データに基づいて変化させてレーザ光を強度変調する。主信号データは制御回路１４から接続線Ｆを介してＥＡ変調器２２に入力され、このＥＡ変調器２２は、ＥＡバイアス電圧とＥＡ変調器２２の温度（ＥＡ変調器温度）とに応じた消光比の変調光を出力する。また、ＥＡバイアス発生回路３２は、接続線Ｇを介して制御回路１４に接続され、制御回路１４の制御に基づいてＥＡバイアス電圧をＥＡ変調器２２に印加する。
【００２４】
熱電クーラ（ＴＥＣ）２４は、ＴＥＣ駆動回路３４から供給される駆動電流の極性に応じて放熱および吸熱を行って、ＥＡ変調器２２を加熱および冷却する温度制御素子であり、たとえば、放熱および吸熱の切り替えが可能なペルチェ素子が適用される。熱電クーラ２４は、ＥＡ変調器２２の近傍に温度伝達可能に備えられ、ＥＡ変調器２２のＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）を調節するように構成されている。ＴＥＣ駆動回路３４は、接続線Ｈを介して制御回路１４に接続され、制御回路１４の制御に基づいて駆動電流を生成する。
【００２５】
変調器温度検出素子２６は、上記ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）を検出するようにＥＡ変調器２２の近傍に温度検出可能に備えられ、たとえば、温度に応じた抵抗値変化を示すサーミスタ素子が適用される。変調器温度検出素子２６は、接続線を介して変調器温度モニタ回路３６に接続されている。変調器温度モニタ回路３６は、変調器温度検出素子２６の抵抗変化に基づいてＥＡ変調器温度を監視し、その監視結果を表すデータを接続線Ｉを介して制御回路１４に出力する。
【００２６】
光強度検出素子２８は、レーザダイオード２０から発したレーザ光の一部をＥＡ変調器２２を介して受光し、その受光量に応じたレベルの信号を生成する検出素子であり、たとえばフォトダイオードが適用される。光強度検出素子２８の出力は、光出力強度モニタ回路３８に接続されて、光出力強度モニタ回路３８は、光強度検出素子２８の出力からレーザ光の光強度を監視する。光出力強度検出回路３８は、その監視の結果得られる光強度データを接続線Ｊを介して制御回路１４に出力する。
【００２７】
光送受信装置１０には、本装置の筐体内温度、すなわちケース温度（ＴＣ）を検出するケース温度検出素子４０が備えられ、ケース温度検出素子４０は、たとえば、温度に応じて抵抗値変化を示すサーミスタ素子が適用される。ケース温度検出素子４０は、接続線を介してケース温度モニタ回路４２に接続され、ケース温度モニタ回路４２は、温度を測定し、その測定結果を表すデータを接続線Ｋを介して制御回路１４に出力する。
【００２８】
制御回路１４は、光送信器１６および光受信器１２における光信号の送信／受信をそれぞれ制御する送受信制御機能と、光送信器１６内の温度を予め設定した範囲に制御する温度制御機能と、光送信器１６から出力する光信号を安定させる出力制御機能とを含み、本送受信装置１０全体の動作を制御する主制御部である。制御回路１４は、接続線Lを介して接続されたメモリ回路４４に記録されるテーブル情報に基づいて、温度制御と出力制御とを実行する。制御回路１４には、これら制御処理を行うための中央処理プロセッサ、制御プログラムやデータを格納するＲＯＭ、ＲＡＭなどの記憶回路が備えられている。
【００２９】
制御回路１４は、テーブル情報を高速に読み書きするために、温度制御および出力制御に必要なテーブル情報を予めメモリ回路４４から読み出して一時的に格納する内部メモリ４６を有している。また、制御回路１４は、メモリ回路４４に記録しておくテーブル情報を作成するテーブル情報作成処理機能を有している。メモリ回路４４は、たとえば電気的に書き換え可能なＥＥＰＲＯＭやフラッシュメモリなどの記憶回路が有利に適用される。
【００３０】
ここで制御回路１４の機能構成を図２に示した機能構成図を参照して詳細に説明する。図示するように制御回路１４は、主として温度制御に関係する構成として、接続線Ｋを介してケース温度モニタ回路４２に接続されたケース温度測定処理部５０と、接続線Ｉを介して変調器温度モニタ回路３６に接続された変調器温度測定処理部５２とを有している。
【００３１】
また、温度制御に関係する構成として制御回路１４は、高温側基準温度を設定する高温側基準温度設定処理部５４および低温側基準温度を設定する低温側基準温度設定処理部５６にそれぞれ接続され、高温側基準温度および低温側基準温度のそれぞれをケース温度と比較するケース温度比較処理部５８と、ケース温度比較処理部５８に接続され、ケース温度の比較結果に基づいて、高温側基準温度、低温側基準温度およびケース温度の大小関係を判定する温度判定処理部６０とを有している。
【００３２】
さらに、温度制御に関係する構成として制御回路１４は、温度判定処理部６０に接続された温度制御判断処理部６２と、この温度制御判断処理部６２に接続されたＴＥＣ駆動制御部６４と、高温側基準温度設定処理部５４、低温側基準温度設定処理部５６および変調器温度測定処理部５２にそれぞれ接続された停止判定処理部６６とを有している。
【００３３】
詳しくは、ケース温度測定処理部５０は、ケース温度モニタ回路４２にて測定した測定結果を示すデータを入力し、これをケース温度（ＴＣ）として保持する処理部である。このケース温度の温度測定は、予め設定されたタイミング毎に継続して繰り返し、ケース温度モニタ回路４２の監視結果が変化すると、その変化した値に保持値を更新する。
【００３４】
変調器温度測定処理部５２は、変調器温度モニタ回路３６の監視結果を示すデータを入力し、これをＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）として保持する処理部である。このＥＡ変調器温度の温度測定は、予め設定されたタイミング毎に継続して繰り返し、変調器温度モニタ回路３６の監視結果が変化すると、その変化した値に保持値を更新する。
【００３５】
高温側基準温度設定処理部５４は、ケース温度（ＴＣ）の高温側基準温度(T_heat)を示す値を保持し、必要に応じて各機能部に設定する処理部であり、また、低温側基準温度設定処理部５６は、ケース温度（ＴＣ）の低温側基準温度(T_cool)を示す値を保持し、必要に応じて各機能部に設定する処理部である。これらの高温側基準温度(T_heat)および高温側基準温度(T_heat)は、メモリ回路４４（図１）に保存されてもよく、その場合は、高温側基準温度設定処理部５４および低温側基準温度設定処理部５６のそれぞれは、メモリ回路４４から各基準温度の値を読み出して、これを保持するようにしてもよい。
【００３６】
ケース温度比較処理部５８は、ケース温度（ＴＣ）と、高温側基準温度(T_heat)および低温側基準温度(T_cool)とをそれぞれ比較する処理部であり、その比較の結果を温度判定処理部６０に送る。
【００３７】
温度判定処理部６０は、ケース温度比較処理部５８の比較結果に基づいて、ケース温度が高温側基準温度以上（ＴＣ≧T_heat）であるか否かを判定し、また、ケース温度が低温側基準温度以下（ＴＣ≦T_cool）であるか否かを判定し、さらに、ケース温度が、高温側基準温度未満（ＴＣ＜T_heat）かつ低温側基準温度を超えている（ＴＣ＞T_cool）か否かを判定する。温度判定処理部６０は、その判定の結果を温度制御判断処理部６２に送る。
【００３８】
温度制御判断処理部６２は、温度判定処理部６０の判定の結果に基づいて、熱電クーラ２４（図１）を冷却する、加熱する、および冷却・加熱をともに行わないのいずれかに制御するかを決定する処理部である。
【００３９】
具体的には温度制御判断処理部６２は、温度判定処理部６０が、ケース温度が高温側基準温度以上（ＴＣ≧T_heat）であるとの判定結果を示した場合に、熱電クーラ２４を冷却する制御を行うことを決定をする。また、温度制御判断処理部６２は、温度判定処理部６０が、ケース温度が低温側基準温度以下（ＴＣ≦T_cool）であるとの判定結果を示した場合に、熱電クーラ（ＴＥＣ）２４（図１）を加熱する制御を行うことを決定をする。さらに、温度制御判断処理部６２は、温度判定処理部６０が、ケース温度が、高温側基準温度未満（ＴＣ＜T_heat）かつ低温側基準温度を超えている（ＴＣ＞T_cool）との判定結果を示した場合に、熱電クーラ２４（図１）に対して冷却および加熱を行わないことを決定する。
【００４０】
温度制御判断処理部６２のこれらの決定の情報は、ＴＥＣ駆動制御部６４に送られて、ＴＥＣ駆動制御部６４は、温度制御判断処理部６２の決定に応じた制御信号を出力する。ＴＥＣ駆動制御部６４の出力は、制御回路１４の出力を構成し接続線Ｈを介して図１に示したＴＥＣ駆動回路３４に接続されている。ＴＥＣ駆動回路３４は、冷却の場合と加熱の場合とでは逆極性の駆動電流を熱電クーラ２４に供給することで、熱電クーラ２４の冷却（吸熱）および加熱（放熱）を切り替える。ＴＥＣ駆動回路３４は、冷却および加熱の両方とも行わない場合には電流供給を停止する。
【００４１】
ここで、図３を参照すると、制御回路１４の制御を受けた光送信器１６におけるケース温度ＴＣと、ＥＡ変調器温度との関係が示されている。同図では横軸にケース温度（ＴＣ）、縦軸にＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）を表している。図示するように、ケース温度が低温側基準温度以下（ＴＣ≦T_cool）の範囲３００では、温度制御判断処理部６２の決定に応じた制御を受けて、ＴＥＣ駆動回路３４は熱電クーラ２４を放熱させて、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）の低下を防止するので、その温度が維持される。
【００４２】
また、ケース温度が高温側基準温度以上（ＴＣ≧T_heat）の範囲３０２では、温度制御判断処理部６２の制御を受けて、ＴＥＣ駆動回路３４は熱電クーラ２４を吸熱させて、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）の上昇を防止するので、その温度が維持される。このような温度制御を実行することで、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）をＥＡ変調器２２（図１）の動作範囲内に納めることができるとともに、より広範囲のケース温度の環境にて使用することが可能となっている。
【００４３】
さらに高温側基準温度未満（ＴＣ＜T_heat）かつ低温側基準温度を超えている（ＴＣ＞T_cool）の範囲３０４では、温度制御判断処理部６２は、熱電クーラ（ＴＥＣ）２４（図１）に対して冷却および加熱を行わないことを決定するので、放熱および吸熱が行われていればそれが停止される。したがってこの範囲３０４では、熱電クーラ２４を駆動することによる電力消費をなくすることができる。この場合、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）は、ケース温度の変化に伴って変化する。その際に後述するＥＡバイアス電圧設定処理機能によって出力制御が適切に行われることで、ＥＡ変調器２２の出力特性が良好に得られる。
【００４４】
図２に戻って、停止判定処理部６６は、熱電クーラ２４に対して冷却制御および加熱制御が行われている場合に、変調器温度測定処理部５２にて得られるＥＡ変調器温度に応じてそれらを停止（オフ）させるための処理部である。変調器温度測定処理部５２は、変調器温度モニタ回路３６の出力が接続線Ｉを介して接続されて、変調器温度検出素子２６（図１）の温度を監視した結果を表すデータを入力し、これをＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）として保持する処理部である。このＥＡ変調器温度の温度測定は、予め設定されたタイミング毎に継続して繰り返し、変調器温度モニタ回路３６の監視結果が変化すると、その変更した値に保持値を更新する。停止判定処理部６６は、変調器温度測定処理部５２にて測定されたＥＡ変調器温度に基づいて、熱電クーラ２４に対する冷却制御および加熱制御を停止するか否かを判定する。停止判定処理部６６の出力は上述した温度制御判断処理部６２に接続されている。
【００４５】
また、制御回路１４は、主にＥＡ変調器２２に対するバイアス制御に関係する構成として、消光比設定処理部７０と、この消光比設定処理部７０に接続された設定値入力処理部７２と、この設定値入力処理部７２に接続された組合せ保存処理部７４と、この組合せ保存処理部７４に接続された設定値読出処理部７６と、この設定値読出処理部７６に接続された設定値選択処理部７８と、この設定値選択処理部７８に接続されたバイアス電圧設定処理部８０とを有している。
【００４６】
詳しくは、消光比設定処理部７０は、光送信器１６から出力されるレーザ光の消光比を予め設定する処理部である。この消光比とは、２値信号に対応する光出力強度の比である。後述するメモリ回路４４のテーブル情報には、設定される消光比に対応するテーブル情報が記録される。設定される消光比は１種類であってもよく、また、複数種類設定されるものでもよい。複数種類の消光比を設定する場合には、設定される消光比のそれぞれ対応するテーブル情報がメモリ回路４４に記録される。
【００４７】
設定値入力処理部７２は、消光比設定処理部７０が設定する消光比に応じたテーブル情報をメモリ回路４４から読み出して入力する処理部である。
【００４８】
組合せ保存処理部７４は、設定値入力処理部７２が読み出したテーブル情報を予め設定された記憶領域に保存する処理部である。この記憶領域を図１に示す構成例では制御回路１４内の内部メモリ４６として表している。組合せ保存処理部７４は、図７に示すように、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）とＥＡバイアス電圧との組合せを内部メモリ４６に一時格納する。
【００４９】
図２に戻って、設定値読出処理部７６は、組合せ保存処理部７４が内部メモリ４６に保存したＥＡ変調器温度とＥＡバイアス電圧とのうち、設定値選択処理部７８にて選択される条件に対応する組合せをその記憶領域から読み出す処理部である。
【００５０】
具体的には、まず、設定値選択処理部７８は、温度判定処理部６０にて、ケース温度が高温側基準温度以上（ＴＣ≧T_heat）であると判定した場合に、現在のＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）の値に対応するＥＡバイアス電圧設定値を選択せず、高温側基準温度（T_heat）の値に対応するＥＡバイアス電圧設定値を選択する。また、設定値選択処理部７８は、温度判定処理部６０にて、ケース温度が低温側基準温度以下（ＴＣ≦T_cool）であると判定した場合に、現在のＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）の値に対応するＥＡバイアス電圧設定値を選択せず、低温側基準温度（T_cool）の値に対応するＥＡバイアス電圧設定値を選択する。さらに、設定値選択処理部７８は、温度判定処理部６０にて、ケース温度が、低温側基準温度を超え、かつ高温側基準温度未満（T_cool＜ＴＣ＜T_heat）と判定した場合に、現在のＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）の値に対応するＥＡバイアス電圧設定値を選択する。
