処理液供給装置および処理液供給方法
【課題】高純度な処理液を基板に供給することができる処理液供給装置および処理液供給方法を提供する。
【解決手段】処理液供給装置３は、鉛直方向に沿って配置され、下端部の径が小さくなるように形成された円筒状の処理液容器８を備える。処理液容器８の内部には処理液が貯留され、下端部は処理液が吐出される処理液吐出口１２となっている。処理液容器８の上部には、配管１３が接続されており、配管１３を介して負圧源としての真空装置（図示せず）が接続され、配管１３には処理液容器８内に気体（たとえば大気）を導入するための気体導入配管１４が分岐接続されている。処理液容器８に貯留された処理液は、処理液容器８に気体を導入することによって重力落下により基板Ｗに吐出され、処理液容器８への気体の導入を停止することによって処理液の吐出が停止される。
【解決手段】処理液供給装置３は、鉛直方向に沿って配置され、下端部の径が小さくなるように形成された円筒状の処理液容器８を備える。処理液容器８の内部には処理液が貯留され、下端部は処理液が吐出される処理液吐出口１２となっている。処理液容器８の上部には、配管１３が接続されており、配管１３を介して負圧源としての真空装置（図示せず）が接続され、配管１３には処理液容器８内に気体（たとえば大気）を導入するための気体導入配管１４が分岐接続されている。処理液容器８に貯留された処理液は、処理液容器８に気体を導入することによって重力落下により基板Ｗに吐出され、処理液容器８への気体の導入を停止することによって処理液の吐出が停止される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板に対して処理液を用いた処理を施すための基板処理装置において、基板に処理液を供給するための処理液供給装置および処理液供給方法に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
たとえば、半導体装置の製造工程では、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の表面に対して処理液を用いた処理が行われる。たとえば、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、図４に示すような基板処理装置を用いて基板処理が行われる。
【０００３】
図４に示す基板処理装置１０１は、基板Ｗをほぼ水平に保持して回転させることができるスピンチャック１０２と、このスピンチャック１０２に保持された基板Ｗに処理液を供給するための処理液供給装置１０３とを備えている。
【０００４】
処理液供給装置１０３は、スピンチャック１０２に保持された基板Ｗの中央部に処理液を供給する処理液供給ノズル１０４を備えており、処理液供給ノズル１０４には処理液供給配管１０５を通して処理液が供給されるようになっている。処理液は、処理液タンク１０６に貯留されていて、この処理液タンク１０６からポンプ１０７によって汲み出され、処理液供給配管１０５を介して処理液供給ノズル１０４に送られる。処理液供給配管１０５には、ポンプ１０７の下流側に、温度調節器１０８、フィルタ１０９、流量計１１０、流量調節バルブ１１１および処理液供給バルブ１１２が介装されている。温度調節器１０８は、処理液供給配管１０５を処理液供給ノズル１０４に向けて送られる処理液の温度を、処理に適した一定温度に調節するためのものであり、フィルタ１０９は、処理液中の異物を除去するためのものであり、流量計１１０は処理液供給ノズル１０４に送液される処理液の流量を監視するためのものであり、流量調節バルブ１１１は処理液供給ノズル１０４に送液される処理液の流量を調節するためのものであり、処理液供給バルブ１１２は処理液供給ノズル１０４への処理液の供給と停止を切り替えるためのものである。また、処理液供給配管１０５には、流量調節バルブ１１１と処理液供給バルブ１１２との間において、処理液帰還配管１１３が分岐接続されている。処理液帰還配管１１３の先端は、処理液タンク１０６に接続されており、処理液帰還配管１１３の途中部には、処理液帰還バルブ１１４が介装されている。
【０００５】
基板処理装置１０１の運転中は、ポンプ１０７および温度調節器１０８は常に駆動されており、基板Ｗの表面に処理液による処理が行われる時（基板Ｗの表面への処理液の供給が行われる時）には、処理液帰還バルブ１１４が閉じられるとともに処理液供給バルブ１１２が開かれて、処理液タンク１０６から処理液供給配管１０５を流れる処理液が処理液供給ノズル１０４へ供給される。一方、基板Ｗの処理が行われない時（基板Ｗの表面への処理液の供給が行われない時）には、処理液供給バルブ１１２が閉じられるとともに処理液帰還バルブ１１４が開かれて、処理液供給配管１０５を流れる処理液が処理液帰還配管１１３を通して処理液タンク１０６に戻される。これにより、基板Ｗの処理が行われない時には、処理液タンク１０６、処理液供給配管１０５および処理液帰還配管１１３からなる処理液循環路を処理液が循環することになる。こうして処理液が循環していることによって、処理液供給バルブ１１２が開かれた後、速やかに、基板Ｗに供給すべき処理液が処理液供給ノズル１０４に供給される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１７９３２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、このような基板処理装置における処理液供給装置では、処理液タンクに高純度の処理液が貯留されていたとしても、処理液は基板に供給されるまでに、ポンプ、温度調節器、フィルタ、流量計、流量調節バルブ、処理液供給バルブなどの数多くの部品を通過するため、これらの部品により汚染された処理液が基板に供給される恐れがあった。また、配管における部品の接続部分が多くなるため、処理液汚染の原因となる液溜まり部が配管中に増加し、配管内の洗浄作業を行う必要があった。さらに、ポンプもしくは処理液タンクを加圧することにより処理液が送液されるため、配管に負荷がかかり、配管の劣化を助長していた。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、基板に対して処理液を用いた処理を施すための基板処理装置において、高純度な処理液を基板に供給することができる処理液供給装置および処理液供給方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に係る発明は、基板に処理液を供給するための処理液供給装置（３）であって、
