説明

化合物、ラジカル重合開始剤、化合物の製造方法、重合体、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れたレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な重合体、該重合体の製造に用いるラジカル重合開始剤として有用な化合物、該化合物の製造方法、該化合物からなるラジカル重合開始剤、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式(I)で表される化合物。式(I)中、Rは炭素数1〜10の炭化水素基であり、Zは炭素数1〜10の炭化水素基又はシアノ基であり、RとZとは相互に結合して環を形成していてもよい。Xは単結合、又は−O−C(=O)−、−NH−C(=O)−若しくは−NH−C(=NH)−を含んでいてもよい2価の連結基である。Rは置換基を有していてもよい炭素数1〜20の炭化水素基である(但し、当該炭化水素基を構成する炭素原子の一部が、炭素原子以外の原子又は原子団で置換されていてもよい)。
[化1]


Notice: Undefined index: DEJ in /mnt/www/gzt_disp.php on line 298

【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記一般式(I)で表される化合物。
【化1】

[式中、Rは炭素数1〜10の炭化水素基であり、Zは炭素数1〜10の炭化水素基又はシアノ基であり、RとZとは相互に結合して環を形成していてもよい。Xは単結合、又は−O−C(=O)−、−NH−C(=O)−若しくは−NH−C(=NH)−を含んでいてもよい2価の連結基である。Rは置換基を有していてもよい炭素数1〜20の炭化水素基である(但し、当該炭化水素基を構成する炭素原子の一部が、炭素原子以外の原子又は原子団で置換されていてもよい)。式中の複数のR、Z、X及びRはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。]
【請求項2】
請求項1に記載の化合物からなるラジカル重合開始剤。
【請求項3】
請求項1に記載の化合物の製造方法であって、
下記一般式(i−1)で表される化合物と、下記一般式(i−2)で表される化合物とを反応させる工程を含む製造方法。
【化2】

[式中、R、Z、X及びRはそれぞれ前記同様であり、Rはハロゲン原子である。式中の複数のR、Z及びXはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。]
【請求項4】
主鎖の少なくとも一方の末端に下記一般式(I−1)で表される基を有する重合体。
【化3】

[式中、Rは炭素数1〜10の炭化水素基であり、Zは炭素数1〜10の炭化水素基又はシアノ基であり、RとZとは相互に結合して環を形成していてもよい。Xは単結合、又は−O−C(=O)−、−NH−C(=O)−若しくは−NH−C(=NH)−を含んでいてもよい2価の連結基である。Rは置換基を有していてもよい炭素数1〜20の炭化水素基である(但し、当該炭化水素基を構成する炭素原子の一部が、炭素原子以外の原子又は原子団で置換されていてもよい)。]
【請求項5】
下記一般式(I)で表される化合物からなるラジカル重合開始剤を用いたラジカル重合により得られるラジカル重合体である請求項4に記載の重合体。
【化4】

[式中、Rは炭素数1〜10の炭化水素基であり、Zは炭素数1〜10の炭化水素基又はシアノ基であり、RとZとは相互に結合して環を形成していてもよい。Xは単結合、又は−O−C(=O)−、−NH−C(=O)−若しくは−NH−C(=NH)−を含んでいてもよい2価の連結基である。Rは置換基を有していてもよい炭素数1〜20の炭化水素基である(但し、当該炭化水素基を構成する炭素原子の一部が、炭素原子以外の原子又は原子団で置換されていてもよい)。式中の複数のR、Z、X及びRはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。]
【請求項6】
請求項4又は5に記載の重合体を含有するレジスト組成物。
【請求項7】
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、
前記基材成分(A)が、請求項4又は5に記載の重合体を含有するレジスト組成物。
【請求項8】
前記重合体が、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)を有する請求項7に記載のレジスト組成物。
【請求項9】
前記重合体が、側鎖に−SO−含有環式基を含む構成単位(a0)を有する請求項8に記載のレジスト組成物。
【請求項10】
前記重合体が、側鎖に−OH、−COOH、−CN、−SONH及び−CONHからなる群より選択される少なくとも一種の基を含む構成単位(a3)を有する請求項8又は9に記載のレジスト組成物。
【請求項11】
請求項6〜10のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。

【公開番号】特開2013−60419(P2013−60419A)
【公開日】平成25年4月4日(2013.4.4)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−173408(P2012−173408)
【出願日】平成24年8月3日(2012.8.3)
【出願人】(000220239)東京応化工業株式会社 (1,407)
【Fターム(参考)】