【００５１】
設定値読出処理部７６は、設定値選択処理部７８が選択したＥＡバイアス電圧設定値を、内部メモリ４６から読み出し、読み出した値をバイアス電圧設定処理部８０に指示する処理部である。また、設定値読出処理部７６は、図７に示すように、読み出した値を現在使用するＥＡバイアス電圧として組合せ保存処理部７４に送って、組合せ保存処理部７４はこの現在使用するＥＡバイアス電圧値を内部メモリ４６に保存して更新する。
【００５２】
バイアス電圧設定処理部８０は、設定値読出処理部７６にて読み出されたＥＡバイアス電圧設定値を接続線Ｇを介して接続されたＥＡバイアス発生回路３２（図１）に出力する。図１に示すＥＡバイアス発生回路３２は、ＥＡバイアス電圧設定値に応じたＥＡバイアス電圧を発生する回路であり、発生したＥＡバイアス電圧を光送信器１６内のＥＡ変調器２２に供給する。
【００５３】
図２に戻って、制御回路１４は、テーブル情報の作成に関係する構成として、接続線Ｊを介して光出力モニタ回路３８（図１）に接続された光強度検出処理部８２と、この光強度検出処理部８２に接続されたテーブル作成処理部８４とを有している。
【００５４】
光強度検出処理部８２は、光出力モニタ回路３８（図１）にて監視した光強度を検出し、検出した光強度をテーブル作成処理部８４と、ＬＤ出力制御部８６とにそれぞれ出力する処理部である。
【００５５】
テーブル作成処理部８４は、光送信器１６に対する温度制御と出力制御とを行うためのテーブル情報を作成する処理部である。
【００５６】
詳細には、テーブル作成処理部８４は、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）対消光比（ＥＲ）の特性曲線Ａを表す数値データ群を取得し、また、これら取得した数値データ群からＥＡバイアス電圧対消光比（ＥＲ）の特性曲線Ｂを作成する特性抽出処理機能を有する。この特性抽出処理が機能して作成したグラフをそれぞれ図４および図５に示す。
【００５７】
図４にはＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）対消光比（ＥＲ）の関係を表す特性曲線Aが描かれた特性グラフ４００が示されている。この特性グラフ４００は、横軸にＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）を表し、縦軸に消光比（ＥＲ）を表している。
【００５８】
ここで、曲線Ｖ１は、ＥＡバイアス電圧を-1.5 [V]に設定したときの特性であり、曲線Ｖ２は、ＥＡバイアス電圧を-2.0 [V]に設定したときの特性であり、曲線Ｖ３は、ＥＡバイアス電圧を-2.5 [V]に設定したときの特性である。また、図中の範囲４０２は、消光比ＥＲが-５ [dB]のときのＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）が、摂氏７度〜６４度の範囲であることを例として示している。特性グラフ４００では、図の煩雑化を避けるためにＥＡバイアス電圧Ｖ１〜Ｖ３のみの一部の特性曲線Ａ（V1〜V3）を示しているが、実際にはさらに他のＥＡバイアス電圧を設定して得られる他の特性曲線が詳細に得られている。また、近似補間処理を実行することにより、さらに他のＥＡバイアス電圧に対応する特性曲線が詳細に得られる。
【００５９】
また、図５には、ＥＡバイアス電圧対消光比（ＥＲ）の関係を表す特性グラフ５００が示されている。この特性グラフ５００は、横軸にＥＡバイアス電圧を表し、縦軸に消光比（ＥＲ）を表している。また、特性グラフ５００では、図の煩雑化を避けるためにＥＡ変調器温度T1〜T4のみの一部の特性曲線Ｂ（T1〜T4）を示しているが、上記と同様に他のＥＡ変調器温度で得られる他の特性曲線も詳細に得られていて、また、近似補間処理を実行することにより、さらに他のＥＡ変調器温度に対応する特性曲線が詳細に得られる。この特性曲線におけるＥＡ変調器温度T1〜T4は、大きい順にT1＞T2＞T3＞T4の大小関係となっている。また、レーザダイオード（ＬＤ）２０（図１）を駆動する駆動電流が一定の場合の特性である。また、ここでは、消光比（ＥＲ）が-５ [db]であるときにそれぞれ交わる特性曲線のＥＡ変調器温度T1〜T4の範囲内に、範囲５０２が含まれていることを例として示している。この場合、範囲５０２に対応するＥＡバイアス電圧が、-1.5 [V]〜-2.5 [V]であることが導き出せる。
【００６０】
テーブル作成処理部８４は、これら特性グラフ４００および５００の各数値データ群を使用して、図６に示すようなテーブル情報６００を複数の消光比毎に作成する処理機能を有し、作成したテーブル情報６００をメモリ回路４４に記録する。図６では、消光比ＥＲ１〜ＥＲ３についてそれぞれ、ＥＡ変調器温度ＴＥＡ（T1〜Tn）と、これに対応するＥＡバイアス電圧設定値（V1〜Vn）とを含むテーブル情報が示されている。
【００６１】
図４に示した特性グラフ４００を表す数値データ群を取得するための機能構成として、テーブル作成処理部８４は、ＥＡ変調器温度を変化させながら消光比を測定し、そのときの値を複数のＥＡバイアス電圧についてそれぞれサンプリングし取得する処理機能を有している。
【００６２】
また、テーブル作成処理部８４は、図５に示した特性グラフ５００を表す数値データ群を取得するための機能構成として、図４に示した特性グラフ４００の数値データ群を使用して図５に示す特性グラフ５００を作成する処理機能を有している。この特性グラフ５００を作成するための処理機能として、ＥＡバイアス電圧を変化させながら消光比を測定し、そのときの値を複数のＥＡ変調器温度についてそれぞれサンプリングし取得する機能を有してもよい。また、テーブル作成処理部８４は、上記特性グラフ４００を作成する際に、サンプル点以外の値を近似補間処理で生成し、より詳細な特性曲線を得る処理機能を有している。
【００６３】
テーブル作成処理部８４は、作成した特性グラフ４００および５００に基づいてテーブル情報を作成する際に、消光比を選択し、選択した消光比（ＥＲ）を条件として、ＥＡバイアス温度（ＴＥＡ）に対応するＥＡバイアス電圧を、特性グラフ４００の数値データに基づいて取得する処理機能を有している。
【００６４】
また、テーブル作成処理部８４は、設定した消光比（ＥＲ）で、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）の範囲内に収まるＥＡバイアス電圧とＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）との組合せを特性グラフ５００の数値データに基づいて確認し、その対応をテーブル情報６００に組み入れる処理機能を有している。さらに、テーブル作成処理部８４は、ＥＡバイアス電圧とＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）との対応をテーブル化して、メモリ回路４４に記録する処理機能を有している。
【００６５】
図２に戻って、制御回路１４は、レーザ光の出力強度を調節するための構成として、ＬＤ出力制御部８６を有する。ＬＤ出力制御部８６は、光出力強度検出処理部８２で検出した光強度に基づいて、レーザダイオード（ＬＤ）２０（図１）から出力されるレーザ光の強度を、予め設定された強度に調節するようにＬＤ駆動回路３０を制御する機能を有し、ＬＤ駆動回路３０は、この制御に応じてレーザダイオード２０を発光させる駆動電流を調節する。
【００６６】
（テーブル情報作成処理動作）
ここで、テーブル情報６００の作成処理の動作を図８を参照して説明する。まず、制御回路１４が、熱電クーラ２４をたとえば冷却から加熱の方向に制御してＥＡ変調器２２の温度を可変させる。この場合、十分な加熱および冷却を行うために、必要に応じてＥＡ変調器２２の設置環境温度を変化させたり、ＥＡ変調器２２の外部から強制的に冷却および加熱したりすることができる。
【００６７】
このようにＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）を変化させた状態にて、テーブル作成処理部８４は、複数のＥＡバイアス電圧をＥＡ変調器２２に供給し、それぞれのＥＡ変調器温度時における消光比（ＥＲ）を測定する。こうしてＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）対消光比（ＥＲ）の特性曲線Ａを示す値が複数のＥＡバイアス電圧についてそれぞれ取得される（図８：ステップＳ８００）。
【００６８】
特性曲線Ａを示す値が取得されると、サンプル点の値を使用して近似補間処理し、サンプル点以外の値をさらに算出する（図８：ステップＳ８０１）。こうして複数のＥＡバイアス電圧毎の特性曲線Ａ（図４）が得られる。
【００６９】
次に、テーブル作成処理部８４は、特性曲線Ａを表す値からＥＡバイアス電圧対消光比（ＥＲ）の特性曲線Ｂを作成する。こうして複数のＥＡ変調器温度についての特性曲線Ｂが作成される（図８：ステップＳ８０２）。
【００７０】
次いで、テーブル作成処理部８４は、特定の消光比を選択して設定し（図８：ステップＳ８０３）、設定した消光比（ＥＲ）を条件として、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）に対応するＥＡバイアス電圧を、特性曲線Ａを示す数値データから取得する（図８：ステップＳ８０４）。たとえば消光比（ＥＲ）を-５ [dB]に選択した場合に、図４に示す特性曲線Ａでは、その消光比に対応する曲線Ｖ３および曲線Ｖ１のバイアス電圧Ｖ３およびＶ１が、それぞれ対応しているＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）の摂氏７度および６４度の各値とともに取得される。
【００７１】
さらに、テーブル作成処理部８４は、設定した消光比（ＥＲ）を条件として、その消光比が得られるＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）の範囲内に収まっているＥＡバイアス電圧とＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）とを特性曲線Ｂ（図５）に基づいて対応付ける。（図８：Ｓ８０５）ここでは、図５に示す範囲５０２のように、消光比（ＥＲ）が-５ [dB]である範囲T1〜T4内に範囲５０２が含まれているので、ＥＡバイアス電圧Ｖ１〜Ｖ３と、これら電圧が得られる際のＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）の値とが対応付けられる。
【００７２】
次に、テーブル作成処理部８４は、対応付けられたＥＡバイアス電圧とＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）とをテーブル化し、テーブル情報６００としてメモリ回路４４に記録する（図８：ステップＳ８０６）。
【００７３】
他の消光比について、さらに作成するか否かを判定し、（図８：ステップＳ８０７）作成する場合には、所望する他の消光比の値を設定し（図８：ステップＳ８０３）、以降の処理を実行する。
【００７４】
以上のようにして、複数の消光比に対応するテーブル情報６００がメモリ回路４４に作成される。
【００７５】
このテーブル情報６００の作成処理は、たとえば、本光送信器１６の製造時に行われるとよく、また、製品出荷後の稼働時等、必要に応じて行われるようにしてもよい。
【００７６】
（光送受信装置の温度制御および出力制御の動作）
次に、本実施形態における光送受信装置の動作を図９を参照して以下に説明する。
【００７７】
最初に、所望する消光比として、たとえば消光比ＥＲ１が消光比設定処理部７０にて設定され、高温側基準温度（T_heat）が高温側基準温度設定処理部５４にて設定され、さらに低温側基準温度（T_cool）が低温側基準温度設定処理部にて設定される（図９：ステップＳ９００）。
【００７８】
次に、設定された消光比ＥＲ１に対応するテーブル情報６００に含まれるＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）とＥＡバイアス電圧設定値との組合せ内容がメモリ回路２２から設定値入力処理部７２に読み出され、読み出された内容は組合せ保存処理部７４が制御回路１４内の内部メモリ４６に一時格納する（ステップＳ９０１）。
【００７９】
次に、ケース温度（ＴＣ）とＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）とがそれぞれ測定されて（図９：ステップＳ９０２）、ケース温度（ＴＣ）と、高温側および低温側基準温度（T_cool, T_heat）とがそれぞれ比較される（ステップＳ９０３）。
【００８０】
この比較の結果、ケース温度が低温側基準温度（T_cool）以下（TC≦T_cool）であると判定されると（図９：ステップＳ９０４／低温側基準温度以下判定工程）、ＥＡ変調器温度が低温側基準温度よりも小さい（ＴＥＡ＜T_cool）か否かが比較される（図９：ステップＳ９０５）。
【００８１】
ＥＡ変調器温度が低温側基準温度よりも小さい場合（TEA＜T_cool）に、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）が低温側基準温度（T_cool）となるように、温度制御判断処理部６２は、熱電クーラ２４を放熱させる加熱制御を行う（図９：ステップＳ９０６／加熱制御工程）。
【００８２】
次に、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）が低温側基準温度（T_cool）と同じ値であるＥＡバイアス電圧の設定値が設定値読出処理部７６の機能によって内部メモリ４６から読み出される（図９：ステップＳ９０７）。読み出した設定値は、現在使用するＥＡバイアス電圧値として内部メモリ４６に格納し、内部メモリ４６内の情報が最新の情報に更新されるとともに、バイアス電圧設定処理部８０は、更新したＥＡバイアス電圧値を生成する制御を行う（図９：Ｓ９０８、Ｓ９０９／低温側バイアス設定工程）。
【００８３】
次に、終了判定処理が行われて、継続する場合には、ケース温度（ＴＣ）とＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）とを温度測定する処理（図９：ステップＳ９０２）に戻って、以降の処理が行われる。
【００８４】
次に、ケース温度と、予め設定された低温側および高温側基準温度（T_cool, T_heat）とをそれぞれ比較した結果（図９：ステップＳ９０３／比較工程）、ケース温度が高温側基準温度以上である（ＴＣ≧T_heat）と判定された場合（図９：ステップＳ９１１／高温側基準温度以上判定工程）では、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）が高温側基準温度（T_heat）よりも大きいか否かが比較される（図９：ステップＳ９１２）。
【００８５】
ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）が高温側基準温度（T_heat）よりも大きかった場合に、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）が高温側基準温度（T_heat）となるように、温度制御判断処理部６２は、熱電クーラ２４を吸熱させる冷却制御を行う（図９：ステップＳ９１３／冷却制御工程）。
【００８６】
次に、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）が高温側基準温度（T_heat）と同じ値であるＥＡバイアス電圧の設定値が設定値読出処理部７６の機能によって内部メモリ４６から読み出される（ステップＳ９１４）。次に、内部メモリ４６から設定値読出処理部７６が読み出した設定値を、現在使用するＥＡバイアス電圧値として内部メモリ４６に格納し、内部メモリ４６を更新するとともに、バイアス電圧設定処理部８０は、更新したＥＡバイアス電圧値を生成する制御を行う（図９：ステップＳ９０８、Ｓ９０９／高温側バイアス設定工程）。
【００８７】
次に、終了判定処理が行われて、継続する場合には、ケース温度とＥＡ変調器温度とを温度測定する処理（図９：ステップＳ９０２）に戻って、以降の処理が行われる。
【００８８】
次に、ケース温度と、低温側および高温側基準温度とをそれぞれ比較した（図９：ステップＳ９０３）結果、低温側基準温度よりもケース温度が大きく、さらにケース温度よりも高温側基準温度が大きい（T_cool＜ＴＣ＜T_heat）と判定された場合では（図９：ステップＳ９１５／温度判定工程）、加熱制御をしていた場合にはその加熱を停止し、逆に冷却制御をしていた場合にはその冷却を停止するように温度制御判断処理部６２の制御が行われる（図９：ステップＳ９１６）。
【００８９】
これらの制御は、上述したステップＳ９０５およびステップＳ９１２にて、それぞれ否定判定（No）だった場合、すなわち、それぞれ、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）が低温側基準温度（T_cool）以上であった場合およびＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）が高温側基準温度（T_heat）以下であった場合にもこの停止制御がそれぞれ行われる（図９：ステップＳ９１６）。
【００９０】
次いで、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）に対応するＥＡバイアス電圧の設定値が内部メモリ４６から設定値読出処理部７６に読み出される（図９：ステップＳ９１７）。
【００９１】
その後、上述したように、読み出した設定値を現在使用するＥＡバイアス電圧値として内部メモリ４６の保持値を更新し（図９：ステップＳ９０８）、バイアス電圧設定処理部８０は、更新したＥＡバイアス電圧値を生成する制御を行う（図９：ステップＳ９０９）。
【００９２】
さらに終了判定処理が行われて、継続する場合には、ケース温度（ＴＣ）とＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）とを温度測定する処理（図９：ステップＳ９０２）に戻って、以降の処理が行われる。
【００９３】
上記実施例の温度制御および光出力制御は、それぞれ温度変化を検出してから制御を行うフィードバック制御以外に、温度変化を予測して制御を行うフィードフォワード制御も適用することができる。
【００９４】
ここで、上述した実施形態における動作にあって、上記各工程で実行される各実行内容をプログラム化し、そのプログラムをコンピュータに機能させるようにしてもよい。この場合、本プログラムは、非一時的な記録媒体、たとえば、DVD（商標）、CD（商標）、フラッシュメモリなどに読み出し可能に記録されてもよい。その場合、本プログラムは、記録媒体からコンピュータによって読み出され、実行される。
【００９５】
（実施形態の効果）
以上のように、本実施形態の光送受信装置１０によれば、制御回路１４は、ＥＡ変調器温度とＥＡバイアス電圧とを用いて所望する消光比が得られるようにする設定値を予めメモリ回路４４にテーブル情報６００（図６）として作成し、この作成したテーブル情報６００に基づいてＥＡ変調器２２に対する温度制御と出力制御とを実行するので、低温側基準温度から高温側基準温度までの範囲３０４（図３）内では電力消費を削減することができる。また、その範囲３０４内ではＥＡ変調器２２の温度に応じたＥＡバイアス電圧を設定することで、ＥＡ変調器２２の出力を安定化することができる。
【００９６】
また、ケース温度が低温側基準温度以下および高温側基準温度以上の範囲３００、３０２（図３）では、それぞれＥＡ変調器２２に対し加熱および冷却のいずれかを行ってその温度を一定化するともに、それぞれ予め設定したバイアス電圧をＥＡ変調器２２に与えて、ＥＡ変調器２２の出力を安定化させることができる。
【００９７】
これらの結果、広範囲の温度条件で良好な光出力特性が得られるとともに、電力消費を大幅に低減させることができる。
【００９８】
上述した各実施形態については、その新規な技術内容をまとめると、以下のようになる。
【００９９】
ここで、上記各実施形態の一部または全部は、新規な技術として以下のようにまとめられるが、本発明は必ずしもこれに限定されるものではない。
（付記１）
レーザ光を発する光源と、前記レーザ光を変調する変調器と、前記変調器の変調器温度を検出する変調器温度検出素子と、前記変調器を加熱する機能および冷却する機能を有して温度制御する温度制御素子とを含む光送信部を有し、
前記光送信部の各部の動作を制御する主制御部と、前記変調器用のバイアス電圧を設定するために予め作成したテーブル情報を記録するメモリ部と、前記光送信部、前記主制御部および前記メモリ部を収容する筐体を設けると共に当該筐体の筐体温度を検出する筐体温度検出素子とを備え、
前記主制御部は、
前記筐体温度が予め設定された低温側基準温度および高温側基準温度の範囲内にある場合に機能し、前記変調器に対する温度制御素子の加熱および冷却に係る各制御動作を停止する機能と、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下にある場合に機能し、前記温度制御素子を加熱制御するとともに、前記低温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定する機能と、
前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にある場合に機能し、前記温度制御素子を冷却制御するとともに、前記高温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定する機能とを備えていることを特徴とする光送信装置。
（付記２）
付記１に記載の装置において、
前記主制御部は、前記筐体温度が前記低温側基準温度および前記高温側基準温度の範囲内にある場合に機能し、前記変調器用のバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器温度に対応するバイアス電圧に設定する機能を備えていることを特徴とする光送信装置。
（付記３）
付記１に記載の装置において、
前記テーブル情報は、予め前記変調器の使用目的に応じて特定される消光比を設定し、前記消光比が得られる変調器温度とバイアス電圧との対応に基づいて作成された情報であることを特徴とする光送信装置。
（付記４）
付記３に記載の装置において、
前記主制御部は、前記テーブル情報を作成して前記メモリ部に記録するテーブル作成処理部を予め備えていることを特徴とする光送信装置。
（付記５）
付記１に記載の装置において、前記主制御部は、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下にあって前記温度制御素子を加熱制御している場合に機能し、前記変調器温度が前記低温側基準温度以上である場合には前記加熱制御を停止制御すると共に、
前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にあって前記温度制御素子を冷却制御している場合に機能し、前記変調器温度が前記高温側基準温度以下である場合には前記冷却制御を停止制御する停止判定制御機能を有することを特徴とする光送信装置。
（付記６）
付記１ないし５のいずれか一項に記載の光送信装置と、伝送される光信号を光ファイバを介して受信する光受信装置とを備えたことを特徴とする光送受信装置。
（付記７）
レーザ光を発する光源と、前記レーザ光を変調する変調器と、前記変調器の変調器温度を検出する変調器温度検出素子と、前記変調器を加熱する機能および冷却する機能を有して温度制御する温度制御素子とを含む光送信部を有し、前記光送信部の各部の動作を制御する主制御部と、前記変調器用のバイアス電圧を設定するために予め作成したテーブル情報を記録するメモリ部と、前記光送信部、前記主制御部および前記メモリ部を収容する筐体を設けると共に当該筐体の筐体温度を検出する筐体温度検出素子とを備えて成る光送信装置にあって、
前記筐体温度検出素子により検出される前記筐体温度が予め設定された低温側基準温度および高温側基準温度の範囲内にある場合に（温度判定工程）、前記変調器に対する温度制御素子の加熱および冷却に係る各制御動作を停止し（加熱冷却停止工程）、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下にある場合に（低温側基準温度以下判定工程）、前記変調器温度が前記低温側基準温度になるように前記温度制御素子を加熱制御する（加熱制御工程）と共に前記低温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定し（低温側バイアス設定工程）、
前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にある場合に（高温側基準温度以上判定工程）、前記変調器温度が前記高温側基準温度になるように前記温度制御素子を冷却制御する（冷却制御工程）と共に前記高温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定し（高温側バイアス設定工程）、
これらの各設定制御動作を前記主制御部が順次実行することを特徴とする光送信装置用動作制御方法。
（付記８）
付記７に記載の方法において、
前記筐体温度が予め設定した低温側基準温度および高温側基準温度の範囲内にある場合（温度判定工程）に、前記変調器用のバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器温度に対応するバイアス電圧に前記主制御部が設定（温度範囲内バイアス電圧設定工程）することを特徴とする光送信装置用動作制御方法。
（付記９）
付記７に記載の方法において、
予め前記変調器の使用目的に応じて特定される消光比を設定し、前記消光比が得られる変調器温度とバイアス電圧との対応に基づいて前記テーブル情報を作成する（テーブル作成処理工程）ことを特徴とする光送信装置用動作制御方法。
（付記１０）
レーザ光を発する光源と、前記レーザ光を変調する変調器と、前記変調器の変調器温度を検出する変調器温度検出素子と、前記変調器を加熱する機能および冷却する機能を有して温度制御する温度制御素子とを含む光送信部を有し、前記光送信部の各部の動作を制御する主制御部と、前記変調器用のバイアス電圧を設定するために予め作成したテーブル情報を記録するメモリ部と、前記光送信部、前記主制御部および前記メモリ部を収容する筐体を設けると共に当該筐体の筐体温度を検出する筐体温度検出素子とを備えて成る光送信装置にあって、
前記筐体温度検出素子により検出される前記筐体温度が予め設定された低温側基準温度および高温側基準温度の温度範囲内にあることを判定する温度範囲内判定機能、
前記筐体温度が前記温度範囲内の場合に機能し前記変調器に対する温度制御素子の加熱および冷却に係る各制御動作を停止する加熱冷却停止制御機能、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下にあることを判定する低温側基準温度以下判定機能、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下である場合に機能し前記温度制御素子を加熱制御する低温側基準温度以下加熱機能、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下である場合に機能し前記低温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定する低温側バイアス設定機能、
前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にあることを判定する高温側基準温度以上判定機能と、
前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にある場合に機能し前記温度制御素子を冷却制御する高温側基準温度以上冷却機能、
および前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にある場合に機能し前記高温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定する高温側バイアス設定機能を設け、
これらの機能を前記主制御部が備えているコンピュータに実現させるようにしたことを特徴とする光送信装置用動作制御プログラム。
（付記１１）
付記１０に記載のプログラムにおいて、前記筐体温度が前記温度範囲内の場合に機能し前記変調器用のバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器温度に対応するバイアス電圧に設定する温度範囲内バイアス電圧設定機能を備える構成としたことを特徴とする光送信装置用動作制御プログラム。
（付記１２）
付記１０に記載のプログラムにおいて、予め前記変調器の使用目的に応じて特定される消光比を設定し、前記消光比が得られる変調器温度とバイアス電圧との対応に基づいて前記テーブル情報を作成するテーブル作成処理機能を備える構成としたことを特徴とする光送信装置用制御プログラム。
【符号の説明】
【０１００】
１０ 光送受信装置
１２ 光受信器（光受信部）
１４ 制御回路（主制御部）
１６ 光送信器（光送信部）
２０ レーザダイオード（ＬＤ、光源）
２２ ＥＡ変調器（変調器）
２４ 温熱クーラ（ＴＥＣ、温度制御素子）
２６ 変調器温度検出素子
３６ 変調器温度モニタ回路
４０ ケース温度検出素子（筐体温度検出素子）
４２ ケース温度モニタ回路
４４ メモリ回路（メモリ部）
５８ ケース温度比較処理部
６０ 温度判定処理部
６２ 温度制御判断処理部
６４ ＴＥＣ駆動制御部
７０ 消光比設定処理部
７２ 設定値入力処理部
７４ 組合せ保存処理部
７８ 設定値選択処理部
７６ 設定値読出処理部
８０ バイアス電圧設定処理部
