半導体発光素子およびその製造方法
【目的】 光ファイバジャイロ等の光源として用いる高出力で、低電流動作のスーパールミネッセントダイオードおよび、その製造方法を提供する。
【構成】 活性層となるＧａ1-XＡｌXＡｓ層の主面の少なくとも一方の側に、一導電型のＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第一光ガイド層、Ｇａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第二光ガイド層を順次、備えるとともに、前記第二光ガイド層上に、これとは逆の導電型でストライプ状の窓を有するＧａ1-ZＡｌZＡｓ層が形成されており、前記ストライプ状の窓には、前記光ガイド層と同じ導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層を備えており、ＡｌＡｓ混晶比、Ｘ，Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３およびＺの間に、Ｚ＞Ｙ３＞Ｙ２＞Ｘ≧０，Ｙ１＞Ｙ２の関係を有し、前記ストライプ状の窓の前端面の垂直面に対し、前記ストライプ状の窓が３度から１５度の角度を有する。
【構成】 活性層となるＧａ1-XＡｌXＡｓ層の主面の少なくとも一方の側に、一導電型のＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第一光ガイド層、Ｇａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第二光ガイド層を順次、備えるとともに、前記第二光ガイド層上に、これとは逆の導電型でストライプ状の窓を有するＧａ1-ZＡｌZＡｓ層が形成されており、前記ストライプ状の窓には、前記光ガイド層と同じ導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層を備えており、ＡｌＡｓ混晶比、Ｘ，Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３およびＺの間に、Ｚ＞Ｙ３＞Ｙ２＞Ｘ≧０，Ｙ１＞Ｙ２の関係を有し、前記ストライプ状の窓の前端面の垂直面に対し、前記ストライプ状の窓が３度から１５度の角度を有する。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光応用計測機器のひとつである光ファイバジャイロの光源として用いられるスーパールミネッセントダイオード（Superluminescent Diode;ＳＬＤ）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバジャイロは、光による回転角速度の検出原理（Sagnac効果）を用いた光ジャイロの一種で、光ファイバを用いて光路の十分長い高密度の干渉計を構成している。光源としては、通常、半導体発光素子であるレーザーダイオードあるいはＳＬＤを用いるが、コヒーレント長の長いレーザーダイオードでは、光ファイバ中でのレイリー散乱により、その一部が後方散乱光となって位相ノイズを発生させる。従って、光源にはコヒーレンス長の短いＳＬＤの方が望ましいが、従来、低コヒーレンスでありかつ低動作電流で十分な光出力の得られるＳＬＤは実用化されておらず、半導体レーザが用いられている。
【０００３】以下従来の半導体発光素子について説明する。図５は、従来のＳＬＤの一例を示す要部斜視図である。同図において、２１はｐ−ＧａＡｓ基板、２２はプロトン注入高抵抗ＧａＡｓ電流ブロック層、２３はｐ−Ｇａ0.59Ａｌ0.41Ａｓクラッド層、２４はＧａ0.92Ａｌ0.08Ａｓ活性層、２５はｎ−Ｇａ0.59Ａｌ0.41Ａｓクラッド層、２６はｎ−ＧａＡｓコンタクト層、２７はオーミック電極、２８は同じくオーミック電極である。また、チップの両端面には低反射率コーティングが施してある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】光ファイバジャイロの位相ノイズ低減のためには、低コヒーレンスのＳＬＤが必要であり、かつその回転角速度検出感度向上のためには、高出力化が必要である。しかし、図５に示すような従来構造のＳＬＤでは、端面に低反射率コーティングを施しても、レーザ発振を抑えるに十分な低い反射率を再現性よく得ることは難しく、図３に示すように、低い出力光レベルでレーザ発振を起こし高出力のスーパールミネッセント（Superluminescent;ＳＬ）光が得られない欠点があった。また、電流ブロック層２２の光吸収による導波路の損失により動作電流が大きいという欠点もあった。
【０００５】本発明の目的は、従来の欠点を解消し、低動作電流で高出力のＳＬ光を発光することができるＳＬＤを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するために本発明の半導体発光素子は、活性層となるＧａ1-XＡｌXＡｓ層の主面の少なくとも一方の側に、一導電型のＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第一光ガイド層、Ｇａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第二光ガイド層を順次、備えるとともに、前記第二光ガイド層上に、これとは逆の導電型でストライプ状の窓を有するＧａ1-ZＡｌZＡｓ層が形成されており、前記ストライプ状の窓には、前記光ガイド層と同じ導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層を備えており、ＡｌＡｓ混晶比、Ｘ，Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３およびＺの間に、Ｚ＞Ｙ３＞Ｙ２＞Ｘ≧０，Ｙ１＞Ｙ２の関係を有し、前記ストライプ状の窓の前端面の垂直面に対し、前記ストライプ状の窓が３度から１５度の角度を有する構成を有している。
【０００７】
【作用】この構成によって、電流ブロック層となるＧａ1-ZＡｌZＡｓ層のストライプ状の窓となっているＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層から注入される電流により、活性層となるＧａ1-XＡｌXＡｓ層でＳＬ光が生じる。ここで、電流ブロック層となるＧａ1-ZＡｌZＡｓ層の屈折率はストライプ内部のクラッド層となるＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層よりも小さいので、ＳＬ光はこの屈折率差によりストライプ内に有効に閉じ込められる。さらに、電流ブロック層となるＧａ1-ZＡｌZＡｓ層の禁制帯幅は活性層となるＧａ1-XＡｌXＡｓ層の禁制帯幅よりもかなり大きいので、ＳＬ光の電流ブロック層による光吸収はなく、導波路の損失による動作電流の増大がない。
