半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
【課題】トランジスタのしきい値電圧の変動を抑制し、表示パネルに実装するドライバICの接点数を削減し、表示装置の低消費電力化し、表示装置の大型化又は高精細化するための技術を提供する。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極に、オンしたトランジスタを介して信号を入力することで、劣化しやすいトランジスタのしきい値電圧のシフト及びオンしたトランジスタのしきい値電圧のシフトを抑制するものである。すなわち、高電位(VDD)がゲート電極に印加されているトランジスタを介して(若しくは抵抗成分を持つ素子を介して)、交流パルスを劣化しやすいトランジスタのゲート電極に加える構成を含んでいる。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極に、オンしたトランジスタを介して信号を入力することで、劣化しやすいトランジスタのしきい値電圧のシフト及びオンしたトランジスタのしきい値電圧のシフトを抑制するものである。すなわち、高電位(VDD)がゲート電極に印加されているトランジスタを介して(若しくは抵抗成分を持つ素子を介して)、交流パルスを劣化しやすいトランジスタのゲート電極に加える構成を含んでいる。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第1のスイッチと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第1の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第3の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第4の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1のスイッチの第1の端子は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第1のスイッチの第2の端子は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第4の配線は、信号を伝達する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
請求項1において、
第4のトランジスタを有し、
前記第4のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第5の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲートは、前記第5の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項3】
請求項1又は請求項2において、
第5のトランジスタを有し、
前記第5のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、第6の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項4】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
第6のトランジスタを有し、
前記第6のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項5】
請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、表示素子を有し、
前記画素は、前記第2の配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項6】
請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、発光素子を有し、
前記画素は、前記第2の配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項7】
請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、液晶素子を有し、
前記画素は、前記第2の配線と電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項8】
請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置、請求項5若しくは請求項6に記載の表示装置、又は請求項7に記載の液晶表示装置と、FPCと、を有することを特徴とする表示モジュール。
【請求項9】
請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の表示モジュールと、操作スイッチと、を有することを特徴とする電子機器。
【請求項1】
第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第1のスイッチと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第1の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第3の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第4の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1のスイッチの第1の端子は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第1のスイッチの第2の端子は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第4の配線は、信号を伝達する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
請求項1において、
第4のトランジスタを有し、
前記第4のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第5の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲートは、前記第5の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項3】
請求項1又は請求項2において、
第5のトランジスタを有し、
前記第5のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、第6の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項4】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
第6のトランジスタを有し、
前記第6のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項5】
請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、表示素子を有し、
前記画素は、前記第2の配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項6】
請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、発光素子を有し、
前記画素は、前記第2の配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項7】
請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、液晶素子を有し、
前記画素は、前記第2の配線と電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項8】
請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置、請求項5若しくは請求項6に記載の表示装置、又は請求項7に記載の液晶表示装置と、FPCと、を有することを特徴とする表示モジュール。
【請求項9】
請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の表示モジュールと、操作スイッチと、を有することを特徴とする電子機器。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66】
【図67】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71】
【図72】
【図73】
【図74】
【図75】
【図76】
【図77】
【図78】
【図79】
【図80】
【図81】
【図82】
【図83】
【図84】
【図85】
【図86】
【図87】
【図88】
【図89】
【図90】
【図91】
【図92】
【図93】
【図94】
【図95】
【図96】
【図97】
【図98】
【図99】
【図100】
【図101】
【図102】
【図103】
【図104】
【図105】
【図106】
【図107】
【図108】
【図109】
【図110】
【図111】
【図112】
【図113】
【図114】
【図115】
【図116】
【図117】
【図118】
【図119】
【図120】
【図121】
【図122】
【図123】
【図124】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66】
【図67】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71】
【図72】
【図73】
【図74】
【図75】
【図76】
【図77】
【図78】
【図79】
【図80】
【図81】
【図82】
【図83】
【図84】
【図85】
【図86】
【図87】
【図88】
【図89】
【図90】
【図91】
【図92】
【図93】
【図94】
【図95】
【図96】
【図97】
【図98】
【図99】
【図100】
【図101】
【図102】
【図103】
【図104】
【図105】
【図106】
【図107】
【図108】
【図109】
【図110】
【図111】
【図112】
【図113】
【図114】
【図115】
【図116】
【図117】
【図118】
【図119】
【図120】
【図121】
【図122】
【図123】
【図124】
【公開番号】特開2012−141619(P2012−141619A)
【公開日】平成24年7月26日(2012.7.26)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−16300(P2012−16300)
【出願日】平成24年1月30日(2012.1.30)
【分割の表示】特願2006−269689(P2006−269689)の分割
【原出願日】平成18年9月29日(2006.9.29)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成24年7月26日(2012.7.26)
【国際特許分類】
【出願日】平成24年1月30日(2012.1.30)
【分割の表示】特願2006−269689(P2006−269689)の分割
【原出願日】平成18年9月29日(2006.9.29)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
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