半導体基板の運搬および大気中保管のための輸送支持具を処理する方法、ならびにそのような方法を実施するための処理ステーション
【課題】 輸送支持具の固定時間を短縮し、輸送支持具の壁の満足のいく清浄度を保証するために使用される、洗浄ステージ後の、異物、特に分子汚染化合物（ＡＭＣ、ＶＯＣ）および／または湿気の除去を大幅に改善かつ加速する、方法、ならびに輸送支持具用の処理ステーションを提案する。
【解決手段】 基板の運搬および保管のための輸送支持具（１）の処理方法であって、
前記輸送支持具（１）上の処理されるべき表面（１ａ）から異物を除去するために前記処理されるべき表面（１ａ）がその間に準大気圧のガス圧（ＰＳＡ）と赤外線（ＩＲ）との複合作用にさらされる処理ステージを含み、前記赤外線は断続的赤外線であり、材料の温度を最高許容温度を超えない温度設定あたりで維持するために、満足のいく継続時間にわたって交互に切断／回復されることを特徴とする。
【解決手段】 基板の運搬および保管のための輸送支持具（１）の処理方法であって、
前記輸送支持具（１）上の処理されるべき表面（１ａ）から異物を除去するために前記処理されるべき表面（１ａ）がその間に準大気圧のガス圧（ＰＳＡ）と赤外線（ＩＲ）との複合作用にさらされる処理ステージを含み、前記赤外線は断続的赤外線であり、材料の温度を最高許容温度を超えない温度設定あたりで維持するために、満足のいく継続時間にわたって交互に切断／回復されることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハまたはレチクル用の輸送ポッドなど、基板の運搬および大気中保管のための輸送支持具を処理する方法であって、輸送支持具が、純水による洗浄など、液体を使用した事前クリーニングを場合によっては受けている方法に関する。
【０００２】
本発明は、また、このような方法を実施するための処理ステーションも含む。
【背景技術】
【０００３】
輸送および保管ポッドは、基板の輸送および使用環境から隔てられた、１つまたは複数の基板の輸送および保管のための大気圧下の密閉空間を構築する。
【０００４】
半導体製造業では、これらのポッドは、あるデバイスから別のデバイスへと半導体ウエハもしくはレチクルなどの基板を輸送するために、または２つの製造ステージの間に基板を保管するために使用される。
【０００５】
特に、ウエハを輸送／保管する前面開口式の一体型ポッド（ＦＯＵＰ：ｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎｉｎｇ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ）と、底面開口式の標準機械的インターフェース・ポッド（ＳＭＩＦポッド（ｓｔａｎｄａｒｄ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ ｐｏｄｓ））、「オープン・カセット（ｏｐｅｎ ｃａｓｓｅｔｔｅ）」ポッド、レチクルの輸送および保管のためのレチクルＳＭＩＦポッド（ＲＳＰ：Ｒｅｔｉｃｌｅ ＳＭＩＦ Ｐｏｄｓ）、太陽産業用の基板の輸送のためのポッドとが、区別される。
【０００６】
これらの輸送ポッドは、ポリカーボネートなどの材料で作製されており、それらの材料は、場合によっては、輸送ポッドの製造および／またはそれらの使用の結果生じる可能性のある汚染物質、特に、有機物、塩基、アミン、酸、およびドーパント汚染物質（ＡＭＣ）を濃縮するおそれがある。
【０００７】
さらに、半導体の製造の間、輸送ポッドが取り扱われ、それが、輸送ポッドの壁内にとどまる汚濁粒子（ｐｏｌｌｕｔａｎｔ ｐａｒｔｉｃｌｅｓ）の形成をまねいて輸送ポッドを汚染する。その後、輸送ポッドの壁に付着している粒子は、ゆるんで、これらのポッド内に保管された基板上に落下し、それらを損傷するおそれがある。
【０００８】
したがって、これらのポッドを脱イオン水などの液体で洗浄する、これらのポッドの定期的なクリーニングが計画される。５〜７分間続くこの洗浄ステージの後、例えば、輸送ポッドが赤外線によって加熱された高温空気の対流によって加熱され、遠心分離にかけられる段階、それに続く、輸送ポッドが開放空気中に放置される段階を含めた、はるかに長い乾燥ステージ（５〜８時間）が続く。
【０００９】
クリーニング流体、より具体的には水蒸気の残留物は、除去する必要のある主要な汚染物質である。
【００１０】
乾燥ステージの欠点は、それが十分に効果的ではないことである。
【００１１】
輸送ポッドを構成する材料を損傷するのを回避し、また輸送ポッドが変形して自動機械用途に適さないものになるのを回避する必要があるので、対流によって加熱する空気の温度は、５０℃に制限されている。その場合、そのような温度は、すべての残留液体を除去するには低すぎる。
【００１２】
同様に、遠心分離処理された輸送ポッドの回転速度は、新しい汚染粒子を作り出さないように制限される。
【００１３】
それゆえに、水残留物がポッドの壁内に捕捉されたままになる。
【００１４】
乾燥は、また、矛盾したものであると記載しておく。
【００１５】
輸送ポッドは、湿気および他の異物を捕捉する領域を形成する、接近困難な多くのデッド・エリアを含む、複雑なジオメトリを有する。
【００１６】
さらに、輸送ポッドは、すべてが同じ製造プロセスから得られるわけではなく、特定のポッドが開放空気中で他のポッドよりも長い乾燥時間を必要とする場合がある。さらに、特定のポッド壁は新しいが、他のポッド壁は、すでに頻繁に取り扱われていて、より多孔質な表面を呈する。
【００１７】
開放空気中に長時間置いた後でさえ、特定の輸送ポッドは、湿ったままである。
【００１８】
さらに、開放空気中での乾燥は、輸送ポッドの数時間にわたる固定を必要とする。ポッドの壁の脱着流が十分に低い許容可能なレベルに達するには、平均して５〜８時間が必要とされる。
【００１９】
したがって、製造業者らは、輸送ポッドが完全に乾燥するのを待つ間それらの輸送ポッドがその中で保管される大きな乾燥室の設置を計画する。
【００２０】
同様に、輸送ポッドの大きなフリート（ｆｌｅｅｔｓ）が必要とされる。
【００２１】
雰囲気の清浄度、温度、湿度、および圧力を時々調節しなければならないこれらのクリーン・ルームの設置ならびにロジスティクス管理は、主要かつ高価な投資となる。
【００２２】
さらに、ますます厳しくなる汚染基準により、製造業者らは、輸送ポッドのクリーニング頻度を高め、したがって、乾燥ステージの完了を待つ間それらの輸送ポッドの保管に必要なスペースをさらに増大させることを余儀なくされている。
【００２３】
したがって、輸送ポッドなどの輸送支持具のより効果的かつ迅速なクリーニングを保証する必要がある。
【００２４】
１つの困難は、輸送支持具の大部分を構成する材料が、一般に多孔質で、除去または阻止する必要のある異物を収容する傾向にあることである。
【００２５】
他の困難は、輸送支持具が、汚濁粒子を発生させる危険のある接触クリーニングに対応していないことである。
【００２６】
マイクロ波放射線が残留湿気を加熱してその除去を助ける可能性が検討された。しかし、この方法は、接地できない金属要素とＲＦ波識別デバイスとを含む次世代の輸送支持具とともに使用することができない。
【００２７】
他の制約は、輸送支持具の表面汚染を最小限に抑えなければならないことであり、一般に、輸送支持具の内側表面は、６５ｎｍよりも大きな粒子を含んでいてはならず、湿気を含んでいてはならず、干渉電荷を含んでいてはならない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
したがって、本発明の目的は、輸送支持具の固定時間を短縮し、輸送支持具の壁の満足のいく清浄度を保証するために使用される、洗浄ステージ後の、異物、特に分子汚染化合物（ＡＭＣ、ＶＯＣ）および／または湿気の除去を大幅に改善かつ加速する、方法、ならびに輸送支持具用の処理ステーションを提案することである。
【００２９】
実際には、本発明は、輸送支持具を劣化または変形させることなく、また干渉静電荷を生み出すことなく、１０分足らずの処理を保証することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
この目的で、本発明は、輸送支持具上の処理されるべき表面から異物を除去するために、前記処理されるべき表面がその間に準大気圧（ｓｕｂａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ）のガス圧と赤外線との複合作用にさらされる処理ステージを含む、基板の運搬および保管のための輸送支持具を処理する方法を提案する。
【００３１】
処理されるべき表面に作用する準大気圧のガス圧と赤外線とのこの複合作用のおかげで、異物の除去は、特に迅速かつ完全となり、輸送支持具を劣化または変形させることなく、必要な時間内に、換言すれば１０分足らずでクリーンな輸送支持具にするという予期せぬ手段を提供する。
【００３２】
約１０分足らずという可能な限り短い処理時間に達するために、処理されるべき表面がさらされるガス圧を可能な限り低減することを目的とする。ただし、低すぎる圧力は、蒸発を加速させ、また同時に液体の温度を降下させるが、また、除去されるべき液体異物の凝固を回避することが不可欠であり、これは、そのような凝固が、これらの異物を除去するのにかかる時間を大幅に延長させ、処理の終わりを検出するのをほぼ不可能にして、得られるクリーニングの質が満足のいかないものになるからである。
【００３３】
このような不都合な凝固を回避するために、本発明の方法の間、有利には、準大気圧が、除去されるべき液体異物の状態図の三重点の圧力よりも大きいままであることを保証することができる。
【００３４】
同時に、除去されるべき異物をそれらの凝固を回避するのに十分に高い温度に置くために、赤外線の効率を高めるとともに、この温度を、それを超えると、例えば輸送支持具を自動機械用途に適さないものにする変形によって、または例えば輸送支持具を多孔質で汚濁の影響を受けやすいものにする材料の構造的変化によって輸送支持具が劣化するおそれのある、許容温度限界未満に維持することに関心がもたれる。
【００３５】
この理由から、赤外線は、好ましくは、除去されるべき１つまたは複数の異物の（１つまたは複数の）吸収波長あたりに最大強度をもつ発光スペクトルを有するべきである。
【００３６】
好ましくは、赤外線は、処理されるべき表面を適切な温度に設定する初期の連続的ステージを含むことのできる断続的赤外線とすることができる。したがって、赤外線は、好ましくは除去されるべき水ベースの異物に作用を及ぼし、初期ステージは、適切な温度への設定を加速して処理時間を大幅に短縮するために使用される。さらに、これは、赤外発光スペクトルと、処理されるべき表面の温度とを別々に制御するために使用される。
【００３７】
実際には、断続的な放射を実施するために、処理されるべき表面の温度を代表する試験温度を有利には測定することができ、前記試験温度にしたがって、処理されるべき表面の前記温度を最高許容温度閾値よりも低い温度設定の近傍で維持するように、赤外線を制御することができる。これによって、最高許容温度に可能な限り近づくことが可能となり、したがって、処理時間が短縮される。
【００３８】
また、処理時間を短縮することを目的として圧力を可能な限り低く設定すると、準大気圧のガス圧を有利には測定し、圧力設定と比較して、その比較に応じて、準大気圧のガス圧を圧力設定あたりにもっていき、そのガス圧をそのレベルで維持するように、ポンピング速度、ポンピング・コンダクタンス、ガス流注入コンダクタンスなど、圧力を調節する手段を制御することができる。
【００３９】
前述のように、異物を除去する際の困難の１つは、輸送支持具の複雑な形状にある。この複雑な形状は、異物がその中に蓄積し、したがって除去が非常に困難となるおそれのある、捕捉領域または陥凹部を含む。
【００４０】
これらの陥凹領域から異物を除去する時間は、処理されるべき表面上の異物が捕捉された少なくとも１つの領域の近くに局所的なガス流が注入されるステージを可能にすることによって、さらに短縮することができる。局所的なガス流は、捕捉領域の汚濁要素の除去に寄与して、処理時間を大幅に短縮する。使用されるガスは、例えば、窒素またはヘリウムとすることができ、後者は、より効果的で、処理時間をさらに短縮できるようになる。
【００４１】
処理の終わりに、処理されるべき表面が、その間に、除去されるべき異物を含まないクリーンなガス流の注入による周囲温度あたりへの温度の漸次降下と、それと同時の大気圧あたりへのガス圧の漸次増大とにさらされる、コンディショニング・ステージを有利には含めることができる。
【００４２】
クリーンなガス流は、このステージの間、処理されるべき表面領域をクリーンなガス分子で飽和させるために使用され、それが、次いで、処理された表面が圧力上昇および冷却の間にスポンジ効果を通じて周囲雰囲気によって再び汚濁されるのを回避する。
【００４３】
クリーンなガス流は、有利には、十分に低速で、例えば大気圧あたりで０．４ｍ／ｓ未満で選択されるべきであるが、高流量を可能にし、したがって干渉静電荷の生成および汚濁粒子の取込みを回避するために、広く分散すべきである。
【００４４】
このような多量の、ただし低速のガス流によって、蒸気相は、液体残留物の近くで排出され、したがって、液体蒸気平衡がシフトし、それによって処理を加速させる。
【００４５】
経済上および安全上の理由から、準大気圧プロセスの終わりに、窒素または空気が好ましくは使用されるべきである。
【００４６】
有利な一実施形態によれば、処理されるべき表面からの異物の除去を代表するパラメータを測定することができ、処理は、その代表パラメータが参照値に達した後で中断される。
【００４７】
このように、処理前に輸送支持具が呈した実際の条件に処理を適合させる、効果的な処理を保証することができる。
【００４８】
例えば、代表パラメータは、輸送支持具の重量、または真空ポンプの出口のところの湿気もしくはＡＭＣの量、または密封チャンバ内のガス圧とすることができる。
【００４９】
他の態様によれば、本発明は、基板の運搬および保管のための輸送支持具処理ステーションであって、
処理されるべき表面をもつ少なくとも１つの輸送支持具を受けるのに適した、ポンピング・デバイスに連結するための密封チャンバと、
前記処理されるべき表面を赤外線にさらすのに適した少なくとも１つの赤外線源と、