【０００８】また、この構成によって、活性層へのキャリアの閉じ込めはＡｌＡｓ混晶比の高いＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第一光ガイド層により決定され、再成長はＡｌＡｓ混晶比の低いＧａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第二光ガイド層上への成長となるため、容易に再成長が行える。また、活性層となるＧａ1-XＡｌXＡｓ層の前記ストライプ状の窓の前端面の垂直面に対し、前記ストライプ状の窓が３度以上の角度を有しているので、前記ストライプ内を導波したＳＬ光は前端面に斜めに入射し、端面から反射して再び前記ストライプ内に戻って導波する光量がほとんどなくなるので、容易にレーザ発振を抑圧し、かつ、前記ストライプ状の窓の前端面の垂直面に対し、前記ストライプ状の窓が１５度以下の角度を有しているので、前端面において全反射することなく、前端面から結晶外部へとＳＬ光が出射され、以上により低動作電流で高出力のＳＬＤを得ることができる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説明する。
【００１０】図１（ａ）は本発明の一実施例におけるＳＬＤの斜視図、図１（ｂ）はストライプ部の透視上面図である。ｎ型のＧａＡｓ基板１の上に、ｎ型のＧａＡｓバッファ層２が形成されており、その上にｎ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層３、Ｇａ0.92Ａｌ0.08Ａｓ活性層４、ｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ第一光ガイド層５、ｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第二光ガイド層６が形成されており、電流狭窄のために電流チャンネルとなる窓７ａ以外の領域には、ｎ型のＧａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロック層７が形成されている。８はＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ保護層、９はｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層、１０はｐ型のＧａＡｓコンタクト層である。
【００１１】ここで、安定な単一横モードを得るために、電流ブロック層７のＡｌＡｓ混晶比をｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層９のＡｌＡｓ混晶比より、高く設定する。もし、電流ブロック層７のＡｌＡｓ混晶比がクラッド層９と同様である場合、プラズマ効果によるストライプ内の屈折率の低下があり、アンチガイドの導波路となり、単一な横モードは得られない。いわんや、電流ブロック層７のＡｌＡｓ混晶比がｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層９より、低い場合は、完全に、横モードが不安定になる。本実施例では、図１に示すように、電流ブロック層７のＡｌＡｓ混晶比をｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層９のＡｌＡｓ混晶比より、０．１高く、０．６としている。そして、前端面からＳＬ光を得るため、前端面の垂直面に対するストライプの角度θ１１は、３度から１５度にする必要があり、本実施例ではこの角度を５度に設定している。
【００１２】この構造において、ｐ型のＧａＡｓコンタクト層１０から注入される電流は窓７ａ内に閉じ込められ、７ａ下部のＧａ0.92Ａｌ0.08Ａｓ活性層４でＳＬ光が生じる。ここで、ｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ第一光ガイド層５のＡｌＡｓ混晶比は、活性層のＡｌＡｓ混晶比より十分に高く、活性層へ有効にキャリアを閉じ込める。具体的に、本実施例では、０．５とした。再成長は、ＡｌＡｓ混晶比の低いｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第二光ガイド層６上への成長となるため、表面酸化の問題は全くない。具体的に、第二光ガイド層のＡｌＡｓ混晶比としては、再成長が容易な０．３以下で、ＳＬ光波長に対して透明であることが望ましい。したがって、本実施例では、０．２としている。さらに、その膜厚は、光分布にあまり影響を与えない０．０５μｍ以下が望ましい。本実施例では、０．０３μｍとしている。以上、キャリアを閉じ込める層（第一光ガイド層）と、再成長される層（第二光ガイド層）を別々に、形成することにより、光吸収による損失の少ない誘導放出を可能としているのである。また、ｎ型のＧａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロック層７の禁制帯幅は、Ｇａ0.92Ａｌ0.08Ａｓ活性層４の禁制帯幅よりも大きいので、従来の構造のように電流ブロック層による光吸収がなく、導波路の損失の小さい低動作電流の素子が得られる。
【００１３】図２は本発明の一実施例におけるＳＬＤの製造工程図である。図２（ａ）に示すように、ｎ型のＧａＡｓ基板１の上に、ＭＯＣＶＤあるいはＭＢＥ成長法により、ｎ型のＧａＡｓバッファ層２（厚さ、０．５μｍ）、ｎ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層３（厚さ、．１μｍ）、Ｇａ0.92Ａｌ0.08Ａｓ活性層４（厚さ、０．０７μｍ）、ｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ第一光ガイド層５（厚さ、０．５μｍ）、ｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第二光ガイド層６（厚さ、０．０３μｍ）、ｎ型のＧａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロック層７（厚さ、０．５μｍ）、Ｇａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ保護層８（厚さ、０．０１μｍ）を形成する。この保護層８は、ｎ型のＧａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロック層７の上部を表面酸化から守るのに必要である。保護層８のＡｌＡｓ混晶比としては、第二光ガイド層と同様、再成長が容易な０．３以下で、ＳＬ光に対して透明な混晶比であることが望ましい。