８４ テーブル作成処理部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光送信装置、光送受信装置、制御方法および制御プログラムに係り、とくに、送信データを光信号に変換して出力する光送信装置、光送受信装置、制御方法および制御プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、大容量の情報を高速に伝送する光通信網に接続し、光通信網に接続された他の通信機器と相互に光通信を行う光送受信装置が普及している。光送受信装置には、ホスト側装置から出力される主信号データを光信号に変換し、光ファイバを介して光通信網側の通信機器へ送信する送信側回路が備えられている。
【０００３】
上記の送信側回路は、レーザ光を発生する光源として、たとえば、レーザダイオードと、発生したレーザ光を変調する電界吸収型（EA：Electric Absorption）光変調器とを備えて、これらの集積化および消費電力の削減などが求められている。
【０００４】
このような状況で、たとえば、可変波長光源とＥＡ（電界吸収型）変調器と熱電クーラとを備えた光送信装置が特許文献１に提案されている。その光送信装置は、制御部からＥＡ変調器にＥＡバイアスを入力し、ＥＡバイアスに応じた変調特性によって波長可変光源から出力された光を変調する構成であった。また、この制御部は、ＥＡ変調器の温度を示すＥＡ温度情報が目的の温度となるように、熱電クーラ（Thermo Electric Cooler）の温度を制御するものであった。
【０００５】
また、レーザダイオードの温度をサーミスタで検出し、外気温が低い場合には最適な温度になるように発熱体の発熱量を大きくし、最適温度の場合にその発熱量を小さくする電界吸収型変調器付レーザダイオードが特許文献２に開示されている。この電界吸収型変調器付レーザダイオードでは、電子冷却素子を使用せずに、レーザダイオードの温度を制御するものであった。
【０００６】
また、ＴＥＣ（Thermo Electric Cooler）、ＰＤ（フォトダイオード）、温度検出素子（サーミスタ）およびＬＤチップなどをパッケージに収容した半導体レーザモジュール（ＬＤモジュール）の温度制御装置が特許文献３に開示されている。この温度制御装置では、外気温度Ｔａが半導体レーザの保証温度範囲内であれば、ＬＤチップの温度制御を行わず、ＴＥＣにペルチェ電流を流さない構成であった。
【０００７】
また、ＥＡ変調器集積ＤＦＢ（Distributed Feedback：分布帰還）レーザ（ＥＡ−ＤＦＢレーザ）を作製する材料として、インジウム・ガリウム・アルミニウムヒ素系半導体材料（Ａｌ系材料）を用いることで、アンクールド動作（無温調）でも広い温度範囲の特性改善をしたことが非特許文献１に記載されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−８１５１２号公報
【特許文献２】特開２００４−２９６９８８号公報
【特許文献３】特開平１１−１２６９３９号公報
【非特許文献１】ＮＴＴフォトニクス研究所、小林亘 他、「低消費電力１．５５μｍＥＡＤＦＢレーザ」、ＮＴＴ技術ジャーナル、２０１０年１１月号（Vol.22 No.11）、第６９頁〜第７３頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記特許文献１における光送信装置は、ＦＩＴ（Failure In Time）数と消費電力とＥＡ温度とに基づいてしきい値（ＥＡ温度の値）を決定し、ＥＡ変調器の温度と波長とを入力情報として温度制御電流の制御を行うものであり、Ｔａ＜Ｔｎ＜Ｔｂ（上限温度Ｔａ、目標温度Ｔｎ、下限温度Ｔｂ）の範囲で温度制御電流を制御するようになっているので電力を消費するものであった。
【００１０】
また、上記特許文献２では、レーザダイオードの温度を予め定められた規定温度範囲内になるようにする発熱体を搭載した技術が開示されているが、発熱体の発熱量を制御するものであった。
【００１１】
さらに、上記特許文献３では、半導体レーザモジュール（ＬＤチップ）の温度によって抵抗値が変化するサーミスタを備え、そのＬＤチップ温度に応じてＬＤチップに対する温度制御を行い、ＬＤチップの温度を一定の範囲（保証範囲）にする旨の開示があるものの、その保証範囲の温度変化ではＬＤチップの出力特性が変化するものであった。
〔発明の目的〕
本発明は、このような関連技術の有する課題を解決するためになされたもので、出力する光信号の良好な光出力特性を得る光送信装置、光送受信装置、制御方法および制御プログラムを提供することを、その目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明に係る光送信装置は、レーザ光を発する光源と、レーザ光を変調する変調器と、変調器の変調器温度を検出する変調器温度検出素子と、変調器を加熱する機能および冷却する機能を有して温度制御する温度制御素子とを含む光送信部を有し、光送信部の各部の動作を制御する主制御部と、変調器用のバイアス電圧を設定するために予め作成したテーブル情報を記録するメモリ部と、光送信部、主制御部およびメモリ部を収容する筐体を設けると共に当該筐体の筐体温度を検出する筐体温度検出素子とを備え、主制御部は、筐体温度が予め設定された低温側基準温度および高温側基準温度の範囲内にある場合に機能し、変調器に対する温度制御素子の加熱および冷却に係る各制御動作を停止する機能と、筐体温度が低温側基準温度以下にある場合に機能し、温度制御素子を加熱制御するとともに、低温側基準温度に対応するバイアス電圧をテーブル情報に基づいて変調器に設定する機能と、筐体温度が高温側基準温度以上にある場合に機能し、温度制御素子を冷却制御するとともに、高温側基準温度に対応するバイアス電圧をテーブル情報に基づいて変調器に設定する機能とを備えていることを特徴とする。
【００１３】
また、上記目的を達成するため、本発明に係る光通信装置用動作制御方法は、レーザ光を発する光源と、レーザ光を変調する変調器と、変調器の変調器温度を検出する変調器温度検出素子と、変調器を加熱する機能および冷却する機能を有して温度制御する温度制御素子とを含む光送信部を有し、光送信部の各部の動作を制御する主制御部と、変調器用のバイアス電圧を設定するために予め作成したテーブル情報を記録するメモリ部と、光送信部、主制御部およびメモリ部を収容する筐体を設けると共に当該筐体の筐体温度を検出する筐体温度検出素子とを備えて成る光送信装置にあって、筐体温度検出素子により検出される筐体温度が予め設定された低温側基準温度および高温側基準温度の範囲内にある場合に（温度判定工程）、変調器に対する温度制御素子の加熱および冷却に係る各制御動作を停止し（加熱冷却停止工程）、筐体温度が低温側基準温度以下にある場合に（低温側基準温度以下判定工程）、変調器温度が低温側基準温度になるように温度制御素子を加熱制御する（加熱制御工程）と共に低温側基準温度に対応するバイアス電圧をテーブル情報に基づいて変調器に設定し（低温側バイアス設定工程）、筐体温度が高温側基準温度以上にある場合に（高温側基準温度以上判定工程）、変調器温度が高温側基準温度になるように温度制御素子を冷却制御する（冷却制御工程）と共に高温側基準温度に対応するバイアス電圧をテーブル情報に基づいて変調器に設定し（高温側バイアス設定工程）、これらの各設定制御動作を主制御部が順次実行することを特徴とする。
【００１４】
また、上記目的を達成するため、本発明に係る光送信装置用動作制御プログラムは、レーザ光を発する光源と、レーザ光を変調する変調器と、変調器の変調器温度を検出する変調器温度検出素子と、変調器を加熱する機能および冷却する機能を有して温度制御する温度制御素子とを含む光送信部を有し、光送信部の各部の動作を制御する主制御部と、変調器用のバイアス電圧を設定するために予め作成したテーブル情報を記録するメモリ部と、光送信部、主制御部およびメモリ部を収容する筐体を設けると共に当該筐体の筐体温度を検出する筐体温度検出素子とを備えて成る光送信装置にあって、筐体温度検出素子により検出される筐体温度が予め設定された低温側基準温度および高温側基準温度の温度範囲内にあることを判定する温度範囲内判定機能、筐体温度が温度範囲内の場合に機能し変調器に対する温度制御素子の加熱および冷却に係る各制御動作を停止する加熱冷却停止制御機能、筐体温度が低温側基準温度以下にあることを判定する低温側基準温度以下判定機能、筐体温度が低温側基準温度以下である場合に機能し温度制御素子を加熱制御する低温側基準温度以下加熱機能、筐体温度が低温側基準温度以下である場合に機能し低温側基準温度に対応するバイアス電圧をテーブル情報に基づいて変調器に設定する低温側バイアス設定機能、筐体温度が高温側基準温度以上にあることを判定する高温側基準温度以上判定機能と、筐体温度が前記高温側基準温度以上にある場合に機能し温度制御素子を冷却制御する高温側基準温度以上冷却機能、および筐体温度が高温側基準温度以上にある場合に機能し高温側基準温度に対応するバイアス電圧をテーブル情報に基づいて変調器に設定する高温側バイアス設定機能を設け、これらの機能を主制御部が備えているコンピュータに実現させるようにしたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は以上のように構成したので、予め設定する温度範囲を広くとり、その設定した温度範囲内での電力消費を低減し、予め設定した消光比の光出力を広い温度範囲にて得ることができる。
【００１６】
したがって、出力する光信号の良好な光出力特性を得ることができるという優れた光送信装置、光送受信装置、制御方法および制御プログラムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明が適用された実施形態における送受信装置の構成例を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施形態における制御回路の構成例を示す機能構成図である。
【図３】実施形態におけるケース温度（ＴＣ）とＥＡ変調器の温度（ＴＥＡ）との関係を示すグラフである。
【図４】実施形態におけるＥＡ変調器の温度（ＴＥＡ）と消光比（ＥＲ）との関係を示すグラフである。
【図５】実施形態におけるＥＡ変調器のＥＡバイアス電圧と消光比（ＥＲ）との関係を示すグラフである。
【図６】図１に示すメモリ回路に記録したテーブル情報を示す図である。
【図７】図１に示す制御回路に一時格納したテーブル情報と使用する設定値（バイアス電圧）とを示す図である。
【図８】実施形態におけるテーブル情報の作成処理の手順を示すフローチャートである。
【図９】実施形態における温度制御処理および光出力制御処理の手順を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明に係る光送信装置を含む光送受信装置の一実施形態を、図１ないし図７を参照して説明する。
【００１９】
（光送受信装置の構成）
図１において、光送受信装置１０は、他の光通信装置から伝送される光信号を光ファイバＡを介して光受信器（光受信装置）１２にて受信して電気信号に変換し、変換した受信信号データを制御回路１４の出力Ｂから出力し、別の接続機器から制御回路１４に与えられる入力データＣを光送信器（光送信装置）１６にて光信号とし、光信号を光送信器１６から光ファイバＤに送出する送受信機能を有する光トランシーバである。
【００２０】
実施形態における光送信器１６は、とくに制御回路１４が行う温度制御と出力制御とによって良好な出力特性にて動作可能に構成されている。
【００２１】
詳しくは光送信器１６は、レーザダイオード（LD： Laser Diode）２０にて発生したレーザ光をＥＡ（Electro Absorption：電界吸収型）変調器２２を通して光変調して、光ファイバＤに送出する。光送信器１６には、さらに、ＥＡ変調器２２の近傍に備えられ、ＥＡ変調器２２の温度を調節するための熱電クーラ（TEC： Thermo Electric Cooler）２４と、ＥＡ変調器２２の近傍に備えられ、その温度を検出するための変調器温度検出素子２６と、レーザダイオード（ＬＤ）２０のレーザ光を受光し、その光強度を検出するための光強度検出素子２８とが共通の基台に備えられている。
【００２２】
レーザダイオード（ＬＤ）２０は、ＬＤ駆動回路３０から与えられる順方向の駆動電流に応じてレーザ光を発生する光源である。ＬＤ駆動回路３０は、接続線Ｅを介して制御回路１４に接続され、制御回路１４の制御に基づいて駆動電流を生成する。
【００２３】
ＥＡ変調器２２は、ＥＡバイアス発生回路３２から逆バイアスで印加されるＥＡバイアス電圧に応じて動作点が設定され、レーザダイオード２０から発したレーザ光の吸収率を主信号データに基づいて変化させてレーザ光を強度変調する。主信号データは制御回路１４から接続線Ｆを介してＥＡ変調器２２に入力され、このＥＡ変調器２２は、ＥＡバイアス電圧とＥＡ変調器２２の温度（ＥＡ変調器温度）とに応じた消光比の変調光を出力する。また、ＥＡバイアス発生回路３２は、接続線Ｇを介して制御回路１４に接続され、制御回路１４の制御に基づいてＥＡバイアス電圧をＥＡ変調器２２に印加する。
【００２４】
熱電クーラ（ＴＥＣ）２４は、ＴＥＣ駆動回路３４から供給される駆動電流の極性に応じて放熱および吸熱を行って、ＥＡ変調器２２を加熱および冷却する温度制御素子であり、たとえば、放熱および吸熱の切り替えが可能なペルチェ素子が適用される。熱電クーラ２４は、ＥＡ変調器２２の近傍に温度伝達可能に備えられ、ＥＡ変調器２２のＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）を調節するように構成されている。ＴＥＣ駆動回路３４は、接続線Ｈを介して制御回路１４に接続され、制御回路１４の制御に基づいて駆動電流を生成する。
【００２５】
変調器温度検出素子２６は、上記ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）を検出するようにＥＡ変調器２２の近傍に温度検出可能に備えられ、たとえば、温度に応じた抵抗値変化を示すサーミスタ素子が適用される。変調器温度検出素子２６は、接続線を介して変調器温度モニタ回路３６に接続されている。変調器温度モニタ回路３６は、変調器温度検出素子２６の抵抗変化に基づいてＥＡ変調器温度を監視し、その監視結果を表すデータを接続線Ｉを介して制御回路１４に出力する。
【００２６】
光強度検出素子２８は、レーザダイオード２０から発したレーザ光の一部をＥＡ変調器２２を介して受光し、その受光量に応じたレベルの信号を生成する検出素子であり、たとえばフォトダイオードが適用される。光強度検出素子２８の出力は、光出力強度モニタ回路３８に接続されて、光出力強度モニタ回路３８は、光強度検出素子２８の出力からレーザ光の光強度を監視する。光出力強度検出回路３８は、その監視の結果得られる光強度データを接続線Ｊを介して制御回路１４に出力する。
【００２７】
光送受信装置１０には、本装置の筐体内温度、すなわちケース温度（ＴＣ）を検出するケース温度検出素子４０が備えられ、ケース温度検出素子４０は、たとえば、温度に応じて抵抗値変化を示すサーミスタ素子が適用される。ケース温度検出素子４０は、接続線を介してケース温度モニタ回路４２に接続され、ケース温度モニタ回路４２は、温度を測定し、その測定結果を表すデータを接続線Ｋを介して制御回路１４に出力する。