前記処理されるべき表面を準大気圧のガス圧と赤外線との複合作用にさらす、ポンピング・デバイスおよび赤外線源を制御するのに適した制御デバイスとを含む、輸送支持具処理ステーションを計画する。
【００５０】
このようなステーションは、以上で定義した方法を実施し、非常に短い処理時間と効果的な処理とを得るために使用される。
【００５１】
好ましくは、処理ステーションは、密封チャンバ内に置かれた、処理されるべき表面の温度を代表する試験温度を測定するのに適した少なくとも１つの温度センサを含むべきである。
【００５２】
したがって、処理されるべき表面の温度を常に知り、必要に応じてその温度を記憶して、劣化がないことを保証することが可能である。
【００５３】
実際には、特定の一実施形態によれば、温度センサは、その一方の面が前記赤外線にさらされ、その反対側の面が温度プローブと接触している、処理されるべき輸送支持具を構成するのと類似の材料で作製された小さい厚さの試験層を含む。
【００５４】
このように、温度センサは、密封チャンバ内に存在することができ、密封チャンバ内に輸送支持具を挿入するまたは密封チャンバ内の輸送支持具を除去するステージの間、その温度センサを移動するまたは配線する必要がない。
【００５５】
試験層の温度は、原則として、処理されるべき表面の温度に非常に類似しており、試験層の厚さが小さいので、温度プローブは、処理されるべき表面の温度に非常に近い温度を測定することができる。
【００５６】
好ましくは、制御デバイスは、温度センサによって生成される温度データを調べ、温度センサによって測定された温度が、それ自体が最高許容温度閾値を下回る温度設定よりも所定の差を超えて低いときには、赤外線源の電力供給をトリガし、温度センサによって測定された温度が所定の差を超えて前記温度設定を上回るときには赤外線源の電力供給を遮断する、赤外線制御プログラムを含むべきである。
【００５７】
したがって、処理ステーションは、処理時間をさらに短縮するために、温度を最高許容温度閾値の可能な限り近くに維持するために使用される。
【００５８】
赤外線源が、除去されるべき異物を含む処理されるべき表面領域、特に、凹形領域および他の捕捉領域を本質的に照射可能であることが有益である。
【００５９】
したがって、実際には、赤外線源は、箱の形態の輸送支持具の内側に挿入するのに適した少なくとも１つの線源部分を含むことができる。こうして、処理時間が短縮される。
【００６０】
やはり処理時間を短縮するために、初期ガス注入デバイスを、また、有利には、処理されるべき表面の近傍に第１の局所的なガス流を注入するように計画することができる。
【００６１】
反対に、再加圧の間、注入されるガスが低速で分散した流れを生み出すことが好ましい。したがって、第２のガス注入デバイスは、有利には、処理されるべき表面から隔てられた密封チャンバにクリーンなガス流を注入するように計画することができる。
【００６２】
有利な一実施形態によれば、処理ステーションは、処理されるべき表面からの異物の除去を代表するパラメータを測定するデバイスを含むことができ、また、制御デバイスが、代表パラメータが参照値に達するときには処理を中断するのに適したものとなるように、計画することができる。
【００６３】
実際には、処理ステーションは、少なくとも１つの輸送支持具の重量を測定し、重量信号を生成することが可能となるように位置決めされた少なくとも１つの電子はかりと、重量信号を処理して前記重量信号から処理ステージの終わりを推定する手段とを含むことができる。
【００６４】
はかりは、輸送支持具が前記はかりに力を加えるときに電磁補償を生み出すことができるように永久磁石の磁場内に置かれた少なくとも１つの補償巻線を含む、電気的フィードバック回路を含むことができる。
【００６５】
代替形態として、処理ステーションは、有利には、ポンピング・デバイスの真空ポンプの出口のところの湿度および／もしくはＡＭＣセンサ、ならびに／または密封チャンバの圧力計を含むこともできる。
【００６６】
処理ステーションは、別々にまたは組み合わせて採用できる、他の特徴、特に、以下の特徴を有することができる：
チャンバの閉位置でガスケットを圧迫するのに適した少なくとも１つのシリンダを含む、チャンバの密閉カバーとは反対側でチャンバの開口部の周辺に置かれたガスケット、
前記ステーションのフレームの下面と床との間に置かれた、振動を減衰させるデバイス、
チャンバに連結された誘導励起セルを含み、前記セルの内側にプラズマを形成するのに適した電磁励起アンテナを含む、ガス種のための制御デバイス。
【００６７】
処理ステーションは、さらに、輸送支持具を液体でクリーニングする機器に連結することができ、前記クリーニング機器は、当該クリーニング機器から前記処理ステーションへと輸送支持具を運ぶためのデバイスを含む。
【００６８】
本発明は、また、真空ポンプと前述のような少なくとも１つの処理ステーションとを含む処理機器に適用される。
【００６９】
他の利点および特徴は、添付図面に関連して作成された本発明の説明を読めば明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の一実施形態による方法の様々なステージを示すフローチャートである。
【図２】本発明の一実施形態による、開位置の処理ステーションの側面斜視図である。
【図３】図２の処理ステーションの概観図である。
【図４】真空内に置いたときの時間による輸送支持具の測定重量の漸進的変化を表すグラフである。
【図５】水の状態図である。
【図６】水による赤外線吸収についての曲線を示す図である。
【図７】本発明の一実施形態による温度センサの正面図である。
【図８】本発明の一実施形態による温度センサの背面図である。
【図９】本発明の一実施形態による温度センサの断面図である。
【図１０】図７〜９の温度センサの動作を図式的に示す図である。
【図１１】当該方法の間の赤外線、温度、および圧力の変動を示す時間図である。
【発明を実施するための形態】
【００７１】
これらの添付図では、同一の要素には同じ参照番号が与えられている。
【００７２】
明瞭にするために、当該方法の諸ステージには、１００から始まる番号が付けられており、ステーションの諸要素には、１〜６０の番号が付けられている。
【００７３】
図１は、基板の運搬および保管のための輸送支持具の処理方法のフローチャート（破線の長方形１００の内側）を示す。
【００７４】
この方法は、例えば、図１に示されるステージ１０１にしたがって、脱イオン水による洗浄など、予め液体によるクリーニングを受けていることのある、図２に示される輸送支持具１に適用される。
【００７５】
輸送支持具１は、半導体ウエハ、レチクル、太陽産業用の薄膜などの基板の運搬および大気中保管のための手段である。
【００７６】
例えば、輸送支持具１は、輸送ポッドのケーシング２、ポッド扉３、および／または輸送ポッド自体である。輸送ポッドは、特に、タイプＦＯＵＰ、ＳＭＩＦポッド、ＲＳＰもしくは「オープン・カセット」の一体型輸送ポッド、または太陽センサ用の基板のための輸送ポッドとすることができる。
【００７７】
本発明による方法は、その間に輸送支持具１が真空ポンプ５に連結された密封チャンバ４内に置かれ（ステージ１０２）、輸送支持具１の処理されるべき表面１ａが真空ポンプ５を通じた準大気圧のガス圧ＰＳＡ（ステージ１０３）と赤外線ＩＲとの複合作用にさらされる、図３および１０に示される処理ステージを含むことを特徴とする。
【００７８】
壁の処理によって、わずか約１０分後の満足のいくレベルまでの乾燥と、壁の脱ガス（ｄｅｇａｓｓｉｎｇ）の最適化との両方が可能になる。
【００７９】
輸送支持具１のこの処理は、乾燥および脱着を通じて、特に水などのクリーニング剤の液体残留物およびそれらの蒸気の形態、ときには特定の固体残留物までをも、除去することを目的とする。
【００８０】
さらに、従来技術の方法とは異なり、それについての脱着流のレベル、したがって乾燥のレベルを、ある支持具から別の支持具へと完全に再現可能である輸送支持具を得るために、当該方法が使用されることが観察される。
【００８１】
従来技術の乾燥方法では、第１に、残留水蒸気は、輸送支持具１のデッド・エリア内にとどまったままになるおそれがあり、第２に、脱ガス・レベルは、輸送支持具の履歴に依存した。
【００８２】
したがって、当該方法の再現性は、液体クリーニングに続く同じ処理方法の後で輸送支持具１が同じ清浄度レベルを有することを保証するために使用される。
【００８３】
例えば、輸送支持具１は、それについての準大気圧ＰＳＡが１０００ｍｂａｒ未満、好ましくは約１００ｍｂａｒまたは約１０ｍｂａｒである１次真空にさらされ、準大気圧ＰＳＡが除去されるべき異物の状態図の三重点の圧力ＰＴよりも高いままであることが観察される。例えば、除去されるべき異物が水の場合、三重点の圧力ＰＴは、６ｍｂａｒである（図５参照）。
【００８４】
処理されるべき表面１ａ上の水などの液体異物の除去後、輸送支持具１の壁の脱ガス流をさらに低いレベルまで除去するために、輸送支持具１を、それについての準大気圧が０．１ｍｂａｒ未満、好ましくは約０．００１ｍｂａｒである２次真空にさらすことができる。
【００８５】
したがって、例えば、輸送支持具１を１次ポンピングにさらし始め、次いで、必要とされる乾燥レベルが得られたときには２次ポンピングに切り替えるように計画することができる。
【００８６】
当該方法によれば、輸送支持具１は、準大気圧ＰＳＡにさらされながら、赤外線ＩＲによって加熱される。
【００８７】
輸送支持具１は、赤外線ＩＲによって予め定められた温度まで加熱される。
【００８８】
赤外線ＩＲから放出される出力は、輸送支持具１材料の最高許容温度ＴＡを超えるのを回避するように、輸送支持具１材料の温度ＴＭを測定することによって制御される。
【００８９】
図１１は、赤外線加熱プロセスについての好ましい実施形態を示す。この場合、赤外線ＩＲは、断続的である。それは、有利には、処理されるべき表面１ａを適切な温度に設定する連続的な初期ステージＥ１を含む。次いで、赤外線ＩＲは、材料の温度ＴＭを温度設定ＴＣあたりで維持するために、満足のいく継続時間にわたって交互に切断／回復される。同時に、断続的な赤外線を可能にすることによって、赤外線発生デバイスの波長スペクトルを制御しながら処理されるべき表面１ａの温度を制御できるようになる。
【００９０】
赤外線放出が連続的である初期ステージＥ１の間に、材料の温度ＴＭは、温度設定ＴＣに達するまで急速に上昇する。次いで、温度ＴＭは、それ自体が最高許容温度閾値ＴＡよりも低い、温度設定ＴＣあたりで維持される。
【００９１】
実際には、処理されるべき表面１ａの温度ＴＭを代表する試験温度が測定され、赤外線ＩＲは、前記試験温度にしたがって制御され、温度ＴＭが、所定の差だけ、例えば１度、温度設定ＴＣを超えるときには、赤外線ＩＲは、遮断される。次いで、温度ＴＭが、所定の差だけ、例えば１度、温度設定ＴＣ未満に降下するときには、赤外線は、回復される。その結果、図１１の時間図に示される温度ＴＭ曲線が得られる。
【００９２】
さらに、赤外線ＩＲ波長発光スペクトルは、輸送支持具１の表面上および輸送支持具１の材料の内側の第１の層内で加熱が起こるような形で、好ましくは除去されるべき液体異物上で加熱が起こるような形で選択することができる。したがって、約３μｍの波長が、水を除去するのに有利である。
【００９３】
また、除去されるべき２以上のタイプの元素によって選択的に吸収されやすい２以上の異なる波長に対して赤外線を作用させるように選択することも可能である。
【００９４】
実際には、赤外線ＩＲは、有利には、除去されるべき１つまたは複数の異物の（１つまたは複数の）吸収波長あたりに最大強度をもつ発光スペクトルを有することができる。
【００９５】
温度設定ＴＣは、有利には周囲温度よりも高く、好ましくは約５０℃である。
【００９６】
準大気圧ＰＳＡが可能な限り低く、ただし、除去されるべき物体の三重点の圧力ＰＴよりも永久的に高いままであることが不可欠であり、さもなければ、除去されるべき液体物体が固体化するおそれがあり、それらの除去が非常に低速になる。この理由から、ガス圧ＰＳＡを有利には密封チャンバ４の内側で測定し、圧力設定ＰＣと比較して、その比較に応じて、準大気圧のガス圧ＰＳＡを圧力設定ＰＣあたりにもっていき、そのガス圧をそのレベルで維持するように、ポンピング速度、ポンピング・コンダクタンス４６、ガス流注入コンダクタンス１８など、圧力を調節する手段を制御することができる。
【００９７】
輸送支持具１の処理されるべき表面１ａ上の異物の捕捉領域の近くに局所的なガス流４７を注入することによって、処理の大幅な加速が得られると記載した。そのような局所的なガス流４７（図１０）は、処理されるべき表面１ａの近傍での分子および粒子の取込みに有利にはたらく。
【００９８】
好ましくは、処理されるべき表面１ａを不動態化（ｐａｓｓｉｖａｔｅｓ）する、密封チャンバ４を大気圧に設定するために使用できるクリーンなガスの吸収に、冷却が有利にはたらくので、周囲温度および大気圧の近傍への復帰が行われて、輸送支持具１を密封チャンバ４の内側で維持する。
【００９９】
実際には、処理されるべき表面１ａが、その間に、大気圧Ｐａあたりへのガス圧ＰＳＡの漸次上昇と、除去されるべき異物を含まないクリーンなガス流４８の注入による周囲温度Ｔａあたりへの温度ＴＭの降下とにさらされる、コンディショニング・ステージＥＣを有利には計画することができる（図１１）。クリーンなガス流４８（図１０）は、局所的ではなく、換言すれば、密封チャンバ４内に分散しなければならない。クリーンなガス流４８は、十分に低速で選択され、高流量を可能にして干渉静電荷の生成および処理されるべき表面１ａ上の汚濁粒子の取込みを回避するために、広く分散される。
【０１００】
処理に必要な時間は、好ましくは同じ事前の洗浄ステージを受けた同じタイプのポッドとおおむね同等になると考えることができる。この場合、処理は、輸送支持具１のタイプに特徴的な予め定められた継続時間の後で中断することができ、それから輸送支持具１が準大気圧にさらされる。
【０１０１】
図１のフローチャートに示される有利な一変形形態によれば、輸送支持具１の処理されるべき表面１ａからの異物の除去に特徴的なパラメータが測定され（ステージ１０４）、このパラメータの漸進的変化（ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）は、輸送支持具１のタイプを考慮に入れた参照、換言すれば、参照値または参照曲線と比較される（ステージ１０５）。
