半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
【課題】動作を不安定にすることなく、各トランジスタの特性劣化を抑制することが可能
な半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】非選択期間において、トランジスタが一定時間毎にオンすることで、シフト
レジスタ回路の出力端子に電源電位を供給する。そしてシフトレジスタ回路の出力端子は
、該トランジスタを介して電源電位が供給される。該トランジスタは非選択期間において
常時オンしていないので、該トランジスタのしきい値電位のシフトは、抑制される。また
、シフトレジスタ回路の出力端子は、該トランジスタを介して一定期間毎に電源電位が供
給される。そのため、シフトレジスタ回路は、ノイズが出力端子に発生することを抑制で
きる。
な半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】非選択期間において、トランジスタが一定時間毎にオンすることで、シフト
レジスタ回路の出力端子に電源電位を供給する。そしてシフトレジスタ回路の出力端子は
、該トランジスタを介して電源電位が供給される。該トランジスタは非選択期間において
常時オンしていないので、該トランジスタのしきい値電位のシフトは、抑制される。また
、シフトレジスタ回路の出力端子は、該トランジスタを介して一定期間毎に電源電位が供
給される。そのため、シフトレジスタ回路は、ノイズが出力端子に発生することを抑制で
きる。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第1のスイッチと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第1の電位が供給されることができる機能を有し、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第2の信号が供給されることができる機能を有し、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第3の信号が供給されることができる機能を有し、
前記第3のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1のスイッチの第1の端子は、前記第1の電位が供給されることができる機能を有し、
前記第1のスイッチの第2の端子は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第1のスイッチと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第1の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第3の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第4の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1のスイッチの第1の端子は、前記第1の配線と電気的に接続され、
前記第1のスイッチの第2の端子は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1の素子は、電流が流れると電圧を発生することができる機能を有し、
前記第1の配線は、第1の電位を伝えることができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を伝えることができる機能を有し、
前記第3の配線は、第2の信号を伝えることができる機能を有し、
前記第4の配線は、第3の信号を伝えることができる機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項3】
請求項1又は請求項2において、
前記第3のトランジスタのゲートは、前記第3のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項4】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、表示素子を有し、
前記画素は、前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項5】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、発光素子を有し、
前記画素は、前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項6】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、液晶素子を有し、
前記画素は、前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項7】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置、請求項4若しくは請求項5に記載の表示装置、又は請求項6に記載の液晶表示装置と、FPCと、を有することを特徴とする表示モジュール。
【請求項8】
請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の表示モジュールと、操作スイッチ、バッテリー又はスピーカと、を有することを特徴とする電子機器。
【請求項1】
第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第1のスイッチと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第1の電位が供給されることができる機能を有し、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第1の信号を出力することができる機能を有し、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第2の信号が供給されることができる機能を有し、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第3の信号が供給されることができる機能を有し、
前記第3のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1のスイッチの第1の端子は、前記第1の電位が供給されることができる機能を有し、
前記第1のスイッチの第2の端子は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第1のスイッチと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第1の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第3の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第4の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1のスイッチの第1の端子は、前記第1の配線と電気的に接続され、
前記第1のスイッチの第2の端子は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第1の素子は、電流が流れると電圧を発生することができる機能を有し、
前記第1の配線は、第1の電位を伝えることができる機能を有し、
前記第2の配線は、第1の信号を伝えることができる機能を有し、
前記第3の配線は、第2の信号を伝えることができる機能を有し、
前記第4の配線は、第3の信号を伝えることができる機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項3】
請求項1又は請求項2において、
前記第3のトランジスタのゲートは、前記第3のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項4】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、表示素子を有し、
前記画素は、前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項5】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、発光素子を有し、
前記画素は、前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項6】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置と、画素と、を有し、
前記画素は、液晶素子を有し、
前記画素は、前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項7】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置、請求項4若しくは請求項5に記載の表示装置、又は請求項6に記載の液晶表示装置と、FPCと、を有することを特徴とする表示モジュール。
【請求項8】
請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の表示モジュールと、操作スイッチ、バッテリー又はスピーカと、を有することを特徴とする電子機器。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66】
【図67】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71】
【図72】
【図73】
【図74】
【図75】
【図76】
【図77】
【図78】
【図79】
【図80】
【図81】
【図82】
【図83】
【図84】
【図85】
【図86】
【図87】
【図88】
【図89】
【図90】
【図91】
【図92】
【図93】
【図94】
【図95】
【図96】
【図97】
【図98】
【図99】
【図100】
【図101】
【図102】
【図103】
【図104】
【図105】
【図106】
【図107】
【図108】
【図109】
【図110】
【図111】
【図112】
【図113】
【図114】
【図115】
【図116】
【図117】
【図118】
【図119】
【図120】
【図121】
【図122】
【図123】
【図124】
【図125】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
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【図15】
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【図18】
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【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66】
【図67】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71】
【図72】
【図73】
【図74】
【図75】
【図76】
【図77】
【図78】
【図79】
【図80】
【図81】
【図82】
【図83】
【図84】
【図85】
【図86】
【図87】
【図88】
【図89】
【図90】
【図91】
【図92】
【図93】
【図94】
【図95】
【図96】
【図97】
【図98】
【図99】
【図100】
【図101】
【図102】
【図103】
【図104】
【図105】
【図106】
【図107】
【図108】
【図109】
【図110】
【図111】
【図112】
【図113】
【図114】
【図115】
【図116】
【図117】
【図118】
【図119】
【図120】
【図121】
【図122】
【図123】
【図124】
【図125】
【公開番号】特開2012−178215(P2012−178215A)
【公開日】平成24年9月13日(2012.9.13)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−83448(P2012−83448)
【出願日】平成24年4月2日(2012.4.2)
【分割の表示】特願2007−447(P2007−447)の分割
【原出願日】平成19年1月5日(2007.1.5)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成24年9月13日(2012.9.13)
【国際特許分類】
【出願日】平成24年4月2日(2012.4.2)
【分割の表示】特願2007−447(P2007−447)の分割
【原出願日】平成19年1月5日(2007.1.5)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
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