【００２８】
制御回路１４は、光送信器１６および光受信器１２における光信号の送信／受信をそれぞれ制御する送受信制御機能と、光送信器１６内の温度を予め設定した範囲に制御する温度制御機能と、光送信器１６から出力する光信号を安定させる出力制御機能とを含み、本送受信装置１０全体の動作を制御する主制御部である。制御回路１４は、接続線Lを介して接続されたメモリ回路４４に記録されるテーブル情報に基づいて、温度制御と出力制御とを実行する。制御回路１４には、これら制御処理を行うための中央処理プロセッサ、制御プログラムやデータを格納するＲＯＭ、ＲＡＭなどの記憶回路が備えられている。
【００２９】
制御回路１４は、テーブル情報を高速に読み書きするために、温度制御および出力制御に必要なテーブル情報を予めメモリ回路４４から読み出して一時的に格納する内部メモリ４６を有している。また、制御回路１４は、メモリ回路４４に記録しておくテーブル情報を作成するテーブル情報作成処理機能を有している。メモリ回路４４は、たとえば電気的に書き換え可能なＥＥＰＲＯＭやフラッシュメモリなどの記憶回路が有利に適用される。
【００３０】
ここで制御回路１４の機能構成を図２に示した機能構成図を参照して詳細に説明する。図示するように制御回路１４は、主として温度制御に関係する構成として、接続線Ｋを介してケース温度モニタ回路４２に接続されたケース温度測定処理部５０と、接続線Ｉを介して変調器温度モニタ回路３６に接続された変調器温度測定処理部５２とを有している。
【００３１】
また、温度制御に関係する構成として制御回路１４は、高温側基準温度を設定する高温側基準温度設定処理部５４および低温側基準温度を設定する低温側基準温度設定処理部５６にそれぞれ接続され、高温側基準温度および低温側基準温度のそれぞれをケース温度と比較するケース温度比較処理部５８と、ケース温度比較処理部５８に接続され、ケース温度の比較結果に基づいて、高温側基準温度、低温側基準温度およびケース温度の大小関係を判定する温度判定処理部６０とを有している。
【００３２】
さらに、温度制御に関係する構成として制御回路１４は、温度判定処理部６０に接続された温度制御判断処理部６２と、この温度制御判断処理部６２に接続されたＴＥＣ駆動制御部６４と、高温側基準温度設定処理部５４、低温側基準温度設定処理部５６および変調器温度測定処理部５２にそれぞれ接続された停止判定処理部６６とを有している。
【００３３】
詳しくは、ケース温度測定処理部５０は、ケース温度モニタ回路４２にて測定した測定結果を示すデータを入力し、これをケース温度（ＴＣ）として保持する処理部である。このケース温度の温度測定は、予め設定されたタイミング毎に継続して繰り返し、ケース温度モニタ回路４２の監視結果が変化すると、その変化した値に保持値を更新する。
【００３４】
変調器温度測定処理部５２は、変調器温度モニタ回路３６の監視結果を示すデータを入力し、これをＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）として保持する処理部である。このＥＡ変調器温度の温度測定は、予め設定されたタイミング毎に継続して繰り返し、変調器温度モニタ回路３６の監視結果が変化すると、その変化した値に保持値を更新する。
【００３５】
高温側基準温度設定処理部５４は、ケース温度（ＴＣ）の高温側基準温度(T_heat)を示す値を保持し、必要に応じて各機能部に設定する処理部であり、また、低温側基準温度設定処理部５６は、ケース温度（ＴＣ）の低温側基準温度(T_cool)を示す値を保持し、必要に応じて各機能部に設定する処理部である。これらの高温側基準温度(T_heat)および高温側基準温度(T_heat)は、メモリ回路４４（図１）に保存されてもよく、その場合は、高温側基準温度設定処理部５４および低温側基準温度設定処理部５６のそれぞれは、メモリ回路４４から各基準温度の値を読み出して、これを保持するようにしてもよい。
【００３６】
ケース温度比較処理部５８は、ケース温度（ＴＣ）と、高温側基準温度(T_heat)および低温側基準温度(T_cool)とをそれぞれ比較する処理部であり、その比較の結果を温度判定処理部６０に送る。
【００３７】
温度判定処理部６０は、ケース温度比較処理部５８の比較結果に基づいて、ケース温度が高温側基準温度以上（ＴＣ≧T_heat）であるか否かを判定し、また、ケース温度が低温側基準温度以下（ＴＣ≦T_cool）であるか否かを判定し、さらに、ケース温度が、高温側基準温度未満（ＴＣ＜T_heat）かつ低温側基準温度を超えている（ＴＣ＞T_cool）か否かを判定する。温度判定処理部６０は、その判定の結果を温度制御判断処理部６２に送る。
【００３８】
温度制御判断処理部６２は、温度判定処理部６０の判定の結果に基づいて、熱電クーラ２４（図１）を冷却する、加熱する、および冷却・加熱をともに行わないのいずれかに制御するかを決定する処理部である。
【００３９】
具体的には温度制御判断処理部６２は、温度判定処理部６０が、ケース温度が高温側基準温度以上（ＴＣ≧T_heat）であるとの判定結果を示した場合に、熱電クーラ２４を冷却する制御を行うことを決定をする。また、温度制御判断処理部６２は、温度判定処理部６０が、ケース温度が低温側基準温度以下（ＴＣ≦T_cool）であるとの判定結果を示した場合に、熱電クーラ（ＴＥＣ）２４（図１）を加熱する制御を行うことを決定をする。さらに、温度制御判断処理部６２は、温度判定処理部６０が、ケース温度が、高温側基準温度未満（ＴＣ＜T_heat）かつ低温側基準温度を超えている（ＴＣ＞T_cool）との判定結果を示した場合に、熱電クーラ２４（図１）に対して冷却および加熱を行わないことを決定する。
【００４０】
温度制御判断処理部６２のこれらの決定の情報は、ＴＥＣ駆動制御部６４に送られて、ＴＥＣ駆動制御部６４は、温度制御判断処理部６２の決定に応じた制御信号を出力する。ＴＥＣ駆動制御部６４の出力は、制御回路１４の出力を構成し接続線Ｈを介して図１に示したＴＥＣ駆動回路３４に接続されている。ＴＥＣ駆動回路３４は、冷却の場合と加熱の場合とでは逆極性の駆動電流を熱電クーラ２４に供給することで、熱電クーラ２４の冷却（吸熱）および加熱（放熱）を切り替える。ＴＥＣ駆動回路３４は、冷却および加熱の両方とも行わない場合には電流供給を停止する。
【００４１】
ここで、図３を参照すると、制御回路１４の制御を受けた光送信器１６におけるケース温度ＴＣと、ＥＡ変調器温度との関係が示されている。同図では横軸にケース温度（ＴＣ）、縦軸にＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）を表している。図示するように、ケース温度が低温側基準温度以下（ＴＣ≦T_cool）の範囲３００では、温度制御判断処理部６２の決定に応じた制御を受けて、ＴＥＣ駆動回路３４は熱電クーラ２４を放熱させて、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）の低下を防止するので、その温度が維持される。
【００４２】
また、ケース温度が高温側基準温度以上（ＴＣ≧T_heat）の範囲３０２では、温度制御判断処理部６２の制御を受けて、ＴＥＣ駆動回路３４は熱電クーラ２４を吸熱させて、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）の上昇を防止するので、その温度が維持される。このような温度制御を実行することで、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）をＥＡ変調器２２（図１）の動作範囲内に納めることができるとともに、より広範囲のケース温度の環境にて使用することが可能となっている。
【００４３】
さらに高温側基準温度未満（ＴＣ＜T_heat）かつ低温側基準温度を超えている（ＴＣ＞T_cool）の範囲３０４では、温度制御判断処理部６２は、熱電クーラ（ＴＥＣ）２４（図１）に対して冷却および加熱を行わないことを決定するので、放熱および吸熱が行われていればそれが停止される。したがってこの範囲３０４では、熱電クーラ２４を駆動することによる電力消費をなくすることができる。この場合、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）は、ケース温度の変化に伴って変化する。その際に後述するＥＡバイアス電圧設定処理機能によって出力制御が適切に行われることで、ＥＡ変調器２２の出力特性が良好に得られる。
【００４４】
図２に戻って、停止判定処理部６６は、熱電クーラ２４に対して冷却制御および加熱制御が行われている場合に、変調器温度測定処理部５２にて得られるＥＡ変調器温度に応じてそれらを停止（オフ）させるための処理部である。変調器温度測定処理部５２は、変調器温度モニタ回路３６の出力が接続線Ｉを介して接続されて、変調器温度検出素子２６（図１）の温度を監視した結果を表すデータを入力し、これをＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）として保持する処理部である。このＥＡ変調器温度の温度測定は、予め設定されたタイミング毎に継続して繰り返し、変調器温度モニタ回路３６の監視結果が変化すると、その変更した値に保持値を更新する。停止判定処理部６６は、変調器温度測定処理部５２にて測定されたＥＡ変調器温度に基づいて、熱電クーラ２４に対する冷却制御および加熱制御を停止するか否かを判定する。停止判定処理部６６の出力は上述した温度制御判断処理部６２に接続されている。
【００４５】
また、制御回路１４は、主にＥＡ変調器２２に対するバイアス制御に関係する構成として、消光比設定処理部７０と、この消光比設定処理部７０に接続された設定値入力処理部７２と、この設定値入力処理部７２に接続された組合せ保存処理部７４と、この組合せ保存処理部７４に接続された設定値読出処理部７６と、この設定値読出処理部７６に接続された設定値選択処理部７８と、この設定値選択処理部７８に接続されたバイアス電圧設定処理部８０とを有している。
【００４６】
詳しくは、消光比設定処理部７０は、光送信器１６から出力されるレーザ光の消光比を予め設定する処理部である。この消光比とは、２値信号に対応する光出力強度の比である。後述するメモリ回路４４のテーブル情報には、設定される消光比に対応するテーブル情報が記録される。設定される消光比は１種類であってもよく、また、複数種類設定されるものでもよい。複数種類の消光比を設定する場合には、設定される消光比のそれぞれ対応するテーブル情報がメモリ回路４４に記録される。
【００４７】
設定値入力処理部７２は、消光比設定処理部７０が設定する消光比に応じたテーブル情報をメモリ回路４４から読み出して入力する処理部である。
【００４８】
組合せ保存処理部７４は、設定値入力処理部７２が読み出したテーブル情報を予め設定された記憶領域に保存する処理部である。この記憶領域を図１に示す構成例では制御回路１４内の内部メモリ４６として表している。組合せ保存処理部７４は、図７に示すように、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）とＥＡバイアス電圧との組合せを内部メモリ４６に一時格納する。
【００４９】
図２に戻って、設定値読出処理部７６は、組合せ保存処理部７４が内部メモリ４６に保存したＥＡ変調器温度とＥＡバイアス電圧とのうち、設定値選択処理部７８にて選択される条件に対応する組合せをその記憶領域から読み出す処理部である。
【００５０】
具体的には、まず、設定値選択処理部７８は、温度判定処理部６０にて、ケース温度が高温側基準温度以上（ＴＣ≧T_heat）であると判定した場合に、現在のＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）の値に対応するＥＡバイアス電圧設定値を選択せず、高温側基準温度（T_heat）の値に対応するＥＡバイアス電圧設定値を選択する。また、設定値選択処理部７８は、温度判定処理部６０にて、ケース温度が低温側基準温度以下（ＴＣ≦T_cool）であると判定した場合に、現在のＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）の値に対応するＥＡバイアス電圧設定値を選択せず、低温側基準温度（T_cool）の値に対応するＥＡバイアス電圧設定値を選択する。さらに、設定値選択処理部７８は、温度判定処理部６０にて、ケース温度が、低温側基準温度を超え、かつ高温側基準温度未満（T_cool＜ＴＣ＜T_heat）と判定した場合に、現在のＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）の値に対応するＥＡバイアス電圧設定値を選択する。
【００５１】
設定値読出処理部７６は、設定値選択処理部７８が選択したＥＡバイアス電圧設定値を、内部メモリ４６から読み出し、読み出した値をバイアス電圧設定処理部８０に指示する処理部である。また、設定値読出処理部７６は、図７に示すように、読み出した値を現在使用するＥＡバイアス電圧として組合せ保存処理部７４に送って、組合せ保存処理部７４はこの現在使用するＥＡバイアス電圧値を内部メモリ４６に保存して更新する。
【００５２】
バイアス電圧設定処理部８０は、設定値読出処理部７６にて読み出されたＥＡバイアス電圧設定値を接続線Ｇを介して接続されたＥＡバイアス発生回路３２（図１）に出力する。図１に示すＥＡバイアス発生回路３２は、ＥＡバイアス電圧設定値に応じたＥＡバイアス電圧を発生する回路であり、発生したＥＡバイアス電圧を光送信器１６内のＥＡ変調器２２に供給する。
【００５３】
図２に戻って、制御回路１４は、テーブル情報の作成に関係する構成として、接続線Ｊを介して光出力モニタ回路３８（図１）に接続された光強度検出処理部８２と、この光強度検出処理部８２に接続されたテーブル作成処理部８４とを有している。
【００５４】
光強度検出処理部８２は、光出力モニタ回路３８（図１）にて監視した光強度を検出し、検出した光強度をテーブル作成処理部８４と、ＬＤ出力制御部８６とにそれぞれ出力する処理部である。
【００５５】
テーブル作成処理部８４は、光送信器１６に対する温度制御と出力制御とを行うためのテーブル情報を作成する処理部である。
【００５６】
詳細には、テーブル作成処理部８４は、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）対消光比（ＥＲ）の特性曲線Ａを表す数値データ群を取得し、また、これら取得した数値データ群からＥＡバイアス電圧対消光比（ＥＲ）の特性曲線Ｂを作成する特性抽出処理機能を有する。この特性抽出処理が機能して作成したグラフをそれぞれ図４および図５に示す。
【００５７】
図４にはＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）対消光比（ＥＲ）の関係を表す特性曲線Aが描かれた特性グラフ４００が示されている。この特性グラフ４００は、横軸にＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）を表し、縦軸に消光比（ＥＲ）を表している。