【００１４】図２で、活性層の導電型は、特に記載していないが、ｐ型であっても、ｎ型であっても、もちろん、アンドープであってもかまわない。
【００１５】また、電流ブロック層の膜厚については、電流ブロック層７の厚さが薄いと、上部のｐ型のＧａＡｓコンタクト層８においてレーザ光の光吸収が生じてしまうので、最低限、０．４μｍは必要である。
【００１６】次に、図２（ｂ）に示すように、ストライプ状の窓７ａをフォトリソグラフィー技術を用い、前端面の垂直面に対するストライプの角度θ１１が５度になるように、エッチングにより形成する。エッチングの方法としては、最初に酒石酸または、硫酸などのＡｌＡｓ混晶比に対して選択性のあまりないエッチャントでＧａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロック層７の途中まで、エッチングを行なう。次に、フッ酸系、リン酸系などのＡｌＡｓ混晶比の高い層を選択的にエッチングできるエッチャントを用いて、選択的にＧａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロック層７のエッチングを行なう。すなわち、ｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第二光ガイド層６は、エッチングストップ層としても作用する。そのため、エッチングによるばらつきが小さく、高歩留が得られる。
【００１７】次に、図２（ｃ）に示すように、ＭＯＣＶＤあるいはＭＢＥ成長法により、ｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層９、ｐ型のコンタクト層１０を再成長により、形成する。このとき、電流の流れるストライプ内は、ＡｌＡｓ混晶比の低いｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第二光ガイド層６上の成長となるため、容易に成長が行える。ただし、ｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層９のドーパントにＺｎを使用する場合には、Ｚｎのストライプ領域への成長中の拡散による特性への影響があるため、少なくとも、再成長界面においてキャリア濃度を１０18cm-3以下にする必要がある。本実施例では、７×１０17cm-3とした。もちろん、カーボンなど拡散のあまりないドーパントを用いる方法もある。最後に、ｎ型のＧａＡｓ基板１および、ｐ型のＧａＡｓコンタクト層１０にそれぞれ、電極を形成する。
【００１８】図３は本発明の一実施例におけるＳＬＤの電流−光出力特性図である。比較のために、従来のＳＬＤの特性もあわせて示した。本発明のＳＬＤでは、導波路の損失が小さいため、大幅に動作電流値が小さくなっている。具体的には、活性領域長３００μｍの素子において、室温で５ｍＷのＳＬ光を放出するのに必要な動作電流値を１２０ｍＡから６０ｍＡに低減できた。また、本発明の構造は、動作電流値が低いので、ＳＬＤの高出力化にも有効である。
【００１９】より高出力にするため、図４（ａ）の本発明の特許請求項第二項の一実施例におけるＳＬＤの斜視図、および図４（ｂ）のストライプ部の透視上面図に示すように、前端面の垂直面に対するストライプの角度θを３度から１５度にすると共に、ストライプを湾曲または屈曲させて、ストライプが後端面に対し９０度に接するようにすることによって、後端面の反射光量を増大させ、より高出力にすることができる。このとき、前端面からはＳＬ光は戻らないため、ファブリ・ペロ共振器は形成されず、レーザ発振は生じない。したがって、スペクトル半値幅の広いＳＬ光を高い光出力まで得ることができる。この構造において、後端面を高反射率にコーティングすることによって、より後端面からの反射光量を増やし、さらに高出力化できる。
【００２０】また、活性層を量子井戸構造とすることにより、さらに、動作電流を低減でき、高出力が得られる。量子井戸構造として、シングルカンタムウェル（ＳＱＷ）構造、ダブルカンタムウェル（ＤＱＷ）構造、トリプルカンタムウェル（ＴＱＷ）構造、グリン（ＧＲＩＮ）構造、または、そのセパレートコンファインメントヘテロストラクチャー（ＳＣＨ）構造などでもかまわない。
【００２１】なお、上記全ての実施例において、基板はｎ型で、ｎ型の電流ブロック層を用いる場合のみを示したが、基板にｐ型を用い、ｐ型の電流ブロック層を用いてもかまわない。すなわち、電流ブロック層のＡｌＡｓ混晶比が高いからである。なぜなら、ＡｌＡｓ混晶比の高いｐ型のＧａＡｌＡｓ層の場合、電子の拡散が抑えられるので、ｐ型のブロック層の実現が可能となるからである。
【００２２】なお、上記全ての実施例では、電流ブロック層が活性層上、すなわち、活性層から見て、基板と反対側にある場合のみを示したが、基板と同方向にある場合でも、同じ効果が得られる。あるいは、電流ブロック層が両方向にあるダブルコンファイメント構造にすればさらに、漏れ電流が少なくなり、低動作電流化が図れることはいうまでもない。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明は、活性層となるＧａ1-XＡｌXＡｓ層の主面の少なくとも一方の側に、一導電型のＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第一光ガイド層、Ｇａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第二光ガイド層を順次、備えるとともに、前記第二光ガイド層上に、これとは逆の導電型でストライプ状の窓を有するＧａ1-ZＡｌZＡｓ層が形成されており、前記ストライプ状の窓には、前記光ガイド層と同じ導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層を備えており、ＡｌＡｓ混晶比、Ｘ，Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３およびＺの間に、Ｚ＞Ｙ３＞Ｙ２＞Ｘ≧０，Ｙ１＞Ｙ２の関係を有し、前記ストライプ状の窓の前端面の垂直面に対し、前記ストライプ状の窓が３度から１５度の角度を有する構成により、低動作電流値のＳＬＤを容易に実現できるものである。
【００２４】すなわち、ＡｌＡｓ混晶比の高いＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第一光ガイド層により活性層へキャリアを閉じ込め、再成長はＡｌＡｓ混晶比の低いＧａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第二光ガイド層への成長となるため、容易に作製できる。