【０１０２】
参照は、輸送支持具１の満足のいくレベルの脱着に、したがって乾燥に特徴的であり、処理は、代表パラメータが参照に達するときには中断することができる。
【０１０３】
各タイプの輸送支持具１は、サイズ、材料、構造、ジオメトリなど、１組の物理的パラメータによって特徴付けることができる。具体的には、一体型タイプのポッド、例えば、ＦＯＵＰタイプ・ポッド、ＳＭＩＦポッド、ＲＳＰもしくは「オープン・カセット」タイプ・ポッド、または太陽センサ用の基板のための輸送ポッドがある。
【０１０４】
次いで、測定パラメータが参照以下になったら可能な限り早く密封チャンバ４内の圧力が大気圧へと増大するように計画することができる。
【０１０５】
大気圧Ｐａは、クリーン・ルームの気圧など、輸送支持具１の使用環境内でのそれらの輸送支持具１の圧力である。
【０１０６】
測定されたパラメータが参照以下になるときには、脱着流のレベルは、十分に低いレベルに達している。
【０１０７】
この場合、密封チャンバ４内の圧力を高め、輸送支持具１を除去する（ステージ１０６）か、または、再使用されるのを待つもしくは密封チャンバ４内のスペースを確保するのを待つ間、輸送支持具１がその壁を脱着させ続けるように、輸送支持具１を真空内で保管する（ステージ１０７）か、選択することができる。
【０１０８】
１つの可能性によれば、特徴的なパラメータは、密封チャンバ４内のガスの全圧または分圧である。
【０１０９】
ポンピングの限界真空状態での全圧の測定は、主に、処理されるべき輸送支持具１の脱ガスによって生じる、密封チャンバ４内の脱着流の指標である。
【０１１０】
この測定方法は、高流量のガス（数ｓｃｃｍ程度）にはきわめて効果的である。しかし、脱着流が比較的低流量（数ｓｃｃｍ未満）であるときには、この測定技術は、確度に欠けることがある。
【０１１１】
さらに、ガス流４７が密封チャンバ４に注入されるときには、脱着流の信号は、注入された流れの信号とともに消えることがある。
【０１１２】
また、当該方法が、その間にパージ・ガスが密封チャンバ４に導入されるパージ・ガス充填操作と、その間にパージ・ガスと初期ガスとの混合物がポンピングによって密封チャンバ４から抜き出されるパージ・ガス・ポンピング操作とを含む、追加のパージ・ステージを含むことが可能である。
【０１１３】
他の可能性によれば、特徴的なパラメータは、輸送支持具１の測定重量である。
【０１１４】
重量の値は、異物の除去とともに、また輸送支持具１の壁の脱ガス流とともに変化する。
【０１１５】
測定は、好ましくは、輸送支持具１が経験する浮力および密封チャンバ４内の流れの運動に例えば起因した、測定の擾乱を回避するために、真空ポンプ５の定常状態から開始することができる。
【０１１６】
図４は、縦軸に重量Ｐがグラムで与えられ、横軸に時間Ｔが時間、分、秒で与えられるグラフである。曲線１５０は、密封チャンバ４が真空内に置かれたときの時間による輸送支持具１の測定重量を表す。
【０１１７】
支持具１の重量が時間の増加とともに減少することに留意する。輸送支持具１の壁は、真空中で脱ガスする。重量測定は、したがって、輸送支持具１の処理レベルの良好な指標である。
【０１１８】
他の可能性によれば、参照は、真空ポンプ５の出口における湿気またはＡＭＣの量とすることができる。
【０１１９】
有利には、参照は、特徴的なパラメータの予め定められた時間変動とすることができる。
【０１２０】
したがって、圧力または測定重量の時間変動が低くなりすぎるときには、時間による脱着流は、もはや、輸送支持具１を真空内に保つことを正当化するのに十分に高くない場合がある。
【０１２１】
あるいは、参照は、予め定められた閾値とすることもできる。
【０１２２】
本発明による処理方法の効率を説明するために、密封チャンバ４内に置かれ、当該方法の様々な作用にさらされた被試験片に試験を実施した。
【０１２３】
すべての事例で、赤外線ＩＲを被試験片上で使用した。
【０１２４】
処理の速度を、大気圧の第１の事例と、水の三重点に近い圧力（１０ｍｂａｒ）の第２の事例との間で比較し、速度ゲインは、三重点に近い圧力の場合に６７％であった。
【０１２５】
氷の形成をまねく過度に低い圧力（６ｍｂａｒ）と、全乾燥時間にわたって氷の形成が起こらないことを保証する適正な圧力（６．７ｍｂａｒ）とを比較することによって、圧力の適正な維持の重要性について試験を実施した。速度ゲインは、５７％であった。次いで、同じ５０ｍｂａｒの圧力について、圧力の維持を保証するためにガス流を挿入する効果を調査した。ガス流の挿入によって、ガス流なしの処理と比較して１３％の速度ゲインが可能となった。
【０１２６】
次いで、挿入されたガス流に対する処理されるべき表面１ａの位置決めの効果を調査した。処理されるべき表面１ａを注入されたガス流の経路内に位置決めすることによって、１９％の速度ゲインを得られることがわかった。
【０１２７】
また、注入されたガスの性質の効果も調査した。ヘリウムを使用すると、同じ条件で窒素の注入に比較して２２％の速度ゲインが得られた。
【０１２８】
さらに、ＦＯＵＰタイプの輸送支持具に試験を実施して、処理後の輸送支持具の残りの脱ガスを測定した：
ａ）１時間にわたって大気圧Ｐａで赤外線（５０℃）によって加熱した後、残りの脱ガスは、２．５ｓｃｃｍであった。
ｂ）追加加熱なしに１時間にわたって真空内に置いた後、残りの脱ガスは、０．７７ｓｃｃｍであった。
ｃ）１時間にわたって赤外線（５０℃）によって追加加熱しながら真空内に置いた後、残りの脱ガスは、０．６ｓｃｃｍであった。
【０１２９】
これは、真空と赤外線との組合せの相乗効果を示す。
【０１３０】
本発明によれば、図２に示されるように、処理ステーション１０が、また、輸送支持具１のために、基板の運搬および大気中保管のために、前述の処理方法の実施のために、計画される。
【０１３１】
ステーション１０は、好ましくはフレーム７上に据え付けられた少なくとも１つの密封チャンバ４を含む。
【０１３２】
処理ステーション１０の密封チャンバ４は、真空ポンプ５ポンピング・デバイス（図３参照）に連結するためのものであり、処理されるべき表面を備えた、基板のための輸送ポッドなど、少なくとも１つの輸送支持具１を受けるのに適している。
【０１３３】
処理ステーション１０は、輸送支持具１の処理されるべき表面１ａを赤外線ＩＲにさらすのに適した、少なくとも１つの赤外線源４９を含む。
【０１３４】
図２は、処理ステーション１０が４つのＦＯＵＰタイプの輸送ポッドを受ける様子を示す。
【０１３５】
第１の変形形態によれば、真空ポンプ５は、１次真空ポンプである。
【０１３６】
あるいは、真空ポンプ５は、１次真空ポンプに連結するための導管と、処理方法を実施するときに１次ポンピングから２次ポンピングへと切り替えることができるように、２次ポンプに連結するための、１次真空ポンプの上流の導管の分岐とを含むこともできる。
【０１３７】
密封チャンバ４は、好ましくは円筒形で、真空内に置かれるのに耐えるようにステンレス鋼で作製される。密封チャンバ４は、また、有利にはヒンジ１３（図２）上に据え付けられた、密閉カバー１１によって塞ぐことのできる開口部９を含む。
【０１３８】
密閉カバー１１は、有利には、前面１４上に、輸送支持具１が内側に存在するかどうかを操作者が点検できるようにする、例えばガラス製の少なくとも１つの窓１５を含む。
【０１３９】
窓１５は、有利には、各輸送支持具１の高さのところに計画される。
【０１４０】
さらに、密閉カバー１１の前面１４は、有利には、処理ステーション１０の動作状態を信号で伝えるタワー１６と、処理ステーション１０のＣＰＵ１７（図３）に接続された表示画面（見られない）とを含む。
【０１４１】
図３および１０からわかるように、密封チャンバ４は、輸送支持具１の処理後に密封チャンバ４を大気圧に設定するために、乾燥窒素を導入する手段など、クリーンなガスを導入する手段６０を含む。
【０１４２】
輸送支持具１が輸送ポッドであるときには、有利には、ポッドを真空内に置くときにポッドの壁を変形させないように、輸送ポッドを開いた状態で密封チャンバ４内に置くことができる。
【０１４３】
このために、処理ステーション１０は、例えば、各輸送支持具１を支持するための棚２３、２５を含む。
【０１４４】
図２からわかるように、処理ステーション１０は、好ましくは、ポッドのケーシング２がその上に置かれる第１の組の棚２３に加えて、対応する扉３がその上に置かれる第２の組の棚２５を含むべきである。
【０１４５】
有利には、第２の組の棚２５は、密閉カバー１１の内側陥凹部２７内で扉３を垂直位置で支持する。
【０１４６】
第２の組の棚２５の棚は、また、その下に置かれたポッドの扉３を保持するための係止タブ２９を含む。
【０１４７】
寸法を制限し、輸送支持具１への接近を簡単にするために、処理ステーション１０が、密封チャンバ４の固定部分内の支持具１の最もかさばる部分と、密閉カバー１１の陥凹部２７内の第２の部分とを受けるのに適したものとなるように計画される。
【０１４８】
密封チャンバ４は、また、密閉カバー１１が閉位置（図示せず）にあるときに密封チャンバ４を封止するように開口部９の周辺に置かれた扉ガスケット３１を含む。
【０１４９】
また、密封チャンバ４の閉位置で扉ガスケット３１を圧迫できるように、処理ステーション１０が、密封チャンバ４のヒンジ１３の関節上に据え付けられた好ましくは空気圧式の少なくとも１つのシリンダ３３を含むように計画される。
【０１５０】
開口部９上の密閉カバー１１の案内をさらに改善するために、処理ステーション１０のヒンジ１３の長さに沿って均一に散在した、いくつかのシリンダ３３が計画される。
【０１５１】
図２に示されるように、ヒンジ１３の３つの関節上に配置された３つのシリンダ３３が好ましい。
【０１５２】
扉ガスケット３１の均質な圧縮を保証するために、第１に、好ましくはカバー１１に連結されたピン３７と、第２に、扉ガスケット３１の外側で密封チャンバ４の開口部９の周辺に置かれた対応する穴３９とからなる、少なくとも１つのガイド３５がまた計画される。
【０１５３】
好ましくは、シリンダ３３とおおむね同じ高さで、ヒンジ１３を含む側部とは反対側の密封チャンバ４の開口部９の側部に沿って均一に散在した、ヒンジ関節と同数のガイド３５が存在すべきである。
【０１５４】
したがって、密封チャンバ４を閉じるときには、密閉カバー１１は、初めに、密封チャンバ４の開口部９上のピン３７によって案内され、心合わせされる。
【０１５５】
適所に置かれたら、次に、シリンダ３３の作動を使用して、密閉カバー１１を開口部９に押し付けて固定し、したがって、扉ガスケット３１を圧迫して、チャンバ４を封止する。
【０１５６】
この配置は、ヒンジ１３の位置で扉ガスケット３１に作用するせん断拘束を制限するために使用される。
【０１５７】
あるいは、密閉カバー１１を密封チャンバ４の開口部９上に心合わせするために、密封チャンバ４の開口部９の縁部上におおむね対称的に置かれた、密閉カバー１１の少なくとも２つのガイド３５を有することが計画される。
【０１５８】
この代替的な実施形態では、また、単純に密封チャンバ４を真空内に置くことによって扉ガスケット３１を圧迫できるように寸法設定されたポンプ５を有することも計画される。
【０１５９】
図３および１０では、処理ステーション１０は、また、第１に、ポンピング・デバイスを使用して密封チャンバ４を準大気圧（ＰＳＡ）に置くことを管理するために、第２に、赤外線源４９を制御するために、ＣＰＵ１７を備えた制御デバイスを含む。このように、処理ステーション１０は、処理されるべき表面１ａを準大気圧のガス圧と赤外線ＩＲとの複合作用にさらすのに適している。
【０１６０】
赤外線源４９の制御のために、図１０に示されるように、有利には、密封チャンバ４内に置かれた、処理されるべき表面１ａの温度ＴＭを代表する試験温度を測定するのに適した少なくとも１つの温度センサ５０が存在する。温度センサ５０は、密封チャンバ４に接続され、処理されるべき表面１ａに類似した形で赤外線源４９からくる赤外線ＩＲを受け取る領域内に置かれる。赤外線ＩＲの作用が、温度センサ５０上に、処理されるべき表面１ａが経験する温度上昇に類似した温度上昇を生み出すことが保証される。
【０１６１】
実際には、温度センサ５０は、図７〜９に示されるように作り出すことができ、温度センサは、それを密封チャンバ４の壁に取り付ける位置決め穴５１および５２を備え、また温度プローブ５４を挿入する止まり穴５３を備えた、処理されるべき輸送支持具１を構成する材料に類似の材料、例えば、炭素負荷ＰＥＥＫ（ｃａｒｂｏｎ ｌｏａｄｅｄ ＰＥＥＫ）の、長さ約６０ｍｍ、幅約２０ｍｍ、厚さ約８ｍｍのおおむね平行平面板とすることができる。
【０１６２】
止まり穴５３は、その一方の面５６が赤外線ＩＲにさらされ、その反対側の面が温度プローブ５４と接触している、小さい厚さｅ（約１０分の１または１０分の２ミリメートル）の試験層５５によって塞がれる。試験層５５の小さい厚さｅは、温度センサ５０の低い熱慣性および良好な反応性を保証するために使用される。
【０１６３】
実際には、ＣＰＵ制御デバイス１７は、温度センサ５０によって生成される温度データを調べ、温度センサ５０によって測定された温度が、それ自体が許容温度閾値ＴＡを下回る温度設定ＴＣよりも所定の差を超えて低いときには、赤外線源４９の電力供給をトリガし、温度センサ５０によって測定された温度が所定の差を超えて前記温度設定ＴＣを上回るときには赤外線源４９の電力供給を遮断する、赤外線制御プログラムを含む。
【０１６４】
図１０に示される実施形態では、輸送支持具１は、中空の輸送箱型要素である。この場合、赤外線源４９は、有利には、箱の形態の輸送支持具１の内側に挿入するのに適した少なくとも１つの赤外線源部分４９ａを含む。したがって、赤外線源４９は、除去されるべき異物を捕捉しやすい凹形箱領域の可能な限り近くにあり、存在しうる影の領域が縮小される。
【０１６５】
さらに図１０に示された実施形態では、処理ステーションは、また、処理されるべき表面１ａの近傍で第１の局所的なガス流４７を生み出すために、初期ガス注入デバイス１８を含む。この第１の局所的なガス流４７は、処理の間、密封チャンバ４内のガス圧ＰＳＡを維持するための手段として使用することができる。この場合、ＣＰＵは、初期ガス注入デバイス１８によって保証されるガス流量を管理することができる。
