説明

半導体装置、シフトレジスタ、表示装置

【課題】非選択期間においてノイズが少なく、且つトランジスタを常時オンすることのない半導体装置、シフトレジスタ回路を提供することを目的とする。
【解決手段】第1〜第4のトランジスタを設け、第1のトランジスタの、ソースとドレインのうち一方を第1の配線に接続し、他方を第2のトランジスタのゲート電極と接続し、ゲート電極を第5の配線に接続し、第2のトランジスタの、ソースとドレインのうち一方を第3の配線に接続し、他方を第6の配線に接続し、第3のトランジスタの、ソースとドレインのうち一方を第2の配線に接続し、他方を第2のトランジスタのゲート電極に接続し、ゲート電極を第4の配線に接続し、第4のトランジスタの、ソースとドレインのうち一方を第2の配線に接続し、他方を第6の配線に接続し、ゲート電極を第4の配線に接続する。


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【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタは、ソースとドレインのうち一方が第1の配線に電気的に接続され、ソースとドレインのうち他方が前記第2のトランジスタのゲートと前記第3のトランジスタのソースとドレインのうち他方とに電気的に接続され、ゲートが第5の配線に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、ソースとドレインのうち一方が第3の配線に電気的に接続され、ソースとドレインのうち他方が第6の配線に電気的に接続され、
前記第3のトランジスタは、ソースとドレインのうち一方が第2の配線に電気的に接続され、ゲートが第4の配線に電気的に接続され、
前記第4のトランジスタは、ソースとドレインのうち一方が前記第2の配線に電気的に接続され、ソースとドレインのうち他方が前記第6の配線に電気的に接続され、ゲートが前記第4の配線に電気的に接続され、
前記第3の配線には第1のクロック信号(CK1)が供給され、
前記第4の配線には第2のクロック信号(CK2)が供給され、
前記第1のクロック信号(CK1)及び前記第2のクロック信号(CK2)のパルス幅は、1周期の3分の1以下であり、
前記第1のクロック信号(CK1)と前記第2のクロック信号(CK2)の位相はそれぞれ異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタは、ソースとドレインのうち一方が第5の配線に電気的に接続され、ソースとドレインのうち他方が前記第2のトランジスタのゲートと前記第3のトランジスタのソースとドレインのうち他方とに電気的に接続され、ゲートが前記第5の配線に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、ソースとドレインのうち一方が第3の配線に電気的に接続され、ソースとドレインのうち他方が第6の配線に電気的に接続され、
前記第3のトランジスタは、ソースとドレインのうち一方が第2の配線に電気的に接続され、ゲートが第4の配線に電気的に接続され、
前記第4のトランジスタは、ソースとドレインのうち一方が前記第2の配線に電気的に接続され、ソースとドレインのうち他方が前記第6の配線に電気的に接続され、ゲートが前記第4の配線に電気的に接続され、
前記第3の配線には第1のクロック信号(CK1)が供給され、
前記第4の配線には第2のクロック信号(CK2)が供給され、
前記第1のクロック信号(CK1)及び前記第2のクロック信号(CK2)のパルス幅は、1周期の3分の1以下であり、
前記第1のクロック信号(CK1)と前記第2のクロック信号(CK2)の位相はそれぞれ異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項3】
請求項1または請求項2において、
前記第1乃至第5のトランジスタの全ては、一導電の型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項4】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置を複数有することを特徴とするシフトレジスタ。
【請求項5】
請求項4に記載のシフトレジスタと、マトリクス状に配置された複数の画素とを有し、前記複数の画素は、前記シフトレジスタによって駆動されることを特徴とする表示装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【図11】
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【図12】
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【図13】
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【図14】
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【図15】
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【図16】
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【図17】
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【図18】
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【図19】
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【図20】
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【図21】
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【図22】
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【図23】
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【図24】
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【図25】
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【図26】
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【図27】
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【図28】
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【図29】
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【図30】
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【図31】
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【図32】
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【図33】
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【図34】
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【図35】
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【図36】
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【図37】
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【図38】
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【図39】
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【図40】
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【図41】
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【図42】
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【図43】
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【図44】
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【図45】
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【図46】
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【図47】
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【図48】
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【図49】
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【図50】
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【図51】
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【図52】
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【図53】
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【図54】
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【図55】
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【図56】
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【図57】
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【図58】
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【図59】
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【図60】
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【図61】
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【図62】
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【図63】
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【公開番号】特開2013−69402(P2013−69402A)
【公開日】平成25年4月18日(2013.4.18)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−245149(P2012−245149)
【出願日】平成24年11月7日(2012.11.7)
【分割の表示】特願2006−281331(P2006−281331)の分割
【原出願日】平成18年10月16日(2006.10.16)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】