処理液を貯留するための処理液容器（８）と、前記処理液容器の下方に配置され、前記処理液容器に貯留された処理液を基板に吐出する処理液吐出口（１２）と、前記処理液容器に気体を導入するための気体導入手段（１３、１４、１６）と、前記処理液容器に気体を導入することにより、前記処理液容器に貯留された処理液を重力落下によって前記処理液吐出口から基板に吐出させ、前記処理液容器内への気体の導入を停止することによって前記処理液吐出口からの処理液の吐出を停止させるように前記気体導入手段を制御する制御装置（２２）とを備えることを特徴とする処理液供給装置である。なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
【００１０】
本発明によれば、処理液容器に貯留された処理液は、処理液容器に気体が導入されることによる重力落下によって処理液吐出口から基板に向けて吐出される。そして、処理液容器内への気体の導入を停止させることによって処理液吐出口からの処理液の吐出を停止させる。したがって、処理液容器と処理液吐出口との間の処理液流路には、処理液の供給と停止動作を切り替えるためのバルブを設けなくてもよい。したがって、処理液流路を流れる処理液がバルブに接触することなく、処理液吐出口から基板に供給される。これにより、処理液容器と処理液吐出口との間に配置される部品を省くことができ、処理液容器に貯留された高純度な処理液が汚染されることなく処理液吐出口から基板に吐出される。したがって、本発明によれば、高純度な処理液を基板に供給することができる。
【００１１】
前記気体導入手段は、前記処理液容器内を大気開放系にするものであってもよい。（請求項２）
【００１２】
この発明によれば、処理液容器内を大気開放系にすることによって、処理液容器内に大気が導入される。これにより、処理液容器に貯留された処理液が重力落下によって処理液吐出口から吐出される。
【００１３】
請求項３に係る発明は、前記処理液容器内を負圧にする負圧手段（１３、１５）と、前記処理液容器とは別に設けられ、処理液を貯留するための処理液貯留部（１７）とをさらに備え、前記処理液容器と前記処理液貯留部を接続しつつ、前記制御装置は前記処理液容器内を負圧にするように前記負圧手段を制御することを特徴とする請求項１または２記載の処理液供給装置である。
【００１４】
この発明によれば、処理液容器と処理液貯留部とを接続した状態で、負圧手段によって処理液容器内を負圧にすることにより、処理液貯留部に貯留された処理液が処理液容器内に送られる。したがって、処理液貯留部から処理液容器へ処理液を送る際に、ポンプや加圧手段を用いる必要がなく、処理液貯留部に貯留された高純度な処理液が汚染されることなく処理液容器に送られ、処理液吐出口から基板に吐出される。
【００１５】
請求項４に係る発明は、基板に処理液を供給するための処理液供給方法であって、処理液容器に気体を導入することによって前記処理液容器に貯留された処理液が前記処理液容器の下方に配置された処理液吐出口から重力落下によって基板に吐出される処理液吐出工程（Ｓ４）と、前記処理液容器への気体の導入を停止することによって前記処理液吐出口からの処理液の吐出を停止させる処理液吐出停止工程（Ｓ５）と、を備えることを特徴とする処理液供給方法である。この発明によれば、請求項１に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
【００１６】
前記処理液吐出工程は、前記処理液容器内を大気開放系にすることを特徴とする請求項４記載の処理液供給方法である。（請求項５）この発明によれば、請求項２に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
【００１７】
請求項６に係る発明は、前記処理液容器と、前記処理液容器とは別に設けられた処理液を貯留するための処理液貯留部とを接続しつつ、前記処理液容器内を負圧にする負圧工程（Ｓ２）をさらに備えることを特徴とする請求項４または５記載の処理液供給方法である。この発明によれば、請求項３に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の図解的な断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る基板処理装置による処理動作を示すフローチャートである。
【図４】従来の基板処理装置の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置１の構成を概念的に示す断面図である。この基板処理装置は、基板の一例である半導体ウエハ（以下「基板」という。）Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。
【００２０】
基板処理装置１は、基板Ｗをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック２と、スピンチャック２に保持された基板Ｗの表面（上面）に向けて、処理液を吐出するための処理液供給装置３と、スピンチャック２の周囲を取り囲み、基板Ｗから流下または飛散する処理液を受け取るための容器状のカップ４とが収容されている。
【００２１】
スピンチャック２は、モータ５と、このモータ５の回転駆動力によって鉛直軸線まわりに回転される円盤状のスピンベース６と、スピンベース６の周縁部の複数箇所にほぼ等間隔で設けられ、基板Ｗをほぼ水平な姿勢で挟持するための複数個の挟持部材７とを備えている。これにより、スピンチャック２は、複数個の挟持部材７によって基板Ｗを挟持した状態で、モータ５の回転駆動力によってスピンベース６を回転させることにより、その基板Ｗを、ほぼ水平な姿勢を保った状態で、スピンベース６とともに鉛直軸線まわりに回転させることができる。
【００２２】
なお、スピンチャック２としては、このような構成のものに限らず、たとえば、真空吸着式のバキュームチャックが採用されてもよい。このバキュームチャックは、基板Ｗの下面を真空吸着することにより、基板Ｗをほぼ水平な姿勢で保持することができる。そして、バキュームチャックは、基板Ｗを保持した状態で、ほぼ鉛直な軸線まわりに回転することにより、基板Ｗをほぼ水平な姿勢を保ったまま回転させることができる。
【００２３】
処理液供給装置３は、処理液容器８と、先端部に処理液容器８が取り付けられ、スピンチャック２の上方でほぼ水平に延びるアーム９と、アーム９の基端部に設けられ、カップ４の側方においてほぼ鉛直に延びるアーム支持軸１０を備えている。アーム支持軸１０には、モータ（図示せず）を含むアーム駆動機構１１が結合されている。アーム駆動機構１１からアーム支持軸１０に回転力を入力して、アーム支持軸１０を回動させることにより、スピンチャック２の上方でアーム９を揺動させることができる。
【００２４】
処理液容器８は、鉛直方向に沿って配置され、下端部の径が小さくなるように形成された円筒状の容器である。円筒状の処理液容器８の上端部は閉じられ、下端部は処理液が吐出される処理液吐出口１２となっており、内部には処理液が貯留される。処理液容器８の上部には、配管１３が接続されており、配管１３を介して負圧源としての真空装置（図示せず）が接続されている。さらに配管１３には処理液容器８内に気体（たとえば大気）を導入するための気体導入配管１４が分岐接続されている。本実施形態では、気体導入配管１４の先端は大気開放されている。配管１３の途中部には、負圧バルブ１５が介装され、気体導入配管１４の途中部には気体導入バルブ１６が介装されている。