【０１６６】
ただし、コンディショニング・ステージＥＣでは、第２のガス注入デバイス６０が、処理されるべき表面１ａから隔てられた密封チャンバ４にクリーンなガス流４８を注入するように計画される。
【０１６７】
さらに、ＣＰＵ１７は、処理の進行に特徴的なパラメータを点検するために使用されるセンサに接続することができる。これらのセンサは、密封チャンバ４の圧力計４５（図３）、ならびに／またははかり４１、ならびに／または真空ポンプ５の出口のところの湿度および／もしくはＡＭＣセンサ５７（図１０）とすることができる。
【０１６８】
圧力測定の代わりに、または圧力測定に加えて、弁を通じて真空ポンプ５の導管に連結できる、または密封チャンバ４に直接連結できる誘導励起セルを含む、ガス種のための制御デバイス（図示せず）を、また、密封チャンバ４のガスと連通するように使用することもできる。
【０１６９】
ガス種のための制御デバイスは、また、セルの内側にプラズマを形成するような形でこのセルの周りに置かれた、発電機によって電力供給される電磁励起アンテナを含む。
【０１７０】
次いで、プラズマによって放出される光放射線は、検出され、光学的分光計に送られる。放出は、光ファイバによって、または適合コネクタによって実施することができる。光学的分光計は、検出された光学スペクトルの画像を生成し、それらを例えばＣＰＵ１７に送る。
【０１７１】
有利には、また、ステーション１０が完全に自動運転できるようにするために、ＣＰＵ１７は、バーコード読取装置、ＲＦＩＤ読取装置（変換器）、受信器など、輸送支持具１を識別する手段を含むことができる。
【０１７２】
本発明の他の特定の実施形態によれば、ステーション１０は、少なくとも１つの輸送支持具１の測定された重量の漸進的変化を測定できるように位置決めされた、少なくとも１つの電子はかり４１を含む。
【０１７３】
重量の測定は、輸送支持具１の壁の脱ガス流と相関させることができ、したがって、それらの乾燥の進展を決定できるようになる。
【０１７４】
測定が有意であるためには、測定の確度は、有利には、数キログラム（ＦＯＵＰタイプの輸送ポッドでは約４ｋｇ、ＲＳＰタイプのポッドでは約７００ｇ）のフル・スケールについて、約１００分の１グラムである。
【０１７５】
また、外部環境に起因した干渉を制限するために、処理ステーション１０が、ステーションのフレーム７の下面と床との間、好ましくはステーション１０の足部４４の下に置かれた振動を減衰させる手段（図示せず）を含むように計画される。
【０１７６】
ステーション１０がいくつかの輸送支持具１を含むのに適している場合、また、コストを制限するために、輸送支持具１の乾燥の進展は、単一の輸送支持具１を点検することによって決定される。
【０１７７】
複数の輸送支持具１が同じタイプのもので、同じ事前クリーニング・ステージから得られる場合には、輸送支持具１の測定の結果得られる情報をこれらのすべての輸送支持具１の乾燥の進展に適用できると見なすことができる。
【０１７８】
したがって、図２に示されるように、処理ステーション１０は、ＦＯＵＰタイプ輸送箱の１つのケーシング２をそれぞれが受けるための、例えば３つの棚または固定式プラットフォーム２３を含み、またさらに、ＦＯＵＰタイプ輸送箱の第４のケーシング２の重量を測定するのに適した、可動式プラットフォーム４３の下のはかり４１を含む。
【０１７９】
有利には、はかり４１は、輸送支持具１がはかり４１に力を加えるときに電磁補償を生み出すことができるように永久磁石の磁場内に置かれた少なくとも１つの補償巻線を含む電気的フィードバック回路を含む。
【０１８０】
ゼロを読み取った後、はかり４１の釣り合いに必要な補償力は、プラットフォーム４３に加わる重量に比例しており、したがって、電流の強度は、重量に変換される。
【０１８１】
一変形実施形態によれば、処理ステーション１０は、輸送支持具の洗浄機器（図示せず）に連結される。
【０１８２】
この変形形態では、ステーション１０および／または機器が、洗浄機器から処理ステーション１０の密封チャンバ４へと輸送するための、輸送支持具１を運搬する手段を含むように計画される。
【０１８３】
例えば、運搬手段は、輸送支持具１のための取扱ロボット、またはコンベヤ・ベルトである。
【０１８４】
また、１つまたは複数の処理ステーション１０と洗浄機器（図示せず）との間に移送チャンバが存在してもよい。
【０１８５】
また、真空ポンプ５と、好ましくは単一のＦＯＵＰタイプ輸送支持具１を受けるのに適した少なくとも１つの処理ステーションとを含む、処理機器が存在してもよい。
【０１８６】
したがって、操作に際しては、処理ステーション１０は、洗浄ステージ後に処理方法を実施するのに適している。
【０１８７】
カバー１１を使用して閉じられた密封チャンバ４内に輸送支持具１を置くことから始める。
【０１８８】
次いで、ポンプ５を使用して、密封チャンバ４内に含まれるガスを排出し、赤外線ＩＲを発生させる。
【０１８９】
ポンピングによるガスの排出、および赤外線ＩＲは、有利には、除湿の進行に特徴的なパラメータの漸進的変化と参照とを比較した結果に応じて停止させることができる。
【０１９０】
次いで、輸送支持具１を冷ましておき、第２のガス導入デバイス６０を通じたクリーンなガスの導入を通じて、密封チャンバ４の圧力を大気圧まで上昇させ、次いで、密閉カバー１１を開けて輸送支持具１を密封チャンバ４から取り除く。
【０１９１】
他の実施形態によれば、処理ステーション１０は、また、真空処理ステージの前に輸送支持具１を密封チャンバ４自体内で直接洗浄できるようにする、流出（ｒｕｎ−ｏｆｆ）手段５９を備えた固定式または可動式ジェットなどの洗浄デバイス５８を含むことができる。こうして、取扱デバイスの使用は、それに付随した再汚染の危険とともに回避される。全体的な処理時間は、短縮される。処理の有効性は、また、同時の除染と洗浄デバイス自体の制御とを通じて高められる。これは、また、コストを削減し、スペースを節約する。
【０１９２】
輸送支持具の本発明による処理方法を通じて、また、当該方法を実施する本発明による処理ステーションの使用を通じて、輸送支持具１は、真空内に置かれ、処理されるべきその表面１ａは、選択的に加熱される。これは、輸送支持具１の壁の上、特に、支持具の材料の第１の層内の液体の蒸発に有利にはたらき、したがって、異物の除去のための処理を加速させる。
【０１９３】
本発明は、明確に記載した諸実施形態だけに限定されず、むしろ、当業者が実現可能な範囲内のいずれの変形形態および一般化形態も含む。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハまたはレチクル用の輸送ポッドなど、基板の運搬および大気中保管のための輸送支持具を処理する方法であって、輸送支持具が、純水による洗浄など、液体を使用した事前クリーニングを場合によっては受けている方法に関する。
【０００２】
本発明は、また、このような方法を実施するための処理ステーションも含む。
【背景技術】
【０００３】
輸送および保管ポッドは、基板の輸送および使用環境から隔てられた、１つまたは複数の基板の輸送および保管のための大気圧下の密閉空間を構築する。
【０００４】
半導体製造業では、これらのポッドは、あるデバイスから別のデバイスへと半導体ウエハもしくはレチクルなどの基板を輸送するために、または２つの製造ステージの間に基板を保管するために使用される。
【０００５】
特に、ウエハを輸送／保管する前面開口式の一体型ポッド（ＦＯＵＰ：ｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎｉｎｇ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ）と、底面開口式の標準機械的インターフェース・ポッド（ＳＭＩＦポッド（ｓｔａｎｄａｒｄ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ ｐｏｄｓ））、「オープン・カセット（ｏｐｅｎ ｃａｓｓｅｔｔｅ）」ポッド、レチクルの輸送および保管のためのレチクルＳＭＩＦポッド（ＲＳＰ：Ｒｅｔｉｃｌｅ ＳＭＩＦ Ｐｏｄｓ）、太陽産業用の基板の輸送のためのポッドとが、区別される。
【０００６】
これらの輸送ポッドは、ポリカーボネートなどの材料で作製されており、それらの材料は、場合によっては、輸送ポッドの製造および／またはそれらの使用の結果生じる可能性のある汚染物質、特に、有機物、塩基、アミン、酸、およびドーパント汚染物質（ＡＭＣ）を濃縮するおそれがある。
【０００７】
さらに、半導体の製造の間、輸送ポッドが取り扱われ、それが、輸送ポッドの壁内にとどまる汚濁粒子（ｐｏｌｌｕｔａｎｔ ｐａｒｔｉｃｌｅｓ）の形成をまねいて輸送ポッドを汚染する。その後、輸送ポッドの壁に付着している粒子は、ゆるんで、これらのポッド内に保管された基板上に落下し、それらを損傷するおそれがある。
【０００８】
したがって、これらのポッドを脱イオン水などの液体で洗浄する、これらのポッドの定期的なクリーニングが計画される。５〜７分間続くこの洗浄ステージの後、例えば、輸送ポッドが赤外線によって加熱された高温空気の対流によって加熱され、遠心分離にかけられる段階、それに続く、輸送ポッドが開放空気中に放置される段階を含めた、はるかに長い乾燥ステージ（５〜８時間）が続く。
【０００９】
クリーニング流体、より具体的には水蒸気の残留物は、除去する必要のある主要な汚染物質である。
【００１０】
乾燥ステージの欠点は、それが十分に効果的ではないことである。
【００１１】
輸送ポッドを構成する材料を損傷するのを回避し、また輸送ポッドが変形して自動機械用途に適さないものになるのを回避する必要があるので、対流によって加熱する空気の温度は、５０℃に制限されている。その場合、そのような温度は、すべての残留液体を除去するには低すぎる。
【００１２】
同様に、遠心分離処理された輸送ポッドの回転速度は、新しい汚染粒子を作り出さないように制限される。
【００１３】
それゆえに、水残留物がポッドの壁内に捕捉されたままになる。
【００１４】
乾燥は、また、矛盾したものであると記載しておく。
【００１５】
輸送ポッドは、湿気および他の異物を捕捉する領域を形成する、接近困難な多くのデッド・エリアを含む、複雑なジオメトリを有する。
【００１６】
さらに、輸送ポッドは、すべてが同じ製造プロセスから得られるわけではなく、特定のポッドが開放空気中で他のポッドよりも長い乾燥時間を必要とする場合がある。さらに、特定のポッド壁は新しいが、他のポッド壁は、すでに頻繁に取り扱われていて、より多孔質な表面を呈する。
【００１７】
開放空気中に長時間置いた後でさえ、特定の輸送ポッドは、湿ったままである。
【００１８】
さらに、開放空気中での乾燥は、輸送ポッドの数時間にわたる固定を必要とする。ポッドの壁の脱着流が十分に低い許容可能なレベルに達するには、平均して５〜８時間が必要とされる。
【００１９】
したがって、製造業者らは、輸送ポッドが完全に乾燥するのを待つ間それらの輸送ポッドがその中で保管される大きな乾燥室の設置を計画する。
【００２０】
同様に、輸送ポッドの大きなフリート（ｆｌｅｅｔｓ）が必要とされる。
【００２１】
雰囲気の清浄度、温度、湿度、および圧力を時々調節しなければならないこれらのクリーン・ルームの設置ならびにロジスティクス管理は、主要かつ高価な投資となる。
【００２２】
さらに、ますます厳しくなる汚染基準により、製造業者らは、輸送ポッドのクリーニング頻度を高め、したがって、乾燥ステージの完了を待つ間それらの輸送ポッドの保管に必要なスペースをさらに増大させることを余儀なくされている。
【００２３】
したがって、輸送ポッドなどの輸送支持具のより効果的かつ迅速なクリーニングを保証する必要がある。
【００２４】
１つの困難は、輸送支持具の大部分を構成する材料が、一般に多孔質で、除去または阻止する必要のある異物を収容する傾向にあることである。
【００２５】
他の困難は、輸送支持具が、汚濁粒子を発生させる危険のある接触クリーニングに対応していないことである。
【００２６】
マイクロ波放射線が残留湿気を加熱してその除去を助ける可能性が検討された。しかし、この方法は、接地できない金属要素とＲＦ波識別デバイスとを含む次世代の輸送支持具とともに使用することができない。
【００２７】
他の制約は、輸送支持具の表面汚染を最小限に抑えなければならないことであり、一般に、輸送支持具の内側表面は、６５ｎｍよりも大きな粒子を含んでいてはならず、湿気を含んでいてはならず、干渉電荷を含んでいてはならない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
したがって、本発明の目的は、輸送支持具の固定時間を短縮し、輸送支持具の壁の満足のいく清浄度を保証するために使用される、洗浄ステージ後の、異物、特に分子汚染化合物（ＡＭＣ、ＶＯＣ）および／または湿気の除去を大幅に改善かつ加速する、方法、ならびに輸送支持具用の処理ステーションを提案することである。
【００２９】
実際には、本発明は、輸送支持具を劣化または変形させることなく、また干渉静電荷を生み出すことなく、１０分足らずの処理を保証することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
この目的で、本発明は、輸送支持具上の処理されるべき表面から異物を除去するために、前記処理されるべき表面がその間に準大気圧（ｓｕｂａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ）のガス圧と赤外線との複合作用にさらされる処理ステージを含む、基板の運搬および保管のための輸送支持具を処理する方法を提案する。
【００３１】
処理されるべき表面に作用する準大気圧のガス圧と赤外線とのこの複合作用のおかげで、異物の除去は、特に迅速かつ完全となり、輸送支持具を劣化または変形させることなく、必要な時間内に、換言すれば１０分足らずでクリーンな輸送支持具にするという予期せぬ手段を提供する。
【００３２】
約１０分足らずという可能な限り短い処理時間に達するために、処理されるべき表面がさらされるガス圧を可能な限り低減することを目的とする。ただし、低すぎる圧力は、蒸発を加速させ、また同時に液体の温度を降下させるが、また、除去されるべき液体異物の凝固を回避することが不可欠であり、これは、そのような凝固が、これらの異物を除去するのにかかる時間を大幅に延長させ、処理の終わりを検出するのをほぼ不可能にして、得られるクリーニングの質が満足のいかないものになるからである。