【００２５】また、ストライプを形成するエッチングの時に、ＡｌＡｓ混晶比の違いによる選択エッチング法を使用できるため、エッチングのばらつきが小さくなり、高歩留が得られる。
【００２６】また、電流ブロック層のＡｌＡｓ混晶比が、クラッド層のＡｌＡｓ混晶比より高く設定されているため、単一な横モードで発光し、ＳＬ光の電流ブロック層による光吸収がないため、低動作電流値が得られる。
【００２７】また、低動作電流化は、活性層における発熱等の低減をもたらすため、高出力が得られる。さらに、ストライプと前端面の垂直面との角度を３度から１５度にすると共に、ストライプを湾曲または屈曲させることによって、後端面に対しストライプを９０度に接するようにし、また、活性層を量子井戸構造とすれば、より、高出力が得られる。
【００２８】以上、説明したところから明らかなように、本発明のＳＬＤは、高出力のＳＬ光を発光することができ、光ファイバジャイロ用として実用上の効果は大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明の一実施例におけるＳＬＤの斜視図
（ｂ）本発明の一実施例におけるＳＬＤのストライプ部の透視上面図
【図２】本発明の一実施例におけるＳＬＤの製造工程図
【図３】本発明の一実施例におけるＳＬＤの電流−光出力特性図
【図４】（ａ）本発明の特許請求項第二項の一実施例におけるＳＬＤの斜視図
（ｂ）本発明の特許請求項第二項の一実施例におけるＳＬＤのストライプ部の透視上面図
【図５】従来のＳＬＤの要部斜視図
【符号の説明】
１ ｎ型のＧａＡｓ基板
２ ｎ型のＧａＡｓバッファ層
３ ｎ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層
４ Ｇａ0.92Ａｌ0.08Ａｓ活性層
５ ｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ第一光ガイド層
６ ｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第二光ガイド層
７ ｎ型のＧａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロック層
７ａ ストライプ状の窓
８ ｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ保護層
９ ｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層
１０ ｐ型のＧａＡｓコンタクト層
１１ 前端面の垂直面に対するストライプの角度θ
２１ ｐ型のＧａＡｓ基板
２２ プロトン注入高抵抗ＧａＡｓ電流ブロック層
２３ ｐ型のＧａ0.59Ａｌ0.41Ａｓ層
２４ Ｇａ0.92Ａｌ0.08Ａｓ活性層
２５ ｎ型のＧａ0.59Ａｌ0.41Ａｓ層
２６ ｎ型のＧａＡｓコンタクト層
２７，２８ オーミック電極
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光応用計測機器のひとつである光ファイバジャイロの光源として用いられるスーパールミネッセントダイオード（Superluminescent Diode;ＳＬＤ）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバジャイロは、光による回転角速度の検出原理（Sagnac効果）を用いた光ジャイロの一種で、光ファイバを用いて光路の十分長い高密度の干渉計を構成している。光源としては、通常、半導体発光素子であるレーザーダイオードあるいはＳＬＤを用いるが、コヒーレント長の長いレーザーダイオードでは、光ファイバ中でのレイリー散乱により、その一部が後方散乱光となって位相ノイズを発生させる。従って、光源にはコヒーレンス長の短いＳＬＤの方が望ましいが、従来、低コヒーレンスでありかつ低動作電流で十分な光出力の得られるＳＬＤは実用化されておらず、半導体レーザが用いられている。
【０００３】以下従来の半導体発光素子について説明する。図５は、従来のＳＬＤの一例を示す要部斜視図である。同図において、２１はｐ−ＧａＡｓ基板、２２はプロトン注入高抵抗ＧａＡｓ電流ブロック層、２３はｐ−Ｇａ0.59Ａｌ0.41Ａｓクラッド層、２４はＧａ0.92Ａｌ0.08Ａｓ活性層、２５はｎ−Ｇａ0.59Ａｌ0.41Ａｓクラッド層、２６はｎ−ＧａＡｓコンタクト層、２７はオーミック電極、２８は同じくオーミック電極である。また、チップの両端面には低反射率コーティングが施してある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】光ファイバジャイロの位相ノイズ低減のためには、低コヒーレンスのＳＬＤが必要であり、かつその回転角速度検出感度向上のためには、高出力化が必要である。しかし、図５に示すような従来構造のＳＬＤでは、端面に低反射率コーティングを施しても、レーザ発振を抑えるに十分な低い反射率を再現性よく得ることは難しく、図３に示すように、低い出力光レベルでレーザ発振を起こし高出力のスーパールミネッセント（Superluminescent;ＳＬ）光が得られない欠点があった。また、電流ブロック層２２の光吸収による導波路の損失により動作電流が大きいという欠点もあった。
【０００５】本発明の目的は、従来の欠点を解消し、低動作電流で高出力のＳＬ光を発光することができるＳＬＤを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するために本発明の半導体発光素子は、活性層となるＧａ1-XＡｌXＡｓ層の主面の少なくとも一方の側に、一導電型のＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第一光ガイド層、Ｇａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第二光ガイド層を順次、備えるとともに、前記第二光ガイド層上に、これとは逆の導電型でストライプ状の窓を有するＧａ1-ZＡｌZＡｓ層が形成されており、前記ストライプ状の窓には、前記光ガイド層と同じ導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層を備えており、ＡｌＡｓ混晶比、Ｘ，Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３およびＺの間に、Ｚ＞Ｙ３＞Ｙ２＞Ｘ≧０，Ｙ１＞Ｙ２の関係を有し、前記ストライプ状の窓の前端面の垂直面に対し、前記ストライプ状の窓が３度から１５度の角度を有する構成を有している。
【０００７】
