化合物
【課題】新規のカルバゾール誘導体を提供することにより、発光効率の高い発光素子を提供することを目的とする。さらに、消費電力が少なく、駆動電圧の低い発光装置および電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】下記一般式(1)で表されるカルバゾール誘導体を提供する。
(式中、α1、α2、α3、α4は、環を形成する炭素数が13以下のアリーレン基を表し、Ar1、Ar2は、環を形成する炭素数が13以下のアリール基を表し、R1は、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表し、R2は、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。また、l、m、nは、それぞれ独立に0または1である。)
【解決手段】下記一般式(1)で表されるカルバゾール誘導体を提供する。
(式中、α1、α2、α3、α4は、環を形成する炭素数が13以下のアリーレン基を表し、Ar1、Ar2は、環を形成する炭素数が13以下のアリール基を表し、R1は、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表し、R2は、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。また、l、m、nは、それぞれ独立に0または1である。)
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
一般式(1)で表される化合物。
【化1】
(式中、α1、α2、α3、α4は、炭素数が13以下のアリーレン基を表し、Ar1、Ar2は、炭素数が13以下のアリール基を表し、R1は、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表し、R2は、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。また、l、m、nは、それぞれ独立に0または1である。)
【請求項1】
一般式(1)で表される化合物。
【化1】
(式中、α1、α2、α3、α4は、炭素数が13以下のアリーレン基を表し、Ar1、Ar2は、炭素数が13以下のアリール基を表し、R1は、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表し、R2は、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。また、l、m、nは、それぞれ独立に0または1である。)
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
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【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【公開番号】特開2013−91647(P2013−91647A)
【公開日】平成25年5月16日(2013.5.16)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−267493(P2012−267493)
【出願日】平成24年12月6日(2012.12.6)
【分割の表示】特願2008−308385(P2008−308385)の分割
【原出願日】平成20年12月3日(2008.12.3)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成25年5月16日(2013.5.16)
【国際特許分類】
【出願日】平成24年12月6日(2012.12.6)
【分割の表示】特願2008−308385(P2008−308385)の分割
【原出願日】平成20年12月3日(2008.12.3)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
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