【００５８】
ここで、曲線Ｖ１は、ＥＡバイアス電圧を-1.5 [V]に設定したときの特性であり、曲線Ｖ２は、ＥＡバイアス電圧を-2.0 [V]に設定したときの特性であり、曲線Ｖ３は、ＥＡバイアス電圧を-2.5 [V]に設定したときの特性である。また、図中の範囲４０２は、消光比ＥＲが-５ [dB]のときのＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）が、摂氏７度〜６４度の範囲であることを例として示している。特性グラフ４００では、図の煩雑化を避けるためにＥＡバイアス電圧Ｖ１〜Ｖ３のみの一部の特性曲線Ａ（V1〜V3）を示しているが、実際にはさらに他のＥＡバイアス電圧を設定して得られる他の特性曲線が詳細に得られている。また、近似補間処理を実行することにより、さらに他のＥＡバイアス電圧に対応する特性曲線が詳細に得られる。
【００５９】
また、図５には、ＥＡバイアス電圧対消光比（ＥＲ）の関係を表す特性グラフ５００が示されている。この特性グラフ５００は、横軸にＥＡバイアス電圧を表し、縦軸に消光比（ＥＲ）を表している。また、特性グラフ５００では、図の煩雑化を避けるためにＥＡ変調器温度T1〜T4のみの一部の特性曲線Ｂ（T1〜T4）を示しているが、上記と同様に他のＥＡ変調器温度で得られる他の特性曲線も詳細に得られていて、また、近似補間処理を実行することにより、さらに他のＥＡ変調器温度に対応する特性曲線が詳細に得られる。この特性曲線におけるＥＡ変調器温度T1〜T4は、大きい順にT1＞T2＞T3＞T4の大小関係となっている。また、レーザダイオード（ＬＤ）２０（図１）を駆動する駆動電流が一定の場合の特性である。また、ここでは、消光比（ＥＲ）が-５ [db]であるときにそれぞれ交わる特性曲線のＥＡ変調器温度T1〜T4の範囲内に、範囲５０２が含まれていることを例として示している。この場合、範囲５０２に対応するＥＡバイアス電圧が、-1.5 [V]〜-2.5 [V]であることが導き出せる。
【００６０】
テーブル作成処理部８４は、これら特性グラフ４００および５００の各数値データ群を使用して、図６に示すようなテーブル情報６００を複数の消光比毎に作成する処理機能を有し、作成したテーブル情報６００をメモリ回路４４に記録する。図６では、消光比ＥＲ１〜ＥＲ３についてそれぞれ、ＥＡ変調器温度ＴＥＡ（T1〜Tn）と、これに対応するＥＡバイアス電圧設定値（V1〜Vn）とを含むテーブル情報が示されている。
【００６１】
図４に示した特性グラフ４００を表す数値データ群を取得するための機能構成として、テーブル作成処理部８４は、ＥＡ変調器温度を変化させながら消光比を測定し、そのときの値を複数のＥＡバイアス電圧についてそれぞれサンプリングし取得する処理機能を有している。
【００６２】
また、テーブル作成処理部８４は、図５に示した特性グラフ５００を表す数値データ群を取得するための機能構成として、図４に示した特性グラフ４００の数値データ群を使用して図５に示す特性グラフ５００を作成する処理機能を有している。この特性グラフ５００を作成するための処理機能として、ＥＡバイアス電圧を変化させながら消光比を測定し、そのときの値を複数のＥＡ変調器温度についてそれぞれサンプリングし取得する機能を有してもよい。また、テーブル作成処理部８４は、上記特性グラフ４００を作成する際に、サンプル点以外の値を近似補間処理で生成し、より詳細な特性曲線を得る処理機能を有している。
【００６３】
テーブル作成処理部８４は、作成した特性グラフ４００および５００に基づいてテーブル情報を作成する際に、消光比を選択し、選択した消光比（ＥＲ）を条件として、ＥＡバイアス温度（ＴＥＡ）に対応するＥＡバイアス電圧を、特性グラフ４００の数値データに基づいて取得する処理機能を有している。
【００６４】
また、テーブル作成処理部８４は、設定した消光比（ＥＲ）で、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）の範囲内に収まるＥＡバイアス電圧とＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）との組合せを特性グラフ５００の数値データに基づいて確認し、その対応をテーブル情報６００に組み入れる処理機能を有している。さらに、テーブル作成処理部８４は、ＥＡバイアス電圧とＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）との対応をテーブル化して、メモリ回路４４に記録する処理機能を有している。
【００６５】
図２に戻って、制御回路１４は、レーザ光の出力強度を調節するための構成として、ＬＤ出力制御部８６を有する。ＬＤ出力制御部８６は、光出力強度検出処理部８２で検出した光強度に基づいて、レーザダイオード（ＬＤ）２０（図１）から出力されるレーザ光の強度を、予め設定された強度に調節するようにＬＤ駆動回路３０を制御する機能を有し、ＬＤ駆動回路３０は、この制御に応じてレーザダイオード２０を発光させる駆動電流を調節する。
【００６６】
（テーブル情報作成処理動作）
ここで、テーブル情報６００の作成処理の動作を図８を参照して説明する。まず、制御回路１４が、熱電クーラ２４をたとえば冷却から加熱の方向に制御してＥＡ変調器２２の温度を可変させる。この場合、十分な加熱および冷却を行うために、必要に応じてＥＡ変調器２２の設置環境温度を変化させたり、ＥＡ変調器２２の外部から強制的に冷却および加熱したりすることができる。
【００６７】
このようにＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）を変化させた状態にて、テーブル作成処理部８４は、複数のＥＡバイアス電圧をＥＡ変調器２２に供給し、それぞれのＥＡ変調器温度時における消光比（ＥＲ）を測定する。こうしてＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）対消光比（ＥＲ）の特性曲線Ａを示す値が複数のＥＡバイアス電圧についてそれぞれ取得される（図８：ステップＳ８００）。
【００６８】
特性曲線Ａを示す値が取得されると、サンプル点の値を使用して近似補間処理し、サンプル点以外の値をさらに算出する（図８：ステップＳ８０１）。こうして複数のＥＡバイアス電圧毎の特性曲線Ａ（図４）が得られる。
【００６９】
次に、テーブル作成処理部８４は、特性曲線Ａを表す値からＥＡバイアス電圧対消光比（ＥＲ）の特性曲線Ｂを作成する。こうして複数のＥＡ変調器温度についての特性曲線Ｂが作成される（図８：ステップＳ８０２）。
【００７０】
次いで、テーブル作成処理部８４は、特定の消光比を選択して設定し（図８：ステップＳ８０３）、設定した消光比（ＥＲ）を条件として、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）に対応するＥＡバイアス電圧を、特性曲線Ａを示す数値データから取得する（図８：ステップＳ８０４）。たとえば消光比（ＥＲ）を-５ [dB]に選択した場合に、図４に示す特性曲線Ａでは、その消光比に対応する曲線Ｖ３および曲線Ｖ１のバイアス電圧Ｖ３およびＶ１が、それぞれ対応しているＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）の摂氏７度および６４度の各値とともに取得される。
【００７１】
さらに、テーブル作成処理部８４は、設定した消光比（ＥＲ）を条件として、その消光比が得られるＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）の範囲内に収まっているＥＡバイアス電圧とＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）とを特性曲線Ｂ（図５）に基づいて対応付ける。（図８：Ｓ８０５）ここでは、図５に示す範囲５０２のように、消光比（ＥＲ）が-５ [dB]である範囲T1〜T4内に範囲５０２が含まれているので、ＥＡバイアス電圧Ｖ１〜Ｖ３と、これら電圧が得られる際のＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）の値とが対応付けられる。
【００７２】
次に、テーブル作成処理部８４は、対応付けられたＥＡバイアス電圧とＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）とをテーブル化し、テーブル情報６００としてメモリ回路４４に記録する（図８：ステップＳ８０６）。
【００７３】
他の消光比について、さらに作成するか否かを判定し、（図８：ステップＳ８０７）作成する場合には、所望する他の消光比の値を設定し（図８：ステップＳ８０３）、以降の処理を実行する。
【００７４】
以上のようにして、複数の消光比に対応するテーブル情報６００がメモリ回路４４に作成される。
【００７５】
このテーブル情報６００の作成処理は、たとえば、本光送信器１６の製造時に行われるとよく、また、製品出荷後の稼働時等、必要に応じて行われるようにしてもよい。
【００７６】
（光送受信装置の温度制御および出力制御の動作）
次に、本実施形態における光送受信装置の動作を図９を参照して以下に説明する。
【００７７】
最初に、所望する消光比として、たとえば消光比ＥＲ１が消光比設定処理部７０にて設定され、高温側基準温度（T_heat）が高温側基準温度設定処理部５４にて設定され、さらに低温側基準温度（T_cool）が低温側基準温度設定処理部にて設定される（図９：ステップＳ９００）。
【００７８】
次に、設定された消光比ＥＲ１に対応するテーブル情報６００に含まれるＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）とＥＡバイアス電圧設定値との組合せ内容がメモリ回路２２から設定値入力処理部７２に読み出され、読み出された内容は組合せ保存処理部７４が制御回路１４内の内部メモリ４６に一時格納する（ステップＳ９０１）。
【００７９】
次に、ケース温度（ＴＣ）とＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）とがそれぞれ測定されて（図９：ステップＳ９０２）、ケース温度（ＴＣ）と、高温側および低温側基準温度（T_cool, T_heat）とがそれぞれ比較される（ステップＳ９０３）。
【００８０】
この比較の結果、ケース温度が低温側基準温度（T_cool）以下（TC≦T_cool）であると判定されると（図９：ステップＳ９０４／低温側基準温度以下判定工程）、ＥＡ変調器温度が低温側基準温度よりも小さい（ＴＥＡ＜T_cool）か否かが比較される（図９：ステップＳ９０５）。
【００８１】
ＥＡ変調器温度が低温側基準温度よりも小さい場合（TEA＜T_cool）に、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）が低温側基準温度（T_cool）となるように、温度制御判断処理部６２は、熱電クーラ２４を放熱させる加熱制御を行う（図９：ステップＳ９０６／加熱制御工程）。
【００８２】
次に、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）が低温側基準温度（T_cool）と同じ値であるＥＡバイアス電圧の設定値が設定値読出処理部７６の機能によって内部メモリ４６から読み出される（図９：ステップＳ９０７）。読み出した設定値は、現在使用するＥＡバイアス電圧値として内部メモリ４６に格納し、内部メモリ４６内の情報が最新の情報に更新されるとともに、バイアス電圧設定処理部８０は、更新したＥＡバイアス電圧値を生成する制御を行う（図９：Ｓ９０８、Ｓ９０９／低温側バイアス設定工程）。
【００８３】
次に、終了判定処理が行われて、継続する場合には、ケース温度（ＴＣ）とＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）とを温度測定する処理（図９：ステップＳ９０２）に戻って、以降の処理が行われる。
【００８４】
次に、ケース温度と、予め設定された低温側および高温側基準温度（T_cool, T_heat）とをそれぞれ比較した結果（図９：ステップＳ９０３／比較工程）、ケース温度が高温側基準温度以上である（ＴＣ≧T_heat）と判定された場合（図９：ステップＳ９１１／高温側基準温度以上判定工程）では、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）が高温側基準温度（T_heat）よりも大きいか否かが比較される（図９：ステップＳ９１２）。
【００８５】
ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）が高温側基準温度（T_heat）よりも大きかった場合に、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）が高温側基準温度（T_heat）となるように、温度制御判断処理部６２は、熱電クーラ２４を吸熱させる冷却制御を行う（図９：ステップＳ９１３／冷却制御工程）。
【００８６】
次に、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）が高温側基準温度（T_heat）と同じ値であるＥＡバイアス電圧の設定値が設定値読出処理部７６の機能によって内部メモリ４６から読み出される（ステップＳ９１４）。次に、内部メモリ４６から設定値読出処理部７６が読み出した設定値を、現在使用するＥＡバイアス電圧値として内部メモリ４６に格納し、内部メモリ４６を更新するとともに、バイアス電圧設定処理部８０は、更新したＥＡバイアス電圧値を生成する制御を行う（図９：ステップＳ９０８、Ｓ９０９／高温側バイアス設定工程）。
【００８７】
次に、終了判定処理が行われて、継続する場合には、ケース温度とＥＡ変調器温度とを温度測定する処理（図９：ステップＳ９０２）に戻って、以降の処理が行われる。
【００８８】
次に、ケース温度と、低温側および高温側基準温度とをそれぞれ比較した（図９：ステップＳ９０３）結果、低温側基準温度よりもケース温度が大きく、さらにケース温度よりも高温側基準温度が大きい（T_cool＜ＴＣ＜T_heat）と判定された場合では（図９：ステップＳ９１５／温度判定工程）、加熱制御をしていた場合にはその加熱を停止し、逆に冷却制御をしていた場合にはその冷却を停止するように温度制御判断処理部６２の制御が行われる（図９：ステップＳ９１６）。
【００８９】
これらの制御は、上述したステップＳ９０５およびステップＳ９１２にて、それぞれ否定判定（No）だった場合、すなわち、それぞれ、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）が低温側基準温度（T_cool）以上であった場合およびＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）が高温側基準温度（T_heat）以下であった場合にもこの停止制御がそれぞれ行われる（図９：ステップＳ９１６）。
【００９０】
次いで、ＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）に対応するＥＡバイアス電圧の設定値が内部メモリ４６から設定値読出処理部７６に読み出される（図９：ステップＳ９１７）。