【作用】この構成によって、電流ブロック層となるＧａ1-ZＡｌZＡｓ層のストライプ状の窓となっているＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層から注入される電流により、活性層となるＧａ1-XＡｌXＡｓ層でＳＬ光が生じる。ここで、電流ブロック層となるＧａ1-ZＡｌZＡｓ層の屈折率はストライプ内部のクラッド層となるＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層よりも小さいので、ＳＬ光はこの屈折率差によりストライプ内に有効に閉じ込められる。さらに、電流ブロック層となるＧａ1-ZＡｌZＡｓ層の禁制帯幅は活性層となるＧａ1-XＡｌXＡｓ層の禁制帯幅よりもかなり大きいので、ＳＬ光の電流ブロック層による光吸収はなく、導波路の損失による動作電流の増大がない。
【０００８】また、この構成によって、活性層へのキャリアの閉じ込めはＡｌＡｓ混晶比の高いＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第一光ガイド層により決定され、再成長はＡｌＡｓ混晶比の低いＧａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第二光ガイド層上への成長となるため、容易に再成長が行える。また、活性層となるＧａ1-XＡｌXＡｓ層の前記ストライプ状の窓の前端面の垂直面に対し、前記ストライプ状の窓が３度以上の角度を有しているので、前記ストライプ内を導波したＳＬ光は前端面に斜めに入射し、端面から反射して再び前記ストライプ内に戻って導波する光量がほとんどなくなるので、容易にレーザ発振を抑圧し、かつ、前記ストライプ状の窓の前端面の垂直面に対し、前記ストライプ状の窓が１５度以下の角度を有しているので、前端面において全反射することなく、前端面から結晶外部へとＳＬ光が出射され、以上により低動作電流で高出力のＳＬＤを得ることができる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説明する。
【００１０】図１（ａ）は本発明の一実施例におけるＳＬＤの斜視図、図１（ｂ）はストライプ部の透視上面図である。ｎ型のＧａＡｓ基板１の上に、ｎ型のＧａＡｓバッファ層２が形成されており、その上にｎ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層３、Ｇａ0.92Ａｌ0.08Ａｓ活性層４、ｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ第一光ガイド層５、ｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第二光ガイド層６が形成されており、電流狭窄のために電流チャンネルとなる窓７ａ以外の領域には、ｎ型のＧａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロック層７が形成されている。８はＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ保護層、９はｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層、１０はｐ型のＧａＡｓコンタクト層である。
【００１１】ここで、安定な単一横モードを得るために、電流ブロック層７のＡｌＡｓ混晶比をｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層９のＡｌＡｓ混晶比より、高く設定する。もし、電流ブロック層７のＡｌＡｓ混晶比がクラッド層９と同様である場合、プラズマ効果によるストライプ内の屈折率の低下があり、アンチガイドの導波路となり、単一な横モードは得られない。いわんや、電流ブロック層７のＡｌＡｓ混晶比がｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層９より、低い場合は、完全に、横モードが不安定になる。本実施例では、図１に示すように、電流ブロック層７のＡｌＡｓ混晶比をｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層９のＡｌＡｓ混晶比より、０．１高く、０．６としている。そして、前端面からＳＬ光を得るため、前端面の垂直面に対するストライプの角度θ１１は、３度から１５度にする必要があり、本実施例ではこの角度を５度に設定している。
【００１２】この構造において、ｐ型のＧａＡｓコンタクト層１０から注入される電流は窓７ａ内に閉じ込められ、７ａ下部のＧａ0.92Ａｌ0.08Ａｓ活性層４でＳＬ光が生じる。ここで、ｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ第一光ガイド層５のＡｌＡｓ混晶比は、活性層のＡｌＡｓ混晶比より十分に高く、活性層へ有効にキャリアを閉じ込める。具体的に、本実施例では、０．５とした。再成長は、ＡｌＡｓ混晶比の低いｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第二光ガイド層６上への成長となるため、表面酸化の問題は全くない。具体的に、第二光ガイド層のＡｌＡｓ混晶比としては、再成長が容易な０．３以下で、ＳＬ光波長に対して透明であることが望ましい。したがって、本実施例では、０．２としている。さらに、その膜厚は、光分布にあまり影響を与えない０．０５μｍ以下が望ましい。本実施例では、０．０３μｍとしている。以上、キャリアを閉じ込める層（第一光ガイド層）と、再成長される層（第二光ガイド層）を別々に、形成することにより、光吸収による損失の少ない誘導放出を可能としているのである。また、ｎ型のＧａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロック層７の禁制帯幅は、Ｇａ0.92Ａｌ0.08Ａｓ活性層４の禁制帯幅よりも大きいので、従来の構造のように電流ブロック層による光吸収がなく、導波路の損失の小さい低動作電流の素子が得られる。
