説明

共役オレフィンのホモ重合又は共重合方法

【課題】エチレン系不飽和付加モノマーの重合又は共重合に適した新たな触媒の提供。
【解決手段】A)式3,4及び5の金属錯体とB)特定の活性剤との反応生成物である、エチレン系不飽和付加重合性モノマーの重合又は共重合の触媒に適した、金属錯体触媒を開示する。


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【特許請求の範囲】
【請求項1】
A)式3、4及び5:
【化1】

[式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10及びX2は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン原子又は1〜80個(水素は数えずに)の原子を有する基、即ち、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリル、ハロ−置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ−置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルアミノ−置換ヒドロカルビル又はヒドロカルビルシリル−置換ヒドロカルビルであり;
Iはランタン、セリウム、プラセオジム又はプロメチウムであり;
IIはリチウム、ナトリウム、カリウム又はマグネシウムであり;
Nは窒素原子であり;
1はフッ化物、塩化物、臭化物又はヨウ化物であり;
DはTHF、DME又はEt2Oであり;
tは0、1、2、3、4、5又は6の数であり;
sは0、1又は2の数であり;
oは1又は2の数であり;
pは1又は2の数であり;
kは0、1、2、3又は4の数であり;
i、iiは0、1又は2の数であって、i及びiiの合計が1、2又は3の数の1つを表す]の金属錯体;並びに
B)a)C1〜C30有機硼素化合物又は有機アルミニウム化合物
b)ポリマー又はオリゴマーアルモキサン
c)非ポリマー相溶性、非配位性、イオン形成性化合物、並びに
d)ヒドロカルビルナトリウム、ヒドロカルビルリチウム、ヒドロカルビル亜鉛、ヒドロカルビルマグネシウムハロゲン化物及びジヒドロカルビルマグネシウム
から選ばれる少なくとも1種の活性剤
のA)及びB)を−78℃〜250℃の温度で反応媒体中で一緒にした反応生成物である、エチレン系不飽和付加モノマーの重合又は共重合を触媒するのに適した金属錯体触媒。
【請求項2】
反応媒体が、温度−5℃〜160℃の、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素及びハロ炭化水素の少なくとも1種から選ばれたものである請求項1に記載の触媒。
【請求項3】
Iがネオジムであり、MIIがリチウム、ナトリウム又はカリウムである請求項1に記載の触媒。
【請求項4】
担体を更に含む請求項1に記載の触媒。
【請求項5】
担体がクレイ、シリカ、層状珪酸塩、アルミナ、活性炭、グラファイト及びカーボンブラックの少なくとも一つから選ばれる請求項4に記載の触媒。
【請求項6】
活性剤が
a)各アルキル基の炭素数が1〜4であるトリアルキルアルミニウム化合物及び
b)それぞれ炭素数が1〜20のヒドロカルビル基を有する、ハロゲン化トリ(ヒドロカルビル)硼素化合物又はハロゲン化テトラキス(ヒドロカルビル)硼素もしくはアルミニウム化合物
の組合せを含む請求項1に記載の触媒。
【請求項7】
活性剤が
a)トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート又はテトラキス(3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル)ボレート及び
b)ポリマー又はオリゴマーアルモキサン
の組合せを含む請求項1に記載の触媒。
【請求項8】
活性剤が
a)トリアルキルアルミニウム又はジアルキルアルミニウムヒドリド及び
b)三フッ化硼素、三塩化硼素、三臭化硼素、三フッ化アルミニウム、三塩化アルミニウム、三臭化アルミニウム、三フッ化スカンジウム又は四フッ化チタン
の組合せを含む請求項1に記載の触媒。
【請求項9】
下記式:
【化2】

[式中、MIは元素周期表の第3族、第4族若しくは第5族の金属、ランタニド金属又はアクチニド金属であるが、但し、金属錯体が式Ia又はIbである場合にはMIはランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム若しくは元素周期表の第3族金属又はアクチニド元素であり;
IIは元素周期表の第1族又は第2族の一つの金属であり;
Tは窒素又は燐であり;
Pは炭素原子、窒素原子又は燐原子であり;
1、R2、R3、R5及びR6は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン原子又は1〜80個(水素を数えずに)の原子を有する、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリル、ハロ−置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ−置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルアミノ−置換ヒドロカルビル及びヒドロカルビルシリル−置換ヒドロカルビルからなる群から選ばれる基であり;且つ基R1、R2及びR3は互いに結合でき;
Yは2つの基を結合する二価架橋基であり、Yは1〜80個(水素を数えずに)の原子を有する基、即ち、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリル、ハロ−置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ−置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルアミノ−置換ヒドロカルビル又はヒドロカルビルシリル−置換ヒドロカルビルであり;
1、X2それぞれ独立して、60個以下の原子を有するアニオン性配位子基であるが、但し、X1又はX2は、Mにπ結合した非局在化芳香族基又はMにπ結合した非局在化アリル基ではなく;
Dは、それぞれ独立に、30個以下の非水素原子を有する中性ルイス塩基配位子であり;
sは0、1、3又は4の数であり
oは1又は2の数であり;
kは0、1、2、3又は4の数であり;
i,iiは、それぞれ独立に、0、1、2、3又は4の数であり;
pは1又は2であり;
mは0又は1の数であり;
a、b、c、d及びeは、それぞれ独立に、1、2、3又は4の数であり;
tは0〜5の数の1つであり;且つ
yは1〜20の数の1つである]
の一つに係る金属錯体。

【公開番号】特開2011−93934(P2011−93934A)
【公開日】平成23年5月12日(2011.5.12)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−20777(P2011−20777)
【出願日】平成23年2月2日(2011.2.2)
【分割の表示】特願2006−503716(P2006−503716)の分割
【原出願日】平成16年2月18日(2004.2.18)
【出願人】(502141050)ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー (1,383)
【Fターム(参考)】