【００９１】
その後、上述したように、読み出した設定値を現在使用するＥＡバイアス電圧値として内部メモリ４６の保持値を更新し（図９：ステップＳ９０８）、バイアス電圧設定処理部８０は、更新したＥＡバイアス電圧値を生成する制御を行う（図９：ステップＳ９０９）。
【００９２】
さらに終了判定処理が行われて、継続する場合には、ケース温度（ＴＣ）とＥＡ変調器温度（ＴＥＡ）とを温度測定する処理（図９：ステップＳ９０２）に戻って、以降の処理が行われる。
【００９３】
上記実施例の温度制御および光出力制御は、それぞれ温度変化を検出してから制御を行うフィードバック制御以外に、温度変化を予測して制御を行うフィードフォワード制御も適用することができる。
【００９４】
ここで、上述した実施形態における動作にあって、上記各工程で実行される各実行内容をプログラム化し、そのプログラムをコンピュータに機能させるようにしてもよい。この場合、本プログラムは、非一時的な記録媒体、たとえば、DVD（商標）、CD（商標）、フラッシュメモリなどに読み出し可能に記録されてもよい。その場合、本プログラムは、記録媒体からコンピュータによって読み出され、実行される。
【００９５】
（実施形態の効果）
以上のように、本実施形態の光送受信装置１０によれば、制御回路１４は、ＥＡ変調器温度とＥＡバイアス電圧とを用いて所望する消光比が得られるようにする設定値を予めメモリ回路４４にテーブル情報６００（図６）として作成し、この作成したテーブル情報６００に基づいてＥＡ変調器２２に対する温度制御と出力制御とを実行するので、低温側基準温度から高温側基準温度までの範囲３０４（図３）内では電力消費を削減することができる。また、その範囲３０４内ではＥＡ変調器２２の温度に応じたＥＡバイアス電圧を設定することで、ＥＡ変調器２２の出力を安定化することができる。
【００９６】
また、ケース温度が低温側基準温度以下および高温側基準温度以上の範囲３００、３０２（図３）では、それぞれＥＡ変調器２２に対し加熱および冷却のいずれかを行ってその温度を一定化するともに、それぞれ予め設定したバイアス電圧をＥＡ変調器２２に与えて、ＥＡ変調器２２の出力を安定化させることができる。
【００９７】
これらの結果、広範囲の温度条件で良好な光出力特性が得られるとともに、電力消費を大幅に低減させることができる。
【００９８】
上述した各実施形態については、その新規な技術内容をまとめると、以下のようになる。
【００９９】
ここで、上記各実施形態の一部または全部は、新規な技術として以下のようにまとめられるが、本発明は必ずしもこれに限定されるものではない。
（付記１）
レーザ光を発する光源と、前記レーザ光を変調する変調器と、前記変調器の変調器温度を検出する変調器温度検出素子と、前記変調器を加熱する機能および冷却する機能を有して温度制御する温度制御素子とを含む光送信部を有し、
前記光送信部の各部の動作を制御する主制御部と、前記変調器用のバイアス電圧を設定するために予め作成したテーブル情報を記録するメモリ部と、前記光送信部、前記主制御部および前記メモリ部を収容する筐体を設けると共に当該筐体の筐体温度を検出する筐体温度検出素子とを備え、
前記主制御部は、
前記筐体温度が予め設定された低温側基準温度および高温側基準温度の範囲内にある場合に機能し、前記変調器に対する温度制御素子の加熱および冷却に係る各制御動作を停止する機能と、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下にある場合に機能し、前記温度制御素子を加熱制御するとともに、前記低温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定する機能と、
前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にある場合に機能し、前記温度制御素子を冷却制御するとともに、前記高温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定する機能とを備えていることを特徴とする光送信装置。
（付記２）
付記１に記載の装置において、
前記主制御部は、前記筐体温度が前記低温側基準温度および前記高温側基準温度の範囲内にある場合に機能し、前記変調器用のバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器温度に対応するバイアス電圧に設定する機能を備えていることを特徴とする光送信装置。
（付記３）
付記１に記載の装置において、
前記テーブル情報は、予め前記変調器の使用目的に応じて特定される消光比を設定し、前記消光比が得られる変調器温度とバイアス電圧との対応に基づいて作成された情報であることを特徴とする光送信装置。
（付記４）
付記３に記載の装置において、
前記主制御部は、前記テーブル情報を作成して前記メモリ部に記録するテーブル作成処理部を予め備えていることを特徴とする光送信装置。
（付記５）
付記１に記載の装置において、前記主制御部は、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下にあって前記温度制御素子を加熱制御している場合に機能し、前記変調器温度が前記低温側基準温度以上である場合には前記加熱制御を停止制御すると共に、
前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にあって前記温度制御素子を冷却制御している場合に機能し、前記変調器温度が前記高温側基準温度以下である場合には前記冷却制御を停止制御する停止判定制御機能を有することを特徴とする光送信装置。
（付記６）
付記１ないし５のいずれか一項に記載の光送信装置と、伝送される光信号を光ファイバを介して受信する光受信装置とを備えたことを特徴とする光送受信装置。
（付記７）
レーザ光を発する光源と、前記レーザ光を変調する変調器と、前記変調器の変調器温度を検出する変調器温度検出素子と、前記変調器を加熱する機能および冷却する機能を有して温度制御する温度制御素子とを含む光送信部を有し、前記光送信部の各部の動作を制御する主制御部と、前記変調器用のバイアス電圧を設定するために予め作成したテーブル情報を記録するメモリ部と、前記光送信部、前記主制御部および前記メモリ部を収容する筐体を設けると共に当該筐体の筐体温度を検出する筐体温度検出素子とを備えて成る光送信装置にあって、
前記筐体温度検出素子により検出される前記筐体温度が予め設定された低温側基準温度および高温側基準温度の範囲内にある場合に（温度判定工程）、前記変調器に対する温度制御素子の加熱および冷却に係る各制御動作を停止し（加熱冷却停止工程）、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下にある場合に（低温側基準温度以下判定工程）、前記変調器温度が前記低温側基準温度になるように前記温度制御素子を加熱制御する（加熱制御工程）と共に前記低温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定し（低温側バイアス設定工程）、
前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にある場合に（高温側基準温度以上判定工程）、前記変調器温度が前記高温側基準温度になるように前記温度制御素子を冷却制御する（冷却制御工程）と共に前記高温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定し（高温側バイアス設定工程）、
これらの各設定制御動作を前記主制御部が順次実行することを特徴とする光送信装置用動作制御方法。
（付記８）
付記７に記載の方法において、
前記筐体温度が予め設定した低温側基準温度および高温側基準温度の範囲内にある場合（温度判定工程）に、前記変調器用のバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器温度に対応するバイアス電圧に前記主制御部が設定（温度範囲内バイアス電圧設定工程）することを特徴とする光送信装置用動作制御方法。
（付記９）
付記７に記載の方法において、
予め前記変調器の使用目的に応じて特定される消光比を設定し、前記消光比が得られる変調器温度とバイアス電圧との対応に基づいて前記テーブル情報を作成する（テーブル作成処理工程）ことを特徴とする光送信装置用動作制御方法。
（付記１０）
レーザ光を発する光源と、前記レーザ光を変調する変調器と、前記変調器の変調器温度を検出する変調器温度検出素子と、前記変調器を加熱する機能および冷却する機能を有して温度制御する温度制御素子とを含む光送信部を有し、前記光送信部の各部の動作を制御する主制御部と、前記変調器用のバイアス電圧を設定するために予め作成したテーブル情報を記録するメモリ部と、前記光送信部、前記主制御部および前記メモリ部を収容する筐体を設けると共に当該筐体の筐体温度を検出する筐体温度検出素子とを備えて成る光送信装置にあって、
前記筐体温度検出素子により検出される前記筐体温度が予め設定された低温側基準温度および高温側基準温度の温度範囲内にあることを判定する温度範囲内判定機能、
前記筐体温度が前記温度範囲内の場合に機能し前記変調器に対する温度制御素子の加熱および冷却に係る各制御動作を停止する加熱冷却停止制御機能、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下にあることを判定する低温側基準温度以下判定機能、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下である場合に機能し前記温度制御素子を加熱制御する低温側基準温度以下加熱機能、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下である場合に機能し前記低温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定する低温側バイアス設定機能、
前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にあることを判定する高温側基準温度以上判定機能と、
前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にある場合に機能し前記温度制御素子を冷却制御する高温側基準温度以上冷却機能、
および前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にある場合に機能し前記高温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定する高温側バイアス設定機能を設け、
これらの機能を前記主制御部が備えているコンピュータに実現させるようにしたことを特徴とする光送信装置用動作制御プログラム。
（付記１１）
付記１０に記載のプログラムにおいて、前記筐体温度が前記温度範囲内の場合に機能し前記変調器用のバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器温度に対応するバイアス電圧に設定する温度範囲内バイアス電圧設定機能を備える構成としたことを特徴とする光送信装置用動作制御プログラム。
（付記１２）
付記１０に記載のプログラムにおいて、予め前記変調器の使用目的に応じて特定される消光比を設定し、前記消光比が得られる変調器温度とバイアス電圧との対応に基づいて前記テーブル情報を作成するテーブル作成処理機能を備える構成としたことを特徴とする光送信装置用制御プログラム。
【符号の説明】
【０１００】
１０ 光送受信装置
１２ 光受信器（光受信部）
１４ 制御回路（主制御部）
１６ 光送信器（光送信部）
２０ レーザダイオード（ＬＤ、光源）
２２ ＥＡ変調器（変調器）
２４ 温熱クーラ（ＴＥＣ、温度制御素子）
２６ 変調器温度検出素子
３６ 変調器温度モニタ回路
４０ ケース温度検出素子（筐体温度検出素子）
４２ ケース温度モニタ回路
４４ メモリ回路（メモリ部）
５８ ケース温度比較処理部
６０ 温度判定処理部
６２ 温度制御判断処理部
６４ ＴＥＣ駆動制御部
７０ 消光比設定処理部
７２ 設定値入力処理部
７４ 組合せ保存処理部
７８ 設定値選択処理部
７６ 設定値読出処理部
８０ バイアス電圧設定処理部
８４ テーブル作成処理部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を発する光源と、前記レーザ光を変調する変調器と、前記変調器の変調器温度を検出する変調器温度検出素子と、前記変調器を加熱する機能および冷却する機能を有して温度制御する温度制御素子とを含む光送信部を有し、
前記光送信部の各部の動作を制御する主制御部と、前記変調器用のバイアス電圧を設定するために予め作成したテーブル情報を記録するメモリ部と、前記光送信部、前記主制御部および前記メモリ部を収容する筐体を設けると共に当該筐体の筐体温度を検出する筐体温度検出素子とを備え、
前記主制御部は、
前記筐体温度が予め設定された低温側基準温度および高温側基準温度の範囲内にある場合に機能し、前記変調器に対する温度制御素子の加熱および冷却に係る各制御動作を停止する機能と、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下にある場合に機能し、前記温度制御素子を加熱制御するとともに、前記低温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定する機能と、
前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にある場合に機能し、前記温度制御素子を冷却制御するとともに、前記高温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定する機能とを備えていることを特徴とする光送信装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置において、
前記主制御部は、前記筐体温度が前記低温側基準温度および前記高温側基準温度の範囲内にある場合に機能し、前記変調器用のバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器温度に対応するバイアス電圧に設定する機能を備えていることを特徴とする光送信装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置において、
前記テーブル情報は、予め前記変調器の使用目的に応じて特定される消光比を設定し、前記消光比が得られる変調器温度とバイアス電圧との対応に基づいて作成された情報であることを特徴とする光送信装置。
【請求項４】
請求項３に記載の装置において、