【００１３】図２は本発明の一実施例におけるＳＬＤの製造工程図である。図２（ａ）に示すように、ｎ型のＧａＡｓ基板１の上に、ＭＯＣＶＤあるいはＭＢＥ成長法により、ｎ型のＧａＡｓバッファ層２（厚さ、０．５μｍ）、ｎ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層３（厚さ、．１μｍ）、Ｇａ0.92Ａｌ0.08Ａｓ活性層４（厚さ、０．０７μｍ）、ｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ第一光ガイド層５（厚さ、０．５μｍ）、ｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第二光ガイド層６（厚さ、０．０３μｍ）、ｎ型のＧａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロック層７（厚さ、０．５μｍ）、Ｇａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ保護層８（厚さ、０．０１μｍ）を形成する。この保護層８は、ｎ型のＧａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロック層７の上部を表面酸化から守るのに必要である。保護層８のＡｌＡｓ混晶比としては、第二光ガイド層と同様、再成長が容易な０．３以下で、ＳＬ光に対して透明な混晶比であることが望ましい。
【００１４】図２で、活性層の導電型は、特に記載していないが、ｐ型であっても、ｎ型であっても、もちろん、アンドープであってもかまわない。
【００１５】また、電流ブロック層の膜厚については、電流ブロック層７の厚さが薄いと、上部のｐ型のＧａＡｓコンタクト層８においてレーザ光の光吸収が生じてしまうので、最低限、０．４μｍは必要である。
【００１６】次に、図２（ｂ）に示すように、ストライプ状の窓７ａをフォトリソグラフィー技術を用い、前端面の垂直面に対するストライプの角度θ１１が５度になるように、エッチングにより形成する。エッチングの方法としては、最初に酒石酸または、硫酸などのＡｌＡｓ混晶比に対して選択性のあまりないエッチャントでＧａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロック層７の途中まで、エッチングを行なう。次に、フッ酸系、リン酸系などのＡｌＡｓ混晶比の高い層を選択的にエッチングできるエッチャントを用いて、選択的にＧａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロック層７のエッチングを行なう。すなわち、ｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第二光ガイド層６は、エッチングストップ層としても作用する。そのため、エッチングによるばらつきが小さく、高歩留が得られる。
【００１７】次に、図２（ｃ）に示すように、ＭＯＣＶＤあるいはＭＢＥ成長法により、ｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層９、ｐ型のコンタクト層１０を再成長により、形成する。このとき、電流の流れるストライプ内は、ＡｌＡｓ混晶比の低いｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第二光ガイド層６上の成長となるため、容易に成長が行える。ただし、ｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層９のドーパントにＺｎを使用する場合には、Ｚｎのストライプ領域への成長中の拡散による特性への影響があるため、少なくとも、再成長界面においてキャリア濃度を１０18cm-3以下にする必要がある。本実施例では、７×１０17cm-3とした。もちろん、カーボンなど拡散のあまりないドーパントを用いる方法もある。最後に、ｎ型のＧａＡｓ基板１および、ｐ型のＧａＡｓコンタクト層１０にそれぞれ、電極を形成する。
【００１８】図３は本発明の一実施例におけるＳＬＤの電流−光出力特性図である。比較のために、従来のＳＬＤの特性もあわせて示した。本発明のＳＬＤでは、導波路の損失が小さいため、大幅に動作電流値が小さくなっている。具体的には、活性領域長３００μｍの素子において、室温で５ｍＷのＳＬ光を放出するのに必要な動作電流値を１２０ｍＡから６０ｍＡに低減できた。また、本発明の構造は、動作電流値が低いので、ＳＬＤの高出力化にも有効である。
【００１９】より高出力にするため、図４（ａ）の本発明の特許請求項第二項の一実施例におけるＳＬＤの斜視図、および図４（ｂ）のストライプ部の透視上面図に示すように、前端面の垂直面に対するストライプの角度θを３度から１５度にすると共に、ストライプを湾曲または屈曲させて、ストライプが後端面に対し９０度に接するようにすることによって、後端面の反射光量を増大させ、より高出力にすることができる。このとき、前端面からはＳＬ光は戻らないため、ファブリ・ペロ共振器は形成されず、レーザ発振は生じない。したがって、スペクトル半値幅の広いＳＬ光を高い光出力まで得ることができる。この構造において、後端面を高反射率にコーティングすることによって、より後端面からの反射光量を増やし、さらに高出力化できる。
【００２０】また、活性層を量子井戸構造とすることにより、さらに、動作電流を低減でき、高出力が得られる。量子井戸構造として、シングルカンタムウェル（ＳＱＷ）構造、ダブルカンタムウェル（ＤＱＷ）構造、トリプルカンタムウェル（ＴＱＷ）構造、グリン（ＧＲＩＮ）構造、または、そのセパレートコンファインメントヘテロストラクチャー（ＳＣＨ）構造などでもかまわない。
【００２１】なお、上記全ての実施例において、基板はｎ型で、ｎ型の電流ブロック層を用いる場合のみを示したが、基板にｐ型を用い、ｐ型の電流ブロック層を用いてもかまわない。すなわち、電流ブロック層のＡｌＡｓ混晶比が高いからである。なぜなら、ＡｌＡｓ混晶比の高いｐ型のＧａＡｌＡｓ層の場合、電子の拡散が抑えられるので、ｐ型のブロック層の実現が可能となるからである。
【００２２】なお、上記全ての実施例では、電流ブロック層が活性層上、すなわち、活性層から見て、基板と反対側にある場合のみを示したが、基板と同方向にある場合でも、同じ効果が得られる。あるいは、電流ブロック層が両方向にあるダブルコンファイメント構造にすればさらに、漏れ電流が少なくなり、低動作電流化が図れることはいうまでもない。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明は、活性層となるＧａ1-XＡｌXＡｓ層の主面の少なくとも一方の側に、一導電型のＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第一光ガイド層、Ｇａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第二光ガイド層を順次、備えるとともに、前記第二光ガイド層上に、これとは逆の導電型でストライプ状の窓を有するＧａ1-ZＡｌZＡｓ層が形成されており、前記ストライプ状の窓には、前記光ガイド層と同じ導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層を備えており、ＡｌＡｓ混晶比、Ｘ，Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３およびＺの間に、Ｚ＞Ｙ３＞Ｙ２＞Ｘ≧０，Ｙ１＞Ｙ２の関係を有し、前記ストライプ状の窓の前端面の垂直面に対し、前記ストライプ状の窓が３度から１５度の角度を有する構成により、低動作電流値のＳＬＤを容易に実現できるものである。
