【課題】駆動トランジスタのゲート端子をソース端子と同じ電位にして、画素に入力され
た信号を消去するとき、駆動トランジスタにわずかに電流が流れてしまうことがある。す
ると、表示不良をおこしてしまう。製造コストの増加を抑制しつつ、歩留まりの向上を図
った表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】消去用の走査線の電位を上げたら、それに応じて駆動トランジスタのゲート
端子の電位も上がるようにする。例えば、走査線と駆動トランジスタのゲート端子とを整
流素子を介して接続する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ及び第４のトランジスタと、
第１の配線、第２の配線、第３の配線及び第４の配線と、
画素電極と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記画素電極と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１または請求項２において、
前記第１の配線は、映像信号を伝えることができる機能を有し、
前記第２の配線は、第１の信号を伝えることができる機能を有し、
前記第３の配線は、前記画素電極に電流を伝えることができる機能を有し、
前記第４の配線は、第２の信号を伝えることができる機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１のトランジスタは、前記第１の信号に応じて、前記第２のトランジスタのゲートに、前記映像信号を供給することができる機能を有し、
前記第２のトランジスタは、前記画素電極に伝える前記電流の電流量を制御することができる機能を有し、
前記第３のトランジスタ又は第４のトランジスタは、前記第２のトランジスタに前記第２の信号を伝えるか否かを制御することができる機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
容量を有し、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記容量を介して、前記第３の配線と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ及び前記第３のトランジスタは、インジウム、ガリウム、亜鉛及び酸素を有するトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
ＦＰＣ又はハウジングと、
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置と、を有する表示モジュール。
【請求項７】
アンテナ、操作キー、音声入力部、又は、外部接続ポートと、
請求項６に記載の表示モジュールと、を有する電子機器。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【図３０】

【図３１】

【図３２】

【図３３】

【図３４】

【図３５】

【図３６】

【図３７】

【図３８】

【図３９】

【図４０】

【図４１】

【図４２】

【図４３】

【図４４】

【図４５】

【図４６】

【図４７】

【図４８】

【図４９】

【図５０】

【図５１】

【図５２】

【図５３】

【図５４】

【図５５】

【図５６】

【図５７】

【図５８】

【図５９】

【図６０】

【図６１】

【図６２】

【公開番号】特開２０１２−１５０５１１（Ｐ２０１２−１５０５１１Ａ）
【公開日】平成２４年８月９日（２０１２．８．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−８９３１０（Ｐ２０１２−８９３１０）
【出願日】平成２４年４月１０日（２０１２．４．１０）
【分割の表示】特願２００６−１１５８２５（Ｐ２００６−１１５８２５）の分割
【原出願日】平成１８年４月１９日（２００６．４．１９）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】