【００２５】
負圧バルブ１５が開けられるとともに気体導入バルブ１６が閉じられることにより、処理液容器８は負圧源に接続された状態となる。また負圧バルブ１５が閉じられるとともに気体導入バルブ１６が開けられることにより、処理液容器８内は大気開放系となり、処理液容器８の上部から気体（本実施形態では大気）が導入される状態となる。また、負圧バルブ１５および気体導入バルブ１６の両方が閉じられることにより、処理液容器８の上部に接続された配管１３から処理液容器８への気体の導入及び負圧源への気体の排出は停止される状態となる。
【００２６】
処理液容器８の外側には処理液容器８内の処理液の液面を検知するための液面センサとして、上側液面センサ２０と下側液面センサ２１が配置されている。上側液面センサ２０は処理液容器８内に貯留される処理液の上限レベルを検知するためのものであり、処理液容器８内に処理液を導入する際の導入の終了タイミングを検知する。一方、下側液面センサ２１は処理液容器８内に貯留される処理液の下限レベルを検知するためのものであり、基板Ｗへの処理液の供給の終了タイミングを検知する。
【００２７】
処理液容器８の退避位置（図１に破線で図示）には、処理液貯留部１７が配置されている。処理液貯留部１７は、有底容器であり内部に処理液が貯留されている。処理液貯留部１７の上部は開口しており、処理液容器８の一部が挿入可能となっている。アーム駆動機構１１によりアーム９、アーム支持軸１０が駆動されることによって、処理液容器８を処理液吐出口１２が処理液貯留部１７内に貯留されている処理液に接液する状態に位置させることができる。処理液貯留部１７には処理液配管１８が接続されており、処理液供給源から処理液配管１８を介して処理液が供給される。また処理液配管１８には処理液バルブ１９が介装されており、処理液貯留部１７への処理液の供給と停止を切り替える。
【００２８】
なお、処理液としては、基板Ｗの表面に対する処理の内容に応じたものが用いられる。たとえば、基板Ｗの表面から不要なレジスト膜を剥離するレジスト剥離処理であれば、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水）などのレジスト剥離液が用いられ、基板Ｗの表面からポリマ（レジスト残渣）を除去するポリマ除去処理であれば、ＡＰＭ（ammonia−hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水）などのポリマ除去液が用いられ、基板Ｗの表面から酸化膜や金属薄膜などをエッチング除去するエッチング処理であれば、フッ酸、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、酢酸、アンモニア、過酸化水素水、クエン酸、蓚酸、ＴＭＡＨ、王水のうちの少なくともいずれか１つを含むエッチング液が用いられる。
【００２９】
図２は、この基板処理装置１の電気的構成を説明するためのブロック図である。この基板処理装置１は、たとえば、マイクロコンピュータで構成される制御装置２２を備えている。制御装置２２は、モータ５、アーム駆動機構１１の動作を制御する。また、負圧バルブ１５、気体導入バルブ１６、処理液バルブ１９の開閉動作を制御する。また、制御装置２２には上側液面センサ２０、下側液面センサ２１の検出結果が入力され、制御装置２２はこの検出結果に応じて各バルブの開閉動作の制御を行う。
【００３０】
次に、この基板処理装置１による基板Ｗの処理動作を説明する。図３は、この基板処理装置１による基板Ｗの処理動作のフローチャートである。基板Ｗに対する処理を開始する前に、制御装置２２は、モータ５を停止させて、スピンチャック２を停止状態にする。また、処理液容器８は退避位置に位置している。負圧バルブ１５、気体導入バルブ１６、処理液バルブ１９は全て閉じられている。また、処理液貯留部１７には、処理液供給源から所定量の処理液（少なくとも基板１枚の処理に要する量を超える量）が予め供給されている。そして、図示しない基板搬送手段によって、未処理の基板Ｗがスピンベース６上に搬入される（ステップＳ１）。
【００３１】
一方、退避位置に位置している処理液容器８内には処理液貯留部１７に貯留されている処理液が導入される。具体的には、処理液容器８を処理液吐出口１２が処理液貯留部１７に貯留されている処理液に接液する状態となるように位置させる。そして、制御装置２２は、負圧バルブ１５を制御して負圧バルブ１５を開いて、処理液容器８内を負圧状態とする。これにより、処理液貯留部１７内の処理液は、処理液吐出口１２を介して処理液容器８内に導入される。処理液容器８内に導入された処理液はその液面位置が徐々に上がる。処理液容器８内の処理液の液面位置が上側液面センサ２０により検知される位置まで到達すると、上側液面センサ２０からの信号が制御装置２２に入力される。この信号を受けた制御装置２２は、負圧バルブ１５を制御して負圧バルブ１５を閉じる。これにより、処理液容器８内には所定量の処理液が導入される（ステップＳ２）。
【００３２】
次に、制御装置２２は、モータ５を制御して、スピンチャック２の回転を開始させる（ステップＳ３）。また、制御装置２２はアーム駆動機構１１を制御して、処理液容器８を処理液貯留部１７から取り出し、基板Ｗの上方の処理位置（本実施形態では、基板Ｗの回転中心位置）まで移動させる。その後、制御装置２２は、気体導入バルブ１６を制御して気体導入バルブ１６を開いて、処理液容器８内を大気開放系にする。これにより、処理液容器８内に貯留された処理液は重力落下によって基板Ｗの中心位置に向けて吐出される。基板Ｗの中心位置に吐出された処理液は、基板Ｗの回転による遠心力により基板Ｗの周縁部に向けて拡がり、基板Ｗの上面全体に供給される（ステップＳ４）。
【００３３】
処理液容器８から基板Ｗに向けて処理液が吐出されるにつれて、処理液容器８内に貯留されている処理液の液面位置は徐々に下がる。処理液容器８内の処理液の液面位置が下側液面センサ２１により検知される位置まで到達すると、下側液面センサ２１からの信号が制御装置２２に入力される。この信号を受けた制御装置２２は、気体導入バルブ１６を制御して気体導入バルブ１６を閉じる。これにより、処理液容器８内への気体の導入が停止される。すなわち、処理液容器８内が密閉系となり、処理液吐出口１２からの処理液の吐出が停止される（ステップＳ５）。処理液容器８から基板Ｗへの処理液の供給が終了した後、制御装置２２は、アーム駆動機構１１を制御して処理液容器８を退避位置へ移動させる。
【００３４】