前記主制御部は、前記テーブル情報を作成して前記メモリ部に記録するテーブル作成処理部を予め備えていることを特徴とする光送信装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置において、前記主制御部は、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下にあって前記温度制御素子を加熱制御している場合に機能し、前記変調器温度が前記低温側基準温度以上である場合には前記加熱制御を停止制御すると共に、
前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にあって前記温度制御素子を冷却制御している場合に機能し、前記変調器温度が前記高温側基準温度以下である場合には前記冷却制御を停止制御する停止判定制御機能を有することを特徴とする光送信装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の光送信装置と、伝送される光信号を光ファイバを介して受信する光受信装置とを備えたことを特徴とする光送受信装置。
【請求項７】
レーザ光を発する光源と、前記レーザ光を変調する変調器と、前記変調器の変調器温度を検出する変調器温度検出素子と、前記変調器を加熱する機能および冷却する機能を有して温度制御する温度制御素子とを含む光送信部を有し、前記光送信部の各部の動作を制御する主制御部と、前記変調器用のバイアス電圧を設定するために予め作成したテーブル情報を記録するメモリ部と、前記光送信部、前記主制御部および前記メモリ部を収容する筐体を設けると共に当該筐体の筐体温度を検出する筐体温度検出素子とを備えて成る光送信装置にあって、
前記筐体温度検出素子により検出される前記筐体温度が予め設定された低温側基準温度および高温側基準温度の範囲内にある場合に、前記変調器に対する温度制御素子の加熱および冷却に係る各制御動作を停止し、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下にある場合に、前記変調器温度が前記低温側基準温度になるように前記温度制御素子を加熱制御すると共に前記低温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定し、
前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にある場合に、前記変調器温度が前記高温側基準温度になるように前記温度制御素子を冷却制御すると共に前記高温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定し、
これらの各設定制御動作を前記主制御部が順次実行することを特徴とする光送信装置用動作制御方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法において、
前記筐体温度が予め設定した低温側基準温度および高温側基準温度の範囲内にある場合に、前記変調器用のバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器温度に対応するバイアス電圧に前記主制御部が設定することを特徴とする光送信装置用動作制御方法。
【請求項９】
レーザ光を発する光源と、前記レーザ光を変調する変調器と、前記変調器の変調器温度を検出する変調器温度検出素子と、前記変調器を加熱する機能および冷却する機能を有して温度制御する温度制御素子とを含む光送信部を有し、前記光送信部の各部の動作を制御する主制御部と、前記変調器用のバイアス電圧を設定するために予め作成したテーブル情報を記録するメモリ部と、前記光送信部、前記主制御部および前記メモリ部を収容する筐体を設けると共に当該筐体の筐体温度を検出する筐体温度検出素子とを備えて成る光送信装置にあって、
前記筐体温度検出素子により検出される前記筐体温度が予め設定された低温側基準温度および高温側基準温度の温度範囲内にあることを判定する温度範囲内判定機能、
前記筐体温度が前記温度範囲内の場合に機能し前記変調器に対する温度制御素子の加熱および冷却に係る各制御動作を停止する加熱冷却停止制御機能、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下にあることを判定する低温側基準温度以下判定機能、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下である場合に機能し前記温度制御素子を加熱制御する低温側基準温度以下加熱機能、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下である場合に機能し前記低温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定する低温側バイアス設定機能、
前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にあることを判定する高温側基準温度以上判定機能と、
前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にある場合に機能し前記温度制御素子を冷却制御する高温側基準温度以上冷却機能、
および前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にある場合に機能し前記高温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定する高温側バイアス設定機能を設け、
これらの機能を前記主制御部が備えているコンピュータに実現させるようにしたことを特徴とする光送信装置用動作制御プログラム。
【請求項１０】
請求項９に記載のプログラムにおいて、
前記筐体温度が前記温度範囲内の場合に機能し前記変調器用のバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器温度に対応するバイアス電圧に設定する温度範囲内バイアス電圧設定機能を備える構成としたことを特徴とする光送信装置用動作制御プログラム。
【請求項１】
レーザ光を発する光源と、前記レーザ光を変調する変調器と、前記変調器の変調器温度を検出する変調器温度検出素子と、前記変調器を加熱する機能および冷却する機能を有して温度制御する温度制御素子とを含む光送信部を有し、
前記光送信部の各部の動作を制御する主制御部と、前記変調器用のバイアス電圧を設定するために予め作成したテーブル情報を記録するメモリ部と、前記光送信部、前記主制御部および前記メモリ部を収容する筐体を設けると共に当該筐体の筐体温度を検出する筐体温度検出素子とを備え、
前記主制御部は、
前記筐体温度が予め設定された低温側基準温度および高温側基準温度の範囲内にある場合に機能し、前記変調器に対する温度制御素子の加熱および冷却に係る各制御動作を停止する機能と、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下にある場合に機能し、前記温度制御素子を加熱制御するとともに、前記低温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定する機能と、
前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にある場合に機能し、前記温度制御素子を冷却制御するとともに、前記高温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定する機能とを備えていることを特徴とする光送信装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置において、
前記主制御部は、前記筐体温度が前記低温側基準温度および前記高温側基準温度の範囲内にある場合に機能し、前記変調器用のバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器温度に対応するバイアス電圧に設定する機能を備えていることを特徴とする光送信装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置において、
前記テーブル情報は、予め前記変調器の使用目的に応じて特定される消光比を設定し、前記消光比が得られる変調器温度とバイアス電圧との対応に基づいて作成された情報であることを特徴とする光送信装置。
【請求項４】
請求項３に記載の装置において、
前記主制御部は、前記テーブル情報を作成して前記メモリ部に記録するテーブル作成処理部を予め備えていることを特徴とする光送信装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置において、前記主制御部は、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下にあって前記温度制御素子を加熱制御している場合に機能し、前記変調器温度が前記低温側基準温度以上である場合には前記加熱制御を停止制御すると共に、
前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にあって前記温度制御素子を冷却制御している場合に機能し、前記変調器温度が前記高温側基準温度以下である場合には前記冷却制御を停止制御する停止判定制御機能を有することを特徴とする光送信装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の光送信装置と、伝送される光信号を光ファイバを介して受信する光受信装置とを備えたことを特徴とする光送受信装置。
【請求項７】
レーザ光を発する光源と、前記レーザ光を変調する変調器と、前記変調器の変調器温度を検出する変調器温度検出素子と、前記変調器を加熱する機能および冷却する機能を有して温度制御する温度制御素子とを含む光送信部を有し、前記光送信部の各部の動作を制御する主制御部と、前記変調器用のバイアス電圧を設定するために予め作成したテーブル情報を記録するメモリ部と、前記光送信部、前記主制御部および前記メモリ部を収容する筐体を設けると共に当該筐体の筐体温度を検出する筐体温度検出素子とを備えて成る光送信装置にあって、
前記筐体温度検出素子により検出される前記筐体温度が予め設定された低温側基準温度および高温側基準温度の範囲内にある場合に、前記変調器に対する温度制御素子の加熱および冷却に係る各制御動作を停止し、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下にある場合に、前記変調器温度が前記低温側基準温度になるように前記温度制御素子を加熱制御すると共に前記低温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定し、
前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にある場合に、前記変調器温度が前記高温側基準温度になるように前記温度制御素子を冷却制御すると共に前記高温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定し、
これらの各設定制御動作を前記主制御部が順次実行することを特徴とする光送信装置用動作制御方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法において、
前記筐体温度が予め設定した低温側基準温度および高温側基準温度の範囲内にある場合に、前記変調器用のバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器温度に対応するバイアス電圧に前記主制御部が設定することを特徴とする光送信装置用動作制御方法。
【請求項９】
レーザ光を発する光源と、前記レーザ光を変調する変調器と、前記変調器の変調器温度を検出する変調器温度検出素子と、前記変調器を加熱する機能および冷却する機能を有して温度制御する温度制御素子とを含む光送信部を有し、前記光送信部の各部の動作を制御する主制御部と、前記変調器用のバイアス電圧を設定するために予め作成したテーブル情報を記録するメモリ部と、前記光送信部、前記主制御部および前記メモリ部を収容する筐体を設けると共に当該筐体の筐体温度を検出する筐体温度検出素子とを備えて成る光送信装置にあって、
前記筐体温度検出素子により検出される前記筐体温度が予め設定された低温側基準温度および高温側基準温度の温度範囲内にあることを判定する温度範囲内判定機能、
前記筐体温度が前記温度範囲内の場合に機能し前記変調器に対する温度制御素子の加熱および冷却に係る各制御動作を停止する加熱冷却停止制御機能、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下にあることを判定する低温側基準温度以下判定機能、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下である場合に機能し前記温度制御素子を加熱制御する低温側基準温度以下加熱機能、
前記筐体温度が前記低温側基準温度以下である場合に機能し前記低温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定する低温側バイアス設定機能、
前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にあることを判定する高温側基準温度以上判定機能と、
前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にある場合に機能し前記温度制御素子を冷却制御する高温側基準温度以上冷却機能、
および前記筐体温度が前記高温側基準温度以上にある場合に機能し前記高温側基準温度に対応するバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器に設定する高温側バイアス設定機能を設け、
これらの機能を前記主制御部が備えているコンピュータに実現させるようにしたことを特徴とする光送信装置用動作制御プログラム。
【請求項１０】
請求項９に記載のプログラムにおいて、
前記筐体温度が前記温度範囲内の場合に機能し前記変調器用のバイアス電圧を前記テーブル情報に基づいて前記変調器温度に対応するバイアス電圧に設定する温度範囲内バイアス電圧設定機能を備える構成としたことを特徴とする光送信装置用動作制御プログラム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１２−１６８４１０（Ｐ２０１２−１６８４１０Ａ）
【公開日】平成２４年９月６日（２０１２．９．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−３０２２９（Ｐ２０１１−３０２２９）
【出願日】平成２３年２月１５日（２０１１．２．１５）
【出願人】（０００００４２３７）日本電気株式会社 (19,353)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月６日（２０１２．９．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年２月１５日（２０１１．２．１５）
【出願人】（０００００４２３７）日本電気株式会社 (19,353)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]