【００２４】すなわち、ＡｌＡｓ混晶比の高いＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第一光ガイド層により活性層へキャリアを閉じ込め、再成長はＡｌＡｓ混晶比の低いＧａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第二光ガイド層への成長となるため、容易に作製できる。
【００２５】また、ストライプを形成するエッチングの時に、ＡｌＡｓ混晶比の違いによる選択エッチング法を使用できるため、エッチングのばらつきが小さくなり、高歩留が得られる。
【００２６】また、電流ブロック層のＡｌＡｓ混晶比が、クラッド層のＡｌＡｓ混晶比より高く設定されているため、単一な横モードで発光し、ＳＬ光の電流ブロック層による光吸収がないため、低動作電流値が得られる。
【００２７】また、低動作電流化は、活性層における発熱等の低減をもたらすため、高出力が得られる。さらに、ストライプと前端面の垂直面との角度を３度から１５度にすると共に、ストライプを湾曲または屈曲させることによって、後端面に対しストライプを９０度に接するようにし、また、活性層を量子井戸構造とすれば、より、高出力が得られる。
【００２８】以上、説明したところから明らかなように、本発明のＳＬＤは、高出力のＳＬ光を発光することができ、光ファイバジャイロ用として実用上の効果は大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明の一実施例におけるＳＬＤの斜視図
（ｂ）本発明の一実施例におけるＳＬＤのストライプ部の透視上面図
【図２】本発明の一実施例におけるＳＬＤの製造工程図
【図３】本発明の一実施例におけるＳＬＤの電流−光出力特性図
【図４】（ａ）本発明の特許請求項第二項の一実施例におけるＳＬＤの斜視図
（ｂ）本発明の特許請求項第二項の一実施例におけるＳＬＤのストライプ部の透視上面図
【図５】従来のＳＬＤの要部斜視図
【符号の説明】
１ ｎ型のＧａＡｓ基板
２ ｎ型のＧａＡｓバッファ層
３ ｎ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層
４ Ｇａ0.92Ａｌ0.08Ａｓ活性層
５ ｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ第一光ガイド層
６ ｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ第二光ガイド層
７ ｎ型のＧａ0.4Ａｌ0.6Ａｓ電流ブロック層
７ａ ストライプ状の窓
８ ｐ型のＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ保護層
９ ｐ型のＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓクラッド層
１０ ｐ型のＧａＡｓコンタクト層
１１ 前端面の垂直面に対するストライプの角度θ
２１ ｐ型のＧａＡｓ基板
２２ プロトン注入高抵抗ＧａＡｓ電流ブロック層
２３ ｐ型のＧａ0.59Ａｌ0.41Ａｓ層
２４ Ｇａ0.92Ａｌ0.08Ａｓ活性層
２５ ｎ型のＧａ0.59Ａｌ0.41Ａｓ層
２６ ｎ型のＧａＡｓコンタクト層
２７，２８ オーミック電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】 活性層となるＧａ1-XＡｌXＡｓ層の主面の少なくとも一方の側に、一導電型のＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第一光ガイド層、Ｇａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第二光ガイド層を順次、備えるとともに、前記第二光ガイド層上に、これとは逆の導電型でストライプ状の窓を有するＧａ1-ZＡｌZＡｓ層が形成されており、前記ストライプ状の窓には、前記光ガイド層と同じ導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層を備えており、ＡｌＡｓ混晶比、Ｘ，Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３およびＺの間に、Ｚ＞Ｙ３＞Ｙ２＞Ｘ≧０，Ｙ１＞Ｙ２の関係を有し、前記ストライプ状の窓の前端面の垂直面に対し、前記ストライプ状の窓が３度から１５度の角度を有することを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】 活性層となるＧａ1-XＡｌXＡｓ層の主面の少なくとも一方の側に、一導電型のＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第一光ガイド層、Ｇａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第二光ガイド層を順次、備えるとともに、前記第二光ガイド層上に、これとは逆の導電型で湾曲したストライプ状の窓を有するＧａ1-ZＡｌZＡｓ層が形成されており、前記ストライプ状の窓には、前記光ガイド層と同じ導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層を備えており、ＡｌＡｓ混晶比、Ｘ，Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３およびＺの間に、Ｚ＞Ｙ３＞Ｙ２＞Ｘ≧０，Ｙ１＞Ｙ２の関係を有し、前記ストライプ状の窓の前端面の垂直面に対し、前記ストライプ状の窓が３度から１５度の角度を有するとともに、前記ストライプ状の窓の後端面に対し、前記ストライプ状の窓が９０度の角度を有することを特徴とする半導体発光素子。
【請求項３】 量子井戸構造の活性層の主面の少なくとも一方の側に、一導電型のＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第一光ガイド層、Ｇａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第二光ガイド層を順次、備えるとともに、前記第二光ガイド層上に、これとは逆の導電型でストライプ状の窓を有するＧａ1-ZＡｌZＡｓ層が形成されており、前記ストライプ状の窓には、前記光ガイド層と同じ導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層を備えており、ＡｌＡｓ混晶比、Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３およびＺの間に、Ｚ＞Ｙ３＞Ｙ２，Ｙ１＞Ｙ２の関係を有し、前記ストライプ状の窓の前端面の垂直面に対し、前記ストライプ状の窓が３度から１５度の角度を有することを特徴とする半導体発光素子。