なお、処理液吐出口１２からの処理液の吐出が終了した後、処理液容器８を退避位置へ移動させる前に、処理液容器８内を負圧にすることによって処理液容器８内の処理液吐出口１２付近に残留している処理液を処理液吐出口１２よりも上側に引き上げてもよい。すなわち、制御装置２２は、気体導入バルブ１６を制御して気体導入バルブ１６を閉じ、処理液の吐出を停止した後、負圧バルブ１５を制御して負圧バルブ１５を所定時間だけ開ける。これにより、処理液吐出口１２付近に残っている処理液は処理液容器８の上部側に引き上げられる。したがって、処理液容器８を退避位置へ移動させる際に、処理液容器８内に残留した処理液が処理液吐出口１２から落下することを防止することができる。
【００３５】
処理液の供給が終了した後、図示しないリンス液供給装置によって基板Ｗにリンス液（たとえば純水）が供給され、リンス処理が施される（ステップＳ６）。なお、リンス液供給装置としては、上述の処理液供給装置３と同様の構成であってもよいし、基板Ｗの中心位置に向けてリンス液が供給されるように固定的に設けられた固定ノズルであってもよい。なお、リンス液としては純水以外にも、炭酸水、電解イオン水、水素水、磁気水や、希釈濃度（たとえば、１ｐｐｍ程度）のアンモニア水などを用いることもできる。
【００３６】
リンス処理が終了した後、制御装置２２は、モータ５を制御して、基板Ｗを高速で回転させることにより、振り切り乾燥を行う（ステップＳ７）。その後、図示しない基板搬送手段によって基板Ｗが搬出される（ステップＳ８）。
【００３７】
以上のように、本実施形態によれば、処理液容器８の処理液吐出口１２を処理液貯留部１７に貯留された処理液に接液させつつ、処理液容器８内を負圧にすることにより処理液貯留部１７に貯留された処理液が処理液容器８内へ送られる。したがって、処理液貯留部１７から処理液容器８へ処理液が送られる際に、従来のようにポンプや加圧装置を用いる必要がない。したがって、処理液貯留部１７に貯留された処理液は汚染されることなく高純度な状態で処理液容器８に送られる。また、処理液容器８に貯留された処理液は、処理液容器８内を大気開放系にすることによって重力落下により処理液吐出口１２から基板Ｗに吐出される。そして、処理液容器８からの処理液の吐出を停止させるときには、処理液容器８内を密閉系にすることによって停止させる。したがって、処理液の供給と停止の切り替え動作を処理液の流路に設けられたバルブを用いることなく行うことができる。したがって、処理液貯留部１７と処理液吐出口１２との間の処理液流路にポンプやバルブを配置する必要がないので、処理液貯留部１７に貯留された高純度な処理液が汚染されることなく処理液吐出口１２から基板に吐出される。したがって、本発明によれば、高純度な処理液を基板Ｗに供給することができる。
【００３８】
以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明はさらに他の形態で実施することもできる。たとえば、前述の実施形態では処理液容器８内を大気開放系にすることによって、処理液容器８に大気を導入して処理液容器８内の処理液を重力落下させているが、気体導入配管１４から大気圧と同等の圧力で不活性ガス（たとえば窒素ガス）を導入することにより、処理液容器８内の処理液を重力落下させる構成であってもよい。このような構成の場合は、処理液容器８内の処理液が大気に触れることを防止することができる。
【００３９】
また、前述の実施形態では、ステップＳ４において処理液容器８から基板Ｗに処理液が吐出される際に、処理液容器８は基板Ｗの中心位置の上方に固定された状態で処理液が吐出されるが、処理液容器８を基板Ｗの中心位置の上方と周縁部の上方との間で移動させながら、基板Ｗに処理液が吐出される構成であってもよい。
【００４０】
また、前述の実施形態では、制御装置２２は下側液面センサ２１からの信号入力を受けて、処理液容器８への気体の導入を停止するように制御しているが、処理液容器８への気体の導入を停止するタイミングの制御方法はこれに限らない。たとえば、処理液容器８からの処理液の吐出開始から所定時間経過後に処理液容器８への気体の導入を停止するように制御してもよい。その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲内で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００４１】
１、１０１ 基板処理装置
２、１０２ スピンチャック
３、１０３ 処理液供給装置
４ カップ
５ モータ
６ スピンベース
７ 挟持部材
８ 処理液容器
９ アーム
１０ アーム支持軸
１１ アーム駆動機構
１２ 処理液吐出口
１３ 配管
１４ 気体導入配管
１５ 負圧バルブ
１６ 気体導入バルブ
１７ 処理液貯留部
１８ 処理液配管
１９ 処理液バルブ
２０ 上側液面センサ
２１ 下側液面センサ
２２ 制御装置
１０４ 処理液供給ノズル
１０５ 処理液供給配管
１０６ 処理液タンク
１０７ ポンプ
１０８ 温度調節器
１０９ フィルタ
１１０ 流量計
１１１ 流量調節バルブ
１１２ 処理液供給バルブ
１１３ 処理液帰還配管
１１４ 処理液帰還バルブ
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板に対して処理液を用いた処理を施すための基板処理装置において、基板に処理液を供給するための処理液供給装置および処理液供給方法に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
たとえば、半導体装置の製造工程では、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の表面に対して処理液を用いた処理が行われる。たとえば、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、図４に示すような基板処理装置を用いて基板処理が行われる。
【０００３】
図４に示す基板処理装置１０１は、基板Ｗをほぼ水平に保持して回転させることができるスピンチャック１０２と、このスピンチャック１０２に保持された基板Ｗに処理液を供給するための処理液供給装置１０３とを備えている。
【０００４】
