化合物、高分子化合物、酸発生剤、レジスト組成物、レジストパターン形成方法
【課題】新規化合物、高分子化合物、レジスト組成物、酸発生剤及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】式（１−１）で表される化合物［式中、Ｒ１、Ｒ３はそれぞれ独立に、単結合又は２価の連結基であり、Ａは２価の連結基であり、Ｒ２、Ｒ４はそれぞれ独立に、水酸基、置換基を有していてもよい炭化水素基、又は式（１−ａｎ１）、（１−ａｎ２）又は（１−ａｎ３）で表される基である。n０は０又は１である。Ｙ1は単結合又は−ＳＯ２−であり、Ｒ５はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、炭素数３〜２０の環状の１価の炭化水素基、又は炭素数３〜２０の環状の部分構造を有する１価の炭化水素基である。Ｍ＋は有機カチオン又は金属カチオンである］。
【解決手段】式（１−１）で表される化合物［式中、Ｒ１、Ｒ３はそれぞれ独立に、単結合又は２価の連結基であり、Ａは２価の連結基であり、Ｒ２、Ｒ４はそれぞれ独立に、水酸基、置換基を有していてもよい炭化水素基、又は式（１−ａｎ１）、（１−ａｎ２）又は（１−ａｎ３）で表される基である。n０は０又は１である。Ｙ1は単結合又は−ＳＯ２−であり、Ｒ５はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、炭素数３〜２０の環状の１価の炭化水素基、又は炭素数３〜２０の環状の部分構造を有する１価の炭化水素基である。Ｍ＋は有機カチオン又は金属カチオンである］。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１−１）で表される化合物。
【化１】
［式中、Ｒ１、Ｒ３はそれぞれ独立に、単結合または２価の連結基であり、Ａは２価の連結基であり、Ｒ２、Ｒ４はそれぞれ独立に、水酸基、置換基を有していてもよい炭化水素基、または下記一般式（１−ａｎ１）、（１−ａｎ２）若しくは（１−ａｎ３）で表される基であって、Ｒ２、Ｒ４の少なくともいずれか一方は下記一般式（１−ａｎ１）、（１−ａｎ２）または（１−ａｎ３）で表される基である。ｎ０は、０または１である。］
【化２】
［式中、Ｙ1は単結合または−ＳＯ２−であり、Ｒ５はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数１〜１０の直鎖状若しくは分岐鎖状の１価の炭化水素基、炭素数３〜２０の環状の１価の炭化水素基、または炭素数３〜２０の環状の部分構造を有する１価の炭化水素基である。Ｍ＋は有機カチオンまたは金属カチオンである。］
【請求項２】
前記Ｍ＋が有機カチオンである請求項１に記載の化合物から誘導される構成単位を有する高分子化合物。
【請求項３】
露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ’）を含有するレジスト組成物であって、
前記基材成分（Ａ’）が、請求項２に記載の高分子化合物（Ａ１’）を含有することを特徴とするレジスト組成物。
【請求項４】
前記Ｍ＋が有機カチオンである請求項１に記載の化合物からなる酸発生剤。
【請求項５】
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、
前記酸発生剤成分（Ｂ）が、請求項４に記載の酸発生剤（Ｂ１）を含有することを特徴とするレジスト組成物。
【請求項６】
支持体上に、請求項３又は５に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【請求項１】
下記一般式（１−１）で表される化合物。
【化１】
［式中、Ｒ１、Ｒ３はそれぞれ独立に、単結合または２価の連結基であり、Ａは２価の連結基であり、Ｒ２、Ｒ４はそれぞれ独立に、水酸基、置換基を有していてもよい炭化水素基、または下記一般式（１−ａｎ１）、（１−ａｎ２）若しくは（１−ａｎ３）で表される基であって、Ｒ２、Ｒ４の少なくともいずれか一方は下記一般式（１−ａｎ１）、（１−ａｎ２）または（１−ａｎ３）で表される基である。ｎ０は、０または１である。］
【化２】
［式中、Ｙ1は単結合または−ＳＯ２−であり、Ｒ５はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数１〜１０の直鎖状若しくは分岐鎖状の１価の炭化水素基、炭素数３〜２０の環状の１価の炭化水素基、または炭素数３〜２０の環状の部分構造を有する１価の炭化水素基である。Ｍ＋は有機カチオンまたは金属カチオンである。］
【請求項２】
前記Ｍ＋が有機カチオンである請求項１に記載の化合物から誘導される構成単位を有する高分子化合物。
【請求項３】
露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ’）を含有するレジスト組成物であって、
前記基材成分（Ａ’）が、請求項２に記載の高分子化合物（Ａ１’）を含有することを特徴とするレジスト組成物。
【請求項４】
前記Ｍ＋が有機カチオンである請求項１に記載の化合物からなる酸発生剤。
【請求項５】
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、
前記酸発生剤成分（Ｂ）が、請求項４に記載の酸発生剤（Ｂ１）を含有することを特徴とするレジスト組成物。
【請求項６】
支持体上に、請求項３又は５に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【公開番号】特開２０１２−２２４５８６（Ｐ２０１２−２２４５８６Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１５日（２０１２．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−９４４５０（Ｐ２０１１−９４４５０）
【出願日】平成２３年４月２０日（２０１１．４．２０）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月１５日（２０１２．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月２０日（２０１１．４．２０）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
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