【請求項４】 活性層の主面の少なくとも一方の側に、一導電型のＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第一光ガイド層、Ｇａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第二光ガイド層、前記第二光ガイド層上に、これとは逆の導電型でＧａ1-ZＡｌZＡｓ層を、エピタキシャル成長により形成する工程と、前記Ｇａ1-ZＡｌZＡｓ層だけを前端面の垂直面に対し３度から１５度の角度となるようストライプ状に選択的にエッチングする工程と、前記ストライプ状にエッチングした部分に前記光ガイド層と同じ導電性のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層をエピタキシャル成長により形成する工程を備え、ＡｌＡｓ混晶比、Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３およびＺの間に、Ｚ＞Ｙ３＞Ｙ２，Ｙ１＞Ｙ２の関係を成立させたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項１】 活性層となるＧａ1-XＡｌXＡｓ層の主面の少なくとも一方の側に、一導電型のＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第一光ガイド層、Ｇａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第二光ガイド層を順次、備えるとともに、前記第二光ガイド層上に、これとは逆の導電型でストライプ状の窓を有するＧａ1-ZＡｌZＡｓ層が形成されており、前記ストライプ状の窓には、前記光ガイド層と同じ導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層を備えており、ＡｌＡｓ混晶比、Ｘ，Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３およびＺの間に、Ｚ＞Ｙ３＞Ｙ２＞Ｘ≧０，Ｙ１＞Ｙ２の関係を有し、前記ストライプ状の窓の前端面の垂直面に対し、前記ストライプ状の窓が３度から１５度の角度を有することを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】 活性層となるＧａ1-XＡｌXＡｓ層の主面の少なくとも一方の側に、一導電型のＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第一光ガイド層、Ｇａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第二光ガイド層を順次、備えるとともに、前記第二光ガイド層上に、これとは逆の導電型で湾曲したストライプ状の窓を有するＧａ1-ZＡｌZＡｓ層が形成されており、前記ストライプ状の窓には、前記光ガイド層と同じ導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層を備えており、ＡｌＡｓ混晶比、Ｘ，Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３およびＺの間に、Ｚ＞Ｙ３＞Ｙ２＞Ｘ≧０，Ｙ１＞Ｙ２の関係を有し、前記ストライプ状の窓の前端面の垂直面に対し、前記ストライプ状の窓が３度から１５度の角度を有するとともに、前記ストライプ状の窓の後端面に対し、前記ストライプ状の窓が９０度の角度を有することを特徴とする半導体発光素子。
【請求項３】 量子井戸構造の活性層の主面の少なくとも一方の側に、一導電型のＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第一光ガイド層、Ｇａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第二光ガイド層を順次、備えるとともに、前記第二光ガイド層上に、これとは逆の導電型でストライプ状の窓を有するＧａ1-ZＡｌZＡｓ層が形成されており、前記ストライプ状の窓には、前記光ガイド層と同じ導電型のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層を備えており、ＡｌＡｓ混晶比、Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３およびＺの間に、Ｚ＞Ｙ３＞Ｙ２，Ｙ１＞Ｙ２の関係を有し、前記ストライプ状の窓の前端面の垂直面に対し、前記ストライプ状の窓が３度から１５度の角度を有することを特徴とする半導体発光素子。
【請求項４】 活性層の主面の少なくとも一方の側に、一導電型のＧａ1-Y1ＡｌY1Ａｓ第一光ガイド層、Ｇａ1-Y2ＡｌY2Ａｓ第二光ガイド層、前記第二光ガイド層上に、これとは逆の導電型でＧａ1-ZＡｌZＡｓ層を、エピタキシャル成長により形成する工程と、前記Ｇａ1-ZＡｌZＡｓ層だけを前端面の垂直面に対し３度から１５度の角度となるようストライプ状に選択的にエッチングする工程と、前記ストライプ状にエッチングした部分に前記光ガイド層と同じ導電性のＧａ1-Y3ＡｌY3Ａｓ層をエピタキシャル成長により形成する工程を備え、ＡｌＡｓ混晶比、Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３およびＺの間に、Ｚ＞Ｙ３＞Ｙ２，Ｙ１＞Ｙ２の関係を成立させたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【図３】
【図５】
【図１】
【図２】
【図４】
【図５】
【図１】
【図２】
【図４】
【公開番号】特開平６−１８８５０９
【公開日】平成６年（１９９４）７月８日
【国際特許分類】
【出願番号】特願平４−３３８４２９
【出願日】平成４年（１９９２）１２月１８日
【出願人】（０００００５８４３）松下電子工業株式会社 (43)
【公開日】平成６年（１９９４）７月８日
【国際特許分類】
【出願日】平成４年（１９９２）１２月１８日
【出願人】（０００００５８４３）松下電子工業株式会社 (43)
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