処理液供給装置１０３は、スピンチャック１０２に保持された基板Ｗの中央部に処理液を供給する処理液供給ノズル１０４を備えており、処理液供給ノズル１０４には処理液供給配管１０５を通して処理液が供給されるようになっている。処理液は、処理液タンク１０６に貯留されていて、この処理液タンク１０６からポンプ１０７によって汲み出され、処理液供給配管１０５を介して処理液供給ノズル１０４に送られる。処理液供給配管１０５には、ポンプ１０７の下流側に、温度調節器１０８、フィルタ１０９、流量計１１０、流量調節バルブ１１１および処理液供給バルブ１１２が介装されている。温度調節器１０８は、処理液供給配管１０５を処理液供給ノズル１０４に向けて送られる処理液の温度を、処理に適した一定温度に調節するためのものであり、フィルタ１０９は、処理液中の異物を除去するためのものであり、流量計１１０は処理液供給ノズル１０４に送液される処理液の流量を監視するためのものであり、流量調節バルブ１１１は処理液供給ノズル１０４に送液される処理液の流量を調節するためのものであり、処理液供給バルブ１１２は処理液供給ノズル１０４への処理液の供給と停止を切り替えるためのものである。また、処理液供給配管１０５には、流量調節バルブ１１１と処理液供給バルブ１１２との間において、処理液帰還配管１１３が分岐接続されている。処理液帰還配管１１３の先端は、処理液タンク１０６に接続されており、処理液帰還配管１１３の途中部には、処理液帰還バルブ１１４が介装されている。
【０００５】
基板処理装置１０１の運転中は、ポンプ１０７および温度調節器１０８は常に駆動されており、基板Ｗの表面に処理液による処理が行われる時（基板Ｗの表面への処理液の供給が行われる時）には、処理液帰還バルブ１１４が閉じられるとともに処理液供給バルブ１１２が開かれて、処理液タンク１０６から処理液供給配管１０５を流れる処理液が処理液供給ノズル１０４へ供給される。一方、基板Ｗの処理が行われない時（基板Ｗの表面への処理液の供給が行われない時）には、処理液供給バルブ１１２が閉じられるとともに処理液帰還バルブ１１４が開かれて、処理液供給配管１０５を流れる処理液が処理液帰還配管１１３を通して処理液タンク１０６に戻される。これにより、基板Ｗの処理が行われない時には、処理液タンク１０６、処理液供給配管１０５および処理液帰還配管１１３からなる処理液循環路を処理液が循環することになる。こうして処理液が循環していることによって、処理液供給バルブ１１２が開かれた後、速やかに、基板Ｗに供給すべき処理液が処理液供給ノズル１０４に供給される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１７９３２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、このような基板処理装置における処理液供給装置では、処理液タンクに高純度の処理液が貯留されていたとしても、処理液は基板に供給されるまでに、ポンプ、温度調節器、フィルタ、流量計、流量調節バルブ、処理液供給バルブなどの数多くの部品を通過するため、これらの部品により汚染された処理液が基板に供給される恐れがあった。また、配管における部品の接続部分が多くなるため、処理液汚染の原因となる液溜まり部が配管中に増加し、配管内の洗浄作業を行う必要があった。さらに、ポンプもしくは処理液タンクを加圧することにより処理液が送液されるため、配管に負荷がかかり、配管の劣化を助長していた。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、基板に対して処理液を用いた処理を施すための基板処理装置において、高純度な処理液を基板に供給することができる処理液供給装置および処理液供給方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に係る発明は、基板に処理液を供給するための処理液供給装置（３）であって、
処理液を貯留するための処理液容器（８）と、前記処理液容器の下方に配置され、前記処理液容器に貯留された処理液を基板に吐出する処理液吐出口（１２）と、前記処理液容器に気体を導入するための気体導入手段（１３、１４、１６）と、前記処理液容器に気体を導入することにより、前記処理液容器に貯留された処理液を重力落下によって前記処理液吐出口から基板に吐出させ、前記処理液容器内への気体の導入を停止することによって前記処理液吐出口からの処理液の吐出を停止させるように前記気体導入手段を制御する制御装置（２２）とを備えることを特徴とする処理液供給装置である。なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
【００１０】
本発明によれば、処理液容器に貯留された処理液は、処理液容器に気体が導入されることによる重力落下によって処理液吐出口から基板に向けて吐出される。そして、処理液容器内への気体の導入を停止させることによって処理液吐出口からの処理液の吐出を停止させる。したがって、処理液容器と処理液吐出口との間の処理液流路には、処理液の供給と停止動作を切り替えるためのバルブを設けなくてもよい。したがって、処理液流路を流れる処理液がバルブに接触することなく、処理液吐出口から基板に供給される。これにより、処理液容器と処理液吐出口との間に配置される部品を省くことができ、処理液容器に貯留された高純度な処理液が汚染されることなく処理液吐出口から基板に吐出される。したがって、本発明によれば、高純度な処理液を基板に供給することができる。
【００１１】
前記気体導入手段は、前記処理液容器内を大気開放系にするものであってもよい。（請求項２）
【００１２】
この発明によれば、処理液容器内を大気開放系にすることによって、処理液容器内に大気が導入される。これにより、処理液容器に貯留された処理液が重力落下によって処理液吐出口から吐出される。
【００１３】
請求項３に係る発明は、前記処理液容器内を負圧にする負圧手段（１３、１５）と、前記処理液容器とは別に設けられ、処理液を貯留するための処理液貯留部（１７）とをさらに備え、前記処理液容器と前記処理液貯留部を接続しつつ、前記制御装置は前記処理液容器内を負圧にするように前記負圧手段を制御することを特徴とする請求項１または２記載の処理液供給装置である。
【００１４】
この発明によれば、処理液容器と処理液貯留部とを接続した状態で、負圧手段によって処理液容器内を負圧にすることにより、処理液貯留部に貯留された処理液が処理液容器内に送られる。したがって、処理液貯留部から処理液容器へ処理液を送る際に、ポンプや加圧手段を用いる必要がなく、処理液貯留部に貯留された高純度な処理液が汚染されることなく処理液容器に送られ、処理液吐出口から基板に吐出される。
【００１５】
請求項４に係る発明は、基板に処理液を供給するための処理液供給方法であって、処理液容器に気体を導入することによって前記処理液容器に貯留された処理液が前記処理液容器の下方に配置された処理液吐出口から重力落下によって基板に吐出される処理液吐出工程（Ｓ４）と、前記処理液容器への気体の導入を停止することによって前記処理液吐出口からの処理液の吐出を停止させる処理液吐出停止工程（Ｓ５）と、を備えることを特徴とする処理液供給方法である。この発明によれば、請求項１に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
【００１６】
前記処理液吐出工程は、前記処理液容器内を大気開放系にすることを特徴とする請求項４記載の処理液供給方法である。（請求項５）この発明によれば、請求項２に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
