【課題】動作を不安定にすることなく、各トランジスタの特性劣化を抑制することが可能
な半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】非選択期間において、トランジスタが一定時間毎にオンすることで、シフト
レジスタ回路の出力端子に電源電位を供給する。そしてシフトレジスタ回路の出力端子は
、該トランジスタを介して電源電位が供給される。該トランジスタは非選択期間において
常時オンしていないので、該トランジスタのしきい値電位のシフトは、抑制される。また
、シフトレジスタ回路の出力端子は、該トランジスタを介して一定期間毎に電源電位が供
給される。そのため、シフトレジスタ回路は、ノイズが出力端子に発生することを抑制で
きる。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第１のスイッチと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第１の電位が供給されることができる機能を有し、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第１の信号を出力することができる機能を有し、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第２の信号が供給されることができる機能を有し、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第３の信号が供給されることができる機能を有し、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のスイッチの第１の端子は、前記第１の電位が供給されることができる機能を有し、
前記第１のスイッチの第２の端子は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第１のスイッチと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のスイッチの第１の端子は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のスイッチの第２の端子は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１の素子は、電流が流れると電圧を発生することができる機能を有し、
前記第１の配線は、第１の電位を伝えることができる機能を有し、
前記第２の配線は、第１の信号を伝えることができる機能を有し、
前記第３の配線は、第２の信号を伝えることができる機能を有し、
前記第４の配線は、第３の信号を伝えることができる機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、表示素子を有し、
前記画素は、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、発光素子を有し、
前記画素は、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、液晶素子を有し、
前記画素は、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置、請求項４若しくは請求項５に記載の表示装置、又は請求項６に記載の液晶表示装置と、ＦＰＣと、を有することを特徴とする表示モジュール。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の表示モジュールと、操作スイッチ、バッテリー又はスピーカと、を有することを特徴とする電子機器。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

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【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

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【図２８】

【図２９】

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【図３１】

【図３２】

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【図３４】

【図３５】

【図３６】

【図３７】

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【図３９】

【図４０】

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【図４４】

【図４５】

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【図４７】

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【図４９】

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【図５１】

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【図５３】

【図５４】

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【図５７】

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【図７０】

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【図７８】

【図７９】

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【図８１】

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【図８３】

【図８４】

【図８５】

【図８６】

【図８７】

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【図９０】

【図９１】

【図９２】

【図９３】

【図９４】

【図９５】

【図９６】

【図９７】

【図９８】

【図９９】

【図１００】

【図１０１】

【図１０２】

【図１０３】

【図１０４】

【図１０５】

【図１０６】

【図１０７】

【図１０８】

【図１０９】

【図１１０】

【図１１１】

【図１１２】

【図１１３】

【図１１４】

【図１１５】

【図１１６】

【図１１７】

【図１１８】

【図１１９】

【図１２０】

【図１２１】

【図１２２】

【図１２３】

【図１２４】

【図１２５】

【公開番号】特開２０１２−１７８２１５（Ｐ２０１２−１７８２１５Ａ）
【公開日】平成２４年９月１３日（２０１２．９．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−８３４４８（Ｐ２０１２−８３４４８）
【出願日】平成２４年４月２日（２０１２．４．２）
【分割の表示】特願２００７−４４７（Ｐ２００７−４４７）の分割
【原出願日】平成１９年１月５日（２００７．１．５）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】