【００３３】
このような不都合な凝固を回避するために、本発明の方法の間、有利には、準大気圧が、除去されるべき液体異物の状態図の三重点の圧力よりも大きいままであることを保証することができる。
【００３４】
同時に、除去されるべき異物をそれらの凝固を回避するのに十分に高い温度に置くために、赤外線の効率を高めるとともに、この温度を、それを超えると、例えば輸送支持具を自動機械用途に適さないものにする変形によって、または例えば輸送支持具を多孔質で汚濁の影響を受けやすいものにする材料の構造的変化によって輸送支持具が劣化するおそれのある、許容温度限界未満に維持することに関心がもたれる。
【００３５】
この理由から、赤外線は、好ましくは、除去されるべき１つまたは複数の異物の（１つまたは複数の）吸収波長あたりに最大強度をもつ発光スペクトルを有するべきである。
【００３６】
好ましくは、赤外線は、処理されるべき表面を適切な温度に設定する初期の連続的ステージを含むことのできる断続的赤外線とすることができる。したがって、赤外線は、好ましくは除去されるべき水ベースの異物に作用を及ぼし、初期ステージは、適切な温度への設定を加速して処理時間を大幅に短縮するために使用される。さらに、これは、赤外発光スペクトルと、処理されるべき表面の温度とを別々に制御するために使用される。
【００３７】
実際には、断続的な放射を実施するために、処理されるべき表面の温度を代表する試験温度を有利には測定することができ、前記試験温度にしたがって、処理されるべき表面の前記温度を最高許容温度閾値よりも低い温度設定の近傍で維持するように、赤外線を制御することができる。これによって、最高許容温度に可能な限り近づくことが可能となり、したがって、処理時間が短縮される。
【００３８】
また、処理時間を短縮することを目的として圧力を可能な限り低く設定すると、準大気圧のガス圧を有利には測定し、圧力設定と比較して、その比較に応じて、準大気圧のガス圧を圧力設定あたりにもっていき、そのガス圧をそのレベルで維持するように、ポンピング速度、ポンピング・コンダクタンス、ガス流注入コンダクタンスなど、圧力を調節する手段を制御することができる。
【００３９】
前述のように、異物を除去する際の困難の１つは、輸送支持具の複雑な形状にある。この複雑な形状は、異物がその中に蓄積し、したがって除去が非常に困難となるおそれのある、捕捉領域または陥凹部を含む。
【００４０】
これらの陥凹領域から異物を除去する時間は、処理されるべき表面上の異物が捕捉された少なくとも１つの領域の近くに局所的なガス流が注入されるステージを可能にすることによって、さらに短縮することができる。局所的なガス流は、捕捉領域の汚濁要素の除去に寄与して、処理時間を大幅に短縮する。使用されるガスは、例えば、窒素またはヘリウムとすることができ、後者は、より効果的で、処理時間をさらに短縮できるようになる。
【００４１】
処理の終わりに、処理されるべき表面が、その間に、除去されるべき異物を含まないクリーンなガス流の注入による周囲温度あたりへの温度の漸次降下と、それと同時の大気圧あたりへのガス圧の漸次増大とにさらされる、コンディショニング・ステージを有利には含めることができる。
【００４２】
クリーンなガス流は、このステージの間、処理されるべき表面領域をクリーンなガス分子で飽和させるために使用され、それが、次いで、処理された表面が圧力上昇および冷却の間にスポンジ効果を通じて周囲雰囲気によって再び汚濁されるのを回避する。
【００４３】
クリーンなガス流は、有利には、十分に低速で、例えば大気圧あたりで０．４ｍ／ｓ未満で選択されるべきであるが、高流量を可能にし、したがって干渉静電荷の生成および汚濁粒子の取込みを回避するために、広く分散すべきである。
【００４４】
このような多量の、ただし低速のガス流によって、蒸気相は、液体残留物の近くで排出され、したがって、液体蒸気平衡がシフトし、それによって処理を加速させる。
【００４５】
経済上および安全上の理由から、準大気圧プロセスの終わりに、窒素または空気が好ましくは使用されるべきである。
【００４６】
有利な一実施形態によれば、処理されるべき表面からの異物の除去を代表するパラメータを測定することができ、処理は、その代表パラメータが参照値に達した後で中断される。
【００４７】
このように、処理前に輸送支持具が呈した実際の条件に処理を適合させる、効果的な処理を保証することができる。
【００４８】
例えば、代表パラメータは、輸送支持具の重量、または真空ポンプの出口のところの湿気もしくはＡＭＣの量、または密封チャンバ内のガス圧とすることができる。
【００４９】
他の態様によれば、本発明は、基板の運搬および保管のための輸送支持具処理ステーションであって、
処理されるべき表面をもつ少なくとも１つの輸送支持具を受けるのに適した、ポンピング・デバイスに連結するための密封チャンバと、
前記処理されるべき表面を赤外線にさらすのに適した少なくとも１つの赤外線源と、
前記処理されるべき表面を準大気圧のガス圧と赤外線との複合作用にさらす、ポンピング・デバイスおよび赤外線源を制御するのに適した制御デバイスとを含む、輸送支持具処理ステーションを計画する。
【００５０】
このようなステーションは、以上で定義した方法を実施し、非常に短い処理時間と効果的な処理とを得るために使用される。
【００５１】
好ましくは、処理ステーションは、密封チャンバ内に置かれた、処理されるべき表面の温度を代表する試験温度を測定するのに適した少なくとも１つの温度センサを含むべきである。
【００５２】
したがって、処理されるべき表面の温度を常に知り、必要に応じてその温度を記憶して、劣化がないことを保証することが可能である。
【００５３】
実際には、特定の一実施形態によれば、温度センサは、その一方の面が前記赤外線にさらされ、その反対側の面が温度プローブと接触している、処理されるべき輸送支持具を構成するのと類似の材料で作製された小さい厚さの試験層を含む。
【００５４】
このように、温度センサは、密封チャンバ内に存在することができ、密封チャンバ内に輸送支持具を挿入するまたは密封チャンバ内の輸送支持具を除去するステージの間、その温度センサを移動するまたは配線する必要がない。
【００５５】
試験層の温度は、原則として、処理されるべき表面の温度に非常に類似しており、試験層の厚さが小さいので、温度プローブは、処理されるべき表面の温度に非常に近い温度を測定することができる。
【００５６】
好ましくは、制御デバイスは、温度センサによって生成される温度データを調べ、温度センサによって測定された温度が、それ自体が最高許容温度閾値を下回る温度設定よりも所定の差を超えて低いときには、赤外線源の電力供給をトリガし、温度センサによって測定された温度が所定の差を超えて前記温度設定を上回るときには赤外線源の電力供給を遮断する、赤外線制御プログラムを含むべきである。
【００５７】
したがって、処理ステーションは、処理時間をさらに短縮するために、温度を最高許容温度閾値の可能な限り近くに維持するために使用される。
【００５８】
赤外線源が、除去されるべき異物を含む処理されるべき表面領域、特に、凹形領域および他の捕捉領域を本質的に照射可能であることが有益である。
【００５９】
したがって、実際には、赤外線源は、箱の形態の輸送支持具の内側に挿入するのに適した少なくとも１つの線源部分を含むことができる。こうして、処理時間が短縮される。
【００６０】
やはり処理時間を短縮するために、初期ガス注入デバイスを、また、有利には、処理されるべき表面の近傍に第１の局所的なガス流を注入するように計画することができる。
【００６１】
反対に、再加圧の間、注入されるガスが低速で分散した流れを生み出すことが好ましい。したがって、第２のガス注入デバイスは、有利には、処理されるべき表面から隔てられた密封チャンバにクリーンなガス流を注入するように計画することができる。
【００６２】
有利な一実施形態によれば、処理ステーションは、処理されるべき表面からの異物の除去を代表するパラメータを測定するデバイスを含むことができ、また、制御デバイスが、代表パラメータが参照値に達するときには処理を中断するのに適したものとなるように、計画することができる。
【００６３】
実際には、処理ステーションは、少なくとも１つの輸送支持具の重量を測定し、重量信号を生成することが可能となるように位置決めされた少なくとも１つの電子はかりと、重量信号を処理して前記重量信号から処理ステージの終わりを推定する手段とを含むことができる。
【００６４】
はかりは、輸送支持具が前記はかりに力を加えるときに電磁補償を生み出すことができるように永久磁石の磁場内に置かれた少なくとも１つの補償巻線を含む、電気的フィードバック回路を含むことができる。
【００６５】
代替形態として、処理ステーションは、有利には、ポンピング・デバイスの真空ポンプの出口のところの湿度および／もしくはＡＭＣセンサ、ならびに／または密封チャンバの圧力計を含むこともできる。
【００６６】
処理ステーションは、別々にまたは組み合わせて採用できる、他の特徴、特に、以下の特徴を有することができる：
チャンバの閉位置でガスケットを圧迫するのに適した少なくとも１つのシリンダを含む、チャンバの密閉カバーとは反対側でチャンバの開口部の周辺に置かれたガスケット、
前記ステーションのフレームの下面と床との間に置かれた、振動を減衰させるデバイス、
チャンバに連結された誘導励起セルを含み、前記セルの内側にプラズマを形成するのに適した電磁励起アンテナを含む、ガス種のための制御デバイス。
【００６７】
処理ステーションは、さらに、輸送支持具を液体でクリーニングする機器に連結することができ、前記クリーニング機器は、当該クリーニング機器から前記処理ステーションへと輸送支持具を運ぶためのデバイスを含む。
【００６８】
本発明は、また、真空ポンプと前述のような少なくとも１つの処理ステーションとを含む処理機器に適用される。
【００６９】
他の利点および特徴は、添付図面に関連して作成された本発明の説明を読めば明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の一実施形態による方法の様々なステージを示すフローチャートである。
【図２】本発明の一実施形態による、開位置の処理ステーションの側面斜視図である。
【図３】図２の処理ステーションの概観図である。
【図４】真空内に置いたときの時間による輸送支持具の測定重量の漸進的変化を表すグラフである。
【図５】水の状態図である。
【図６】水による赤外線吸収についての曲線を示す図である。
【図７】本発明の一実施形態による温度センサの正面図である。
【図８】本発明の一実施形態による温度センサの背面図である。
【図９】本発明の一実施形態による温度センサの断面図である。
【図１０】図７〜９の温度センサの動作を図式的に示す図である。
【図１１】当該方法の間の赤外線、温度、および圧力の変動を示す時間図である。
【発明を実施するための形態】
【００７１】
これらの添付図では、同一の要素には同じ参照番号が与えられている。
【００７２】
明瞭にするために、当該方法の諸ステージには、１００から始まる番号が付けられており、ステーションの諸要素には、１〜６０の番号が付けられている。
【００７３】
図１は、基板の運搬および保管のための輸送支持具の処理方法のフローチャート（破線の長方形１００の内側）を示す。
【００７４】
この方法は、例えば、図１に示されるステージ１０１にしたがって、脱イオン水による洗浄など、予め液体によるクリーニングを受けていることのある、図２に示される輸送支持具１に適用される。
【００７５】
輸送支持具１は、半導体ウエハ、レチクル、太陽産業用の薄膜などの基板の運搬および大気中保管のための手段である。
【００７６】
例えば、輸送支持具１は、輸送ポッドのケーシング２、ポッド扉３、および／または輸送ポッド自体である。輸送ポッドは、特に、タイプＦＯＵＰ、ＳＭＩＦポッド、ＲＳＰもしくは「オープン・カセット」の一体型輸送ポッド、または太陽センサ用の基板のための輸送ポッドとすることができる。
【００７７】
本発明による方法は、その間に輸送支持具１が真空ポンプ５に連結された密封チャンバ４内に置かれ（ステージ１０２）、輸送支持具１の処理されるべき表面１ａが真空ポンプ５を通じた準大気圧のガス圧ＰＳＡ（ステージ１０３）と赤外線ＩＲとの複合作用にさらされる、図３および１０に示される処理ステージを含むことを特徴とする。
【００７８】
壁の処理によって、わずか約１０分後の満足のいくレベルまでの乾燥と、壁の脱ガス（ｄｅｇａｓｓｉｎｇ）の最適化との両方が可能になる。
【００７９】
輸送支持具１のこの処理は、乾燥および脱着を通じて、特に水などのクリーニング剤の液体残留物およびそれらの蒸気の形態、ときには特定の固体残留物までをも、除去することを目的とする。
【００８０】
さらに、従来技術の方法とは異なり、それについての脱着流のレベル、したがって乾燥のレベルを、ある支持具から別の支持具へと完全に再現可能である輸送支持具を得るために、当該方法が使用されることが観察される。
【００８１】
従来技術の乾燥方法では、第１に、残留水蒸気は、輸送支持具１のデッド・エリア内にとどまったままになるおそれがあり、第２に、脱ガス・レベルは、輸送支持具の履歴に依存した。
【００８２】
したがって、当該方法の再現性は、液体クリーニングに続く同じ処理方法の後で輸送支持具１が同じ清浄度レベルを有することを保証するために使用される。
【００８３】
例えば、輸送支持具１は、それについての準大気圧ＰＳＡが１０００ｍｂａｒ未満、好ましくは約１００ｍｂａｒまたは約１０ｍｂａｒである１次真空にさらされ、準大気圧ＰＳＡが除去されるべき異物の状態図の三重点の圧力ＰＴよりも高いままであることが観察される。例えば、除去されるべき異物が水の場合、三重点の圧力ＰＴは、６ｍｂａｒである（図５参照）。
【００８４】
処理されるべき表面１ａ上の水などの液体異物の除去後、輸送支持具１の壁の脱ガス流をさらに低いレベルまで除去するために、輸送支持具１を、それについての準大気圧が０．１ｍｂａｒ未満、好ましくは約０．００１ｍｂａｒである２次真空にさらすことができる。
【００８５】