【００１７】
請求項６に係る発明は、前記処理液容器と、前記処理液容器とは別に設けられた処理液を貯留するための処理液貯留部とを接続しつつ、前記処理液容器内を負圧にする負圧工程（Ｓ２）をさらに備えることを特徴とする請求項４または５記載の処理液供給方法である。この発明によれば、請求項３に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の図解的な断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る基板処理装置による処理動作を示すフローチャートである。
【図４】従来の基板処理装置の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置１の構成を概念的に示す断面図である。この基板処理装置は、基板の一例である半導体ウエハ（以下「基板」という。）Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。
【００２０】
基板処理装置１は、基板Ｗをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック２と、スピンチャック２に保持された基板Ｗの表面（上面）に向けて、処理液を吐出するための処理液供給装置３と、スピンチャック２の周囲を取り囲み、基板Ｗから流下または飛散する処理液を受け取るための容器状のカップ４とが収容されている。
【００２１】
スピンチャック２は、モータ５と、このモータ５の回転駆動力によって鉛直軸線まわりに回転される円盤状のスピンベース６と、スピンベース６の周縁部の複数箇所にほぼ等間隔で設けられ、基板Ｗをほぼ水平な姿勢で挟持するための複数個の挟持部材７とを備えている。これにより、スピンチャック２は、複数個の挟持部材７によって基板Ｗを挟持した状態で、モータ５の回転駆動力によってスピンベース６を回転させることにより、その基板Ｗを、ほぼ水平な姿勢を保った状態で、スピンベース６とともに鉛直軸線まわりに回転させることができる。
【００２２】
なお、スピンチャック２としては、このような構成のものに限らず、たとえば、真空吸着式のバキュームチャックが採用されてもよい。このバキュームチャックは、基板Ｗの下面を真空吸着することにより、基板Ｗをほぼ水平な姿勢で保持することができる。そして、バキュームチャックは、基板Ｗを保持した状態で、ほぼ鉛直な軸線まわりに回転することにより、基板Ｗをほぼ水平な姿勢を保ったまま回転させることができる。
【００２３】
処理液供給装置３は、処理液容器８と、先端部に処理液容器８が取り付けられ、スピンチャック２の上方でほぼ水平に延びるアーム９と、アーム９の基端部に設けられ、カップ４の側方においてほぼ鉛直に延びるアーム支持軸１０を備えている。アーム支持軸１０には、モータ（図示せず）を含むアーム駆動機構１１が結合されている。アーム駆動機構１１からアーム支持軸１０に回転力を入力して、アーム支持軸１０を回動させることにより、スピンチャック２の上方でアーム９を揺動させることができる。
【００２４】
処理液容器８は、鉛直方向に沿って配置され、下端部の径が小さくなるように形成された円筒状の容器である。円筒状の処理液容器８の上端部は閉じられ、下端部は処理液が吐出される処理液吐出口１２となっており、内部には処理液が貯留される。処理液容器８の上部には、配管１３が接続されており、配管１３を介して負圧源としての真空装置（図示せず）が接続されている。さらに配管１３には処理液容器８内に気体（たとえば大気）を導入するための気体導入配管１４が分岐接続されている。本実施形態では、気体導入配管１４の先端は大気開放されている。配管１３の途中部には、負圧バルブ１５が介装され、気体導入配管１４の途中部には気体導入バルブ１６が介装されている。
【００２５】
負圧バルブ１５が開けられるとともに気体導入バルブ１６が閉じられることにより、処理液容器８は負圧源に接続された状態となる。また負圧バルブ１５が閉じられるとともに気体導入バルブ１６が開けられることにより、処理液容器８内は大気開放系となり、処理液容器８の上部から気体（本実施形態では大気）が導入される状態となる。また、負圧バルブ１５および気体導入バルブ１６の両方が閉じられることにより、処理液容器８の上部に接続された配管１３から処理液容器８への気体の導入及び負圧源への気体の排出は停止される状態となる。
【００２６】
処理液容器８の外側には処理液容器８内の処理液の液面を検知するための液面センサとして、上側液面センサ２０と下側液面センサ２１が配置されている。上側液面センサ２０は処理液容器８内に貯留される処理液の上限レベルを検知するためのものであり、処理液容器８内に処理液を導入する際の導入の終了タイミングを検知する。一方、下側液面センサ２１は処理液容器８内に貯留される処理液の下限レベルを検知するためのものであり、基板Ｗへの処理液の供給の終了タイミングを検知する。
【００２７】
処理液容器８の退避位置（図１に破線で図示）には、処理液貯留部１７が配置されている。処理液貯留部１７は、有底容器であり内部に処理液が貯留されている。処理液貯留部１７の上部は開口しており、処理液容器８の一部が挿入可能となっている。アーム駆動機構１１によりアーム９、アーム支持軸１０が駆動されることによって、処理液容器８を処理液吐出口１２が処理液貯留部１７内に貯留されている処理液に接液する状態に位置させることができる。処理液貯留部１７には処理液配管１８が接続されており、処理液供給源から処理液配管１８を介して処理液が供給される。また処理液配管１８には処理液バルブ１９が介装されており、処理液貯留部１７への処理液の供給と停止を切り替える。
【００２８】
なお、処理液としては、基板Ｗの表面に対する処理の内容に応じたものが用いられる。たとえば、基板Ｗの表面から不要なレジスト膜を剥離するレジスト剥離処理であれば、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水）などのレジスト剥離液が用いられ、基板Ｗの表面からポリマ（レジスト残渣）を除去するポリマ除去処理であれば、ＡＰＭ（ammonia−hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水）などのポリマ除去液が用いられ、基板Ｗの表面から酸化膜や金属薄膜などをエッチング除去するエッチング処理であれば、フッ酸、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、酢酸、アンモニア、過酸化水素水、クエン酸、蓚酸、ＴＭＡＨ、王水のうちの少なくともいずれか１つを含むエッチング液が用いられる。
【００２９】
図２は、この基板処理装置１の電気的構成を説明するためのブロック図である。この基板処理装置１は、たとえば、マイクロコンピュータで構成される制御装置２２を備えている。制御装置２２は、モータ５、アーム駆動機構１１の動作を制御する。また、負圧バルブ１５、気体導入バルブ１６、処理液バルブ１９の開閉動作を制御する。また、制御装置２２には上側液面センサ２０、下側液面センサ２１の検出結果が入力され、制御装置２２はこの検出結果に応じて各バルブの開閉動作の制御を行う。
【００３０】
次に、この基板処理装置１による基板Ｗの処理動作を説明する。図３は、この基板処理装置１による基板Ｗの処理動作のフローチャートである。基板Ｗに対する処理を開始する前に、制御装置２２は、モータ５を停止させて、スピンチャック２を停止状態にする。また、処理液容器８は退避位置に位置している。負圧バルブ１５、気体導入バルブ１６、処理液バルブ１９は全て閉じられている。また、処理液貯留部１７には、処理液供給源から所定量の処理液（少なくとも基板１枚の処理に要する量を超える量）が予め供給されている。そして、図示しない基板搬送手段によって、未処理の基板Ｗがスピンベース６上に搬入される（ステップＳ１）。
【００３１】
一方、退避位置に位置している処理液容器８内には処理液貯留部１７に貯留されている処理液が導入される。具体的には、処理液容器８を処理液吐出口１２が処理液貯留部１７に貯留されている処理液に接液する状態となるように位置させる。そして、制御装置２２は、負圧バルブ１５を制御して負圧バルブ１５を開いて、処理液容器８内を負圧状態とする。これにより、処理液貯留部１７内の処理液は、処理液吐出口１２を介して処理液容器８内に導入される。処理液容器８内に導入された処理液はその液面位置が徐々に上がる。処理液容器８内の処理液の液面位置が上側液面センサ２０により検知される位置まで到達すると、上側液面センサ２０からの信号が制御装置２２に入力される。この信号を受けた制御装置２２は、負圧バルブ１５を制御して負圧バルブ１５を閉じる。これにより、処理液容器８内には所定量の処理液が導入される（ステップＳ２）。
【００３２】
次に、制御装置２２は、モータ５を制御して、スピンチャック２の回転を開始させる（ステップＳ３）。また、制御装置２２はアーム駆動機構１１を制御して、処理液容器８を処理液貯留部１７から取り出し、基板Ｗの上方の処理位置（本実施形態では、基板Ｗの回転中心位置）まで移動させる。その後、制御装置２２は、気体導入バルブ１６を制御して気体導入バルブ１６を開いて、処理液容器８内を大気開放系にする。これにより、処理液容器８内に貯留された処理液は重力落下によって基板Ｗの中心位置に向けて吐出される。基板Ｗの中心位置に吐出された処理液は、基板Ｗの回転による遠心力により基板Ｗの周縁部に向けて拡がり、基板Ｗの上面全体に供給される（ステップＳ４）。
【００３３】
処理液容器８から基板Ｗに向けて処理液が吐出されるにつれて、処理液容器８内に貯留されている処理液の液面位置は徐々に下がる。処理液容器８内の処理液の液面位置が下側液面センサ２１により検知される位置まで到達すると、下側液面センサ２１からの信号が制御装置２２に入力される。この信号を受けた制御装置２２は、気体導入バルブ１６を制御して気体導入バルブ１６を閉じる。これにより、処理液容器８内への気体の導入が停止される。すなわち、処理液容器８内が密閉系となり、処理液吐出口１２からの処理液の吐出が停止される（ステップＳ５）。処理液容器８から基板Ｗへの処理液の供給が終了した後、制御装置２２は、アーム駆動機構１１を制御して処理液容器８を退避位置へ移動させる。
【００３４】
なお、処理液吐出口１２からの処理液の吐出が終了した後、処理液容器８を退避位置へ移動させる前に、処理液容器８内を負圧にすることによって処理液容器８内の処理液吐出口１２付近に残留している処理液を処理液吐出口１２よりも上側に引き上げてもよい。すなわち、制御装置２２は、気体導入バルブ１６を制御して気体導入バルブ１６を閉じ、処理液の吐出を停止した後、負圧バルブ１５を制御して負圧バルブ１５を所定時間だけ開ける。これにより、処理液吐出口１２付近に残っている処理液は処理液容器８の上部側に引き上げられる。したがって、処理液容器８を退避位置へ移動させる際に、処理液容器８内に残留した処理液が処理液吐出口１２から落下することを防止することができる。
【００３５】
処理液の供給が終了した後、図示しないリンス液供給装置によって基板Ｗにリンス液（たとえば純水）が供給され、リンス処理が施される（ステップＳ６）。なお、リンス液供給装置としては、上述の処理液供給装置３と同様の構成であってもよいし、基板Ｗの中心位置に向けてリンス液が供給されるように固定的に設けられた固定ノズルであってもよい。なお、リンス液としては純水以外にも、炭酸水、電解イオン水、水素水、磁気水や、希釈濃度（たとえば、１ｐｐｍ程度）のアンモニア水などを用いることもできる。
【００３６】
リンス処理が終了した後、制御装置２２は、モータ５を制御して、基板Ｗを高速で回転させることにより、振り切り乾燥を行う（ステップＳ７）。その後、図示しない基板搬送手段によって基板Ｗが搬出される（ステップＳ８）。
【００３７】
以上のように、本実施形態によれば、処理液容器８の処理液吐出口１２を処理液貯留部１７に貯留された処理液に接液させつつ、処理液容器８内を負圧にすることにより処理液貯留部１７に貯留された処理液が処理液容器８内へ送られる。したがって、処理液貯留部１７から処理液容器８へ処理液が送られる際に、従来のようにポンプや加圧装置を用いる必要がない。したがって、処理液貯留部１７に貯留された処理液は汚染されることなく高純度な状態で処理液容器８に送られる。また、処理液容器８に貯留された処理液は、処理液容器８内を大気開放系にすることによって重力落下により処理液吐出口１２から基板Ｗに吐出される。そして、処理液容器８からの処理液の吐出を停止させるときには、処理液容器８内を密閉系にすることによって停止させる。したがって、処理液の供給と停止の切り替え動作を処理液の流路に設けられたバルブを用いることなく行うことができる。したがって、処理液貯留部１７と処理液吐出口１２との間の処理液流路にポンプやバルブを配置する必要がないので、処理液貯留部１７に貯留された高純度な処理液が汚染されることなく処理液吐出口１２から基板に吐出される。したがって、本発明によれば、高純度な処理液を基板Ｗに供給することができる。
【００３８】
以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明はさらに他の形態で実施することもできる。たとえば、前述の実施形態では処理液容器８内を大気開放系にすることによって、処理液容器８に大気を導入して処理液容器８内の処理液を重力落下させているが、気体導入配管１４から大気圧と同等の圧力で不活性ガス（たとえば窒素ガス）を導入することにより、処理液容器８内の処理液を重力落下させる構成であってもよい。このような構成の場合は、処理液容器８内の処理液が大気に触れることを防止することができる。