したがって、例えば、輸送支持具１を１次ポンピングにさらし始め、次いで、必要とされる乾燥レベルが得られたときには２次ポンピングに切り替えるように計画することができる。
【００８６】
当該方法によれば、輸送支持具１は、準大気圧ＰＳＡにさらされながら、赤外線ＩＲによって加熱される。
【００８７】
輸送支持具１は、赤外線ＩＲによって予め定められた温度まで加熱される。
【００８８】
赤外線ＩＲから放出される出力は、輸送支持具１材料の最高許容温度ＴＡを超えるのを回避するように、輸送支持具１材料の温度ＴＭを測定することによって制御される。
【００８９】
図１１は、赤外線加熱プロセスについての好ましい実施形態を示す。この場合、赤外線ＩＲは、断続的である。それは、有利には、処理されるべき表面１ａを適切な温度に設定する連続的な初期ステージＥ１を含む。次いで、赤外線ＩＲは、材料の温度ＴＭを温度設定ＴＣあたりで維持するために、満足のいく継続時間にわたって交互に切断／回復される。同時に、断続的な赤外線を可能にすることによって、赤外線発生デバイスの波長スペクトルを制御しながら処理されるべき表面１ａの温度を制御できるようになる。
【００９０】
赤外線放出が連続的である初期ステージＥ１の間に、材料の温度ＴＭは、温度設定ＴＣに達するまで急速に上昇する。次いで、温度ＴＭは、それ自体が最高許容温度閾値ＴＡよりも低い、温度設定ＴＣあたりで維持される。
【００９１】
実際には、処理されるべき表面１ａの温度ＴＭを代表する試験温度が測定され、赤外線ＩＲは、前記試験温度にしたがって制御され、温度ＴＭが、所定の差だけ、例えば１度、温度設定ＴＣを超えるときには、赤外線ＩＲは、遮断される。次いで、温度ＴＭが、所定の差だけ、例えば１度、温度設定ＴＣ未満に降下するときには、赤外線は、回復される。その結果、図１１の時間図に示される温度ＴＭ曲線が得られる。
【００９２】
さらに、赤外線ＩＲ波長発光スペクトルは、輸送支持具１の表面上および輸送支持具１の材料の内側の第１の層内で加熱が起こるような形で、好ましくは除去されるべき液体異物上で加熱が起こるような形で選択することができる。したがって、約３μｍの波長が、水を除去するのに有利である。
【００９３】
また、除去されるべき２以上のタイプの元素によって選択的に吸収されやすい２以上の異なる波長に対して赤外線を作用させるように選択することも可能である。
【００９４】
実際には、赤外線ＩＲは、有利には、除去されるべき１つまたは複数の異物の（１つまたは複数の）吸収波長あたりに最大強度をもつ発光スペクトルを有することができる。
【００９５】
温度設定ＴＣは、有利には周囲温度よりも高く、好ましくは約５０℃である。
【００９６】
準大気圧ＰＳＡが可能な限り低く、ただし、除去されるべき物体の三重点の圧力ＰＴよりも永久的に高いままであることが不可欠であり、さもなければ、除去されるべき液体物体が固体化するおそれがあり、それらの除去が非常に低速になる。この理由から、ガス圧ＰＳＡを有利には密封チャンバ４の内側で測定し、圧力設定ＰＣと比較して、その比較に応じて、準大気圧のガス圧ＰＳＡを圧力設定ＰＣあたりにもっていき、そのガス圧をそのレベルで維持するように、ポンピング速度、ポンピング・コンダクタンス４６、ガス流注入コンダクタンス１８など、圧力を調節する手段を制御することができる。
【００９７】
輸送支持具１の処理されるべき表面１ａ上の異物の捕捉領域の近くに局所的なガス流４７を注入することによって、処理の大幅な加速が得られると記載した。そのような局所的なガス流４７（図１０）は、処理されるべき表面１ａの近傍での分子および粒子の取込みに有利にはたらく。
【００９８】
好ましくは、処理されるべき表面１ａを不動態化（ｐａｓｓｉｖａｔｅｓ）する、密封チャンバ４を大気圧に設定するために使用できるクリーンなガスの吸収に、冷却が有利にはたらくので、周囲温度および大気圧の近傍への復帰が行われて、輸送支持具１を密封チャンバ４の内側で維持する。
【００９９】
実際には、処理されるべき表面１ａが、その間に、大気圧Ｐａあたりへのガス圧ＰＳＡの漸次上昇と、除去されるべき異物を含まないクリーンなガス流４８の注入による周囲温度Ｔａあたりへの温度ＴＭの降下とにさらされる、コンディショニング・ステージＥＣを有利には計画することができる（図１１）。クリーンなガス流４８（図１０）は、局所的ではなく、換言すれば、密封チャンバ４内に分散しなければならない。クリーンなガス流４８は、十分に低速で選択され、高流量を可能にして干渉静電荷の生成および処理されるべき表面１ａ上の汚濁粒子の取込みを回避するために、広く分散される。
【０１００】
処理に必要な時間は、好ましくは同じ事前の洗浄ステージを受けた同じタイプのポッドとおおむね同等になると考えることができる。この場合、処理は、輸送支持具１のタイプに特徴的な予め定められた継続時間の後で中断することができ、それから輸送支持具１が準大気圧にさらされる。
【０１０１】
図１のフローチャートに示される有利な一変形形態によれば、輸送支持具１の処理されるべき表面１ａからの異物の除去に特徴的なパラメータが測定され（ステージ１０４）、このパラメータの漸進的変化（ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）は、輸送支持具１のタイプを考慮に入れた参照、換言すれば、参照値または参照曲線と比較される（ステージ１０５）。
【０１０２】
参照は、輸送支持具１の満足のいくレベルの脱着に、したがって乾燥に特徴的であり、処理は、代表パラメータが参照に達するときには中断することができる。
【０１０３】
各タイプの輸送支持具１は、サイズ、材料、構造、ジオメトリなど、１組の物理的パラメータによって特徴付けることができる。具体的には、一体型タイプのポッド、例えば、ＦＯＵＰタイプ・ポッド、ＳＭＩＦポッド、ＲＳＰもしくは「オープン・カセット」タイプ・ポッド、または太陽センサ用の基板のための輸送ポッドがある。
【０１０４】
次いで、測定パラメータが参照以下になったら可能な限り早く密封チャンバ４内の圧力が大気圧へと増大するように計画することができる。
【０１０５】
大気圧Ｐａは、クリーン・ルームの気圧など、輸送支持具１の使用環境内でのそれらの輸送支持具１の圧力である。
【０１０６】
測定されたパラメータが参照以下になるときには、脱着流のレベルは、十分に低いレベルに達している。
【０１０７】
この場合、密封チャンバ４内の圧力を高め、輸送支持具１を除去する（ステージ１０６）か、または、再使用されるのを待つもしくは密封チャンバ４内のスペースを確保するのを待つ間、輸送支持具１がその壁を脱着させ続けるように、輸送支持具１を真空内で保管する（ステージ１０７）か、選択することができる。
【０１０８】
１つの可能性によれば、特徴的なパラメータは、密封チャンバ４内のガスの全圧または分圧である。
【０１０９】
ポンピングの限界真空状態での全圧の測定は、主に、処理されるべき輸送支持具１の脱ガスによって生じる、密封チャンバ４内の脱着流の指標である。
【０１１０】
この測定方法は、高流量のガス（数ｓｃｃｍ程度）にはきわめて効果的である。しかし、脱着流が比較的低流量（数ｓｃｃｍ未満）であるときには、この測定技術は、確度に欠けることがある。
【０１１１】
さらに、ガス流４７が密封チャンバ４に注入されるときには、脱着流の信号は、注入された流れの信号とともに消えることがある。
【０１１２】
また、当該方法が、その間にパージ・ガスが密封チャンバ４に導入されるパージ・ガス充填操作と、その間にパージ・ガスと初期ガスとの混合物がポンピングによって密封チャンバ４から抜き出されるパージ・ガス・ポンピング操作とを含む、追加のパージ・ステージを含むことが可能である。
【０１１３】
他の可能性によれば、特徴的なパラメータは、輸送支持具１の測定重量である。
【０１１４】
重量の値は、異物の除去とともに、また輸送支持具１の壁の脱ガス流とともに変化する。
【０１１５】
測定は、好ましくは、輸送支持具１が経験する浮力および密封チャンバ４内の流れの運動に例えば起因した、測定の擾乱を回避するために、真空ポンプ５の定常状態から開始することができる。
【０１１６】
図４は、縦軸に重量Ｐがグラムで与えられ、横軸に時間Ｔが時間、分、秒で与えられるグラフである。曲線１５０は、密封チャンバ４が真空内に置かれたときの時間による輸送支持具１の測定重量を表す。
【０１１７】
支持具１の重量が時間の増加とともに減少することに留意する。輸送支持具１の壁は、真空中で脱ガスする。重量測定は、したがって、輸送支持具１の処理レベルの良好な指標である。
【０１１８】
他の可能性によれば、参照は、真空ポンプ５の出口における湿気またはＡＭＣの量とすることができる。
【０１１９】
有利には、参照は、特徴的なパラメータの予め定められた時間変動とすることができる。
【０１２０】
したがって、圧力または測定重量の時間変動が低くなりすぎるときには、時間による脱着流は、もはや、輸送支持具１を真空内に保つことを正当化するのに十分に高くない場合がある。
【０１２１】
あるいは、参照は、予め定められた閾値とすることもできる。
【０１２２】
本発明による処理方法の効率を説明するために、密封チャンバ４内に置かれ、当該方法の様々な作用にさらされた被試験片に試験を実施した。
【０１２３】
すべての事例で、赤外線ＩＲを被試験片上で使用した。
【０１２４】
処理の速度を、大気圧の第１の事例と、水の三重点に近い圧力（１０ｍｂａｒ）の第２の事例との間で比較し、速度ゲインは、三重点に近い圧力の場合に６７％であった。
【０１２５】
氷の形成をまねく過度に低い圧力（６ｍｂａｒ）と、全乾燥時間にわたって氷の形成が起こらないことを保証する適正な圧力（６．７ｍｂａｒ）とを比較することによって、圧力の適正な維持の重要性について試験を実施した。速度ゲインは、５７％であった。次いで、同じ５０ｍｂａｒの圧力について、圧力の維持を保証するためにガス流を挿入する効果を調査した。ガス流の挿入によって、ガス流なしの処理と比較して１３％の速度ゲインが可能となった。
【０１２６】
次いで、挿入されたガス流に対する処理されるべき表面１ａの位置決めの効果を調査した。処理されるべき表面１ａを注入されたガス流の経路内に位置決めすることによって、１９％の速度ゲインを得られることがわかった。
【０１２７】
また、注入されたガスの性質の効果も調査した。ヘリウムを使用すると、同じ条件で窒素の注入に比較して２２％の速度ゲインが得られた。
【０１２８】
さらに、ＦＯＵＰタイプの輸送支持具に試験を実施して、処理後の輸送支持具の残りの脱ガスを測定した：
ａ）１時間にわたって大気圧Ｐａで赤外線（５０℃）によって加熱した後、残りの脱ガスは、２．５ｓｃｃｍであった。
ｂ）追加加熱なしに１時間にわたって真空内に置いた後、残りの脱ガスは、０．７７ｓｃｃｍであった。
ｃ）１時間にわたって赤外線（５０℃）によって追加加熱しながら真空内に置いた後、残りの脱ガスは、０．６ｓｃｃｍであった。
【０１２９】
これは、真空と赤外線との組合せの相乗効果を示す。
【０１３０】
本発明によれば、図２に示されるように、処理ステーション１０が、また、輸送支持具１のために、基板の運搬および大気中保管のために、前述の処理方法の実施のために、計画される。
【０１３１】
ステーション１０は、好ましくはフレーム７上に据え付けられた少なくとも１つの密封チャンバ４を含む。
【０１３２】
処理ステーション１０の密封チャンバ４は、真空ポンプ５ポンピング・デバイス（図３参照）に連結するためのものであり、処理されるべき表面を備えた、基板のための輸送ポッドなど、少なくとも１つの輸送支持具１を受けるのに適している。
【０１３３】
処理ステーション１０は、輸送支持具１の処理されるべき表面１ａを赤外線ＩＲにさらすのに適した、少なくとも１つの赤外線源４９を含む。
【０１３４】
図２は、処理ステーション１０が４つのＦＯＵＰタイプの輸送ポッドを受ける様子を示す。
【０１３５】
第１の変形形態によれば、真空ポンプ５は、１次真空ポンプである。
【０１３６】
あるいは、真空ポンプ５は、１次真空ポンプに連結するための導管と、処理方法を実施するときに１次ポンピングから２次ポンピングへと切り替えることができるように、２次ポンプに連結するための、１次真空ポンプの上流の導管の分岐とを含むこともできる。
【０１３７】
密封チャンバ４は、好ましくは円筒形で、真空内に置かれるのに耐えるようにステンレス鋼で作製される。密封チャンバ４は、また、有利にはヒンジ１３（図２）上に据え付けられた、密閉カバー１１によって塞ぐことのできる開口部９を含む。
【０１３８】
密閉カバー１１は、有利には、前面１４上に、輸送支持具１が内側に存在するかどうかを操作者が点検できるようにする、例えばガラス製の少なくとも１つの窓１５を含む。
【０１３９】
窓１５は、有利には、各輸送支持具１の高さのところに計画される。
【０１４０】
さらに、密閉カバー１１の前面１４は、有利には、処理ステーション１０の動作状態を信号で伝えるタワー１６と、処理ステーション１０のＣＰＵ１７（図３）に接続された表示画面（見られない）とを含む。
【０１４１】
図３および１０からわかるように、密封チャンバ４は、輸送支持具１の処理後に密封チャンバ４を大気圧に設定するために、乾燥窒素を導入する手段など、クリーンなガスを導入する手段６０を含む。
【０１４２】
輸送支持具１が輸送ポッドであるときには、有利には、ポッドを真空内に置くときにポッドの壁を変形させないように、輸送ポッドを開いた状態で密封チャンバ４内に置くことができる。
【０１４３】
このために、処理ステーション１０は、例えば、各輸送支持具１を支持するための棚２３、２５を含む。
【０１４４】
図２からわかるように、処理ステーション１０は、好ましくは、ポッドのケーシング２がその上に置かれる第１の組の棚２３に加えて、対応する扉３がその上に置かれる第２の組の棚２５を含むべきである。
【０１４５】
有利には、第２の組の棚２５は、密閉カバー１１の内側陥凹部２７内で扉３を垂直位置で支持する。
【０１４６】
第２の組の棚２５の棚は、また、その下に置かれたポッドの扉３を保持するための係止タブ２９を含む。
【０１４７】
寸法を制限し、輸送支持具１への接近を簡単にするために、処理ステーション１０が、密封チャンバ４の固定部分内の支持具１の最もかさばる部分と、密閉カバー１１の陥凹部２７内の第２の部分とを受けるのに適したものとなるように計画される。
【０１４８】
密封チャンバ４は、また、密閉カバー１１が閉位置（図示せず）にあるときに密封チャンバ４を封止するように開口部９の周辺に置かれた扉ガスケット３１を含む。