【００３９】
また、前述の実施形態では、ステップＳ４において処理液容器８から基板Ｗに処理液が吐出される際に、処理液容器８は基板Ｗの中心位置の上方に固定された状態で処理液が吐出されるが、処理液容器８を基板Ｗの中心位置の上方と周縁部の上方との間で移動させながら、基板Ｗに処理液が吐出される構成であってもよい。
【００４０】
また、前述の実施形態では、制御装置２２は下側液面センサ２１からの信号入力を受けて、処理液容器８への気体の導入を停止するように制御しているが、処理液容器８への気体の導入を停止するタイミングの制御方法はこれに限らない。たとえば、処理液容器８からの処理液の吐出開始から所定時間経過後に処理液容器８への気体の導入を停止するように制御してもよい。その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲内で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００４１】
１、１０１ 基板処理装置
２、１０２ スピンチャック
３、１０３ 処理液供給装置
４ カップ
５ モータ
６ スピンベース
７ 挟持部材
８ 処理液容器
９ アーム
１０ アーム支持軸
１１ アーム駆動機構
１２ 処理液吐出口
１３ 配管
１４ 気体導入配管
１５ 負圧バルブ
１６ 気体導入バルブ
１７ 処理液貯留部
１８ 処理液配管
１９ 処理液バルブ
２０ 上側液面センサ
２１ 下側液面センサ
２２ 制御装置
１０４ 処理液供給ノズル
１０５ 処理液供給配管
１０６ 処理液タンク
１０７ ポンプ
１０８ 温度調節器
１０９ フィルタ
１１０ 流量計
１１１ 流量調節バルブ
１１２ 処理液供給バルブ
１１３ 処理液帰還配管
１１４ 処理液帰還バルブ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理液を供給するための処理液供給装置であって、
処理液を貯留するための処理液容器と、
前記処理液容器の下方に配置され、前記処理液容器に貯留された処理液を基板に吐出する処理液吐出口と、
前記処理液容器に気体を導入するための気体導入手段と、
前記処理液容器に気体を導入することにより、前記処理液容器に貯留された処理液を重力落下によって前記処理液吐出口から基板に吐出させ、前記処理液容器内への気体の導入を停止することによって前記処理液吐出口からの処理液の吐出を停止させるように前記気体導入手段を制御する制御装置とを備えることを特徴とする処理液供給装置。
【請求項２】
前記気体導入手段は、前記処理液容器内を大気開放系にすることを特徴とする請求項１記載の処理液供給装置。
【請求項３】
前記処理液容器内を負圧にする負圧手段と、
前記処理液容器とは別に設けられ、処理液を貯留するための処理液貯留部とをさらに備え、
前記処理液容器と前記処理液貯留部を接続しつつ、前記制御装置は前記処理液容器内を負圧にするように前記負圧手段を制御することを特徴とする請求項１または２記載の処理液供給装置。
【請求項４】
基板に処理液を供給するための処理液供給方法であって、
処理液容器に気体を導入することによって前記処理液容器に貯留された処理液が前記処理液容器の下方に配置された処理液吐出口から重力落下によって基板に吐出される処理液吐出工程と、
前記処理液容器への気体の導入を停止することによって前記処理液吐出口からの処理液の吐出を停止させる処理液吐出停止工程と、
を備えることを特徴とする処理液供給方法。
【請求項５】
前記処理液吐出工程は、前記処理液容器内を大気開放系にすることを特徴とする請求項４記載の処理液供給方法。
【請求項６】
前記処理液容器と、前記処理液容器とは別に設けられた処理液を貯留するための処理液貯留部とを接続しつつ、前記処理液容器内を負圧にする負圧工程をさらに備えることを特徴とする請求項４または５記載の処理液供給方法。
【請求項１】
基板に処理液を供給するための処理液供給装置であって、
処理液を貯留するための処理液容器と、
前記処理液容器の下方に配置され、前記処理液容器に貯留された処理液を基板に吐出する処理液吐出口と、
前記処理液容器に気体を導入するための気体導入手段と、
前記処理液容器に気体を導入することにより、前記処理液容器に貯留された処理液を重力落下によって前記処理液吐出口から基板に吐出させ、前記処理液容器内への気体の導入を停止することによって前記処理液吐出口からの処理液の吐出を停止させるように前記気体導入手段を制御する制御装置とを備えることを特徴とする処理液供給装置。
【請求項２】
前記気体導入手段は、前記処理液容器内を大気開放系にすることを特徴とする請求項１記載の処理液供給装置。
【請求項３】
前記処理液容器内を負圧にする負圧手段と、
前記処理液容器とは別に設けられ、処理液を貯留するための処理液貯留部とをさらに備え、
前記処理液容器と前記処理液貯留部を接続しつつ、前記制御装置は前記処理液容器内を負圧にするように前記負圧手段を制御することを特徴とする請求項１または２記載の処理液供給装置。
【請求項４】
基板に処理液を供給するための処理液供給方法であって、
処理液容器に気体を導入することによって前記処理液容器に貯留された処理液が前記処理液容器の下方に配置された処理液吐出口から重力落下によって基板に吐出される処理液吐出工程と、
前記処理液容器への気体の導入を停止することによって前記処理液吐出口からの処理液の吐出を停止させる処理液吐出停止工程と、
を備えることを特徴とする処理液供給方法。
【請求項５】
前記処理液吐出工程は、前記処理液容器内を大気開放系にすることを特徴とする請求項４記載の処理液供給方法。
【請求項６】
前記処理液容器と、前記処理液容器とは別に設けられた処理液を貯留するための処理液貯留部とを接続しつつ、前記処理液容器内を負圧にする負圧工程をさらに備えることを特徴とする請求項４または５記載の処理液供給方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１１−２０４９４８（Ｐ２０１１−２０４９４８Ａ）
【公開日】平成２３年１０月１３日（２０１１．１０．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−７１４５９（Ｐ２０１０−７１４５９）
【出願日】平成２２年３月２６日（２０１０．３．２６）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１０月１３日（２０１１．１０．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月２６日（２０１０．３．２６）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
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