【０１４９】
また、密封チャンバ４の閉位置で扉ガスケット３１を圧迫できるように、処理ステーション１０が、密封チャンバ４のヒンジ１３の関節上に据え付けられた好ましくは空気圧式の少なくとも１つのシリンダ３３を含むように計画される。
【０１５０】
開口部９上の密閉カバー１１の案内をさらに改善するために、処理ステーション１０のヒンジ１３の長さに沿って均一に散在した、いくつかのシリンダ３３が計画される。
【０１５１】
図２に示されるように、ヒンジ１３の３つの関節上に配置された３つのシリンダ３３が好ましい。
【０１５２】
扉ガスケット３１の均質な圧縮を保証するために、第１に、好ましくはカバー１１に連結されたピン３７と、第２に、扉ガスケット３１の外側で密封チャンバ４の開口部９の周辺に置かれた対応する穴３９とからなる、少なくとも１つのガイド３５がまた計画される。
【０１５３】
好ましくは、シリンダ３３とおおむね同じ高さで、ヒンジ１３を含む側部とは反対側の密封チャンバ４の開口部９の側部に沿って均一に散在した、ヒンジ関節と同数のガイド３５が存在すべきである。
【０１５４】
したがって、密封チャンバ４を閉じるときには、密閉カバー１１は、初めに、密封チャンバ４の開口部９上のピン３７によって案内され、心合わせされる。
【０１５５】
適所に置かれたら、次に、シリンダ３３の作動を使用して、密閉カバー１１を開口部９に押し付けて固定し、したがって、扉ガスケット３１を圧迫して、チャンバ４を封止する。
【０１５６】
この配置は、ヒンジ１３の位置で扉ガスケット３１に作用するせん断拘束を制限するために使用される。
【０１５７】
あるいは、密閉カバー１１を密封チャンバ４の開口部９上に心合わせするために、密封チャンバ４の開口部９の縁部上におおむね対称的に置かれた、密閉カバー１１の少なくとも２つのガイド３５を有することが計画される。
【０１５８】
この代替的な実施形態では、また、単純に密封チャンバ４を真空内に置くことによって扉ガスケット３１を圧迫できるように寸法設定されたポンプ５を有することも計画される。
【０１５９】
図３および１０では、処理ステーション１０は、また、第１に、ポンピング・デバイスを使用して密封チャンバ４を準大気圧（ＰＳＡ）に置くことを管理するために、第２に、赤外線源４９を制御するために、ＣＰＵ１７を備えた制御デバイスを含む。このように、処理ステーション１０は、処理されるべき表面１ａを準大気圧のガス圧と赤外線ＩＲとの複合作用にさらすのに適している。
【０１６０】
赤外線源４９の制御のために、図１０に示されるように、有利には、密封チャンバ４内に置かれた、処理されるべき表面１ａの温度ＴＭを代表する試験温度を測定するのに適した少なくとも１つの温度センサ５０が存在する。温度センサ５０は、密封チャンバ４に接続され、処理されるべき表面１ａに類似した形で赤外線源４９からくる赤外線ＩＲを受け取る領域内に置かれる。赤外線ＩＲの作用が、温度センサ５０上に、処理されるべき表面１ａが経験する温度上昇に類似した温度上昇を生み出すことが保証される。
【０１６１】
実際には、温度センサ５０は、図７〜９に示されるように作り出すことができ、温度センサは、それを密封チャンバ４の壁に取り付ける位置決め穴５１および５２を備え、また温度プローブ５４を挿入する止まり穴５３を備えた、処理されるべき輸送支持具１を構成する材料に類似の材料、例えば、炭素負荷ＰＥＥＫ（ｃａｒｂｏｎ ｌｏａｄｅｄ ＰＥＥＫ）の、長さ約６０ｍｍ、幅約２０ｍｍ、厚さ約８ｍｍのおおむね平行平面板とすることができる。
【０１６２】
止まり穴５３は、その一方の面５６が赤外線ＩＲにさらされ、その反対側の面が温度プローブ５４と接触している、小さい厚さｅ（約１０分の１または１０分の２ミリメートル）の試験層５５によって塞がれる。試験層５５の小さい厚さｅは、温度センサ５０の低い熱慣性および良好な反応性を保証するために使用される。
【０１６３】
実際には、ＣＰＵ制御デバイス１７は、温度センサ５０によって生成される温度データを調べ、温度センサ５０によって測定された温度が、それ自体が許容温度閾値ＴＡを下回る温度設定ＴＣよりも所定の差を超えて低いときには、赤外線源４９の電力供給をトリガし、温度センサ５０によって測定された温度が所定の差を超えて前記温度設定ＴＣを上回るときには赤外線源４９の電力供給を遮断する、赤外線制御プログラムを含む。
【０１６４】
図１０に示される実施形態では、輸送支持具１は、中空の輸送箱型要素である。この場合、赤外線源４９は、有利には、箱の形態の輸送支持具１の内側に挿入するのに適した少なくとも１つの赤外線源部分４９ａを含む。したがって、赤外線源４９は、除去されるべき異物を捕捉しやすい凹形箱領域の可能な限り近くにあり、存在しうる影の領域が縮小される。
【０１６５】
さらに図１０に示された実施形態では、処理ステーションは、また、処理されるべき表面１ａの近傍で第１の局所的なガス流４７を生み出すために、初期ガス注入デバイス１８を含む。この第１の局所的なガス流４７は、処理の間、密封チャンバ４内のガス圧ＰＳＡを維持するための手段として使用することができる。この場合、ＣＰＵは、初期ガス注入デバイス１８によって保証されるガス流量を管理することができる。
【０１６６】
ただし、コンディショニング・ステージＥＣでは、第２のガス注入デバイス６０が、処理されるべき表面１ａから隔てられた密封チャンバ４にクリーンなガス流４８を注入するように計画される。
【０１６７】
さらに、ＣＰＵ１７は、処理の進行に特徴的なパラメータを点検するために使用されるセンサに接続することができる。これらのセンサは、密封チャンバ４の圧力計４５（図３）、ならびに／またははかり４１、ならびに／または真空ポンプ５の出口のところの湿度および／もしくはＡＭＣセンサ５７（図１０）とすることができる。
【０１６８】
圧力測定の代わりに、または圧力測定に加えて、弁を通じて真空ポンプ５の導管に連結できる、または密封チャンバ４に直接連結できる誘導励起セルを含む、ガス種のための制御デバイス（図示せず）を、また、密封チャンバ４のガスと連通するように使用することもできる。
【０１６９】
ガス種のための制御デバイスは、また、セルの内側にプラズマを形成するような形でこのセルの周りに置かれた、発電機によって電力供給される電磁励起アンテナを含む。
【０１７０】
次いで、プラズマによって放出される光放射線は、検出され、光学的分光計に送られる。放出は、光ファイバによって、または適合コネクタによって実施することができる。光学的分光計は、検出された光学スペクトルの画像を生成し、それらを例えばＣＰＵ１７に送る。
【０１７１】
有利には、また、ステーション１０が完全に自動運転できるようにするために、ＣＰＵ１７は、バーコード読取装置、ＲＦＩＤ読取装置（変換器）、受信器など、輸送支持具１を識別する手段を含むことができる。
【０１７２】
本発明の他の特定の実施形態によれば、ステーション１０は、少なくとも１つの輸送支持具１の測定された重量の漸進的変化を測定できるように位置決めされた、少なくとも１つの電子はかり４１を含む。
【０１７３】
重量の測定は、輸送支持具１の壁の脱ガス流と相関させることができ、したがって、それらの乾燥の進展を決定できるようになる。
【０１７４】
測定が有意であるためには、測定の確度は、有利には、数キログラム（ＦＯＵＰタイプの輸送ポッドでは約４ｋｇ、ＲＳＰタイプのポッドでは約７００ｇ）のフル・スケールについて、約１００分の１グラムである。
【０１７５】
また、外部環境に起因した干渉を制限するために、処理ステーション１０が、ステーションのフレーム７の下面と床との間、好ましくはステーション１０の足部４４の下に置かれた振動を減衰させる手段（図示せず）を含むように計画される。
【０１７６】
ステーション１０がいくつかの輸送支持具１を含むのに適している場合、また、コストを制限するために、輸送支持具１の乾燥の進展は、単一の輸送支持具１を点検することによって決定される。
【０１７７】
複数の輸送支持具１が同じタイプのもので、同じ事前クリーニング・ステージから得られる場合には、輸送支持具１の測定の結果得られる情報をこれらのすべての輸送支持具１の乾燥の進展に適用できると見なすことができる。
【０１７８】
したがって、図２に示されるように、処理ステーション１０は、ＦＯＵＰタイプ輸送箱の１つのケーシング２をそれぞれが受けるための、例えば３つの棚または固定式プラットフォーム２３を含み、またさらに、ＦＯＵＰタイプ輸送箱の第４のケーシング２の重量を測定するのに適した、可動式プラットフォーム４３の下のはかり４１を含む。
【０１７９】
有利には、はかり４１は、輸送支持具１がはかり４１に力を加えるときに電磁補償を生み出すことができるように永久磁石の磁場内に置かれた少なくとも１つの補償巻線を含む電気的フィードバック回路を含む。
【０１８０】
ゼロを読み取った後、はかり４１の釣り合いに必要な補償力は、プラットフォーム４３に加わる重量に比例しており、したがって、電流の強度は、重量に変換される。
【０１８１】
一変形実施形態によれば、処理ステーション１０は、輸送支持具の洗浄機器（図示せず）に連結される。
【０１８２】
この変形形態では、ステーション１０および／または機器が、洗浄機器から処理ステーション１０の密封チャンバ４へと輸送するための、輸送支持具１を運搬する手段を含むように計画される。
【０１８３】
例えば、運搬手段は、輸送支持具１のための取扱ロボット、またはコンベヤ・ベルトである。
【０１８４】
また、１つまたは複数の処理ステーション１０と洗浄機器（図示せず）との間に移送チャンバが存在してもよい。
【０１８５】
また、真空ポンプ５と、好ましくは単一のＦＯＵＰタイプ輸送支持具１を受けるのに適した少なくとも１つの処理ステーションとを含む、処理機器が存在してもよい。
【０１８６】
したがって、操作に際しては、処理ステーション１０は、洗浄ステージ後に処理方法を実施するのに適している。
【０１８７】
カバー１１を使用して閉じられた密封チャンバ４内に輸送支持具１を置くことから始める。
【０１８８】
次いで、ポンプ５を使用して、密封チャンバ４内に含まれるガスを排出し、赤外線ＩＲを発生させる。
【０１８９】
ポンピングによるガスの排出、および赤外線ＩＲは、有利には、除湿の進行に特徴的なパラメータの漸進的変化と参照とを比較した結果に応じて停止させることができる。
【０１９０】
次いで、輸送支持具１を冷ましておき、第２のガス導入デバイス６０を通じたクリーンなガスの導入を通じて、密封チャンバ４の圧力を大気圧まで上昇させ、次いで、密閉カバー１１を開けて輸送支持具１を密封チャンバ４から取り除く。
【０１９１】
他の実施形態によれば、処理ステーション１０は、また、真空処理ステージの前に輸送支持具１を密封チャンバ４自体内で直接洗浄できるようにする、流出（ｒｕｎ−ｏｆｆ）手段５９を備えた固定式または可動式ジェットなどの洗浄デバイス５８を含むことができる。こうして、取扱デバイスの使用は、それに付随した再汚染の危険とともに回避される。全体的な処理時間は、短縮される。処理の有効性は、また、同時の除染と洗浄デバイス自体の制御とを通じて高められる。これは、また、コストを削減し、スペースを節約する。
【０１９２】
輸送支持具の本発明による処理方法を通じて、また、当該方法を実施する本発明による処理ステーションの使用を通じて、輸送支持具１は、真空内に置かれ、処理されるべきその表面１ａは、選択的に加熱される。これは、輸送支持具１の壁の上、特に、支持具の材料の第１の層内の液体の蒸発に有利にはたらき、したがって、異物の除去のための処理を加速させる。
【０１９３】
本発明は、明確に記載した諸実施形態だけに限定されず、むしろ、当業者が実現可能な範囲内のいずれの変形形態および一般化形態も含む。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の運搬および保管のための輸送支持具（１）の処理方法であって、
前記輸送支持具（１）上の処理されるべき表面（１ａ）から異物を除去するために前記処理されるべき表面（１ａ）がその間に準大気圧のガス圧（ＰＳＡ）と赤外線（ＩＲ）との複合作用にさらされる処理ステージを含み、前記赤外線は断続的赤外線であり、最高許容温度を超えない温度設定あたりで材料の温度を維持するために、満足のいく継続時間にわたって交互に切断／回復されることを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記準大気圧（ＰＳＡ）が、除去されるべき前記異物の状態図の三重点の圧力（ＰＴ）よりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記赤外線（ＩＲ）が、除去されるべき１つまたは複数の前記異物の（１つまたは複数の）吸収波長あたりに最大強度をもつ発光スペクトルを呈することを特徴とする、請求項１または２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４】
前記赤外線（ＩＲ）が断続的赤外線であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記断続的赤外線（ＩＲ）が前記処理されるべき表面（１ａ）を適切な温度に設定する連続的な初期ステージ（Ｅ１）を含むことを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記処理されるべき表面（１ａ）の温度（ＴＭ）を代表する試験温度が測定され、前記赤外線（ＩＲ）が、前記試験温度にしたがって、前記処理されるべき表面の前記温度（ＴＭ）を最高許容温度閾値（ＴＡ）よりも低い温度設定（ＴＣ）あたりで維持するように制御されることを特徴とする、請求項４または５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記準大気圧のガス圧（ＰＳＡ）が測定され、圧力設定（ＰＣ）と比較されて、その比較に応じて、前記準大気圧のガス圧（ＰＳＡ）を前記圧力設定（ＰＣ）あたりにもっていき、そのガス圧をそのレベルで維持するように、ポンピング速度、ポンピング・コンダクタンス、ガス流注入コンダクタンスなど、圧力を調節する手段を制御することを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記処理されるべき表面（１ａ）上の少なくとも１つの異物捕捉領域の近くに局所的なガス流（４７）がその間に注入されるステージを含むことを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記処理されるべき表面（１ａ）が、その間に、除去されるべき異物を含まないクリーンなガス流（４８）の注入による大気圧（Ｐａ）あたりへのガス圧（ＰＳＡ）の漸次上昇と周囲温度（Ｔａ）あたりへの温度（ＴＭ）の降下とにさらされる、コンディショニング・ステージ（ＥＣ）を含むことを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記クリーンなガス流（４８）が、十分に低速で選択され、ただし、高流量を可能にし、したがって干渉静電荷の生成および汚濁粒子の取込みを回避するために、広く分散されることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記処理されるべき表面（１ａ）からの前記異物の除去を代表するパラメータ（前記輸送支持具の重量、真空ポンプの出口のところの湿気またはＡＭＣの量、前記密封チャンバ内の分圧または全圧）が測定され、前記代表パラメータが参照に達するときには前記処理が中断されることを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
基板の運搬および保管のための輸送支持具（１）のための処理ステーション（１０）であって、
処理されるべき表面（１ａ）をもつ少なくとも１つの輸送支持具（１）を受けるのに適した、ポンピング・デバイス（５、４６）に連結するための密封チャンバ（４）と、
前記処理されるべき表面（１ａ）を赤外線（ＩＲ）にさらすのに適した少なくとも１つの赤外線源（４９）と、
前記処理されるべき表面（１ａ）を準大気圧のガス圧（ＰＳＡ）と赤外線（ＩＲ）との複合作用にさらす、前記ポンピング・デバイス（５、４６）および前記赤外線源（４９）を制御するのに適した制御デバイス（１７）とを含み、
前記制御デバイスが、材料の温度を最高許容温度を超えない温度設定あたりで維持するために、満足のいく継続時間にわたって交互に切断／回復される断続的赤外線手段を有することを特徴とする、処理ステーション（１０）。
【請求項１３】
前記密封チャンバ（４）内に置かれた、前記処理されるべき表面（１ａ）の温度（ＴＭ）を代表する試験温度を測定するのに適した少なくとも１つの温度センサ（５０）を含むことを特徴とする、請求項１２に記載の処理ステーション。
【請求項１４】
前記温度センサ（５０）が、その一方の面（５６）が前記赤外線（ＩＲ）にさらされ、その反対側の面が温度プローブ（５４）と接触している、処理されるべき前記輸送支持具（１）を構成するのと類似の材料で作製された小さい厚さ（ｅ）の試験層（５５）を含むことを特徴とする、請求項１３に記載の処理ステーション。
【請求項１５】
前記制御デバイス（１７）が、前記温度センサ（５０）によって生成される温度データを調べ、前記温度センサ（５０）によって測定された温度が、それ自体が最高許容温度閾値（ＴＡ）を下回る温度設定（ＴＣ）よりも所定の差を超えて低いときには、前記赤外線源（４９）の電力供給をトリガし、前記温度センサ（５０）によって測定された温度が所定の差を超えて前記温度設定（ＴＣ）を上回るときには前記赤外線源（４９）の電力供給を遮断する、赤外線制御プログラムを含むことを特徴とする、請求項１３または１４のいずれか１項に記載の処理ステーション。
【請求項１６】
前記赤外線源（４９）が、箱の形態の輸送支持具（１）の内側に挿入するのに適した少なくとも１つの線源部分（４９ａ）を含むことを特徴とする、請求項１２乃至１５のいずれか１項に記載の処理ステーション。
【請求項１７】
前記処理されるべき表面（１ａ）の近傍に第１の局所的なガス流（４７）を注入するために初期ガス注入デバイス（１８）を含むことを特徴とする、請求項１２乃至１６のいずれか１項に記載の処理ステーション。
【請求項１８】
前記処理されるべき表面（１ａ）から隔てられた前記密封チャンバ（４）にクリーンなガス流（４８）を注入するために第２のガス注入デバイス（６０）を含むことを特徴とする、請求項１２乃至１７のいずれか１項に記載の処理ステーション。
【請求項１９】
前記処理ステーションが、前記処理されるべき表面（１ａ）からの異物の除去を代表するパラメータを測定する手段（４１、４５、１７）を含んでおり、前記制御デバイス（１７）が、前記代表パラメータが参照値に達するときには前記処理を中断するのに適していることを特徴とする、請求項１２乃至１８のいずれか１項に記載の処理ステーション。
【請求項２０】
代表パラメータのための前記測定デバイスが、
輸送支持具（１）の重量を測定し、重量信号を生成するのに適したはかり（４１）、および前記重量信号（１７）を処理して前記重量信号から前記処理ステージの終わりを推定する手段、
ならびに／または、前記ポンピング・デバイス（５、４６）の前記真空ポンプ（５）の出口のところの湿度および／もしくはＡＭＣセンサ（５７）、
ならびに／または、前記密封チャンバ（４）のための圧力計（４５）を含むことを特徴とする、請求項１８に記載の処理ステーション。
【請求項２１】
また、前記密封チャンバ（４）自体内で直接前記輸送支持具（１）を洗浄するために使用される洗浄デバイス（５８）も含むことを特徴とする、請求項１２乃至２０のいずれか１項に記載の処理ステーション。
【請求項１】
基板の運搬および保管のための輸送支持具（１）の処理方法であって、
前記輸送支持具（１）上の処理されるべき表面（１ａ）から異物を除去するために前記処理されるべき表面（１ａ）がその間に準大気圧のガス圧（ＰＳＡ）と赤外線（ＩＲ）との複合作用にさらされる処理ステージを含み、前記赤外線は断続的赤外線であり、最高許容温度を超えない温度設定あたりで材料の温度を維持するために、満足のいく継続時間にわたって交互に切断／回復されることを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記準大気圧（ＰＳＡ）が、除去されるべき前記異物の状態図の三重点の圧力（ＰＴ）よりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記赤外線（ＩＲ）が、除去されるべき１つまたは複数の前記異物の（１つまたは複数の）吸収波長あたりに最大強度をもつ発光スペクトルを呈することを特徴とする、請求項１または２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４】
前記赤外線（ＩＲ）が断続的赤外線であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記断続的赤外線（ＩＲ）が前記処理されるべき表面（１ａ）を適切な温度に設定する連続的な初期ステージ（Ｅ１）を含むことを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記処理されるべき表面（１ａ）の温度（ＴＭ）を代表する試験温度が測定され、前記赤外線（ＩＲ）が、前記試験温度にしたがって、前記処理されるべき表面の前記温度（ＴＭ）を最高許容温度閾値（ＴＡ）よりも低い温度設定（ＴＣ）あたりで維持するように制御されることを特徴とする、請求項４または５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記準大気圧のガス圧（ＰＳＡ）が測定され、圧力設定（ＰＣ）と比較されて、その比較に応じて、前記準大気圧のガス圧（ＰＳＡ）を前記圧力設定（ＰＣ）あたりにもっていき、そのガス圧をそのレベルで維持するように、ポンピング速度、ポンピング・コンダクタンス、ガス流注入コンダクタンスなど、圧力を調節する手段を制御することを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記処理されるべき表面（１ａ）上の少なくとも１つの異物捕捉領域の近くに局所的なガス流（４７）がその間に注入されるステージを含むことを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記処理されるべき表面（１ａ）が、その間に、除去されるべき異物を含まないクリーンなガス流（４８）の注入による大気圧（Ｐａ）あたりへのガス圧（ＰＳＡ）の漸次上昇と周囲温度（Ｔａ）あたりへの温度（ＴＭ）の降下とにさらされる、コンディショニング・ステージ（ＥＣ）を含むことを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記クリーンなガス流（４８）が、十分に低速で選択され、ただし、高流量を可能にし、したがって干渉静電荷の生成および汚濁粒子の取込みを回避するために、広く分散されることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記処理されるべき表面（１ａ）からの前記異物の除去を代表するパラメータ（前記輸送支持具の重量、真空ポンプの出口のところの湿気またはＡＭＣの量、前記密封チャンバ内の分圧または全圧）が測定され、前記代表パラメータが参照に達するときには前記処理が中断されることを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
基板の運搬および保管のための輸送支持具（１）のための処理ステーション（１０）であって、
処理されるべき表面（１ａ）をもつ少なくとも１つの輸送支持具（１）を受けるのに適した、ポンピング・デバイス（５、４６）に連結するための密封チャンバ（４）と、
前記処理されるべき表面（１ａ）を赤外線（ＩＲ）にさらすのに適した少なくとも１つの赤外線源（４９）と、
前記処理されるべき表面（１ａ）を準大気圧のガス圧（ＰＳＡ）と赤外線（ＩＲ）との複合作用にさらす、前記ポンピング・デバイス（５、４６）および前記赤外線源（４９）を制御するのに適した制御デバイス（１７）とを含み、
前記制御デバイスが、材料の温度を最高許容温度を超えない温度設定あたりで維持するために、満足のいく継続時間にわたって交互に切断／回復される断続的赤外線手段を有することを特徴とする、処理ステーション（１０）。
【請求項１３】
前記密封チャンバ（４）内に置かれた、前記処理されるべき表面（１ａ）の温度（ＴＭ）を代表する試験温度を測定するのに適した少なくとも１つの温度センサ（５０）を含むことを特徴とする、請求項１２に記載の処理ステーション。
【請求項１４】
前記温度センサ（５０）が、その一方の面（５６）が前記赤外線（ＩＲ）にさらされ、その反対側の面が温度プローブ（５４）と接触している、処理されるべき前記輸送支持具（１）を構成するのと類似の材料で作製された小さい厚さ（ｅ）の試験層（５５）を含むことを特徴とする、請求項１３に記載の処理ステーション。
【請求項１５】
前記制御デバイス（１７）が、前記温度センサ（５０）によって生成される温度データを調べ、前記温度センサ（５０）によって測定された温度が、それ自体が最高許容温度閾値（ＴＡ）を下回る温度設定（ＴＣ）よりも所定の差を超えて低いときには、前記赤外線源（４９）の電力供給をトリガし、前記温度センサ（５０）によって測定された温度が所定の差を超えて前記温度設定（ＴＣ）を上回るときには前記赤外線源（４９）の電力供給を遮断する、赤外線制御プログラムを含むことを特徴とする、請求項１３または１４のいずれか１項に記載の処理ステーション。
【請求項１６】
前記赤外線源（４９）が、箱の形態の輸送支持具（１）の内側に挿入するのに適した少なくとも１つの線源部分（４９ａ）を含むことを特徴とする、請求項１２乃至１５のいずれか１項に記載の処理ステーション。
【請求項１７】
前記処理されるべき表面（１ａ）の近傍に第１の局所的なガス流（４７）を注入するために初期ガス注入デバイス（１８）を含むことを特徴とする、請求項１２乃至１６のいずれか１項に記載の処理ステーション。
【請求項１８】
前記処理されるべき表面（１ａ）から隔てられた前記密封チャンバ（４）にクリーンなガス流（４８）を注入するために第２のガス注入デバイス（６０）を含むことを特徴とする、請求項１２乃至１７のいずれか１項に記載の処理ステーション。
【請求項１９】
前記処理ステーションが、前記処理されるべき表面（１ａ）からの異物の除去を代表するパラメータを測定する手段（４１、４５、１７）を含んでおり、前記制御デバイス（１７）が、前記代表パラメータが参照値に達するときには前記処理を中断するのに適していることを特徴とする、請求項１２乃至１８のいずれか１項に記載の処理ステーション。
【請求項２０】
代表パラメータのための前記測定デバイスが、
輸送支持具（１）の重量を測定し、重量信号を生成するのに適したはかり（４１）、および前記重量信号（１７）を処理して前記重量信号から前記処理ステージの終わりを推定する手段、
ならびに／または、前記ポンピング・デバイス（５、４６）の前記真空ポンプ（５）の出口のところの湿度および／もしくはＡＭＣセンサ（５７）、
ならびに／または、前記密封チャンバ（４）のための圧力計（４５）を含むことを特徴とする、請求項１８に記載の処理ステーション。
【請求項２１】
また、前記密封チャンバ（４）自体内で直接前記輸送支持具（１）を洗浄するために使用される洗浄デバイス（５８）も含むことを特徴とする、請求項１２乃至２０のいずれか１項に記載の処理ステーション。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１３−７００９７（Ｐ２０１３−７００９７Ａ）
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１３−１４７（Ｐ２０１３−１４７）
【出願日】平成２５年１月４日（２０１３．１．４）
【分割の表示】特願２０１０−５２０５５２（Ｐ２０１０−５２０５５２）の分割
【原出願日】平成２０年８月１１日（２００８．８．１１）
【出願人】（３９１０３０３３２）アルカテル−ルーセント (1,149)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２５年１月４日（２０１３．１．４）
【分割の表示】特願２０１０−５２０５５２（Ｐ２０１０−５２０５５２）の分割
【原出願日】平成２０年８月１１日（２００８．８．１１）
【出願人】（３９１０３０３３２）アルカテル−ルーセント (1,149)
【Ｆターム（参考）】
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